JP7493967B2 - 検査装置及び検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、検査装置及び検査方法に関する。

半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成された機能素子層と、を備えるウエハを複数のラインのそれぞれに沿って切断するために、半導体基板の他方の面側からウエハにレーザ光を照射することにより、複数のラインのそれぞれに沿って半導体基板の内部に複数列の改質領域を形成する検査装置が知られている。特許文献１に記載の検査装置は、赤外線カメラを備えており、半導体基板の内部に形成された改質領域、機能素子層に形成された加工ダメージ等を半導体基板の裏面側から観察することが可能となっている。

特開２０１７－６４７４６号公報

上述したような検査装置においては、例えば加工条件を決定する際等においてウエハ厚さを正確に入力する必要がある。しかしながら、例えば未知のウエハを用いる場合等においては、ウエハ厚さを正確に入力することができず、検査を精度良く行うことができないおそれがある。

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、ウエハの厚さを高精度に導出することができる検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る検査装置は、第一表面及び第二表面を有するウエハの第一表面側からウエハにレーザ光を照射する照射部と、ウエハに対して透過性を有する光を出力し、ウエハを伝搬した光を検出する撮像部と、ウエハにレーザ光が照射されることによりウエハの内部に改質領域が形成されるように照射部を制御する第一処理と、光を検出した撮像部から出力される信号に基づいて改質領域の位置を導出し、導出した改質領域の位置及び設定された加工条件に基づいてウエハの厚さを導出する第二処理と、を実行するように構成された制御部と、を備える。

本発明の一態様に係る検査装置では、ウエハにレーザ光が照射されることにより形成される改質領域の位置と設定されている加工条件とに基づきウエハの厚さが導出される。改質領域の位置は、加工条件とウエハの厚さとに基づき決まる。このため、改質領域の位置と加工条件とがわかれば、ウエハの厚さを導出することが可能となる。本発明の検査装置のように、実際に撮像された改質領域の位置と設定された加工条件とからウエハの厚さが導出されることにより、ウエハの厚さを高精度に導出することができる。

制御部は、第二処理において、光を検出した撮像部から出力される信号に基づいて、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置を導出し、該虚像の位置及び加工条件に基づいてウエハの厚さを導出してもよい。改質領域の位置を導出するためには、改質領域の第二表面側の端部の位置を導出する必要がある。しかし、ウエハの第一表面側からレーザ光を照射する場合においては、改質領域の第二表面側の端部の位置に焦点を合わせても当該位置を確認することができない。この点、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置については導出することができるため、当該虚像の位置に基づいて改質領域の位置を推定することが可能となる。これにより、ウエハの厚さを適切に導出することができる。

制御部は、第二処理において、光を検出した撮像部から出力される信号に基づいて改質領域の第一表面側の端部の位置を更に導出すると共に、加工条件に基づいて改質領域の幅を更に導出し、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置及び第一表面側の端部の位置と、改質領域の幅とに基づいて、ウエハの厚さを導出してもよい。改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置、第一表面側の端部の位置、及び改質領域の幅を足し合わせた値は、ウエハ厚さの２倍になる。このため、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置、第一表面側の端部の位置、及び改質領域の幅が導出されることにより、ウエハの厚さを適切に導出することができる。

制御部は、加工条件と改質領域の幅とが対応付けられたデータベースを記憶しており、制御部は、第二処理において、データベースを参照することにより、加工条件に対応する改質領域の幅を導出してもよい。改質領域の幅は加工条件によって変化するところ、改質領域の幅と加工条件とを対応付けたデータベースを参照して改質領域の幅を導出することにより、容易且つ高精度に改質領域の幅を導出することができる。

制御部は、第二処理において、加工条件に含まれる、ウエハに対するレーザ光の加工深さから推定される改質領域の第二表面側の端部の位置である推定端部位置と、ウエハの屈折率を考慮した定数とに基づき定数考慮端部位置を導出し、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置と、定数考慮端部位置とに基づいて、ウエハの厚さを導出してもよい。加工条件に含まれるレーザ光の加工深さから推定される改質領域の第二表面側の端部の位置についてウエハの屈折率を考慮した値（定数考慮端部位置）と、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置とを足し合わせた値は、ウエハの厚さの２倍になる。このため、改質領域の第二表面側の端部の虚像の位置及び定数考慮端部位置が導出されることにより、ウエハの厚さを適切に導出することができる。

本発明の一態様に係る検査方法は、第一表面及び第二表面を有するウエハを用意し、ウエハにレーザ光を照射することにより、ウエハの内部に改質領域を形成する第一工程と、第一工程によって改質領域が形成されたウエハに対して透過性を有する光を出力し、ウエハを伝搬した光を検出する第二工程と、第二工程において検出された光に基づいて改質領域の位置を導出し、導出した改質領域の位置及び設定された加工条件に基づいてウエハの厚さを導出する第三工程と、を備える。

本発明の検査装置及び検査方法によれば、ウエハの厚さを高精度に導出することができる。

一実施形態の検査装置の構成図である。 一実施形態のウエハの平面図である。 図２に示されるウエハの一部分の断面図である。 図１に示されるレーザ照射ユニットの構成図である。 図１に示される検査用撮像ユニットの構成図である。 図１に示されるアライメント補正用撮像ユニットの構成図である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するためのウエハの断面図、及び当該検査用撮像ユニットによる各箇所での画像である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するためのウエハの断面図、及び当該検査用撮像ユニットによる各箇所での画像である。 半導体基板の内部に形成された改質領域及び亀裂のＳＥＭ画像である。 半導体基板の内部に形成された改質領域及び亀裂のＳＥＭ画像である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するための光路図、及び当該検査用撮像ユニットによる焦点での画像を示す模式図である。 図５に示される検査用撮像ユニットによる撮像原理を説明するための光路図、及び当該検査用撮像ユニットによる焦点での画像を示す模式図である。 ウエハ加工情報の設定画面の一例である。 ウエハ加工情報の設定画面の一例である。 ウエハ加工情報の設定画面の一例である。 仕上げ断面の設定を説明する図である。 データベースからのレシピ選択を説明する図である。 データベースからの複数レシピ選択を説明する図である。 推定加工結果イメージの表示画面の一例である。 推定加工結果イメージを説明する図である。 推定加工結果イメージを説明する図である。 ウエハ厚さの導出を説明する図である。 ウエハ厚さの導出に係るデータベースの一例である。 検査判定結果（ＮＧ）の表示画面の一例である。 検査判定結果（ＯＫ）の表示画面の一例である。 検査方法のフローチャートである。 変形例に係る検査装置の構成図である。 変形例に係る処理システムの構成図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［検査装置の構成］

図１に示されるように、検査装置１は、ステージ２と、レーザ照射ユニット３（照射部）と、複数の撮像ユニット４，５，６と、駆動ユニット７と、制御部８と、ディスプレイ１５０（入力部，表示部）とを備えている。検査装置１は、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することにより、対象物１１に改質領域１２を形成する装置である。

ステージ２は、例えば対象物１１に貼り付けられたフィルムを吸着することにより、対象物１１を支持する。ステージ２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに沿って移動可能であり、Ｚ方向に平行な軸線を中心線として回転可能である。なお、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに垂直な第１水平方向及び第２水平方向であり、Ｚ方向は、鉛直方向である。

レーザ照射ユニット３は、対象物１１に対して透過性を有するレーザ光Ｌを集光して対象物１１に照射する。ステージ２に支持された対象物１１の内部にレーザ光Ｌが集光されると、レーザ光Ｌの集光点Ｃに対応する部分においてレーザ光Ｌが特に吸収され、対象物１１の内部に改質領域１２が形成される。

改質領域１２は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１２としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。改質領域１２は、改質領域１２からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に亀裂が延び易いという特性を有している。このような改質領域１２の特性は、対象物１１の切断に利用される。

一例として、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、対象物１１に対して集光点ＣをＸ方向に沿って相対的に移動させると、複数の改質スポット１２ｓがＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１２ｓは、１パルスのレーザ光Ｌの照射によって形成される。１列の改質領域１２は、１列に並んだ複数の改質スポット１２ｓの集合である。隣り合う改質スポット１２ｓは、対象物１１に対する集光点Ｃの相対的な移動速度及びレーザ光Ｌの繰り返し周波数によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。

撮像ユニット４は、対象物１１に形成された改質領域１２、及び改質領域１２から延びた亀裂の先端を撮像する。

撮像ユニット５及び撮像ユニット６は、制御部８の制御のもとで、ステージ２に支持された対象物１１を、対象物１１を透過する光により撮像する。撮像ユニット５，６が撮像することにより得られた画像は、一例として、レーザ光Ｌの照射位置のアライメントに供される。

駆動ユニット７は、レーザ照射ユニット３及び複数の撮像ユニット４，５，６を支持している。駆動ユニット７は、レーザ照射ユニット３及び複数の撮像ユニット４，５，６をＺ方向に沿って移動させる。

制御部８は、ステージ２、レーザ照射ユニット３、複数の撮像ユニット４，５，６、及び駆動ユニット７の動作を制御する。制御部８は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部８では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。

ディスプレイ１５０は、ユーザから情報の入力を受付ける入力部としての機能と、ユーザに対して情報を表示する表示部としての機能とを有している。

［対象物の構成］
本実施形態の対象物１１は、図２及び図３に示されるように、ウエハ２０である。ウエハ２０は、半導体基板２１と、機能素子層２２と、を備えている。なお、本実施形態では、ウエハ２０は機能素子層２２を有するとして説明するが、ウエハ２０は機能素子層２２を有していても有していなくてもよく、ベアウエハであってもよい。半導体基板２１は、表面２１ａ（第二表面）及び裏面２１ｂ（第一表面）を有している。半導体基板２１は、例えば、シリコン基板である。機能素子層２２は、半導体基板２１の表面２１ａに形成されている。機能素子層２２は、表面２１ａに沿って２次元に配列された複数の機能素子２２ａを含んでいる。機能素子２２ａは、例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、メモリ等の回路素子等である。機能素子２２ａは、複数の層がスタックされて３次元的に構成される場合もある。なお、半導体基板２１には、結晶方位を示すノッチ２１ｃが設けられているが、ノッチ２１ｃの替わりにオリエンテーションフラットが設けられていてもよい。

