JP2021044762A - トランスデューサ - Google Patents

Abstract

【課題】衝撃に対して耐性を持ったトランスデューサを提供する。【解決手段】トランスデューサは、一対の電極１１、１２に挟まれた圧電膜１３を備える圧電素子と、膜厚方向に変位可能な振動膜１６を備え、振動膜１６上に圧電素子が積層される膜体１５と、圧電素子及び膜体１５を収容する内部空間１００を備えるパッケージ２０と、内部空間１００に設けられ、振動膜１６が膜厚方向に変位したときに圧電素子又は振動膜１６が当接することで振動膜１６の変位を制限する当接パッド４０と、を有している。【選択図】図１

Description

本発明は、トランスデューサに関する。

従来、音波又は超音波の送信又は受信を行うトランスデューサが知られている。トランスデューサは、例えば音波を送信するスピーカとして利用され、イヤホン又はウェアラブル端末などに搭載されている。

例えば特許文献１には、イヤホンに好適な音発生装置が開示されている。この音発生装置は、磁界を発生させるコイルと、コイルにより発生させた磁界と相互作用して振動板を振動させるマグネットとを備えている。

コイルとマグネットとを用いるスピーカは大きな駆動電圧が必要となり、消費電力が高くなる。そこで、一対の電極によって圧電膜を両側から挟んで構成される圧電素子を利用したスピーカも注目されている（例えば特許文献２参照）。この類のスピーカは、微細加工を実現する半導体製造技術であるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いて製造される。

特開２０１８−１７０５９２号公報 特開２０１２−１０５１７０号公報

ところで、ＭＥＭＳによって製造されるスピーカは微細な形状を有するため、脆弱な構造になりやすい。そのため、外部から入力される衝撃などによって、破損が生じてしまう可能性がある。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、衝撃に対して耐性を持ったトランスデューサを提供することである。

このような課題を解決するために、本発明は、一対の電極に挟まれた圧電膜を備える圧電素子と、膜厚方向に変位可能な振動膜を備えて振動膜上に圧電素子が積層される膜体と、圧電素子及び膜体を収容する内部空間を備えるパッケージと、内部空間に設けられ、振動膜が膜厚方向に変位したときに圧電素子又は振動膜が当接することで振動膜の変位を制限する当接部材と、を有するトランスデューサを提供する。

本発明によれば、衝撃に対して耐性を持ったトランスデューサを提供することができる。

図１は、本実施形態に係るトランスデューサを示す断面図である。 図２は、本実施形態に係るトランスデューサを示す上面図である。 図３は、本実施形態に係る音響チップを示す断面図である。 図４は、本実施形態に係る音響チップを示す上面図である。 図５Ａは、モジュール電極の形態を説明する断面図である。 図５Ｂは、モジュール電極の形態を説明する断面図である。 図６Ａは、電子部品の実装形態を説明する断面図である。 図６Ｂは、電子部品の実装形態を説明する断面図である。 図６Ｃは、電子部品の実装形態を説明する断面図である。 図７Ａは、パッケージの形態を説明する断面図である。 図７Ｂは、パッケージの形態を説明する断面図である。 図７Ｃは、パッケージの形態を説明する断面図である。 図８Ａは、パッケージと音響チップとのシール構造を説明する断面図である。 図８Ｂは、第１貫通孔及び第２貫通孔を閉塞するシート部材を説明する断面図である。 図８Ｃは、第１貫通孔の形態を説明する断面図である。 図９Ａは、パッケージに形成される溝部を説明する断面図である。 図９Ｂは、パッケージに形成される溝部を説明する断面図である。 図９Ｃは、パッケージに形成される溝部を説明する断面図である。 図１０は、パッケージに形成される突起を説明する断面図である。 図１１Ａは、トランスデューサの製造工程を示す断面図である。 図１１Ｂは、トランスデューサの製造工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付して説明を省略する。

