DE112021001469T5

DE112021001469T5 - Inspektionsvorrichtung und Inspektionsverfahren

Info

Publication number: DE112021001469T5
Application number: DE112021001469.2T
Authority: DE
Inventors: Takeshi Sakamoto; Takafumi Ogiwara; Iku Sano
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2021-03-03
Publication date: 2022-12-15
Also published as: JP7493967B2; US20230113051A1; WO2021177364A1; KR20220144814A; CN115210856A; JP2021141248A; TW202145396A

Abstract

Die vorliegende Inspektionsvorrichtung umfasst: eine Laserbestrahlungseinheit, die einen Wafer mit einer Rückfläche und einer Vorderfläche mit einem Laserstrahl von der Seite der Rückfläche des Wafers aus bestrahlt; eine Abbildungseinheit, die Licht ausgibt, das für den Wafer durchlässig ist, und das sich durch den Wafer ausbreitende Licht erfasst und einen Steuerabschnitt, der so konfiguriert ist, dass er einen ersten Prozess des Steuerns der Laserbestrahlungseinheit, so dass ein modifizierter Bereich innerhalb des Wafers durch Bestrahlen des Wafers mit dem Laserstrahl gebildet wird, und einen zweiten Prozess des Ableitens einer Position des modifizierten Bereichs auf der Basis eines Signals, das von der Abbildungseinheit, die das Licht erfasst, ausgegeben wird, und des Ableitens einer Dicke des Wafers auf der Basis der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und eines eingestellten Anleitungsrezepts durchführt.

Description

Technisches Gebiet
Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf eine Inspektionsvorrichtung und ein Inspektionsverfahren.
Stand der Technik
Um einen Wafer mit einem Halbleitersubstrat und einer auf einer Fläche des Halbleitersubstrats gebildeten Funktionselementschicht entlang jeder von mehreren Linien zu schneiden, ist eine Inspektionsvorrichtung bekannt, die eine Vielzahl von Reihen modifizierter Bereiche innerhalb des Halbleitersubstrats entlang jeder der mehreren Linien bildet, indem der Wafer von der anderen Flächenseite des Halbleitersubstrats aus mit einem Laserstrahl bestrahlt wird. Eine in der Patentliteratur 1 beschriebene Inspektionsvorrichtung enthält eine Infrarotkamera und kann einen im Halbleitersubstrat gebildeten modifizierten Bereich, einen auf der Schicht des Funktionselements gebildeten Bearbeitungsschaden und ähnliches von der Rückfläche des Halbleitersubstrats aus beobachten.
Zitationsliste
Patentliteratur
[Patentliteratur 1] Japanische Patentveröffentlichung Nr. JP 2017 - 64 746 A
Zusammenfassung der Erfindung
Technisches Problem
Bei der zuvor beschriebenen Inspektionsvorrichtung ist es notwendig, die Waferdicke genau einzugeben, z. B. wenn die Verarbeitungsbedingungen bestimmt werden. Wenn jedoch zum Beispiel ein unbekannter Wafer verwendet wird, kann die Waferdicke nicht genau eingegeben werden, und somit besteht die Möglichkeit, dass die Inspektion nicht genau durchgeführt werden kann.
Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung wurde in Anbetracht der oben genannten Umstände konzipiert, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Inspektionsvorrichtung und ein Inspektionsverfahren bereitzustellen, die in der Lage sind, die Dicke eines Wafers mit hoher Genauigkeit abzuleiten.
Lösung des Problems
Eine Inspektionsvorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Bestrahlungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Wafer mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche von einer ersten Flächenseite des Wafers aus mit einem Laserstrahl bestrahlt, eine Abbildungseinheit, die konfiguriert ist, um Licht auszugeben, das für den Wafer durchlässig ist, und um das Licht zu erfassen, das sich durch den Wafer ausbreitet, und einen Steuerabschnitt, der so konfiguriert ist, dass er einen ersten Prozess des Steuerns der Bestrahlungseinheit, so dass ein modifizierter Bereich innerhalb des Wafers durch Bestrahlung des Wafers mit dem Laserstrahl gebildet wird, und einen zweiten Prozess des Ableitens einer Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage eines Signals, das von der Abbildungseinheit ausgegeben wird, die das Licht erfasst hat, und des Ableitens einer Dicke des Wafers auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und der eingestellten Verarbeitungsbedingungen durchführt.
In der Inspektionsvorrichtung gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die Dicke des Wafers auf der Grundlage der Position des modifizierten Bereichs, der durch die Bestrahlung des Wafers mit dem Laserstrahl und den eingestellten Bearbeitungsbedingungen gebildet wird, abgeleitet. Die Position des modifizierten Bereichs wird auf der Grundlage der Bearbeitungsbedingungen und der Dicke des Wafers bestimmt. Wenn die Position des modifizierten Bereichs und die Bearbeitungsbedingungen bekannt sind, ist es daher möglich, die Dicke des Wafers zu bestimmen. Wie bei der Inspektionsvorrichtung gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Dicke des Wafers mit hoher Genauigkeit abgeleitet werden, indem die Dicke des Wafers aus der Position des tatsächlich abgebildeten modifizierten Bereichs und den eingestellten Bearbeitungsbedingungen abgeleitet wird.
In dem zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt eine Position eines virtuellen Bildes eines Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf einer Seite der zweiten Fläche auf der Grundlage eines Signals ableiten, das von der Abbildungseinheit ausgegeben wird, die das Licht erfasst hat, und kann eine Dicke des Wafers auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes und der Verarbeitungsbedingungen ableiten. Um die Position des modifizierten Bereichs abzuleiten, ist es notwendig, die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche abzuleiten. Wenn der Laserstrahl jedoch von auf der Seite der ersten Fläche des Wafers abgestrahlt wird, kann die Position nicht bestätigt werden, selbst wenn die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche fokussiert ist. Da die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche abgeleitet werden kann, kann die Position des modifizierten Bereichs basierend auf der Position des virtuellen Bildes geschätzt werden. So kann die Dicke des Wafers in geeigneter Weise abgeleitet werden.
In dem zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt ferner eine Position eines Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der ersten Fläche auf der Grundlage des von der Abbildungseinheit, die das Licht erfasst hat, ausgegebenen Signals ableiten, ferner eine Breite des modifizierten Bereichs auf der Grundlage der Verarbeitungsbedingungen ableiten und eine Dicke des Wafers auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche, der Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der ersten Fläche und der Breite des modifizierten Bereichs ableiten. Die Summe aus der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche, der Position des Endabschnitts desselben auf der Seite der ersten Fläche und der Breite des modifizierten Bereichs ist das Doppelte der Dicke des Wafers. Daher kann die Dicke des Wafers in geeigneter Weise abgeleitet werden, indem die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche, die Position des Endabschnitts davon auf der Seite der ersten Fläche und die Breite des modifizierten Bereichs abgeleitet werden.
Der Steuerabschnitt kann eine Datenbank speichern, in der die Verarbeitungsbedingungen und die Breite des modifizierten Bereichs einander zugeordnet sind, und im zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt die Breite des modifizierten Bereichs entsprechend den Verarbeitungsbedingungen durch Bezugnahme auf die Datenbank ableiten. Da die Breite des modifizierten Bereichs entsprechend den Verarbeitungsbedingungen geändert wird, kann die Breite des modifizierten Bereichs einfach und sehr genau abgeleitet werden, indem die Breite des modifizierten Bereichs unter Bezugnahme auf die Datenbank abgeleitet wird, in der die Breite des modifizierten Bereichs und die Verarbeitungsbedingungen einander zugeordnet sind.
In dem zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt eine Konstante, die die Endposition berücksichtigt, basierend auf einer geschätzten Position des Endabschnitts, die eine Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderflächenseite ist und aus einer Bearbeitungstiefe des Laserstrahls in Bezug auf den Wafer geschätzt wird, und eine Konstante, die einen Brechungsindex des Wafers berücksichtigt, die in dem Anleitungsrezept enthalten sind, ableiten und ferner eine Dicke des Wafers ableiten, basierend auf der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche und des Endabschnitts unter Berücksichtigung der Konstante. Die Summe aus dem Wert, der den Brechungsindex des Wafers für die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche berücksichtigt, der aus der Bearbeitungstiefe des in den Bearbeitungsbedingungen enthaltenen Laserstrahls (Konstante, die die Endposition berücksichtigt) geschätzt wird, und der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche ist das Doppelte der Dicke des Wafers. Daher kann die Dicke des Wafers in geeigneter Weise abgeleitet werden, indem die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche und die Konstante, die die Endposition berücksichtigt, ableitet werden.
Ein Inspektionsverfahren gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst einen ersten Schritt des Vorbereitens eines Wafers mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche und des Bildens eines modifizierten Bereichs innerhalb des Wafers durch Bestrahlen des Wafers mit einem Laserstrahl, einen zweiten Schritt des Ausgebens von Licht mit Durchlässigkeit auf den Wafer, in dem der modifizierte Bereich durch den ersten Schritt gebildet wird, und des Erfassens von Licht, das sich durch den Wafer ausbreitet, und einen dritten Schritt des Ableitens einer Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage des im zweiten Schritt erfassten Lichts und des Ableitens einer Dicke des Wafers auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und der eingestellten Verarbeitungsbedingungen.
Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
Gemäß der Inspektionsvorrichtung und dem Inspektionsverfahren gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann eine Dicke eines Wafers mit hoher Genauigkeit abgeleitet werden.
Figurenliste

1 ist ein Konfigurationsdiagramm einer Inspektionsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
2 ist eine Draufsicht auf einen Wafer gemäß einer Ausführungsform.
3 ist eine Querschnittsansicht eines Teils des in 2 dargestellten Wafers.
4 ist ein Konfigurationsdiagramm einer in 1 dargestellten Laserbestrahlungseinheit.
5 ist ein Konfigurationsdiagramm einer in 1 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit.
6 ist ein Konfigurationsdiagramm einer in 1 gezeigten Abbildungseinheit zur Ausrichtungskorrektur.
7 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers zur Beschreibung eines Abbildungsprinzips der in 5 gezeigten Inspektionsabbildungseinheit und von Bildern an jeder Stelle durch die Inspektionsabbildungseinheit.
8 ist eine Querschnittsansicht des Wafers zur Beschreibung des Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und der Bilder an jeder Stelle durch die Inspektionsabbildungseinheit.
9 ist eine REM-Aufnahme eines modifizierten Bereichs und eines Risses, der sich im Inneren eines Halbleitersubstrats gebildet hat.
10 ist eine REM-Aufnahme des modifizierten Bereichs und des im Halbleitersubstrat gebildeten Risses.
11 ist ein optisches Pfaddiagramm zur Beschreibung des Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und ein schematisches Diagramm, das ein Bild an einem Brennpunkt durch die Inspektionsabbildungseinheit zeigt.
12 ist ein optisches Pfaddiagramm zur Beschreibung des Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und ein schematisches Diagramm, das ein Bild an einem Brennpunkt durch die Inspektionsabbildungseinheit zeigt.
13 ist ein Beispiel für eine Einstellungsanzeige für Wafer-Bearbeitungsinformationen.
14 ist ein Beispiel für die Einstellungsanzeige für die Wafer-Bearbeitungsinformationen.
15 ist ein Beispiel für die Einstellungsanzeige für die Wafer-Bearbeitungsinformationen.
16 ist ein Diagramm, das die Einstellung eines Zielquerschnitts zeigt.
17 ist ein Diagramm, das die Auswahl eines Anleitungsrezepts aus einer Datenbank zeigt.
18 ist ein Diagramm, das die Auswahl einer Vielzahl von Anleitungsrezepten aus der Datenbank zeigt.
19 ist ein Beispiel für eine Anzeige eines Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes.
20 ist ein Diagramm zur Beschreibung des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes.
21 ist ein Diagramm zur Beschreibung des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes.
22 ist ein Diagramm, das die Ableitung einer Waferdicke zeigt.
23 ist ein Beispiel für die Datenbank, die sich auf die Ableitung der Waferdicke bezieht.
24 ist ein Beispiel für eine Anzeige eines Inspektionsbestimmungsergebnisses (NG).
25 ist ein Beispiel für die Anzeige des Inspektionsbestimmungsergebnisses (OK).
26 ist ein Flussdiagramm eines Inspektionsverfahrens.
27 ist ein Konfigurationsdiagramm einer Inspektionsvorrichtung gemäß einem modifizierten Beispiel.
28 ist ein Konfigurationsdiagramm eines Verarbeitungssystems gemäß dem modifizierten Beispiel.

Beschreibung der Ausführungsformen
Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. In jeder der Zeichnungen sind gleiche oder sich entsprechende Elemente durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und eine wiederholte Beschreibung davon entfällt.
[Konfiguration der Inspektionsvorrichtung]
Wie in 1 gezeigt, umfasst eine Inspektionsvorrichtung 1 einen Tisch 2, eine Laserbestrahlungseinheit 3 (ein Bestrahlungsabschnitt), eine Vielzahl von Abbildungseinheiten 4, 5 und 6, eine Antriebseinheit 7, einen Steuerabschnitt 8 und eine Anzeige 150 (einen Eingabeabschnitt und einen Anzeigeabschnitt). Die Inspektionsvorrichtung 1 ist eine Vorrichtung, die einen modifizierten Bereich 12 in einem Zielobjekt 11 durch Bestrahlung des Zielobjekts 11 mit einem Laserstrahl L bildet.
Der Tisch 2 trägt das Zielobjekt 11, indem er beispielsweise eine am Zielobjekt 11 angebrachte Folie adsorbiert. Der Tisch 2 kann sich entlang einer X-Richtung und einer Y-Richtung bewegen und sich um eine Achse drehen, die parallel zu einer Z-Richtung als Mittellinie verläuft. Die X- und Y-Richtung sind eine erste horizontale Richtung und eine zweite horizontale Richtung, die senkrecht zueinander stehen, und die Z-Richtung ist eine vertikale Richtung.
Die Laserbestrahlungseinheit 3 bündelt den Laserstrahl L, der in Bezug auf das Zielobjekt 11 durchlässig ist, und bestrahlt das Zielobjekt 11. Wenn der Laserstrahl L innerhalb des Zielobjekts 11, das von dem Tisch 2 gehalten wird, konzentriert wird, wird der Laserstrahl L insbesondere in einem Bereich absorbiert, der einem Kondensationspunkt C des Laserstrahls L entspricht, und der modifizierte Bereich 12 wird innerhalb des Zielobjekts 11 gebildet.