ウエハ２０は、複数のライン１５のそれぞれに沿って機能素子２２ａごとに切断される。複数のライン１５は、ウエハ２０の厚さ方向から見た場合に複数の機能素子２２ａのそれぞれの間を通っている。より具体的には、ライン１５は、ウエハ２０の厚さ方向から見た場合にストリート領域２３の中心（幅方向における中心）を通っている。ストリート領域２３は、機能素子層２２において、隣り合う機能素子２２ａの間を通るように延在している。本実施形態では、複数の機能素子２２ａは、表面２１ａに沿ってマトリックス状に配列されており、複数のライン１５は、格子状に設定されている。なお、ライン１５は、仮想的なラインであるが、実際に引かれたラインであってもよい。

［レーザ照射ユニットの構成］
図４に示されるように、レーザ照射ユニット３は、光源３１と、空間光変調器３２と、集光レンズ３３と、を有している。光源３１は、例えばパルス発振方式によって、レーザ光Ｌを出力する。空間光変調器３２は、光源３１から出力されたレーザ光Ｌを変調する。空間光変調器３２は、例えば反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal on Silicon）の空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）である。集光レンズ３３は、空間光変調器３２によって変調されたレーザ光Ｌを集光する。なお、集光レンズ３３は、補正環レンズであってもよい。

本実施形態では、レーザ照射ユニット３は、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光Ｌを照射することにより、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の内部に２列の改質領域１２ａ，１２ｂを形成する。改質領域１２ａは、２列の改質領域１２ａ，１２ｂのうち表面２１ａに最も近い改質領域である。改質領域１２ｂは、２列の改質領域１２ａ，１２ｂのうち、改質領域１２ａに最も近い改質領域であって、裏面２１ｂに最も近い改質領域である。

２列の改質領域１２ａ，１２ｂは、ウエハ２０の厚さ方向（Ｚ方向）において隣り合っている。２列の改質領域１２ａ，１２ｂは、半導体基板２１に対して２つの集光点Ｃ１，Ｃ２がライン１５に沿って相対的に移動させられることにより形成される。レーザ光Ｌは、例えば集光点Ｃ１に対して集光点Ｃ２が進行方向の後側且つレーザ光Ｌの入射側に位置するように、空間光変調器３２によって変調される。なお、改質領域の形成に関しては、単焦点であっても多焦点であってもよいし、１パスであっても複数パスであってもよい。

レーザ照射ユニット３は、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光Ｌを照射する。一例として、厚さ７７５μｍの単結晶シリコン基板である半導体基板２１に対し、表面２１ａから５４μｍの位置及び１２８μｍの位置に２つの集光点Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ合わせて、複数のライン１５のそれぞれに沿って半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光Ｌを照射する。このとき、例えば２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が半導体基板２１の表面２１ａに至る条件とする場合、レーザ光Ｌの波長は１０９９ｎｍ、パルス幅は７００ｎ秒、繰り返し周波数は１２０ｋＨｚとされる。また、集光点Ｃ１におけるレーザ光Ｌの出力は２．７Ｗ、集光点Ｃ２におけるレーザ光Ｌの出力は２．７Ｗとされ、半導体基板２１に対する２つの集光点Ｃ１，Ｃ２の相対的な移動速度は８００ｍｍ／秒とされる。

このような２列の改質領域１２ａ，１２ｂ及び亀裂１４の形成は、次のような場合に実施される。すなわち、後の工程において、例えば、半導体基板２１の裏面２１ｂを研削することにより半導体基板２１を薄化すると共に亀裂１４を裏面２１ｂに露出させ、複数のライン１５のそれぞれに沿ってウエハ２０を複数の半導体デバイスに切断する場合である。

［検査用撮像ユニットの構成］
図５に示されるように、撮像ユニット４（撮像部）は、光源４１と、ミラー４２と、対物レンズ４３と、光検出部４４と、を有している。撮像ユニット４はウエハ２０を撮像する。光源４１は、半導体基板２１に対して透過性を有する光Ｉ１を出力する。光源４１は、例えば、ハロゲンランプ及びフィルタによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ１を出力する。光源４１から出力された光Ｉ１は、ミラー４２によって反射されて対物レンズ４３を通過し、半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０に照射される。このとき、ステージ２は、上述したように２列の改質領域１２ａ，１２ｂが形成されたウエハ２０を支持している。

対物レンズ４３は、半導体基板２１の表面２１ａで反射された光Ｉ１を通過させる。つまり、対物レンズ４３は、半導体基板２１を伝搬した光Ｉ１を通過させる。対物レンズ４３の開口数（ＮＡ）は、例えば０．４５以上である。対物レンズ４３は、補正環４３ａを有している。補正環４３ａは、例えば対物レンズ４３を構成する複数のレンズにおける相互間の距離を調整することにより、半導体基板２１内において光Ｉ１に生じる収差を補正する。なお、収差を補正する手段は、補正環４３ａに限られず、空間光変調器等のその他の補正手段であってもよい。光検出部４４は、対物レンズ４３及びミラー４２を透過した光Ｉ１を検出する。光検出部４４は、例えば、ＩｎＧａＡｓカメラによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ１を検出する。なお、近赤外領域の光Ｉ１を検出（撮像）する手段はＩｎＧａＡｓカメラに限られず、透過型コンフォーカル顕微鏡等、透過型の撮像を行うものであればその他の撮像手段であってもよい。

撮像ユニット４は、２列の改質領域１２ａ，１２ｂのそれぞれ、及び、複数の亀裂１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄのそれぞれの先端を撮像することができる（詳細については、後述する）。亀裂１４ａは、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂である。亀裂１４ｂは、改質領域１２ａから裏面２１ｂ側に延びる亀裂である。亀裂１４ｃは、改質領域１２ｂから表面２１ａ側に延びる亀裂である。亀裂１４ｄは、改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂である。

［アライメント補正用撮像ユニットの構成］
図６に示されるように、撮像ユニット５は、光源５１と、ミラー５２と、レンズ５３と、光検出部５４と、を有している。光源５１は、半導体基板２１に対して透過性を有する光Ｉ２を出力する。光源５１は、例えば、ハロゲンランプ及びフィルタによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ２を出力する。光源５１は、撮像ユニット４の光源４１と共通化されていてもよい。光源５１から出力された光Ｉ２は、ミラー５２によって反射されてレンズ５３を通過し、半導体基板２１の裏面２１ｂ側からウエハ２０に照射される。

レンズ５３は、半導体基板２１の表面２１ａで反射された光Ｉ２を通過させる。つまり、レンズ５３は、半導体基板２１を伝搬した光Ｉ２を通過させる。レンズ５３の開口数は、０．３以下である。すなわち、撮像ユニット４の対物レンズ４３の開口数は、レンズ５３の開口数よりも大きい。光検出部５４は、レンズ５３及びミラー５２を通過した光Ｉ２を検出する。光検出部５５は、例えば、ＩｎＧａＡｓカメラによって構成されており、近赤外領域の光Ｉ２を検出する。

撮像ユニット５は、制御部８の制御のもとで、裏面２１ｂ側から光Ｉ２をウエハ２０に照射すると共に、表面２１ａ（機能素子層２２）から戻る光Ｉ２を検出することにより、機能素子層２２を撮像する。また、撮像ユニット５は、同様に、制御部８の制御のもとで、裏面２１ｂ側から光Ｉ２をウエハ２０に照射すると共に、半導体基板２１における改質領域１２ａ，１２ｂの形成位置から戻る光Ｉ２を検出することにより、改質領域１２ａ，１２ｂを含む領域の画像を取得する。これらの画像は、レーザ光Ｌの照射位置のアライメントに用いられる。撮像ユニット６は、レンズ５３がより低倍率（例えば、撮像ユニット５においては６倍であり、撮像ユニット６においては１．５倍）である点を除いて、撮像ユニット５と同様の構成を備え、撮像ユニット５と同様にアライメントに用いられる。

［検査用撮像ユニットによる撮像原理］
図５に示される撮像ユニット４を用い、図７に示されるように、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が表面２１ａに至っている半導体基板２１に対して、裏面２１ｂ側から表面２１ａ側に向かって焦点Ｆ（対物レンズ４３の焦点）を移動させる。この場合、改質領域１２ｂから裏面２１ｂ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、当該先端１４ｅを確認することができる（図７における右側の画像）。しかし、亀裂１４そのもの、及び表面２１ａに至っている亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせても、それらを確認することができない（図７における左側の画像）。なお、半導体基板２１の表面２１ａに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、機能素子層２２を確認することができる。

また、図５に示される撮像ユニット４を用い、図８に示されるように、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が表面２１ａに至っていない半導体基板２１に対して、裏面２１ｂ側から表面２１ａ側に向かって焦点Ｆを移動させる。この場合、改質領域１２ａから表面２１ａ側に延びる亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせても、当該先端１４ｅを確認することができない（図８における左側の画像）。しかし、表面２１ａに対して裏面２１ｂとは反対側の領域（すなわち、表面２１ａに対して機能素子層２２側の領域）に裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせて、表面２１ａに関して焦点Ｆと対称な仮想焦点Ｆｖを当該先端１４ｅに位置させると、当該先端１４ｅを確認することができる（図８における右側の画像）。なお、仮想焦点Ｆｖは、半導体基板２１の屈折率を考慮した焦点Ｆと表面２１ａに関して対称な点である。

