JP2021048236A - 検査装置及び検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】改質領域に渡る亀裂が半導体基板の表面側に十分に延びているか否かを確認することができる検査装置及び検査方法を提供すること。【解決手段】レーザ加工装置１は、ウエハ２０を支持するステージ２と、ウエハ２０にレーザ光を照射するレーザ照射ユニット３と、半導体基板２１を伝搬した光を検出する撮像ユニット４と、ウエハ２０にレーザ光が照射されることにより半導体基板２１の内部に一又は複数の改質領域１２が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御することと、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて改質領域１２から半導体基板２１の裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置を導出し、該上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部８と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、検査装置及び検査方法に関する。

半導体基板と、半導体基板の表面に形成された機能素子層と、を備えるウエハを複数のラインのそれぞれに沿って切断するために、半導体基板の裏面側からウエハにレーザ光を照射することにより、複数のラインのそれぞれに沿って半導体基板の内部に複数列の改質領域を形成するレーザ加工装置が知られている。特許文献１に記載のレーザ加工装置は、赤外線カメラを備えており、半導体基板の内部に形成された改質領域、機能素子層に形成された加工ダメージ等を半導体基板の裏面側から観察することが可能となっている。

特開２０１７−６４７４６号公報

上述したようなレーザ加工装置においては、複数列の改質領域に渡る亀裂が形成される条件で、半導体基板の裏面側からウエハにレーザ光が照射される場合がある。そのような場合に、例えばレーザ加工装置の不具合等に起因して、複数列の改質領域に渡る亀裂が半導体基板の表面側に十分に延びていないと、後の工程において、ウエハを複数のラインのそれぞれに沿って確実に切断することができないおそれがある。

本発明は、改質領域に渡る亀裂が半導体基板の表面側に十分に延びているか否かを確認することができる検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る検査装置は、第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを支持するステージと、ウエハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、半導体基板を伝搬した光を検出する撮像部と、ウエハにレーザ光が照射されることにより半導体基板の内部に一又は複数の改質領域が形成されるようにレーザ照射部を制御することと、光を検出した撮像部から出力される信号に基づいて改質領域から半導体基板の第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の第二表面側の先端の位置に基づいて、改質領域から延びる亀裂が半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部と、を備え、制御部は、ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる改質領域が形成されるようにレーザ照射部を制御し、改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域の形成深さが深いラインから順に、上亀裂の第二表面側の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。

この検査装置では、半導体基板の内部に改質領域が形成されるようにウエハにレーザ光が照射され、半導体基板を伝搬した透過性を有する光が撮像され、撮像結果（撮像部から出力される信号）に基づいて改質領域から半導体基板の第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の第二表面側の先端の位置が導出される。そして、上亀裂の先端の位置に基づいて、改質領域から延びる亀裂が半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かが判定される。より詳細には、本検査装置では、複数のラインそれぞれの改質領域が、互いに異なる形成深さとされ、改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域の形成深さが深いラインから順に上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分が導出され、該差分の変化量に基づいて亀裂到達状態であるか否かが判定される。本発明者らは、改質領域の形成深さが浅いライン（又は深いライン）から順に上述した差分を導出した場合、亀裂到達状態と亀裂が半導体基板の第一表面側に到達していない状態とが切り替わるラインにおいて、上述した差分の変化量（直前に差分が導出されたラインからの変化量）が、他のライン間と比べて大きくなることを見出した。このような観点から、本検査装置においては、上述した差分の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。このことにより、本検査装置によれば、亀裂到達状態であるか否か、すなわち、改質領域に渡る亀裂が半導体基板の第一表面側に十分に延びているか否かを適切に確認することができる。

本発明の一態様に係る検査装置は、第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを支持するステージと、ウエハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、半導体基板を伝搬した光を検出する撮像部と、ウエハに前記レーザ光が照射されることにより半導体基板の内部に一又は複数の改質領域が形成されるようにレーザ照射部を制御することと、光を検出した撮像部から出力される信号に基づいて改質領域から半導体基板の第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の第二表面側の先端の位置に基づいて、改質領域から延びる亀裂が半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部と、を備え、制御部は、ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる改質領域が形成されるようにレーザ照射部を制御し、改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域の形成深さが深いラインから順に、上亀裂の第二表面側の先端の位置を導出し、該先端の位置の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。

この検査装置では、半導体基板の内部に改質領域が形成されるようにウエハにレーザ光が照射され、半導体基板を伝搬した透過性を有する光が撮像され、撮像結果（撮像部から出力される信号）に基づいて改質領域から半導体基板の第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の第二表面側の先端の位置が導出される。そして、上亀裂の先端の位置に基づいて、改質領域から延びる亀裂が半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かが判定される。より詳細には、本検査装置では、複数のラインそれぞれの改質領域が、互いに異なる形成深さとされ、改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域の形成深さが深いラインから順に上亀裂の先端の位置が導出され、該先端の位置の変化量に基づいて亀裂到達状態であるか否かが判定される。本発明者らは、改質領域の形成深さが浅いライン（又は深いライン）から順に上述した上亀裂の先端の位置を導出した場合、亀裂到達状態と亀裂が半導体基板の第一表面側に到達していない状態とが切り替わるラインにおいて、上述した上亀裂の先端の位置の変化量（直前に上亀裂の先端が導出されたラインからの変化量）が、他のライン間と比べて大きくなることを見出した。このような観点から、本検査装置においては、上述した上亀裂の先端の位置の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。このことにより、本検査装置によれば、亀裂到達状態であるか否か、すなわち、改質領域に渡る亀裂が半導体基板の第一表面側に十分に延びているか否かを適切に確認することができる。

制御部は、改質領域から半導体基板の第一表面側に延びる亀裂である下亀裂の第一表面側の先端の有無についても考慮して、亀裂到達状態であるか否かを判定してもよい。下亀裂の第一表面側の先端の存在が確認される場合には、亀裂到達状態になっていないと想定される。このため、下亀裂の第一表面側の先端の有無に基づいて亀裂到達状態であるか否かを判定することにより、亀裂到達状態であるか否かを高精度に判定することができる。

制御部は、亀裂到達状態であるか否かの判定結果に基づいて、レーザ照射部の照射条件の調整に係る情報を導出することをさらに実行してもよい。判定結果を考慮して、レーザ照射部の照射条件の調整にかかわる情報が導出されることにより、例えば、亀裂の長さが本来よりも短い場合には亀裂の長さが長くなるように、また、亀裂の長さが本来よりも長い場合には亀裂の長さが短くなるように、照射条件の調整のための情報を導出することができる。そして、このようにして導出された照射条件の調整のための情報を用いて照射条件を調整することによって、亀裂の長さを所望の長さとすることができる。以上のように、この検査装置によれば、改質領域に渡る亀裂の長さを所望の長さとすることができる。

制御部は、判定結果に基づいて亀裂の長さを推定し、推定した前記亀裂の長さに基づいて照射条件の調整に係る情報を導出してもよい。推定した亀裂の長さに基づいて照射条件の調整に係る情報が導出されることによって、照射条件の調整精度が向上し、亀裂の長さをより高精度に所望の長さとすることができる。

本発明の一態様に係る検査方法は、第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを用意し、ウエハにレーザ光を照射することにより、半導体基板の内部に一又は複数の改質領域を形成する第１工程と、第１工程によって改質領域が形成された半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、半導体基板を伝搬した光を検出する第２工程と、第２工程において検出された光に基づいて改質領域から半導体基板の第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の第二表面側の先端の位置に基づいて、改質領域から延びる亀裂が半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定する第３工程と、を備え、第１工程では、ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる改質領域を形成し、第３工程では、改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域の形成深さが深いラインから順に、上亀裂の第二表面側の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。

本発明の一態様に係る検査方法は、第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを用意し、ウエハにレーザ光を照射することにより、半導体基板の内部に一又は複数の改質領域を形成する第１工程と、第１工程によって改質領域が形成された半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、半導体基板を伝搬した光を検出する第２工程と、第２工程において検出された光に基づいて改質領域から半導体基板の第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の第二表面側の先端の位置に基づいて、改質領域から延びる亀裂が半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定する第３工程と、を備え、第１工程では、ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる改質領域を形成し、第３工程では、改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域の形成深さが深いラインから順に、上亀裂の第二表面側の先端の位置を導出し、該先端の位置の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。

本発明によれば、改質領域に渡る亀裂が半導体基板の第一表面側に十分に延びているか否かを確認することができる検査装置及び検査方法を提供することができる。

一実施形態の検査装置を備えるレーザ加工装置の構成図である。 一実施形態のウエハの平面図である。 図２に示されるウエハの一部分の断面図である。 図１に示されるレーザ照射ユニットの構成図である。 図１に示される検査用撮像ユニットの構成図である。 図１に示されるアライメント補正用撮像ユニットの構成図である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するためのウエハの断面図、及び当該検査用撮像ユニットによる各箇所での画像である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するためのウエハの断面図、及び当該検査用撮像ユニットによる各箇所での画像である。 半導体基板の内部に形成された改質領域及び亀裂のＳＥＭ画像である。 半導体基板の内部に形成された改質領域及び亀裂のＳＥＭ画像である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するための光路図、及び当該検査用撮像ユニットによる焦点での画像を示す模式図である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するための光路図、及び当該検査用撮像ユニットによる焦点での画像を示す模式図である。 検査用の改質領域の形成イメージを示す模式図である。 焦点Ｆを移動させることによる複数の画像の取得イメージを示す模式図である。 各測定ポイントにおける撮像結果の一例を示す表である。 図１５に示す撮像結果をグラフ化した図である。 集光補正パラメータ（集光補正量）を変更した場合のＢＨＣとなる測定ポイントの違いの一例を示す図である。 第１の検査方法のフローチャートである。 第２の検査方法のフローチャートである。 第３の検査方法のフローチャートである。 第４の検査方法のフローチャートである。 検査条件の設定画面の一例である。 検査条件の設定画面の一例である。 検査合格画面の一例である。 検査不合格画面の一例である。 検査合格画面の一例である。 検査不合格画面の一例である。 検査合格画面の一例である。 検査不合格画面の一例である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［レーザ加工装置の構成］

図１に示されるように、レーザ加工装置１（検査装置）は、ステージ２と、レーザ照射ユニット３と、複数の撮像ユニット４，５，６と、駆動ユニット７と、制御部８と、を備えている。レーザ加工装置１は、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することにより、対象物１１に改質領域１２を形成する装置である。

ステージ２は、例えば対象物１１に貼り付けられたフィルムを吸着することにより、対象物１１を支持する。ステージ２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに沿って移動可能であり、Ｚ方向に平行な軸線を中心線として回転可能である。なお、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに垂直な第１水平方向及び第２水平方向であり、Ｚ方向は、鉛直方向である。

レーザ照射ユニット３は、対象物１１に対して透過性を有するレーザ光Ｌを集光して対象物１１に照射する。ステージ２に支持された対象物１１の内部にレーザ光Ｌが集光されると、レーザ光Ｌの集光点Ｃに対応する部分においてレーザ光Ｌが特に吸収され、対象物１１の内部に改質領域１２が形成される。

