JP2021048186A - 光センサ及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】クロストークを低減できる光センサ及び電子機器を提供する。【解決手段】光センサ１０は、厚さ方向Ｚと交差する基板主面２１１及び基板裏面２１２を有する基板２０と、基板主面２１１上に実装され、基板主面２１１に沿って光を出射する発光素子４０と、基板主面２１１上に設けられ、発光素子４０から発光素子４０の光の出射方向に進んだ位置に配置される反射部７０と、基板主面２１１上に実装される受光素子５０と、を備える。反射部７０は、発光素子４０から出射される光を基板主面２１１から離れる方向に反射する反射面７２１を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、光センサ及び電子機器に関する。

特許文献１には、光センサの一例として、電極パターンが形成される基板と、基板上に配置される発光ダイオードと、発光ダイオードと隣接するように基板上に配置されるフォトＩＣと、発光ダイオードとフォトＩＣとを一体に囲う外壁と、を備える反射型フォトセンサが開示されている。

特開２００７−１３０５０号公報

上記のような光センサは、電子機器に搭載される場合、発光ダイオードとフォトＩＣとが配置される空間に異物が混入しないように、透光カバーで覆われる場合がある。この場合、上記のような光センサは、発光ダイオードから出射する光の一部が透光カバーの上面及び下面で反射されることに起因するクロストークが発生するおそれがある。

本開示の目的は、クロストークを低減できる光センサ及び電子機器を提供することである。

以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。
上記課題を解決する光センサは、厚さ方向と交差する基板主面及び基板裏面を有する基板と、前記基板主面上に実装され、前記基板主面に沿って光を出射する発光素子と、前記基板主面上に設けられ、前記発光素子から前記発光素子の光の出射方向に進んだ位置に配置される反射部と、前記基板主面上に実装される受光素子と、を備え、前記反射部は、前記発光素子から出射される光を前記基板主面から離れる方向に反射する反射面を有する。

上記構成の光センサが透光カバーで覆われた状態で電子機器に搭載される場合を想定する。この場合、発光素子から出射される光は、反射面で反射された後に基板主面から離れる方向に進む。そして、基板主面から離れる方向に進む光は、透光カバーを透過して、検出対象となる物体に向かう。つまり、上記構成の光センサにおいて、発光素子から出射される光は、一度反射面で反射された後に透光カバーに入射する。ここで、発光素子から出射される光は、反射面で反射されることにより偏光される。その結果、光センサから透光カバーに向かう光が、透光カバーの下面及び上面で反射されにくくなる。こうして、光センサは、クロストークを低減できる。

上記光センサ及び電子機器によれば、クロストークを低減できる。

第１実施形態の光センサの平面図。 カバーの図示を省略した第１実施形態の光センサの平面図。 図１の３−３線矢視断面図。 図１の４−４線矢視断面図。 第１実施形態の発光素子とサブマウント基板との拡大断面図。 第１実施形態の反射部の拡大断面図。 第１実施形態の光センサを備える電子機器の概略構成を示す断面図。 カバーの図示を省略した第２実施形態の光センサの平面図。 第２実施形態の光センサの断面図。 カバーの図示を省略した第３実施形態の光センサの平面図。 第３実施形態の光センサの断面図。 カバーの図示を省略した第４実施形態の光センサの平面図。 第４実施形態の光センサの断面図。 カバーの図示を省略した第５実施形態の光センサの平面図。 第５実施形態の光センサの断面図。 第６実施形態の光センサの平面図。 第６実施形態の光センサの断面図。 第７実施形態の光センサの断面図。 第８実施形態の光センサの平面図。

以下、光センサ及び電子機器の一実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す各実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態は、種々の変更を加えることができる。

（第１実施形態）
図１〜図４に示すように、光センサ１０は、基板２０と、サブマウント基板３０と、発光素子４０と、受光素子５０と、ワイヤ６０と、反射部７０と、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。

光センサ１０は、略直方体状をなしている。以降の説明では、光センサ１０の形状にしたがって方向を定義する。詳しくは、光センサ１０の厚さ方向を「厚さ方向Ｚ」とし、厚さ方向Ｚと直交する方向を「第１方向Ｘ」とし、厚さ方向Ｚ及び第１方向Ｘの両方向と直交する方向を「第２方向Ｙ」とする。第１方向Ｘは、光センサ１０において、発光素子４０と受光素子５０と反射部７０とが並ぶ方向でもある。

光センサ１０は、第１方向Ｘにおける長さが最も長く、厚さ方向Ｚにおける長さが最も短くなっている。一例として、光センサ１０は、第１方向Ｘにおける長さを３．５ｍｍ〜６．０ｍｍ程度とし、第２方向Ｙにおける長さを１．４ｍｍ〜３．０ｍｍ程度とし、厚さ方向Ｚにおける長さを０．７ｍｍ〜２．０ｍｍ程度とすればよい。

次に、基板２０について説明する。
図２〜図４に示すように、基板２０は、基板本体２１と、第１基板主面パッド２２、第２基板主面パッド２３、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５と、第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９と、を有している。

基板本体２１は、矩形板状をなしている。基板本体２１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂又はセラミックス等の絶縁材料から構成されている。基板本体２１は、厚さ方向Ｚと交差する基板主面２１１及び基板裏面２１２と、基板主面２１１及び基板裏面２１２を厚さ方向Ｚに接続する基板側面２１３と、を有している。基板主面２１１は、基板裏面２１２の反対側の面である。基板主面２１１上には、サブマウント基板３０を介して発光素子４０が実装されたり、受光素子５０が実装されたりする。

図２に示すように、基板本体２１には、第１基板主面パッド２２及び第１基板裏面パッド２６を導通させる第１貫通部２１５と、第２基板主面パッド２３及び第２基板裏面パッド２７を導通させる第２貫通部２１６と、が形成されている。また、基板本体２１には、第３基板主面パッド２４及び第３基板裏面パッド２８を導通させる第３貫通部２１７と、第４基板主面パッド２５及び第４基板裏面パッド２９を導通させる第４貫通部２１８と、が形成されている。さらに、基板主面２１１には、第２方向Ｙに延びる凹溝２１９が厚さ方向Ｚに形成されている。

第１貫通部２１５、第２貫通部２１６、第３貫通部２１７及び第４貫通部２１８は、いわゆるビアホールである。凹溝２１９は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１基板主面パッド２２及び第２基板主面パッド２３と、第３基板主面パッド２４との間に形成されている。

第１基板主面パッド２２及び第２基板主面パッド２３は、発光素子４０の導電経路の一部を構成し、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５は、受光素子５０の導電経路の一部を構成している。第１基板主面パッド２２、第２基板主面パッド２３、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５は、導電性の良好な金属から形成されることが好ましく、例えば、Ｃｕ（銅）などで形成されている。

図２〜図４に示すように、第１基板主面パッド２２、第２基板主面パッド２３、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５は、互いに離間した状態で、基板主面２１１上に形成されている。第１基板主面パッド２２、第２基板主面パッド２３、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５は、互いに絶縁されている。

第１基板主面パッド２２及び第２基板主面パッド２３は、第１方向Ｘにおける基板２０の中央付近に形成され、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５は、第１方向Ｘにおける基板２０の中央からずれた位置に形成されている。第１基板主面パッド２２及び第２基板主面パッド２３が形成される領域と、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５が形成される領域とは、凹溝２１９により区画されている。

図２に示すように、第１基板主面パッド２２は、第１部分２２１、第２部分２２２及び第３部分２２３を含んでいる。厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１部分２２１及び第２部分２２２は、矩形状をなしている。厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１部分２２１は、第２部分２２２及び第３部分２２３よりも大きく形成されている。第１部分２２１及び第２部分２２２は、第１方向Ｘに並んでおり、第３部分２２３は、第１部分２２１及び第２部分２２２を第１方向Ｘに接続している。

