JP2021052147A - 回路基板および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波信号の伝送特性に優れる回路基板、半導体装置等を提供する。【解決手段】回路基板１００において、絶縁基板１と、絶縁基板１に設けられている高周波線路２と、高周波線路に設けられた一対の接続パッド３と、一対の該接続パッド３間に配置されて接続されたコンデンサ４と、を備えている。接続パッド３のそれぞれは、高周波線路２と同じ幅の線状であり、接続パッド３の長さ方向の端と高周波線路２とが接続されている。【選択図】図１

Description

本開示は、高周波信号を伝送する高周波線路を含む回路基板および半導体装置に関するものである。

高周波信号を伝送する高周波線路にコンデンサを接続した回路基板が（特許文献１〜３を参照。）ある。コンデンサによって直流成分を除去して高周波信号を効率的に伝送するためのものである。特許文献１においては、コンデンサの接続パッドとマイクロストリップラインの接地導体との距離を大きくして、これらの間の容量が大きくなってインピーダンスが小さくならないようにしている。特許文献２においては、接続パッドとストリップラインの接地導体とが対向しないように接地導体に非形成領域を設けて、これらの間で大きな容量を形成しないようにしている。特許文献３においては、基板の、差動線路導体に設けられた接続パッド間に位置する部分に凹部を設けて接続パッド間（差動線路間）の容量を小さくしている。

特開２００３−２９８２０４号公報 特開２０１８−１９８２５７号公報 国際公開２０１８／０７４１００号

しかしながら、従来の回路基板でもインピーダンス整合が十分でない場合があった。接続パッドも高周波線路の一部とみなされるので、接続パッドにおいて高周波線路の幅が大きくなるためであった。

本開示の１つの態様の回路基板は、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられている高周波線路と、該高周波線路に設けられた一対の接続パッドと、一対の該接続パッド間に配置されて接続されたコンデンサと、を備えており、前記接続パッドのそれぞれは前記高周波線路と同じ幅の線状であり、前記接続パッドの長さ方向の端と前記高周波線路とが接続されている。

本開示の１つの態様の半導体装置は、上記構成の回路基板と、半導体素子とを備えている。

本開示の１つの態様の回路基板によれば、接続パッドが高周波線路と同じ幅の線状であり、接続パッドの長さ方向の端と高周波線路とが接続されていることから、高周波線路と接続パッドとの間で線幅の変化によるインピーダンスの変化が小さく、また、接続パッドに接続されたコンデンサによって直流成分が除去されて高周波信号が効率的に伝送されるので、高周波信号の伝送特性に優れた回路基板となる。

本開示の１つの態様の半導体装置によれば、上記構成の回路基板を含んでいることから、高周波の伝送特性に優れた半導体装置を提供することができる。

回路基板の一例の外観を示し、（ａ）は上面側からの斜視図であり、（ｂ）は下面側からの斜視図である。 （ａ）は図１に示す回路基板の要部を拡大し、分解して示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のコンデンサを取り外した状態を示す分解斜視図である。 （ａ）は図２の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 （ａ）は回路基板の他の例の要部を拡大し、分解して示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のコンデンサを取り外した状態を示す分解斜視図である。 （ａ）は図４の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 （ａ）は回路基板の他の例の要部を拡大し、分解して示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のコンデンサを取り外した状態を示す分解斜視図である。 （ａ）は図６の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 回路基板他の例の要部を拡大し、分解して示す斜視図である。 （ａ）は図８の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 （ａ）は半導体装置の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面の一部を拡大して示す断面図である。