以上のように亀裂１４そのものを確認することができないのは、照明光である光Ｉ１の波長よりも亀裂１４の幅が小さいためと想定される。図９及び図１０は、シリコン基板である半導体基板２１の内部に形成された改質領域１２及び亀裂１４のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像である。図９の（ｂ）は、図９の（ａ）に示される領域Ａ１の拡大像、図１０の（ａ）は、図９の（ｂ）に示される領域Ａ２の拡大像、図１０の（ｂ）は、図１０の（ａ）に示される領域Ａ３の拡大像である。このように、亀裂１４の幅は、１２０ｎｍ程度であり、近赤外領域の光Ｉ１の波長（例えば、１．１～１．２μｍ）よりも小さい。

以上を踏まえて想定される撮像原理は、次のとおりである。図１１の（ａ）に示されるように、空気中に焦点Ｆを位置させると、光Ｉ１が戻ってこないため、黒っぽい画像が得られる（図１１の（ａ）における右側の画像）。図１１の（ｂ）に示されるように、半導体基板２１の内部に焦点Ｆを位置させると、表面２１ａで反射された光Ｉ１が戻ってくるため、白っぽい画像が得られる（図１１の（ｂ）における右側の画像）。図１１の（ｃ）に示されるように、改質領域１２に裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、改質領域１２によって、表面２１ａで反射されて戻ってきた光Ｉ１の一部について吸収、散乱等が生じるため、白っぽい背景の中に改質領域１２が黒っぽく映った画像が得られる（図１１の（ｃ）における右側の画像）。

図１２の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、亀裂１４の先端１４ｅに裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、例えば、先端１４ｅ近傍に生じた光学的特異性（応力集中、歪、原子密度の不連続性等）、先端１４ｅ近傍で生じる光の閉じ込め等によって、表面２１ａで反射されて戻ってきた光Ｉ１の一部について散乱、反射、干渉、吸収等が生じるため、白っぽい背景の中に先端１４ｅが黒っぽく映った画像が得られる（図１２の（ａ）及び（ｂ）における右側の画像）。図１２の（ｃ）に示されるように、亀裂１４の先端１４ｅ近傍以外の部分に裏面２１ｂ側から焦点Ｆを合わせると、表面２１ａで反射された光Ｉ１の少なくとも一部が戻ってくるため、白っぽい画像が得られる（図１２の（ｃ）における右側の画像）。

［加工条件導出処理］
以下では、ウエハ２０の切断等を目的として改質領域を形成する処理の前処理として実施される、加工条件導出処理について説明する。加工条件とは、どのような条件・手順でウエハ２０を加工するかを示す、加工に係るレシピである。制御部８は、ディスプレイ１５０によって受付けられた情報に基づきレーザ照射ユニット３によるレーザ光の照射条件を含んだ加工条件を決定すること（加工条件決定処理）と、決定した加工条件でウエハ２０にレーザ光が照射されるようにレーザ照射ユニット３を制御することと（加工処理）と、ウエハ２０を撮像するように撮像ユニット４を制御することによってレーザ光の照射によるウエハ２０のレーザ加工結果を取得することと（加工結果取得処理）と、レーザ加工結果に基づいて加工条件を評価することと（加工条件評価処理）と、を実行するように構成されている。

（加工条件決定処理）
図１３～図２１を参照して、加工条件決定処理について説明する。加工条件決定処理では、まず、ディスプレイ１５０が、ウエハ２０の情報及びウエハ２０に対するレーザ加工目標を含むウエハ加工情報のユーザ入力を受付ける。レーザ加工目標とは、ユーザが希望するレーザ加工の内容を示す情報である。図１３～図１５は、ディスプレイ１５０に表示されるウエハ加工情報の設定画面（ユーザ入力受付画面）の一例である。図１３は加工方法（上述したレーザ加工目標に含まれる情報）の設定画面であり、図１４はウエハ情報（上述したウエハ２０の情報に含まれる情報）の設定画面であり、図１５は加工設定（上述したレーザ加工目標に含まれる情報）の設定画面である。ここででは、加工方法（図１３）、ウエハ情報（図１４）、加工設定（図１５）がこの順序で設定されるとして説明するが、これらの設定順序（画面表示順序）はこれに限定されない。

図１３に示されるように、ディスプレイ１５０は最初に加工方法のユーザ入力を受付ける。加工方法として、例えば、大きく、ＳＤＡＧ（Stealth Dicing After Grinding）とＳＤＢＧ（StealthDicing Before Grinding）とがある。ＳＤＡＧとは、ステルスダイシングをウエハ２０の研削後に行う加工方法である。ＳＤＢＧとは、ステルスダイシングをウエハ２０の研削前に行う加工方法である。ＳＤＡＧは、詳細には例えば、ＳＤＡＧ（表面入射）、ＳＤＡＧ（裏面入射）、ＳＤＡＧ（Ｔａｐｅ越し加工）の３種類に分けられる。ＳＤＡＧ（表面入射）は、ウエハ２０の研削後に表面２１ａ側からレーザを照射する加工方法であり、ＭＥＭＳ等の入射面にＴＥＧが無く且つストリート幅の確保が可能である場合に用いられる加工方法である。ＳＤＡＧ（裏面入射）は、表面２１ａにＴＥＧがある場合やストリート幅を削減したい場合に用いられる加工方法である。ＳＤＡＧ（Ｔａｐｅ越し加工）は、テープ転写工程を削減したい場合に用いられる。ＳＤＢＧは、詳細には例えば、ＳＤＢＧ（表面入射）及びＳＤＢＧ（裏面入射）の２種類に分けられる。以下では、加工方法としてＳＤＢＧ（裏面入射）が設定された例で説明する。

図１４に示されるように、ディスプレイ１５０はつづいてウエハ情報のユーザ入力を受付ける。ウエハ情報として、例えば、ウエハ厚、仕上げ厚、ウエハ種類、入射面の状態、抵抗値（ドープ量）、Ｉｎｄｅｘ ｓｉｚｅ（ｃｈ１）、Ｉｎｄｅｘ ｓｉｚｅ（ｃｈ２）が設定可能とされている。このうち、例えばウエハ厚及び仕上げ厚の設定は必須とされていてもよい。ウエハ厚は、ウエハ２０の厚さを示す情報である。ウエハ厚は、例えば、ウエハ２０の半導体基板２１（シリコン）及び機能素子層２２（パターン）双方を含む厚さである。なお、ウエハ厚は、シリコンウエハ厚とパターン厚とに分けて設定されてもよい。仕上げ厚は、例えば、研削後のウエハ２０の厚さを示す情報である。すなわち、仕上げ厚となるまで、グラインダによって研削が実施される。グラインダによって研削が実施された後に、テープ転写工程及びエキスパンド工程が実施される。なお、ステルスダイシング装置と研削装置（グラインダ）とが互いに通信可能である場合には、仕上げ厚の情報を両装置間で共有してもよい。仕上げ厚は、例えば、ウエハ２０の半導体基板２１（シリコン）及び機能素子層２２（パターン）双方を含む厚さである。なお、仕上げ厚は、シリコンウエハ厚とパターン厚とに分けて設定されてもよい。パターン厚の情報及び積層構造の情報等は、例えば、制御部８が亀裂１４の長さを推定する際に用いられる。なお、仕上げ厚に替えて、研削量を設定してもよい。

ウエハ種類は、例えばノッチの位置に応じた「０°」品、「４５°」品等の種類である。例えばウエハ種類として４５°が設定された場合には、後述する加工設定のＢＨＣ状態においてＢＨＣが推奨される。「ＢＨＣ（Bottom side half-cut）」とは亀裂１４が表面２１ａにまで到達している状態（すなわち亀裂到達状態）を示す用語である。なお、ＢＨＣであるためには、亀裂１４が表面２１ａにまで到達していればよく、パターン面（機能素子層２２の表面）にまで到達しているか否かは問われない。ウエハ種類として０°が設定された場合には、後述する加工設定のＢＨＣ状態においてＳＴ及びＢＨＣの双方が推奨される。「ＳＴ（Stealth）」とは亀裂１４が裏面２１ｂ及び表面２１ａに到達していない状態を示す用語である。入射面の状態は、入射面の膜種（屈折率）・膜厚等を示す情報である。入射面の状態及びレーザ波長等に基づき、制御部８によって反射率が計算されてレーザ光の出力が決定される。抵抗値（ドープ量）は、抵抗の値（ドープ量の場合はドープ量を抵抗の値に換算した値）である。抵抗値及びレーザ波長等に基づき、制御部８によって到達率が計算されてレーザ光の出力が決定される。Ｉｎｄｅｘ ｓｉｚｅは、ダイサのインデックス値の決定等に利用される情報である。なお、未知のウエハ２０を加工する場合には、ウエハ種類、入射面の状態、抵抗値等は不明であるため設定されなくてもよい。