厚さ方向Ｚにおける平面視において、第２基板主面パッド２３、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５は、矩形状をなしている。第２基板主面パッド２３は、第１基板主面パッド２２の第２部分２２２と同等の大きさを有している。第２基板主面パッド２３は、第１基板主面パッド２２の第１部分２２１と第１方向Ｘに並ぶとともに第１基板主面パッド２２の第２部分２２２と第２方向Ｙに並んでいる。また、第３基板主面パッド２４は、第４基板主面パッド２５と第１方向Ｘに並んでいる。第３基板主面パッド２４は、第４基板主面パッド２５よりも第２基板主面パッド２３の近くに形成されている。

第１基板裏面パッド２６及び第２基板裏面パッド２７は、発光素子４０の導電経路の一部を構成し、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９は、受光素子５０の導電経路の一部を構成している。

第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９は、導電性の良好な金属から形成されることが好ましく、例えば、Ｃｕなどで形成されている。

図２〜図４に示すように、第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９は、互いに離間した状態で、基板裏面２１２に形成されている。第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９は、互いに絶縁されている。

図２に示すように、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１基板裏面パッド２６は、第１基板主面パッド２２と少なくとも一部が重なるように形成され、第１基板裏面パッド２６及び第１基板主面パッド２２が重なる部分に第１貫通部２１５が形成されている。第２基板裏面パッド２７は、第２基板主面パッド２３と少なくとも一部が重なるように形成され、第２基板裏面パッド２７及び第２基板主面パッド２３が重なる部分に第２貫通部２１６が形成されている。第３基板裏面パッド２８は、第３基板主面パッド２４と少なくとも一部が重なるように形成され、第３基板裏面パッド２８及び第３基板主面パッド２４が重なる部分に第３貫通部２１７が形成されている。第４基板裏面パッド２９は、第４基板主面パッド２５と少なくとも一部が重なるように形成され、第４基板裏面パッド２９及び第４基板主面パッド２５が重なる部分に第４貫通部２１８が形成されている。

図２に示すように、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９は、矩形状をなしている。第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９は、光センサ１０を電子機器の回路基板に実装する際に、回路基板の電極に接続される部位である。

次に、サブマウント基板３０について説明する。
図２〜図４に示すように、サブマウント基板３０は、サブマウント基板本体３１と、第１サブパッド３２、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４と、を有している。

サブマウント基板本体３１は、矩形板状をなしている。サブマウント基板本体３１は、例えば、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムのセラミックス等の絶縁材料からなる。サブマウント基板本体３１は、厚さ方向Ｚと交差するサブマウント基板主面３１１及びサブマウント基板裏面３１２と、サブマウント基板主面３１１及びサブマウント基板裏面３１２を厚さ方向Ｚに接続するサブマウント基板側面３１３と、を有している。サブマウント基板裏面３１２は、第１基板主面パッド２２の第１部分２２１に接続されている。こうして、サブマウント基板３０は、基板主面２１１上に設けられている。なお、サブマウント基板裏面３１２には、導電性のパッドが形成されていないため、サブマウント基板３０は、第１基板主面パッド２２と導通していない。

第１サブパッド３２、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は、発光素子４０の導電経路の一部を構成する部位である。第１サブパッド３２、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は、導電性の良好な金属から形成されることが好ましく、例えば、Ｃｕなどで形成されている。図２に示すように、第１サブパッド３２、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は、互いに離間した状態で、サブマウント基板主面３１１上に形成されている。第１サブパッド３２、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は、互いに絶縁されている。

図２に示すように、第１サブパッド３２は、第１部分３２１、一対の第２部分３２２，３２３及び一対の第３部分３２４，３２５を含んでいる。第１部分３２１は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１方向Ｘを長手方向とし第２方向Ｙを短手方向とする矩形状をなしている。第１部分３２１の先端部は、第２方向Ｙにおいて、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４の間に位置している。一方、第１部分３２１の基端部からは、第２方向Ｙにおける両方向に一対の第２部分３２２，３２３がそれぞれ延びている。一対の第２部分３２２，３２３からは、第１部分３２１の長手方向に沿って一対の第３部分３２４，３２５がそれぞれ延びている。第１方向Ｘにおいて、一対の第３部分３２４，３２５は、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４と隣り合っている。また、第２方向Ｙにおいて、一対の第３部分３２４，３２５の間には、第１部分３２１の長手方向における中間部が位置している。

一方、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１方向Ｘを長手方向とし、第２方向Ｙを短手方向とする矩形状をなしている。
こうして、サブマウント基板３０の厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１サブパッド３２、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は、サブマウント基板３０の第２方向Ｙにおける中心を通るように第１方向Ｘに延びる直線に対し、線対称に配置されている。つまり、第１サブパッド３２において、一方の第２部分３２２及び一方の第３部分３２４と他方の第２部分３２３及び他方の第３部分３２５とはそれぞれ同一の形状となっており、第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４は同一の形状となっている。

次に、発光素子４０について説明する。
発光素子４０は、例えば、光の一例としてのレーザ光を出射する半導体レーザ素子である。図２及び図３に示すように、発光素子４０は、略直方体状をなしている。発光素子４０は、厚さ方向Ｚと交差する発光素子上面４１及び発光素子裏面４２と、発光素子上面４１及び発光素子裏面４２を接続する発光素子側面４３と、を有している。また、発光素子４０は、光を出射する部位である出射部４４と、発光素子上面４１に形成される第１発光素子電極４５と、発光素子裏面４２に形成される第２発光素子電極４６と、を有している。

発光素子上面４１及び発光素子裏面４２は、長方形状をなしている。発光素子上面４１には、全面にわたって第１発光素子電極４５が形成され、発光素子裏面４２には、全面にわたって第２発光素子電極４６が形成されている。発光素子側面４３は、発光素子上面４１の短辺及び発光素子裏面４２の短辺を接続する前端面４３１及び後端面４３２を含んでいる。前端面４３１及び後端面４３２は、矩形状をなし、反対方向を向いている。前端面４３１には、出射部４４が形成されている。

出射部４４は、発光素子上面４１及び発光素子裏面４２の長手方向に、光を出射する部位である。第２発光素子電極４６は、第２発光素子電極４６の長手方向とサブマウント基板３０の第１サブパッド３２の第１部分３２１の長手方向とが一致するように、第１サブパッド３２の第１部分３２１に接続されている。このとき、前端面４３１は、第１方向Ｘと直交する。こうして、発光素子４０は、基板主面２１１に沿う第１方向Ｘに光を出射できるようにサブマウント基板主面３１１上に実装されている。また、発光素子４０の光の出射方向は前端面４３１から離れる方向となる。

図５に示すように、発光素子４０は、第１方向Ｘにおいて、前端面４３１がサブマウント基板側面３１３と揃わないように、サブマウント基板３０上に実装されている。詳しくは、発光素子４０の前端面４３１は、サブマウント基板側面３１３よりも発光素子４０の光の出射方向、すなわち一点鎖線矢印で示す方向に飛び出している。また、図５に示すように、発光素子４０における出射部４４の形成位置は、発光素子４０の厚さ方向Ｚにおける中心からずれている。言い換えれば、前端面４３１における出射部４４の位置は、厚さ方向Ｚにおいて発光素子上面４１よりも発光素子裏面４２に近い位置となっている。

なお、発光素子４０は、一定の広がり角を有する光を出射してもよいし、基板主面２１１と平行な方向に対し僅かに傾いた方向に光を出射してもよい。つまり、発光素子４０の光の出射方向は、第１方向Ｘと一致する方向に限らない。発光素子４０から出射される光の波長は、例えば、６５０ｎｍ〜１３００ｎｍの範囲内である。

次に、受光素子５０について説明する。
受光素子５０は、発光素子４０から検出対象に向かって出射された光の反射光を検出するための構成である。受光素子５０は、受光量に応じたアナログ信号を出力する。受光素子５０は、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ又はフォトＩＣなどである。