改質領域１２は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１２としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。改質領域１２は、改質領域１２からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に亀裂が延び易いという特性を有している。このような改質領域１２の特性は、対象物１１の切断に利用される。

一例として、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、対象物１１に対して集光点ＣをＸ方向に沿って相対的に移動させると、複数の改質スポット１２ｓがＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１２ｓは、１パルスのレーザ光Ｌの照射によって形成される。１列の改質領域１２は、１列に並んだ複数の改質スポット１２ｓの集合である。隣り合う改質スポット１２ｓは、対象物１１に対する集光点Ｃの相対的な移動速度及びレーザ光Ｌの繰り返し周波数によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。

撮像ユニット４は、対象物１１に形成された改質領域１２、及び改質領域１２から延びた亀裂の先端を撮像する。

撮像ユニット５及び撮像ユニット６は、制御部８の制御のもとで、ステージ２に支持された対象物１１を、対象物１１を透過する光により撮像する。撮像ユニット５，６が撮像することにより得られた画像は、一例として、レーザ光Ｌの照射位置のアライメントに供される。

駆動ユニット７は、レーザ照射ユニット３及び複数の撮像ユニット４，５，６を支持している。駆動ユニット７は、レーザ照射ユニット３及び複数の撮像ユニット４，５，６をＺ方向に沿って移動させる。

制御部８は、ステージ２、レーザ照射ユニット３、複数の撮像ユニット４，５，６、及び駆動ユニット７の動作を制御する。制御部８は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部８では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。

［対象物の構成］
本実施形態の対象物１１は、図２及び図３に示されるように、ウエハ２０である。ウエハ２０は、半導体基板２１と、機能素子層２２と、を備えている。なお、本実施形態では、ウエハ２０は機能素子層２２を有するとして説明するが、ウエハ２０は機能素子層２２を有していても有していなくてもよく、ベアウエハであってもよい。半導体基板２１は、表面２１ａ（第一表面，レーザ照射裏面）及び裏面２１ｂ（第二表面，レーザ照射面）を有している。半導体基板２１は、例えば、シリコン基板である。機能素子層２２は、半導体基板２１の表面２１ａに形成されている。機能素子層２２は、表面２１ａに沿って２次元に配列された複数の機能素子２２ａを含んでいる。機能素子２２ａは、例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、メモリ等の回路素子等である。機能素子２２ａは、複数の層がスタックされて３次元的に構成される場合もある。なお、半導体基板２１には、結晶方位を示すノッチ２１ｃが設けられているが、ノッチ２１ｃの替わりにオリエンテーションフラットが設けられていてもよい。

ウエハ２０は、複数のライン１５のそれぞれに沿って機能素子２２ａごとに切断される。複数のライン１５は、ウエハ２０の厚さ方向から見た場合に複数の機能素子２２ａのそれぞれの間を通っている。より具体的には、ライン１５は、ウエハ２０の厚さ方向から見た場合にストリート領域２３の中心（幅方向における中心）を通っている。ストリート領域２３は、機能素子層２２において、隣り合う機能素子２２ａの間を通るように延在している。本実施形態では、複数の機能素子２２ａは、表面２１ａに沿ってマトリックス状に配列されており、複数のライン１５は、格子状に設定されている。なお、ライン１５は、仮想的なラインであるが、実際に引かれたラインであってもよい。

［レーザ照射ユニットの構成］
図４に示されるように、レーザ照射ユニット３は、光源３１と、空間光変調器３２と、集光レンズ３３と、を有している。光源３１は、例えばパルス発振方式によって、レーザ光Ｌを出力する。空間光変調器３２は、光源３１から出力されたレーザ光Ｌを変調する。空間光変調器３２は、例えば反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal on Silicon）の空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）である。集光レンズ３３は、空間光変調器３２によって変調されたレーザ光Ｌを集光する。

本実施形態では、レーザ照射ユニット３は、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光Ｌを照射することにより、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の内部に２列の改質領域１２ａ，１２ｂを形成する。改質領域（第１改質領域）１２ａは、２列の改質領域１２ａ，１２ｂのうち表面２１ａに最も近い改質領域である。改質領域（第２改質領域）１２ｂは、２列の改質領域１２ａ，１２ｂのうち、改質領域１２ａに最も近い改質領域であって、裏面２１ｂに最も近い改質領域である。

２列の改質領域１２ａ，１２ｂは、ウエハ２０の厚さ方向（Ｚ方向）において隣り合っている。２列の改質領域１２ａ，１２ｂは、半導体基板２１に対して２つの集光点Ｃ１，Ｃ２がライン１５に沿って相対的に移動させられることにより形成される。レーザ光Ｌは、例えば集光点Ｃ１に対して集光点Ｃ２が進行方向の後側且つレーザ光Ｌの入射側に位置するように、空間光変調器３２によって変調される。なお、改質領域の形成に関しては、単焦点であっても多焦点であってもよいし、１パスであっても複数パスであってもよい。

レーザ照射ユニット３は、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａに至る条件で、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光Ｌを照射する。一例として、厚さ７７５μｍの単結晶シリコン基板である半導体基板２１に対し、表面２１ａから５４μｍの位置及び１２８μｍの位置に２つの集光点Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ合わせて、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光Ｌを照射する。このとき、レーザ光Ｌの波長は１０９９ｎｍ、パルス幅は７００ｎ秒、繰り返し周波数は１２０ｋＨｚである。また、集光点Ｃ１におけるレーザ光Ｌの出力は２．７Ｗ、集光点Ｃ２におけるレーザ光Ｌの出力は２．７Ｗであり、半導体基板２１に対する２つの集光点Ｃ１，Ｃ２の相対的な移動速度は８００ｍｍ／秒である。

このような２列の改質領域１２ａ，１２ｂ及び亀裂１４の形成は、次のような場合に実施される。すなわち、後の工程において、半導体基板２１の裏面２１ｂを研削することにより半導体基板２１を薄化すると共に亀裂１４を裏面２１ｂに露出させ、複数のライン１５のそれぞれに沿ってウエハ２０を複数の半導体デバイスに切断する場合である。

［検査用撮像ユニットの構成］
図５に示されるように、撮像ユニット４は、光源４１と、ミラー４２と、対物レンズ４３と、光検出部４４と、を有している。光源４１は、半導体基板２１に対して透過性を有する光Ｉ１を出力する。光源４１は、例えば、ハロゲンランプ及びフィルタによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ１を出力する。光源４１から出力された光Ｉ１は、ミラー４２によって反射されて対物レンズ４３を通過し、半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０に照射される。このとき、ステージ２は、上述したように２列の改質領域１２ａ，１２ｂが形成されたウエハ２０を支持している。

対物レンズ４３は、半導体基板２１の表面２１ａで反射された光Ｉ１を通過させる。つまり、対物レンズ４３は、半導体基板２１を伝搬した光Ｉ１を通過させる。対物レンズ４３の開口数（ＮＡ）は、０．４５以上である。対物レンズ４３は、補正環４３ａを有している。補正環４３ａは、例えば対物レンズ４３を構成する複数のレンズにおける相互間の距離を調整することにより、半導体基板２１内において光Ｉ１に生じる収差を補正する。光検出部４４は、対物レンズ４３及びミラー４２を透過した光Ｉ１を検出する。光検出部４４は、例えば、ＩｎＧａＡｓカメラによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ１を検出する。

撮像ユニット４は、２列の改質領域１２ａ，１２ｂのそれぞれ、及び、複数の亀裂１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄのそれぞれの先端を撮像することができる（詳細については、後述する）。亀裂１４ａは、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂である。亀裂１４ｂは、改質領域１２ａから裏面２１ｂ側に延びる亀裂である。亀裂１４ｃは、改質領域１２ｂから表面２１ａ側に延びる亀裂である。亀裂１４ｄは、改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂である。制御部８は、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａに至る条件で、レーザ照射ユニット３にレーザ光Ｌを照射させるが（図４参照）、何らかの不具合等に起因して亀裂１４が表面２１ａに至っていないと、このような複数の亀裂１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが形成される。本実施形態では、ウエハ２０を複数の半導体デバイスに切断等すべくレーザ照射ユニット３からレーザ光Ｌを照射する処理の前処理として、上述したような不具合等に対応するために亀裂の長さを検査し検査結果に応じて亀裂の長さを調整する処理を行う。具体的には、上述した前処理として、ウエハ２０に検査用の改質領域を形成し、該改質領域から延びる亀裂の長さを判定し、亀裂の長さに応じて亀裂の長さを調整する処理を行う（詳細は後述）。

［アライメント補正用撮像ユニットの構成］
図６に示されるように、撮像ユニット５は、光源５１と、ミラー５２と、レンズ５３と、光検出部５４と、を有している。光源５１は、半導体基板２１に対して透過性を有する光Ｉ２を出力する。光源５１は、例えば、ハロゲンランプ及びフィルタによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ２を出力する。光源５１は、撮像ユニット４の光源４１と共通化されていてもよい。光源５１から出力された光Ｉ２は、ミラー５２によって反射されてレンズ５３を通過し、半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０に照射される。

レンズ５３は、半導体基板２１の表面２１ａで反射された光Ｉ２を通過させる。つまり、レンズ５３は、半導体基板２１を伝搬した光Ｉ２を通過させる。レンズ５３の開口数は、０．３以下である。すなわち、撮像ユニット４の対物レンズ４３の開口数は、レンズ５３の開口数よりも大きい。光検出部５４は、レンズ５３及びミラー５２を通過した光Ｉ２を検出する。光検出部５５は、例えば、ＩｎＧａＡｓカメラによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ２を検出する。

撮像ユニット５は、制御部８の制御のもとで、裏面２１ｂ側から光Ｉ２をウエハ２０に照射すると共に、表面２１ａ（機能素子層２２）から戻る光Ｉ２を検出することにより、機能素子層２２を撮像する。また、撮像ユニット５は、同様に、制御部８の制御のもとで、裏面２１ｂ側から光Ｉ２をウエハ２０に照射すると共に、半導体基板２１における改質領域１２ａ，１２ｂの形成位置から戻る光Ｉ２を検出することにより、改質領域１２ａ，１２ｂを含む領域の画像を取得する。これらの画像は、レーザ光Ｌの照射位置のアライメントに用いられる。撮像ユニット６は、レンズ５３がより低倍率（例えば、撮像ユニット５においては６倍であり、撮像ユニット６においては１．５倍）である点を除いて、撮像ユニット５と同様の構成を備え、撮像ユニット５と同様にアライメントに用いられる。

［検査用撮像ユニットによる撮像原理］
図５に示される撮像ユニット４を用い、図７に示されるように、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が表面２１ａに至っている半導体基板２１に対して、裏面２１ｂ側から表面２１ａ側に向かって焦点Ｆ（対物レンズ４３の焦点）を移動させる。この場合、改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、当該先端１４ｅを確認することができる（図７における右側の画像）。しかし、亀裂１４そのもの、及び表面２１ａに至っている亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせても、それらを確認することができない（図７における左側の画像）。なお、半導体基板２１の表面２１ａに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、機能素子層２２を確認することができる。