図１５に示されるように、ディスプレイ１５０はつづいて加工設定のユーザ入力を受付ける。なお、加工設定の各種情報の一部については、上述した加工方法及びウエハ情報に基づいて自動的に設定されるものであってもよい。加工設定として、例えば、ＢＨＣ状態（亀裂到達情報）、Ｓｉ残し量（亀裂の想定延び量を示す情報）、パス数、速度、仕上げ断面、スプラッシュ範囲が設定可能とされている。このうち、例えばＢＨＣ状態の設定が必須とされてもよい。ＢＨＣ状態は、ＢＨＣ又はＳＴのいずれか一方を示す情報である。すなわち、ＢＨＣ状態は、ウエハ２０にレーザ光が照射された際に形成される改質領域から延びる亀裂がウエハ２０の表面２１ａにまで到達した状態とするか又は到達していない状態とするかを示す亀裂到達情報である。ＢＨＣ状態においてＳＴが設定されている場合には、上述したＳｉ残し量を設定することができる。Ｓｉ残し量は、ＳＴ加工後の亀裂１４の到達位置から表面２１ａまでの長さ(ＳＴ加工後に残るシリコン部分の長さ)である。ＳＴ加工を行った場合には、最終的にウエハ２０を分割するためには、研削時に亀裂１４を伸ばしてエキスパンド工程前までにＢＨＣの状態とする必要がある。ユーザは、研削によって亀裂１４がどの程度伸びるかを把握して運用することが一般的である。例えば、レーザ加工を行う際の加工深さ（高さ）を示すＺハイトの段数で、グラインダにおける亀裂１４の延び量を把握することが考えられる。すなわち、ユーザは、グラインダにおける亀裂１４の想定延び量を、例えば「Ｚ１分」（Ｚハイトの１段の深さ分）、「Ｚ２分」（Ｚハイトの２段の深さ分）のように、Ｚハイトの段数で把握することが考えられる。そのため、ＳＴ加工時において、グラインダにおける亀裂１４の想定延び量（Ｚハイトの段数）をＳｉ残し量として設定することにより、ＳＴ加工を行ってＳＴ加工のメリット（加工速度のアップ又はスプラッシュ低減）を享受しつつ、ウエハ２０を確実に分割することが可能となる。レーザ加工時においてＺハイトが設定される際には、ＢＨＣとなる位置から、Ｓｉ残し量で設定されたＺハイト分だけＳＴ方向（亀裂１４が短くなる方向）にずらされる。後述するデータベース（ウエハ加工情報と加工条件（レシピ）とが対応付けて記憶されたデータベース）において、Ｓｉ残し量を含めたレシピが記憶されていてもよい。なお、Ｓｉ残し量は、例えばＳＴ状態で亀裂量を測定することによってウエハ厚とＺハイトから算出されてもよい。

パス数は、パスの数及び焦点の数を示す情報である。パス数には、ユーザが希望する値が設定される。制御部８は、設定されたパス数では加工が不可である場合には、加工条件（レシピ）をユーザに提案する際又は加工条件（レシピ）を補正する際にパス数を増やしてもよい。なお、制御部８は、ディスプレイ１５０によって受付けられた各種のウエハ加工情報が適切でない場合には、修正を促すメッセージが表示されるようにディスプレイ１５０を制御してもよい。速度は、レーザ加工速度である。制御部８は、設定された速度を考慮して、レーザ出力、周波数、パルスピッチを決定する。制御部８は、設定された速度では加工が不可である場合には、加工条件（レシピ）をユーザに提案する際又は加工条件（レシピ）を補正する際に、速度を変更してもよい。スプラッシュ範囲は、スプラッシュの幅を示す情報である。制御部８は、スプラッシュ範囲が狭い場合には、ＳＴ状態となるＺハイト又はパルスピッチに決定したり、黒スジが生じる加工条件に決定してもよい。

仕上げ断面は、レーザ加工及び仕上げ（研削）加工が完了した後のチップ断面（ウエハ２０の仕上げ断面）に、ウエハ２０にレーザ光が照射された際に形成される改質領域（ＳＤ（Stealth Dicing）層）が表れた状態とするか否かを示す情報である。ＳＤＢＧでは、レーザ加工後に研削を行うため、条件によってはチップ断面にＳＤ層を残さないように仕上げることが可能である。チップ断面にＳＤ層が残らないことにより、チップの強度を向上させると共にパーティクルを低減することができる。仕上げ断面に「ＳＤ層無し」を設定することができる条件について、図１６を参照して説明する。図１６（ａ）～図１６（ｄ）において、ＳＤ１は、改質領域を示している。いま、加工設定においてディスプレイ１５０の仕上げ断面に「ＳＤ層無し」が設定されたとする。この場合、図１６（ａ）に示されるように、制御部８は、ウエハ情報で設定された仕上げ厚よりも、ＳＤ１の下端～表面２１ａの長さ（ＳＤ１下端距離）が長くなるようにＳＤ１が設定されるように、加工条件を決定する。いま、図１６（ｂ）の左図に示されるようにＢＨＣの状態とする場合にＳＤ１下端距離よりも亀裂長さが長いとき、或いは、図１６（ｂ）の右図に示されるようにＳＴの状態とする場合にＳＤ１下端距離よりも亀裂長さ及びＳｉ残し量の合計が長いときには、制御部８は、仕上げ断面に「ＳＤ層無し」を設定することができると判断する。一方で、図１６（ｃ）に示されるように、例えばＳＴの状態とする場合にＳＤ１下端距離よりも亀裂長さ及びＳｉ残し量の合計が短いときには、制御部８は、仕上げ断面に「ＳＤ層無し」を設定することができないと判断する。この場合、制御部８は、仕上げ断面を「ＳＤ層有り」に切り替えてもよい。或いは、ユーザの判断によって、仕上げ断面が「ＳＤ層有り」に切り替えられてもよい。

図１５に示されるように、加工設定の入力画面では、「加工前にレシピを表示・確認する」及び「加工結果をレシピ補正前に確認する」の２つの項目を実施するか否かを選択することが可能になっている。レシピとは、加工条件を示す情報である。「加工前にレシピを表示・確認する」が選択された場合には、制御部８によってレシピ（加工条件）が決定されると、レーザ加工を行う前に当該レシピが表示される。「加工前にレシピを表示・確認する」が選択されなかった場合には、制御部８によってレシピ（加工条件）が決定されると、レシピが表示されることなくレーザ加工が開始される。「加工結果をレシピ補正前に確認する」が選択された場合には、実際の加工結果がレシピ補正（又はレシピ確定）前に表示される。「加工結果をレシピ補正前に確認する」が選択されなかった場合には、加工が完了すると、実際の加工結果が表示されることなくレシピ補正（又はレシピ確定）が行われる。図１５に示される、「レシピ作成」が押下されることにより、制御部８によるレシピ決定処理が実行される。

制御部８は、ディスプレイ１５０によって受付けられたウエハ加工情報（図１３～図１５の設定画面において受付けられた各種情報）に基づき、レーザ照射ユニット３によるレーザ光の照射条件を含んだレシピ（加工条件）を決定する。制御部８は、ウエハ加工情報とレシピ（加工条件）とが対応付けて記憶されたデータベースを参照することにより、ディスプレイ１５０によって受付けられたウエハ加工情報に対応するレシピ（加工条件）を決定する。より詳細には、制御部８は、当該データベースから生成したアルゴリズムに基づくコンピュータプログラムや、当該データベースを参照するフィードバック制御プログラムにより、ディスプレイ１５０によって受付けられたウエハ加工情報に対応するレシピを決定してもよい。データベースは、検査装置１が有していてもよいし、検査装置１と通信可能な外部装置（Ｗｅｂサーバ）が有していてもよい。例えば、検査装置１の設置場所によっては、検査装置１がネットワーク接続不可な場合がある。このような場合であっても、検査装置１において、ネイティブアプリケーション等のデータベースが電子媒体（ＤＶＤ、ＣＤ、ＵＳＢメモリ、ＳＤカード等）によりインストールされることによって、制御部８はデータベースに係る機能を実行することができる。このような構成では、Ｗｅｂサーバ上で集中管理するデータベースには接続できないものの、検査装置１内でデータベースを個別管理することにより、特定のユーザのみのフィードバック情報を収集してデータベースを更新し続け、重点的且つ継続的に検査の精度を高めていくことが可能になる。また、Ｗｅｂサーバ上にデータベースが存在する場合には、データベースを集中管理しやすくなり、ＷｅｂアプリケーションやＷｅｂ ＡＰＩの公開、ネイティブアプリケーションの配信によって、データベース（ユーザＤＢ）を活用した検査機能を広く提供することが可能になる。そして、多数のユーザからフィードバック情報を収集してデータベースを更新し続けることにより、網羅的かつ継続的に検査の精度を高めることができる。図１７は、データベースからのレシピ選択を説明する図である。なお、図１７は、あくまでもデータベースを用いた加工条件（レシピ）の決定を説明するための模式図であり、実際にデータベースに記憶されている情報を示しているわけではない。例えば、図１７においては、各レシピに係る推定加工結果イメージ（後述）が示されているが、実際にはデータベースにはイメージが記憶されていなくてもよい。レシピには、レーザ光の照射条件（レーザ条件）であるレーザ光の波長、パルス幅、周波数、速度や、加工点設定／ＬＢＡ設定に係る情報である焦点数、加工点の集光状態に係る球面収差や非点収差などの補正レベル、改質領域を形成する際のＺハイト等が含まれている。

図１７に示されるように、データベースには、ウエハ加工情報毎に対応するレシピ（加工条件）が記憶されている。制御部８は、ディスプレイ１５０によって受付けられたウエハ加工情報（入力情報）とのマッチングを行い、データベースに格納されたウエハ加工情報のうち入力情報と最も近いウエハ加工情報に対応するレシピを、提案レシピとして選択する。なお、マッチング処理は、ＡＩ（Artificial Intelligence）を利用して実行されてもよい。いま、図１７に示されるように、入力情報として「ウエハ厚：７７５μｍ」「仕上げ厚：５０μｍ」「ウエハ種類：４５°」「入射面の状態：ＳｉＯ２膜５０ｎｍ」「抵抗値（ドープ量）：１Ω・ｃｍ」「加工方法：ＳＤＢＧ（裏面）」「ＢＨＣ状態：ＢＨＣ」「パス数：２焦点１ｐａｓｓ」「速度：８００ｍｍ／ｓｅｃ」「仕上げ断面：ＳＤ層無し」「スプラッシュ範囲：スプラッシュ±３０μｍ」が入力されたとする。この場合、制御部８は、データベースを参照し、ウエハ加工情報として「ウエハ厚ｔ７７５μｍ」「仕上げ厚～６０μｍ」「ＢＨＣ条件」「２焦点１ｐａｓｓ」「８００ｍｍ／ｓｅｃ」「ＳＤ層無し」「スプラッシュ±１０」が設定されているレシピ（最も左側のレシピ）を提案レシピとして選択する。