Der modifizierte Bereich 12 ist ein Bereich, in dem sich Dichte, Brechungsindex, mechanische Festigkeit und andere physikalische Eigenschaften von denen des umgebenden nicht modifizierten Bereichs unterscheiden. Der modifizierte Bereich 12 umfasst beispielsweise einen Schmelzverarbeitungsbereich, einen Rissbereich, einen Isolationsdurchbruchsbereich, einen Brechungsindexänderungsbereich und dergleichen. Der modifizierte Bereich 12 hat die Eigenschaft, dass sich ein Riss leicht vom modifizierten Bereich 12 zur Einfallsseite des Laserstrahls L und zur gegenüberliegenden Seite erstreckt. Diese Eigenschaften des modifizierten Bereichs 12 werden zum Schneiden des Zielobjekts 11 genutzt.
Wenn beispielsweise der Tisch 2 in X-Richtung bewegt wird und der Kondensationspunkt C relativ zum Zielobjekt 11 in X-Richtung bewegt wird, werden mehrere modifizierte Punkte 12s gebildet, die in einer Reihe in X-Richtung angeordnet werden. Ein modifizierter Punkt 12s wird durch Bestrahlung mit einem Puls des Laserstrahls L gebildet. Der modifizierte Bereich 12 in einer Reihe ist ein Satz aus einer Vielzahl von modifizierten Punkten 12s, die in einer Reihe angeordnet sind. Benachbarte modifizierte Punkte 12s können miteinander verbunden oder voneinander getrennt sein, je nach der relativen Bewegungsgeschwindigkeit des Kondensationspunktes C in Bezug auf das Zielobjekt 11 und der Wiederholungsfrequenz des Laserstrahls L.
Die Abbildungseinheit 4 nimmt ein Bild des im Zielobjekt 11 gebildeten modifizierten Bereichs 12 und eines Spitzenendes eines Risses auf, der sich von dem modifizierten Bereich 12 aus erstreckt.
Unter der Steuerung des Steuerabschnitts 8 nehmen die Abbildungseinheit 5 und die Abbildungseinheit 6 ein Bild des von dem Tisch 2 getragenen Zielobjekts 11 durch Licht auf, das durch das Zielobjekt 11 hindurchgeht. Das von den Abbildungseinheiten 5 und 6 erhaltene Bild wird beispielsweise zur Ausrichtung einer Bestrahlungsposition des Laserstrahls L verwendet.
Die Antriebseinheit 7 trägt die Laserbestrahlungseinheit 3 und die Vielzahl von Abbildungseinheiten 4, 5 und 6. Die Antriebseinheit 7 bewegt die Laserbestrahlungseinheit 3 und die Vielzahl der Abbildungseinheiten 4, 5 und 6 in Z-Richtung.
Der Steuerabschnitt 8 steuert den Betrieb des Tisches 2, der Laserbestrahlungseinheit 3, der mehreren Abbildungseinheiten 4, 5 und 6 sowie der Antriebseinheit 7. Der Steuerabschnitt 8 ist als eine Computervorrichtung konfiguriert, die einen Prozessor, einen Langzeitspeicher, einen Kurzzeitspeicher, eine Kommunikationsvorrichtung und dergleichen umfasst. Im Steuerabschnitt 8 führt der Prozessor Software (ein Programm) aus, die in den Speicher oder ähnliches eingelesen wird, und das Lesen und Schreiben von Daten im Langzeitspeicher und im Kurzzeitspeicher sowie die Kommunikation durch die Kommunikationsvorrichtung werden gesteuert.
Die Anzeige 150 hat eine Funktion als Eingabeabschnitt zum Empfang einer Informationseingabe von einem Benutzer und eine Funktion als Anzeigeabschnitt zur Anzeige von Informationen für den Benutzer.
[Konfiguration des Zielobjekts]
Das Zielobjekt 11 der vorliegenden Ausführungsform ist ein Wafer 20, wie in den 2 und 3 dargestellt. Der Wafer 20 umfasst ein Halbleitersubstrat 21 und eine Funktionselementschicht 22. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer 20 als mit der Funktionselementschicht 22 versehen beschrieben, aber der Wafer 20 muss die Funktionselementschicht 22 nicht aufweisen und kann ein Rohwafer sein. Das Halbleitersubstrat 21 hat eine Vorderfläche 21a (eine zweite Fläche) und eine Rückfläche 21b (eine erste Fläche). Das Halbleitersubstrat 21 ist z. B. ein Siliziumsubstrat. Die Funktionselementschicht 22 ist auf der Vorderfläche 21 a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet. Die Funktionselementschicht 22 umfasst eine Vielzahl von Funktionselementen 22a, die zweidimensional entlang der Vorderfläche 21a angeordnet sind. Das Funktionselement 22a ist beispielsweise ein Lichtempfangselement wie eine Fotodiode, ein Lichtemissionselement wie eine Laserdiode, ein Schaltungselement wie ein Speicher oder ähnliches. Das Funktionselement 22a kann dreidimensional konfiguriert werden, indem eine Vielzahl von Schichten übereinandergelegt wird. Obwohl in dem Halbleitersubstrat 21 eine Kerbe 21c vorgesehen ist, die eine Kristallorientierung anzeigt, kann anstelle der Kerbe 21c auch eine Orientierungsfläche vorgesehen werden.
Der Wafer 20 wird entlang jeder einer Vielzahl von Linien 15 für jedes der Funktionselemente 22a geschnitten. Die mehreren Linien 15 verlaufen in einer Dickenrichtung des Wafers 20 betrachtet zwischen den mehreren Funktionselementen 22a. Genauer gesagt verläuft die Linie 15 durch einen Mittelpunkt eines Sägegrabenbereichs 23 (einen Mittelpunkt in einer Breitenrichtung), aus Sicht der Dickenrichtung des Wafers 20. Der Sägegrabenbereich 23 erstreckt sich so, dass er zwischen benachbarten Funktionselementen 22a in der Funktionselementschicht 22 verläuft. In der vorliegenden Ausführungsform sind die mehreren Funktionselemente 22a in einer Matrix entlang der Vorderfläche 21a angeordnet, und die mehreren Linien 15 sind in einem Gittermuster angeordnet. Die Linie 15 ist hier eine virtuelle Linie, kann aber auch eine tatsächlich gezeichnete Linie sein.
[Konfiguration der Laserbestrahlungseinheit]
Wie in 4 dargestellt, umfasst die Laserbestrahlungseinheit 3 eine Lichtquelle 31, einen räumlichen Lichtmodulator 32 und eine Kondensorlinse 33. Die Lichtquelle 31 gibt den Laserstrahl L beispielsweise durch ein Pulsoszillationsverfahren aus. Der räumliche Lichtmodulator 32 moduliert den von der Lichtquelle 31 ausgegebenen Laserstrahl L. Der räumliche Lichtmodulator 32 ist z. B. ein räumlicher Lichtmodulator (SLM) aus einem Flüssigkristall auf Silizium (LCOS). Die Kondensorlinse 33 bündelt den durch den räumlichen Lichtmodulator 32 modulierten Laserstrahl L. Bei der Kondensorlinse 33 kann es sich um eine Korrekturringlinse handeln.
In der vorliegenden Ausführungsform bildet die Laserbestrahlungseinheit 3 zwei Reihen von modifizierten Bereichen 12a und 12b innerhalb des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der mehreren Linien 15, indem der Wafer 20 mit dem Laserstrahl L von der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der mehreren Linien 15 bestrahlt wird. Der modifizierte Bereich 12a ist ein modifizierter Bereich, der der Vorderfläche 21a in den beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b am nächsten liegt. Der modifizierte Bereich 12b ist ein modifizierter Bereich, der dem modifizierten Bereich 12a in den beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b am nächsten liegt und ein modifizierter Bereich, der der Rückfläche 21 b am nächsten liegt.
Die beiden Reihen von modifizierten Bereichen 12a und 12b liegen in Dickenrichtung (Z-Richtung) des Wafers 20 nebeneinander. Die beiden Reihen modifizierter Bereiche 12a und 12b werden durch Verschieben zweier Kondensationspunkte C1 und C2 relativ zum Halbleitersubstrat 21 entlang der Linie 15 gebildet. Der Laserstrahl L wird durch den räumlichen Lichtmodulator 32 so moduliert, dass sich beispielsweise der Kondensationspunkt C2 auf der Rückfläche in Fahrtrichtung und auf der Einfallseite des Laserstrahls L in Bezug auf den Kondensationspunkt C1 befindet. Die Bildung des modifizierten Bereichs kann ein- oder mehrfokal sein und in einem oder mehreren Durchgängen erfolgen.
Die Laserbestrahlungseinheit 3 bestrahlt den Wafer 20 mit dem Laserstrahl L von der Rückfläche 21 b des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der Vielzahl von Linien 15. Als Beispiel für das Halbleitersubstrat 21, das ein einkristallines Siliziumsubstrat mit einer Dicke von 775 µm ist, werden die beiden Kondensationspunkte C1 und C2 an einer Position von 54 µm bzw. einer Position von 128 µm von der Vorderfläche 21a fokussiert, und der Wafer 20 wird mit dem Laserstrahl L von der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der Vielzahl von Linien 15 bestrahlt. Zu diesem Zeitpunkt, wenn beispielsweise die Bedingung erfüllt ist, dass ein Riss 14, der sich über die beiden Reihen modifizierter Bereiche 12a und 12b erstreckt, die Vorderfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 erreicht, beträgt die Wellenlänge des Laserstrahls L 1099 nm, die Pulsbreite 700 ns und die Repetitionsfrequenz 120 kHz. Ferner beträgt die Leistung des Laserstrahls L am Kondensationspunkt C1 2,7 W, die Leistung des Laserstrahls L am Kondensationspunkt C2 2,7 W, und die relative Bewegungsgeschwindigkeit der beiden Kondensationspunkte C1 und C2 in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 beträgt 800 mm/sec.
Die Bildung der beiden Reihen von modifizierten Bereichen 12a und 12b und des Risses 14 erfolgt im folgenden Fall. Das heißt, dies ist ein Fall, in dem in einem späteren Schritt beispielsweise das Halbleitersubstrat 21 durch Schleifen der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 ausgedünnt wird, der Riss 14 auf der Rückfläche 21 b freigelegt wird und der Wafer 20 in eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen entlang jeder der Vielzahl von Linien 15 geschnitten wird.
[Konfiguration der Inspektionsabbildungseinheit]
Wie in 5 dargestellt, umfasst die Abbildungseinheit (ein Abbildungselement) 4 eine Lichtquelle 41, einen Spiegel 42, eine Objektivlinse 43 und ein Lichterfassungsabschnitt 44. Die Abbildungseinheit 4 nimmt ein Bild des Wafers 20 auf. Die Lichtquelle 41 gibt Licht I1 ab, das für das Halbleitersubstrat 21 durchlässig ist. Die Lichtquelle 41 besteht beispielsweise aus einer Halogenlampe und einem Filter und gibt das Licht I1 in einem nahen Infrarotbereich ab. Das von der Lichtquelle 41 ausgegebene Licht I1 wird von dem Spiegel 42 reflektiert, passiert die Objektivlinse 43 und bestrahlt den Wafer 20 von der Rückfläche 21 b des Halbleitersubstrats 21. Zu diesem Zeitpunkt trägt der Tisch 2 den Wafer 20, in dem die beiden Reihen modifizierter Bereiche 12a und 12b wie zuvor beschrieben ausgebildet sind.
Die Objektivlinse 43 lässt das von der Vorderfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 reflektierte Licht I1 durch. Das heißt, die Objektivlinse 43 lässt das sich durch das Halbleitersubstrat 21 ausbreitende Licht I1 durch. Die numerische Apertur (NA) der Objektivlinse 43 beträgt z. B. 0,45 oder mehr. Die Objektivlinse 43 hat einen Korrekturring 43a. Der Korrekturring 43a korrigiert die im Licht I1 im Halbleitersubstrat 21 erzeugte Aberration, indem er beispielsweise den Abstand zwischen einer Vielzahl von Linsen, die die Objektivlinse 43 bilden, einstellt. Ein Mittel zum Korrigieren der Aberration ist nicht auf den Korrekturring 43a beschränkt und kann ein anderes Korrekturmittel wie ein räumlicher Lichtmodulator sein. Der Lichterfassungsabschnitt 44 erfasst das Licht 11, das durch die Objektivlinse 43 und den Spiegel 42 hindurchgegangen ist. Der Lichterfassungsabschnitt 44 ist beispielsweise als InGaAs-Kamera konfiguriert und detektiert das Licht I1 im Nahinfrarotbereich. Ein Mittel zum Erfassen (Abbilden) des Lichts I1 im nahen Infrarotbereich ist nicht auf die InGaAs-Kamera beschränkt, und es können auch andere Abbildungsmittel verwendet werden, solange diese eine Abbildung vom Übertragungstyp durchführen können, wie beispielsweise ein konfokales Mikroskop vom Übertragungstyp.
Die Abbildungseinheit 4 kann die beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b sowie die Spitzenenden einer Vielzahl von Rissen 14a, 14b, 14c und 14d abbilden (Einzelheiten werden weiter unten beschrieben). Der Riss 14a ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12a in Richtung der Vorderfläche 21a erstreckt. Der Riss 14b ist ein Riss, der sich vom modifizierten Bereich 12a zur Rückfläche 21b hin erstreckt. Der Riss 14c ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Vorderfläche 21a erstreckt. Der Riss 14d ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12b zur Rückfläche 21b erstreckt.
[Konfiguration der Abbildungseinheit für die Ausrichtungskorrektur]
Wie in 6 dargestellt, umfasst die Abbildungseinheit 5 eine Lichtquelle 51, einen Spiegel 52, eine Linse 53 und ein Lichterfassungsabschnitt 54. Die Lichtquelle 51 gibt Licht I2 aus, das für das Halbleitersubstrat 21 durchlässig ist. Die Lichtquelle 51 besteht z. B. aus einer Halogenlampe und einem Filter und gibt das Licht I2 im nahen Infrarotbereich aus. Die Lichtquelle 51 kann gemeinsam mit der Lichtquelle 41 der Abbildungseinheit 4 verwendet werden. Das von der Lichtquelle 51 ausgegebene Licht I2 wird von dem Spiegel 52 reflektiert, gelangt durch die Linse 53 und bestrahlt den Wafer 20 von der Rückfläche 21 b des Halbleitersubstrats 21.