また、図５に示される撮像ユニット４を用い、図８に示されるように、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が表面２１ａに至っていない半導体基板２１に対して、裏面２１ｂ側から表面２１ａ側に向かって焦点Ｆを移動させる。この場合、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせても、当該先端１４ｅを確認することができない（図８における左側の画像）。しかし、表面２１ａに対して裏面２１ｂとは反対側の領域（すなわち、表面２１ａに対して機能素子層２２側の領域）に裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせて、表面２１ａに関して焦点Ｆと対称な仮想焦点Ｆｖを当該先端１４ｅに位置させると、当該先端１４ｅを確認することができる（図８における右側の画像）。なお、仮想焦点Ｆｖは、半導体基板２１の屈折率を考慮した焦点Ｆと表面２１ａに関して対称な点である。

以上のように亀裂１４そのものを確認することができないのは、照明光である光Ｉ１の波長よりも亀裂１４の幅が小さいためと想定される。図９及び図１０は、シリコン基板である半導体基板２１の内部に形成された改質領域１２及び亀裂１４のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像である。図９の（ｂ）は、図９の（ａ）に示される領域Ａ１の拡大像、図１０の（ａ）は、図９の（ｂ）に示される領域Ａ２の拡大像、図１０の（ｂ）は、図１０の（ａ）に示される領域Ａ３の拡大像である。このように、亀裂１４の幅は、１２０ｎｍ程度であり、近赤外領域の光Ｉ１の波長（例えば、１．１〜１．２μｍ）よりも小さい。

以上を踏まえて想定される撮像原理は、次のとおりである。図１１の（ａ）に示されるように、空気中に焦点Ｆを位置させると、光Ｉ１が戻ってこないため、黒っぽい画像が得られる（図１１の（ａ）における右側の画像）。図１１の（ｂ）に示されるように、半導体基板２１の内部に焦点Ｆを位置させると、表面２１ａで反射された光Ｉ１が戻ってくるため、白っぽい画像が得られる（図１１の（ｂ）における右側の画像）。図１１の（ｃ）に示されるように、改質領域１２に裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、改質領域１２によって、表面２１ａで反射されて戻ってきた光Ｉ１の一部について吸収、散乱等が生じるため、白っぽい背景の中に改質領域１２が黒っぽく映った画像が得られる（図１１の（ｃ）における右側の画像）。

図１２の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、例えば、先端１４ｅ近傍に生じた光学的特異性（応力集中、歪、原子密度の不連続性等）、先端１４ｅ近傍で生じる光の閉じ込め等によって、表面２１ａで反射されて戻ってきた光Ｉ１の一部について散乱、反射、干渉、吸収等が生じるため、白っぽい背景の中に先端１４ｅが黒っぽく映った画像が得られる（図１２の（ａ）及び（ｂ）における右側の画像）。図１２の（ｃ）に示されるように、亀裂１４の先端１４ｅ近傍以外の部分に裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、表面２１ａで反射された光Ｉ１の少なくとも一部が戻ってくるため、白っぽい画像が得られる（図１２の（ｃ）における右側の画像）。

以下では、ウエハ２０の切断等を目的として改質領域を形成する処理の前処理として実施される、亀裂の長さの検査及び調整処理について説明する。制御部８は、ウエハ２０にレーザ光Ｌが照射されることにより半導体基板２１の内部に一又は複数の検査用の改質領域１２が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御すること（形成処理）と、撮像ユニット４において取得される画像（撮像ユニット４から出力される信号）に基づいて、改質領域１２から延びる亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定すること（判定処理）と、判定結果に基づいてレーザ照射ユニット３の照射条件の調整に係る情報を導出すること（調整処理）と、を実行するように構成されている。

（形成処理）
図１３に示されるように、形成処理では、制御部８は、ウエハ２０における複数のラインのそれぞれに沿って改質領域１２が形成されるように、レーザ照射ユニット３を制御する。図１３には、Ｘ方向に延びると共にＹ方向において隣り合った複数のラインが示されている。制御部８は、複数のライン間において形成深さが互いに異なる改質領域１２が形成されるように、レーザ照射ユニット３を制御する。図１３に示される例では、「Ｚ１６７」と記されたラインにおける改質領域１２の形成深さが最も浅く、Ｙ方向において「Ｚ１６７」と記されたラインから離れるに従って徐々に改質領域１２の形成深さが深くなっており、「Ｚ１７８」と記されたラインにおける改質領域の形成深さが最も深くなっている。各ラインの改質領域１２は、レーザ照射ユニット３から出力されるレーザ光Ｌに対してウエハ２０がＸ方向に移動させられることにより形成される。ウエハ２０のＸ方向への移動は、行き（往路）と帰り（復路）とがあり、各ラインについて往路の改質領域１２と復路の改質領域１２とが形成されている。後述する判定処理では、往路毎、及び、復路毎に亀裂到達状態であるか否かの判定が行われる。これは、往路及び復路で例えばレーザ光Ｌの光軸等が同一とはならないためそれぞれにおいて判定を行うことが好ましいためである。なお、図１３においては、各改質領域１２として一つの改質領域のみが示されているが、実際には、上述したように２つの改質領域１２ａ，１２ｂが形成されている。なお、焦点数については、単焦点でも２焦点でもそれ以上であってもよい。

（判定処理）
判定処理では、制御部８は、撮像ユニット４において取得される画像に基づいて、改質領域１２から延びる亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定する。図１４に示されるように、制御部８は、撮像ユニット４を制御することにより、Ｚ方向に焦点Ｆを移動させて複数の画像を取得する。焦点Ｆ１は、改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅが撮像される焦点である。焦点Ｆ２は、改質領域１２ｂの上端が撮像される焦点である。焦点Ｆ３は、改質領域１２ａの上端が撮像される焦点である。焦点Ｆ４は、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅが撮像される虚像領域の焦点であって、表面２１ａに関して先端１４ｅの位置（仮想焦点Ｆ４ｖ）と対象な点である。焦点Ｆ５は、改質領域１２ａの下端が撮像される虚像領域の焦点であって、表面２１ａに関して改質領域１２ａの下端の位置（仮想焦点Ｆ５ｖ）と対象な点である。

表面２１ａを基準位置（０点）として裏面２１ｂに向かう方向を正方向とし、ウエハ２０の厚さをＴ、焦点Ｆ１の裏面２１ｂ側からの距離をＡ、焦点Ｆ２の裏面２１ｂ側からの距離をＢ、焦点Ｆ３の裏面２１ｂ側からの距離をＤ、焦点Ｆ４の裏面２１ｂ側からの距離をＧ、焦点Ｆ５の裏面２１ｂ側からの距離をＨとすると、改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅの位置ａ＝Ｔ−Ａ、改質領域１２ｂの上端の位置ｂ＝Ｔ−Ｂ、改質領域１２ａの上端の位置ｄ＝Ｔ−Ｄ、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅの位置ｆ＝Ｇ−Ｔ、改質領域１２ａの下端の位置ｅ＝Ｈ−Ｔとなる。

また、改質領域１２ｂの下端の位置ｃ、改質領域１２ａの下端の位置ｅ、改質領域１２ｂの上端の位置ｃ´、及び改質領域１２ａの上端の位置ｅ´は、レーザ加工装置１における加工深さ（高さ）であるＺハイトとウエハ２０のシリコンの屈折率を考慮した定数（ＤＺレート）とに応じて特定することができる。改質領域１２ｂの下端のＺハイトをＳＤ２下端Ｚハイト、改質領域１２ａの下端のＺハイトをＳＤ１下端Ｚハイト、改質領域１２ｂの上端のＺハイトをＳＤ２上端Ｚハイト、改質領域１２ａの上端のＺハイトをＳＤ１上端Ｚハイトとすると、改質領域１２ｂの下端の位置ｃ＝Ｔ−ＳＤ２下端Ｚハイト×ＤＺ、改質領域１２ａの下端の位置ｅ＝Ｔ−ＳＤ１下端Ｚハイト×ＤＺ、改質領域１２ｂの上端の位置ｃ´＝Ｔ−ＳＤ２上端Ｚハイト×ＤＺ＋レーザエネルギから予想されるＳＤ層幅、改質領域１２ａの上端の位置ｅ´＝Ｔ−ＳＤ１上端Ｚハイト×ＤＺ＋レーザエネルギから予想されるＳＤ層幅となる。

画像取得について詳細に説明する。制御部８は、検出したい亀裂１４の種別に応じて、撮像区間、撮像開始位置、撮像終了位置、及び撮像のＺ間隔（Ｚ方向の間隔）を設定する。撮像ユニット４は、設定された撮像区間の撮像開始位置から撮像終了位置まで、設定された間隔（撮像のＺ間隔）で連続的に撮像を行う。例えば改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４（以下、「上亀裂」と記載する場合がある）の先端１４ｅを検出したい場合には、撮像区間は、例えば改質領域１２ｂ〜上亀裂の先端１４ｅが検出され得ない十分に裏面２１ｂ寄りの位置に設定される。改質領域１２ｂの集光位置は、形成処理における改質領域１２ｂ形成時の情報から取得することができる。なお、撮像区間は、撮像し得るＺ方向の全区間、すなわち改質領域１２ａの集光位置の虚像領域Ｖｉ（図１４参照）〜裏面２１ｂとされてもよい。撮像開始位置は、例えば撮像区間のうち最も裏面２１ｂから離れた位置とされる。撮像終了位置は、例えば上亀裂の先端１４ｅが検出された位置、上亀裂の先端１４ｅが検出された後に全く検出されなくなった位置、または、撮像区間の全ての撮像が完了した位置とされる。撮像のＺ間隔（Ｚ方向の間隔）は、撮像工程において可変（例えば撮像開始直後は広い撮像間隔で大まかに撮像とすると共に上亀裂の先端１４ｅが検出されたら狭い撮像間隔にして細かく撮像する）とされてもよいし、撮像開始位置から撮像終了位置まで一定でもよい。

また、例えば改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂１４（以下、「下亀裂」と記載する場合がある）の先端１４ｅを検出したい場合には、撮像区間は、例えば改質領域１２ａの上端位置〜改質領域１２ｂの集光位置の虚像領域に設定される。改質領域１２ａの上端位置は、形成処理における改質領域１２ａ形成時の集光位置の情報と改質領域１２ａの幅とから取得することができる。改質領域１２ｂの集光位置の虚像領域は、形成処理における改質領域１２ｂ形成時の情報から取得することができる。なお、撮像区間は、撮像し得るＺ方向の全区間、すなわち改質領域１２ａの集光位置の虚像領域Ｖｉ（図１４参照）〜裏面２１ｂとされてもよい。撮像開始位置は、例えば撮像区間のうち最も裏面２１ｂから離れた位置とされてもよいし、撮像区間のうち最も裏面２１ｂ側の位置とされてもよい。撮像終了位置は、例えば下亀裂の先端１４ｅが検出された位置、下亀裂の先端１４ｅが検出された後に全く検出されなくなった位置、または、撮像区間の全ての撮像が完了した位置とされる。撮像のＺ間隔（Ｚ方向の間隔）は、撮像工程において可変（例えば撮像開始直後は広い撮像間隔で大まかに撮像とすると共に下亀裂の先端１４ｅが検出されたら狭い撮像間隔にして細かく撮像する）とされてもよいし、撮像開始位置から撮像終了位置まで一定でもよい。なお、撮像ユニット４によって撮像された画像についての先端１４ｅの検出（判定）処理は、画像が１枚撮像される毎に行われてもよいし、撮像区間全ての画像が撮像された後に行われてもよい。また、撮像データをクレンジングし先端１４ｅを検出（判定）する処理は、人工知能等の技術を用いて実施されてもよい。