本開示の実施形態の回路基板および半導体装置を、添付の図面を参照して説明する。図１は回路基板の一例の外観を示し、図１（ａ）は上面側からの斜視図であり、図１（ｂ）は下面側からの斜視図である。図２（ａ）は図１に示す回路基板の要部を拡大し、分解して示す斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のコンデンサを取り外した状態を示す分解斜視図である。図３（ａ）は図２の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。図４（ａ）は回路基板の他の例の要部を拡大し、分解して示す斜視図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のコンデンサを取り外した状態を示す分解斜視図である。図５（ａ）は図４の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。図６（ａ）は回路基板の他の例の要部を拡大し、分解して示す斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のコンデンサを取り外した状態を示す分解斜視図である。図７（ａ）は図６の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。図８は回路基板他の例の要部を拡大し、分解して示す斜視図である。図９（ａ）は図８の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。図１０（ａ）は半導体装置の一例を示す斜視図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ線における断面の一部を拡大して示す断面図である。なお、各図の平面図および斜視図においては、他と区別しやすいように高周波線路２、接続パッド３および他の回路導体６にはドット状の網掛けを施している。また、図２〜図９の要部拡大図では、コンデンサ４および接続パッド３の近傍で絶縁基板１の上面側の２層の絶縁層１ａ，１ａを含む部分だけを示している。また、各平面図は、高周波線路２等の形状がわかりやすいように、コンデンサ４および導電性接合材５を取り外した状態を示しており、コンデンサ４および導電性接合材５は破線で示している。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に回路基板および半導体装置等が使用されるときの上下を限定するものではない。

回路基板１００は、図１〜図６に示す例のように、絶縁基板１と、絶縁基板１に設けられている高周波線路２と、高周波線路２に設けられた一対の接続パッド３，３と、一対の
接続パッド３，３間に配置されて接続されたコンデンサ４と、を備えている。接続パッド３のそれぞれの形状は高周波線路２と同じ幅の線状であり、接続パッド３の長さ方向の端と高周波線路２とが接続されている。

本開示の回路基板１００によれば、接続パッド３が高周波線路２と同じ幅の線状であり、接続パッド３の長さ方向の端と高周波線路２とが接続されていることから、高周波線路２と接続パッド３との間で線幅の変化によるインピーダンスの変化が小さい。また、接続パッド３に接続されたコンデンサ４によって直流成分が除去されて高周波信号が効率的に伝送される。このようなことから、高周波信号の伝送特性に優れた回路基板１００となる。接続パッド３の長さ方向の中央等に高周波線路２が接続すると、Ｔ字型に接続されて接続パッド３の長さ方向が高周波信号の伝送方向に交差する方向となり、伝送線路としては幅方向となるので、従来のような幅広の接続パッドとなってしまう。そのため、単に幅の小さい接続パッド３とするだけでなく、高周波線路２との接続位置も重要となる。また、接続パッド３の幅は高周波線路２の幅と同じ幅であるが、厳密に同じでなくてもよく、高周波線路２の幅±１０％であればよく、インピーダンスの変化も十分小さいものとなる。

図１〜図１０に示す例の高周波線路２は、いずれも平行な２つの線路導体２１，２２を備える、いわゆる差動線路である場合を示しているが、１つの高周波線路２だけで構成されるものであってもよい。また、高周波伝送線路としては、高周波信号が伝送される高周波線路２と、これに対向する接地導体２３とを含む構成である。図１〜図３に示す例ならびに図６および図７に示す例は、高周波線路２と絶縁層１ａを挟んで高周波線路２と対向する接地導体２３とで構成されるマイクロストリップラインである。図４および図５に示す例は、さらに高周波線路２の周囲に一定の間隔を設けて接地導体２３が配置されたコプレナー付きのマイクロストリップラインである。また、図８および図９に示す例は、高周波線路２が絶縁層１ａを介して２つの接地導体２３，２３で挟まれたストリップラインである。このように、高周波線路２は絶縁基板１の表面、絶縁基板１の内部のいずれにも設けることができる。図８および図９に示す例のように、高周波線路２が絶縁基板１の内部にある場合は、絶縁基板１はコンデンサ４を搭載するための凹部１ｂを有している。絶縁層１ａに貫通孔が設けられ、底面に一対の接続パッド３，３およびこれらの間の絶縁層１ａの表面が露出する凹部１ｂとなっている。