制御部８は、上述したマッチング処理を行い選択した提案レシピのウエハ加工情報と入力情報のウエハ加工情報との間に差異がある（ずれているパラメータがある）場合には、計算・シミュレーションによってパラメータのずれを補正し、パラメータを補正したレシピを提案レシピに決定してもよい。例えば、制御部８は、互いにウエハ厚が異なる場合にウエハ厚の違いに応じてＺハイトを補正してもよいし、互いに抵抗値が異なる場合に抵抗値の違いに応じてレーザ光の出力を補正してもよいし、互いに速度が異なる場合に速度の違いに応じてレーザ光の周波数当を補正してもよいし、互いにパス数が異なる場合にパス数の違いに応じて焦点数を補正してもよい。

制御部８は、データベースを参照することにより、入力を受付けたウエハ加工情報に対応する加工条件（レシピ）の候補である複数のレシピ候補を抽出し、該複数のレシピ候補が表示されるようにディスプレイ１５０を制御してもよい。図１８に示される例では、制御部８は、３つのレシピ候補を抽出している。いま、入力情報は、上述した図１７の例と同様である。そして、最も推奨するレシピ（図１８中において「提案１ 推奨」と記載されたレシピ）、タクト優先のレシピ（図１８中において「提案２ タクト優先」と記載されたレシピ）、分割マージン優先のレシピ（図１８中において「提案３ 分割マージン優先」と記載されたレシピ）が抽出されている。最も推奨するレシピは、例えば、入力情報とのマッチ度合い（ウエハ加工情報のマッチ度合い）が最も高いレシピである。タクト優先のレシピは、例えば、入力情報とのマッチ度合い（ウエハ加工情報のマッチ度合い）が比較的高く、且つ、速度が速いレシピである。図１８のタクト優先のレシピは、１０００ｍｍ／ｓｅｃと他のレシピよりも速度が速い。分割マージン優先のレシピは、例えば、入力情報とのマッチ度合い（ウエハ加工情報のマッチ度合い）が比較的高く、且つ、焦点数が多いレシピである。図１８の分割マージン優先のレシピは、３焦点と他のレシピよりも焦点数が多い。このように複数のレシピ候補が抽出されてディスプレイ１５０に表示されることにより、ユーザに所望のレシピを選択させることができる。なお、制御部８は、抽出する複数のレシピ候補を、上述した推奨、タクト優先、分割マージン優先以外の観点で抽出してもよく、例えば、品質（蛇行又はパーティクル抑制）優先の観点で抽出してもよい。

制御部８は、複数のレシピ候補について、それぞれ入力を受付けたウエハ加工情報（入力情報）とのマッチ度合いを導出し、マッチ度合いを考慮した表示態様で複数のレシピ候補が表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。具体的には、制御部８は、例えば複数のレシピ候補のマッチ度合いが表示されるように、又は、マッチ度合いが高いレシピ候補とマッチ度合いが低いレシピ候補とが区別して表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。また、制御部８は、複数のレシピ候補のマッチ度合いに応じた推奨順番が表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。また、制御部８は、ユーザが複数のレシピ候補の中からレシピを選択する上で判断材料となる各種情報（レシピ特徴）が表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。

ディスプレイ１５０は、複数のレシピ候補が表示された状態において、一のレシピ候補を選択するユーザ入力を受付ける。そして、制御部８は、ディスプレイ１５０によって受付けられたユーザ入力において選択されたレシピ候補を、レシピ（加工条件）に決定してもよい。

制御部８は、決定したレシピ（加工条件）が表示されるようにディスプレイ１５０を制御することを更に実行してもよい。図１９は、推定加工結果イメージ（後述）の表示画面の一例である。図１９に示されるように、提案レシピが決定されると、ディスプレイ１５０において、受付けられたウエハ加工情報（入力情報）及び推定加工結果イメージ（後述）と共に提案レシピの内容が表示される。表示される提案レシピの内容は、決定したレシピ（加工条件）に含まれる一部の情報であってもよい。すなわち、レシピについてはユーザに表示されずに内部で保持されるパラメータがあってもよい。図１９に示される例では、提案レシピの内容として、レーザ光の照射条件（レーザ条件）である波長（レベル９）、パルス幅（レベル７）、周波数（レベル１２）、速度（８００ｍｍ／ｓｅｃ）や、加工点設定／ＬＢＡ設定に係る情報である焦点数（２焦点加工）、２列の改質領域ＳＤ１，ＳＤ２の形成に係るＺハイト（Ｚ１７３、Ｚ１５５）等が表示されている。

制御部８は、決定したレシピ（加工条件）に基づきレーザ照射ユニット３によりウエハ２０にレーザ光が照射された場合の推定加工結果を導出し、該推定加工結果のイメージである推定加工結果イメージが表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。より詳細には、制御部８は、設定されたレシピに基づきレーザ照射ユニット３によりウエハ２０にレーザ光が照射された場合にウエハ２０に形成される改質領域及び改質領域から延びる亀裂の情報を含んだ推定加工結果を導出することと、推定加工結果として導出した改質領域及び亀裂のウエハ２０における位置を考慮して、ウエハ２０のイメージ図とウエハ２０における改質領域及び亀裂のイメージ図とが共に描画された推定加工結果イメージが表示されるように、ディスプレイ１５０を制御することと、を実行するように構成されている。推定加工結果とは、より詳細には、受付けられたウエハ加工情報（入力情報）及び決定されたレシピに基づいて推定される、改質領域の位置、改質領域から延びる亀裂の延び量、黒スジの有無等である。制御部８は、レシピ（加工条件）と推定加工結果イメージとが関連付けられて共に表示されるように、ディスプレイ１５０を制御する。

図１９に示されるように、推定加工結果イメージは、受付けられたウエハ加工情報（入力情報）及びレシピと共にディスプレイ１５０に表示される。図１９に示される例では、ディスプレイ１５０に、２列の改質領域１２ａ，１２ｂが描画されると共に、２列の改質領域１２ａ，１２ｂに渡る亀裂１４が描画されている。描画される改質領域１２ａ，１２ｂ及び亀裂１４の位置は、制御部８によってレシピに基づき導出されている。いま、ディスプレイ１５０の推定加工結果イメージには、Ａ：ＢＨＣ状態（ＢＨＣの状態であること）、Ｂ：黒スジ無し（黒スジが発生しないこと）、Ｃ：６５μｍ，９２μｍ，１４０μｍ，１７１μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ａの下端目標位置が６５μｍ、改質領域１２ａの上端目標位置が９２μｍ、改質領域１２ｂの下端目標位置が１４０μｍ、改質領域１２ｂの上端目標位置が１７１μｍであること）、Ｄ：２４６μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ｂから裏面２１ｂに向かって延びる亀裂１４の上端目標位置が２４６μｍであること）、Ｅ：ウエハ厚ｔ７７５μｍ（ウエハ厚さが７７５μｍであること）、及び、仕上げ厚が５０μｍであること等が示されている。なお、目標位置等の各目標値については、一点の値ではなく幅を持った範囲で示されてもよい。

ディスプレイ１５０は、推定加工結果イメージが表示された状態において、推定加工結果イメージとして表示された改質領域１２ａ，１２ｂ及び亀裂１４の位置の補正に係る第１補正情報の入力を受付けてもよい。すなわち、ディスプレイ１５０は、改質領域１２ａ，１２ｂの目標位置及び亀裂１４の目標位置を補正する情報である第１補正情報の入力を受付けてもよい。この場合、制御部８は、第１補正情報（すなわち、改質領域１２ａ，１２ｂの目標位置及び亀裂１４の目標位置を補正する情報）に基づいて、推定加工結果を補正すると共に補正後の推定加工結果となるように、レシピの各種パラメータを補正し、補正後のレシピと補正後の推定加工結果に基づく推定加工結果イメージとが関連付けられて共に表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。

ディスプレイ１５０は、加工条件（レシピ）が表示された状態において、レシピの補正に係る第２補正情報の入力を受付けてもよい。この場合、制御部８は、第２補正情報に基づいて、レシピの各種パラメータを補正すると共に、補正後のレシピに基づいて推定加工結果を補正し、補正後のレシピと補正後の推定加工結果に基づく推定加工結果イメージとが関連付けられて共に表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。