図１及び図２を参照して、本実施形態に係るトランスデューサの構成を説明する。本実施形態に係るトランスデューサは、音響チップ１０と、パッケージ２０と、外部電極３０と、当接パッド４０とを主体に構成されている。以下の説明では、図１に示すトランスデューサの状態を基準に上下方向を定義するが、トランスデューサに対する絶対的な方向を定義するものでない。

図３及び図４において、音響チップ１０は、圧電素子と、膜体１５とで構成されている。

圧電素子は、一対の電極１１、１２と、一対の電極１１、１２の間に挟まれた圧電膜１３とで構成されている。一対の電極１１、１２及び圧電膜１３は、後述する振動膜１６の形状と対応する形状を有しており、図３及び図４に示す例では円形状を有している。

電極１１、１２のそれぞれは、例えばアルミニウム又は銅などの導電性を有する金属の薄膜より形成されている。一方の電極１１は、圧電膜１３の上側に位置し、電極１１に駆動電圧を印加するための一対の電極パッド１１ａと接続されている。他方の電極１２は、圧電膜１３の下側に位置し、電極１２に駆動電圧を印加するための一対の電極パッド１２ａと接続されている。圧電膜１３は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜によって構成されている。圧電膜１３は、チタン酸ジルコン酸鉛以外にも、窒化アルミニウム（ＡｌＺ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）などを用いることができる。

膜体１５は、振動膜１６と、膜支持部１７とで構成されている。膜体１５は、例えばシリコン（Ｓｉ）より構成されており、膜体１５の下面側をエッチングすることで、振動膜１６と膜支持部１７とが一体に形成される。

振動膜１６は、薄膜から構成されており、膜厚方向、すなわち振動膜１６に対する法線方向（図３における紙面上下方向、図４における紙面垂直方向）に変位可能に構成されている。振動膜１６は、膜厚方向に垂直な平面で見た場合、略円形状を有している。なお、振動膜１６は、振動膜１６の中心から放射状に延びる複数のスリットにより複数の領域に分割された構造であってもよい。

膜支持部１７は、振動膜１６の全周にかけて振動膜１６と接続され、振動膜１６を支持する。振動膜１６の下方には、円柱状の空隙（キャビティ）が形成されている。

このような構成の音響チップ１０において、膜体１５の振動膜１６上には、圧電素子が設けられている。すなわち、振動膜１６上には、下側の電極１２、圧電膜１３及び上側の電極１１が順番に積層されている。一対の電極１１、１２に駆動電圧がそれぞれ印加されると、一対の電極１１、１２の間に電界が生じる。この電界により、振動膜１６が変位する。一対の電極１１、１２に対して駆動電圧を繰り返し変化させることで、振動膜１６を振動させることができる。

図１及び図２において、パッケージ２０は、複数の基板、例えば４枚の基板２１〜２３を積層して構成されている。パッケージ２０を構成する４枚の基板２１〜２３は、振動膜１６の膜厚方向に沿って積層されている。

具体的には、パッケージ２０は、パッケージ２０の上面を構成する基板（上部基板）２１と、パッケージ２０の下面を構成する基板（下部基板）２２と、上部基板２１と下部基板２２との間に積層される２枚の基板（中間基板）２３とで構成されている。上部基板２１、下部基板２２及び中間基板２３の各外周形状は、互いに概ね同一形状かつ概ね同一サイズを有しており、図２に示す例では四角形状を有している。もっとも、上部基板２１、下部基板２２及び中間基板２３の各外周形状は、それぞれ異なる形状であっても、それぞれ異なるサイズであってもよい。

同図に示す例では、上部基板２１及び下部基板２２がそれぞれ１枚の基板で構成されているが、２枚以上の基板で構成されてもよい。また、中間基板２３が２枚の基板で構成されているが、１枚の基板、又は３枚以上の基板で構成されてもよい。加えて、各基板２１〜２３の４つの角部は直角形状となっているが、円弧形状又はテーパー形状に面取りしてもよい。

