JP2021081553A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】より多階調な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、複数の画素が設けられた表示部を有する表示パネルと、表示パネルに光を照射する光源とを備え、少なくとも１つの色について複数の書込期間Ｗと複数の点灯期間Ｌが１つのフレーム期間Ｆ１中に交互に設けられる。書込期間Ｗは、画素信号の一部が画素Ｐｉｘに書き込まれる期間である。点灯期間Ｌは、書込期間Ｗ後の画素Ｐｉｘに光を照射する期間である。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置に関する。

高分子分散型液晶を利用した表示装置が知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１８−１８０１９６号公報

高分子分散型液晶を利用した表示装置で再現される画像の階調性をより多階調にしたいという要求があった。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、より多階調な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様による表示装置は、複数の画素が設けられた表示部を有する表示パネルと、前記表示パネルに光を照射する光源とを備え、少なくとも１つの色について複数の書込期間と複数の点灯期間が１フレーム期間中に交互に設けられ、前記書込期間は、画素信号の一部が前記画素に書き込まれる期間であり、前記点灯期間は、前記書込期間後の画素に光を照射する期間であり、複数の点灯期間のうち少なくとも１つは光量が他より大きい。

図１は、表示装置の主要構成を示す模式的な回路図である。 図２は、表示パネルの概略断面図である。 図３は、実施形態におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。 図４は、８ビットの画素信号で想定されるガンマカーブの一例を示すグラフである。 図５は、画素信号で可能な階調制御の段階数と、上位ビットと下位ビットとの組み合わせによる階調表現との関係の一例を示すグラフである。 図６は、変形例１におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。 図７は、変形例２におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。 図８は、変形例３におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。 図９は、変形例４におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。 図１０は、変形例５におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。 図１１は、変形例６におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態）
図１は、表示装置１００の主要構成を示す模式的な回路図である。表示装置１００は、表示パネルＰと、光源装置ＳＬとを備える。表示パネルＰは、表示部７と、信号出力回路８と、走査回路９と、ＶＣＯＭ駆動回路１０と、タイミングコントローラ１３と、電源回路１４とを備える。以下、表示部７が面する表示パネルＰの一面を表示面とし、他面を背面とする。また、表示装置１００の側方と記載した場合、表示装置１００を基準として表示面と背面との対向方向に交差（例えば、直交）する方向に位置する。

表示部７には、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。画素Ｐｉｘは、スイッチング素子１と、２つの電極とを含む。図１及び後述する図２では、２つの電極として、画素電極２と、共通電極６とを図示している。

図２は、表示パネルＰの概略断面図である。表示パネルＰは、対向する２枚の基板と、当該２枚の基板の間に封入された液晶３を有する。以下、当該２枚の基板の一方を第１基板３０とし、他方を第２基板２０とする。

第１基板３０は、透光性のガラス基板３５と、ガラス基板３５の第２基板２０側に積層された画素電極２と、画素電極２を覆うように第２基板２０側に積層された絶縁層５５とを含む。画素電極２は、画素Ｐｉｘ毎に個別に設けられる。第２基板２０は、透光性のガラス基板２１と、ガラス基板２１の第１基板３０側に積層された共通電極６と、共通電極６を覆うように第１基板３０側に積層された絶縁層５６とを含む。共通電極６は、複数の画素Ｐｉｘで共有される板状又は膜状の形状を有する。

実施形態の液晶３は、高分子分散型液晶である。具体的には、液晶３は、バルク５１と、微粒子５２とを含む。微粒子５２は、バルク５１内で画素電極２と共通電極６との電位差に応じて配向が変化する。画素Ｐｉｘ毎に画素電極２の電位が個別に制御されることで、画素Ｐｉｘ毎に少なくとも透光及び分散のいずれかの度合いが制御される。

図２を参照して説明した実施形態では、画素電極２と共通電極６は、液晶３を挟むように対向するが、表示パネルＰは、１つの基板に画素電極２と共通電極６が設けられて画素電極２と共通電極６によって発生する電界によって液晶３の配向が制御される構成であってもよい。また、液晶３は高分子分散型液晶以外の液晶でもよい。

次に、画素電極２及び共通電極６の電位を制御する仕組みについて説明する。図１に示すようにスイッチング素子１は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等、半導体を用いたスイッチング素子である。スイッチング素子１のソース又はドレインの一方は、２つの電極の一方（画素電極２）と接続される。スイッチング素子１のソース又はドレインの他方が信号線４と接続される。スイッチング素子１のゲートは、走査線５と接続される。走査線５は、走査回路９の制御下で、スイッチング素子１のソース−ドレイン間を開閉するための電位を与える。当該電位の制御は、走査回路９が行う。

図１に示す例では、複数の信号線４は、画素Ｐｉｘの並び方向のうち一方（行方向）に沿って並ぶ。信号線４は、画素Ｐｉｘの並び方向のうち他方（列方向）に沿って延出する。信号線４は、列方向に並ぶ複数の画素Ｐｉｘのスイッチング素子１で共有される。複数の走査線５は、列方向に沿って並ぶ。走査線５は、行方向に沿って延出する。走査線５は、行方向に並ぶ複数の画素Ｐｉｘのスイッチング素子１で共有される。

実施形態の説明では、走査線５の延出方向をＸ方向とし、複数の走査線５が並ぶ方向をＹ方向とする。また、図１では、複数の走査線５のうちＹ方向の両端に配置されたものの一方を走査線５ａとし、他方を走査線５ｂとしている。

共通電極６は、ＶＣＯＭ駆動回路１０と接続される。ＶＣＯＭ駆動回路１０は、共通電極６に共通電位として機能する電位を与える。走査回路９が走査線５に対して駆動信号として機能する電位を与えるタイミングで、信号出力回路８が信号線４に対して信号を出力することで、画素電極２と共通電極６との間に形成された蓄積容量と容量性負荷である液晶（微粒子５２）を充電する。これによって、画素Ｐｉｘと共通電極６との間の電圧は後述する階調信号に対応した電圧となる。駆動信号が与えられなくなった後、蓄積容量と容量性負荷である液晶（微粒子５２）は信号出力回路８から出力された信号に対応する状態を保持する。液晶（微粒子５２）の散乱度は、各画素Ｐｉｘの電位と共通電極６の電位に応じて制御される。例えば、液晶３は各画素Ｐｉｘの電位と共通電極６との間の電位との差が大きくなるほど散乱度が大きくなるような高分子分散型液晶を用いてもよいし、各画素Ｐｉｘの電位と共通電極６との間の電位との差が小さくなるほど散乱度が大きくなるような高分子分散型液晶を用いてもよい。