図２〜図４に示すように、受光素子５０は、例えば、矩形板状をなしている。受光素子５０は、厚さ方向Ｚと交差する受光素子上面５１及び受光素子裏面５２と、受光素子上面５１及び受光素子裏面５２を接続する受光素子側面５３と、を有している。受光素子５０は、受光素子上面５１に形成される第１受光素子電極５４と、受光素子裏面５２に形成される第２受光素子電極５５と、を有している。

受光素子上面５１及び受光素子裏面５２は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、略正方形状をなしている。第１受光素子電極５４は、受光素子上面５１の４つの角部のうちの１つの角部に形成されている。受光素子上面５１において、第１受光素子電極５４を除く部分が受光面となっている。一方、第２受光素子電極５５は、受光素子裏面５２の全面にわたって形成されている。第２受光素子電極５５は、基板２０の第４基板主面パッド２５に接続されている。こうして、受光素子５０は、第１受光素子電極５４が基板２０とは逆方向を向くように基板主面２１１上に実装されている。

次に、ワイヤ６０について説明する。
図２に示すように、ワイヤ６０は、第１ワイヤ６１、第２ワイヤ６２、第３ワイヤ６３及び第４ワイヤ６４を有している。

第１ワイヤ６１は、第１基板主面パッド２２の第２部分２２２とサブマウント基板３０の第１サブパッド３２の第２部分３２３とを電気的に接続している。第１ワイヤ６１は、発光素子４０から第２方向Ｙにずれた位置で第１方向Ｘに延びている。このため、第１ワイヤ６１は、発光素子４０に干渉しにくくなっている。

第２ワイヤ６２は、第２基板主面パッド２３とサブマウント基板３０の第２サブパッド３３とを電気的に接続している。第２ワイヤ６２は、発光素子４０から第２方向Ｙにずれた位置で第１方向Ｘに延び、第１ワイヤ６１とともに発光素子４０を第２方向Ｙに挟んでいる。このため、第２ワイヤ６２は、発光素子４０とも第１ワイヤ６１とも干渉しにくくなっている。

第３ワイヤ６３は、サブマウント基板３０の第２サブパッド３３と発光素子４０の第１発光素子電極４５とを電気的に接続している。第３ワイヤ６３は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方向と交差する方向に延びている。

第４ワイヤ６４は、第３基板主面パッド２４と受光素子５０の第１受光素子電極５４とを電気的に接続している。第４ワイヤ６４は、第１方向Ｘに延びている。
以上説明したように、本実施形態では、第３サブパッド３４ではなく、第２サブパッド３３が第２ワイヤ６２及び第３ワイヤ６３を介して、第１発光素子電極４５と第２基板主面パッド２３とを電気的に接続している。この点で、第１実施形態では、第２サブパッド３３が「接続パッド」の一例に相当している。

次に、反射部７０について説明する。
図３及び図６に示すように、反射部７０は、基板主面２１１上に設けられている。詳しくは、反射部７０は、発光素子４０から発光素子４０の光の出射方向に進んだ位置に配置されている。このため、反射部７０は、発光素子４０の前端面４３１と第１方向Ｘに対向している。図２に示すように、厚さ方向Ｚにおける平面視において、反射部７０は、発光素子４０に対して受光素子５０とは反対側に位置している。言い換えれば、受光素子５０は、発光素子４０に対して反射部７０とは反対側に位置している。

図２，図３及び図６に示すように、反射部７０は、基部７１と、反射層７２と、を有している。
基部７１は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はポリマー材料等の絶縁材料からなる。基部７１は、第２方向Ｙと直交する断面形状を略台形状とし、第２方向Ｙを高さ方向とする略柱体状をなしている。基部７１は、厚さ方向Ｚと交差する基部上面７１１及び基部底面７１２と、基部上面７１１の１辺及び基部底面７１２の１辺を接続する傾斜面７１３と、を有している。基部上面７１１及び基部底面７１２は、第１方向Ｘを短手方向とし第２方向Ｙを長手方向とする略矩形状をなしている。図２及び図３に示すように、基部上面７１１は、基部底面７１２と比較して、第１方向Ｘにおける長さが短く、第２方向Ｙにおける長さが同等となっている。傾斜面７１３は、基部上面７１１及び基部底面７１２の双方と交差する方向に延びている。

図６に示すように、反射層７２は、基部７１の傾斜面７１３上に形成されている。反射層７２は、例えば、傾斜面７１３に金属薄膜形成処理を行うことにより形成される金属層である。反射層７２の材質は、特に限定されず、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の反射率が高い金属とすればよい。反射層７２の形成手法は、特に限定されず、例えば、マスクを用いた蒸着法とすればよい。反射層７２の厚さは、例えば、数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度である。こうして、反射層７２において、発光素子４０の出射部４４と対向する面が、発光素子４０から出射される光を基板主面２１１から離れる方向に反射する反射面７２１となる。なお、図６を除く図では、反射層７２が薄膜である点で、反射層７２の図示を省略している。

図３に示すように、反射面７２１は、傾斜面７１３と同様に、第１方向Ｘ及び厚さ方向Ｚの両方向と交差する方向に延びている。つまり、反射面７２１は、発光素子４０の光の出射方向に進むにつれて基板主面２１１から離れる方向に傾斜している。言い換えれば、反射面７２１は、基板主面２１１から離れるにつれて発光素子４０から離れるように傾斜している。反射面７２１と発光素子４０の光の出射方向との間をなす角度は、例えば、３０°以上６０°以下とすることが好ましく、４５°とすることがより好ましい。

図２に示すように、反射面７２１の第２方向Ｙにおける長さは、発光素子４０の第２方向Ｙにおける長さよりも長く、図３に示すように、反射面７２１の厚さ方向Ｚにおける長さは、発光素子４０とサブマウント基板３０との厚さ方向Ｚにおける長さの和よりも長い。

図２に示すように、反射面７２１は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、発光素子４０の光の出射方向に凹状に湾曲している。つまり、反射面７２１と第１方向Ｘとの間をなす角度は、第２方向Ｙにおける中央部から第２方向Ｙにずれるほど小さくなる。このため、反射面７２１の第２方向Ｙにおける両端寄りの部分は、反射面７２１の第２方向Ｙにおける中央部よりも、第１方向Ｘにおいて、発光素子４０の前端面４３１の近くに位置している。また、厚さ方向Ｚにおける平面視において、反射面７２１の下縁及び上縁は、発光素子４０の光の出射方向に膨らむように湾曲している。

一方、図３に示すように、反射面７２１は、第２方向Ｙにおける側面視においては、発光素子４０の光の出射方向に湾曲していない。つまり、反射面７２１と第１方向Ｘとの間をなす角度は、厚さ方向Ｚにおける位置に関わらず一定である。

図２に示すように、反射面７２１は、第２方向Ｙにおける中央部が発光素子４０の前端面４３１と対向し、図３に示すように、反射面７２１は、厚さ方向Ｚにおける中央部が発光素子４０の前端面４３１と対向している。以降の説明では、図２に示すように、反射面７２１において、発光素子４０の前端面４３１と対向する部分を対向領域７２２ともいう。

次に、カバー８０について説明する。
図１、図３及び図４に示すように、カバー８０は、光センサ１０の外装の一部を構成する部品である。カバー８０は、例えば、絶縁性を有する樹脂材料により形成されている。カバー８０は、発光素子４０が出射する光の波長に対し、遮光性を有している。カバー８０は、矩形板状をなす上壁８１と、上壁８１から厚さ方向Ｚに延びる側壁８２と、上壁８１から厚さ方向Ｚに延びる遮光壁８３と、を有している。