各中間基板２３には、中間基板２３の板厚方向に貫通する貫通孔が形成されている。２枚の中間基板２３に形成された貫通孔は互いに連通しており、これらの貫通孔により、パッケージ２０の内部に内部空間１００が形成される。そして、パッケージ２０の内部空間１００には、音響チップ１０が収容され、パッケージ２０に対して実装される。

内部空間１００は、振動膜１６を境に、振動膜１６よりも上側に位置する上空間部１０１と、振動膜１６よりも下側に位置する下空間部１０２とに仕切られる。上空間部１０１とパッケージ２０の外側に位置する外部空間とを連通するために、上部基板２１には、上部基板２１の板厚方向に貫通する上部貫通孔２１ａが形成されている。上部貫通孔２１ａは、上空間部１０１を隔てて、圧電素子及び振動膜１６と対向している。また、下空間部１０２とパッケージ２０の外部空間とを連通するために、下部基板２２には、下部基板２２の板厚方向に貫通する下部貫通孔２２ａが形成されている。下部貫通孔２２ａは、下空間部１０２を隔てて、振動膜１６と対向している。

一対の電極１１、１２に対して駆動電圧を繰り返し変化させると、振動膜１６が膜厚方向に変位する。具体的には、振動膜１６は、上空間部１０１側への変位と下空間部１０２側への変位を交互に繰り返し、上空間部１０１内の空気を振動させる。空気の振動（音波）は、上部貫通孔２１ａを介してパッケージ２０の外部へと出力される。この際、下部貫通孔２２ａは、下空間部１０２に対する空気の流通を確保し、振動膜１６の振動を許容する働きを担っている。

外部電極３０は、チップ電極３１と、モジュール電極３２と、電極配線３３とで構成されている。チップ電極３１は、音響チップ１０の電極パッド１１ａ，１２ａと接続する。チップ電極３１は、内部空間１００に収容された音響チップ１０の電極パッド１１ａ，１２ａと対向するように、内部空間１００の上面、具体的には２枚の中間基板２３のうち上側に位置する中間基板２３の下面に形成されている。モジュール電極３２は、チップ電極３１及び電極配線３３を介して電極１１、１２と接続するための電極である。モジュール電極３２は、パッケージ２０の上面、具体的には、上部基板２１の上面に形成されている。電極配線３３は、チップ電極３１とモジュール電極３２とを接続する。上部基板２１と、この上部基板２１と隣り合う中間基板２３とには、互いに連通するスルーホールが設けられており、電極配線３３はスルーホールに設けられている。なお、図１及び図２では、一部の外部電極のみが代表的に描かれている。

当接パッド４０は、上空間部１０１及び下空間部１０２にそれぞれ設けられており、振動膜１６と向かい合うように配置されている。当接パッド４０は、振動膜１６の変位を制限する機能を担っている。すなわち、当接パッド４０は、振動膜１６が上空間部１０１側又は下空間部１０２側へと変位したときに、振動膜１６又は振動膜１６上の圧電素子が当接パッド４０に当接することで、振動膜１６の変位を制限する。

当接パッド４０において振動膜１６が当接する当接面４０ａと、振動膜１６との間の距離は、圧電素子に定格電圧が印加されたときの振動膜１６の変位（以下「最大変位」という）に基づいて設定されている。すなわち、当接パッド４０の当接面４０ａは、最大変位よりも大きな変位が生じた際に、振動膜１６又は圧電素子が当接面４０ａへと当接するように設定されている。これにより、圧電素子による振動膜１６の通常の変位を妨げることなく、衝撃などによって最大変位を超えるような大きな変位が圧電膜１３に生じたときに、振動膜１６が当接面４０ａに当接することとなる。

