JP2021043361A - 光源、検査装置、ｅｕｖ光の生成方法及び検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安定してＥＵＶ光を生成することができる光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法を提供する。【解決手段】本発明に係る光源１は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生する溶融金属３０を保持した容器１０と、容器１０に対して溶融金属３０を流動させる流動手段と、を備え、流動させた溶融金属３０に対して、レーザ光Ｌ１を照射することにより発生したプラズマからＥＵＶ光を生成する。容器１０は、中心軸Ｒ１を中心として同心円状に配置された円筒状の内壁１１及び外壁１２を有する円環槽１０ａを含み、内壁１１及び外壁１２の間に円環状に溶融金属３０を保持する。【選択図】図１

Description

本発明は、光源、検査装置、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光の生成方法及び検査方法に関するものであり、例えば、ＥＵＶ光を生成するための光源として、スズのドロップレットを利用したレーザ励起光源のＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源に替わる方式の光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法に関する。

半導体の微細化を担うリソグラフィ技術に関しては、現在、露光波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを露光光源としたＡｒＦリソグラフィが量産適用されている。また、露光装置の対物レンズとウエハとの間を水で満たして、解像度を高める液浸技術（ＡｒＦ液浸リソグラフィと呼ばれる。）も量産に利用されている。さらに、一層の微細化を実現するために、ＥＵＶ光を用いたＥＵＶＬ（ＥＵＶ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の実用化に向けて様々な技術開発が行われている。

ＥＵＶＬに用いられるマスクであるＥＵＶマスクは、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜が設けられている。多層膜は、通常、モリブデンとシリコンを交互に数十層積み重ねた構造になっている。これにより、多層膜は、ＥＵＶ光を垂直で約６５％も反射させることができる。多層膜の上には、ＥＵＶ光を吸収する吸収体が設けられている。吸収体をパターニングすることにより、マスクパターンを形成することができる。実際に露光に使うためには、レジストプロセスにより、吸収体をパターン形成する。このようにして、パターン付きＥＵＶマスクが完成する。

ＥＵＶマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のＡｒＦマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており、検出することが困難となっている。そこで、検査用照明光として、露光光と同じ波長の照明光を用いて検査するアクティニック（Ａｃｔｉｎｉｃ）検査は、パターン検査に不可欠となっている。この際の検査用照明光は、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光である。

ＥＵＶマスクの検査装置の一般的な基本構成としては、光源から取り出されるＥＵＶ光を、ＥＵＶ用の多層膜鏡のみで構成される照明光学系によって、ＥＵＶマスクまで導き、ＥＵＶマスクのパターン面における微小な検査領域を照明する。この検査領域におけるＥＵＶマスクのパターンが、多層膜鏡のみで構成される拡大光学系によって、ＣＣＤカメラやＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラの２次元イメージセンサーの表面に投影（結像）される。そして、観察されたパターンを解析し、パターンが正しいか否かを判断する。こうして、ＥＵＶマスクのパターン検査が行われる。

一般に、ＥＵＶ光源としては、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源、ＬＤＰ光源及びＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源が挙げられる。ＬＰＰ光源は、微小な液滴状に噴出されたスズ（Ｓｎ）、または、リチウム（Ｌｉ）等のドロップに対して、レーザ光を集光することによりプラズマを発生させる方式である。

ＥＵＶマスクの検査装置の照明光学系としては、ＥＵＶマスクにおける微小な検査領域を明るく照明できるように、光源から発生するＥＵＶ光を、検査領域を含む狭い領域に集光するような光学系が必要である。このような光学系の一つとしては、光源の発光部をＥＵＶマスクのパターン面に投影する光学系が望ましい。ただし、光学系にはミラーしか利用できないため、例えば、回転楕円面鏡（以下、単に楕円面鏡と呼ぶ。）を１〜数枚用いる光学系が利用されている。楕円面鏡は、２つの集光点を有しており、１つの集光点から発生する光は、もう一方の集光点に集光する性質を有する。