図１に示すように、上壁８１は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、基板２０と同等の大きさを有している。上壁８１には、厚さ方向Ｚにおいて、反射部７０の反射面７２１の中央部に対応する位置に第１貫通孔８１１が形成され、受光素子５０の中央部に対応する位置に第２貫通孔８１２が形成されている。第１貫通孔８１１及び第２貫通孔８１２の厚さ方向Ｚと直交する断面形状は、円形状をなしている。第１貫通孔８１１及び第２貫通孔８１２の厚さ方向Ｚと直交する断面形状は、楕円形状としてもよいし、多角形状としてもよい。

図１に示すように、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１貫通孔８１１は、発光素子４０と、発光素子４０の光の出射方向、すなわち、第１方向Ｘに並んでいる。また、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１貫通孔８１１は、反射面７２１の対向領域７２２の少なくとも一部を露出させている。このため、発光素子４０から第１方向Ｘに出射された光が反射面７２１で反射されると、当該反射される光の多くが第１貫通孔８１１を通過する。一方、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第２貫通孔８１２は、受光素子５０の受光素子上面５１の中央部を露出させている。

図１に示すように、側壁８２は、矩形板状をなす一対の第１側壁８２１と、矩形板状をなす第２側壁８２２と、を有している。一対の第１側壁８２１は、第２方向Ｙにおける正面視において、第１方向Ｘを長手方向とし厚さ方向Ｚを短手方向とする矩形状をなしている。第２側壁８２２は、第１方向Ｘにおける側面視において、第２方向Ｙを長手方向とし厚さ方向Ｚを短手方向とする矩形状をなしている。一対の第１側壁８２１の第１方向Ｘにおける一端同士は、第２側壁８２２によって接続され、一対の第１側壁８２１の第１方向Ｘにおける他端同士は、接続されていない。

図１に示すように、遮光壁８３は、矩形板状をなし、一対の第１側壁８２１を第２方向Ｙに接続している。詳しくは、遮光壁８３は、一対の第１側壁８２１において、第１方向Ｘにおける中央部よりも第２側壁８２２寄りの部分同士を接続している。図３に示すように、遮光壁８３の厚さ方向Ｚにおける長さは、上壁８１及び側壁８２の厚さ方向Ｚにおける長さよりも僅かに長くなっている。

図３に示すように、遮光壁８３は、第１方向Ｘと交差する第１遮光壁側面８３１及び第２遮光壁側面８３２を有している。第１遮光壁側面８３１及び第２遮光壁側面８３２は、第１方向Ｘにおいて逆側を向く面である。第１遮光壁側面８３１は、厚さ方向Ｚに対して僅かに傾いている一方で、第２遮光壁側面８３２は、厚さ方向Ｚに沿っている。例えば、第１遮光壁側面８３１は、厚さ方向Ｚに対して、０．５°〜１０°の傾きを有していることが好ましい。カバー８０を樹脂成形する場合には、金型からの離型性を考慮して、第１遮光壁側面８３１は、上壁８１から離れるにつれて次第に第２遮光壁側面８３２に近付くように傾いていることが好ましい。

次に、接着層９０について説明する。
接着層９０は、例えば、エポキシ系の接着剤からなる層である。図３及び図４に示すように、接着層９０は、基板２０と反射部７０とを接合する第１接着層９１と、基板２０とカバー８０とを接合する第２接着層９２と、反射部７０とカバー８０とを接合する第３接着層９３と、を有している。

第１接着層９１は、第１方向Ｘにおいて、反射部７０が発光素子４０の出射部４４と対向するように、反射部７０の基部底面７１２を基板主面２１１に接合している。こうして、反射部７０は、発光素子４０の光の出射方向に位置するように、基板主面２１１上に設けられている。第２接着層９２は、カバー８０の側壁８２を基板主面２１１の周縁に接合し、カバー８０の遮光壁８３を基板主面２１１の凹溝２１９の底面に接合している。こうして、遮光壁８３は、基板２０の凹溝２１９に嵌まっている。第３接着層９３は、カバー８０の上壁８１を、反射部７０の基部上面７１１に接合している。こうして、反射部７０とカバー８０とが基板２０と一体とされている。

以上のように構成される光センサ１０には、発光素子４０を収容する第１収容空間ＳＰ１及び受光素子５０を収容する第２収容空間ＳＰ２が形成される。第１収容空間ＳＰ１は、反射部７０とカバー８０の側壁８２及び遮光壁８３とによって区画され、第２収容空間ＳＰ２は、カバー８０の側壁８２及び遮光壁８３によって区画されている。つまり、第１収容空間ＳＰ１及び第２収容空間ＳＰ２は、発光素子４０と受光素子５０との間において、基板主面２１１から厚さ方向Ｚに延びる遮光壁８３によって分断されている。

第１収容空間ＳＰ１は、第１貫通孔８１１を介して光センサ１０の外部空間と連通し、第２収容空間ＳＰ２は、第２貫通孔８１２を介して光センサ１０の外部空間と連通している。このため、第１収容空間ＳＰ１及び第２収容空間ＳＰ２は、光センサ１０の外部空間の気体で満たされる。

また、遮光壁８３の第１遮光壁側面８３１は、第１収容空間ＳＰ１に面し、遮光壁８３の第２遮光壁側面８３２は、第２収容空間ＳＰ２に面している。さらに、第１遮光壁側面８３１は、発光素子４０の後端面と第１方向Ｘに対向している。

第１実施形態の作用について説明する。
図７は、光センサ１０と、光センサ１０が実装される回路基板１１０と、光センサ１０を覆う透光カバー１２０と、を備える電子機器１００の一例を示している。電子機器１００は、例えば、スマートフォン、携帯電話、タブレットＰＣ、ラップトップＰＣ、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置及びテレビ等である。

図７に示すように、発光素子４０から出射される光Ｌ１は、反射面７２１で反射された後に基板主面２１１から離れる上方に進む。そして、上方に進む光Ｌ１は、透光カバー１２０を透過して、検出対象となる物体２００で反射される。物体２００で反射された光Ｌ４は、透光カバー１２０を透過して、受光素子５０で受光される。

ここで、発光素子４０から出射される光は、反射面７２１で反射されることにより偏光される。詳しくは、発光素子４０から出射する光は、反射面７２１で反射されることにより、偏光状態が円偏光から直線偏光となる。その結果、光センサ１０から透光カバー１２０に向かう光が、透光カバー１２０の下面１２１及び上面１２２で反射されにくくなる。

第１実施形態の効果について説明する。
（１）第１実施形態の光センサ１０は、発光素子４０から出射される光を、反射面７２１で反射させることによって偏光する。このため、光センサ１０は、光センサ１０から光Ｌ１が出射される場合、透光カバー１２０の下面１２１及び上面１２２でそれぞれ反射される光Ｌ２，Ｌ３を弱めることができる。このため、光センサ１０は、透光カバー１２０の下面１２１及び上面１２２でそれぞれ反射される光Ｌ２，Ｌ３に基づくクロストークを低減できる。

（２）厚さ方向Ｚにおける平面視において、受光素子５０は、発光素子４０に対して反射部７０とは反対側に位置している。つまり、本実施形態の光センサ１０は、光センサ１０において光が出射する部分である反射部７０と、光センサ１０において光を検知する部分である受光素子５０と、が第１方向Ｘに離れて配置されている。このため、光センサ１０は、光センサ１０から出射される光のうち、物体２００で反射されることなく受光素子５０に向かう光を低減できる。

（３）光センサ１０は、カバー８０を備えるため、発光素子４０と受光素子５０とが実装される領域、すなわち、第１収容空間ＳＰ１及び第２収容空間ＳＰ２に埃などの異物が入りにくくなる。その一方で、光センサ１０のカバー８０には、第１貫通孔８１１及び第２貫通孔８１２が形成されている。このため、光センサ１０は、発光素子４０が出射する光Ｌ１が光センサ１０から出ていくことを許容し、物体２００で反射された光Ｌ４が光センサ１０に入ってくることを許容できる。また、光センサ１０は、カバー８０により、不要な光が受光素子５０に到達することを抑制できる。