亀裂到達状態の判定について詳細に説明する。図１５は、各測定ポイントにおける撮像結果の一例を示している。ここでの各測定ポイントとは、形成処理において形成した、互いに改質領域１２の形成深さが異なる複数のライン「Ｚ１６７」〜「Ｚ１７８」（図１３参照）である。上述したように、「Ｚ１６７」の改質領域１２の形成深さが最も浅く、Ｚの値が大きくなるに従って改質領域１２の形成深さが深くなっており、「Ｚ１７８」の改質領域１２の形成深さが最も深い。制御部８は、各測定ポイント（各ラインの改質領域１２）について、撮像ユニット４を制御することによりＺ方向に焦点Ｆを移動させて複数の画像を取得し該画像から（すなわち実測値から）、図１４に示される、ａ：上亀裂の先端１４ｅの位置、ｂ：改質領域１２ｂ（ＳＤ２）の上端の位置、ｄ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の上端の位置、及びｆ：下亀裂の先端１４ｅの位置を導出する。また、制御部８は、各測定ポイントについて、Ｚハイト及びＤＺレートに基づき、図１４に示される、ｅ：改質領域１２ａの下端の位置、ｅ´：改質領域１２ａの上端の位置、ｃ：改質領域１２ｂの下端の位置、ｃ´：改質領域１２ｂの上端の位置を導出する。また、制御部８は、ａ：上亀裂の先端１４ｅの位置、及び、ｂ：改質領域１２ｂの上端の位置の差分ａ−ｂを導出する。また、制御部８は、ａ：上亀裂の先端１４ｅの位置、及び、ｅ：改質領域１２ａの下端の位置の差分ａ−ｅを導出する。図１５の表の最下段に示された「ＳＴ（Stealth）」とは亀裂１４が裏面２１ｂ及び表面２１ａに到達していない状態を示す用語であり、「ＢＨＣ（Bottom side half-cut）」とは亀裂１４が表面２１ａにまで到達している状態（すなわち亀裂到達状態）を示す用語である。図１５の表の最下段に示したＳＴ及びＢＨＣの情報は、後述する制御部８による判定処理の正確性を確認するために、顕微鏡観察により取得した情報である。

なお、実際のレーザ加工装置１では、レーザ照射ユニット３と撮像ユニット４とが同一装置内に設けられており、検査用の改質領域１２の形成処理と改質領域１２の撮像処理とが連続して行われるが、図１５に示される撮像結果を得た環境においてはレーザ照射ユニットと撮像ユニットとが別装置とされていたため、装置間でウエハ２０を搬送する際に亀裂１４が伸展してしまっている（実際のレーザ加工装置１による撮像結果よりも亀裂１４が伸展してしまっている）。しかしながら、図１５に示される撮像結果によっても、制御部８による判定処理の正確性（亀裂到達状態であると特定する処理の正確性）の説明が可能であるため、以下では、図１５に示される撮像結果に基づいて、制御部８の判定処理を説明する。

図１６は、図１５に示される撮像結果をグラフ化したものであり、横軸は測定ポイント、縦軸は位置（表面２１ａを基準位置とした場合の位置）を示している。また、図１５と同様に、図１６においても最下段に顕微鏡観察により取得したＳＴ又はＢＨＣの情報が示されている。

制御部８は、改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイント（ライン）から順に、または、改質領域１２の形成深さが深い測定ポイント（ライン）から順に、改質領域１２から裏面２１ｂ側に延びる亀裂である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端１４ｅの位置を導出し、該先端１４ｅの位置の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定してもよい。具体的には、制御部８は、改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイントから順に上亀裂の先端１４ｅの位置を導出し先端１４ｅの位置の変化量を導出する場合には、上亀裂の先端１４ｅの位置の変化量が所定値（例えば２０μｍ）よりも大きくなった場合に、それまでのラインではＳＴであったところ、亀裂到達状態になったと判定する。また、制御部８は、改質領域１２の形成深さが深い測定ポイントから順に上亀裂の先端１４ｅの位置を導出し先端１４ｅの位置の変化量を導出する場合には、上亀裂の先端１４ｅの位置の変化量が所定値（例えば２０μｍ）よりも大きくなった場合に、それまでのラインでは亀裂到達状態であったところ、ＳＴになったと判定する。

図１６に示されるように、改質領域１２の形成深さが浅い順に測定ポイントを並べて、ａ：上亀裂の先端１４ｅの位置の変化をみると、Ｚ１７１とＺ１７２との間での変化量（差分）が、他の測定ポイント間での変化量と比較して極めて大きいことがわかる。Ｚ１７１とはＳＴとなる測定ポイントのうち最も改質領域１２の形成深さが深い測定ポイントであり、Ｚ１７２とはＢＨＣとなる測定ポイントのうち最も改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイントである。このことから、改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイントから順に、または、改質領域の形成深さが深い測定ポイントから順に、ａ：上亀裂の先端１４ｅの位置を導出し、該先端１４ｅの位置の変化量を導出して、該変化量が所定値よりも大きいか否かに基づいて、ＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かを判定することが可能であると言える。

制御部８は、改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイント（ライン）から順に、または、改質領域１２の形成深さが深い測定ポイント（ライン）から順に、改質領域１２から裏面２１ｂ側に延びる亀裂である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端１４ｅの位置と改質領域１２が形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定してもよい。具体的には、制御部８は、改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイントから順に上述した差分を導出する場合には、該差分の変化量が所定値（例えば２０μｍ）よりも大きくなった場合に、それまでのラインではＳＴであったところ、亀裂到達状態になったと判定する。また、制御部８は、改質領域１２の形成深さが深い測定ポイントから順に上述した差分を導出する場合には、該差分の変化量が所定値（例えば２０μｍ）よりも大きくなった場合に、それまでのラインでは亀裂到達状態であったところ、ＳＴになったと判定する。

図１６に示されるように、改質領域１２の形成深さが浅い順に測定ポイントを並べて、ａ−ｂ：上亀裂の先端１４ｅの位置と改質領域１２ｂの上端の位置との差分（以下、単に「上亀裂の先端１４ｅの位置と改質領域１２ｂが形成された位置との差分」と記載する場合がある）の変化をみると、Ｚ１７１とＺ１７２との間での変化量が、他の測定ポイント間での変化量と比較して極めて大きいことがわかる。同様に、ａ−ｅ：上亀裂の先端１４ｅの位置と改質領域１２ａの下端の位置との差分（以下、単に「上亀裂の先端１４ｅの位置と改質領域１２ａが形成された位置との差分」と記載する場合がある）の変化をみると、Ｚ１７１とＺ１７２との間での変化量が、他の測定ポイント間での変化量と比較して極めて大きいことがわかる。このことから、改質領域１２の形成深さが浅い測定ポイントから順に、または、改質領域の形成深さが深い測定ポイントから順に、ａ−ｂまたはａ−ｅを導出し、これらの変化量を導出して、該変化量が所定値よりも大きいか否かに基づいて、ＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かを判定することが可能であると言える。

制御部８は、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂である下亀裂の表面２１ａ側の先端１４ｅの有無に基づいて、ＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かを判定してもよい。図１６に示されるように、ＳＴとなる測定ポイントではｆ：下亀裂の先端１４ｅの位置が検出されているのに対して、ＢＨＣとなる測定ポイントではｆ：下亀裂の先端１４ｅの位置が検出されていない。このことから、下亀裂の先端１４ｅの有無に応じて、ＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かを判定することが可能であると言える。

制御部８は、ＢＨＣであるか否かの判定結果に基づいて亀裂（詳細には下亀裂）の長さを推定する。制御部８は、ＢＨＣであると判定した場合に、改質領域１２ａの下端の位置ｅ（表面２１ａから下端の位置ｅまでの長さ）を下亀裂の長さＬと推定してもよい。この場合、下亀裂の長さＬは以下の（１）式により導出される。この場合には、実測値を用いずに予め与えられた条件のみから下亀裂の長さＬを推定することができる。なお、Ｔはウエハ２０の厚さ、ＺＨ１は改質領域１２ａの下端に対応するＺハイト、ＤＺはＤＺレートである。
Ｌ＝ｅ＝Ｔ−ＺＨ１×ＤＺ・・・（１）

また、制御部８は、ＢＨＣであると判定した場合に、予め与えられた条件と実測値とを用いて、以下の（２）式により、下亀裂の長さＬを導出してもよい。なお、Ｄは裏面２１ｂから改質領域１２ａの上端までの長さ、ＳＷは加工条件に応じて予め定められる改質領域１２ａの幅である。
Ｌ＝Ｔ−（Ｄ＋ＳＷ）・・・（２）

さらに、制御部８は、ウエハ２０の厚さＴが不明である場合においても、実測値に基づき、以下の（３）式により、下亀裂の長さＬを導出することができる。なお、Ｄは裏面２１ｂから改質領域１２ａの上端までの長さ、ＳＷは加工条件に応じて予め定められる改質領域１２ａの幅、Ｈは裏面２１ｂから改質領域１２ａの下端までの長さである。
Ｌ＝（Ｄ＋ＳＷ−Ｈ）／２・・・（３）

制御部８は、推定した下亀裂の長さに基づいて検査の合否を判定し、検査が不合格である場合に、レーザ照射ユニット３の照射条件の調整に係る情報を導出する（すなわち上述した調整処理を行う）と決定する。制御部８は、例えば下亀裂の長さと亀裂長さ目標値とを比較することにより、検査の合否を判定する。亀裂長さ目標値とは、下亀裂長さの目標値であって、予め定められた値であってもよいし、例えば、ウエハ２０の厚さに係る情報を少なくとも含んだ検査条件に応じて設定される値であってもよい（詳細は後述）。亀裂長さ目標値は、合格となる亀裂長さの下限を規定するものであってもよいし、合格となる亀裂長さの上限を規定するものであってもよいし、合格となる亀裂長さの範囲（下限及び条件）を規定するものであってもよい。制御部８は、亀裂長さ目標値が合格となる亀裂長さの下限を規定するものである場合には、推定した下亀裂の長さが亀裂長さ目標値よりも短い場合に、照射条件の調整が必要であるとして検査が不合格であると判定する。また、制御部８は、亀裂長さ目標値が合格となる亀裂長さの上限を規定するものである場合には、推定した下亀裂の長さが亀裂長さ目標値よりも長い場合に検査が不合格であると判定する。また、制御部８は、亀裂長さ目標値が合格となる亀裂長さの範囲を規定するものである場合には、推定した下亀裂の長さが亀裂長さ目標値の範囲外である場合に検査が不合格であると判定する。なお、制御部８は、検査が合格であると判定した場合には、照射条件の調整を行わない（すなわち上述した調整処理を行わない）と決定する。ただし、制御部８は、ユーザ要求に応じて、検査が合格である場合においても照射条件の調整を行ってもよい。