制御部８は、推定加工結果イメージと共に、検査条件提案結果（図１９参照）が表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。検査条件提案結果には、レシピ及び推定加工結果イメージに基づいて、推奨する検査条件が示される。図１９の検査条件提案結果に示されたＡ～Ｅのアルファベット付きの検査は、上述した推定加工結果イメージのＡ～Ｅの内容に対応する検査である。すなわち、図１９の検査条件提案結果では、Ａ：ＢＨＣ状態の検査としてＡ：ＢＨＣ検査及びＡ：ＢＨＣマージン検査が推奨されており、Ｂ：黒スジの検査としてＢ：黒スジ検査が推奨されており、Ｃ：改質領域（ＳＤ層）の位置の検査としてＣ：ＳＤ層位置検査が推奨されており、Ｄ：亀裂１４の上端の位置の検査としてＤ：上亀裂位置検査が推奨されており、Ｅ：ウエハ厚の検査としてＥ：ウエハ厚さ検査が推奨されている。ＢＨＣマージン検査では、各Ｚハイトにおける裏面状態（ＳＴ又はＢＨＣ）、上亀裂の先端の位置、上亀裂の先端の位置の変化量、下端亀裂長さ等が示される。そして、図１９に示されるように、検査条件提案結果に示された各検査については、実行要否をユーザが選択可能とされている。実行する検査が選択された後に、図１９に示される、「加工開始」が押下されることにより、加工処理が開始され、加工処理が完了した後に選択した各検査が実行される。

上述した推定加工結果イメージの表示について、図２０及び図２１を参照してより詳細に説明する。ここでは、実際の断面状態に対して、推定加工結果イメージではどのように模式的に示すかの一例を説明する。図２０（ａ）は様々な断面の実際の状態を示しており、図２０（ｂ）は図２０（ａ）に示す断面となる場合の加工ラインに対して垂直な断面の推定加工結果イメージを示している。図２０（ａ），（ｂ）は上下で対応する状態を示している。図２０（ｂ）に示されるように、加工ラインに対して垂直な断面の推定加工結果イメージでは、改質領域（ＳＤ層）を楕円形状（又は円）で表示すると共に、亀裂を線で表示しており、改質領域に渡る亀裂の繋がりが模式的に示される。このような推定加工結果イメージによれば、ＢＨＣ状態であること（図２０（ｂ）の一番左）、ＳＴ状態であり亀裂が途中で途切れていること（図２０（ｂ）の左から２番目）、ＢＨＣ状態であり亀裂が途中で途切れていること（図２０（ｂ）の右から２番目）、ＢＨＣ状態であり端面凸凹が生じていること（図２０（ｂ）の一番右）等を視覚的に表現することができる。また、端面凸凹については亀裂の蛇行具合によって凸凹レベルを表現することもできる（図２０（ｂ）の一番右）。このように、制御部８は、レーザ光が照射される加工ラインに対して垂直な断面の推定加工結果イメージが表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。

図２１（ａ）は様々な断面の実際の状態を示しており、図２１（ｂ）は図２１（ａ）に示す断面となる場合の加工ラインに対して水平な断面の推定加工結果イメージを示している。図２１（ａ），（ｂ）は上下で対応する状態を示している。図２１（ｂ）に示されるように、加工ラインに対して水平な断面の推定加工結果イメージでは、改質領域（ＳＤ層）を例えば帯状で表示する。加工ラインに対して水平な断面のイメージにおいては、改質領域をパルスごとに表現することができるため、パルスピッチのイメージを表示することが可能である。亀裂については線ではなく面で表示されるため、色の違い等によって区別される。このような推定加工結果イメージによれば、ＢＨＣ状態であること（図２１（ｂ）の一番左）、ＳＴ状態であり亀裂が途中で途切れていること（図２１（ｂ）の左から２番目）、ＢＨＣ状態であり亀裂が途中で途切れていること（図２１（ｂ）の右から２番目）、ＢＨＣ状態であり端面凸凹が生じていること（図２１（ｂ）の一番右）等を視覚的に表現することができる。端面凸凹については亀裂の蛇行領域によって表現することができる（図２０（ｂ）の一番右）。このように、制御部８は、レーザ光が照射される加工ラインに対して水平な断面の推定加工結果イメージが表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。

（加工処理）
加工処理では、制御部８が、決定した加工条件（レシピ）でウエハ２０にレーザ光が照射されるようにレーザ照射ユニット３を制御する。制御部８は、詳細には、ウエハ２０にレーザ光を照射してウエハ２０に改質領域及び改質領域から延びる亀裂が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御する。制御部８は、ディスプレイ１５０において「加工開始」（図１９参照）が押下されることに応じて、加工処理を開始する。

（加工結果取得処理）
加工結果取得処理では、制御部８が、加工されたウエハ２０を撮像するように撮像ユニット４を制御することによって、レーザ光の照射によるウエハ２０のレーザ加工結果を取得する。制御部８は、詳細には、ウエハ２０に対して透過性を有する光を出力してウエハ２０を撮像するように撮像ユニット４を制御することによって、レーザ光の照射によりウエハ２０に形成された改質領域及び改質領域から延びる亀裂の情報を含んだレーザ加工結果を取得する。

上述したように、レーザ加工後、ユーザによって選択された各検査（図１９参照）が実行される。各検査のうち、Ｅ：ウエハ厚さ検査（ウエハ厚さの導出）について、図２２及び図２３を参照して説明する。検査装置１では、レーザ照射ユニット３によるレーザ加工と撮像ユニット４による内部観察のプロセスによって得られた情報に基づき、ウエハ２０の厚さを測定することができる。具体的には、制御部８は、ウエハ２０にレーザ光が照射されることによりウエハ２０の内部に改質領域が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御する第一処理と、ウエハ２０を伝搬した光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて改質領域の位置を導出し、導出した改質領域の位置及び設定されたレシピ（加工条件）に基づいて、ウエハ２０の厚さを導出する第二処理と、を実行する。

図２２は、ウエハ厚さの導出を説明する図である。図２２においては、ウエハ２０の裏面２１ｂ側からレーザ光が照射され改質領域１２ａが形成されていることが示されている。制御部８は、撮像ユニット４を制御することにより深さ方向（Ｚ方向）に焦点Ｆを移動させて複数の画像を取得し、該画像から、ａ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の上端のＺ位置、及び、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置を導出する。すなわち、制御部８は、上述した第二処理において、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて、改質領域１２ａの裏面２１ｂ側の端部のＺ位置（位置ａ）、及び、改質領域１２ａの表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置（位置ｃ）を導出する。また、ウエハ２０が機能素子層２２（パターン）を有するウエハである場合においては、制御部８は、撮像ユニット４を制御することにより深さ方向（Ｚ方向）に焦点Ｆを移動させて、ｂ：パターン面のＺ位置を導出することができる。これらのＺ位置は、以下ではウエハ２０の裏面２１ｂを基準点とした位置であるとする。基準点であるウエハ２０のＺ位置は、例えば、裏面２１ｂ側に伸展した亀裂を撮像ユニット４（内部観察用の検出器）またはハイトセット用の可視カメラにて認識することにより導出してもよいし、レーザ加工前にＺハイトをセットする際にハイトセット用の可視カメラで認識することにより導出してもよいし、パターン面からレーザ光を入射させる場合にはレーザ加工前のアライメント時またはレーザ加工後の内部観察時にパターンのピント位置を測定することによって導出してもよい。

制御部８は、３パターンの導出手法により、ウエハ２０の厚さを導出することができる。第１の手法では、制御部８は、ｂ：パターン面のＺ位置に基づいてウエハ２０の厚さを導出する。第１の手法は、上述したようにウエハ２０が機能素子層２２（パターン）を有するウエハである場合にのみ用いることができる。第２の手法及び第３の手法では、制御部８は、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置、及びレシピに基づいてウエハ２０の厚さを導出する。

第２の手法では、制御部８は、まず、レシピに基づいて改質領域１２ａの幅を導出する。具体的には、制御部８は、例えば図２３に示されるような、ウエハ厚さの導出に係るデータベース（加工条件と改質領域の幅とが対応付けられたデータベース）を記憶しており、該データベースを参照することにより、レシピ（加工条件）に示された、レーザ光のエネルギー、パルス波形、パルスピッチ、及び集光状態に対応する改質領域１２ａの幅（ＳＤ層幅）を導出する。そして、制御部８は、導出した改質領域１２ａの幅と、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置と、ａ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の上端のＺ位置とに基づいて、ウエハ２０の厚さを導出する。図２２に示されるように、導出した改質領域１２の幅と、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置と、ａ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の上端のＺ位置とを足し合わせると、ウエハ２０の厚さの２倍になる。このため、制御部８は、改質領域１２の幅と、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置と、ａ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の上端のＺ位置とを足し合わせた値を２で割ることにより、ウエハ２０の厚さを導出することができる。

第３の手法では、制御部８は、まず、レシピに基づいて、ウエハ２０に対するレーザ光の加工深さであるＺハイトから推定される改質領域１２ａの表面２１ａ側の端部の位置である推定端部位置を導出する。制御部８は、推定端部位置と、ウエハ２０のシリコンの屈折率を考慮した定数（ＤＺレート）とに基づき、ＤＺレートを考慮した端部位置（ＤＺレートを考慮した改質領域１２ａの表面２１ａ側の端部の位置）を導出し、該ＤＺレートを考慮した端部位置と、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置とに基づいて、ウエハ２０の厚さを導出する。図２２に示されるように、上述したＤＺレートを考慮した端部位置と、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置とを足し合わせると、ウエハ２０の厚さの２倍になる。このため、制御部８は、上述したＤＺレートを考慮した端部位置と、ｃ：改質領域１２ａ（ＳＤ１）の表面２１ａ側の端部の虚像のＺ位置とを足し合わせた値を２で割ることにより、ウエハ２０の厚さを導出することができる。

各検査の判定結果には、制御部８が取得したレーザ加工結果の情報が含まれている。以下では、「検査判定結果」には「レーザ加工結果」の情報が含まれているとして説明する。図２４は、検査判定結果（ＮＧ）の表示画面の一例である。図２４に示されるように、制御部８は、レーザ加工結果の情報が含まれた検査判定結果が表示されるようにディスプレイ１５０を制御する。制御部８は、図２４に示されるように、推定加工結果イメージと、レーザ加工結果の情報を含む検査判定結果とが関連付けられて共に表示されるように、ディスプレイ１５０を制御してもよい。