楕円面鏡の２つの集光点を第１集光点及び第２集光点とする。第１集光点が光源の発光部と合うように、かつ、第２集光点がＥＵＶマスク内の微小な検査領域と合うように、光源、楕円面鏡、及び、ＥＵＶマスクを配置する。例えば、光源がＬＰＰ光源の場合には、第１集光点がプラズマの輝点と合うようにする。これにより、微小な検査領域までＥＵＶ光を導いて照明することができる。

また、楕円面鏡を複数枚用いる場合も原理的には同様である。例えば、第１〜第３楕円面鏡を用いる場合には、第１楕円面鏡の第１集光点を光源の発光部に合わせ、第１楕円面鏡の第２集光点を、第２楕円面鏡の第１集光点に合わせる。第２楕円面鏡の第２集光点を第３楕円面鏡の第１集光点に合わせる。そして、第３楕円面鏡の第２集光点を検査領域に合わせる。これにより、光源の発光部をＥＵＶマスクのパターン面に投影することができる。

米国特許出願公開第２０１９／０１６６６７９号明細書 特開２０１４−２１６２８６号公報 特表２０１５−５０５４１８号公報

溶融したスズ等の溶融金属ターゲットを用いたＬＰＰ光源では、レーザ光による溶融スズの局所的な過加熱を避けるために、ターゲット上の照射位置を連続的に移動させることが必要である。

特許文献１には、溶融金属を保持した坩堝を回転させることにより、溶融金属ターゲット上の照射位置を連続的に移動させている。しかしながら、特許文献１のＥＵＶ光の生成方法では、坩堝を回転させるための回転機構、溶融金属を形成させるための加熱機構等の多くの機構を必要とする。このような複雑な構成をした特許文献１のＥＵＶ光の生成方法には改善の余地がある。

本発明の目的は、このような問題を解決するためになされたものであり、ＥＵＶ光を簡単な構成で安定的に生成することができる光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法を提供することである。

本発明に係る光源は、レーザ光の照射によりプラズマを発生する溶融金属を保持した容器と、前記容器に対して前記溶融金属を流動させる流動手段と、を備え、流動させた前記溶融金属に対して、前記レーザ光を照射することにより発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成する。このような構成とすることにより、ＥＵＶ光を簡単な構成で安定的に生成することができる。

また、本発明に係る検査装置は、前記光源と、前記ＥＵＶ光により検査対象を照明する照明光学系と、前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を検出して前記検査対象の画像を取得する検出光学系と、を備える。このような構成により、検査対象の検査の信頼性を向上させることができる。

さらに、本発明によるＥＵＶ光の生成方法は、レーザ光の照射によりプラズマを発生する溶融金属を容器内に形成するステップと、前記容器に対して前記溶融金属を流動させるステップと、流動させた前記溶融金属に対して、前記レーザ光を照射するステップと、前記レーザ光を照射することにより発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成するステップと、を備える。このような構成とすることにより、ＥＵＶ光を簡単な構成で安定的に生成することができる。

さらに、本発明による検査方法は、前記ＥＵＶ光の生成方法と、生成された前記ＥＵＶ光により検査対象を照明するステップと、前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を検出して前記検査対象の画像を取得するステップと、を備える。このような構成により、検査対象の検査の信頼性を向上させることができる。

本発明によれば、ＥＵＶ光を簡単な構成で安定的に生成することができる光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法を提供することができる。

実施形態１に係る光源を例示した断面図である。 実施形態１に係る光源の容器及び回転子を例示した斜視図である。 実施形態１に係る光源の容器及び回転子を例示した断面図である。 実施形態１に係る光源の容器及び回転子を分離させた場合を例示した斜視図である。 実施形態１に係るＥＵＶ光の生成方法を例示したフローチャート図である。 実施形態２に係る光源を例示した断面図である。 実施形態２に係る光源の容器、磁石及び上側電極を例示した斜視図である。 実施形態２に係る光源の容器、磁石、上側電極及び下側電極を例示した斜視断面図である。 実施形態２に係る光源において、円環槽に形成された磁場を例示した図である。 実施形態３に係る検査装置を例示した構成図である。 実施形態３に係る検査方法を例示したフローチャート図である。 実施形態４に係る光源を例示した断面図である。 実施形態４に係る光源を例示した斜視図である。 実施形態４に係る光源を例示した断面斜視図であり、溶融金属を除去した状態を示す。 実施形態４に係る光源を例示した断面斜視図であり、溶融金属を充填した状態を示す。