（４）光センサ１０の第１収容空間ＳＰ１は、例えば、透光性を有する樹脂などで充填されていない。このため、光センサ１０は、発光素子４０から出射される光が第１収容空間ＳＰ１内で散乱することを抑制できる。

（５）光センサ１０のカバー８０は、発光素子４０が出射する光に対して遮光性を有している。このため、光センサ１０は、発光素子４０が出射する光が遮光壁８３を透過して、受光素子５０に到達することを抑制できる。

（６）遮光壁８３は、基板２０に形成される凹溝２１９に嵌っている。このため、遮光壁８３と基板２０との間に隙間が生じにくい。したがって、光センサ１０は、発光素子４０が出射する光が、遮光壁８３と基板２０との隙間を通過して、受光素子５０に到達することを抑制できる。

（７）発光素子４０の後端面４３２は、第１方向Ｘにおいて、遮光壁８３の第１遮光壁側面８３１と対向している。このため、発光素子４０の後端面４３２から光が漏れる場合には、当該光が第１遮光壁側面８３１で反射される。この点、第１実施形態では、遮光壁８３の第１遮光壁側面８３１は、厚さ方向Ｚに対して僅かに傾いている。したがって、第１遮光壁側面８３１における光の反射方向が第１方向Ｘに対して傾いた方向となる。よって、光センサ１０は、発光素子４０の後端面４３２から漏れ出た光が発光素子４０に再入射することを抑制できる。

（８）反射面７２１を有する反射部７０は、基板２０と別体とされ、カバー８０と別体とされる。このため、反射部７０に対する反射層７２の形成が容易となる。
（９）図３及び図４に示すように、反射面７２１は湾曲している。このため、発光素子４０が厚さ方向Ｚと直交する面域内において、第１方向Ｘから僅かに傾くように、基板主面２１１上に実装される場合であっても、当該発光素子４０から出射される光を適切に厚さ方向Ｚに反射することが可能となる。

（１０）図６に示すように、発光素子４０の出射部４４が形成される前端面４３１は、サブマウント基板側面３１３よりも突出している。このため、光センサ１０は、出射部４４から出射される光が拡散する場合であっても、当該拡散する光がサブマウント基板３０に干渉することを抑制できる。

（１１）サブマウント基板３０は、対称に形成される一対の第２部分３２２，３２３を含む第１サブパッド３２と、対称に形成される第２サブパッド３３及び第３サブパッド３４と、を有している。第１実施形態では、光センサ１０は、第１発光素子電極４５と第２基板主面パッド２３とを接続するのに第２サブパッド３３を用いるとともに、第２発光素子電極４６と第１基板主面パッド２２とを接続するのに第１サブパッド３２の一方の第２部分３２３を用いている。これに対し、光センサ１０は、第１発光素子電極４５と第２基板主面パッド２３とを接続するのに第３サブパッド３４を用いるとともに、第２発光素子電極４６と第１基板主面パッド２２とを接続するのに第１サブパッド３２の他方の第２部分３２２を用いることもできる。こうして、光センサ１０は、ワイヤ６０の配線自由度を高めることができる。

（第２実施形態）
図８及び図９に基づき、第２実施形態に係る光センサ１０Ａについて説明する。第２実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第２実施形態の光センサ１０Ａは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主にサブマウント基板の構成が異なる。

図８及び図９に示すように、光センサ１０Ａは、基板２０と、サブマウント基板３０Ａと、発光素子４０と、受光素子５０と、ワイヤ６０Ａと、反射部７０と、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。

サブマウント基板３０Ａは、サブマウント基板本体３１Ａと、サブマウント基板主面３１１上に形成される第１サブパッド３２Ａと、サブマウント基板裏面３１２上に形成される第２サブパッド３３Ａと、を有している。サブマウント基板３０Ａには、第１サブパッド３２Ａ及び第２サブパッド３３Ａを導通させるための貫通部３５Ａが形成されている。

第１サブパッド３２Ａには、第２発光素子電極４６が接続されている。つまり、サブマウント基板主面３１１上には、発光素子４０が実装されている。一方、第２サブパッド３３Ａは、第１基板主面パッド２２に接続されている。つまり、第２発光素子電極４６は、サブマウント基板３０Ａを介して、第１基板主面パッド２２と電気的に接続している。こうした点で、発光素子４０は、基板主面２１１上に実装されているといえる。また、ワイヤ６０Ａは、第２基板主面パッド２３と第１発光素子電極４５とを電気的に接続する第１ワイヤ６１Ａと、第４ワイヤ６４と、を有している。

第２実施形態の光センサ１０Ａは、第１実施形態の効果（１）〜（１０）に加え、以下の効果を得ることができる。
（１２）光センサ１０Ａにおいて、第２基板主面パッド２３と第１発光素子電極４５とを一本の第１ワイヤ６１Ａで電気的に接続している。このため、光センサ１０Ａは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、ワイヤの本数を少なくできる。

（第３実施形態）
図１０及び図１１に基づき、第３実施形態に係る光センサ１０Ｂについて説明する。第３実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第３実施形態の光センサ１０Ｂは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に発光素子４０の実装方法が異なる。

図１０及び図１１に示すように、光センサ１０Ｂは、基板２０と、発光素子４０と、受光素子５０と、ワイヤ６０Ｂと、反射部７０と、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。

発光素子４０において、第２発光素子電極４６は、第１基板主面パッド２２に接続されている。つまり、発光素子４０は、サブマウント基板３０を介さずに、基板主面２１１に直接実装されている。図１０及び図１１に示すように、ワイヤ６０Ｂは、第２基板主面パッド２３と第１発光素子電極４５とを電気的に接続する第１ワイヤ６１Ｂと、第４ワイヤ６４と、を有している。

第３実施形態の光センサ１０Ｂは、第１実施形態の効果（１）〜（９）に加え、以下の効果を得ることができる。
（１３）光センサ１０Ｂは、サブマウント基板３０を介さずに、発光素子４０を基板主面２１１上に実装している点で、センサの小型化を図ることができる。

（第４実施形態）
図１２及び図１３に基づき、第４実施形態に係る光センサ１０Ｃについて説明する。第４実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第４実施形態の光センサ１０Ｃは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に発光素子の実装方法が異なる。

図１２及び図１３に示すように、光センサ１０Ｃは、基板２０Ｃと、発光素子４０Ｃと、受光素子５０と、第４ワイヤ６４と、反射部７０と、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。

基板２０Ｃは、基板本体２１と、第１基板主面パッド２２Ｃ、第２基板主面パッド２３Ｃ、第３基板主面パッド２４及び第４基板主面パッド２５と、第１基板裏面パッド２６、第２基板裏面パッド２７、第３基板裏面パッド２８及び第４基板裏面パッド２９と、を有している。第１基板主面パッド２２Ｃ及び第２基板主面パッド２３Ｃは、厚さ方向Ｚにおける平面視において、略正方形状をなしている。第１基板主面パッド２２Ｃ及び第２基板主面パッド２３Ｃの第１方向Ｘにおける間隔は、発光素子４０Ｃの発光素子裏面４２の第１方向Ｘにおける長さよりも短くなっている。

発光素子４０Ｃは、略直方体状をなしている。発光素子４０Ｃは、前端面４３１に形成される出射部４４と、発光素子裏面４２に形成される第１発光素子電極４５Ｃと、発光素子裏面４２に形成される第２発光素子電極４６Ｃと、を有している。前端面４３１における出射部４４の位置は、厚さ方向Ｚにおいて発光素子裏面４２よりも発光素子上面４１に近い位置となっている。厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１発光素子電極４５Ｃ及び第２発光素子電極４６Ｃは、発光素子裏面４２よりも小さく形成されている。また、第１発光素子電極４５Ｃ及び第２発光素子電極４６Ｃは、発光素子裏面４２の長手方向に間隔をおいて形成されている。

