JP2021050365A - エッチング方法、及びエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
続いて、前記処理容器内を2.40×104Paより高い圧力にすると共に、前記処理容器内に前記金属膜を酸化する酸化ガスと、β−ジケトンからなるエッチングガスとを供給して、酸化された前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
を含む。
Co+2NO→CoO+N2O・・・式1
CoO+NO→CoO-NO+2H(hfac)→Co(hfac)2+H2O+NO・・・式2
続いてエッチング装置1を用いて行う第1の処理について、処理容器11内における状態を示す図3を参照しながら説明する。図3のグラフの横軸は、エッチング装置1において処理を開始してからの経過時間を示し、縦軸は処理容器11内の圧力を示している。そして圧力の推移を示すグラフの線とグラフの横軸との間の領域において、H2ガスが供給される時間帯にはハッチングを、NOガス及びHfacガスが供給される時間帯にはドットを、夫々付して示している。
排気流量が多い場合には、処理容器11内に供給されたガスが処理容器11内に滞留している時間が短くなる。そのため処理容器11に供給したガスがウエハWに接触する機会が少なくなり、ウエハに接触することなく排気されてしまうガスが多くなる。これに対して排気流量が少なくなることで、ガスが処理容器11内に滞留する時間が長くなり、処理容器11に供給したガスがウエハWに接触しやすくなる。このようにガスがウエハWに接触しやすくなることで、供給したガスを効率よく利用することができる。従ってHfacガス及びNOガスの供給量を少なくしながら所望のエッチング量を確保することができる。なお、後述の評価試験に示すように、このようにガスの供給量を少なくした場合にもエッチング後の表面のラフネスの悪化が見られていないことを確認できている。
ところで、還元処理時においてもエッチング処理時と同様に180Torrより大きい、比較的高い圧力としてもよい。ただし、そのように高圧のH2ガスで処理を行うにあたって、例えば安全性を確保する目的から装置構成が複雑化することを防ぐために、既述の例のように、還元処理はエッチング処理時における圧力よりも低い圧力で行うことが好ましい。
(第2の処理)
続いて、エッチング装置1を用いた第2の処理について、図6のグラフを参照して、図3のグラフで説明した第1の処理との差異点を中心に説明する。図6のグラフについては図3のグラフと同様に、横軸に時間、縦軸に処理容器11内の圧力を夫々設定しており、グラフ中に付したハッチング、ドットにより、H2ガスが供給される期間、Hfacガス及びNOガスが供給される期間を夫々示している。
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
評価試験1
評価試験1として図3で説明した第1の処理において、Hfacガス及びNOガス供給時の圧力をH2ガス供給時の圧力と同じ圧力でエッチング処理を行い、処理後のCo膜41のエッチング量を測定した。なお処理容器11内の圧力を50〜90Torr、Hfacガスの供給流量を200〜300sccm、及び時刻t3〜t5間の供給時間を60分に設定した。
またHfacガスの供給流量及び時刻t3〜t5間の供給時間を(供給流量、供給時間)(80〜130sccm、60分)、(40〜70sccm、72分)及び(10〜30sccm、120分)とした試験を夫々評価試験1−2、1−3及び1−4とした。さらに評価試験1−1〜1−4について処理後の表面部の断面の画像を電子顕微鏡(SEM)により取得した。
評価試験2−1として図3で説明した第1の処理を行い、ウエハW一枚の処理に要するHfacガスの供給量(L/ウエハ1枚当たり)を算出した。時刻t2〜t3間の還元処理が行われる時間は300秒、時刻t3〜t5間のHfacガスの供給流量を80〜130sccm、エッチング時間(時刻t4〜t5の時間)は1100秒、Hfacガス及びNOガス供給時の圧力を3.99×104〜5.33×104Pa(300〜400torr)とした。
さらに時刻t3〜t5間の処理容器11内の圧力を0.66×104Pa〜1.2×104Pa(50〜90torr)エッチング時間(時刻t3〜t5の時間)は3600秒としたことを除いて評価試験2−1と同様に処理した例を参考試験とした。なお
さらに評価試験2−1、2−2及び参考試験において、1枚当たりのウエハWの処理にかかる時間に基づいて、1時間当たりのウエハWの処理枚数を算出したところ、評価試験2−1、2−2及び参考試験は、夫々3.62枚/時、3.28枚/時、及び1.71枚/時であった。
11 処理容器
12 ステージ
26 Hfacガス供給源
28 NOガス供給源
W ウエハ
Claims (14)
- 金属膜が形成された基板を処理容器内に格納する工程と、
続いて、前記処理容器内を2.40×104Paより高い圧力にすると共に、前記処理容器内に前記金属膜を酸化する酸化ガスと、β−ジケトンからなるエッチングガスとを供給して、酸化された前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
を含むエッチング方法。 - 前記基板を処理容器内に格納した後、前記エッチング工程の前に行われる、前記処理容器内に前記金属膜の表面を還元するための還元ガスを供給する還元ガス供給工程を含む請求項1記載のエッチング方法。
- 前記エッチング工程の処理容器内の圧力は、前記還元ガス供給工程における処理容器内の圧力よりも高い請求項2に記載のエッチング方法。
- 前記処理容器に接続される排気路の流量を変更する排気流量変更部について、前記還元ガス供給工程では第1の状態、前記エッチング工程では第2の状態とする工程を含む請求項3記載のエッチング方法。
- 前記排気流量変更部は前記排気路に設けられるバルブであり、
前記第1の状態は、前記バルブが第1の開度となった状態であり、
前記第2の状態は、前記バルブが前記第1の開度より小さい第2の開度になった状態である請求項4に記載のエッチング方法。 - 前記エッチング工程における前記エッチングガスの供給流量は、500sccm以下である請求項1ないし5のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記金属膜は、コバルト、ニッケル、銅、マンガンのうちのいずれかにより構成される請求項1ないし6のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記金属膜は、コバルトにより構成される請求項7記載のエッチング方法。