接続パッド３の幅が小さいとはんだ等の導電性接合材５によるコンデンサ４との接合強度が小さくなる。コンデンサ４が小型のチップコンデンサであれば、通常はこの接合強度は問題とはならない。図１〜図３に示す例では、接続パッド３は、平面透視でその幅方向の１／２程度がコンデンサ４と重なっている。言い換えれば、一対の接続パッド３，３間の間隔がコンデンサ４の長さより短い。このため、はんだ等の導電性接合材５は、コンデンサ４（の端子電極４１）と接続パッド３との間およびコンデンサ４の端面と接続パッド３のコンデンサ４からはみ出した部分との間に主に位置している。平面視においてコンデンサ４の端面から外側に広がる導電性接合材５は小さいものである。

これに対して、図５に示す例のように、一対の接続パッド３，３の間隔がコンデンサ４の長さ以上である回路基板１００とすることができる。このような構成の場合には、接続パッド３は、平面視でコンデンサ４と重ならず、コンデンサ４の端面の外側に位置することになる。そして、導電性接合材５は、コンデンサ４の端面から外側へ広がって接続パッド３に接合されている。そのため、導電性接合材５は比較的大きいフィレット部を有する形状となるので、接合強度が高く、また接合信頼性の高い回路基板１００となる。平面視で接続パッド３がコンデンサ４の端面から外側へはみ出ていればフィレット部が形成されるが、一対の接続パッド３，３の間隔がコンデンサ４の長さ以上であることで幅の小さい接続パッド３でもフィレット部をより大きくすることができる。

導電性接合材５が異方性導電性樹脂である場合には、図１〜図３に示す例のように、一対の接続パッド３，３の間隔はコンデンサ４の長さより小さく、コンデンサ４の端子電極４１と接続パッド３とが重なるようにする。この場合には、一対の接続パッド３，３間にも異方性導電性樹脂を配置することができ、コンデンサ４の全体が接合されるので強度は高いものとなる。導電性接合材５として異方性でない導電性接着剤を用いる場合は、短絡しない程度に接続パッド３，３からはみ出して配置することで接合強度を高めることができる。導電性接合材５としてはんだを用いる場合は、樹脂を接合材とする導電性接着剤に比較してはんだ自身の強度が高いので、接合面積が小さくても高い強度を得ることができ、セルフアライメントによって位置ずれも小さいものとなる。また、導電性接合材５としてはんだあるいは異方性でない導電性接着剤を用いる場合は、これらで電気的接続をして、コンデンサ４の端子電極４１，４１間と接続パッド３，３間の絶縁基板１とを絶縁性の樹脂接着剤で接合して接合強度を向上することもできる。

図１〜図５ならびに図８および図９に示す例の回路基板１００における接続パッド３の形状は、平面視でコンデンサ４の端面に沿った直線状である。これに対して図６および図７に示す例のように、接続パッド３の形状が、平面視でコンデンサ４の端部に沿ったコの字型である回路基板１００とすることができる。コンデンサ４の端子電極４１はコンデンサ４の端部に設けられている。すなわち、端子電極４１はコンデンサ４の端面から側面にかけて設けられている。接続パッド３の形状が、平面視でコンデンサ４の端部に沿ったコの字型であると、平面視でこの端子電極４１に沿って位置することになる。そのため、導電性接合材５は、コンデンサ４の端面から外側へだけでなく、コンデンサ４の端部の側面から外側へも広がって接続パッド３と接合される。導電性接合材５とコンデンサ４（の端子電極４１）および接続パッド３との接合面積が大きくなり、またコンデンサ４の側面にも導電性接合材５のフィレット部が形成されるので、接合強度が向上する。