図２に示すように、表示パネルＰの側方には、光源装置ＳＬが配置されている。光源装置ＳＬは、光源１１と、光源駆動回路１２とを備える。光源１１は、赤色の光を発する第１光源１１Ｒと、緑色の光を発する第２光源１１Ｇと、青色の光を発する第３光源１１Ｂと、を有する。第１光源１１Ｒ、第２光源１１Ｇ、第３光源１１Ｂはそれぞれ、光源駆動回路１２の制御下で発光する。実施形態の第１光源１１Ｒ、第２光源１１Ｇ及び第３光源１１Ｂは、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）のような発光素子を用いた光源であるが、これに限られるものでなく、発光タイミングを制御可能な光源であればよい。光源駆動回路１２は、タイミングコントローラ１３の制御下で第１光源１１Ｒ、第２光源１１Ｇ、第３光源１１Ｂの発光タイミングを制御する。

光源１１から光が照射されると、表示部７は、Ｙ方向の一側面側から照射される光によって照明される。各画素Ｐｉｘは、Ｙ方向の一側面側から照射される光を透過または散乱させる。散乱の度合いは、信号出力回路８が出力する信号に応じて制御された液晶３の状態による。

タイミングコントローラ１３は、信号出力回路８、走査回路９、ＶＣＯＭ駆動回路１０及び光源駆動回路１２の動作タイミングを制御する回路である。実施形態では、タイミングコントローラ１３は、入力回路１５を介して入力された信号に基づいて動作する。

入力回路１５は、表示装置１００の外部からの入力信号Ｉ（図１参照）に基づいた信号をタイミングコントローラ１３及び信号出力回路８に出力する。ある１つの画素Ｐｉｘに割り当てられるＲＧＢの階調値を示す信号を画素信号とすると、フレーム画像を出力するために入力回路１５に入力される入力信号Ｉは、表示部７に設けられた複数の画素Ｐｉｘに対する複数の画素信号の集合である。

実施形態の入力回路１５は、例えば表示パネルＰと接続された図示しないフレキシブルプリント基板上に実装されるＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）又は同様の機能を実現可能な回路である。入力回路１５は、フレーム画像のデータを保持するためのメモリ１５ａを備える。入力回路１５は、メモリ１５ａに記憶されたフレーム画像から、後述する図３等を参照した説明のようにライン画像単位で各フィールド期間の書込期間にライン画像を出力する。言い換えれば、メモリ１５ａは、例えば図３から図１１を参照して説明するような順序でライン画像を出力可能な記憶容量を保持していればよい。

入力回路１５からタイミングコントローラ１３に入力される信号は、入力信号Ｉであってもよいし、入力回路１５から信号出力回路８に入力信号Ｉ又は入力信号Ｉに基づいて生成された信号の入力タイミングを示す信号であってもよい。入力回路１５からタイミングコントローラ１３に対する入力によって、当該信号を各画素Ｐｉｘに与えるための駆動信号の出力タイミング及び信号出力回路８の動作タイミングの制御を行うために必要な情報が得られればよい。

なお、フレームレート、すなわち、１秒間に表示されるフレーム画像の数（フレーム画像の更新回数）は任意であるが、実施形態では、例えば６０［Ｈｚ］である。

図３は、実施形態におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。実施形態のフレーム期間Ｆ１は、複数のサブフレーム期間を含む。実施形態では、複数のサブフレーム期間として、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２とがフレーム期間Ｆ１に含まれる。フレーム期間Ｆ１は、１つのフレーム画像の表示に関する表示装置１００の動作が行われる期間である。上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２は、光源１１の色数（例えば、３）に対応した数のフィールド期間を含む。

図３では、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１のフィールド期間として、第１フィールド期間ＲＦ１、第２フィールド期間ＧＦ１及び第３フィールド期間ＢＦ１を示している。また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２のフィールド期間として、第１フィールド期間ＲＦ２、第２フィールド期間ＧＦ２及び第３フィールド期間ＢＦ２を示している。第１フィールド期間ＲＦ１、第２フィールド期間ＧＦ１、第３フィールド期間ＢＦ１、第１フィールド期間ＲＦ２、第２フィールド期間ＧＦ２及び第３フィールド期間ＢＦ２は、書込期間Ｗと点灯期間Ｌとを含む。

書込期間Ｗは、画素信号の一部が画素Ｐｉｘに書き込まれる期間である。実施形態では、画素信号の一部は、階調信号が示す階調値の上位ビットに対応する信号又は当該階調値の下位ビットに対応する信号である。階調信号とは、画素信号に含まれる赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のいずれかの階調値に対応する信号をさす。

上位ビットに対応する信号とは、階調信号のビット数をｑとした場合、上位側のｑ／２のビット値が階調信号と同一であり、下位ｑ／２のビット値が全て０の信号である。下位ビットに対応する信号とは、上位側のｑ／２のビット値が全て０であり、下位ｑ／２のビット値が階調信号と同一である信号である。当該上位ビットに対応する信号と当該下位ビットに対応する信号とを合わせると、階調値の表現として元の階調信号と同一の信号になるよう上位ビットと下位ビットとが分けられる。なお、上位ビットと下位ビットとの分け方は、ｑ／２の上位と下位に限られない。例えば、上位ｑ／４の部分を上位ビットとし、残りを下位ビットとするようにしてもよい。その他、全体のどの程度を上位ビットとし、他を下位ビットとするかは任意である。

点灯期間Ｌは、書込期間Ｗ後の画素に光を照射する期間である。すなわち、書込期間Ｗに書き込まれた信号に応じて画素Ｐｉｘによる光の散乱の度合いが制御された状態で、光が画素Ｐｉｘに照射される。これによって、表示装置１００の各画素Ｐｉｘは、点灯期間Ｌ中に点灯する色の光で照明され、書込期間Ｗに書き込まれた信号に応じた状態で当該光を散乱又は遮蔽する。

第１フィールド期間ＲＦ１及び第１フィールド期間ＲＦ２の点灯期間Ｌは、第１光源１１Ｒからの赤（Ｒ）の光が照射される期間である。第２フィールド期間ＧＦ１及び第２フィールド期間ＧＦ２の点灯期間Ｌは、第２光源１１Ｇからの緑（Ｇ）の光が照射される期間である。第３フィールド期間ＢＦ１及び第３フィールド期間ＢＦ２の点灯期間Ｌは、第３光源１１Ｂからの青（Ｂ）の光が照射される期間である。このように、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の組み合わせによって色再現を行えるようになっている。図３等では、「光源（点灯）」欄の記載によって、点灯期間Ｌ中に点灯する光源１１の色をアルファベットで示している。

上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１は、階調信号が示す階調値の上位ビットに対応する信号が書込期間Ｗに書き込まれる期間である。下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２は、階調信号が示す階調値の下位ビットに対応する信号が書込期間Ｗに書き込まれる期間である。