当接面４０ａの形状は、振動膜１６が変位したときの変位形状に基づいて形成されている。これにより、振動膜１６が当接面４０ａに当接したときに、当接面４０ａが振動膜１６を面で受けることとなる。例えば、上空間部１０１に配置される当接パッド４０の当接面４０ａは、上側に向かって湾曲するような半球形状を有する。同様に、下空間部１０２に配置される当接パッド４０の当接面４０ａは、下側に向かって湾曲するような半球形状を有している。また、上空間部１０１に設けられた当接パッド４０の中央には、上部貫通孔２１ａと連通する貫通孔が形成され、下空間部１０２に設けられた当接パッド４０の中央には、下部貫通孔２２ａと連通する貫通孔が形成されている。

このように本実施形態において、トランスデューサは、振動膜１６が膜厚方向に変位したときに圧電素子又は振動膜１６が当接することで振動膜１６の変位を制限する当接パッド（当接部材）４０を備えている。

この構成によれば、当接パッド４０により振動膜１６の変位を制限することができるので、衝撃による振動膜１６の過大な変位を抑制することができる。これにより、破損の発生を抑制することができるので、衝撃に対して耐性を持ったトランスデューサを提供することができる。

また、本実施形態において、パッケージ２０は、振動膜１６の膜厚方向に沿って積層された４つの基板２１〜２３から構成されている。

この構成によれば、それぞれの基板２１〜２３を所定の形状に形成し、これらの基板２１〜２３を積層することで、所望の形状のパッケージ２０を簡易に形成することができる。

本実施形態に係るトランスデューサは、上述した構成に限らず、様々な変更が可能である。以下、図５Ａ〜図１０を参照し、本実施形態に係るトランスデューサの変形例を説明する。なお、図５Ａ〜図１０では、当接パッド４０の記載を省略しているが、これらの変形例であっても当接パッド４０を適用することができる。

（第１の変形例）
まず、上述した実施形態では、モジュール電極３２を、パッケージ２０の上面に設けている。しかしながら、モジュール電極３２は、パッケージ２０の外面に設けられていればよい。図５Ａに示すように、下部基板２２の下面側にモジュール電極３２を形成することで、パッケージ２０の下面にモジュール電極３２を設けることができる。また、図５Ｂに示すように、パッケージ２０の側面は、４つの基板２１〜２３の端面が上下に並んで構成されている。そこで、４つの基板２１〜２３の端面にモジュール電極３２を形成することで、パッケージ２０の側面にモジュール電極３２を設けることができる。

このように、４つの基板２１〜２３を積層してパッケージ２０が構成されているので、モジュール電極３２のレイアウトに関する自由度を高めることができる。

（第２の変形例）
上述した実施形態において、一対の電極１１、１２に対する駆動電圧の変化は、モジュール電極と電気的に接続される電子部品によって行われる。この場合、パッケージ２０に電子部品を設けてもよい。

図６Ａにおいて、電子部品５０は、上部基板２１の上面に実装され、パッケージ２０の上面に設けられている。図６Ｂにおいて、電子部品５０は、下部基板２２の下面に実装され、パッケージ２０の下面に設けられている。また、図６Ｃに示す例では、電子部品５０は、下部基板２２の上面に実装され、内部空間１００内に設けられている。

なお、パッケージ２０に電子部品５０を設ける場合、電子部品５０に対して電力を供給する電源配線（図示せず）及び信号を供給する信号配線（図示せず）をパッケージ２０に形成することができる。また、パッケージ２０の上面又は下面に電子部品５０を実装する場合には、電子部品５０の実装スペースを考慮して上部貫通孔２１ａ又は下部貫通孔２２ａを形成することが好ましい。

４つの基板２１〜２３を積層してパッケージ２０が構成されているので、パッケージ２０に対して電子部品５０を実装することができる。これにより、音響チップ１０と電子部品５０とがセットにされたトランスデューサを提供することができる。

（第３の変形例）
上述した実施形態では、４つの基板２１〜２３を同一形状かつ同一サイズに設定している。しかしながら、４つの基板２１〜２３は互いに形状が異なってもよいし、互いにサイズが異なってもよい。