以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。

（実施形態１）
実施形態１に係る光源を説明する。光源は、例えば、検査装置において検査対象を照明する照明光の光源である。光源は、露光装置において露光光の光源に用いられてもよい。本実施形態の光源は、回転子により溶融金属を流動させる回転溶融金属ターゲットを有している。

図１は、実施形態１に係る光源を例示した断面図である。図２は、実施形態１に係る光源の容器及び回転子を例示した斜視図である。図３は、実施形態１に係る光源の容器及び回転子を例示した断面図である。図４は、実施形態１に係る光源の容器及び回転子を分離させた場合を例示した斜視図である。なお、図面が煩雑にならないように、ハッチングを省略している場合がある。

図１〜４に示すように、光源１は、容器１０、回転子２０を備えている。また、光源１は、ヒータ３１、デブリシールド３２、平面鏡３３、楕円面鏡７１を備えてもよい。図中において、いくつかの符号を省略している場合がある。

容器１０は、例えば、坩堝であり、内部で、金属を溶融させることができる。容器１０は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生する溶融金属３０を保持する。溶融金属３０は、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等が溶融したものである。なお、溶融金属３０は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生するものであれば、スズ、リチウム、ガリウム、インジウム等に限らない。容器１０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、グラファイト（Ｃ）等のような溶融金属３０と反応しにくい材料を含んでいる。

容器１０は、円環状の円環槽１０ａを含んでもよい。円環状の円環槽１０ａの中心軸をＲ１とする。中心軸Ｒ１は、例えば、鉛直方向に延びている。円環槽１０ａは、円筒状の内壁１１、円筒状の外壁１２及び円環状の底壁１３を有している。内壁１１、外壁１２及び底壁１３は、中心軸Ｒ１を中心として同心円状に配置されている。円環槽１０ａは、内壁１１及び外壁１２の間に円環状に溶融金属３０を保持している。すなわち、内壁１１及び外壁１２に挟まれた円環状の空間に溶融金属３０が保持されている。

ヒータ３１は、底壁１３の下方に配置されている。ヒータ３１の加熱によって、円環槽１０ａ内に、溶融金属３０を形成することができる。円環槽１０ａの近傍には、図示しない放射温度計が配置されている。放射温度計は、円環槽１０ａの温度を放射温度計で常時モニターし、温度が一定になるようにヒータ３１の加熱を制御する。光源１の動作中は、溶融金属３０がレーザ光Ｌ１を吸収することによっても加熱される。円環槽１０ａ及び溶融金属３０の過加熱を抑制するために、円環槽１０ａ及び回転子２０の適当な位置に水冷ジャケット等のヒートシンクを組み込んでもよい。

回転子２０は、円板部２１、円筒部２２及びシャフト２３を有している。円板部２１は、中心軸Ｒ１を中心とした円板状である。円筒部２２は、中心軸Ｒ１を中心とした円筒状である。円筒部２２の一方の端部は、円板部２１の周縁に接続している。これにより、円板部２１及び円筒部２２は、一方の端部が円板部２１で閉じられた円筒状である。

シャフト２３は、中心軸Ｒ１と同軸に延びた棒状である。シャフト２３の一端は、円筒部２２の内部を通って円板部２１に接続されている。シャフト２３が中心軸Ｒ１を回転軸として回転することにより、回転力が回転子２０の円板部２１及び円筒部２２に伝達する。よって、回転子２０は、中心軸Ｒ１を回転軸として回転する。