図２４に示されるように、ディスプレイ１５０の推定加工結果イメージには、Ａ：ＢＨＣ状態（ＢＨＣの状態であること）、Ｂ：黒スジ無し（黒スジが発生しないこと）、Ｃ：６５μｍ，９２μｍ，１４０μｍ，１７１μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ａの下端目標位置が６５μｍ、改質領域１２ａの上端目標位置が９２μｍ、改質領域１２ｂの下端目標位置が１４０μｍ、改質領域１２ｂの上端目標位置が１７１μｍであること）、Ｄ：２４６μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ｂから裏面２１ｂに向かって延びる亀裂１４の上端目標位置が２４６μｍであること）、Ｅ：ウエハ厚ｔ７７５μｍ（ウエハ厚さが７７５μｍであること）、及び、仕上げ厚が５０μｍであることが示されている。レシピに応じてレーザ加工が行われると、当該推定加工結果イメージの状態となると想定されていた。しかしながら、検査判定結果には、Ａ：ＳＴ（ＳＴの状態であること）、Ｂ：黒スジ無し、Ｃ：７４μｍ，９９μｍ，１４８μｍ，１７４μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ａの下端位置が７４μｍ、改質領域１２ａの上端位置が９９μｍ、改質領域１２ｂの下端位置が１４８μｍ、改質領域１２ｂの上端位置が１７４μｍであること）、Ｄ：２１１μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ｂから裏面２１ｂに向かって延びる亀裂１４の上端位置が２１１μｍであること）、Ｅ：ウエハ厚ｔ７８３μｍ（ウエハ厚さが７８３μｍであること）、及び、仕上げ厚が５０μｍであることが示されている。

（加工条件評価処理）
制御部８は、レーザ加工結果の情報が含まれた検査判定結果（図２４参照）に基づいて、レシピ（加工条件）を評価する。具体的には、制御部８は、レーザ加工結果の情報が含まれた検査判定結果と、ウエハ加工情報に基づき決定されたレシピを考慮した推定加工結果とを比較することにより、レシピの妥当性を評価する。いま、図２４に示されるように、推定加工結果イメージの目標値と検査判定結果の値とは乖離があり、ユーザによって選択された各検査（図１９参照）のうち、少なくとも、Ａ：ＢＨＣ検査、Ｃ：ＳＤ層位置検査、Ｄ：上亀裂位置検査、及びＥ：ウエハ厚さ検査でＮＧとなっている。ＢＨＣとならずＳＴとなった要因としては、検査判定結果においてＥ：ウエハ厚ｔ７８３μｍとなっているように、ユーザが設定したウエハ厚（７７５μｍ）が正しくなく、想定よりもウエハ２０が厚かったことによって、改質領域の形成位置が浅い方向にシフトしていること、改質領域が想定よりも細くなっていること等が考えられる。このような場合、制御部８は、レシピ（加工条件）が適切でないと評価する。なお、制御部８は、ＡＦ追従性等の他のデータに基づいて、改質領域（ＳＤ層）の位置ずれ要因がハード起因かレシピ起因かを判定してもよい。ここでは、検査ＮＧとなった要因がウエハ厚の例を説明したが、ハード機差、データベース上のレシピのマージン不足、ウエハのドープ等、様々な要因で検査ＮＧとなることが考えられる。

制御部８は、レシピ（加工条件）が適切でないと評価した場合に、レーザ加工結果の情報が含まれた検査判定結果に基づいて、レシピ（加工条件）を補正することを更に実行してもよい。例えば、上述したようにウエハ２０が想定よりも厚かったことが検査ＮＧの要因として考えられる場合には、制御部８は、Ｚハイト補正、出力補正、集光補正量補正を行い、ＢＨＣマージン検査をしながらレシピを補正することを補正内容として決定する。制御部８は、図２４に示されるように、検査判定結果と共に推奨する補正内容が表示されるようにディスプレイ１５０を制御する。制御部８は、各補正内容の優先順位が表示されるようにディスプレイ１５０を制御してもよい。ディスプレイ１５０は、優先順位の変更及び補正内容の一部削除等のユーザ入力を受付けてもよい。制御部８は、ディスプレイ１５０において「補正開始」（図２４参照）が押下されることに応じて、ディスプレイ１５０に表示されている補正の処理を開始する。上述した状況（ウエハ２０が想定よりも厚かった）の場合、例えば、ウエハ厚分だけＺハイトを深い位置へ下げる変更、出力を０．１Ｗ上げる変更等の補正が実施されて、改質領域の幅を確保する。そして、例えばＢＨＣマージン検査の結果、マージンが少ない場合には、集光補正量を調整し集光性を上げる。このような処理により、制御部８は、最終的な（補正後の）レシピを導出する。

図２５は、検査判定結果（ＯＫ）の表示画面の一例である。図２５に示されるように、制御部８は、補正実施後において、推定加工結果イメージと、検査判定結果と、補正後のレシピ（加工条件）とが共に表示されるようにディスプレイ１５０を制御する。図２５の例では、検査判定結果には、Ａ：ＢＨＣ（ＢＨＣの状態であること）、Ｂ：黒スジ無し、Ｃ：６４μｍ，９３μｍ，１４２μｍ，１７３μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ａの下端位置が６４μｍ、改質領域１２ａの上端位置が９３μｍ、改質領域１２ｂの下端位置が１４２μｍ、改質領域１２ｂの上端位置が１７３μｍであること）、Ｄ：２４４μｍ（表面２１ａを基準とした、改質領域１２ｂから裏面２１ｂに向かって延びる亀裂１４の上端位置が２４４μｍであること）、Ｅ：ウエハ厚ｔ７８３μｍ（ウエハ厚さが７８３μｍであること）、及び、仕上げ厚が５０μｍであることが示されている。このように、想定と異なっていたウエハ厚を考慮した補正を実施することによって、各検査の判定結果がＯＫとなっている。そして、制御部８は、レシピ（加工条件）を補正した場合に、補正後のレシピを含む情報に基づき、上述した、ウエハ加工情報と加工条件（レシピ）とが対応付けて記憶されたデータベースを更新する。例えば、データベース上に、検査判定結果に示されたウエハ厚（７８３μｍ）のレシピが存在しない場合には、制御部８は、ウエハ厚（７８３μｍ）のレシピとして補正後のレシピをデータベースに新規登録する。データベースにレシピを新規登録する場合には、ユーザのオリジナルのウエハや加工条件の名称を登録することができ、これによって、同様のウエハを加工する場合にはその名称からデータベース上のレシピを呼び出すことが可能になる。また、制御部８は、検査ＮＧとなった結果についてもデータベースに蓄積することによって、次回以降のレシピ決定精度を向上させる。

［検査方法］
本実施形態の検査方法について、図２６を参照して説明する。図２６は、検査方法のフローチャートである。図２６は、検査装置１が実行する検査方法のうち、ウエハ２０に改質領域を形成する処理の前処理として実施される加工条件導出処理を示すフローチャートである。

図２６に示されるように、加工条件導出処理では、最初に、ディスプレイ１５０が、ウエハ２０の情報及びウエハ２０に対するレーザ加工目標を含むウエハ加工情報のユーザ入力を受付ける（ステップＳ１，第１工程）。具体的には、ディスプレイ１５０は、図１３に示される加工方法、図１４に示されるウエハ情報、及び図１５に示される加工設定のユーザ入力を受付ける。

つづいて、制御部８は、データベースを参照することにより、ディスプレイ１５０によって受付けられたウエハ加工情報（図１３～図１５の設定画面において受付けられた各種情報）に対応するレシピ（加工条件）を決定（自動選択）し、自動選択したレシピが表示（提案）されるようにディスプレイ１５０を制御する（ステップＳ２、第２工程）。ディスプレイ１５０には、レシピ、推定加工結果イメージ、検査条件等が表示される（図１９参照）。そして、ユーザによってディスプレイ１５０の「加工開始」が押下されることにより、レシピが決定され（ステップＳ３）、決定されたレシピに基づきウエハ２０にレーザ光を照射する加工処理が開始される（ステップＳ４，第３工程）。

つづいて、制御部８は、レーザ加工結果の情報が含まれた検査判定結果（図２４参照）に基づいて、レシピ（加工条件）を評価し（第４工程）、レシピが適切であるか（評価ＯＫか）否かが判定される（ステップＳ５）。ステップＳ５においてレシピが適切ではない（評価ＮＧ）と判定された場合には、検査判定結果に基づいて、レシピが自動補正される（ステップＳ６）。例えば、ウエハ２０が想定よりも厚かったことがＮＧの要因として考えられる場合には、制御部８は、Ｚハイト補正、出力補正、集光補正量補正等を実施する。その後、再度ステップＳ４の加工処理から実施される。

一方で、ステップＳ５においてレシピが適切である（評価ＯＫ）と判定された場合には、レシピを一度も変更していないか（ステップＳ６の補正処理を一度も実施していないか）否かが判定され（ステップＳ７）、レシピの変更をしている場合にはデータベースに変更後のレシピ（新たなレシピ）が登録されて（ステップＳ８）、処理が終了する。

［作用効果］
次に、本実施形態に係る検査装置１の作用効果について説明する。

本実施形態の検査装置１は、裏面２１ｂ及び表面２１ａを有するウエハ２０の裏面２１ｂ側からウエハ２０にレーザ光を照射するレーザ照射ユニット３と、ウエハ２０に対して透過性を有する光を出力し、ウエハ２０を伝搬した光を検出する撮像ユニット４と、ウエハ２０にレーザ光が照射されることによりウエハ２０の内部に改質領域が形成されるようにレーザ照射ユニット３を制御する第一処理と、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて改質領域の位置を導出し、導出した改質領域の位置及び設定されたレシピに基づいてウエハ２０の厚さを導出する第二処理と、を実行するように構成された制御部８と、を備える。