図７Ａにおいて、４つの基板２１〜２３のうち、上側の基板２１、２３（上部基板２１、上部基板２１の下側に隣接する中間基板２３）は、下側の基板２２、２３（下部基板２２、下部基板２２の上側に隣接する中間基板２３）よりも大きなサイズ（面積）に設定されている。このようなサイズの相違により、上側の基板２１、２３の周縁は、下側の基板２２、２３の周縁よりも外側に張り出している。すなわち、上側の基板２１、２３の張り出した領域は、パッケージ２０の側面を１周するように、フランジ状に形成されている。

この構成によれば、パッケージ２０を収容する製品筐体に対してパッケージ２０を組み付ける際に、上側の基板２１、２３の張り出した領域を利用して製品筐体との固定を行うことができる。これにより、製品筐体に対するパッケージ２０の固定を効率的に行うことができる。この場合、製品筐体は、上側の基板２１、２３の張り出した領域を受け止める構造を備えることが好ましい。

また、この構成によれば、上側の基板２１、２３の張り出した領域はパッケージ２０の周囲の全体に設けられているので、製品筐体とパッケージ２０との間に生じる隙間を塞ぐことができる。これより、パッケージ２０周囲の気流をコントロールすることができるので、音波の出力特性を安定させることができる。

なお、上部基板２１の下側に隣接する中間基板２３が、外側へと張り出しているため、中間基板２３の下面もパッケージ２０の外側に露出している。そのため、図７Ｂに示すように、中間基板２３の下面にモジュール電極３２を形成してもよい。これにより、チップ電極３１とモジュール電極３２とを直接接続することができるので、簡単に外部電極３０を形成することができる。

また、図７Ｃに示すように、中間基板２３の下面に電子部品５０を実装してもよい。また、図７Ｃに示すように、サイズを大きくする基板は、４つの基板２１〜２３のうち、１つ以上の基板から選択することができる。

（第４の変形例）
図８Ａにおいて、トランスデューサは、シール部材６０をさらに有している。シール部材６０は、パッケージ２０と膜体１５との間に形成される隙間に配置されている。シール部材６０は、リング状に形成されており、パッケージ２０と膜体１５との隙間をシールする機能を担っている。

この構成によれば、パッケージ２０と膜体１５との隙間をシールすることができる。これにより、パッケージ２０と膜体１５との隙間を流れる空気を規制し、意図した空気の流れを形成することができる。その結果、音波の出力特性を安定させることができる。

（第５の変形例）
図８Ｂにおいて、トランスデューサは、シート部材６５をさらに有している。シート部材６５は、上部貫通孔２１ａを閉塞するように、上部基板２１の下面側に設けられている。また、シート部材６５は、下部貫通孔２２ａを閉塞するように、下部基板２２の下面側に設けられている。シート部材６５は、シート状に形成されており、空気を通過させることができる素材で形成されている。シート部材６５としては、不織布、ゴアテックス（登録商標）のような防水通気性を備える布を用いることができる。

この構成によれば、上部貫通孔２１ａ及び下部貫通孔２２ａがシート部材６５で閉塞されるため、粉塵又は液体などが内部空間１００へと入り込むことを抑制することができる。一方、シート部材６５は、空気を通過させる素材で形成されているため、上部貫通孔２１ａ及び下部貫通孔２２ａによる空気の流通を維持することができる。なお、図８Ｂに示す例では、トランスデューサがシール部材６０を備えているが、シール部材６０を備えていない構成に対してシート部材６５を適用することもできる。

（第６の変形例）
図１及び図２に示す実施形態において、上部貫通孔２１ａは、上部基板２１の板厚方向に沿って直線形状に設定されている。しかしながら、上部貫通孔２１ａは、直線形状以外の形状であってもよい。