回転子２０の円筒部２２の他方の端部及びシャフト２３を下方に向け、円環槽１０ａの上方から、円筒部２２の他方の端部を溶融金属３０の内部に浸す。すなわち、回転子２０の一部を溶融金属３０に浸漬させる。また、シャフト２３を内壁１１で囲まれた空洞部分に通す。そして、回転子２０を回転させる。そうすると、回転子２０の一部は、静止した円環槽１０ａに対して溶融金属３０を回転させる。このように、回転子２０は、回転子２０の一部を溶融金属３０に浸漬させ、中心軸Ｒ１を回転軸として一部を回転させることにより、溶融金属３０を中心軸Ｒ１の周りに回転させて流動させる。よって、回転子２０は、円環槽１０ａに対して溶融金属３０を流動させる流動手段として機能する。

なお、容器１０を円環槽１０ａとして説明したが、回転子２０によって溶融金属３０を流動させることができれば、容器１０は、円環槽１０ａに限らない。その場合には、回転子２０のシャフト２３をシールして容器１０の底を通す、または、シャフト２３を上方に取り付ける。

溶融金属３０を流動させる際に、容器１０は回転せず、回転子２０が回転することで溶融金属３０を回転させることができる。溶融金属３０に浸漬させる回転子２０の一部は、円筒状等の中心軸Ｒ１を回転軸とした回転体であることが望ましい。このような構成とすることにより、回転子２０を回転させた場合に、溶融金属３０の液面が波立つことを抑制することができる。よって、レーザ光Ｌ１の照射面の形状が変化しないので、安定してＥＵＶ光を生成させることができる。回転子２０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、グラファイト（Ｃ）等の溶融金属３０と反応しにくい材料を含んでいる。なお、回転子２０の一部の形状は、円筒状に限らず、半球状、円錐状等でもよい。

回転子２０の回転数によっては、溶融金属３０の液面が傾いてもよい。例えば、溶融金属３０の液面は、中心軸Ｒ１から遠ざかるほど上方に位置するような傾きを有してもよい。レーザ光Ｌ１を液面に対して垂直に入射させる場合、すなわち、液面に対して入射角０［°］で入射させる場合に、ＥＵＶ光の生成効率が向上することがある。特に、複数のパルスを有するレーザ光Ｌ１を、溶融金属３０の液面に垂直に入射させると、１番目のパルスにより溶融金属３０から発生したプラズマを、２番目のパルスによってさらに照射することができるので、ＥＵＶ光の生成効率を向上させることができる。

また、レーザ光Ｌ１を液面に対して垂直に入射させる場合に、溶融金属３０の液面を傾けることにより、水平な液面よりも、液面に対して垂直に入射させるレーザ光Ｌ１の方向の自由度を増加させることができる。よって、光学部材の配置のバリエーションを向上させることができる。

平面鏡３３は、容器１０の上方に配置されている。平面鏡３３は、生成されたＥＵＶ光Ｅ１を反射する。具体的には、平面鏡３３には、レーザ光Ｌ１の照射により溶融金属３０から生成されたＥＵＶ光Ｅ１が入射する。平面鏡３３は、入射したＥＵＶ光Ｅ１を反射する。平面鏡３３で反射したＥＵＶ光Ｅ１は、光源１の外部に出射される。例えば、ＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡７１によって反射され、検査装置に入射する。

デブリシールド３２は、溶融金属３０を覆うように円環槽１０ａの上方に配置されている。デブリシールド３２は、溶融金属３０と、平面鏡３３及び楕円面鏡７１との間に配置されている。これにより、溶融金属３０から発生するデブリが平面鏡３３及び楕円面鏡７１にデポジットされること及び平面鏡３３及び楕円面鏡７１をスパッタすることを抑制することができる。デブリは、例えば、微粒子、塵、プラズマ、イオン等を含んでもよい。なお、デブリシールド３２には、レーザ光Ｌ１が溶融金属３０を照射するためのレーザ光Ｌ１の通路３６、及び、生成されたＥＵＶ光Ｅ１が平面鏡３３に到達するためのＥＵＶ光Ｅ１の通路３７が形成されている。