Die Linse 53 lässt das von der Vorderfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 reflektierte Licht I2 durch. Das heißt, die Linse 53 lässt das Licht I2, das sich durch das Halbleitersubstrat 21 ausbreitet, durch. Eine numerische Apertur der Linse 53 beträgt 0,3 oder weniger. Das heißt, die numerische Apertur des Objektivs 43 der Abbildungseinheit 4 ist größer als die numerische Apertur der Linse 53. Der Lichterfassungsabschnitt 54 erfasst das Licht I2, das durch die Linse 53 und den Spiegel 52 gelangt ist. Der Lichterfassungsabschnitt 55 ist beispielsweise als InGaAs-Kamera ausgeführt und erfasst das Licht I2 im nahen Infrarotbereich.
Unter der Steuerung des Steuerabschnitts 8 nimmt die Abbildungseinheit 5 ein Bild der Funktionselementschicht 22 auf, indem sie den Wafer 20 mit dem Licht I2 von der Rückfläche 21 b aus bestrahlt und das von der Vorderfläche 21a (der Funktionselementschicht 22) zurückkehrende Licht I2 erfasst. In ähnlicher Weise nimmt die Abbildungseinheit 5 unter der Steuerung des Steuerabschnitts 8 ein Bild eines Bereichs auf, der die modifizierten Bereiche 12a und 12b enthält, indem der Wafer 20 mit dem Licht I2 von der Rückfläche 21b bestrahlt wird und das Licht I2 erfasst wird, das von den Bildungspositionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b im Halbleitersubstrat 21 zurückkehrt. Die Bilder werden für die Ausrichtung einer Bestrahlungsposition des Laserstrahls L verwendet. Die Abbildungseinheit 6 hat die gleiche Konfiguration wie die Abbildungseinheit 5, außer dass die Linse 53 eine geringere Vergrößerung (z. B. 6-fach in der Abbildungseinheit 5 und 1,5-fach in der Abbildungseinheit 6) als die Linse 53 hat und für die Ausrichtung wie in der Abbildungseinheit 5 verwendet wird.
[Abbildungsprinzip der Inspektionsabbildungseinheit]
Wie in 7 gezeigt, wird ein Brennpunkt F (ein Brennpunkt der Objektivlinse 43) von der Seite der Rückfläche 21 b zur Seite der Vorderfläche 21a in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 bewegt, wobei der Riss 14, der sich über die beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b erstreckt, die Vorderfläche 21a erreicht, unter Verwendung der in 5 gezeigten Abbildungseinheit 4. Wenn in diesem Fall der Brennpunkt F von der Rückfläche 21 b aus auf ein Spitzenende 14e des Risses 14 fokussiert wird, der sich von dem modifizierten Bereich 12b zur Rückfläche 21b erstreckt, kann das Spitzenende 14e bestätigt werden (ein Bild auf der rechten Seite in 7). Aber auch wenn der Brennpunkt F auf den Riss 14 selbst und das Spitzenende 14e des Risses 14 fokussiert wird, das die Vorderfläche 21a von der Rückfläche 21b erreicht, können der Riss 14 und das Spitzenende 14e des Risses 14 nicht bestätigt werden (ein Bild auf der linken Seite in 7). Wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf die Vorderfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 fokussiert wird, kann die Funktionselementschicht 22 bestätigt werden.
Wie in 8 gezeigt, wird der Brennpunkt F von der Seite der Rückfläche 21b zur Seite der Vorderfläche 21a in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 verschoben, wobei die Risse 14, die sich über die beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b erstrecken, die Vorderfläche 21a nicht erreichen, unter Verwendung der in 5 gezeigten Abbildungseinheit 4. In diesem Fall kann selbst dann, wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b auf das Spitzenende 14e des Risses 14 fokussiert wird, der sich vom modifizierten Bereich 12a zur Vorderfläche 21a erstreckt, das Spitzenende 14e nicht bestätigt werden (ein Bild auf der linken Seite in 8). Wenn jedoch der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b auf einen Bereich gegenüber der Rückfläche 21b (d. h. einen Bereich auf der Seite der Funktionselementschicht 22 in Bezug auf die Vorderfläche 21a) in Bezug auf die Vorderfläche 21a fokussiert wird und sich ein virtueller Brennpunkt Fv symmetrisch zum Brennpunkt F in Bezug auf die Vorderfläche 21a am Spitzenende 14e befindet, kann das Spitzenende 14e bestätigt werden (ein Bild auf der rechten Seite in 8). Der virtuelle Brennpunkt Fv ist ein Punkt, der unter Berücksichtigung des Brechungsindex des Halbleitersubstrats 21 und der Vorderfläche 21a symmetrisch zum Brennpunkt F ist.
Es wird vermutet, dass der Grund, warum der Riss 14 selbst nicht wie zuvor beschrieben bestätigt werden kann, darin liegt, dass die Breite des Risses 14 kleiner ist als die Wellenlänge des Lichts I1, das das Bestrahlungslicht ist. 9 und 10 sind rasterelektronenmikroskopische (SEM) Bilder des modifizierten Bereichs 12 und des Risses 14, der innerhalb des Halbleitersubstrats 21, das ein Siliziumsubstrat ist, gebildet wurde. 9(b) ist ein vergrößertes Bild eines in 9(a) gezeigten Bereichs A1, 10(a) ist ein vergrößertes Bild eines in 9(b) gezeigten Bereichs A2, und 10(b) ist ein vergrößertes Bild eines in 10(a) gezeigten Bereichs A3. Wie zuvor beschrieben, beträgt die Breite des Risses 14 etwa 120 nm, der somit kleiner ist als die Wellenlänge (zum Beispiel 1,1 bis 1,2 µm) des Lichts I1 im nahen Infrarotbereich.
Das oben angenommene Abbildungsprinzip ist wie folgt. Wie in 11(a) gezeigt, wird das Licht I1 nicht zurückgeworfen, wenn sich der Brennpunkt F in der Luft befindet, und somit wird ein schwärzliches Bild erhalten (ein Bild auf der rechten Seite in 11(a)). Wie in 11(b) gezeigt, wird das von der Vorderfläche 21a reflektierte Licht I1 zurückgeworfen, wenn sich der Brennpunkt F innerhalb des Halbleitersubstrats 21 befindet, so dass ein weißliches Bild entsteht (ein Bild auf der rechten Seite in 11(b)). Wie in 11(c) gezeigt, kann, wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf den modifizierten Bereich 12 fokussiert wird, da Absorption, Streuung oder ähnliches eines Teils des von der Vorderfläche 21a reflektierten und zurückgeworfenen Lichts I1 aufgrund des modifizierten Bereichs 12 auftritt, ein Bild erhalten werden, in dem der modifizierte Bereich 12 vor einem weißlichen Hintergrund schwärzlich erscheint (ein Bild auf der rechten Seite in 11(c)).
Wie in 12(a) und 12(b) gezeigt, wenn der Brennpunkt F auf das Spitzenende 14e des Risses 14 von der Seite der Rückfläche 21b aus fokussiert wird, da beispielsweise Streuung, Reflexion, Interferenz, Absorption oder ähnliches für einen Teil des von der Vorderfläche 21a reflektierten und zurückgeworfenen Lichts I1 aufgrund optischer Besonderheiten (Spannungskonzentration, Dehnung, Diskontinuität der atomaren Dichte und dergleichen), die in der Nähe des Spitzenendes 14e erzeugt werden, Lichtbegrenzung, die in der Nähe des Spitzenendes 14e erzeugt wird, und dergleichen auftritt, kann ein Bild erhalten werden, in dem das Spitzenende 14e schwärzlich vor einem weißlichen Hintergrund erscheint (ein Bild auf der rechten Seite in den 12(a) und 12(b)). Wie in 12(c) gezeigt, wird ein weißliches Bild erhalten, wenn der Brennpunkt F auf einen anderen Bereich als die Nähe des Spitzenendes 14e des Risses 14 von der Rückfläche 21b aus fokussiert wird, da zumindest ein Teil des von der Vorderfläche 21a reflektierten Lichts I1 zurückgeworfen wird (ein Bild auf der rechten Seite in 12(c)).
[Verfahren der Ableitung der Bearbeitungsbedingungen]
Im Folgenden wird ein Verfahren zur Ableitung von Bearbeitungsbedingungen beschrieben, das als Vorbehandlung für ein Verfahren zur Bildung des modifizierten Bereichs zum Zwecke des Schneidens des Wafers 20 durchgeführt wird. Die Bearbeitungsbedingung ist ein auf die Verarbeitung bezogenes Anleitungsrezept, das Bedingungen und Verfahren für die Verarbeitung des Wafers 20 angibt. Der Steuerabschnitt 8 ist so konfiguriert, dass er die Bearbeitungsbedingung einschließlich der Bestrahlungsbedingung eines Laserstrahls durch die Laserbestrahlungseinheit 3 auf der Grundlage der von der Anzeige 150 empfangenen Informationen bestimmt (ein Bearbeitungsbedingungs-Bestimmungsprozess), um die Laserbestrahlungseinheit 3 so zu steuern, dass der Wafer 20 mit dem Laserstrahl unter der bestimmten Bearbeitungsbedingung bestrahlt wird (ein Bearbeitungsprozess), um ein Laserbearbeitungsergebnis des Wafers 20 aufgrund der Bestrahlung des Laserstrahls zu erfassen, indem die Abbildungseinheit 4 gesteuert wird, um ein Bild des Wafers 20 aufzunehmen (ein Bearbeitungsergebnis-Erfassungsprozess), und um den Bearbeitungsbedingung basierend auf dem Laserbearbeitungsergebnis zu bewerten (ein Bearbeitungsbedingungs-Bewertungsprozess).
(Verfahren zur Bestimmung der Bearbeitungsbedingungen)
Der Schritt des Bestimmens der Bearbeitungsbedingungen wird unter Bezugnahme auf die 13 bis 21 beschrieben. Bei der Bestimmung der Bearbeitungsbedingung empfängt die Anzeige 150 zunächst eine Benutzereingabe von Wafer-Bearbeitungsinformationen, einschließlich Informationen über den Wafer 20 und ein Laserbearbeitungsziel für den Wafer 20. Das Laserbearbeitungsziel ist eine Information, die den Inhalt der vom Benutzer gewünschten Laserbearbeitung angibt. 13 bis 15 sind Beispiele für eine Einstellungsanzeige (eine Benutzereingabe-/-empfangsanzeige) der Wafer-Bearbeitungsinformationen, die auf der Anzeige 150 angezeigt werden. 13 ist eine Einstellungsanzeige für ein Bearbeitungsverfahren (Informationen, die in der zuvor beschriebenen Laserbearbeitungsvorgabe enthalten sind), 14 ist eine Einstellungsanzeige für Wafer-Informationen (Informationen, die in den zuvor beschriebenen Informationen über Wafer 20 enthalten sind), und 15 ist eine Einstellungsanzeige für Bearbeitungseinstellungen (Informationen, die in der zuvor beschriebenen Laserbearbeitungsvorgabe enthalten sind). Hier werden das Bearbeitungsverfahren (13), die Wafer-Informationen (14) und die Bearbeitungseinstellungen (15) in dieser Reihenfolge beschrieben, aber die Reihenfolge der Einstellungen (die Reihenfolge der Bildschirmanzeige) ist nicht darauf beschränkt.
Wie in 13 gezeigt, empfängt die Anzeige 150 zunächst die Benutzereingabe des Bearbeitungsverfahrens. Als Bearbeitungsverfahren gibt es zum Beispiel weitgehend Stealth-Dicing-Verfahren nach dem Schleifen (SDAG) und Stealth-Dicing-Verfahren vor dem Schleifen (SDBG). Bei dem SDAG handelt es sich um ein Bearbeitungsverfahren, bei dem das Stealth-Dicing-Verfahren nach dem Schleifen des Wafers 20 durchgeführt wird. Das SDBG ist ein Verfahren, bei dem das Stealth-Dicing-Verfahren vor dem Schleifen des Wafers 20 durchgeführt wird. Im Einzelnen wird das SDAG in drei Arten unterteilt, z. B. SDAG (Einfall von der Vorderfläche), SDAG (Einfall von der Rückfläche) und SDAG (Bearbeitung durch Band). Die SDAG (Einfall von der Vorderfläche) ist ein Bearbeitungsverfahren, bei dem ein Laser nach dem Schleifen des Wafers 20 von der Vorderfläche 21a abgestrahlt wird, und ist ein Bearbeitungsverfahren, das verwendet wird, wenn sich kein TEG auf der Einfallsfläche befindet, wie z. B. bei MEMS, und eine Sägegrabenbreite gewährleistet werden kann. Das SDAG (Einfall von der Rückfläche) ist ein Bearbeitungsverfahren, das verwendet wird, wenn sich ein TEG auf der Vorderfläche 21a befindet oder wenn die Sägegrabenbreite verringert werden soll. Das SDAG (Verarbeitung durch Band) wird verwendet, wenn ein Bandweitergabeschritt reduziert werden soll. Im Einzelnen wird das SDBG in zwei Arten unterteilt, z. B. SDBG (Einfall von der Vorderfläche) und SDBG (Einfall von der Rückfläche). Im Folgenden wird ein Beispiel beschrieben, bei dem das SDBG (Einfall von der Rückfläche) als Bearbeitungsverfahren festgelegt wird.
Wie in 14 dargestellt, empfängt die Anzeige 150 anschließend die Benutzereingabe der Wafer-Informationen. Als Wafer-Informationen können zum Beispiel eine Waferdicke, eine Oberflächendicke, ein Wafer-Typ, ein Zustand einer Einfallsfläche, ein Widerstandswert (eine Dotierungsmenge), eine Index-Größe (ch1) und eine Index-Größe (ch2) eingestellt werden. Darunter kann z.B. die Einstellung der Waferdicke und der Zieldicke erforderlich sein. Die Waferdicke ist eine Information, die eine Dicke des Wafers 20 angibt. Die Waferdicke ist zum Beispiel eine Dicke, die sowohl das Halbleitersubstrat 21 (Silizium) als auch die Funktionselementschicht 22 (Muster) des Wafers 20 umfasst. Die Waferdicke kann getrennt für eine Silizium-Waferdicke und eine Strukturdicke festgelegt werden. Die Zieldicke ist z. B. eine Information, die die Dicke des Wafers 20 nach dem Schleifen angibt. Das heißt, es wird mit einer Schleifmaschine geschliffen, bis die Zieldicke erreicht ist. Nach dem Schleifen durch die Schleifmaschine werden ein Bandweitergabeschritt und ein Ausdehnungsschritt durchgeführt. Wenn ein Stealth-Dicing-Gerät und ein Schleifgerät (die Schleifmaschine) miteinander kommunizieren können, können Informationen über die Zieldicke zwischen den beiden Geräten ausgetauscht werden. Bei der Zieldicke handelt es sich beispielsweise um eine Dicke, die sowohl das Halbleitersubstrat 21 (Silizium) als auch die Funktionselementschicht 22 (Muster) des Wafers 20 umfasst. Die Zieldicke kann für die Dicke des Siliziumwafers und die Dicke des Musters getrennt eingestellt werden. Informationen über die Dicke des Musters, die laminierte Struktur und dergleichen werden beispielsweise verwendet, wenn der Steuerabschnitt 8 die Länge des Risses 14 schätzt. Anstelle der Zieldicke kann auch ein Schleifbetrag eingestellt werden.