第１発光素子電極４５Ｃは、第１基板主面パッド２２Ｃに接続され、第２発光素子電極４６Ｃは、第２基板主面パッド２３Ｃに接続されている。つまり、発光素子４０Ｃは、ワイヤ６０を用いずに基板主面２１１上に実装されている。言い換えれば、発光素子４０Ｃは、いわゆるフリップチップボンディングにより、基板主面２１１上に実装されている。

第４実施形態の光センサ１０Ｃは、第１実施形態の効果（１）〜（９）に加え、以下の効果を得ることができる。
（１４）光センサ１０Ｃは、ワイヤ６０を用いずに発光素子４０Ｃを基板主面２１１上に実装している点で、センサの小型化を図ることができる。

（第５実施形態）
図１４及び図１５に基づき、第５実施形態に係る光センサ１０Ｄについて説明する。第５実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第５実施形態の光センサ１０Ｄは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に基板の構成が異なる。

図１４及び図１５に示すように、光センサ１０Ｄは、基板２０Ｄと、発光素子４０と、受光素子５０と、ワイヤ６０Ｄと、反射部７０と、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。基板２０Ｄは、基板本体２１Ｄと、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄと、を有している。

図１４及び図１５に示すように、基板本体２１Ｄは、略矩形板状をなしている。基板本体２１Ｄは、例えば、ガラスエポキシ樹脂又はセラミックス等の絶縁材料から構成されている。基板本体２１Ｄには、第１リード２２Ｄが収まる第１開口部２１５Ｄと、第２リード２３Ｄが収まる第２開口部２１６Ｄと、第３リード２４Ｄが収まる第３開口部２１７Ｄと、第４リード２５Ｄが収まる第４開口部２１８Ｄと、が形成されている。

第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄは、第１方向Ｘに並ぶように形成されている。厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄは、矩形状をなしている。

図１５に示すように、第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄの第１方向Ｘにおける両端部には、第２方向Ｙにわたって段差部２１４Ｄが形成されている。このため、第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄは、基板主面２１１における開口面積が基板裏面２１２における開口面積よりも大きくなっている。詳しくは、第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄは、基板主面２１１における第１方向Ｘの開口長さが基板裏面２１２における第１方向Ｘの開口長さよりも長くなっている。

第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、Ｃｕ又はＦｅ（鉄）などの導電性の金属材料からなる。第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、略矩形板状をなしている。厚さ方向Ｚにおいて、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄの厚みは、基板本体２１Ｄの厚みと等しくなっている。

図１５に示すように、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄの第１方向Ｘにおける両端部には、第２方向Ｙにわたって段差部２６Ｄが形成されている。このため、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、基板主面２１１に占める面積が基板裏面２１２に占める面積よりもそれぞれ大きくなっている。詳しくは、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、基板主面２１１における第１方向Ｘの長さが基板裏面２１２における第１方向Ｘの長さよりも長くなっている。

第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄにそれぞれ収まっている。第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄの段差部２１４Ｄは、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄの段差部２６Ｄと、それぞれ係合している。また、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、基板主面２１１の一部と基板裏面２１２の一部とを構成している。第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄの下面は、光センサ１０Ｄを電子機器１００の回路基板１１０に実装する際に、回路基板１１０の電極に接続される部位である。

第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄに対して、接着剤等でそれぞれ接合されてもよいし、基板本体２１Ｄの樹脂部分の成形時にそれぞれ接合されてもよい。また、基板本体２１Ｄは絶縁体からなるため、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄは、互いに導通していない。

発光素子４０は、第１リード２２Ｄ上に実装されている。つまり、第２発光素子電極４６は、第１リード２２Ｄに直接接続されている。一方、受光素子５０は、第４リード２５Ｄ上に実装されている。つまり、第２受光素子電極５５は、第４リード２５Ｄに直接接続されている。

ワイヤ６０Ｄは、第１ワイヤ６１Ｄと、第２ワイヤ６２Ｄと、を有している。第１ワイヤ６１Ｄは、第１発光素子電極４５と第２リード２３Ｄの上面とを電気的に接続し、第２ワイヤ６２Ｄは、第１受光素子電極５４と第３リード２４Ｄの上面とを電気的に接続している。

第５実施形態の光センサ１０Ｄは、第１実施形態の効果（１）〜（９）に加え、以下の効果を得ることができる。
（１５）第１開口部２１５Ｄ、第２開口部２１６Ｄ、第３開口部２１７Ｄ及び第４開口部２１８Ｄの段差部２１４Ｄが、第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄの段差部２６Ｄにそれぞれ係合している。このため、光センサ１０Ｄは、段差部２１４Ｄ，２６Ｄを設けない場合に比較して、基板本体２１Ｄから第１リード２２Ｄ、第２リード２３Ｄ、第３リード２４Ｄ及び第４リード２５Ｄが取り外れにくくできる。

（１６）第１リード２２Ｄは、板状をなし、基板主面２１１にも基板裏面２１２にも面している。このため、光センサ１０Ｄは、発光素子４０が発熱する場合には、第１リード２２Ｄを介して、発光素子４０の熱を基板裏面２１２側に逃がすことができる。

（第６実施形態）
図１６及び図１７に基づき、第６実施形態に係る光センサ１０Ｅについて説明する。第６実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第６実施形態の光センサ１０Ｅは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主にカバーの構成が異なる。また、図１６では、光センサ１０Ｅの一部の構成部材を透過して図示している。

図１７に示すように、光センサ１０Ｅは、基板２０と、サブマウント基板３０と、発光素子４０と、受光素子５０と、ワイヤ６０と、反射部７０と、カバー８０Ｅと、接着層９０と、を備えている。カバー８０Ｅは、枠体８４Ｅと、透光パネル８５Ｅと、を有している。

枠体８４Ｅは、第１実施形態のカバー８０から上壁８１を取り除いた構成と略等しい。枠体８４Ｅは、発光素子４０が出射する光の波長に対し、遮光性を有している。また、枠体８４Ｅは、厚さ方向Ｚに延びる側壁８２及び遮光壁８３を有している。枠体８４Ｅは、第２接着層９２を介して、基板２０に接合されている。

透光パネル８５Ｅは、発光素子４０が出射する光に対し、透光性を有している。透光パネル８５Ｅは、例えば、ガラス又はアクリル樹脂などの透明材料からなる。透光パネル８５Ｅは、矩形板状をなしている。透光パネル８５Ｅは、凸状をなすレンズ８５１Ｅを有している。透光パネル８５Ｅは、第３接着層９３を介して、反射部７０の基部上面７１１と枠体８４Ｅの上面とに接合されている。このとき、厚さ方向Ｚにおける平面視において、透光パネル８５Ｅのレンズ８５１Ｅは、反射面７２１と重なっている。言い換えれば、レンズ８５１Ｅは、厚さ方向Ｚにおいて、反射面７２１の対向領域７２２の少なくとも一部と重なっている。

第６実施形態の光センサ１０Ｅは、第１実施形態の効果（１），（２），（４）〜（９）に加え、以下の効果を得ることができる。
（１７）光センサ１０Ｅは、透光パネル８５Ｅにより、第１収容空間ＳＰ１及び第２収容空間ＳＰ２が閉じた空間となる。したがって、光センサ１０Ｅは、第１収容空間ＳＰ１及び第２収容空間ＳＰ２に対する埃等の異物の混入を防止できる。

（１８）光センサ１０Ｅは、カバー８０Ｅにレンズ８５１Ｅを有している。このため、光センサ１０Ｅは、反射面７２１で反射された光をレンズ８５１Ｅで集光することができる。つまり、光センサ１０Ｅは、光センサ１０Ｅから出射される光の指向性を高めることができる。

（第７実施形態）
図１８に基づき、第７実施形態に係る光センサ１０Ｆについて説明する。第７実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第７実施形態の光センサ１０Ｆは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に反射部の構成が異なる。