光源１は、レーザ光Ｌ１を生成する励起用レーザを備えてもよいし、光源１の外部に設置した励起用レーザからのレーザ光Ｌ１を導入して、溶融金属３０を照射するようにしてもよい。また、光源１は、集光レンズ３５を介してレーザ光Ｌ１で溶融金属３０を照射してもよい。光源１は、流動させた溶融金属３０に対して、レーザ光Ｌ１を照射することにより発生したプラズマからＥＵＶ光を生成する。

次に、光源１の動作として、ＥＵＶ光の生成方法を説明する。図５は、実施形態１に係るＥＵＶ光の生成方法を例示したフローチャート図である。

図５のステップＳ１１に示すように、まず、容器１０内に溶融金属３０を形成する。容器１０内に溶融金属３０を形成する際には、容器１０として、中心軸Ｒ１を中心として同心円状に配置された円筒状の内壁１１及び外壁１２を有する円環槽１０ａを用いてもよい。容器１０の内部に、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生するターゲット金属を投入する。ターゲット金属は、例えば、スズ、リチウム、ガリウムおよびインジウム等である。

ヒータ３１を作動させて、容器１０内に投入されたターゲット金属を真空中で溶融させる。このようにして、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生する溶融金属３０を容器１０内に形成する。例えば、円環槽１０ａの内壁１１及び外壁１２の間に円環状に溶融金属３０を保持する。

次に、ステップＳ１２に示すように、容器１０に対して溶融金属３０を流動させる。具体的には、溶融金属３０を流動させる際に、鉛直方向に延びた中心軸Ｒ１を有する回転子２０を用いるようにする。回転子２０は、円板状の円板部２１、円筒状の円筒部２２及びシャフト２３を有している。シャフト２３を下方にして円環槽１０ａの上方から、溶融金属３０に、回転子２０の一部を浸漬させる。回転子２０の一部は、中心軸Ｒ１を回転軸とした回転体であることが好ましい。そして、中心軸Ｒ１を回転軸として回転子２０を回転させる。例えば、シャフト２３に接続させた回転モータを作動させて、中心軸Ｒ１を中心にした回転をシャフト２３に伝達する。こうすることにより、溶融金属３０を中心軸Ｒ１の周りに回転させて流動させる。

次に、ステップＳ１３に示すように、流動させた溶融金属３０に対して、レーザ光Ｌ１を照射する。具体的には、回転子２０によって流動させた溶融金属３０に対して、励起用レーザから出力されたレーザ光Ｌ１を照射する。レーザ光Ｌ１を集光レンズ３５等の光学素子で集光させて溶融金属３０を照射する。そうすると、レーザ光Ｌ１を照射された溶融金属３０からプラズマが発生する。

次に、ステップＳ１４に示すように、発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１を生成する。具体的には、溶融金属３０にレーザ光Ｌ１を照射することにより、プラズマが発生する。プラズマ中のイオン及び電子が再結合する際に、ＥＵＶ光Ｅ１が生成される。このようにして、溶融金属３０に対して、レーザ光Ｌ１を照射することにより発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１が生成される。

プラズマから生成されたＥＵＶ光Ｅ１は、平面鏡３３に入射する。平面鏡３３に入射し、平面鏡３３で反射したＥＵＶ光Ｅ１は、照明光として光源１の外部に取り出される。例えば、ＥＵＶ光Ｅ１は、照明光学系の楕円面鏡７１に入射する。こうして、光源１は、ＥＵＶ光Ｅ１を生成する。