（調整処理）
調整処理では、制御部８は、判定処理における判定結果に基づいてレーザ照射ユニット３の照射条件の調整に係る情報を導出する。より詳細には制御部８は、判定結果に応じて推定した下亀裂の長さに基づいて、照射条件の調整に係る情報（補正パラメータ）を導出する。制御部８は、例えば下亀裂の長さが短い（下限を規定する亀裂長さ目標値よりも短い）場合には、亀裂長さが亀裂長さ目標値よりも長くなるように、補正パラメータを導出する。また、制御部８は、例えば下亀裂の長さが長い（上限を規定する亀裂長さ目標値よりも長い）場合には、亀裂長さが亀裂長さ目標値よりも短くなるように、補正パラメータを導出する。照射条件の調整に係る情報（補正パラメータ）とは、例えば、集光補正量、加工出力、パルス幅等の、レーザ及び光学設定値に関する情報である。

制御部８は、導出した補正パラメータに基づき、レーザ照射ユニット３の照射条件を調整する。すなわち、制御部８は、亀裂長さが現状よりも長くなるように、または短くなるように、導出した集光補正量、加工出力、パルス幅等の適正値を、レーザ照射ユニット３に設定する。図１７は、集光補正パラメータ（集光補正量）を変更した場合のＢＨＣとなる測定ポイントの違いの一例を示す図である。図１７の右図に示されるように、調整処理を行う前の初期値においては、Ｚ１７３においてはじめてＢＨＣとなっていたが、集光補正量が大きくなるように集光補正パラメータを＋１するように調整されると、下亀裂が長くなることによって、図１７の中央図に示されるようにＺ１７２においてＢＨＣとなり、さらに、集光補正パラメータを＋３するように調整されると、図１７の左図に示されるようにＺ１７０においてＢＨＣとなっている。このように、判定処理における判定結果に基づいてレーザ照射ユニット３の照射条件が調整されることによって、下亀裂の長さを所望の長さに調整することができる。なお、制御部８は、ユーザ要求においてユーザが照射条件の調整を行うことを要求している場合に限り、照射条件の調整に係る情報の導出及び照射条件の調整を行ってもよい（詳細は後述）。

［検査方法］
本実施形態の検査方法について、図１８〜図２１を参照して説明する。図１８は、第１の検査方法のフローチャートである。図１９は、第２の検査方法のフローチャートである。図２０は、第３の検査方法のフローチャートである。図２１は、第４の検査方法のフローチャートである。

図１８に示される第１の検査方法では、検査を行う全てのラインについて改質領域１２を形成した後に、改質領域１２の形成深さが浅いラインから順にＢＨＣであるか否かを判定し、ＢＨＣである場合に下亀裂の長さに基づき照射条件の調整（補正パラメータ調整）を行う。

第１の検査方法では、最初に、検査を行う全てのラインについて改質領域１２が形成される（ステップＳ１）。ここでは、図１３に示される「Ｚ１６７」〜「Ｚ１７８」の各ラインについて、往路及び復路の改質領域１２が形成されることとする。図１３に示されるように、「Ｚ１６７」と記されたラインにおける改質領域１２の形成深さが最も浅く、Ｙ方向において「Ｚ１６７」と記されたラインから離れる（Ｚの値が大きくなる）に従って徐々に改質領域１２の形成深さが深くなり、「Ｚ１７８」と記されたラインにおける改質領域１２の形成深さが最も深くなるように、各ラインの改質領域１２が形成される。

ステップＳ１について具体的に説明する。まずウエハ２０が用意され、レーザ加工装置１のステージ２に載置される。なお、使用するウエハ２０はフィルム（テープ）が貼り付けられた状態でも貼り付けられていない状態でもよい。ウエハ２０のサイズ、形状、種類（素材、結晶方位等）については限定されない。続いて、ステージ２がＸ方向、Ｙ方向、及びΘ方向（Ｚ方向に平行な軸線を中心とした回転方向）に移動することによりアライメントが実施される。

そして、「Ｚ１６７」の往路の加工予定ラインがレーザ照射ユニット３の直下になるようにステージ２がＹ方向に移動すると共に、レーザ照射ユニット３が「Ｚ１６７」に応じた加工深さに移動する。続いて、レーザ照射ユニット３によるレーザ光Ｌの照射を開始し、ステージ２が所定の加工速度でＸ方向に移動する。これにより、Ｘ方向に延びる「Ｚ１６７」の往路のラインに沿って改質領域１２（２列の改質領域１２ａ，１２ｂ）が形成される。

続いて、「Ｚ１６７」の復路の加工予定ラインがレーザ照射ユニット３の直下になるようにステージ２がＹ方向に移動すると共に、レーザ照射ユニット３が「Ｚ１６７」に応じた加工深さに移動する。そして、レーザ照射ユニット３によるレーザ光Ｌの照射を開始し、ステージ２が所定の加工速度でＸ方向に移動する。これにより、Ｘ方向に延びる「Ｚ１６７」の復路のラインに沿って改質領域１２（２列の改質領域１２ａ，１２ｂ）が形成される。このような、往路及び復路への改質領域１２ａ，１２ｂの形成を、加工深さをそれぞれのラインに応じた深さとしながら、全ライン（「Ｚ１６７」〜「Ｚ１７８」）について行う。以上が、ステップＳ１の処理である。

続いて、制御部８によって、改質領域１２の形成深さが最も浅いラインと２番目に浅いラインについて上亀裂の先端１４ｅの位置が検出される（ステップＳ２）。具体的には、まず、「Ｚ１６７」の往路のラインが撮像ユニット４の直下になるようにステージ２がＸ方向及びＹ方向に移動すると共に、撮像ユニット４が撮像開始位置に移動する。撮像ユニット４は、撮像開始位置から撮像終了位置まで、設定された間隔（撮像のＺ間隔）で連続的に撮像を行う。制御部８は、撮像ユニット４によって取得された複数の画像データをクレンジングし、上亀裂の先端１４ｅを検出する。続いて、「Ｚ１６８」の往路のラインが撮像ユニット４の直下になるようにステージ２がＸ方向及びＹ方向に移動すると共に、撮像ユニット４が撮像開始位置に移動する。撮像ユニット４は、撮像開始位置から撮像終了位置まで、設定された間隔（撮像のＺ間隔）で連続的に撮像を行う。制御部８は、撮像ユニット４によって取得された複数の画像データをクレンジングし、上亀裂の先端１４ｅを検出する。以上が、ステップＳ２の処理である。

続いて、検出された情報に基づいて、２番目に浅いラインがＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かが判定される（ステップＳ３）。制御部８は、「Ｚ１６７」の往路のラインにおける上亀裂の先端１４ｅの位置と、「Ｚ１６８」の往路のラインにおける上亀裂の先端１４ｅの位置とに基づいて、「Ｚ１６８」の往路のラインがＢＨＣであるか否かを判定する。具体的には、制御部８は、２つのライン間における上亀裂の先端１４ｅの位置の変化量が所定値よりも大きい場合に、「Ｚ１６８」の往路のラインがＢＨＣであると判定する。なお、制御部８は「Ｚ１６７」の往路のライン及び「Ｚ１６８」の往路のラインについて上亀裂の先端１４ｅの位置と改質領域１２ｂが形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量が所定値よりも大きい場合に、「Ｚ１６８」の往路のラインがＢＨＣであると判定してもよい。

ステップＳ３においてＢＨＣではないと判定された場合には、次に形成深さが浅いライン（３番目に浅いライン）について上亀裂の先端１４ｅの位置が検出され（ステップＳ４）、２番目に浅いラインの上亀裂の先端１４ｅの位置と３番目に浅いラインの上亀裂の先端１４ｅの位置とに基づいて、３番目に浅いラインがＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かが判定される（ステップＳ３）。このように、ステップＳ３においてＢＨＣであると判定されるまで、徐々に形成深さが深いラインに移動しながら、ステップＳ３及びステップＳ４の処理が繰り返し行われる。なお、ステップＳ３及びステップＳ４の処理は、往路及び復路で別々に行われる。例えば、往路についてＢＨＣのラインが特定された後に、復路のラインについても同様に改質領域１２の形成深さが浅いラインから順にＢＨＣであるか否かの判定が行われＢＨＣのラインが特定される。

ステップＳ３において、往復路についてＢＨＣとなるラインが特定されると、続いて、制御部８は、往復路それぞれについて、下亀裂の長さの合否判定を行う（ステップＳ５）。具体的には、制御部８は、例えば上述した（１）〜（３）式のいずれかによって下亀裂の長さを導出し、下亀裂の長さと亀裂長さ目標値とを比較することにより、検査の合否を判定する。

制御部８は、亀裂長さ目標値が合格となる亀裂長さの下限を規定するものである場合には、推定した下亀裂の長さが亀裂長さ目標値よりも短い場合に検査が不合格であると判定する。また、制御部８は、亀裂長さ目標値が合格となる亀裂長さの上限を規定するものである場合には、推定した下亀裂の長さが亀裂長さ目標値よりも長い場合に検査が不合格であると判定する。また、制御部８は、亀裂長さ目標値が合格となる亀裂長さの範囲を規定するものである場合には、推定した下亀裂の長さが亀裂長さ目標値の範囲外である場合に検査が不合格であると判定する。なお、制御部８は、ＢＨＣとなったラインに応じたＺハイトから、ＢＨＣとなるＺハイトを導出し、該Ｚハイトと目標Ｚハイトとを比較して検査の合否を判定してもよい。この場合、制御部８は、導出したＺハイトが目標Ｚハイトと一致している場合に検査合格と判定し、一致していない場合に検査不合格と判定してもよい。ステップＳ５において検査合格と判定された場合には検査が終了する。

一方で、ステップＳ５において、往復路の少なくともいずれか一方において検査が不合格であると判定された場合には、制御部８は、レーザ照射ユニット３の照射条件の調整（補正パラメータ調整）を行う（ステップＳ６）。具体的には、制御部８は、推定した下亀裂の長さに基づいて、照射条件の調整に係る情報（補正パラメータ）を導出する。制御部８は、例えば下亀裂の長さが短い（下限を規定する亀裂長さ目標値よりも短い）場合には、亀裂長さが亀裂長さ目標値よりも長くなるように、補正パラメータを導出する。また、制御部８は、例えば下亀裂の長さが長い（上限を規定する亀裂長さ目標値よりも長い）場合には、亀裂長さが亀裂長さ目標値よりも短くなるように、補正パラメータを導出する。照射条件の調整に係る情報（補正パラメータ）とは、例えば、集光補正量、加工出力、パルス幅等の、レーザ及び光学設定値に関する情報である。そして、制御部８は、導出した集光補正量、加工出力、パルス幅等の適正値を、レーザ照射ユニット３に設定することにより、レーザ照射ユニット３の照射条件を調整する。このようにして、照射条件が調整された後に、再度ステップＳ１以降の処理が実行されて、下亀裂の長さが所望の長さとなっているかが確認される。新たな改質領域１２は、まだ改質領域１２が形成されていないウエハ２０の領域に形成される。以上が、第１の検査方法である。なお、上述したステップＳ２〜Ｓ３の処理に代えて、下亀裂の先端１４ｅの有無に基づくＢＨＣ判定を行ってもよい。すなわち、ステップＳ１につづいて、最も浅いラインについて、下亀裂の先端１４ｅの有無に基づくＢＨＣ判定を行い、ＢＨＣであると判定されるまで徐々に形成深さが深いラインに移動し、ＢＨＣであると判定された場合にステップＳ５の処理を行ってもよい。