本実施形態に係る検査装置１では、ウエハ２０にレーザ光が照射されることにより形成される改質領域の位置と設定されているレシピとに基づきウエハ２０の厚さが導出される。改質領域の位置は、レシピとウエハ２０の厚さとに基づき決まる。このため、改質領域の位置とレシピとがわかれば、ウエハ２０の厚さを導出することが可能となる。検査装置１のように、実際に撮像された改質領域の位置と設定されたレシピとからウエハ２０の厚さが導出されることにより、ウエハ２０の厚さを高精度に導出することができる。

制御部８は、第二処理において、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置を導出し、該虚像の位置及びレシピに基づいてウエハ２０の厚さを導出してもよい。改質領域の位置を導出するためには、改質領域の表面２１ａ側の端部の位置を導出する必要がある。しかし、ウエハ２０の裏面２１ｂ側からレーザ光を照射する場合においては、改質領域の表面２１ａ側の端部の位置に焦点を合わせても当該位置を確認することができない。この点、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置については導出することができるため、当該虚像の位置に基づいて改質領域の位置を推定することが可能となる。これにより、ウエハ２０の厚さを適切に導出することができる。

制御部８は、第二処理において、光を検出した撮像ユニット４から出力される信号に基づいて改質領域の裏面２１ｂ側の端部の位置を更に導出すると共に、レシピに基づいて改質領域の幅を更に導出し、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置及び裏面２１ｂ側の端部の位置と、改質領域の幅とに基づいて、ウエハ２０の厚さを導出してもよい。改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置、裏面２１ｂ側の端部の位置、及び改質領域の幅を足し合わせた値は、ウエハ２０の厚さの２倍になる。このため、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置、裏面２１ｂ側の端部の位置、及び改質領域の幅が導出されることにより、ウエハ２０の厚さを適切に導出することができる。

制御部８は、レシピと改質領域の幅とが対応付けられたデータベースを記憶しており、制御部８は、第二処理において、データベースを参照することにより、レシピに対応する改質領域の幅を導出してもよい。改質領域の幅はレシピによって変化するところ、改質領域の幅とレシピとを対応付けたデータベースを参照して改質領域の幅を導出することにより、容易且つ高精度に改質領域の幅を導出することができる。

制御部８は、第二処理において、レシピに含まれる、ウエハ２０に対するレーザ光の加工深さから推定される改質領域の表面２１ａ側の端部の位置である推定端部位置と、ウエハ２０の屈折率を考慮した定数（ＤＺレート）とに基づきＤＺレートを考慮した端部位置（ＤＺレートを考慮した改質領域の表面２１ａ側の端部の位置）を導出し、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置と、ＤＺレートを考慮した端部位置とに基づいて、ウエハ２０の厚さを導出してもよい。レシピに含まれるレーザ光の加工深さから推定される改質領域の表面２１ａ側の端部の位置についてウエハ２０の屈折率を考慮した値（ＤＺレートを考慮した端部位置）と、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置とを足し合わせた値は、ウエハ２０の厚さの２倍になる。このため、改質領域の表面２１ａ側の端部の虚像の位置及びＤＺレートを考慮した端部位置が導出されることにより、ウエハ２０の厚さを適切に導出することができる。

以上、本実施形態について説明したが本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、図１に示されるように検査装置１が推定加工結果イメージ等を表示するディスプレイ１５０を有しているとして説明したがこれに限定されず、図２７に示される検査装置１Ａのように、ディスプレイを有していなくてもよい。検査装置１Ａは、ディスプレイを有していない以外は、検査装置１と同様の構成を備えている。この場合、検査装置１Ａの制御部８は、例えば推定加工結果として導出した改質領域及び亀裂のウエハにおける位置を考慮してウエハのイメージ図と該ウエハにおける改質領域及び亀裂のイメージ図とが共に描画された推定加工結果イメージを外部装置等に出力（送信）する。そして、推定加工結果イメージ等は、検査装置１Ａではなく外部装置において表示されてもよい。すなわち、推定加工結果イメージ等は、検査装置１Ａと通信可能な他の装置（ＰＣ等）上で表示されてもよい。これにより、検査装置１Ａがディスプレイを有していないような場合においても、検査装置１Ａと通信可能な他の装置等で推定加工結果イメージ等を表示することが可能になる。

また、図２８に示されるように、上述した検査装置１Ａと、専用の表示装置５５０とを有する処理システム６００において、推定加工結果イメージの生成及び表示が行われてもよい。この場合、検査装置１Ａの制御部８は、例えば推定加工結果として導出した改質領域及び亀裂のウエハにおける位置を考慮してウエハのイメージ図と該ウエハにおける改質領域及び亀裂のイメージ図とが共に描画された推定加工結果イメージ等を表示装置５５０に送信する。表示装置５５０は、検査装置１Ａから受信した推定加工結果イメージ等を表示する。このような処理システム６００によれば、検査装置１Ａが送信した推定加工結果イメージ等を外部装置である表示装置５５０によって適切に表示することができる。

また、実施形態では、ディスプレイが、ウエハのイメージ図と該ウエハにおける改質領域及び亀裂のイメージ図とが共に描画された推定加工結果イメージを表示するとして説明したがこれに限定されない。すなわち、制御部は、必ずしも上述した推定加工結果イメージをディスプレイに表示させなくてもよく、例えば、ウエハに形成される改質領域及び改質領域から延びる亀裂の情報を含んだ推定加工結果を導出し、該推定加工結果に係る情報が表示されるようにディスプレイを制御してもよい。推定加工結果に係る情報とは、ウエハ、改質領域、及び亀裂等のイメージ図でなくてもよく、単に、改質領域及び亀裂の位置を示す情報等であってもよい（すなわち、イメージ図を含んでいなくてもよい）。

また、加工条件導出処理において、上述した推定加工結果イメージの表示処理やウエハ厚さの導出処理を実施するとして説明したが、推定加工結果イメージの表示処理やウエハ厚さの導出処理は、加工条件導出処理以外の処理、例えば加工条件を導出した後の各種処理において実施されてもよい。

また、実施形態では、検査装置１が、ウエハ加工情報に基づいてレシピ（加工条件）を決定し、推定加工結果を導出するとして説明したがこれに限定されない。すなわち、検査装置の制御部は、ウエハ加工情報に基づき推定加工結果を導出し、推定加工結果に基づきレシピ（加工条件）を決定してもよい。このように、ウエハ加工情報を入力することによって加工条件が自動的に決定されることにより、例えば加工条件をユーザが調整しながらレーザ加工処理を繰り返し行って適切な加工条件を導出するような場合と比べて、容易に加工条件を決定することができる。

１，１Ａ…検査装置、３…レーザ照射ユニット、４…撮像ユニット、８…制御部、２０…ウエハ、１５０…ディスプレイ。

Claims (6)

1. 第一表面及び第二表面を有するウエハの前記第一表面側から前記ウエハにレーザ光を照射する照射部と、
   前記ウエハに対して透過性を有する光を出力し、前記ウエハを伝搬した前記光を検出する撮像部と、
   前記ウエハに前記レーザ光が照射されることにより前記ウエハの内部に改質領域が形成されるように前記照射部を制御する第一処理と、前記光を検出した前記撮像部から出力される信号に基づいて前記改質領域の位置を導出し、導出した前記改質領域の位置及び設定された加工条件に基づいて前記ウエハの厚さを導出する第二処理と、を実行するように構成された制御部と、を備える検査装置。
2. 前記制御部は、前記第二処理において、前記光を検出した前記撮像部から出力される信号に基づいて、前記改質領域の前記第二表面側の端部の虚像の位置を導出し、該虚像の位置及び前記加工条件に基づいて前記ウエハの厚さを導出する、請求項１記載の検査装置。
3. 前記制御部は、前記第二処理において、前記光を検出した前記撮像部から出力される信号に基づいて前記改質領域の前記第一表面側の端部の位置を更に導出すると共に、前記加工条件に基づいて前記改質領域の幅を更に導出し、前記改質領域の前記第二表面側の端部の虚像の位置及び前記第一表面側の端部の位置と、前記改質領域の幅とに基づいて、前記ウエハの厚さを導出する、請求項２記載の検査装置。
4. 前記制御部は、前記加工条件と前記改質領域の幅とが対応付けられたデータベースを記憶しており、
   前記制御部は、前記第二処理において、前記データベースを参照することにより、前記加工条件に対応する前記改質領域の幅を導出する、請求項３記載の検査装置。
5. 前記制御部は、前記第二処理において、前記加工条件に含まれる、前記ウエハに対する前記レーザ光の加工深さから推定される前記改質領域の前記第二表面側の端部の位置である推定端部位置と、前記ウエハの屈折率を考慮した定数とに基づき定数考慮端部位置を導出し、前記改質領域の前記第二表面側の端部の虚像の位置と、前記定数考慮端部位置とに基づいて、前記ウエハの厚さを導出する、請求項２記載の検査装置。
6. 第一表面及び第二表面を有するウエハを用意し、前記ウエハにレーザ光を照射することにより、前記ウエハの内部に改質領域を形成する第一工程と、
   前記第一工程によって前記改質領域が形成された前記ウエハに対して透過性を有する光を出力し、前記ウエハの伝搬した前記光を検出する第二工程と、
   前記第二工程において検出された前記光に基づいて前記改質領域の位置を導出し、導出した前記改質領域の位置及び設定された加工条件に基づいて前記ウエハの厚さを導出する第三工程と、を備える検査方法。

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