この場合の接続パッド３の長さは、コの字に沿った長さである。接続パッド３は、コンデンサ４の端面に沿っている主パッド部３１と、主パッド部３１の両端からコンデンサ４の側面に沿ってそれぞれ延びる２つの副パッド部３２，３２とからなるということもできる。図１〜図５ならびに図８および図９に示す例の接続パッド３は、主パッド部３１のみで構成されているということもできる。接続パッド３がコの字型である場合は、主パッド部３１の端ではなく、副パッド部３２の端が接続パッド３の長さ方向の端である。副パッド部３２の幅は主パッド部３１の幅と同じ幅であり、副パッド部３２の長さはコンデンサ４の端子電極１の長さと同程度である。図７に示す例では、副パッド部３２の長さはコンデンサ４の端子電極４１よりも短いが、同じでもよいし長くてもよい。副パッド部３２の長さは、コンデンサ４の端子電極４１の長さの７０％〜１３０％で、一対の接続パッド３，３が短絡しない長さである。また、この場合の一対の接続パッド３，３の間隔は、一対の接続パッド３，３のそれぞれの主パッド部３１，３１間の間隔である。また、接続パッド３の２つの副パッド部３２，３２間の間隔は、上記と同様の理由でコンデンサ４の幅以上とすることができる。

図１〜図３に示す例の接続パッド３、図４および図５に示す例の接続パッド３ならびに図８および図９に示す例の接続パッド３のいずれも、高周波線路２の延びる方向に対して直交する方向に延びる直線状である。図１〜図３に示す例の接続パッド３は、高周波線路２としての差動線路を構成する一対の線路導体２１，２２の並びの外側で、一対の線路導体２１，２２が平行に延びる部分から離れた位置にある。そのため、線路導体２１，２２は接続パッド３の端に向かってそれぞれ斜めに延びており、この部分においては一対の線路導体２１，２２間の間隔が大きくなっている。これに対して、図４および図５に示す例の接続パッド３ならびに図８および図９に示す例の接続パッド３は、一対の線路導体２１，２２が平行に延びる部分の端から垂直に外側に延びている。このように、高周波線路２が一対の線路導体２１，２２からなる差動線路であり、接続パッド３が、線路導体２１，
２２のそれぞれから、一対の線路導体２１，２２の並びの外側に向って垂直に延びている回路基板１００とすることができる。差動線路を構成する一対の線路導体２１，２２は、接続パッド３との接続部まで全域で同じ間隔で平行に位置しているため、インピーダンスの変化が小さい高周波線路２となる。また、一対の線路導体２１，２２のうちの一方の線路導体２１に接続された接続パッド３と、他方の線路導体２２に接続された接続パッド３とは、互いに反対方向に延びている。そのため、これら接続パッド３，３の間隔が一対の線路導体２１，２２の間隔より小さくならないので、接続パッド３，３の間に生じる容量によって高周波線路２のインピーダンスが小さくなることがない。なお、接続パッド３がコの字型である場合には、図７に示す例のように、接続パッド３の主パッド部３１が一対の線路導体２１，２２の並びの外側に向って垂直に延びている。また、コの字型の接続パッド３の端に接続するために、線路導体２１，２２の端部は外側に直角に屈曲している。

図１０に示す例のように、半導体装置３００は、上記のような回路基板１００と、半導体素子２００とを備えている。このような半導体装置３００によれば、上記構成の回路基板１００を含んでいることから、高周波信号の伝送特性に優れた半導体装置３００を提供することができる。高周波線路２の一端は、半導体素子２００の電極２０１と電気的に接続され、高周波線路２の他端は回路基板１００の回路導体６に接続されている。回路基板１００の上面（絶縁基板１の半導体素子２００が搭載される面）には回路導体６として接続電極が設けられており、接続電極と半導体素子２００の電極２０１とが導電性の接続部材２１０を介して接続されている。高周波線路２の一端は、この接続電極に接続されている。また、回路導体６は上面から反対側の下面にかけて設けられた内部導体と、下面に設けられた端子電極を有している。高周波線路２の他端と端子電極とは内部導体によって接続されている。回路導体６の端子電極は外部の電気回路に接続するためのものである。半導体素子２００は、接続部材２１０、回路基板１００の回路導体６（接続パッド、内部導体および端子電極）を介して外部の電気回路に接続される。また、回路導体６の一部は、接地導体２３に接続されている。