なお、上述した第１の検査方法の説明においては、ステップＳ２において形成深さが浅いラインから順に上亀裂の先端１４ｅの位置が検出されてステップＳ３においてＢＨＣであるか否かの判定が行われるとして説明したがこれに限定されず、ステップＳ２では、形成深さが深いラインから順に上亀裂の先端１４ｅの位置が検出され、ステップＳ３ではＳＴであるか否かの判定が行われてもよい。この場合には、ステップＳ３においてＳＴであると判定されるまで、徐々に形成深さが浅いラインに移動しながら、ステップＳ３及びステップＳ４の処理が繰り返し行われる。そして、ＳＴであると判定された場合には、例えば最後にＢＨＣであると判定されたラインの情報に基づいて下亀裂の長さが推定されて、ステップＳ５以降の処理が行われてもよい。

図１９に示される第２の検査方法は、改質領域１２の形成深さが浅い（又は深い）ラインから順にＢＨＣであるか否かの判定を行い照射条件の調整（補正パラメータ調整）を行う点において第１の検査方法と同様であるが、全ラインについての形成処理を行った後に判定処理を行うのではなく、１ラインずつ形成処理及び判定処理を行う（ただし、形成処理は最初のみ２ライン行う）点において第１の検査方法と異なっている。以下では、第１の検査方法と異なる点を主に説明し、重複する説明を省略する。

第２の検査方法では、最初に、形成深さが最も浅い改質領域１２が形成される（ステップＳ１１）。すなわち、図１３に支援される「Ｚ１６７」の往路のラインの改質領域１２が形成される。続いて、制御部８によって、改質領域１２の形成深さが最も浅いラインである「Ｚ１６７」の往路のラインについて上亀裂の先端１４ｅの位置が検出される（ステップＳ１２）。続いて、制御部８によって形成深さが２番目に浅い改質領域１２が形成される（ステップＳ１３）。すなわち、「Ｚ１６８」の往路のラインの改質領域１２が形成される。続いて、制御部８によって直前に改質領域１２を形成したラインである「Ｚ１６８」の往路のラインについて上亀裂の先端１４ｅの位置が検出される（ステップＳ１４）。

続いて、検出された情報に基づいて、２番目に浅いラインがＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かが判定される（ステップＳ１５）。制御部８は、「Ｚ１６７」の往路のラインにおける上亀裂の先端１４ｅの位置と、「Ｚ１６８」の往路のラインにおける上亀裂の先端１４ｅの位置とに基づいて、「Ｚ１６８」の往路のラインがＢＨＣであるか否かを判定する。具体的には、制御部８は、２つのライン間における上亀裂の先端１４ｅの位置の変化量が所定値よりも大きい場合に、「Ｚ１６８」の往路のラインがＢＨＣであると判定する。なお、制御部８は「Ｚ１６７」の往路のライン及び「Ｚ１６８」の往路のラインについて上亀裂の先端１４ｅの位置と改質領域１２ｂが形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量が所定値よりも大きい場合に、「Ｚ１６８」の往路のラインがＢＨＣであると判定してもよい。

ステップＳ１５においてＢＨＣではないと判定された場合には、次に形成深さが浅い「Ｚ１６９」の往路のラインの改質領域が形成され（ステップＳ１６）、直前に改質領域１２を形成したラインである「Ｚ１６９」の往路のラインについて上亀裂の先端１４ｅの位置が検出される（ステップＳ１４）。そして、検出された情報に基づいて、「Ｚ１６９」の往路のラインがＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かが判定される（ステップＳ１５）。このように、ステップＳ１５においてＢＨＣであると判定されるまで、徐々に形成深さが深いラインに移動しながら、ステップＳ１６，Ｓ１４，Ｓ１５の処理が繰り返し行われる。なお、往路のラインについてＢＨＣのラインが特定された後に、復路のラインについても同様にステップＳ１１〜Ｓ１５の処理によりＢＨＣのラインが特定される。ステップＳ１７及びＳ１８の処理は、上述したステップＳ５及びＳ６の処理と同様であるため説明を省略する。以上が、第２の検査方法である。なお、上述したステップＳ１２〜Ｓ１６の処理に代えて、下亀裂の先端１４ｅの有無に基づくＢＨＣ判定を行ってもよい。すなわち、ステップＳ１１につづいて、最も浅いラインについて、下亀裂の先端１４ｅの有無に基づくＢＨＣ判定を行い、ＢＨＣであると判定されるまで徐々に形成深さが深いラインに移動し、ＢＨＣであると判定された場合にステップＳ１７の処理を行ってもよい。

図２０に示される第３の検査方法では、ＢＨＣになると想定される形成深さに改質領域１２を形成してＢＨＣであるか否かを判定し、ＢＨＣでない場合に下亀裂が長くなるように照射条件の調整（補正パラメータ調整）を行う。以下では、第１の検査方法と異なる点を主に説明し、重複する説明を省略する。

第３の検査方法では、最初に、ＢＨＣになると想定される形成深さに改質領域１２を形成すべく、目標のＺハイト（ＢＨＣになると想定されるＺハイト）で改質領域１２が形成される（ステップＳ２１）。そして、改質領域１２が形成されたラインがＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かが判定される（ステップＳ２２）。制御部８は、例えば改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂である下亀裂の表面２１ａ側の先端１４ｅの有無に基づいて、ＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かを判定する。

ＢＨＣになると想定される形成深さに改質領域１２が形成されているにも関わらず、ステップＳ２２においてＢＨＣではないと判定された場合には、制御部８は、レーザ照射ユニット３の照射条件の調整（補正パラメータ調整）を行う（ステップＳ２３）。ステップＳ２２においてＢＨＣであると判定されるまで、ステップＳ２３，Ｓ２１，Ｓ２２の処理が繰り返し行われる。ステップＳ２２においてＢＨＣであると判定された場合には検査が終了する。以上が、第３の検査方法である。

図２１に示される第４の検査方法では、第３の検査方法の処理に加えて、下亀裂の長さが長すぎる場合に下亀裂の長さを短くする逆補正処理を行う。図２０に示される第３の検査方法によれば、ＢＨＣになるべきラインにおいてＢＨＣとなっておらず下亀裂が短い場合に照射条件の調整によって下亀裂を所望の長さとすることができる。しかしながら、例えば第３の検査方法において、補正パラメータ調整が一度も行われることなくＢＨＣであると判定された場合には、下亀裂の長さが十分に長いことは確認できるものの、下亀裂の長さが過度に長くなっていないかどうかについては確認することができておらず、過度に長くなっている場合に下亀裂の長さを短くすることができていない。第４の検査方法では、補正パラメータ調整が一度も行われることなくＢＨＣであると判定された場合において、ＢＨＣにならないと想定される形成深さに改質領域を形成してＢＨＣであるか否かを判定し、ＢＨＣである場合に下亀裂が短くなるように照射条件の調整（逆補正処理）を行う。以下では、第３の検査方法と異なる点を主に説明し、重複する説明を省略する。

第４の検査方法のステップＳ３１〜Ｓ３３は、上述した第３の検査方法のステップＳ２１〜Ｓ２３の処理と同様である。第４の検査方法では、ステップＳ３２においてＢＨＣが形成されていると判定された場合に、パラメータ調整済みであるか否かが判定される（ステップＳ３４）。ステップＳ３４の処理を行う以前に、ステップＳ３３の補正パラメータ調整が行われていた場合には、パラメータ調整済みであると判定され検査が終了する。一方で、ステップＳ３４の処理を行う以前に、ステップＳ３３の補正パラメータ調整が行われていない場合には、目標のＺハイトよりも改質領域１２の形成深さが浅いＺハイト（例えば「目標のＺハイト−１」のＺハイトであってＢＨＣにならないと想定されているＺハイト）で改質領域１２が形成される（ステップＳ３５）。

そして、ステップＳ３５において改質領域１２が形成されたラインがＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かが判定される（ステップＳ３６）。制御部８は、例えば改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂である下亀裂の表面２１ａ側の先端１４ｅの有無に基づいて、ＢＨＣ（亀裂到達状態）であるか否かを判定する。

ＢＨＣにならないと想定される形成深さに改質領域１２が形成されているにも関わらず、ステップＳ３６においてＢＨＣであると判定された場合には、制御部８は、レーザ照射ユニット３の照射条件の調整（補正パラメータ調整）を行う（ステップＳ３７）。この場合の補正パラメータ調整は、長すぎる下亀裂を短くする処理であり、ステップＳ３３の補正パラメータ調整とは逆の方向への補正処理（逆補正処理）である。ステップＳ３６においてＢＨＣでないと判定されるまで、ステップＳ３７，Ｓ３５，Ｓ３６の処理が繰り返し行われる。ステップＳ３６においてＢＨＣでないと判定された場合には検査が終了する。以上が、第４の検査方法である。

［亀裂長さの検査及び調整処理実行時の画面イメージ］
次に、亀裂長さの検査及び調整処理実行時の画面イメージについて、図２２〜図２９を参照して説明する。ここでの「画面」とは、亀裂長さの検査及び調整処理を実行する際にユーザに表示される画面であり、ユーザに検査のための設定操作を促すと共に、検査及び調整結果を表示するＧＵＩ（Graphical User Interface）画面である。

図２２及び図２３は、検査条件の設定画面を示している。図２２に示されるように、設定画面は、ディスプレイ１５０（入力部，出力部）に表示される。ディスプレイ１５０は、ユーザからの入力を受付ける入力部としての機能と、ユーザに対して画面を表示する出力部としての機能とを有している。具体的には、ディスプレイ１５０は、ウエハの厚さに係る情報を少なくとも含んだ検査条件の入力を受付け、判定結果に基づく検査の合否を出力する。また、ディスプレイ１５０は、検査が不合格である場合において、照射条件の調整を行うか否かを問合せる問合せ情報を出力し、問合せ情報に応答したユーザの要求であるユーザ要求の入力を受付ける。ディスプレイ１５０は、ユーザの指が直接触れることによりユーザからの入力を受付けるタッチパネルディスプレイであってもよいし、マウス等のポインティングデバイスを介してユーザからの入力を受付けるものであってもよい。