- 前記還元ガスは、前記金属膜に対して非エッチング性であり、水素原子を含むガスである請求項1ないし8のいずれか一つに記載のエッチング方法。
- 前記還元ガスは、H2ガス、NH3ガス及びH2Sガスのうちのいずれかを含む請求項9記載のエッチング方法。
- 前記エッチング工程は、前記処理容器内にエッチングガスを間欠的に供給する工程を含む請求項1ないし10のいずれか一つに記載のエッチング方法。
- 前記エッチング工程が行われる期間のうち先の期間を第1の期間、後の期間を第2の期間とすると、前記第2の期間における前記酸化ガスの流量、前記エッチングガスの流量は、前記第1の期間における前記酸化ガスの流量、前記エッチングガスの流量に比べて夫々小さい請求項1ないし11のいずれか一つに記載のエッチング方法。
- 前記酸化ガスは、一酸化窒素ガスまたは一酸化炭素ガスを含む請求項1ないし12のいずれか一つに記載のエッチング方法。
- 金属膜が形成された基板を格納する処理容器と、
前記金属膜を酸化する酸化ガス、前記酸化ガスにより酸化された前記金属膜をエッチングするためのβ−ジケトンからなるエッチングガスを、各々圧力が2.40×104Paより高い前記処理容器内に供給するガス供給部と、
を含むエッチング装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000005749A2 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Surface Technology Systems Limited | Method and apparatus for anisotropic etching |
JP2004091829A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
WO2012052858A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-04-26 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Etching of oxide materials |
JP2015012243A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理方法 |
WO2018020822A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | セントラル硝子株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP2018110230A (ja) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法及びβ−ジケトン充填済み容器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5094701A (en) | 1990-03-30 | 1992-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning agents comprising beta-diketone and beta-ketoimine ligands and a process for using the same |
JP5707144B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2015-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法 |
US9147581B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
JP6199250B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2017-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US10032681B2 (en) * | 2016-03-02 | 2018-07-24 | Lam Research Corporation | Etch metric sensitivity for endpoint detection |
KR102308032B1 (ko) * | 2017-01-04 | 2021-10-05 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 드라이 에칭 방법 및 에칭 장치 |
JP7002847B2 (ja) | 2017-03-15 | 2022-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2019
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000005749A2 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Surface Technology Systems Limited | Method and apparatus for anisotropic etching |
JP2004091829A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
WO2012052858A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-04-26 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Etching of oxide materials |
JP2015012243A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理方法 |
WO2018020822A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | セントラル硝子株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP2018110230A (ja) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法及びβ−ジケトン充填済み容器 |
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