回路基板１００の内部導体の一部も高周波信号を伝送するものである。そのため、内部導体における絶縁層１ａの層間に沿って延びる部分は、例えば、２つの絶縁層１ａ間に設けられた信号伝送用の内部導体層とこの２つの絶縁層１ａをさらに挟む位置にある絶縁層１ａ間に設けられた接地導体２３とを含むマイクロストリップライン構造とすることができる。また、内部導体の絶縁基板１（絶縁層１ａ）を厚み方向に貫通する部分は、高周波信号を伝送する貫通導体と、これを取り囲むように配置されて接地導体２３に接続された複数の貫通導体を備えている疑似同軸構造とすることができる。

絶縁基板１は、回路基板１００の基本的な部分であり、複数の高周波線路２や回路導体６を互いに電気的に絶縁させて配置するための電気絶縁体として機能する。また、絶縁基板１は、コンデンサ４および半導体素子２００を搭載して固定するための基体として機能する部分である。絶縁基板１は、例えば平面視（上面視）で方形状である。図１および図１０に示す例では正方形状であるが、長方形状であってもよい。方形状とは、厳密な方形でなくてもよく、方形の辺部や角部に切欠きを有するもの、あるいは方形の角部が丸められているもの等を含む。また、図８に示す例のように、高周波線路２の上に絶縁層１ａがある場合は、上述したように、絶縁基板１はコンデンサ４を搭載するための凹部１ｂを有している。また、絶縁基板１は、半導体素子２００を収容するための凹部を有するものであってもよい。例えば、５ｍｍ〜４０ｍｍ×５ｍｍ〜４０ｍｍの方形状で、厚みが例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍの板状である。絶縁基板１は、例えば、図１０に示す例のように、複数の絶縁層１ａが積層されたものとすることができる。図１０に示す例の絶縁基板１は９層の絶縁層１ａで構成されているが、絶縁層１ａの数はこれらに限られるものではない。

絶縁基板１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化ア
ルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体等のセラミック焼結体によって形成されている。絶縁基板１は、例えばガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、ガラス成分となる酸化ケイ素、酸化ホウ素およびフィラー成分となる酸化アルミニウム等の粉末を主成分とする原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤と混練してスラリーとする。このスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して、絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシートを作製する。その後、このセラミックグリーンシートを適当な寸法に切断、成形したセラミックグリーンシートを複数枚積層して積層体を作製する。その後、この積層体を約９００〜１０００℃程度の温度で焼成することによって絶縁基板１を製作することができる。絶縁基板１の凹部１ｂは、セラミックグリーンシートに凹部１ｂの形状に対応する貫通孔を設けておけばよい。

絶縁基板１には高周波線路２（線路導体２１，２２）、接地導体２３、接続パッド３および回路導体６が設けられている。上述したように、回路導体６としては、絶縁基板１の半導体素子２００が搭載される面（上面）に接続電極が設けられ、外部の配線基板に接続される下面に端子電極が設けられ、絶縁基板１の内部に接続電極と端子電極とを接続する内部導体が設けられている。内部導体は、絶縁層１ａ間に設けられた内部導体層と絶縁層１ａを貫通する貫通導体とを有している。

高周波線路２（線路導体２１，２２）、接地導体２３、接続パッド３、回路導体６は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金材料等によって形成されている。このような金属材料等は、絶縁基板１が上記のようなセラミック焼結体からなる場合出れば、例えばメタライズ層として絶縁基板１の所定の位置に設けられている。

高周波線路２（線路導体２１，２２）、接地導体２３、接続パッド３、回路導体６の接続電極、内部導体層および端子電極は、例えば、絶縁基板１が上述したようなガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、例えば銅のメタライズ層で形成することができる。銅のメタライズ層である場合には、銅の粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを絶縁層１ａとなる上記セラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷法等の方法で印刷して、その後セラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。図１〜図１０における平面図や斜視図等においては、高周波線路２と接続パッド３との境界線が示されているが、実際にはこれらは印刷で一体的に形成するので、このような境界線は現れるものではない。また、回路導体６の内部導体における貫通導体は、絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシートに貫通孔をあらかじめ形成しておき、このセラミックグリーンシートの貫通孔内に上記の金属ペーストをスクリーン印刷法等の方法で充填し、同時焼成することによって形成することができる。セラミックグリーンシートの貫通孔は、機械的な孔あけ加工またはレーザ加工等の方法で形成することができる。