Der Wafer-Typ ist zum Beispiel ein Typ wie ein „0°“-Produkt oder ein „45°“-Produkt entsprechend einer Position der Kerbe. Wenn z.B. 45° als Wafer-Typ eingestellt ist, wird BHC (Bottom-Side Half-Cut) in einem BHC-Zustand der Bearbeitungseinstellung, die weiter unten beschrieben wird, empfohlen. Der Ausdruck „BHC“ ist ein Begriff, der einen Zustand bezeichnet, in dem der Riss 14 die Vorderfläche 21a erreicht (d. h. ein Riss-Erreichungszustand). Für einen BHC reicht es aus, dass der Riss 14 die Vorderfläche 21a erreicht, und es spielt keine Rolle, ob der Riss 14 eine Musteroberfläche (eine Fläche der Funktionselementschicht 22) erreicht oder nicht. Wenn 0° als Wafer-Typ eingestellt ist, werden sowohl Stealth (ST) als auch BHC im BHC-Zustand der weiter unten beschriebenen Bearbeitungseinstellung empfohlen. Der Ausdruck „ST“ ist ein Begriff, der einen Zustand angibt, in dem der Riss 14 die Rückfläche 21b und die Vorderfläche 21a nicht erreicht. Ein Zustand der Einfallsfläche ist eine Information, die einen Filmtyp (einen Brechungsindex), eine Filmdicke und ähnliches der Einfallsfläche angibt. Ein Reflexionsgrad wird vom Steuerabschnitt 8 auf der Grundlage des Zustands der Einfallsfläche, der Laserwellenlänge und dergleichen berechnet, und die Leistung des Laserstrahls wird bestimmt. Der Widerstandswert (die Dotierungsmenge) ist ein Widerstandswert (im Falle der Dotierungsmenge ein Wert, der durch Umrechnung der Dotierungsmenge in den Widerstandswert erhalten wird). Eine Ankunftsgeschwindigkeit wird vom Steuerabschnitt 8 auf der Grundlage des Widerstandswertes, der Laserwellenlänge und dergleichen berechnet, und die Ausgabe des Laserstrahls wird bestimmt. Die Indexgröße ist eine Information, die zur Bestimmung eines Indexwertes einer Vereinzelungsvorrichtung und dergleichen verwendet wird. Wenn ein unbekannter Wafer 20 verarbeitet wird, sind der Wafer-Typ, der Zustand der Einfallsfläche, der Widerstandswert und dergleichen unbekannt und können nicht eingestellt werden.
Wie in 15 gezeigt, empfängt die Anzeige 150 anschließend die Benutzereingabe für die Bearbeitungseinstellung. Darüber hinaus können einige einer Vielzahl von Informationen der Bearbeitungseinstellung automatisch auf der Grundlage des zuvor beschriebenen Bearbeitungsverfahrens und der Wafer-Informationen eingestellt werden. Als Bearbeitungseinstellungen können z.B. ein BHC-Zustand (Information über das Erreichen des Risses), ein Si-Restbetrag (Information, die eine angenommene Ausdehnung des Risses angibt), die Anzahl der Durchgänge, eine Geschwindigkeit, ein Zielquerschnitt und ein Spritzbereich eingestellt werden. Darunter kann zum Beispiel die Einstellung des BHC-Zustands erforderlich sein. Der BHC-Zustand ist eine Information, die entweder den BHC oder den ST angibt. Das heißt, der BHC-Zustand ist eine Information über die Rissreichweite, die angibt, ob der Riss, der sich von dem modifizierten Bereich erstreckt, der gebildet wird, wenn der Wafer 20 mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, die Vorderfläche 21a des Wafers 20 erreicht oder nicht erreicht. Wenn der ST auf den BHC-Zustand eingestellt ist, kann die zuvor beschriebene Si-Restmenge eingestellt werden. Die Si-Restmenge ist eine Länge von der Ankunftsposition des Risses 14 nach der ST-Bearbeitung bis zur Vorderfläche 21a (eine Länge eines nach der ST-Bearbeitung verbleibenden Siliziumteils). Wenn die ST-Bearbeitung durchgeführt wird, um den Wafer 20 schließlich zu teilen, ist es notwendig, den Riss 14 zum Zeitpunkt des Schleifens auszudehnen, um den Riss 14 vor dem Ausdehnungsprozess in den BHC-Zustand zu bringen. Es ist üblich, dass der Benutzer die Ausdehnung des Risses 14 beim Schleifen erfasst und steuert. So ist es beispielsweise denkbar, die Ausdehnung des Risses 14 in der Schleifmaschine durch die Anzahl der Stufen einer Z-Höhe zu erfassen, die eine Bearbeitungstiefe (eine Höhe) angibt, wenn die Laserbearbeitung durchgeführt wird. Das heißt, es ist denkbar, dass der Benutzer die angenommene Ausdehnung des Risses 14 in der Schleifmaschine um die Anzahl der Stufen der Z-Höhe erfasst, zum Beispiel „um Z1“ (um eine Tiefe von einer Stufe der Z-Höhe) und „um Z2“ (um eine Tiefe von zwei Stufen der Z-Höhe). Daher ist es zum Zeitpunkt der ST-Bearbeitung möglich, den Wafer 20 zuverlässig zu teilen, während die ST-Bearbeitung durchgeführt und einen Vorteil der ST-Bearbeitung (eine Erhöhung der Bearbeitungsgeschwindigkeit oder eine Verringerung des Spritzens) zu nutzen, indem der angenommene Ausdehnungswert (die Anzahl der Stufen der Z-Höhe) des Risses 14 in der Schleifmaschine als der Si-Restbetrag eingestellt wird. Wenn die Z-Höhe während der Laserbearbeitung eingestellt wird, wird sie von einer Position, an der die BHC erreicht wird, um die eingestellte Z-Höhe um die Si-Restmenge in eine ST-Richtung (eine Richtung, in der der Riss 14 kürzer wird) verschoben. In einer Datenbank, die weiter unten beschrieben wird (eine Datenbank, in der die Wafer-Bearbeitungsinformationen und die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) in Verbindung miteinander gespeichert werden), kann ein Anleitungsrezept einschließlich der Si-Restmenge gespeichert werden. Die Si-Restmenge kann z.B. aus der Waferdicke und der Z-Höhe durch Messung eines Rissbetrags im ST-Zustand berechnet werden.
Die Anzahl der Durchgänge ist eine Information, die die Anzahl der Durchgänge und die Anzahl der Brennpunkte angibt. Die Anzahl der Durchgänge wird auf einen vom Benutzer gewünschten Wert eingestellt. In einem Fall, in dem die Bearbeitung mit der eingestellten Anzahl von Durchgängen nicht möglich ist, kann der Steuerabschnitt 8 die Anzahl der Durchgänge erhöhen, wenn die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) dem Benutzer vorgeschlagen werden oder wenn die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) korrigiert werden. Wenn die vielen über die Anzeige 150 empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen nicht passen, kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass eine Meldung angezeigt wird, die zur Korrektur auffordert. Die Geschwindigkeit ist eine Laserbearbeitungsgeschwindigkeit. Der Steuerabschnitt 8 bestimmt die Laserleistung, die Frequenz und den Pulsabstand unter Berücksichtigung der eingestellten Geschwindigkeit. Wenn die Bearbeitung mit der eingestellten Geschwindigkeit nicht möglich ist, kann der Steuerabschnitt 8 die Geschwindigkeit ändern, wenn die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) dem Benutzer vorgeschlagen werden oder wenn die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) korrigiert werden. Der Spritzbereich ist eine Information, die eine Breite des Spritzens angibt. Wenn der Spritzbereich schmal ist, kann der Steuerabschnitt 8 die Z-Höhe oder den Pulsabstand im ST-Zustand bestimmen oder die Bearbeitungsbedingungen festlegen, bei denen ein schwarzer Streifen erzeugt wird.
Der Zielquerschnitt ist eine Information, die angibt, ob der modifizierte Bereich (eine Stealth-Dicing-Schicht (SD-Schicht)), der bei der Bestrahlung des Wafers 20 mit dem Laserstrahl gebildet wird, nach Abschluss der Laserbearbeitung und der Endbearbeitung (Schleifen) auf einem Chipquerschnitt (Zielquerschnitt des Wafers 20) erscheint oder nicht. Da beim SDBG das Schleifen nach der Laserbearbeitung erfolgt, ist es möglich, die Endbearbeitung durchzuführen, ohne dass die SD-Schicht auf dem Chipquerschnitt verbleibt, je nach den Bedingungen. Da die SD-Schicht nicht auf dem Chipquerschnitt verbleibt, kann die Festigkeit des Chips verbessert und die Partikelanzahl reduziert werden. Die Bedingungen, unter denen „keine SD-Schicht“ für den Zielquerschnitt eingestellt werden kann, werden unter Bezugnahme auf 16 beschrieben. In 16(a) bis 16(d) bezeichnet SD1 den modifizierten Bereich. Es wird nun angenommen, dass für den Zielquerschnitt der Anzeige 150 in der Bearbeitungseinstellung „keine SD-Schicht“ eingestellt ist. In diesem Fall, wie in 16(a) gezeigt, bestimmt der Steuerabschnitt 8 die Bearbeitungsbedingungen, so dass die SD1 so eingestellt wird, dass eine Länge von einem unteren Ende der SD1 zur Vorderfläche 21a (ein Abstand des unteren Endes der SD1) länger ist als die in den Wafer-Informationen eingestellte Zieldicke. Wenn nun eine Risslänge länger ist als der Abstand des unteren Endes der SD1 im BHC-Zustand, wie in der linken Zeichnung von 16(b) gezeigt, oder wenn die Summe der Risslänge und des Si-Restbetrags länger ist als der Abstand des unteren Endes der SD1 im ST-Zustand, wie in der rechten Zeichnung von 16(b) gezeigt, bestimmt der Steuerabschnitt 8, dass „keine SD-Schicht“ für den Zielquerschnitt eingestellt werden kann. Andererseits, wie in 16(c) gezeigt, bestimmt der Steuerabschnitt 8 im ST-Zustand, wenn die Summe der Risslänge und des Si-Restbetrags kürzer ist als der Abstand des unteren Endes des SD1, dass „keine SD-Schicht“ für den Zielquerschnitt eingestellt werden kann. In diesem Fall kann der Steuerabschnitt 8 den Zielquerschnitt auf „mit SD-Schicht“ umstellen. Alternativ kann der Zielquerschnitt nach Ermessen des Benutzers auf „mit SD-Schicht“ umgestellt werden.
Wie in 15 gezeigt, kann auf einer Eingabeanzeige für die Bearbeitungseinstellungen ausgewählt werden, ob die beiden Punkte „Anzeige/Bestätigung eines Anleitungsrezepts vor der Verarbeitung“ und „Bestätigung des Verarbeitungsergebnisses vor der Anleitungsrezeptkorrektur“ implementiert sind oder nicht. Das Anleitungsrezept ist eine Information, die die Bearbeitungsbedingungen angibt. Wenn „Anzeige/Bestätigung eines Anleitungsrezepts vor der Bearbeitung“ ausgewählt ist und das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) durch den Steuerabschnitt 8 bestimmt wird, wird das Anleitungsrezept vor der Laserbearbeitung angezeigt. Wenn „Anzeige/Bestätigung eines Anleitungsrezepts vor der Bearbeitung“ nicht ausgewählt ist und das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) vom Steuerabschnitt 8 bestimmt wird, wird die Laserbearbeitung ohne Anzeige des Anleitungsrezepts gestartet. Wenn „Bearbeitungsergebnis vor Anleitungsrezeptkorrektur bestätigen“ ausgewählt ist, wird das aktuelle Bearbeitungsergebnis vor der Anleitungsrezeptkorrektur (oder Anleitungsrezeptbestätigung) angezeigt. Wenn „Bearbeitungsergebnis vor der Anleitungsrezeptkorrektur bestätigen“ nicht ausgewählt ist und die Bearbeitung abgeschlossen ist, wird die Anleitungsrezeptkorrektur (oder die Anleitungsrezeptbestätigung) durchgeführt, ohne dass das aktuelle Bearbeitungsergebnis angezeigt wird. Wenn die in 15 gezeigte „Anleitungsrezepterstellung“ gedrückt wird, wird ein Anleitungsrezeptbestimmungsprozess durch den Steuerabschnitt 8 durchgeführt.