一例として、あるフレーム期間Ｆ１においてある画素Ｐｉｘに書き込まれる画素信号が示す赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の８ビット階調値が（Ｒ，Ｇ，Ｂ）＝（２５５，１７，１）であった場合の当該画素Ｐｉｘに関する制御について説明する。当該説明では、各色の階調値を示す８ビットの階調値に対応するビット値のうち上位側の４ビットを上位ビットとし、下位側の４ビットを下位ビットとする。

上述の一例では、赤（Ｒ）の８ビット階調値（２５５）を８つのビット値で表すと、「１１１１１１１１」になる。上位ビットは、「１１１１００００」であり、下位ビットは「００００１１１１」である。従って、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１の第１フィールド期間ＲＦ１に含まれる書込期間Ｗでは、「１１１１００００」に対応する信号（電位）が画素Ｐｉｘに与えられる。また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２の第１フィールド期間ＲＦ２に含まれる書込期間Ｗでは、「００００１１１１」に対応する信号（電位）が画素Ｐｉｘに与えられる。

また、上述の一例では、緑（Ｇ）の８ビット階調値（１７）を８つのビット値で表すと、「０００１０００１」になる。上位ビットは、「０００１００００」であり、下位ビットは「０００００００１」である。従って、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１の第２フィールド期間ＧＦ１に含まれる書込期間Ｗでは、「０００１０００００」に対応する信号（電位）が画素Ｐｉｘに与えられる。また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２の第２フィールド期間ＧＦ２に含まれる書込期間Ｗでは、「０００００００１」に対応する信号（電位）が画素Ｐｉｘに与えられる。

また、上述の一例では、青（Ｇ）の８ビット階調値（１）を８つのビット値で表すと、「０００００００１」になる。上位ビットは、「００００００００」であり、下位ビットは「０００００００１」である。従って、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１の第３フィールド期間ＢＦ１に含まれる書込期間Ｗでは、「０００００００００」に対応する信号（電位）が画素Ｐｉｘに与えられる。また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２の第３フィールド期間ＢＦ２に含まれる書込期間Ｗでは、「０００００００１」に対応する信号（電位）が画素Ｐｉｘに与えられる。

このようにして画素Ｐｉｘに書き込まれた信号（電位）に対応して画素Ｐｉｘによる光の散乱の度合いが制御された状態で、書き込まれた信号に対応する色の光が点灯期間Ｌ中に照射される。ここで、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１における各点灯期間Ｌ中の光量は、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２における各点灯期間Ｌ中の光量より大きい。具体的には、上位ビットと下位ビットとの分け方がｑ／２の上位と下位である場合、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１における各点灯期間Ｌの光量は、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２における各点灯期間Ｌの光量のｒ倍である。ｒは、階調信号のビット数の下位ビットで現せる最大の１０進数値＋１である。例えば、階調信号のビット数が８である場合、下位ビットで現せる最大の１０進数値は１５である。従って、ｒ＝１６である。このように、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１における各点灯期間Ｌの光量と下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２における各点灯期間Ｌの光量との比は、階調信号のビット数に対応する。また、階調信号のビット数がｑであり、当該ｑビットのうち上位側のｔビットが上位ビットであり、残りが下位ビットであるとすると、また、光量の比は２のｔ乗：１であると表現することもできる。例えば、ｑ＝８であり、上位ビットが４ビットであり、下位ビットが４ビットである場合、上位ビット点灯期間と下位ビット点灯期間の光量の比は１６：１である。また、ｑ＝８であり、上位ビットが１ビットであり、下位ビットが７ビットである場合、上位ビット点灯期間と下位ビット点灯期間の光量の比は２：１である。

なお、光量は、単位時間あたりの光の強さである輝度と、光が照射される時間とによって決定される。光源１１の輝度が一定である場合、光量は、輝度×点灯期間である。この場合、点灯期間、すなわち、光が照射される時間が短い程光量は小さくなり、長い程光量は大きくなる。実施形態では、光量の制御は、例えば光源１１の点灯期間の長短によって制御される。図３では、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１に含まれる各点灯期間Ｌの時間長が下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２に含まれる各点灯期間Ｌの時間長より長いことを模式的に示している。図３では、上述の一例に厳密に対応する上位ビットと下位ビットとの比（１６：１）での図示は行っていないが、実際には、上位ビットと下位ビットの比対応するよう上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１に含まれる各点灯期間Ｌの時間長及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２に含まれる各点灯期間Ｌの時間長が設定される。

このように、実施形態では、第１フィールド期間ＲＦ１において、書込期間Ｗに階調信号の赤（Ｒ）の上位ビットに対応して画素Ｐｉｘが制御され、点灯期間Ｌ中に上位ビットに対応する光量の赤（Ｒ）の光が第１光源１１Ｒから照射される。また、第２フィールド期間ＧＦ１において、書込期間Ｗに階調信号の緑（Ｇ）の上位ビットに対応して画素Ｐｉｘが制御され、点灯期間Ｌ中に上位ビットに対応する光量の緑（Ｇ）の光が第２光源１１Ｇから照射される。また、第３フィールド期間ＢＦ１において、書込期間Ｗに階調信号の青（Ｂ）の上位ビットに対応して画素Ｐｉｘが制御され、点灯期間Ｌ中に上位ビットに対応する光量の青（Ｂ）の光が第２光源１１Ｇから照射される。これによって、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１全体で、階調信号の上位ビットに対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の組み合わせによる色再現が行われる。

また、第１フィールド期間ＲＦ２において、書込期間Ｗに階調信号の赤（Ｒ）の下位ビットに対応して画素Ｐｉｘが制御され、点灯期間Ｌ中に下位ビットに対応する光量の赤（Ｒ）の光が第１光源１１Ｒから照射される。また、第２フィールド期間ＧＦ２において、書込期間Ｗに階調信号の緑（Ｇ）の下位ビットに対応して画素Ｐｉｘが制御され、点灯期間Ｌ中に下位ビットに対応する光量の緑（Ｇ）の光が第２光源１１Ｇから照射される。また、第３フィールド期間ＢＦ２において、書込期間Ｗに階調信号の青（Ｂ）の下位ビットに対応して画素Ｐｉｘが制御され、点灯期間Ｌ中に下位ビットに対応する光量の青（Ｂ）の光が第２光源１１Ｇから照射される。これによって、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２全体で、階調信号の下位ビットに対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の組み合わせによる色再現が行われる。従って、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２を含むフレーム期間Ｆ１全体で、階調信号に対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の組み合わせによる色再現が行われる。

なお、書込期間Ｗにおける画素Ｐｉｘの制御は、複数の画素Ｐｉｘに個別に与えられる階調信号に応じて画素Ｐｉｘ毎に行われる。

具体的には、図１に示すように、Ｘ方向に並んで走査線５を共有する複数の画素Ｐｉｘ（画素行）単位で書込期間Ｗにおける信号の書き込みが行われる。より具体的には、走査線５に駆動信号が与えられたタイミングで当該走査線５と接続されている画素Ｐｉｘが駆動され、当該タイミングで、Ｘ方向に並ぶ複数の信号線４の各々に対して個別の信号が与えられることで、当該走査線５を共有する画素行に含まれる複数の画素Ｐｉｘに対して個別の信号が書き込まれる。