図８Ｃにおいて、上部貫通孔２１ａは、第１開口２１０と、第２開口２１１と、連通部２１２とで構成されている。第１開口２１０は、パッケージ２０の外部空間側に位置する開口である。第２開口２１１は、内部空間１００（上空間部１０１）側に位置する開口である。連通部２１２は、第１開口２１０と第２開口２１１とを連通する。振動膜１６と平行な平面で見た場合に、第１開口２１０の位置は、第２開口２１１の位置と相違している。したがって、第１開口２１０から第２開口２１１へと直線的に向かうことができないため、連通部２１２は、屈曲や湾曲を伴う形状となる。このため、上部貫通孔２１ａは、全体として非直線形状に形成されている。

このような構成によれば、上部貫通孔２１ａが直線形状に形成されていないため、粉塵などが内部空間１００へと入り込むことを抑制することができる。一方、上部貫通孔２１ａは連通しているので、空気の流通を維持することができる。なお、図８Ｃに示す例では、トランスデューサがシール部材６０を備えているが、シール部材６０を備えていない構成に対して、図８Ｃに示す構成を適用することもできる。また、上部貫通孔２１ａのみならず、下部貫通孔２２ａに対しても、図８Ｃに示す構成を適用することができる。

（第７の変形例）
図９Ａにおいて、パッケージ２０の上面、すなわち、上部基板２１の上面の周縁には、内側に窪むような溝部２１ｂが形成されている。この溝部２１ｂは、パッケージ２０の周囲を一周するように、上部基板２１の周縁の全部に形成されている。

この構成によれば、パッケージ２０を収容する製品筐体に対してパッケージ２０を組み付ける際に、溝部２１ｂに対して製品筐体を嵌合することで、パッケージ２０と製品筐体との固定を行うことができる。これにより、製品筐体に対するパッケージ２０の固定を効率的に行うことができる。この場合、製品筐体に、溝部２１ｂと嵌合する突起構造を用意しておくことが好ましい。

また、この構成によれば、溝部２１ｂと製品筐体とが嵌合することで、製品筐体とパッケージ２０との間に発生する隙間を塞ぐことができる。これより、パッケージ２０周囲の気流をコントロールすることができるので、音波の出力特性を安定させることができる。

なお、図９Ａに示す例では、パッケージ２０の上面の周縁部に溝部２１ｂを設けている。しかしながら、パッケージ２０の下面の周縁部に溝部２１ｂを設けてもよい。また、図９Ｂに示すように、パッケージ２０の上面における上部貫通孔２１ａの周囲に、溝部２１ｂを設けてもよい。当然、パッケージ２０の下面における下部貫通孔２２ａの周囲に、溝部２１ｂを設けてもよい。さらに、図９Ｃに示すように、パッケージ２０の側面に、溝部２３ｂを形成してもよい。

また、図１０に示すように、溝部２１ｂに代えて、パッケージ２０の上面に、上面に起立する突起２４を設けてもよい。この場合、突起２４を設ける場所は、パッケージ２０の上面に限らず、パッケージ２０の下面であってもよい。

以下、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照し、本実施形態に係るトランスデューサの製造方法、具体的には、音響チップ１０をパッケージ２０によってパッケージングする方法を説明する。トランスデューサは、図１及び図２に示す構成とする。

まず、上部基板２１と、この上部基板２１の下側に積層された中間基板２３とを含む上側の基板２１、２３を用意する。この上側の基板２１、２３によって形成される上空間部１０１には、当接パッド４０が設けられている。また、上側の基板２１、２３には、外部電極３０が形成されている。

そして、上側の基板２１、２３に対して音響チップ１０を実装する。音響チップ１０は、電極パッド１１ａ、１２ａが上側を向くように配置されており、上側の基板２１、２３に対して音響チップ１０が実装される。

つぎに、下部基板２２と、この下部基板２２の上側に積層された中間基板２３とを含む下側の基板２２、２３を用意する。この下側の基板２２、２３によって形成される下空間部１０２には、当接パッド４０が設けられている。