Der Steuerabschnitt 8 bestimmt das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) einschließlich der Bestrahlungsbedingungen des Laserstrahls durch die Laserbestrahlungseinheit 3 auf der Grundlage der Wafer-Bearbeitungsinformationen, die über die Anzeige 150 empfangen werden (eine Vielzahl von Informationen, die auf den Einstellungsanzeigen der 13 bis 15 empfangen werden). Der Steuerabschnitt 8 bestimmt das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen), das den über die Anzeige 150 empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen entspricht, indem er auf die Datenbank verweist, in der die Wafer-Bearbeitungsinformationen und das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) in Verbindung miteinander gespeichert sind. Genauer gesagt kann der Steuerabschnitt 8 das Anleitungsrezept, das den über die Anzeige 150 empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen entspricht, durch ein Computerprogramm bestimmen, das auf einem aus der Datenbank generierten Algorithmus oder einem Rückkopplungssteuerungsprogramm basiert, das sich auf die Datenbank bezieht. Die Datenbank kann in der Inspektionsvorrichtung 1 oder in einer externen Vorrichtung (einem Webserver) enthalten sein, die mit der Inspektionsvorrichtung 1 kommunizieren kann. Je nach Installationsort der Inspektionsvorrichtung 1 muss die Inspektionsvorrichtung 1 beispielsweise nicht an ein Netzwerk angeschlossen werden. Selbst in einem solchen Fall kann der Steuerabschnitt 8 in der Inspektionsvorrichtung 1 eine Funktion in Bezug auf die Datenbank ausführen, indem er eine Datenbank wie eine native Anwendung über ein elektronisches Medium (DVD, CD, USB-Speicher, SD-Karte und dergleichen) installiert. In einer solchen Konfiguration ist es zwar nicht möglich, eine Verbindung zu der Datenbank herzustellen, die zentral auf dem Webserver verwaltet wird, aber es ist möglich, Rückmeldeinformationen nur für einen bestimmten Benutzer zu sammeln, die Datenbank kontinuierlich zu aktualisieren und die Genauigkeit einer Inspektion gezielt und kontinuierlich zu verbessern, indem die Datenbank in der Inspektionsvorrichtung 1 individuell verwaltet wird. Wenn die Datenbank auf dem Webserver vorhanden ist, wird es außerdem einfacher, die Datenbank zentral zu verwalten, und es wird möglich, eine Inspektionsfunktion, die die Datenbank (eine Benutzer-DB) nutzt, durch die Veröffentlichung von Webanwendungen und Web-APls und die Verteilung nativer Anwendungen weithin bereitzustellen. Darüber hinaus kann die Genauigkeit der Inspektion umfassend und kontinuierlich verbessert werden, indem Rückmeldeinformationen von einer großen Anzahl von Benutzern gesammelt und die Datenbank kontinuierlich aktualisiert wird. 17 ist ein Diagramm, das die Anleitungsrezeptauswahl aus der Datenbank zeigt. 17 ist ein schematisches Diagramm zur Beschreibung der Bestimmung der Bearbeitungsbedingungen (des Anleitungsrezepts) unter Verwendung der Datenbank und zeigt nicht die tatsächlich in der Datenbank gespeicherten Informationen. Zum Beispiel ist in 17 ein Bild des Schätzungsergebnisses (das weiter unten beschrieben wird) für jedes Anleitungsrezept dargestellt, aber das Bild ist nicht unbedingt in der Datenbank gespeichert. Das Anleitungsrezept enthält die Wellenlänge, Pulsbreite, Frequenz und Geschwindigkeit des Laserstrahls, die die Bestrahlungsbedingungen (die Laserbedingungen) des Laserstrahls darstellen, und die Anzahl der Brennpunkte, die Informationen in Bezug auf die Bearbeitungspunkteinstellung/LBA-Einstellung, die Korrekturniveaus für sphärische Aberration und Astigmatismus in Bezug auf einen Kondensationszustand des Bearbeitungspunkts, die Z-Höhe, wenn ein modifizierter Bereich gebildet wird, und dergleichen sind.
Wie in 17 gezeigt, wird das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen), das den einzelnen Wafer-Bearbeitungsinformationen entspricht, in der Datenbank gespeichert. Der Steuerabschnitt 8 führt einen Abgleich mit den von der Anzeige 150 empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen (Eingabeinformationen) durch und wählt ein Anleitungsrezept, das den Wafer-Bearbeitungsinformationen entspricht, die den Eingabeinformationen in den in der Datenbank gespeicherten Wafer-Bearbeitungsinformationen am nächsten kommen, als vorgeschlagenes Anleitungsrezept aus. Der Abgleich kann mit Hilfe von künstlicher Intelligenz (KI) durchgeführt werden. Wie in 17 dargestellt, wird angenommen, dass „Waferdicke: 775 µm“, „Zieldicke: 50 µm“, „Wafer-Typ: 45 °“, „Zustand der Einfallsfläche“: SiO₂ Film von 50 nm", „Widerstandswert (Dotierungsmenge): 1 Ω ·cm“, „Bearbeitungsverfahren: SDBG (rückseitige Fläche)“, „BHC-Zustand: BHC“, „Anzahl der Durchgänge: 2 Brennpunkte 1 Durchgang“, „Geschwindigkeit: 800 mm/s“, „Zielquerschnitt: keine SD-Schicht“ und „Spritzbereich: Spritzer ±30 µm“ werden als Eingabeinformationen eingegeben. In diesem Fall bezieht sich der Steuerabschnitt 8 auf die Datenbank und wählt ein Anleitungsrezept (ein Anleitungsrezept ganz links) aus, in dem „Waferdicke t 775 µm“, „Zieldicke -60 µm“, „BHC-Bedingung“, „2 Brennpunkte 1 Durchgang“, „800 mm/s“, „keine SD-Schicht“ und „Spritzer±10“ als Informationen für die Wafer-Bearbeitung als vorgeschlagenes Anleitungsrezept festgelegt sind.
Wenn es eine Abweichung (ein abweichender Parameter) zwischen den Wafer-Bearbeitungsinformationen des vorgeschlagenen Anleitungsrezepts, das durch Ausführen des zuvor beschriebenen Anpassungsprozesses ausgewählt wurde, und den Wafer-Bearbeitungsinformationen der Eingabeinformationen gibt, kann der Steuerabschnitt 8 die Abweichung der Parameter durch Berechnung und Simulation korrigieren und das Anleitungsrezept, in dem die Parameter korrigiert werden, als das vorgeschlagene Anleitungsrezept bestimmen. Zum Beispiel kann der Steuerabschnitt 8 die Z-Höhe entsprechend einer Differenz in der Waferdicke korrigieren, wenn die Waferdicken voneinander verschieden sind, kann die Leistung des Laserstrahls entsprechend einer Differenz im Widerstandswert korrigieren, wenn die Widerstandswerte voneinander verschieden sind, kann die Frequenz des Laserstrahls entsprechend einer Differenz in der Geschwindigkeit korrigieren, wenn die Geschwindigkeit verschieden ist, und kann die Anzahl der Brennpunkte entsprechend einer Differenz in der Anzahl der Durchgänge korrigieren, wenn die Anzahl der Durchgänge verschieden ist.
Durch Zugreifen auf die Datenbank kann der Steuerabschnitt 8 eine Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten extrahieren, die Kandidaten für die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) sind, die den Wafer-Bearbeitungsinformationen entsprechen, die die Eingabe erhalten haben, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass die Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt wird. In dem in 18 gezeigten Beispiel extrahiert der Steuerabschnitt 8 drei Anleitungsrezeptkandidaten. Die Eingabedaten sind dieselben wie in dem zuvor beschriebenen Beispiel von 17. Zusätzlich werden ein am meisten empfohlenes Anleitungsrezept (das in 18 als „Vorschlag 1 empfohlen“ bezeichnete Anleitungsrezept), ein Anleitungsrezept mit Priorität auf Taktung (in 18 als „Vorschlag 2 mit Priorität auf Taktung“ bezeichnet) und ein Anleitungsrezept mit Priorität auf Teilungstoleranz (in 18 als „Vorschlag 3 mit Priorität auf Teilungstoleranz“ bezeichnet) extrahiert. Das am meisten empfohlene Anleitungsrezept ist zum Beispiel ein Anleitungsrezept mit dem höchsten Übereinstimmungsgrad mit den Eingabeinformationen (einem Übereinstimmungsgrad mit den Informationen zur Wafer-Bearbeitung). Das Anleitungsrezept mit Priorität auf Taktung ist zum Beispiel ein Anleitungsrezept mit einem relativ hohen Übereinstimmungsgrad mit den Eingabeinformationen (einem Übereinstimmungsgrad mit den Wafer-Bearbeitungsinformationen) und einer hohen Geschwindigkeit. Das Anleitungsrezept mit Priorität auf Taktung in 18 hat eine Geschwindigkeit von 1000 mm/s, was schneller ist als andere Anleitungsrezepte. Das Anleitungsrezept mit Priorität auf Teilungstoleranz ist beispielsweise ein Anleitungsrezept mit einem relativ hohen Übereinstimmungsgrad mit den Eingabeinformationen (einem Übereinstimmungsgrad mit den Wafer-Bearbeitungsinformationen) und einer großen Anzahl von Brennpunkten. Das Anleitungsrezept mit Priorität auf Teilungstoleranz in 18 hat drei Brennpunkte, und die Anzahl der Brennpunkte ist größer als bei anderen Anleitungsrezepten. Der Benutzer kann ein gewünschtes Anleitungsrezept auswählen, indem er die Vielzahl der Anleitungsrezeptkandidaten extrahiert und sie auf diese Weise auf der Anzeige 150 anzeigt. Der Steuerabschnitt 8 kann die Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten unter anderen Gesichtspunkten als den zuvor beschriebenen Empfehlungen, der Priorität auf Taktung und der Priorität auf Teilungstoleranz extrahieren und kann die Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten zum Beispiel unter dem Gesichtspunkt der Priorität auf Qualität (Mäanderbildung oder Partikelunterdrückung) extrahieren.
Der Steuerabschnitt 8 kann den Übereinstimmungsgrad mit den Wafer-Bearbeitungsinformationen (den Eingabeinformationen) ableiten, die eine Eingabe für jeden der mehreren Anleitungsrezeptkandidaten erhalten haben, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass die mehreren Anleitungsrezeptkandidaten in einem Anzeigemodus unter Berücksichtigung des Übereinstimmungsgrades angezeigt werden. Insbesondere kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass beispielsweise der Übereinstimmungsgrad in der Vielzahl der Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt wird, oder der Anleitungsrezeptkandidat mit einem hohen Übereinstimmungsgrad und der Anleitungsrezeptkandidat mit einem niedrigen Übereinstimmungsgrad separat angezeigt werden. Ferner kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass eine empfohlene Reihenfolge entsprechend dem Übereinstimmungsgrad der mehreren Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt wird. Ferner kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass eine Vielzahl von Informationen (Anleitungsrezeptfeatures) angezeigt wird, die dem Benutzer als Entscheidungsgrundlage für die Auswahl eines Anleitungsrezepts aus der Vielzahl der Anleitungsrezeptkandidaten dienen können.
Die Anzeige 150 empfängt eine Benutzereingabe zur Auswahl eines Anleitungsrezeptkandidaten in einem Zustand, in dem die Vielzahl der Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt wird. Dann kann der Steuerabschnitt 8 den Anleitungsrezeptkandidaten, der in der von der Anzeige 150 empfangenen Benutzereingabe ausgewählt wurde, als das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) bestimmen.
Der Steuerabschnitt 8 kann zusätzlich die Anzeige 150 so steuern, dass das ermittelte Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) angezeigt wird. 19 ist ein Beispiel für einen Anzeigebildschirm eines Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes (das weiter unten beschrieben wird). Wie in 19 gezeigt, wird der Inhalt des vorgeschlagenen Anleitungsrezepts auf der Anzeige 150 zusammen mit den empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen (den Eingabeinformationen) und dem Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild (das weiter unten beschrieben wird) angezeigt, wenn das vorgeschlagene Anleitungsrezept bestimmt wird. Der Inhalt des vorgeschlagenen Anleitungsrezeptes, das angezeigt werden soll, kann ein Teil der Informationen sein, die in dem ermittelten Anleitungsrezept (der Bearbeitungsbedingungen) enthalten sind. Das heißt, dass es Parameter geben kann, die intern beibehalten werden, ohne dem Benutzer für das Anleitungsrezept angezeigt zu werden. In einem in 19 gezeigten Beispiel werden als Inhalt des vorgeschlagenen Anleitungsrezeptes die Wellenlänge (Stufe 9), die Pulsbreite (Stufe 7), die Frequenz (Stufe 12), die Geschwindigkeit (800 mm/s) und dergleichen, die die Bestrahlungsbedingungen (die Laserbedingungen) des Laserstrahls darstellen, die Anzahl der Brennpunkte (Zwei-Brennpunkt-Bearbeitung), die Informationen in Bezug auf die Bearbeitungspunkteinstellung/LBA-Einstellung sind, und die Z-Höhe (Z173, Z155) in Bezug auf die Bildung der beiden Reihen modifizierter Bereiche SD1 und SD2 angezeigt.
Der Steuerabschnitt 8 kann ein Schätzungsbearbeitungsergebnis ableiten, wenn der Wafer 20 mit einem Laserstrahl durch die Laserbestrahlungseinheit 3 auf der Grundlage des bestimmten Anleitungsrezeptes (der Bearbeitungsbedingungen) bestrahlt wird, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass ein Schätzungsbearbeitungsergebnis-Bild, das ein Bild des Schätzungsbearbeitungsergebnisses ist, angezeigt wird. Genauer gesagt der Steuerabschnitt 8 so konfiguriert ist, dass er das Schätzungsverarbeitungsergebnis einschließlich der Information des modifizierten Bereichs, der auf dem Wafer 20 gebildet ist, und des Risses, der sich von dem modifizierten Bereich erstreckt, wenn der Wafer 20 mit einem Laserstrahl durch die Laserbestrahlungseinheit 3 basierend auf dem eingestellten Anleitungsrezept bestrahlt wird, ableitet und die Anzeige 150 so steuert, dass das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild, in dem ein Bilddiagramm des Wafers 20 und ein Bilddiagramm des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer 20 zusammen gezeichnet sind, unter Berücksichtigung des modifizierten Bereichs und der Position des Risses in dem Wafer 20, die als das Schätzungsverarbeitungsergebnis abgeleitet sind, angezeigt wird. Genauer gesagt ist das Schätzungsverarbeitungsergebnis die Position des modifizierten Bereichs, der Ausdehnungsbetrag des Risses, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, das Vorhandensein oder Fehlen von schwarzen Streifen und dergleichen, die auf der Grundlage der empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen (die Eingabeinformationen) und des bestimmten Anleitungsrezeptes geschätzt werden. Der Steuerabschnitt 8 steuert die Anzeige 150 so, dass das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) und das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild einander zugeordnet und gemeinsam angezeigt werden.