図１８に示すように、光センサ１０Ｆは、基板２０と、サブマウント基板３０と、発光素子４０と、反射部７０Ｆと、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。また、図示を省略するが、光センサ１０Ｆは、受光素子５０と、ワイヤ６０と、を備えている。反射部７０Ｆは、基部７１Ｆと、反射面７２１Ｆを有する反射層７２Ｆと、を有している。

基部７１Ｆは、第２方向Ｙと直交する断面形状を略台形状とし、第２方向Ｙを高さ方向とする略柱体状をなしている。基部７１Ｆは、厚さ方向Ｚと交差する基部上面７１１及び基部底面７１２と、基部上面７１１及び基部底面７１２を接続する傾斜面７１３Ｆと、を有している。傾斜面７１３Ｆは、基部上面７１１及び基部底面７１２の双方と交差する方向に延びている。

反射層７２Ｆは、基部７１Ｆの傾斜面７１３Ｆ上に形成されている。反射層７２Ｆは、第１実施形態と同様に、例えば、傾斜面７１３Ｆに金属薄膜形成処理を行うことにより形成される金属層である。反射面７２１Ｆは、発光素子４０の光の出射方向に進むにつれて基板主面２１１から離れる方向に傾斜している。言い換えれば、反射面７２１Ｆは、基板主面２１１から離れるにつれて発光素子４０から離れるように傾斜している。

図示を省略するが、反射面７２１Ｆは、第１実施形態と同様に厚さ方向Ｚにおける平面視において、発光素子４０の光の出射方向に凹状に湾曲している。さらに、図１８に示すように、反射面７２１Ｆは、反射面７２１Ｆの上端及び下端を結んだ二点鎖線で示す線分から遠ざかる方向に湾曲している。つまり、反射面７２１Ｆは、第２方向Ｙにおける断面視において、発光素子４０の光の出射方向に凹状に湾曲している。つまり、反射面７２１と第１方向Ｘとの間をなす角度は、厚さ方向Ｚにおける下端から上端に向かうほど大きくなっている。

第７実施形態の光センサ１０Ｆは、第１実施形態の効果（１）〜（１１）に加え、以下の効果を得ることができる。
（１９）図１８に示すように反射面７２１Ｆが湾曲しているため、反射面７２１Ｆがいわゆる凹面鏡として機能する。つまり、光センサ１０Ｆは、一点鎖線矢印で示すように、発光素子４０から出射する光が一定の拡がり角を有している場合において、反射面７２１Ｆが反射する光の向きを一定方向に揃えることができる。

（第８実施形態）
図１９に基づき、第８実施形態に係る光センサ１０Ｇについて説明する。第８実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第８実施形態の光センサ１０Ｇは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に反射部の構成が異なる。

図１９に示すように、光センサ１０Ｇは、基板２０と、サブマウント基板３０と、発光素子４０と、受光素子５０と、ワイヤ６０と、反射部７０Ｇと、を備えている。また、光センサ１０Ｇは、図示を省略するが、カバー８０と、接着層９０と、を備えている。反射部７０Ｇは、基部７１Ｇと、反射面７２１Ｇを有する反射層７２Ｇと、を有している。基部７１Ｇは、第２方向Ｙと直交する断面形状を略台形状とし、第２方向Ｙを高さ方向とする略柱体状をなしている。基部７１Ｇは、第２方向Ｙに対して、断面形状が一定となっている。基部７１Ｇは、厚さ方向Ｚと交差する基部上面７１１及び基部底面７１２と、基部上面７１１及び基部底面７１２を接続する傾斜面７１３Ｇと、を有している。傾斜面７１３Ｇは、基部上面７１１及び基部底面７１２の双方と交差する方向に延びている。

反射層７２Ｇは、基部７１Ｇの傾斜面７１３Ｇ上に形成されている。反射層７２Ｇは、第１実施形態と同様に、例えば、傾斜面７１３Ｇに金属薄膜形成処理を行うことにより形成される金属層である。反射面７２１Ｇは、発光素子４０の光の出射方向に進むにつれて基板主面２１１から離れる方向に傾斜している。言い換えれば、反射面７２１Ｇは、基板主面２１１から離れるにつれて発光素子４０から離れるように傾斜している。反射面７２１Ｇは、発光素子４０の光の出射方向に対して湾曲することなく、平面状をなしている。反射面７２１Ｇと発光素子４０の光の出射方向との間をなす角度は、例えば、３０°以上６０°以下とすることが好ましく、４５°とすることがより好ましい。

第８実施形態の光センサ１０Ｇは、第１実施形態の効果（１）〜（８），（１０），（１１）を得ることができる。
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・第１遮光壁側面８３１は、厚さ方向Ｚではなく、第２方向Ｙに対して傾いていてもよい。また、第１遮光壁側面８３１は、第１方向Ｘと直交していてもよい。
・カバー８０は、上壁８１と側壁８２及び遮光壁８３とを別体に構成したカバーとしてもよい。この場合、側壁８２及び遮光壁８３と反射部７０，７０Ｆ，７０Ｇとを一体に構成してもよい。

・厚さ方向Ｚにおける平面視において、発光素子４０と受光素子５０と反射部７０，７０Ｆ，７０Ｇとの位置関係は適宜に変更することが可能である。例えば、反射部７０，７０Ｆ，７０Ｇは、遮光壁８３と隣接する位置に設けてもよい。この場合、発光素子４０の光の出射方向は、上記実施形態における発光素子４０の光の出射方向と逆方向となる。

・第６実施形態を除く実施形態において、光センサ１０，１０Ａ〜１０Ｄ，１０Ｆ，１０Ｇは、レンズを備えてもよい。この場合、レンズは、カバー８０の第１貫通孔８１１及び第２貫通孔８１２に設けることが好ましい。

・発光素子４０は、半導体レーザ素子に代えて、ＬＥＤとすることもできる。この場合、ＬＥＤは、指向性の高いＬＥＤとすることが好ましい。
・第６実施形態において、透光パネル８５Ｅは、レンズ８５１Ｅを有しなくてもよい。この場合でも、第６実施形態の効果（１７）を得ることができる。

１０，１０Ａ〜１０Ｇ…第１実施形態の光センサ
２０，２０Ｃ，２０Ｄ…基板
２１，２１Ｄ…基板本体
２１１…基板主面
２１２…基板裏面
２１３…基板側面
２１５…第１貫通部
２１６…第２貫通部
２１７…第３貫通部
２１８…第４貫通部
２１４Ｄ…段差部
２１５Ｄ…第１開口部
２１６Ｄ…第２開口部
２１７Ｄ…第３開口部
２１８Ｄ…第４開口部
２１９…凹溝
２２，２２Ｃ…第１基板主面パッド
２２１…第１部分
２２２…第２部分
２２３…第３部分
２２Ｄ…第１リード
２３，２３Ｃ…第２基板主面パッド
２３Ｄ…第２リード
２４…第３基板主面パッド
２４Ｄ…第３リード
２５…第４基板主面パッド
２５Ｄ…第４リード
２６…第１基板裏面パッド
２６Ｄ…段差部
２７…第２基板裏面パッド
２８…第３基板裏面パッド
２９…第４基板裏面パッド
３０，３０Ａ…サブマウント基板
３１，３１Ａ…サブマウント基板本体
３１１…サブマウント基板主面
３１２…サブマウント基板裏面
３１３…サブマウント基板側面
３２，３２Ａ…第１サブパッド
３２１…第１部分
３２２，３２３…第２部分
３２４，３２５…第３部分
３３，３３Ａ…第２サブパッド
３４…第３サブパッド
３５Ａ…貫通部
４０，４０Ｃ…発光素子
４１…発光素子上面
４２…発光素子裏面
４３…発光素子側面
４３１…前端面
４３２…後端面
４４…出射部
４５，４５Ｃ…第１発光素子電極
４６，４６Ｃ…第２発光素子電極
５０…受光素子
５１…受光素子上面
５２…受光素子裏面
５３…受光素子側面
５４…第１受光素子電極
５５…第２受光素子電極
６０，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｄ…ワイヤ
６１…第１ワイヤ
６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｄ…第１ワイヤ
６２，６２Ｄ…第２ワイヤ
６３…第３ワイヤ
６４…第４ワイヤ
７０，７０Ｆ，７０Ｇ…反射部
７１，７１Ｆ，７１Ｇ…基部
７１１…基部上面
７１２…基部底面
７１３，７１３Ｆ，７１３Ｇ…傾斜面
７２，７２Ｆ，７２Ｇ…反射層
７２１，７２１Ｆ，７２１Ｇ…反射面
７２２…対向領域
８０，８０Ｅ…カバー
８１…上壁
８１１…第１貫通孔
８１２…第２貫通孔
８２…側壁
８２１…第１側壁
８２２…第２側壁
８３…遮光壁
８３１…第１遮光壁側面
８３２…第２遮光壁側面
８４Ｅ…枠体
８５Ｅ…透光パネル
８５１Ｅ…レンズ
９０…接着層
９１…第１接着層
９２…第２接着層
９３…第３接着層
１００…電子機器
１１０…回路基板
１２０…透光カバー
１２１…下面
１２２…上面
２００…物体
Ｌ１〜Ｌ４…光
ＳＰ１…第１収容空間
ＳＰ２…第２収容空間
Ｘ…第１方向
Ｙ…第２方向
Ｚ…厚さ方向