溶融金属３０から発生するイオンや中性粒子を減速させるために、アルゴンや窒素等の不活性ガスを容器１０内に導入してもよい。これにより、光源１の劣化を抑制することができる。また、レーザ光Ｌ１の通路３６及びＥＵＶ光Ｅ１の通路３７以外の容器１０の上方をデブリシールド３２で覆うことにより、デブリが平面鏡３３及び楕円面鏡７１にデポジットされること及び平面鏡３３及び楕円面鏡７１をスパッタすることを抑制することができる。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態の光源１は、静止した容器１０に保持された溶融金属３０を、中心軸Ｒ１を中心に回転する回転子２０によって流動させる。溶融金属３０は、中心軸Ｒ１を中心にして回転するように流動する。そして、流動させた溶融金属３０に対して、レーザ光Ｌ１を照射し、ＥＵＶ光Ｅ１を生成している。よって、ターゲットとなる溶融金属３０が流動するので、レーザ光Ｌ１が照射される部分は、常に移動する。これにより、ターゲットの一点だけが過熱されることはないので、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。例えば、ＥＵＶＬフォトマスク検査用の光源として必要な性能を備えることができる。

溶融金属３０に浸漬させる回転子２０の一部を円筒部２２としている。円筒部２２は、中心軸Ｒ１を回転軸とした回転体の形状であるので、回転した場合に、溶融金属３０の液面を波立てない。よって、溶融金属３０の表面形状が一定の形状に保たれているので、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。

また、ターゲットとなる溶融金属３０は液体のため、表面張力が働く。よって、レーザ光Ｌ１の照射によって溶融金属３０が部分的にプラズマ化して、溶融金属３０の表面には瞬間的に窪みができるが、短時間のうちに表面形状がなだらかになる。よって、溶融金属３０の表面形状が一定の形状に保たれているので、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。

一般に、スズ等の溶融金属３０は、坩堝等の容器１０を劣化させるが、容器１０及び回転子２０の材料として、窒化アルミニウム、炭化シリコン、グラファイト等を用いることにより、耐食性を向上させることができる。

デブリシールド３２により、溶融金属３０から飛散するスズ等のデブリが平面鏡３３及び楕円面鏡７１等の光学部材にデポジットされること及び光学部材をスパッタすることを抑制することができる。

なお、本実施形態の光源１は、溶融金属３０に対してレーザ光Ｌ１を照射することにより発生したプラズマからＥＵＶ光を生成させたが、ＥＵＶ光に限らず、プラズマから生成される光の波長範囲すべてにおいて適用可能である。すなわち、本実施形態の光源１は、発生されるプラズマ温度にもよるが、ＥＵＶ光に限らず、赤外光から軟Ｘ線までの波長範囲における任意の波長範囲の光を放射する高輝度光源に適用可能である。以下の実施形態２〜４でも同様である。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る光源を説明する。本実施形態の光源は、溶融金属の流動手段として電磁流体力学ポンプ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｈｙｄｒｏ−Ｄｙｎａｍｉｃｓ：ＭＨＤポンプ）を用いている。

図６は、実施形態２に係る光源を例示した断面図である。図７は、実施形態２に係る光源の容器、磁石及び上側電極を例示した斜視図である。図８は、実施形態２に係る光源の容器、磁石、上側電極及び下側電極を例示した斜視断面図である。図６〜図８に示すように、光源２は、容器１０、磁石４０、上側電極５０、及び、下側電極６０を有している。また、光源２は、デブリシールド３２、平面鏡３３、楕円面鏡７１を備えてもよい。

磁石４０は、円環槽１０ａを下方から覆うように配置されている。具体的には、磁石４０は、中心軸Ｒ１を有する円環状であり、円筒状の内壁部４１、円筒状の外壁部４２及び円環状の底壁部４３が一体化して構成されている。一体化した磁石４０を、中心軸Ｒ１を通り、中心軸Ｒ１に平行な面で切った断面形状は、Ｕ字状である。Ｕ字状の形状で、円環槽１０ａを下方から覆っている。

磁石４０の内壁部４１は、円環槽１０ａの内壁１１を覆い、磁石４０の外壁部４２は、円環槽１０ａの外壁１２を覆い、磁石４０の底壁部４３は、円環槽１０ａの底壁１３を覆っている。磁石４０の内壁部４１の部分はＮ極であり、外壁部４２の部分はＳ極である。なお、磁石４０の内壁部４１の部分はＳ極であり、外壁部４２の部分はＮ極でもよい。このような構成により、内壁部４１と外壁部４２との間に磁場が形成されている。よって、磁石４０で下方から覆われた円環槽１０ａの内壁１１と外壁１２との間には磁場が形成される。