Wie in 19 gezeigt, wird das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild auf der Anzeige 150 zusammen mit den empfangenen Wafer-Bearbeitungsinformationen (den Eingabeinformationen) und dem Anleitungsrezept angezeigt. In dem in 19 gezeigten Beispiel sind die beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b auf der Anzeige 150 eingezeichnet, und der Riss 14, der sich über die beiden Reihen der modifizierten Bereiche 12a und 12b erstreckt, ist eingezeichnet. Die Positionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und des zu zeichnenden Risses 14 werden vom Steuerabschnitt 8 auf der Grundlage des Anleitungsrezepts abgeleitet. Das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild auf der Anzeige 150 zeigt nun A: BHC-Zustand (der BHC-Zustand ist erreicht), B: Keine schwarzen Streifen (es treten keine schwarzen Streifen auf), C: 65 µm, 92 µm, 140 µm und 171 µm (eine Zielposition eines unteren Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 65 µm, eine Zielposition eines oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 92 µm, eine Zielposition eines unteren Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 140 µm, und eine Zielposition eines oberen Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 171 µm in Bezug auf die Fläche 21a), D: 246 µm (eine Zielposition eines oberen Endes des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21b erstreckt, beträgt 246 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), E: die Waferdicke t von 775 µm (die Waferdicke beträgt 775 µm), die Zieldicke von 50 µm und dergleichen. Jeder Zielwert, z. B. eine Zielposition, kann in einem Bereich mit einer Breite anstelle eines einzelnen Punktwerts angezeigt werden.
Die Anzeige 150 kann eine Eingabe von ersten Korrekturinformationen empfangen, die sich auf die Korrektur der Positionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und des Risses 14 beziehen, die als das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild in einem Zustand angezeigt werden, in dem das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild angezeigt wird. Das heißt, die Anzeige 150 kann die Eingabe der ersten Korrekturinformationen empfangen, die Informationen zur Korrektur der Zielpositionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und der Zielposition des Risses 14 sind. In diesem Fall kann der Steuerabschnitt 8 das Schätzungsverarbeitungsergebnis auf der Grundlage der ersten Korrekturinformationen (d.h. der Informationen zum Korrigieren der Zielpositionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und der Zielposition des Risses 14) korrigieren, kann verschiedene Parameter des Anleitungsrezepts korrigieren, um das korrigierte Schätzungsverarbeitungsergebnis zu sein, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass das korrigierte Anleitungsrezept und das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild auf der Grundlage des korrigierten Schätzungsverarbeitungsergebnisses zusammen zugeordnet und angezeigt werden.
Die Anzeige 150 kann eine Eingabe von zweiten Korrekturinformationen empfangen, die sich auf die Korrektur des Anleitungsrezeptes in dem Zustand beziehen, in dem die Bearbeitungsbedingungen (das Anleitungsrezept) angezeigt werden. In diesem Fall kann der Steuerabschnitt 8 verschiedene Parameter des Anleitungsrezepts auf der Grundlage der zweiten Korrekturinformationen korrigieren, kann das Schätzungsverarbeitungsergebnis auf der Grundlage des korrigierten Anleitungsrezepts korrigieren und kann die Anzeige 150 so steuern, dass das korrigierte Anleitungsrezept und das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild auf der Grundlage des korrigierten Schätzungsverarbeitungsergebnisses einander zugeordnet und gemeinsam angezeigt werden.
Der Steuerabschnitt 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass ein Inspektionsbedingungsvorschlagsergebnis (siehe 19) zusammen mit dem Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild angezeigt wird. Das Inspektionsbedingungsvorschlagsergebnis zeigt die empfohlenen Inspektionsbedingungen auf der Grundlage des Anleitungsrezepts und des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes. Die Inspektion mit den Buchstaben A bis E, die in dem Inspektionsbedingungsvorschlagsergebnis von 19 gezeigt wird, ist eine Inspektion, die dem Inhalt von A bis E des zuvor beschriebenen Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes entspricht. Das heißt, im Inspektionsbedingungsvorschlagsergebnis von 19 werden A: BHC-Inspektion und A: BHC-Toleranzinspektion als eine Inspektion von A: BHC-Zustand empfohlen, wird B: Inspektion des schwarzen Streifens als Inspektion von B: schwarzer Streifen empfohlen, wird C: Inspektion der Position der SD-Schicht als Inspektion von C: Position des modifizierten Bereichs (SD-Schicht) empfohlen, wird D: Inspektion der oberen Rissposition als Inspektion von D: Position des oberen Endes des Risses 14 empfohlen und wird E: Inspektion der Waferdicke als Inspektion von E: Waferdicke empfohlen. Bei der BHC-Toleranzinspektion werden ein Zustand der Rückfläche (ST oder BHC) in jeder der Z-Höhen, eine Position eines Spitzenendes eines oberen Risses, ein Änderungsbetrag in der Position des Spitzenendes des oberen Risses, eine Länge eines Risses am unteren Ende und dergleichen angezeigt. Dann kann der Benutzer, wie in 19 gezeigt, auswählen, ob jede der im Inspektionsbedingungsvorschlagsergebnis angezeigten Inspektionen durchgeführt werden soll oder nicht. Wenn nach der Auswahl der durchzuführenden Inspektion die in 19 dargestellte Taste „Verarbeitung starten“ gedrückt wird, wird der Verarbeitungsprozess gestartet, und jede der ausgewählten Inspektionen wird nach Abschluss des Verarbeitungsprozesses durchgeführt.
Die Darstellung des zuvor beschriebenen Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes wird anhand von 20 und 21 näher beschrieben. Hier wird ein Beispiel dafür beschrieben, wie ein aktueller Querschnittszustand im Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild schematisch dargestellt werden kann. 20(a) zeigt einen Ist-Zustand verschiedener Querschnitte, und 20(b) zeigt ein Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild eines Querschnitts senkrecht zu einer Bearbeitungslinie, wenn der Querschnitt der in 20(a) gezeigte ist. 20(a) und 20(b) zeigen entsprechende Zustände auf der oberen und unteren Seite. Wie in 20(b) gezeigt, wird in dem Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild des Querschnitts senkrecht zur Bearbeitungslinie der veränderte Bereich (die SD-Schicht) durch eine elliptische Form (oder einen Kreis) und der Riss durch eine Linie angezeigt, und die Verbindung des Risses über den veränderten Bereich ist schematisch dargestellt. Anhand eines solchen Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes kann visuell ausgedrückt werden, dass der BHC-Zustand erreicht ist (ganz links in 20(b)), der ST-Zustand erreicht ist und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (das zweite Bild von links in 20(b)), der BHC-Zustand erreicht ist und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (der zweite von rechts in 20(b)), der BHC-Zustand erreicht ist und eine Endfläche uneben ist (der ganz rechte in 20(b)), und so weiter. Ferner kann der Grad der Unebenheit der Endfläche durch einen mäandernden Zustand des Risses ausgedrückt werden (ganz rechts in 20(b)). Auf diese Weise kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild des Querschnitts senkrecht zur Bearbeitungslinie, die mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, angezeigt wird.
21(a) zeigt den Ist-Zustand verschiedener Querschnitte, und 21(b) zeigt ein Bild des Schätzungsverarbeitungsergebnisses eines Querschnitts horizontal zu einer Bearbeitungslinie, wenn es sich um den in 21(a) dargestellten Querschnitt handelt. 21(a) und 21(b) zeigen entsprechende Zustände an der Ober- und Unterseite. Wie in 21(b) gezeigt, wird im Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild des Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie der modifizierte Bereich (die SD-Schicht) beispielsweise in Form eines Bandes dargestellt. Da der veränderte Bereich für jeden Puls ausgedrückt werden kann, kann im Bild des Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie ein Bild eines Pulsabstands angezeigt werden. Da die Risse als Flächen und nicht als Linien dargestellt werden, sind die Risse durch einen Farbunterschied oder ähnliches unterscheidbar. Anhand eines solchen Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes kann visuell ausgedrückt werden, dass der BHC-Zustand erreicht ist (ganz links in 21(b)), der ST-Zustand erreicht ist und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (das zweite Bild von links in 21(b)), der BHC-Zustand erreicht ist und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (der zweite von rechts in 21(b)), der BHC-Zustand erreicht ist und die Endfläche uneben ist (der ganz rechte in 21(b)), und so weiter. Die Unebenheit der Endfläche kann durch einen mäandernden Bereich des Risses ausgedrückt werden (ganz rechts in 20(b)). Auf diese Weise kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild des Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie, die mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, angezeigt wird.
(Bearbeitungsprozess)
Im Bearbeitungsprozess steuert der Steuerabschnitt 8 die Laserbestrahlungseinheit 3 so, dass der Wafer 20 unter den festgelegten Bearbeitungsbedingungen (dem Anleitungsrezept) mit dem Laserstrahl bestrahlt wird. Im Einzelnen steuert der Steuerabschnitt 8 die Laserbestrahlungseinheit 3 so, dass der Wafer 20 mit dem Laserstrahl bestrahlt wird und der modifizierte Bereich und der von dem modifizierten Bereich ausgehende Riss in dem Wafer 20 gebildet werden. Der Steuerabschnitt 8 startet den Bearbeitungsprozess entsprechend der Betätigung von „Verarbeitung starten“ (siehe 19) auf dem Display 150.
(Verarbeitungsergebnis-Erfassungsprozess)
In einem Verarbeitungsergebnis-Erfassungsprozess steuert der Steuerabschnitt 8 die Abbildungseinheit 4, um ein Bild des bearbeiteten Wafers 20 aufzunehmen, wodurch ein Laserbearbeitungsergebnis des Wafers 20 aufgrund der Bestrahlung mit dem Laserstrahl erfasst wird. Im Einzelnen gibt der Steuerabschnitt 8 Licht aus, das für den Wafer 20 durchlässig ist, und steuert die Abbildungseinheit 4, um ein Bild des Wafers 20 aufzunehmen, wodurch das Laserbearbeitungsergebnis einschließlich der Information des modifizierten Bereichs, der auf dem Wafer 20 durch die Bestrahlung des Laserstrahls gebildet wurde, und des Risses, der sich von dem modifizierten Bereich erstreckt, erfasst wird.
Wie zuvor beschrieben, wird nach der Laserbearbeitung jede der vom Benutzer ausgewählten Inspektionen (siehe 19) durchgeführt. Von den einzelnen Inspektionen wird die Inspektion der Waferdicke (Ableitung der Waferdicke) mit Bezug auf die 22 und 23 beschrieben. Die Inspektionsvorrichtung 1 kann die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage von Informationen messen, die durch die Laserbearbeitung durch die Laserbestrahlungseinheit 3 und einen internen Beobachtungsprozess durch die Abbildungseinheit 4 gewonnen werden. Insbesondere führt der Steuerabschnitt 8 einen ersten Prozess der Steuerung der Laserbestrahlungseinheit 3durch , so dass der modifizierte Bereich innerhalb des Wafers 20 durch Bestrahlung des Wafers 20 mit dem Laserstrahl gebildet wird, und führt einen zweiten Prozess der Ableitung der Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage eines Signals, das von der Abbildungseinheit 4 ausgegeben wird, die das sich auf dem Wafer 20 ausbreitende Licht erfasst, und der Ableitung der Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und des eingestellten Anleitungsrezeptes (der Bearbeitungsbedingungen) durch.
22 ist ein Diagramm, das die Ableitung der Waferdicke zeigt. In 22 ist gezeigt, dass der modifizierte Bereich 12a durch Abstrahlen des Laserstrahls von der Rückfläche 21b des Wafers 20 gebildet wird. Der Steuerabschnitt 8 nimmt eine Vielzahl von Bildern auf, indem er die Abbildungseinheit 4 so steuert, dass der Brennpunkt F in einer Tiefenrichtung (der Z-Richtung) bewegt wird, und folgendes ableitet a: eine Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1), und c: eine Z-Position eines virtuellen Bildes eines Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a aus dem Bild. Das heißt, in dem zuvor beschriebenen zweiten Prozess leitet der Steuerabschnitt 8 eine Z-Position (eine Position a) des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Rückfläche 21b und eine Z-Position (eine Position c) eines virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Vorderfläche 21a auf der Grundlage des von der Abbildungseinheit 4, die das Licht erfasst hat, ausgegebenen Signals ab. Wenn der Wafer 20 ein Wafer mit der Funktionselementschicht 22 (dem Muster) ist, kann der Steuerabschnitt 8 die Abbildungseinheit 4 so steuern, dass sie den Brennpunkt F in der Tiefenrichtung (der Z-Richtung) bewegt und folgendes ableitet b: eine Z-Position einer Musteroberfläche. Im Folgenden werden die Z-Positionen als Positionen mit der Rückfläche 21b des Wafers 20 als Bezugspunkt angenommen. Die Z-Position des Wafers 20, die der Bezugspunkt ist, kann beispielsweise durch Erkennen eines Risses, der sich bis zur Rückfläche 21b erstreckt, mit der Abbildungseinheit 4 (einem Detektor für die interne Beobachtung) oder einer sichtbaren Kamera für die Höheneinstellung abgeleitet werden, kann durch Erkennen des Risses mit einer sichtbaren Kamera für die Höheneinstellung abgeleitet werden, wenn die Z-Höhe vor der Laserbearbeitung eingestellt wird, und kann durch Messen einer Fokusposition des Musters zum Zeitpunkt der Ausrichtung vor der Laserbearbeitung oder zum Zeitpunkt der internen Beobachtung nach der Laserbearbeitung abgeleitet werden, wenn der Laserstrahl von der Musteroberfläche einfällt.
Der Steuerabschnitt 8 kann die Dicke des Wafers 20 durch ein Drei-Muster-Ableitungsverfahren ableiten. In einem ersten Verfahren leitet der Steuerabschnitt 8 die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage von b: der Z-Position der Musteroberfläche ab. Das erste Verfahren kann nur angewendet werden, wenn der Wafer 20 ein Wafer mit der zuvor beschriebenen Funktionselementschicht 22 (Muster) ist. In einem zweiten und einem dritten Verfahren leitet der Steuerabschnitt 8 die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage von c: der Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a und des Anleitungsrezeptes ab.
Im zweiten Verfahren leitet der Steuerabschnitt 8 zunächst eine Breite des modifizierten Bereichs 12a auf der Grundlage des Anleitungsrezepts ab. Insbesondere speichert der Steuerabschnitt 8 beispielsweise eine Datenbank, die sich auf die Ableitung der Waferdicke bezieht (eine Datenbank, in der die Bearbeitungsbedingungen und die Breite des modifizierten Bereichs miteinander verknüpft sind), wie in 23 gezeigt, und leitet die Breite des modifizierten Bereichs 12a (die Breite der SD-Schicht) entsprechend der Energie des Laserstrahls, der Pulswellenform, dem Pulsabstand und dem Kondensationszustand, der in dem Anleitungsrezept (der Bearbeitungsbedingungen) gezeigt ist, durch Bezugnahme auf die Datenbank ab. Dann leitet der Steuerabschnitt 8 die Dicke des Wafers 20 ab, basierend auf der abgeleiteten Breite des abgeleiteten modifizierten Bereichs 12a, c: die Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a und a: die Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1). Wie in 22 gezeigt, ist ein Wert davon das Doppelte der Dicke des Wafers 20, wenn die abgeleitete Breite des modifizierten Bereichs 12, c: die Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Vorderfläche 21a und a: die Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1) addiert werden. Daher kann der Steuerabschnitt 8 die Dicke des Wafers 20 ableiten, indem er den Wert, der durch Addition der Breite des modifizierten Bereichs 12, c: der Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a und a: der Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1) erhalten wird, durch 2 dividiert.