図２２に示されるように、ディスプレイ１５０の設定画面においては、「加工検査条件」、「ウエハ厚」、「目標ＺＨ」、「目標下端亀裂長さ」、「ＢＨＣ検査・調整フロー」、「ＢＨＣ判定方法」、「合否判定方法」の各項目が表示される。加工検査条件、ウエハ厚、ＢＨＣ検査・調整フロー、ＢＨＣ判定方法、及び合否判定方法については、それぞれ複数パターン用意されており、ドロップダウンリストからユーザが１つを選択可能とされている。設定画面では、加工検査条件及びウエハ厚の少なくともいずれか一方が入力される必要がある。加工検査条件とは、例えばウエハ厚（ｔ７７５μｍ等）、焦点数（ＳＤ層の数、２焦点等）、及び検査種別（ＢＨＣ検査等）等の条件である。加工検査条件は、例えばウエハ厚、焦点数、及び検査種別等の条件を組み合わせて、複数パターン用意されている。なお、加工検査条件の複数パターンの中には、各種条件をユーザが任意に設定可能なものが含まれていてもよい。このような加工検査条件が選択された場合には、図２３に示されるように、例えば、焦点数、Ｐａｓｓ数、加工速度、パルス幅、周波数、ＺＨ、加工出力、目標下端亀裂長さ、その規格（目標下端亀裂長さの許容範囲）、目標ＺＨ、その規格（目標ＺＨの許容範囲）をユーザが任意に設定することができる。通常の加工検査条件（ユーザが詳細な条件を任意に設定しない加工検査条件）をユーザが選択した場合には、Ｐａｓｓ数等の詳細なＳＤ加工条件は、加工検査条件に応じて自動で設定される。

目標ＺＨ及び目標下端亀裂長さは、加工検査条件及びウエハ厚の少なくともいずれか一方が入力されると、自動で表示（設定）される。目標ＺＨとは、検査が合格と判断されるＺハイトである。目標下端亀裂長さとは、検査が合格と判断される下亀裂の長さである。目標ＺＨ及び目標下端亀裂長さにはそれぞれ、許容範囲（規格）が設定される。

ＢＨＣ検査・調整フローとは、亀裂長さの検査及び調整処理をどの検査方法で行うかを示す情報であり、例えば上述した第１の検査方法〜第４の検査方法のいずれかである。ＢＨＣ判定方法とは、ＢＨＣであるか否かをどの判定方法により判定するかを示す情報であり、例えば、上亀裂の先端の位置の変化量による判定、上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分の変化量による判定、又は下亀裂の先端の有無による判定のいずれかである。合否判定方法とは、検査の合否を何によって判定するかを示す情報であり、例えば、ＺＨ及び下端亀裂長さの両方、ＺＨのみ、又は下端亀裂長さのみのいずれかである。

図２４は、加工検査条件として、条件１：ウエハ厚（ｔ７７５μｍ）、焦点数（２焦点）、検査種別（ＢＨＣ検査）が選択されると共に、ＢＨＣ検査・調整フローとして第１の検査方法、ＢＨＣ判定方法として上亀裂の先端の位置の変化量による判定、合否判定方法としてＺＨ及び下端亀裂長さの両方が選択された場合の合格画面の一例を示している。

図２４に示されるように、ディスプレイ１５０の合格画面においては、左上に設定画面における設定に応じた情報が示され、右上に合否結果が示され、左下に最浅ＢＨＣラインの上亀裂（ＳＤ２亀裂）の先端位置写真が示され、右下に検査結果（ＢＨＣマージン検査結果）の一覧が示されている。ＢＨＣマージン検査結果においては、往路復路別に、各ＺＨにおける裏面状態（ＳＴ又はＢＨＣ）、上亀裂の先端の位置（ＳＤ２上端亀裂位置）、上亀裂の先端の位置の変化量、下端亀裂長さ（ＳＤ１下端位置）が示されている。ＢＨＣマージン検査結果に示されるように、往路については、上亀裂の先端の位置の変化量が大きく変化（３８μｍ変化）している「Ｚ１７２」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが７０μｍと導出されている。同様に、復路については、上亀裂の先端の位置の変化量が大きく変化（３８μｍ変化）している「Ｚ１７３」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが６６μｍと導出されている。いま、目標下端亀裂長さが６５μｍ±５μｍであるので、合否結果に示されるように往路復路共に下端亀裂長さの点で合格となっている。また、目標ＺＨがＺＨ１７３（「Ｚ１７３」のラインのＺハイト）±Ｚ１（Ｚハイト１つ分）であるので、合否結果に示されるように往路復路共にＺＨの点でも合格となっている。なお、設定画面における設定に応じた情報の下に、補正パラメータ調整の要否を設定するドロップダウンリストが設けられており、ユーザは当該ドロップダウンリストから補正パラメータ調整を要求してもよい。

図２５は、図２４と同じ加工検査条件、ＢＨＣ検査・調整フロー、ＢＨＣ判定方法、合否判定方法が選択された場合の不合格画面の一例を示している。なお、図２５に示される検査では、ウエハ厚が７７１μｍであり、目標ＺＨがＺＨ１７２である点で図２４に示される検査とは異なっている。ＢＨＣマージン検査結果に示されるように、往路については、上亀裂の先端の位置の変化量が大きく変化（４０μｍ変化）している「Ｚ１７４」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが５８μｍと導出されている。同様に、復路については、上亀裂の先端の位置の変化量が大きく変化（４０μｍ変化）している「Ｚ１７４」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが５８μｍと導出されている。いま、目標下端亀裂長さが６５μｍ±５μｍであるので、合否結果に示されるように往路復路共に下端亀裂長さの点で不合格となっている。また、目標ＺＨがＺＨ１７２（「Ｚ１７２」のラインのＺハイト）±Ｚ１（Ｚハイト１つ分）であるので、合否結果に示されるように往路復路共にＺＨの点でも不合格となっている。検査結果が不合格となった場合においては、ディスプレイ１５０の不合格画面の下端部には、補正パラメータの調整（照射条件の調整）を行うか否かを問い合わせる問合せ情報が表示され、ディスプレイ１５０は、該問合せ情報に応答したユーザ要求の入力を受付ける。そして、制御部８は、ユーザ要求においてユーザが照射条件の調整を行うことを要求している場合に、照射条件の調整に係る情報を導出して、照射条件の調整を行う。

図２６は、加工検査条件として、条件１：ウエハ厚（ｔ７７５μｍ）、焦点数（２焦点）、検査種別（ＢＨＣ検査）が選択されると共に、ＢＨＣ検査・調整フローとして第２の検査方法、ＢＨＣ判定方法として上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分の変化量による判定、合否判定方法としてＺＨ及び下端亀裂長さの両方が選択された場合の合格画面の一例を示している。ＢＨＣマージン検査結果においては、往路復路別に、各ＺＨにおける裏面状態（ＳＴ又はＢＨＣ）、ａ）上亀裂の先端の位置（ＳＤ２上端亀裂位置）、ｂ）改質領域が形成された位置（ＳＤ１下端位置）、上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分（ａ−ｂ）、差分の変化量が示されている。ＢＨＣマージン検査結果に示されるように、往路については、上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分の変化量が大きく変化（４２μｍ変化）している「Ｚ１７２」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが７０μｍと導出されている。同様に、復路については、上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分の変化量が大きく変化（４２μｍ変化）している「Ｚ１７３」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが６６μｍと導出されている。いま、目標下端亀裂長さが６５μｍ±５μｍであるので、合否結果に示されるように往路復路共に下端亀裂長さの点で合格となっている。また、目標ＺＨがＺＨ１７３（「Ｚ１７３」のラインのＺハイト）±Ｚ１（Ｚハイト１つ分）であるので、合否結果に示されるように往路復路共にＺＨの点でも合格となっている。

図２７は、図２６と同じ加工検査条件、ＢＨＣ検査・調整フロー、ＢＨＣ判定方法、合否判定方法が選択された場合の不合格画面の一例を示している。なお、図２７に示される検査では、ウエハ厚が７７１μｍであり、目標ＺＨがＺＨ１７２である点で図２６に示される検査とは異なっている。ＢＨＣマージン検査結果に示されるように、往路については、上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分の変化量が大きく変化（４４μｍ変化）している「Ｚ１７３」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが６２μｍと導出されている。同様に、復路については、上亀裂の先端の位置と改質領域が形成された位置との差分の変化量が大きく変化（４４μｍ変化）している「Ｚ１７４」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、下端亀裂長さが５８μｍと導出されている。いま、目標下端亀裂長さが６５μｍ±５μｍであるので、合否結果に示されるように復路が条件を満たしておらず、下端亀裂長さの点で不合格となっている。また、目標ＺＨがＺＨ１７２（「Ｚ１７２」のラインのＺハイト）±Ｚ１（Ｚハイト１つ分）であるので、合否結果に示されるように復路が条件を満たさず、ＺＨの点でも不合格となっている。検査結果が不合格となった場合においては、ディスプレイ１５０の不合格画面の下端部には、補正パラメータの調整（照射条件の調整）を行うか否かを問い合わせる問合せ情報が表示される。

図２８は、加工検査条件として、条件１：ウエハ厚（ｔ７７５μｍ）、焦点数（２焦点）、検査種別（ＢＨＣ検査）が選択されると共に、ＢＨＣ検査・調整フローとして第３の検査方法、ＢＨＣ判定方法として下亀裂の先端の有無による判定、合否判定方法としてＺＨ及び下端亀裂長さの両方が選択された場合の合格画面の一例を示している。ＢＨＣマージン検査結果においては、往路復路別に、各ＺＨにおける裏面状態（ＳＴ又はＢＨＣ）及び下亀裂先端の有無が示されている。ＢＨＣマージン検査結果に示されるように、往路については、下亀裂の先端が検出されなくなった「Ｚ１７２」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、ＺＨに応じて下亀裂長さが７０μｍと導出されている。復路については、下亀裂の先端が検出されなくなった「Ｚ１７３」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、ＺＨに応じて下亀裂長さが６６μｍと導出されている。いま、目標下端亀裂長さが６５μｍ±５μｍであるので、合否結果に示されるように往路復路共に下端亀裂長さの点で合格となっている。また、目標ＺＨがＺＨ１７３（「Ｚ１７３」のラインのＺハイト）±Ｚ１（Ｚハイト１つ分）であるので、合否結果に示されるように往路復路共にＺＨの点でも合格となっている。

図２９は、図２８と同じ加工検査条件、ＢＨＣ検査・調整フロー、ＢＨＣ判定方法、合否判定方法が選択された場合の不合格画面の一例を示している。なお、図２９に示される検査では、ウエハ厚が７７１μｍであり、目標ＺＨがＺＨ１７２である点で図２８に示される検査とは異なっている。ＢＨＣマージン検査結果に示されるように、往路については、下亀裂の先端が検出されなくなった「Ｚ１７３」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、ＺＨに応じて下亀裂長さが６２μｍと導出されている。復路については、下亀裂の先端が検出されなくなった「Ｚ１７４」のラインが最浅ＢＨＣであると判定されており、ＺＨに応じて下亀裂長さが５８μｍと導出されている。いま、目標下端亀裂長さが６５μｍ±５μｍであるので、合否結果に示されるように復路が条件を満たしておらず、下端亀裂長さの点で不合格となっている。また、目標ＺＨがＺＨ１７２（「Ｚ１７２」のラインのＺハイト）±Ｚ１（Ｚハイト１つ分）であるので、合否結果に示されるように復路が条件を満たさず、ＺＨの点でも不合格となっている。検査結果が不合格となった場合においては、ディスプレイ１５０の不合格画面の下端部には、補正パラメータの調整（照射条件の調整）を行うか否かを問い合わせる問合せ情報が表示される。