図３では、上述のような画素行単位で書き込まれる信号をタイムチャート内の矩形で示している。例えば、「Ｒ上位ｌｉｎｅ１」は、第１フィールド期間ＲＦ１の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる１画素行分の信号（ｌｉｎｅ１）を示している。また、「Ｒ上位ｌｉｎｅ２」は、第１フィールド期間ＲＦ１の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端から数えて２番目に位置する走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる１画素行分の信号（ｌｉｎｅ２）を示している。また、「Ｒ上位ｌｉｎｅＮ−１」は、第１フィールド期間ＲＦ１の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端から数えて最後から２番目に位置する走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる１画素行分の信号（ｌｉｎｅＮ−１）を示している。また、「Ｒ上位ｌｉｎｅＮ」は、第１フィールド期間ＲＦ１の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端から数えて最後、すなわち他端に位置する走査線５（例えば、走査線５ｂ）と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる１画素行分の信号（ｌｉｎｅＮ）を示している。

上述の「Ｒ上位ｌｉｎｅ１」、「Ｒ上位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｒ上位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｒ上位ｌｉｎｅＮ」のような矩形の記載に含まれる「Ｒ」は、階調信号が画素信号に含まれる赤（Ｒ）の色に対応する信号であることを示している。他の例を挙げると、例えば第２フィールド期間ＧＦ１における「Ｇ上位ｌｉｎｅ１」、「Ｇ上位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｇ上位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｇ上位ｌｉｎｅＮ」のような矩形の記載に含まれる「Ｇ」は、階調信号が画素信号に含まれる緑（Ｇ）の色に対応する信号であることを示している。また、第３フィールド期間ＢＦ１における「Ｂ上位ｌｉｎｅ１」、「Ｂ上位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｂ上位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｂ上位ｌｉｎｅＮ」のような矩形の記載に含まれる「Ｂ」は、階調信号が画素信号に含まれる青（Ｂ）の色に対応する信号であることを示している。

また、上述の「Ｒ上位ｌｉｎｅ１」、「Ｒ上位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｒ上位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｒ上位ｌｉｎｅＮ」、「Ｇ上位ｌｉｎｅ１」、「Ｇ上位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｇ上位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｇ上位ｌｉｎｅＮ」、「Ｂ上位ｌｉｎｅ１」、「Ｂ上位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｂ上位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｂ上位ｌｉｎｅＮ」のような矩形の記載に含まれる「上位」は、上位ビットに対応する信号であることを示している。他の例を挙げると、例えば、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２における「Ｒ下位ｌｉｎｅ１」、「Ｒ下位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｒ下位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｒ下位ｌｉｎｅＮ」、「Ｇ下位ｌｉｎｅ１」、「Ｇ下位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｇ下位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｇ下位ｌｉｎｅＮ」、「Ｂ下位ｌｉｎｅ１」、「Ｂ下位ｌｉｎｅ２」、…、「Ｂ下位ｌｉｎｅＮ−１」、「Ｂ下位ｌｉｎｅＮ」のような矩形の記載に含まれる「下位」は、下位ビットに対応する信号であることを示している。

なお、図３等における矢印ＳＬ１，ＳＬ２は、各フレーム期間Ｆ１で最初の書込期間Ｗに行われる走査を示している。走査とは、走査線５ａ又は走査線５ｂの一方側から他方側へ順次駆動信号の出力対象をシフトさせる動作をさす。符号が付されていない他の矢印を含めて、表示部の一端側から他端側に向かう矢印は、各書込期間Ｗに行われる走査を示す。なお、図示しないが、フレームレートに応じて画像が更新される場合、当該フレームレートに応じた複数のフレーム期間Ｆ１が時間的に連続するよう設けられる。

以上、説明したような上位ビットと下位ビットに分けた画素Ｐｉｘの制御を行うことで、画素Ｐｉｘに対する１回の書込期間Ｗで対応可能な階調制御の段階数よりも多階調な信号として入力された画素信号にも対応可能になる。

図４は、８ビットの画素信号で想定されるガンマカーブの一例を示すグラフである。図５は、画素Ｐｉｘで可能な階調制御の段階数と、上位ビットと下位ビットとの組み合わせによる階調表現との関係の一例を示すグラフである。

実施形態のように高分子分散型液晶を利用した光の散乱の度合いの制御による階調制御では、図４に示すような８ビットの画素信号による階調数（２５６：０〜２５５）に対応する電圧をダイレクトに高分子分散型液晶に与える必要がある。この場合、高分子分散型液晶を駆動する回路の出力は２５６階調の電圧を出力する必要があり回路が複雑になる。一方、８ビットの画素信号を上位ビットに対応する信号と下位ビットに対応する信号の２つに分けた場合、各々の信号は実質的に４ビットの信号として扱うことができる。４ビットの階調表現に必要な階調数は１６（０〜１５）であり、高分子分散型液晶を駆動する回路の出力も１６階調を出力可能であればいい。実施形態では、このような考え方に基づき、上位ビットに対応した信号に基づく階調制御を行うための上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１と、下位ビットに対応した信号に基づく階調制御を行うための下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２とがフレーム期間Ｆ１内に設けられている。

まず、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１において、上位ビットに対応した信号に基づいて、各画素Ｐｉｘによる光の散乱（又は遮蔽）の度合いが、１６段階のいずれかに対応する段階となるよう制御される。次に、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において、下位ビットに対応した信号に基づいて、各画素Ｐｉｘによる光の散乱（又は遮蔽）の度合いが、１６段階のいずれかに対応する段階となるよう制御される。また、上述の通り、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１における点灯期間Ｌの光量は、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２における点灯期間Ｌの光量のｒ倍である。合計のビット数が８ビットで上位ビットが４ビット、下位ビットが４ビットの場合、ｒ＝１６である。