Im dritten Verfahren leitet der Steuerabschnitt 8 zunächst eine geschätzte Endposition ab, die die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Vorderfläche 21a ist und aus der Z-Höhe geschätzt wird, die eine Bearbeitungstiefe des Laserstrahls in Bezug auf den Wafer 20 ist, basierend auf dem Anleitungsrezept. Der Steuerabschnitt 8 leitet die Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung einer DZ-Rate (die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Vorderfläche 21a unter Berücksichtigung der DZ-Rate) basierend auf der geschätzten Position des Endabschnitts und einer Konstanten (der DZ-Rate) unter Berücksichtigung eines Brechungsindex des Siliziums des Wafers 20 ab und leitet die Dicke des Wafers 20 basierend auf der Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate und c: der Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a ab. Wie in 22 gezeigt, ist ein Wert davon das Doppelte der Dicke des Wafers 20, wenn die Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate und c: die Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a addiert werden. Daher kann der Steuerabschnitt 8 die Dicke des Wafers 20 ableiten, indem er den Wert, der sich aus der Addition der zuvor beschriebenen Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate und c: der Z-Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a ergibt, durch 2 dividiert.
Ein Bestimmungsergebnis jeder der Inspektionen enthält Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis, das durch der Steuerabschnitt 8 erfasst wird. Im Folgenden wird davon ausgegangen, dass das „Inspektionsbestimmungsergebnis“ die Informationen des „Laserbearbeitungsergebnisses“ enthält. 24 ist ein Beispiel für eine Anzeige des Inspektionsbestimmungsergebnisses (NG). Wie in 24 dargestellt, steuert der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so, dass das Inspektionsbestimmungsergebnis einschließlich der Informationen des Laserbearbeitungsergebnisses angezeigt wird. Wie in 24 dargestellt, kann der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so steuern, dass das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und das Inspektionsbestimmungsergebnis einschließlich der Informationen des Laserbearbeitungsergebnisses einander zugeordnet und gemeinsam angezeigt werden.
Wie in 24 zeigt das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild der Anzeige 150 A: BHC-Zustand (der BHC-Zustand ist erreicht), B: keine schwarzen Streifen (es treten keine schwarzen Streifen auf), C: 65 µm, 92 µm, 140 µm und 171 µm (eine Zielposition des unteren Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 65 µm, eine Zielposition des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 92 µm, eine Zielposition des unteren Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 140 µm, und eine Zielposition des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 171 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), D: 246 µm (eine Zielposition des oberen Endes des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21b erstreckt, beträgt 246 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), E: die Waferdicke t von 775 µm (die Waferdicke beträgt 775 µm), und die Zieldicke von 50 µm. Als die Laserbearbeitung gemäß dem Anleitungsrezept durchgeführt wurde, ging man davon aus, dass das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild erhalten werden würde. Das Inspektionsbestimmungsergebnis zeigt jedoch A: ST (ST-Zustand), B: keine schwarzen Streifen, C: 74 µm, 99 µm, 148 µm und 174 µm (eine Position des unteren Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 74 µm, eine Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 99 µm, eine Position des unteren Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 148 µm und eine Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 174 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), D: 211 µm (eine Position des oberen Endes des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21b erstreckt, beträgt 211 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), E: die Waferdicke von 783 µm (die Waferdicke beträgt 783 µm), und die Zieldicke von 50 µm.
(Prozess der Bewertung der Bearbeitungsbedingungen)
Der Steuerabschnitt 8 bewertet das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des Inspektionsbestimmungsergebnisses (siehe 24) einschließlich der Informationen des Laserbearbeitungsergebnisses. Insbesondere bewertet der Steuerabschnitt 8 die Richtigkeit des Anleitungsrezepts, indem er das Inspektionsbestimmungsergebnis, das die Informationen des Laserbearbeitungsergebnisses enthält, mit dem Schätzungsverarbeitungsergebnis vergleicht, wobei das auf der Grundlage der Wafer-Bearbeitungsinformationen bestimmte Anleitungsrezept berücksichtigt wird. Wie in 24 gezeigt, besteht nun eine Diskrepanz zwischen dem Zielwert des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes und dem Wert des Inspektionsbestimmungsergebnisses, und von den vom Benutzer ausgewählten Inspektionen (siehe 19) sind mindestens die folgenden NG: A: BHC-Inspektion, C: SD-Schichtpositionsinspektion, D: Inspektion der oberen Rissposition und E: Waferdickeninspektion. Es ist denkbar, dass der Grund, warum die ST anstelle der BHC erreicht wird, darin liegt, dass, da das Inspektionsbestimmungsergebnis E: Waferdicke t von 783 µm anzeigt, die vom Benutzer eingestellte Waferdicke (775 µm) nicht korrekt ist, eine Bildungsposition des modifizierten Bereichs in eine flachen Richtung verschoben ist, weil der Wafer 20 dicker ist als erwartet, der modifizierte Bereich dünner ist als erwartet, und dergleichen. In einem solchen Fall bewertet der Steuerabschnitt 8, dass das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) nicht angemessen ist. Der Steuerabschnitt 8 kann auf der Grundlage anderer Daten, wie z. B. der AF-Verfolgbarkeit, bestimmen, ob der Ausrichtungsfehler des modifizierten Bereichs (der SD-Schicht) auf die Hardware oder das Anleitungsrezept zurückzuführen ist. Obwohl hier das Beispiel beschrieben wurde, in dem die Waferdicke ein Faktor ist, der die Inspektion zu NG werden lässt, ist es denkbar, dass die Inspektion aufgrund verschiedener Faktoren zu NG wird, z. B. aufgrund eines Hardwareunterschieds, einer unzureichenden Toleranz des Anleitungsrezepts in der Datenbank und der Waferdotierung.
Wenn der Steuerabschnitt 8 feststellt, dass das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) nicht geeignet ist, kann der Steuerabschnitt 8 eine Korrektur des Anleitungsrezeptes (der Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des Inspektionsbestimmungsergebnisses einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis vornehmen. Wenn beispielsweise davon ausgegangen wird, dass die Tatsache, dass der Wafer 20 dicker als erwartet ist, als ein Faktor der Inspektion NG wie zuvor beschrieben dient, führt der Steuerabschnitt 8 eine Z-Höhenkorrektur, eine Ausgangskorrektur und eine Korrektur des Lichtkonzentrationskorrekturbetrags durch und bestimmt, dass das Anleitungsrezept korrigiert wird, während die BHC-Toleranzinspektion als Korrekturinhalt durchgeführt wird. Wie in 24 gezeigt, steuert der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so, dass der empfohlene Korrekturinhalt zusammen mit dem Inspektionsbestimmungsergebnis angezeigt wird. Der Steuerabschnitt 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass die Priorität der einzelnen Korrekturinhalte angezeigt wird. Die Anzeige 150 kann eine Benutzereingabe wie eine Änderung der Priorität und eine teilweise Löschung der Korrekturinhalte empfangen. Der Steuerabschnitt 8 startet einen auf der Anzeige 150 angezeigten Korrekturvorgang entsprechend dem Drücken von „Korrekturstart“ (siehe 24) auf der Anzeige 150. Im Falle der zuvor beschriebenen Situation (der Wafer 20 ist dicker als erwartet) werden zum Beispiel Korrekturen wie eine Änderung zur Absenkung der Z-Höhe in eine tiefere Position um eine Dicke des Wafers und eine Änderung zur Erhöhung der Leistung um 0,1 W durchgeführt, um die Breite des modifizierten Bereichs zu sichern. Wenn dann beispielsweise die Toleranz als Ergebnis einer BHC-Toleranzinspektion klein ist, wird der Korrekturbetrag für die Lichtkonzentration angepasst, um die Lichtkonzentrationseigenschaften zu verbessern. Aufgrund dieser Vorgänge leitet der Steuerabschnitt 8 ein endgültiges (korrigiertes) Anleitungsrezept ab.
25 ist ein Beispiel für einen Anzeigebildschirm des Inspektionsergebnisses (OK). Wie in 25 gezeigt, steuert der Steuerabschnitt 8 die Anzeige 150 so, dass das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild, das Inspektionsergebnis und das korrigierte Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) zusammen angezeigt werden, nachdem die Korrektur durchgeführt wurde. In dem Beispiel von 25 zeigt das Inspektionsbestimmungsergebnis A: BHC (der BHC-Zustand ist erreicht), B: keine schwarzen Streifen, C: 64 µm, 93 µm, 142 µm und 173 µm (eine Position des unteren Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 64 µm, eine Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a ist 93 µm, eine Position des unteren Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 142 µm und eine Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12b ist 173 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), D: 244 µm (eine Position des oberen Endes des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21 b erstreckt, beträgt 244 µm in Bezug auf die Vorderfläche 21a), E: die Waferdicke t von 783 µm (die Waferdicke beträgt 783 µm), und die Zieldicke von 50 µm. Auf diese Weise ist das Bestimmungsergebnis jeder der Inspektionen OK, indem die Korrektur unter Berücksichtigung der Waferdicke, die sich von der erwarteten unterscheidet, durchgeführt wird. Wenn dann das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) korrigiert wird, aktualisiert der Steuerabschnitt 8 die Datenbank, in der die Wafer-Bearbeitungsinformationen und die Bearbeitungsbedingung (das Anleitungsrezept) in Verbindung miteinander gespeichert sind, auf der Grundlage der Informationen, die das korrigierte Anleitungsrezept enthalten. Wenn zum Beispiel das Anleitungsrezept der Waferdicke (783 µm), die im Inspektionsergebnis angezeigt wird, nicht in der Datenbank vorhanden ist, speichert der Steuerabschnitt 8 das korrigierte Anleitungsrezept neu als Anleitungsrezept der Waferdicke (783 µm) in der Datenbank. Wenn ein neues Anleitungsrezept in der Datenbank aufgezeichnet wird, können der ursprüngliche Wafer und die Namen der Bearbeitungsbedingungen des Benutzers aufgezeichnet werden, so dass es möglich ist, das Anleitungsrezept anhand der Namen in der Datenbank aufzurufen, wenn ein ähnlicher Wafer verarbeitet wird. Darüber hinaus verbessert der Steuerabschnitt 8 die Genauigkeit der Anleitungsrezeptbestimmung beim nächsten Mal, indem er das Ergebnis der Inspektion NG in der Datenbank speichert.
[Inspektionsverfahren]
Ein Inspektionsverfahren der vorliegenden Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 26 beschrieben. 26 ist ein Flussdiagramm des Inspektionsverfahrens. 26 ist ein Flussdiagramm, das einen Prozess zurAbleitung von Bearbeitungsbedingungen zeigt, der als Vorverarbeitung eines Prozesses zur Bildung eines modifizierten Bereichs in dem Wafer 20 unter den von der Inspektionsvorrichtung 1 durchgeführten Inspektionsverfahren durchgeführt wird.
Wie in 26 gezeigt, empfängt die Anzeige 150 im Prozess der Ableitung der Bearbeitungsbedingungen zunächst eine Benutzereingabe der Wafer-Bearbeitungsinformationen, einschließlich der Informationen über den Wafer 20 und das Laserbearbeitungsziel für den Wafer 20 (Schritt S1, ein erster Schritt). Insbesondere empfängt die Anzeige 150 eine Benutzereingabe für das in 13 gezeigte Bearbeitungsverfahren, die in 14 gezeigten Wafer-Informationen und die in 15 gezeigte Bearbeitungseinstellung.
Anschließend bestimmt (wählt automatisch) der Steuerabschnitt 8 ein Anleitungsrezept (Bearbeitungsbedingungen), das den Wafer-Bearbeitungsinformationen (eine Vielzahl von Informationen, die auf der Einstellungsanzeige der 13 bis 15 empfangen wurden) entspricht, die über die Anzeige 150 empfangen wurden, indem er sich auf die Datenbank bezieht, und steuert die Anzeige 150 so, dass das automatisch ausgewählte Anleitungsrezept angezeigt (vorgeschlagen) wird (Schritt S2, ein zweiter Schritt). Die Anzeige 150 zeigt ein Anleitungsrezept, ein Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild, die Inspektionsbedingungen und ähnliches an (siehe 19). Wenn der Benutzer dann auf der Anzeige 150 auf „Verarbeitung starten“ drückt, wird ein Anleitungsrezept bestimmt (Schritt S3), und ein Bearbeitungsprozess der Bestrahlung des Wafers 20 mit einem Laserstrahl auf der Grundlage des bestimmten Anleitungsrezeptes gestartet (Schritt S4, ein dritter Schritt).
Anschließend bewertet der Steuerabschnitt 8 das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des Inspektionsbestimmungsergebnisses (siehe 24) einschließlich der Informationen des Laserbearbeitungsergebnisses (ein vierter Schritt) und bestimmt, ob das Anleitungsrezept geeignet ist oder nicht (ob die Bewertung OK ist oder nicht) (Schritt S5). Wenn in Schritt S5 festgestellt wird, dass das Anleitungsrezept nicht geeignet ist (Bewertung NG), wird das Anleitungsrezept automatisch auf der Grundlage des Inspektionsbestimmungsergebnisses korrigiert (Schritt S6). Wenn beispielsweise die Tatsache, dass der Wafer 20 dicker ist als erwartet, als Faktor für NG dient, führt der Steuerabschnitt 8 die Z-Höhenkorrektur, die Ausgangskorrektur, die Korrektur des Lichtkonzentrationskorrekturbetrags und dergleichen durch. Dann wird dieser wieder von dem Verarbeitungsprozess in Schritt S4 durchgeführt.
Andererseits wird, wenn in Schritt S5 festgestellt wird, dass das Anleitungsrezept geeignet ist (Bewertung OK), festgestellt, ob das Anleitungsrezept auch nur einmal geändert wurde oder nicht (ob der Korrekturprozess von Schritt S6 durchgeführt wurde oder nicht) (Schritt S7), und wenn das Anleitungsrezept geändert wurde, wird ein geändertes Anleitungsrezept (ein neues Anleitungsrezept) in der Datenbank aufgezeichnet (Schritt S8), und der Prozess endet.