［作用効果］
次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態のレーザ加工装置１は、表面２１ａ及び裏面２１ｂを有する半導体基板２１と、表面２１ａに形成された機能素子層２２と、を有するウエハ２０を支持するステージ２と、半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光を照射するレーザ照射ユニット３と、半導体基板２１に対して透過性を有する光を出力し、半導体基板２１を伝搬した光を検出する撮像ユニット４と、ウエハ２０にレーザ光が照射されることにより半導体基板２１の内部に一又は複数の改質領域１２が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御することと、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて改質領域１２から半導体基板２１の裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置を導出し、該上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置に基づいて、改質領域１２から延びる亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部８と、を備え、制御部８は、ウエハ２０における複数のラインのそれぞれに沿って、複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる改質領域１２が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御し、改質領域１２の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域１２の形成深さが深いラインから順に、上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置と改質領域１２が形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。

レーザ加工装置１では、半導体基板２１の内部に改質領域１２が形成されるようにウエハ２０にレーザ光が照射され、半導体基板２１を伝搬した透過性を有する光が撮像され、撮像結果（撮像ユニット４から出力される信号）に基づいて改質領域１２から半導体基板２１の裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置が導出される。そして、上亀裂の先端の位置に基づいて、改質領域１２から延びる亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達している亀裂到達状態であるか否かが判定される。より詳細には、レーザ加工装置１装置では、複数のラインそれぞれの改質領域１２が、互いに異なる形成深さとされ、改質領域１２の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域１２の形成深さが深いラインから順に上亀裂の先端の位置と改質領域１２が形成された位置との差分が導出され、該差分の変化量に基づいて亀裂到達状態であるか否かが判定される。上述したように、改質領域１２の形成深さが浅いライン（又は深いライン）から順に上述した差分を導出した場合、亀裂到達状態と亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達していない状態とが切り替わるラインにおいて、上述した差分の変化量（直前に差分が導出されたラインからの変化量）が、他のライン間と比べて大きくなる。このような観点から、レーザ加工装置１においては、上述した差分の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。このことにより、レーザ加工装置１によれば、亀裂到達状態であるか否か、すなわち、改質領域１２に渡る亀裂が半導体基板２１の表面２１ａ側に十分に延びているか否かを適切に確認することができる。

本実施形態のレーザ加工装置１は、表面２１ａ及び裏面２１ｂを有する半導体基板２１と、表面２１ａに形成された機能素子層２２と、を有するウエハ２０を支持するステージ２と、半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光を照射するレーザ照射ユニット３と、半導体基板２１に対して透過性を有する光を出力し、半導体基板２１を伝搬した光を検出する撮像ユニット４と、ウエハ２０にレーザ光が照射されることにより半導体基板２１の内部に一又は複数の改質領域１２が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御することと、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて改質領域１２から半導体基板２１の裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置を導出し、該上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置に基づいて、改質領域１２から延びる亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部８と、を備え、制御部８は、ウエハ２０における複数のラインのそれぞれに沿って、複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる改質領域１２が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御し、改質領域１２の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域１２の形成深さが深いラインから順に、上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置を導出し、該先端の位置の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。

レーザ加工装置１では、半導体基板２１の内部に改質領域１２が形成されるようにウエハ２０にレーザ光が照射され、半導体基板２１を伝搬した透過性を有する光が撮像され、撮像結果（撮像ユニット４から出力される信号）に基づいて改質領域１２から半導体基板２１の裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４である上亀裂の裏面２１ｂ側の先端の位置が導出される。そして、上亀裂の先端の位置に基づいて、改質領域１２から延びる亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達している亀裂到達状態であるか否かが判定される。より詳細には、レーザ加工装置１装置では、複数のラインそれぞれの改質領域１２が、互いに異なる形成深さとされ、改質領域１２の形成深さが浅いラインから順に、または、改質領域１２の形成深さが深いラインから順に上亀裂の先端の位置が導出され、該先端の位置の変化量に基づいて亀裂到達状態であるか否かが判定される。上述したように、改質領域１２の形成深さが浅いライン（又は深いライン）から順に上述した差分を導出した場合、亀裂到達状態と亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａ側に到達していない状態とが切り替わるラインにおいて、上述した上亀裂の先端の位置の変化量（直前に差分が導出されたラインからの変化量）が、他のライン間と比べて大きくなる。このような観点から、レーザ加工装置１においては、上述した上亀裂の先端の位置の変化量に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。このことにより、レーザ加工装置１によれば、亀裂到達状態であるか否か、すなわち、改質領域１２に渡る亀裂が半導体基板２１の表面２１ａ側に十分に延びているか否かを適切に確認することができる。

制御部８は、改質領域１２から半導体基板２１の表面２１ａ側に延びる亀裂である下亀裂の表面２１ａ側の先端１４ｅの有無に基づいて、亀裂到達状態であるか否かを判定する。下亀裂の表面２１ａ側の先端１４ｅの存在が確認される場合には、亀裂到達状態になっていないと想定される。このため、下亀裂の表面２１ａ側の先端１４ｅの有無に基づいて亀裂到達状態であるか否かを判定することにより、亀裂到達状態であるか否かを高精度に判定することができる。

制御部８は、亀裂到達状態であるか否かの判定結果に基づいて、レーザ照射ユニット３の照射条件の調整に係る情報を導出する。判定結果を考慮して、レーザ照射ユニット３の照射条件の調整にかかわる情報が導出されることにより、例えば、亀裂１４の長さが本来よりも短い場合には亀裂１４の長さが長くなるように、また、亀裂１４の長さが本来よりも長い場合には亀裂１４の長さが短くなるように、照射条件の調整のための情報を導出することができる。そして、このようにして導出された照射条件の調整のための情報を用いて照射条件を調整することによって、亀裂１４の長さを所望の長さとすることができる。

制御部８は、判定結果に基づいて亀裂１４の長さを推定し、推定した亀裂１４の長さに基づいて照射条件の調整に係る情報を導出する。推定した亀裂１４の長さに基づいて照射条件の調整に係る情報が導出されることによって、照射条件の調整精度が向上し、亀裂１４の長さをより高精度に所望の長さとすることができる。

以上、本実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、制御部８が導出した調整に係る情報に基づき照射条件を調整するとして説明したがこれに限定されず、制御部８が調整に係る情報の導出を行った後に出力部（ディスプレイ１５０等）が制御部８によって導出された調整に係る情報を出力してもよい。この場合には、出力される調整に係る情報に基づいて、例えばユーザが手動で確認しながら照射条件を調整し、亀裂の長さを所望の長さとすることができる。

１…レーザ加工装置（検査装置）、２…ステージ、３…レーザ照射ユニット（レーザ照射部）、４…撮像ユニット（撮像部）、８…制御部、１２…改質領域、１４…亀裂、２０…ウエハ、２１…半導体基板、２１ａ…表面、２１ｂ…裏面、２２…機能素子層、１５０…ディスプレイ（入力部，出力部）。

Claims (7)

1. 第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを支持するステージと、
   前記ウエハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、
   前記半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、前記半導体基板を伝搬した前記光を検出する撮像部と、
   前記ウエハに前記レーザ光が照射されることにより前記半導体基板の内部に一又は複数の改質領域が形成されるように前記レーザ照射部を制御することと、前記光を検出した前記撮像部から出力される信号に基づいて前記改質領域から前記半導体基板の前記第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の前記第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の前記第二表面側の先端の位置に基づいて、前記改質領域から延びる亀裂が前記半導体基板の前記第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、前記複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる前記改質領域が形成されるように前記レーザ照射部を制御し、
   前記改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、前記改質領域の形成深さが深いラインから順に、前記上亀裂の前記第二表面側の先端の位置と前記改質領域が形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量に基づいて、前記亀裂到達状態であるか否かを判定する、検査装置。
2. 第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを支持するステージと、
   前記ウエハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、
   前記半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、前記半導体基板を伝搬した前記光を検出する撮像部と、
   前記ウエハに前記レーザ光が照射されることにより前記半導体基板の内部に一又は複数の改質領域が形成されるように前記レーザ照射部を制御することと、前記光を検出した前記撮像部から出力される信号に基づいて前記改質領域から前記半導体基板の前記第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の前記第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の前記第二表面側の先端の位置に基づいて、前記改質領域から延びる亀裂が前記半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定することと、を実行するように構成された制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、前記複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる前記改質領域が形成されるように前記レーザ照射部を制御し、
   前記改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、前記改質領域の形成深さが深いラインから順に、前記上亀裂の前記第二表面側の先端の位置を導出し、該先端の位置の変化量に基づいて、前記亀裂到達状態であるか否かを判定する、検査装置。
3. 前記制御部は、前記改質領域から前記半導体基板の前記第一表面側に延びる亀裂である下亀裂の前記第一表面側の先端の有無についても考慮して、前記亀裂到達状態であるか否かを判定する、請求項１又は２記載の検査装置。
4. 前記制御部は、前記亀裂到達状態であるか否かの判定結果に基づいて、前記レーザ照射部の照射条件の調整に係る情報を導出することをさらに実行するように構成されている、請求項１〜３のいずれか一項記載の検査装置。
5. 前記制御部は、前記判定結果に基づいて前記亀裂の長さを推定し、推定した前記亀裂の長さに基づいて前記照射条件の調整に係る情報を導出する、請求項４記載の検査装置。
6. 第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを用意し、前記ウエハにレーザ光を照射することにより、前記半導体基板の内部に一又は複数の改質領域を形成する第１工程と、
   前記第１工程によって前記改質領域が形成された前記半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、前記半導体基板を伝搬した前記光を検出する第２工程と、
   前記第２工程において検出された前記光に基づいて前記改質領域から前記半導体基板の前記第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の前記第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の前記第二表面側の先端の位置に基づいて、前記改質領域から延びる亀裂が前記半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定する第３工程と、を備え、
   前記第１工程では、前記ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、前記複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる前記改質領域を形成し、
   前記第３工程では、前記改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、前記改質領域の形成深さが深いラインから順に、前記上亀裂の前記第二表面側の先端の位置と前記改質領域が形成された位置との差分を導出し、該差分の変化量に基づいて、前記亀裂到達状態であるか否かを判定する、検査方法。
7. 第一表面及び第二表面を有する半導体基板を有するウエハを用意し、前記ウエハにレーザ光を照射することにより、前記半導体基板の内部に一又は複数の改質領域を形成する第１工程と、
   前記第１工程によって前記改質領域が形成された前記半導体基板に対して透過性を有する光を出力し、前記半導体基板を伝搬した前記光を検出する第２工程と、
   前記第２工程において検出された前記光に基づいて前記改質領域から前記半導体基板の前記第二表面側に延びる亀裂である上亀裂の前記第二表面側の先端の位置を導出し、該上亀裂の前記第二表面側の先端の位置に基づいて、前記改質領域から延びる亀裂が前記半導体基板の第一表面側に到達している亀裂到達状態であるか否かを判定する第３工程と、を備え、
   前記第１工程では、前記ウエハにおける複数のラインのそれぞれに沿って、前記複数のラインに含まれる他のラインと形成深さが異なる前記改質領域を形成し、
   前記第３工程では、前記改質領域の形成深さが浅いラインから順に、または、前記改質領域の形成深さが深いラインから順に、前記上亀裂の前記第二表面側の先端の位置を導出し、該先端の位置の変化量に基づいて、前記亀裂到達状態であるか否かを判定する、検査方法。

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