そして、音響チップ１０を挟むように、下側の基板２２、２３を上側の基板２１、２３に対して接合する。これにより、音響チップ１０がパッケージ２０によりパッケージングされ、トランスデューサが完成される。

最後に、基板２１〜２３を切削して個々のチップ状に個片化することで、これにより図１及び図２に示すトランスデューサが完成する。

個片化を行うときにトランスデューサに衝撃が加わったとしても、当接パッド４０により振動膜１６の変位を制限することができる。その結果、衝撃によって振動膜１６が過大に変位することを抑制することができる。これにより、破損の発生を抑制することができるので、衝撃に対して耐性を持ったトランスデューサを提供することができる。

上記のように、本発明の実施形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

例えば、トランスデューサは、音波を送信する以外にも、音波を受信する用途に適用してもよい。また、トランスデューサは、音波に限らず、超音波の送信又は受信を行う用途に適用してもよい。

１０ 音響チップ
１１、１２ 電極
１３ 圧電膜
１５ 膜体
１６ 振動膜
１７ 膜支持部
２０ パッケージ
２１ 上部基板
２２ 下部基板
２３ 中間基板
３０ 外部電極
３１ チップ電極
３２ モジュール電極
３３ 電極配線３３
４０ 当接パッド
４０ａ 当接面

Claims (10)

1. 一対の電極と、前記一対の電極に挟まれた圧電膜とを備える圧電素子と、
   膜厚方向に変位可能な振動膜を備え、前記振動膜上に前記圧電素子が積層される膜体と、
   前記圧電素子及び前記膜体を収容する内部空間を備えるパッケージと、
   前記内部空間に設けられ、前記振動膜が膜厚方向に変位したときに前記圧電素子又は前記振動膜が当接することで前記振動膜の変位を制限する当接部材と、
   を有するトランスデューサ。
2. 前記パッケージは、前記振動膜の膜厚方向に沿って積層された複数の基板から構成されている
   請求項１記載のトランスデューサ。
3. 前記パッケージの外面には、前記一対の電極と電気的に接続するためのパッケージ電極がそれぞれ設けられている
   請求項２記載のトランスデューサ。
4. 前記パッケージには、前記一対の電極に対する駆動電圧を変化させる電子部品が設けられている
   請求項２又は３記載のトランスデューサ。
5. 前記複数の基板は、
   第１の基板と、
   前記第１の基板の周縁よりも外側に延出するように、前記第１の基板の面積よりも大きな面積を有する第２の基板と、を含む
   請求項２から４のいずれか一項記載のトランスデューサ。
6. 前記パッケージには、前記パッケージの周囲を一周するように形成される、凹状に窪んだ溝部が設けられている
   請求項２から５のいずれか一項記載のトランスデューサ。
7. 前記内部空間は、前記振動膜を境に第１空間部と第２空間部とに仕切られ、
   前記パッケージは、
   前記パッケージの外部空間と前記第１空間部とを連通する第１貫通孔と、
   前記外部空間と前記第２空間部とを連通する第２貫通孔と、有する
   請求項１から６のいずれか一項記載のトランスデューサ。
8. 前記パッケージと前記膜体との間に形成される隙間に配置され、前記隙間をシールするシール部材をさらに有する
   請求項７記載のトランスデューサ。
9. 前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を閉塞するシート部材を有し、
   前記シート部材は、空気を通過させる素材で形成されている
   請求項７又は８記載のトランスデューサ。
10. 前記第１貫通孔又は前記第２貫通孔は、
    前記外部空間側に位置する第１開口と、
    前記内部空間側に位置する第２開口と、
    前記第１開口と前記第２開口とを連通する連通部と、を有し、
    前記振動膜と平行な平面で見た場合に、前記第１開口の位置と前記第２開口の位置とが相違している
    請求項７から９のいずれか一項記載のトランスデューサ。

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