[Funktionsweise und Wirkung]
Nachfolgend wird die Funktionsweise und der Effekt der Inspektionsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
Die Inspektionsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst die Laserbestrahlungseinheit 3, die den Wafer 20 mit der Rückfläche 21b und der Vorderfläche 21a mit einem Laserstrahl von der Seite der Rückfläche 21b des Wafers 20 aus bestrahlt, die Abbildungseinheit 4, die Licht mit einer Durchlässigkeit für den Wafer 20 ausgibt und das sich durch den Wafer 20 ausbreitende Licht erfasst und den Steuerabschnitt 8, der so konfiguriert ist, dass er einen ersten Prozess des Steuerns der Laserbestrahlungseinheit 3, so dass der modifizierte Bereich innerhalb des Wafers 20 durch Bestrahlen des Wafers 20 mit dem Laserstrahl gebildet wird, und einen zweiten Prozess des Ableitens der Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage des von der Abbildungseinheit 4, die das Licht erfasst hat, ausgegebenen Signals, und des Ableitens der Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und des eingestellten Anleitungsrezepts durchführt.
In der Inspektionsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der Position des modifizierten Bereichs, der durch die Bestrahlung des Wafers 20 mit dem Laserstrahl gebildet wird, und des festgelegten Anleitungsrezeptes abgeleitet. Die Position des modifizierten Bereichs wird auf der Grundlage des Anleitungsrezeptes und der Dicke des Wafers 20 bestimmt. Wenn also die Position des modifizierten Bereichs und das Anleitungsrezept bekannt sind, kann die Dicke des Wafers 20 abgeleitet werden. Wie bei der Inspektionsvorrichtung 1 kann die Dicke des Wafers 20 mit hoher Genauigkeit abgeleitet werden, indem die Dicke des Wafers 20 aus der Position des tatsächlich abgebildeten modifizierten Bereichs und des eingestellten Anleitungsrezeptes abgeleitet wird.
Im zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt 8 die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a auf der Grundlage des Signals ableiten, das von der Abbildungseinheit 4 ausgegeben wird, die das Licht erfasst hat, und kann die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes und des Anleitungsrezepts ableiten. Um die Position des modifizierten Bereichs abzuleiten, ist es notwendig, die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a abzuleiten. Wenn der Laserstrahl jedoch von der Rückfläche 21b des Wafers 20 abgestrahlt wird, kann die Position nicht bestätigt werden, selbst wenn die Position des Endabschnitts auf der Vorderfläche 21a des modifizierten Bereichs fokussiert ist. Da die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs der Vorderfläche 21a abgeleitet werden kann, kann die Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes geschätzt werden. So kann die Dicke des Wafers 20 in geeigneter Weise abgeleitet werden.
Im zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt 8 ferner die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Rückfläche 21b auf der Grundlage des von der Abbildungseinheit 4, die das Licht erfasst hat, ausgegebenen Signals ableiten, kann ferner die Breite des modifizierten Bereichs auf der Grundlage des Anleitungsrezepts ableiten und kann die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a, der Position des Endabschnitts davon auf der Rückfläche 21b und der Breite des modifizierten Bereichs ableiten. Die Summe aus der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a, der Position des Endabschnitts davon auf der Rückfläche 21b und der Breite des modifizierten Bereichs ist das Doppelte der Dicke des Wafers 20. Daher kann die Dicke des Wafers 20 in geeigneter Weise abgeleitet werden, indem die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a, die Position des Endabschnitts davon auf der Rückfläche 21b und die Breite des modifizierten Bereichs abgeleitet werden.
Der Steuerabschnitt 8 kann eine Datenbank speichern, in der das Anleitungsrezept und die Breite des Modifikationsbereichs einander zugeordnet sind, und im zweiten Prozess kann der Steuerabschnitt 8 die Breite des modifizierten Bereichs entsprechend dem Anleitungsrezept durch Bezugnahme auf die Datenbank ableiten. Da die Breite des modifizierten Bereichs je nach Anleitungsrezept variiert, kann die Breite des modifizierten Bereichs einfach und mit hoher Genauigkeit abgeleitet werden, indem die Breite des modifizierten Bereichs durch Bezugnahme auf die Datenbank abgeleitet wird, in der die Breite des modifizierten Bereichs und das Anleitungsrezept einander zugeordnet sind.
Im zweiten Prozess leitet der Steuerabschnitt 8 die Position des Endabschnitts (die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der Vorderfläche 21a unter Berücksichtigung der DZ-Rate) unter Berücksichtigung der DZ-Rate auf der Grundlage der geschätzten Endposition, die die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der Vorderfläche 21a ist und aus der Bearbeitungstiefe des Laserstrahls in Bezug auf den Wafer 20 geschätzt wird, und die Konstante (die DZ-Rate), die den Brechungsindex des Wafers 20 berücksichtigt, der im Anleitungsrezept enthalten ist, ab und leitet die Dicke des Wafers 20 basierend auf der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a und der Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate ab. Ein Wert, der durch Addieren eines Wertes (die Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate) unter Berücksichtigung des Brechungsindex des Wafers 20 in Bezug auf die Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a erhalten wird, der aus einer Bearbeitungstiefe des im Anleitungsrezept enthaltenen Laserstrahls und der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a geschätzt wird, beträgt das Doppelte der Dicke des Wafers 20. Daher kann die Dicke des Wafers 20 in geeigneter Weise abgeleitet werden, indem die Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderfläche 21a und die Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate abgeleitet werden.
Obwohl die vorliegende Ausführungsform zuvor beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die obige Ausführungsform beschränkt. Wie in 1 gezeigt, wurde zum Beispiel das Beispiel beschrieben, in dem die Inspektionsvorrichtung 1 die Anzeige 150 zur Anzeige des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes und dergleichen aufweist, aber die vorliegende Erfindung ist darauf nicht beschränkt, und wie eine in 27 gezeigte Inspektionsvorrichtung 1Amuss die Inspektionsvorrichtung 1 keine Anzeigevorrichtung haben. Die Inspektionsvorrichtung 1A hat die gleiche Konfiguration wie die Inspektionsvorrichtung 1, mit der Ausnahme, dass sie keine Anzeige hat. In diesem Fall gibt der Steuerabschnitt 8 der Inspektionsvorrichtung 1A ein Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild aus (überträgt es), in dem ein Bilddiagramm des Wafers und ein Bilddiagramm des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer zusammen gezeichnet werden, zum Beispiel unter Berücksichtigung des modifizierten Bereichs, der als Schätzungsverarbeitungsergebnis abgeleitet wurde, und der Position des Risses im Wafer an eine externe Vorrichtung oder dergleichen. Dann wird das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und dergleichen nicht von der Inspektionsvorrichtung 1A, sondern von einer externen Vorrichtung angezeigt. Das heißt, das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und dergleichen kann auf einem anderen Gerät (PC oder dergleichen) angezeigt werden, das in der Lage ist, mit der Inspektionsvorrichtung 1A zu kommunizieren. Somit ist es selbst dann, wenn die Inspektionsvorrichtung 1A über keine Anzeige verfügt, möglich, das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und dergleichen auf einem anderen Gerät oder dergleichen anzuzeigen, das mit der Inspektionsvorrichtung 1A kommunizieren kann.
Wie in 28 gezeigt, kann das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild in einem Verarbeitungssystem 600 erzeugt und angezeigt werden, das die zuvor beschriebene Inspektionsvorrichtung 1A und eine spezielle Anzeigevorrichtung 550 aufweist. In diesem Fall überträgt der Steuerabschnitt 8 der Inspektionsvorrichtung 1A an die Anzeigevorrichtung 550 ein Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und dergleichen, in dem ein Bilddiagramm des Wafers und ein Bilddiagramm des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer zusammen gezeichnet werden, zum Beispiel unter Berücksichtigung des modifizierten Bereichs, der als Schätzungsergebnis abgeleitet wurde, und der Position des Risses im Wafer. Die Anzeigevorrichtung 550 zeigt das von der Inspektionsvorrichtung 1A empfangene Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und dergleichen an. Gemäß einem solchen Verarbeitungssystem 600 kann das von der Inspektionsvorrichtung 1A übertragene Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild und dergleichen in geeigneter Weise durch die Anzeigevorrichtung 550, die eine externe Vorrichtung ist, angezeigt werden.
Ferner wurde in der Ausführungsform beschrieben, dass die Anzeige das Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild anzeigt, in dem das Bilddiagramm des Wafers und das Bilddiagramm des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer zusammen gezeichnet sind, aber die vorliegende Erfindung ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, der Steuerabschnitt muss nicht notwendigerweise das zuvor beschriebene Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bild auf der Anzeige anzeigen, sondern kann beispielsweise ein Schätzungsverarbeitungsergebnis ableiten, das Informationen über den im Wafer gebildeten modifizierten Bereich und den sich vom modifizierten Bereich aus erstreckenden Riss enthält, und kann die Anzeige so steuern, dass die mit dem Schätzungsverarbeitungsergebnis verbundenen Informationen angezeigt werden. Die Information, die sich auf das Schätzungsverarbeitungsergebnis bezieht, muss kein Bilddiagramm des Wafers, des modifizierten Bereichs, des Risses und dergleichen sein, sondern kann einfach eine Information sein, die den modifizierten Bereich, die Position des Risses oder dergleichen angibt (d.h. sie muss nicht das Bilddiagramm enthalten).
Ferner wurde beschrieben, dass im Prozess der Ableitung der Bearbeitungsbedingungen der zuvor beschriebene Anzeigeprozess des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes und der Ableitungsprozess der Waferdicke durchgeführt werden, aber der Anzeigeprozess des Schätzungsverarbeitungsergebnis-Bildes und der Ableitungsprozess der Waferdicke können in einem anderen Prozess als dem Prozess der Ableitung der Bearbeitungsbedingungen durchgeführt werden, zum Beispiel in verschiedenen Prozessen, nachdem die Bearbeitungsbedingungen abgeleitet wurden.
Ferner wurde in der Ausführungsform beschrieben, dass die Inspektionsvorrichtung 1 das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage der Wafer-Bearbeitungsinformationen bestimmt und das Schätzungsverarbeitungsergebnis ableitet, aber die vorliegende Erfindung ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, der Steuerabschnitt der Inspektionsvorrichtung kann das Schätzungsverarbeitungsergebnis auf der Grundlage der Wafer-Bearbeitungsinformationen ableiten und das Anleitungsrezept (die Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des Schätzungsverarbeitungsergebnisses bestimmen. Beispielsweise können die Bearbeitungsbedingungen einfach durch Eingabe der Wafer-Bearbeitungsinformationen und somit durch automatische Bestimmung der Bearbeitungsbedingungen auf diese Weise bestimmt werden, im Vergleich zu dem Fall, in dem der Laserbearbeitungsprozess wiederholt durchgeführt wird, während der Benutzer die Bearbeitungsbedingungen einstellt, um geeignete Bearbeitungsbedingungen abzuleiten.
Bezugszeichenliste

1, 1A: Inspektionsvorrichtung
3: Laserbestrahlungseinheit
4: Abbildungseinheit
8: Steuerabschnitt
20: Wafer
150: Anzeige

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 201764746 A [0003]

Claims

Inspektionsvorrichtung, umfassend: eine Bestrahlungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Wafer mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche mit einem Laserstrahl von einer Seite der ersten Fläche des Wafers aus bestrahlt; eine Abbildungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie Licht ausgibt, das für den Wafer durchlässig ist, und dass sie das sich durch den Wafer fortpflanzende Licht erfasst; und einen Steuerabschnitt, der so konfiguriert ist, dass er einen ersten Prozess des Steuerns der Bestrahlungseinheit, so dass ein modifizierter Bereich innerhalb des Wafers durch Bestrahlung des Wafers mit dem Laserstrahl gebildet wird, und einen zweiten Prozess des Ableitens einer Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage eines Signals, das von der Abbildungseinheit ausgegeben wird, die das Licht erfasst hat, und des Ableitens einer Dicke des Wafers auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und der eingestellten Verarbeitungsbedingungen durchführt.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Steuerabschnitt im zweiten Prozess eine Position eines virtuellen Bildes eines Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf einer zweiten Flächenseite auf der Grundlage eines Signals ableitet, das von der Abbildungseinheit ausgegeben wird, die das Licht erfasst hat, und eine Dicke des Wafers auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes und der Verarbeitungsbedingungen ableitet.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Steuerabschnitt in dem zweiten Prozess ferner eine Position eines Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der ersten Fläche auf der Grundlage des von der Abbildungseinheit, die das Licht erfasst hat, ausgegebenen Signals ableitet, ferner eine Breite des modifizierten Bereichs auf der Grundlage der Verarbeitungsbedingungen ableitet und eine Dicke des Wafers auf der Grundlage der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche, der Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der ersten Fläche und der Breite des modifizierten Bereichs ableitet.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Steuerabschnitt eine Datenbank speichert, in der die Bearbeitungsbedingungen und die Breite des modifizierten Bereichs einander zugeordnet sind, und im zweiten Prozess der Steuerabschnitt die Breite des modifizierten Bereichs entsprechend den Verarbeitungsbedingungen aus der Datenbank ableitet.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei in dem zweiten Prozess der Steuerabschnitt eine Konstante, die die Endposition berücksichtigt, basierend auf einer geschätzten Position des Endabschnitts, die eine Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Vorderflächenseite ist und aus einer Bearbeitungstiefe des Laserstrahls in Bezug auf den Wafer geschätzt wird, und eine Konstante, die einen Brechungsindex des Wafers berücksichtigt, die in dem Anleitungsrezept enthalten sind, ableitet und ferner eine Dicke des Wafers ableitet, basierend auf der Position des virtuellen Bildes des Endabschnitts des modifizierten Bereichs auf der Seite der zweiten Fläche und des Endabschnitts unter Berücksichtigung der Konstante.
Inspektionsverfahren, umfassend: einen ersten Schritt des Herstellens eines Wafers mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche und des Bildens eines modifizierten Bereichs innerhalb des Wafers durch Bestrahlung des Wafers mit einem Laserstrahl; einen zweiten Schritt des Ausgebens von Licht, das für den Wafer, in dem der modifizierte Bereich durch den ersten Schritt gebildet wird, durchlässig ist, und des Erfassens von Licht, das sich durch den Wafer fortpflanzt; und einen dritten Schritt des Ableitens einer Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage des im zweiten Schritt erfassten Lichts, und des Ableitens einer Waferdicke auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und der eingestellten Verarbeitungsbedingungen.