高周波線路２（線路導体２１，２２）、接続パッド３、回路導体６の接続電極および端子電極等の絶縁基板１の外表面に露出する導体層は、上記のメタライズ層に、電解めっき法または無電解めっき法等の方法でニッケルおよび金等のめっき層がさらに被着されたものであってもよい。これにより、各導体層の表面の腐食が防止され、また接続パッド３および回路導体６とはんだ等の接合材との接合性が向上する。

接続パッド３に接続されるコンデンサ４は、高周波線路２を伝送する高周波信号の直流成分を除去して高周波信号を効率的に伝送するためのものである。コンデンサ４の容量等の特性は、高周波信号に応じて適宜選択される。コンデンサ４は小型、軽量のものがよく、積層セラミックコンデンサを用いることができる。

コンデンサ４を接続パッド３に接合するための導電性接合材５は、上述したように、はんだ等の金属製の接合材、導電性粒子を含む樹脂接合材である導電性樹脂、異方性導電性樹脂を用いることができる。上述したように、導電性接合材５としてはんだを用いる場合は、樹脂を接合材とする導電性接着剤に比較してはんだ自身の強度が高いので、接合面積が小さくても高い強度を得ることができ、セルフアライメントによって位置ずれも小さいものとなる。

回路基板１００に搭載される半導体素子２００としては、高周波信号により駆動するＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）やＬＳＩ（Large-Scale Integrated Circuit：大規模集積回路）等の半導体集積回路素子である。

半導体素子２００の電極２０１と回路基板１００の回路導体６（接続電極）とは、例えば、図１０に示す例のような、はんだボール、金属バンプあるいは導電性接着剤を接続部材２１０として用いた、いわゆるフリップチップ接続で電気的および機械的接続を行なうことができる。フリップチップ接続の場合は、アンダーフィル材によって機械的接続を補強することができる。

回路基板１００および半導体装置３００における、高周波線路２、接続パッド３およびコンデンサ４、ならびに半導体素子２００の数、配置、形状等は、図１〜図１０に示す例の限られるものではなく、半導体装置３００に求められる特性に応じて適宜選択、配置することができる。

また、以上の説明では、回路基板１００がセラミック焼結体からなる絶縁基板１であるセラミック配線基板の場合で説明したが、絶縁基板１がエポキシ樹脂等の樹脂からなるプリント配線基板にも適用することができる。

１・・・絶縁基板
１ａ・・・絶縁層
１ｂ・・・凹部
２・・・高周波線路
２１，２２・・・線路導体
２３・・・接地導体
３・・・接続パッド
３１・・・主パッド部
３２・・・副パッド部
４・・・コンデンサ
４１・・・（コンデンサの）端子電極
５・・・導電性接合材
６・・・回路導体
１００・・・回路基板
２００・・・半導体素子
２０１・・・（半導体素子の）電極
２１０・・・接続部材
３００・・・半導体装置

Claims (5)

1. 絶縁基板と、
   該絶縁基板に設けられている高周波線路と、
   該高周波線路に設けられた一対の接続パッドと、
   一対の該接続パッド間に配置されて接続されたコンデンサと、を備えており、
   前記接続パッドのそれぞれは前記高周波線路と同じ幅の線状であり、前記接続パッドの長さ方向の端と前記高周波線路とが接続されている回路基板。
2. 一対の前記接続パッドの間隔は、前記コンデンサの長さ以上である請求項１に記載の回路基板。
3. 前記接続パッドは、前記コンデンサの端部に沿ったコの字型である請求項１または請求項２に記載の回路基板。
4. 前記高周波線路は一対の線路導体からなる差動線路であり、前記接続パッドは、前記線路導体から、一対の線路導体の並びの外側に向って垂直に延びている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路基板。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板と、半導体素子とを備えている半導体装置。
   

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