ここで、下位ビットの光量に基づいた階調制御の１６段階を「０，１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５」の１６通りの数値で表現すると、光量が下位ビットのｒ倍（ｒ＝１６）である上位ビットにおける階調制御の１６段階の数値は、「０，１６，３２，４８，６４，８０，９６，１１２，１２８，１４４，１６０，１７６，１９２，２０８，２２４，２４０」になる。つまり、上位ビットと下位ビットとの組み合わせで、０から２５５の２５６段階を表現可能になる。例えば、上位ビットを「０」とし、下位ビットを「０，１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５」のように変化させ、上位ビット＋下位ビットの数値を導出することで、「０〜１５」の１６段階を表現できる。つまり、「１」の階調値に対応した階調制御を画素Ｐｉｘで行いたい場合、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１において「０」に対応した階調制御を行い、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において「１」に対応した階調制御を行えばよいし、「７」の階調値に対応した階調制御を画素Ｐｉｘで行いたい場合、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１において「０」に対応した階調制御を行い、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において「７」に対応した階調制御を行えばよいし、同様の考え方で、上位ビットを「０，１６，３２，４８，６４，８０，９６，１１２，１２８，１４４，１６０，１７６，１９２，２０８，２２４，２４０」のいずれかとし、下位ビットを変化させる。これによって、上位ビットが「１」の場合に「１６〜３１」、上位ビットが「２」の場合に「３２〜４７」、…のように、上位ビットと下位ビットとの組み合わせで、０から２５５の２５６段階を表現可能になる。

図５では、上位ビットの数値が０，１６，３２，…，２４０である場合の階調範囲をそれぞれ範囲Ｕ０１，Ｕ０２，Ｕ０３，…，Ｕ１６で示している。各範囲における黒帯が上位ビットの数値に対応した画素Ｐｉｘの階調制御である。係る上位ビットの数値に対応した画素Ｐｉｘの階調制御状態で照射される点灯期間Ｌ中の光量と、下位ビットの数値（０，１，２，…，１６）に対応した画素Ｐｉｘの階調制御状態で照射される点灯期間Ｌ中の光量との比が１６：１であることで、フレーム期間Ｆ１中に散乱（又は遮蔽）される光の度合いが画素信号のビット数（８ビット）に対応するよう制御される。なお、図５における下位４ビットは点線で１６階調が示されているが、下位ビットに対応する点灯期間の光量は、上述のように上位ビットに対応する点灯期間の光量の１／１６である。このため、フレーム期間Ｆ１内で視認される階調は、下位ビットに対応する点灯期間によって上位ビットに比して１／１６とされた光量が、上位ビットの階調である実線に対応する光量に加算されたものになる。

以上、画素Ｐｉｘの階調制御の段階数が１６であり、画素信号が８ビットである場合を例として説明したが、これに限られるものでない。画素信号のビット数をｙとした場合にｙをｘの２乗根に置換してｘを画素Ｐｉｘの階調制御の段階数として適用することで、他の画素信号のビット数と画素Ｐｉｘの階調制御の段階数との組み合わせにも対応可能である。

以上、実施形態によれば、表示装置１００は、複数の画素が設けられた表示部を有する表示パネルＰと、表示パネルＰに光を照射する光源１１とを備える。また、少なくとも１つの色について複数の書込期間Ｗと複数の点灯期間Ｌが１つのフレーム期間Ｆ１中に交互に設けられる。書込期間Ｗは、画素信号の一部が画素Ｐｉｘに書き込まれる期間である。点灯期間Ｌは、書込期間Ｗ後の画素Ｐｉｘに光を照射する期間である。また、複数の点灯期間Ｌのうち少なくとも１つは光量が他より大きい。このような光量が他の点灯期間Ｌより大きい点灯期間Ｌと、他の点灯期間Ｌとの組み合わせによってより多階調表現を行える。従って、より多階調な表示装置１００を提供できる。

また、光源１１は、第１光源１１Ｒと、第２光源１１Ｇと、第３光源１１Ｂとを含む。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のそれぞれに複数の書込期間Ｗと複数の点灯期間Ｌが設けられる。このような光量が他の点灯期間Ｌより大きい点灯期間Ｌと、他の点灯期間Ｌとの組み合わせが色毎に設けられることによって、カラー画像の表示出力においてより多階調表現を行える。

また、光量が他の点灯期間Ｌより大きい１つの点灯期間Ｌの光量は、画素信号の上位ビットに対応し、他の点灯期間Ｌは、画素信号の下位ビットに対応する。これによって、画素信号に基づいた簡易な信号制御でより多階調表現を行える。

また、光量が光源１１の点灯時間に応じることで、各点灯期間Ｌの時間長制御という簡便な制御によって光量制御を行える。

また、光量が光源１１の輝度に応じるようにすることで、各点灯期間Ｌの時間長に制約されず、より時間的に自由な光量制御を行える。なお、光源１１の点灯時間の制御と輝度の制御の両方を組み合わせて光量制御を行ってもよい。上述のように、光量は、輝度と点灯期間によって決定される。光源１１の輝度又は点灯期間が一定である場合、光量は、輝度×点灯期間である。従って、輝度を一定として点灯期間によって光量を制御してもよいし、点灯期間を一定として輝度によって光量を制御してもよいし、輝度と点灯期間の両方を可変として光量を制御してもよい。

また、表示パネルＰは、対向する２枚の基板（第２基板２０、第１基板３０）の間に高分子分散型液晶（液晶３）が封入されている。これによって、技術的に多階調制御が困難な傾向を示す高分子分散型液晶を利用した構成であっても、より多階調な表示装置１００を提供できる。

（変形例）
以下、実施形態の変形例について、図６から図１１を参照して順次説明する。

（変形例１）
図６は、変形例１におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。変形例１は、実施形態における下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２が下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３に置換される点を除いて実施形態と同様である。また、以下に特筆する点を除いて、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３は、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２と同様である。例えば、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３は、光源１１の色数（例えば、３）に対応した数のフィールド期間を含む。図６では、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３のフィールド期間として、第１フィールド期間ＲＦ３、第２フィールド期間ＧＦ３及び第３フィールド期間ＢＦ３を示している。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３の書込期間Ｗでは、少なくとも２画素行単位で書込期間Ｗにおける信号の書き込みが行われる。より具体的には、Ｙ方向に隣り合う少なくとも２つの走査線５に駆動信号が与えられたタイミングで当該走査線５と接続されている画素Ｐｉｘが駆動され、当該タイミングで、Ｘ方向に並ぶ複数の信号線４の各々に対して個別の信号が与えられることで、当該少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる複数の画素Ｐｉｘに対して個別の信号が書き込まれる。ここで、信号線４を共有している２つの画素Ｐｉｘには同じ信号が与えられる。すなわち、Ｙ方向に隣り合う少なくとも２つの画素Ｐｉｘには同じ信号が与えられる。

図６では、２画素行単位で書き込まれる信号をタイムチャート内の矩形で示している。例えば、「下位ｌｉｎｅ１」は、第１フィールド期間ＲＦ３の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。また、「下位ｌｉｎｅＮ」は、第１フィールド期間ＲＦ３の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端から数えて最後、すなわち他端に位置する走査線５（例えば、走査線５ｂ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。