Claims (22)

1. 厚さ方向と交差する基板主面及び基板裏面を有する基板と、
   前記基板主面上に実装され、前記基板主面に沿って光を出射する発光素子と、
   前記基板主面上に設けられ、前記発光素子から前記発光素子の光の出射方向に進んだ位置に配置される反射部と、
   前記基板主面上に実装される受光素子と、を備え、
   前記反射部は、前記発光素子から出射される光を前記基板主面から離れる方向に反射する反射面を有する光センサ。
2. 前記発光素子は、光の出射部が形成され、前記反射面と対向する前端面を有する請求項１に記載の光センサ。
3. 前記受光素子は、前記発光素子に対して前記反射部とは反対側に位置している請求項１又は請求項２に記載の光センサ。
4. 前記発光素子と前記受光素子との間において、前記基板主面から前記厚さ方向に延びる遮光壁を備える請求項３に記載の光センサ。
5. 前記発光素子と、前記受光素子と、前記反射部と、を一体に覆うカバーを備え、
   前記カバーには、前記厚さ方向において、前記反射面と対向する部分に第１貫通孔が形成され、前記受光素子と対向する部分に第２貫通孔が形成されている請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の光センサ。
6. 前記発光素子は、光の出射部が形成され、前記反射面と対向する前端面を有し、
   前記反射面において前記前端面と対向する部分を対向領域としたとき、
   前記厚さ方向における平面視において、前記カバーの前記第１貫通孔は、前記対向領域の少なくとも一部を露出させる請求項５に記載の光センサ。
7. 前記厚さ方向における平面視において、前記カバーの前記第２貫通孔は、前記受光素子の中央部を露出させる請求項５又は請求項６に記載の光センサ。
8. 前記カバーは、前記発光素子が出射する光に対して遮光性を有している請求項５〜請求項７の何れか一項に記載の光センサ。
9. 前記発光素子と、前記受光素子と、前記反射部と、を一体に覆うカバーを備え、
   前記カバーは、前記発光素子が出射する光に対して透光性を有している請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の光センサ。
10. 前記カバーは、前記反射部で反射された光を集光するレンズを有する請求項９に記載の光センサ。
11. 前記発光素子は、半導体レーザ素子である請求項１〜請求項１０の何れか一項に記載の光センサ。
12. 前記反射面は、前記厚さ方向における平面視において、前記出射方向に対して凹状に湾曲している請求項１〜請求項１１の何れか一項に記載の光センサ。
13. 前記反射面は、前記基板主面から離れるにつれて前記発光素子から離れるように傾斜している請求項１〜請求項１２の何れか一項に記載の光センサ。
14. 前記反射面と前記出射方向の間をなす角度は４５°である請求項１３に記載の光センサ。
15. 前記反射面は、金属により形成されている請求項１〜請求項１４の何れか一項に記載の光センサ。
16. 前記反射部は、前記反射面を含む反射層を有する請求項１５に記載の光センサ。
17. 前記基板主面上に設けられるサブマウント基板を備え、
    前記発光素子は、前記サブマウント基板を介して、前記基板主面上に実装されている請求項１〜請求項１６の何れか一項に記載の光センサ。
18. 前記基板は、前記基板主面に形成される第１基板主面パッド及び第２基板主面パッドと、前記基板裏面に形成され、前記第１基板主面パッド及び前記第２基板主面パッドにそれぞれ導通する第１基板裏面パッド及び第２基板裏面パッドと、を有し、
    前記サブマウント基板は、第１サブパッドと、第２サブパッドと、第３サブパッドと、を有し、
    前記発光素子は、前記厚さ方向と交差する発光素子上面及び発光素子裏面と、前記発光素子上面に形成される第１発光素子電極と、前記発光素子裏面に形成される第２発光素子電極と、を有し、前記第２発光素子電極を介して、前記第１サブパッド上に実装され、
    前記第２サブパッド及び前記第３サブパッドの一方を接続パッドとしたとき、
    前記第１サブパッドと前記第１基板主面パッドとを接続する第１ワイヤと、
    前記第１発光素子電極と前記接続パッドとを接続する第２ワイヤと、
    前記接続パッドと前記第２基板主面パッドとを接続する第３ワイヤと、を備える請求項１７に記載の光センサ。
19. 前記基板は、前記基板主面に形成される第１基板主面パッド及び第２基板主面パッドと、前記基板裏面に形成され、前記第１基板主面パッド及び前記第２基板主面パッドにそれぞれ導通する第１基板裏面パッド及び第２基板裏面パッドと、を有し、
    前記発光素子は、前記厚さ方向と交差する発光素子上面及び発光素子裏面と、前記発光素子上面に形成される第１発光素子電極と、前記発光素子裏面に形成される第２発光素子電極と、を有し、
    前記第１発光素子電極と前記第２基板主面パッドとを接続するワイヤを備え、
    前記第２発光素子電極は、前記サブマウント基板を介して前記第１基板主面パッドに接続される請求項１７に記載の光センサ。
20. 前記基板は、前記基板主面に形成される第１基板主面パッド及び第２基板主面パッドと、前記基板裏面に形成され、前記第１基板主面パッド及び前記第２基板主面パッドにそれぞれ導通する第１基板裏面パッド及び第２基板裏面パッドと、を有し、
    前記発光素子は、前記厚さ方向と交差する発光素子上面及び発光素子裏面と、前記発光素子上面に形成される第１発光素子電極と、前記発光素子裏面に形成される第２発光素子電極と、を有し、
    前記第１発光素子電極と前記第２基板主面パッドとを接続するワイヤを備え、
    前記第２発光素子電極は、前記第１基板主面パッドに直接接続される請求項１〜請求項１６の何れか一項に記載の光センサ。
21. 前記基板は、前記基板主面に形成される第１基板主面パッド及び第２基板主面パッドと、前記基板裏面に形成され、前記第１基板主面パッド及び前記第２基板主面パッドにそれぞれ導通する第１基板裏面パッド及び第２基板裏面パッドと、を有し、
    前記発光素子は、前記厚さ方向と交差する発光素子上面及び発光素子裏面と、前記発光素子裏面に形成される第１発光素子電極及び第２発光素子電極と、を有し、
    前記第１発光素子電極は、前記第１基板主面パッドに直接接続され、
    前記第２発光素子電極は、前記第２基板主面パッドに直接接続される請求項１〜請求項１６の何れか一項に記載の光センサ。
22. 請求項１〜請求項２１の何れか一項に記載の光センサと、
    前記光センサを覆う透光カバーと、を備える電子機器。

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