「下位ｌｉｎｅ１」は、実施形態の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれていた信号であってもよい。また、「下位ｌｉｎｅ１」は、実施形態の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において当該一端に位置する走査線５と隣り合う他の走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれていた信号であってもよい。また、「下位ｌｉｎｅ１」は、先に「下位ｌｉｎｅ１」の例として記載した前者の下位ビット値と後者の下位ビット値との平均であってもよい。すなわち、第１方向（Ｙ方向）に並ぶ所定数（ｎ）の画素Ｐｉｘに対する画素信号の下位ビットが平均化されて第１方向に並ぶ所定数の画素Ｐｉｘに一括で書き込まれてもよい。なお、ｎは、２以上の自然数である。例えば、ｎ＝２であるが、３以上であってもよい。

また、「下位ｌｉｎｅＮ」についても同様に、実施形態の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において表示部７のＹ方向の他端に位置する走査線５（例えば、走査線５ｂ）と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれていた信号であってもよい。また、「下位ｌｉｎｅＮ」は、実施形態の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２において当該他端に位置する走査線５と隣り合う他の走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれていた信号であってもよい。また、「下位ｌｉｎｅＮ」は、前者の下位ビット値と後者の下位ビット値との平均であってもよい。図示しないが、一端と他端の間における２画素行単位での信号の書き込みにおける信号の制御についても同様である。

第２フィールド期間ＧＦ３の書込期間Ｗにおける「下位ｌｉｎｅ１」及び「下位ｌｉｎｅＮ」並びに第３フィールド期間ＢＦ３の書込期間Ｗにおける「下位ｌｉｎｅ１」及び「下位ｌｉｎｅＮ」についても、信号が対応する色が異なる点を除いて第２フィールド期間ＧＦ３の書込期間Ｗにおけるものと同様である。

図６ならびに後述する図７、図８、図９では、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１以外のフィールド期間において画素Ｐｉｘに書き込まれる１画素行分の信号を示す矩形から色を示す記号（Ｒ，Ｇ又はＢ）の記載が省略されているが、実際には、各フィールド期間の書込期間Ｗには当該書込期間Ｗの直後に照射される光の色（Ｒ，Ｇ又はＢ）に対応した信号が書き込まれる。

変形例１によれば、表示部７は、画素行が第１方向（Ｙ方向）に複数並ぶ。画素行は、第１方向と直交する第２方向（Ｘ方向）に並ぶ複数の画素Ｐｉｘを有する。画素信号の下位ビットは、第１方向に並ぶ２以上の所定数の画素Ｐｉｘに一括で書き込まれる。これによって、下位ビットに対応する信号を書き込むための書込期間Ｗの走査時間をより短縮でき、フレーム期間Ｆ１中に行われる他の工程に割り当てられる時間をより増やせる。従って、点灯期間Ｌをより長くしやすくなり、表示出力輝度を確保しやすくなる。なお、走査時間とは、走査が開始してから完了するまでの時間をさす。

また、第１方向（Ｙ方向）に並ぶ所定数（ｎ）の画素Ｐｉｘに対する画素信号の下位ビットが平均化されて第１方向に並ぶ所定数の画素Ｐｉｘに一括で書き込まれることで、同時に信号が書き込まれる所定数の画素Ｐｉｘに対する入力信号Ｉの情報を平均化して反映できる。従って、入出力間で切り捨てられる情報が生じることを抑制できる。

（変形例２）
図７は、変形例２におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。変形例２は、実施形態における下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２が下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５に置換される点を除いて実施形態と同様である。すなわち、変形例２のフレーム期間Ｆ１は、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５とを含む。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４の書込期間Ｗ及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５の書込期間Ｗでは、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３の書込期間Ｗと同様、２画素行単位で書込期間Ｗにおける信号の書き込みが行われる。変形例２では、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４の書込期間Ｗ及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５の書込期間Ｗとの組み合わせによって下位８ビットに対応する信号に応じた画素Ｐｉｘの制御を行うよう、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４の書込期間Ｗに書き込まれる信号と下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５の書込期間Ｗに書き込まれる信号が設定される。

例えば、図７の「下位１ｌｉｎｅ１」は、第１フィールド期間ＲＦ４の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。図７の「下位２ｌｉｎｅ１」は、第１フィールド期間ＲＦ５の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。変形例２における少なくとも２画素行単位での信号の制御の考え方は、変形例１と同様である。

変形例２では、下位ビットに対応する信号が「下位１ｌｉｎｅ１」と「下位２ｌｉｎｅ１」に分けられている。どのように下位ビットに対応する信号を分けるかは任意である。例えば、「下位２ｌｉｎｅ１」に「下位ビットに対応する信号の最下位ビット」が割り当てられ、「下位１ｌｉｎｅ１」に「下位ビットに対応する信号の最下位ビットを除くビット」が割り当てられてもよいし、半々であってもよい。階調信号が８ビットの信号である場合であって、下位ビットに対応する信号が「０００００１０１」であった場合の例を挙げると、「下位ビットに対応する信号の最下位ビット」は、「０００００００１」になる。また、「下位ビットに対応する信号の最下位ビットを除くビット」は、「０００００１００」になる。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４における各点灯期間Ｌ中の光量と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５における各点灯期間Ｌ中の光量との比は、下位ビットに対応する信号の分け方に対応する。上述のように「下位ビットに対応する信号の最下位ビット」と「下位ビットに対応する信号の最下位ビットを除くビット」とを分けた場合、当該下位ビットが４であるならば、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４における各点灯期間Ｌ中の光量と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５における各点灯期間Ｌ中の光量との比は、８：１になる。無論、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。

図７の「下位１ｌｉｎｅＮ」は、第１フィールド期間ＲＦ４の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端から数えて最後、すなわち他端に位置する走査線５（例えば、走査線５ｂ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。また、「下位２ｌｉｎｅＮ」は、第１フィールド期間ＲＦ５の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端から数えて最後、すなわち他端に位置する走査線５（例えば、走査線５ｂ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。「下位１ｌｉｎｅＮ」と「下位２ｌｉｎｅＮ」との関係は、「下位１ｌｉｎｅ１」と「下位２ｌｉｎｅ１」の関係と同様である。

図７に示すように、下位ビットに対応する信号が書き込まれるサブフレーム期間を複数に分けることで、更に階調数を増やすことが可能となる。サブフレーム期間の増加は、フレーム期間Ｆ１中において書込期間Ｗが設けられる回数の増加をもたらすため、書込期間Ｗにおける走査時間がフレーム期間Ｆ１に占める割合が増えることになる。そこで、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５のように、同時に所定数（ｎ）の画素行に対して信号の書き込みを行うことで、１画素行単位で信号を書き込む場合に比して走査時間を約１／ｎとすることができる。

変形例２によれば、画素信号の下位ビットに対応する書込期間Ｗ及び点灯期間Ｌは１つのフレーム期間Ｆ１中にそれぞれ２つ設けられる。これによって、サブフレーム期間の増加に伴う走査時間の増加を抑制しながら、ガンマカーブにより近い階調表現が可能になる。

なお、図７を参照した説明では、下位ビットに対応する信号に係るサブフレーム期間の数（ｎ）が２である場合の例として下位ビットサブフレーム期間ＬＢ４と下位ビットサブフレーム期間ＬＢ５が設けられているが、ｎは３以上であってもよい。その場合、例えば「下位１ｌｉｎｅ１」、「下位２ｌｉｎｅ１」、…、「下位ｎｌｉｎｅ１」がｎ画素行単位で書込期間Ｗに書き込まれるサブフレーム期間が設けられる。

（変形例３）
図８は、変形例３におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。変形例３は、変形例１における下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３の後にさらなるサブフレーム期間として下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６される点を除いて実施形態と同様である。すなわち、変形例３のフレーム期間Ｆ１は、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６とを含む。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６は、階調値の表現として元の階調信号に含まれない、拡張された階調表現のために用いられる。例えば、階調信号が８ビットである場合、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６の書込期間Ｗに追加の最下位１ビット（１又は０）が与えられることで、画像の表示における階調性をより豊かにできる。変形例３における上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１における各点灯期間Ｌ中の光量と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３における各点灯期間Ｌ中の光量と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６における各点灯期間Ｌ中の光量との比は、例えば２^{（ｙ＋１）}：２：１であるが、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６は、例えば、ＨＤＲ（High Dynamic Range）のように更に階調数を増やすことが可能となる対応、表示部７内における各画素Ｐｉｘの特性（光の散乱度合い）のばらつきの補正、輝度傾斜の補正等に利用できる。輝度傾斜とは、光の散乱度合いがＬＥＤのような光源１１側（光源１１により近い位置）の方が強く、反対側（光源１１から遠い位置）の方が弱くなる傾向を生じることよって生じる光源１１側とその反対側との間の輝度分布における輝度の不均一（光源１１側から反対側に向かって光が弱くなる傾向を傾斜と表現したもの）である。係る輝度傾斜に基づき、光源１１から距離が離れる反対側ほど、画素Ｐｉｘへの印加電圧を制御して液晶の散乱度合いを強くすることで、全体的に散乱度合いを均一にすることができ、このような制御によって輝度傾斜を補正することができる。また、更に階調数を増やすことでより高階調にするほど輝度傾斜の補正の階調も目立たなくなる。

図８の「追加Ｌ１」は、第１フィールド期間ＲＦ６の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）及び当該走査線５と隣り合う他の走査線５を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。変形例３における下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６の少なくとも２画素行単位での信号の制御の考え方は、変形例１の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３と同様である。

（変形例４）
図９は、変形例４におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。変形例４は、変形例１における下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３の後にさらなるサブフレーム期間として下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７される点を除いて実施形態と同様である。すなわち、変形例４のフレーム期間Ｆ１は、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７とを含む。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７は、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３がｎ画素行単位となったことで下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２ならば書き込まれていた信号が下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３に書き込まれなくなった場合に、書き込まれなかった信号を書き込むために設けられる。例えば、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３の「下位ｌｉｎｅ１」が、実施形態の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２（図３参照）において表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれていた信号である場合、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７の「下位２ｌｉｎｅ２」は、実施形態の下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２（図３参照）において当該一端に位置する走査線５と隣り合う他の走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれていた信号になる。

また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７では、ｎ画素行単位で信号が書き込まれる対象になる画素行が下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３から１行分ずれる。例えば、図９の「下位２ｌｉｎｅ２」は、第１フィールド期間ＲＦ７の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）と隣り合う「２番目の走査線５」と、当該「２番目の走査線５」と隣り合って当該一端に位置しない走査線５（３番目の走査線５）を含む２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。また、図９の「下位２ＬＮ−２」は、第１フィールド期間ＲＦ７の書込期間Ｗにおいて、表示部７のＹ方向の他端に位置する走査線５と隣り合う「最後から２番目の走査線５」と、当該「最後から２番目の走査線５」と隣り合って当該一端に位置しない走査線５（最後から３番目の走査線５）を含む少なくとも２つの走査線５と接続された画素行に含まれる画素Ｐｉｘに書き込まれる信号を示している。言い換えれば、「下位ｌｉｎｅ１」の「ｌｉｎｅ１」が１行目の画素Ｐｉｘに対応する信号であることを示す。また、「下位２ｌｉｎｅ２」の「ｌｉｎｅ２」が２行目の画素Ｐｉｘに対応する信号であることを示す。また、「下位２ＬＮ−２」の「Ｎ−２」が最後（Ｎ）から数えて３行目（Ｎ−２行目）の画素Ｐｉｘに対応する信号であることを示す。また、「上位ｌｉｎｅＮ−１」の「Ｎ−１」が最後（Ｎ）から数えて２行目（Ｎ−１行目）の画素Ｐｉｘに対応する信号であることを示す。また、「上位ｌｉｎｅＮ」及び「下位ｌｉｎｅＮ」の「Ｎ」が、最後（Ｎ）の画素Ｐｉｘに対応する信号であることを示す。

このように、変形例４によれば、２つの画素信号の下位ビットに対応する書込期間Ｗのうち一方において一括で信号が書き込まれる複数の画素Ｐｉｘの配置と、他方において一括で信号が書き込まれる複数の画素Ｐｉｘの配置とは第１方向（Ｙ方向）にずれている。これによって、入出力間で切り捨てられる情報が生じることと、下位ビットに対応する信号が反映される画素Ｐｉｘの第１方向のずれを抑制できる。

なお、図９では、表示部７のＹ方向の一端に位置する走査線５（例えば、走査線５ａ）及び表示部７のＹ方向の他端に位置する走査線５（例えば、走査線５ｂ）に書き込まれる信号が下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３と下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７で同一になるよう制御されているが、これらの画素行に対する下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７での信号の書き込みはこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。例えば、隣接する「２番目の走査線５」、「最後から２番目の走査線５」と同一にするよう制御してもよいし、書き込みを省略してもよい。

下位ビットサブフレーム期間ＬＢ３における各点灯期間Ｌ中の光量と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ７における各点灯期間Ｌ中の光量との比は、例えば１：１であるが、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。

（変形例５）
図１０は、変形例５におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。図３から図９では、光源１１から照射される光の色数が３である場合を例示してきたが、図１０では光源１１から単色の光が照射される場合を示している。すなわち、変形例５の表示装置１００は、モノクロの表示装置である。

変形例５のフレーム期間Ｆ１は、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ２と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ８と、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ９とを含む。上位ビットサブフレーム期間ＵＢ２、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ８及び下位ビットサブフレーム期間ＬＢ９は、それぞれ１つの書込期間Ｗと点灯期間Ｌとを含む。上位ビットサブフレーム期間ＵＢ２において書込期間Ｗに書き込まれる信号は、画素信号の上位ビットに対応する信号になる。また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ８において書込期間Ｗに書き込まれる信号は、画素信号の下位ビットに対応する信号になる。変形例５では、画素信号もモノクロになるため、色の区別はない。色の区別がない点を除いて、変形例５の「上位ビットに対応する信号」と「下位ビットに対応する信号」の考え方は、実施形態の「上位ビットに対応する信号」と「下位ビットに対応する信号」の考え方と同様である。

また、下位ビットサブフレーム期間ＬＢ９において書込期間Ｗに書き込まれる信号は、変形例３で説明した下位ビットサブフレーム期間ＬＢ６の信号と同様の考え方で設定された、拡張された階調表現のために用いられる。ただし、図１０に示す例では、係る信号の書き込みが１画素行単位で行われる点が図８と異なる。

変形例５で例示するように、光源１１から照射される光の色が単色であっても本発明を適用可能である。

（変形例６）
図１１は、変形例６におけるフィールドシーケンシャル制御の一例を示すタイムチャートである。実施形態では、フレーム期間Ｆ１において、上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１の第１フィールド期間ＲＦ１、第２フィールド期間ＧＦ１、第３フィールド期間ＢＦ１の後に下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２の第１フィールド期間ＲＦ２、第２フィールド期間ＧＦ２、第３フィールド期間ＢＦ２が実施されていた。これに対し、変形例６は、実施形態で上位ビットサブフレーム期間ＵＢ１に含まれていたフィールド期間と下位ビットサブフレーム期間ＬＢ２に含まれていたフィールド期間とが交互に実施される。この点を除いて、変形例６は、実施形態と同様である。

係る変形例６では、例えば、図１１に示すように、フレーム期間Ｆ１において、第１フィールド期間ＲＦ１、第２フィールド期間ＧＦ２、第３フィールド期間ＢＦ１、第１フィールド期間ＲＦ２、第２フィールド期間ＧＦ１、第３フィールド期間ＢＦ２の順に実施される。このように、変形例６では、同一の色のフィールド期間が時間的に連続しないようにフィールド期間の順序が制御される。このように、上位ビットに対応する信号のフィールド期間と下位ビットに対応する信号のフィールド期間とを交互にし、かつ、同一の色のフィールド期間が時間的に連続しないようにフィールド期間の順序が制御されることで、擬似輪郭やカラーブレークが表示部７のユーザに視認されることをより確実に抑制できる。

なお、光源１１から照射される光の色数は、１又は３に限られるものでなく、２又は４以上であってもよい。この場合でも、上述の実施形態及び変形例と同様、光量が他の点灯期間Ｌより大きい１つの点灯期間Ｌの光量を画素信号の上位ビットに対応させ、他の点灯期間Ｌを画素信号の下位ビットに対応させればよい、また、１つのフレーム期間Ｆ１が複数のサブフレーム期間を含み、サブフレーム期間が光源に含まれる複数の色のうち１つの色に対応する書込期間Ｗと点灯期間Ｌとを含み、連続するサブフレーム期間はそれぞれ異なる色に対応し、連続するサブフレーム期間のうち一方は画素信号の上位ビットに対応し、他方は画素信号の下位ビットに対応するようにすればよい。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

５，５ａ，５ｂ 走査線
７ 表示部
８ 信号出力回路
９ 走査回路
１１ 光源
１１Ｒ 第１光源
１１Ｇ 第２光源
１１Ｂ 第３光源
１２ 光源駆動回路
１３ タイミングコントローラ
１５ 入力回路
２０ 第２基板
３０ 第１基板
１００ 表示装置
Ｆ１ フレーム期間
Ｌ 点灯期間
Ｐ 表示パネル
Ｐｉｘ 画素
ＳＬ 光源装置
ＳＬ 書込期間

Claims (12)

1. 複数の画素が設けられた表示部を有する表示パネルと、
   前記表示パネルに光を照射する光源とを備え、
   少なくとも１つの色について複数の書込期間と複数の点灯期間が１フレーム期間中に交互に設けられ、
   前記書込期間は、画素信号の一部が前記画素に書き込まれる期間であり、
   前記点灯期間は、前記書込期間後の画素に光を照射する期間であり、
   複数の点灯期間のうち少なくとも１つは光量が他より大きい
   表示装置。
2. 前記光源は、第１色の光を照射する第１光源と、第２色の光を照射する第２光源と、第３色の光を照射する第３光源とを含み、
   前記第１色、前記第２色及び前記第３色のそれぞれに前記複数の書込期間と複数の点灯期間が設けられる
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記光量が他の点灯期間より大きい１つの点灯期間の光量は、前記画素信号の上位ビットに対応し、
   前記他の点灯期間は、前記画素信号の下位ビットに対応する
   請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記表示部は、画素行が前記第１方向に複数並び、
   前記画素行は、前記第１方向と直交する第２方向に並ぶ複数の画素を有し、
   前記画素信号の下位ビットは、前記第１方向に並ぶ２以上の所定数の画素に一括で書き込まれる
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１方向に並ぶ前記所定数の画素に対する前記画素信号の下位ビットが平均化されて前記第１方向に並ぶ前記所定数の画素に一括で書き込まれる
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記画素信号の下位ビットに対応する前記書込期間及び前記点灯期間は１フレーム期間中にそれぞれ２つ設けられる
   請求項４又は５のいずれか一項に記載の表示装置。
7. ２つの前記画素信号の下位ビットに対応する前記書込期間のうち一方において一括で信号が書き込まれる複数の画素の配置と、他方において一括で信号が書き込まれる複数の画素の配置とは前記第１方向にずれている
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記光量が他の点灯期間より大きい１つの点灯期間の光量は、前記画素信号の上位ビットに対応し、
   前記他の点灯期間は、前記画素信号の下位ビットに対応し、
   前記１フレーム期間は、複数のサブフレーム期間を含み、
   前記サブフレーム期間は、前記光源に含まれる複数の色のうち１つの色に対応する前記書込期間と前記点灯期間とを含み、
   連続するサブフレーム期間はそれぞれ異なる色に対応し、
   連続するサブフレーム期間のうち一方は前記画素信号の上位ビットに対応し、他方は前記画素信号の下位ビットに対応する
   請求項１又は２に記載の表示装置。
9. 前記光量は、前記光源の点灯時間に応じる
   請求項１から８のいずれか一項に記載の表示装置。
10. 前記光量は、前記光源の輝度に応じる
    請求項１から８のいずれか一項に記載の表示装置。
11. 前記表示パネルは、対向する２枚の基板の間に高分子分散型液晶が封入された表示パネルである
    請求項１から１０のいずれか一項に記載の表示装置。
12. 前記光源は、前記表示パネルの側方に設けられる
    請求項１から１１のいずれか一項に記載の表示装置。

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