上側電極５０は、円環槽１０ａ内における溶融金属３０の上側に設けられている。上側電極５０は、溶融金属３０の上面に接触するように配置されてもよい。上側電極５０は、溶融金属３０の上面において、レーザ光Ｌ１を照射するための開口部５５以外の部分を覆っている。よって、上方から見た上側電極５０の形状は、Ｃ字状である。

上側電極５０の所定の箇所には、上側端子５１が取り付けられている。例えば、上側端子５１は、中心軸Ｒ１に対して開口部５５と反対側の位置に取り付けられている。上側端子５１は、上側電極５０の上面から上方に突出するように取り付けられている。

下側電極６０は、円環槽１０ａ内の溶融金属３０の下側に設けられている。下側電極６０は、底壁１３と溶融金属３０との間で溶融金属３０の下面に接触するように配置されてもよい。下側電極６０は、例えば、上側電極５０と同じ形状であり、上側電極５０の開口部５５に対応する部分が欠けたＣ字状である。下側電極６０は、円環槽１０a内の溶融金属３０の下面において、溶融金属３０を挟んで上側電極５０と対向している。

下側電極６０の所定の箇所には、下側端子６１が取り付けられている。下側端子６１は、例えば、上側端子５１の近傍の位置に取り付けられている。下側端子６１は、下側電極６０の上面から上方に突出している。下側端子６１は、上側電極５０よりも上方に突出するように取り付けられている。下側端子６１と、溶融金属３０及び上側電極５０との間には下側端子絶縁ガイシ６２が配置されている。下側端子絶縁ガイシ６２は、円筒状である。下側端子６１は、円筒状の下側端子絶縁ガイシ６２の中を通って上側電極５０上に突出している。これにより、溶融金属３０及び上側電極５０と、下側端子６１とは絶縁されている。

上側端子５１と下側端子６１との間に電圧を印可することにより、上側電極５０と下側電極６０との間に電場が形成される。形成された電場により、上側電極５０と下側電極６０との間の溶融金属３０に電流が流れる。

本実施形態の流動手段は、電磁流体力学ポンプを含んでいる。電磁流体ポンプは、円環槽１０ａの内壁１１と外壁１２との間に形成された磁場、及び、溶融金属３０の上側に設けられた上側電極５０と溶融金属３０の下側に設けられた下側電極６０との間に形成された電場により溶融金属３０に作用する。具体的には、当該磁場及び電場により、溶融金属３０に対して、磁場の方向及び電場の方向に直交する方向に力が作用する。これにより、溶融金属３０に対して、中心軸Ｒ１を中心にして回転する方向の力を与える。よって、電磁流体力学ポンプは、溶融金属３０を中心軸Ｒ１の周りに回転させて流動させる。

また、上側電極５０と下側電極６０との間の溶融金属３０に電流を流すことによって、ジュール熱が発生する。発生したジュール熱により、溶融金属３０となる金属、例えば、スズ等を溶融させることができる。これにより、ヒータ３１を省くことができる。なお、加熱時のみ上側電極５０を溶融金属３０の液面から離せば、誘導加熱も可能であり、この場合もヒータ３１を省くことができる。

図９は、実施形態２に係る光源において、円環槽に形成された磁場を例示した図である。図９に示すように、内壁１１と外壁１２との間には、内壁１１から外壁１２に向かう磁場Ｂが形成されている。これにより、上側電極５０と下側電極６０との間に電流が流れる溶融金属３０には、中心軸Ｒ１を中心にして回転する力が発生する。

また、円環槽１０ａの上方には、磁石４０の漏洩磁場Ｂ１が形成されている。漏洩磁場Ｂ１は、磁石４０の内壁部４１から溶融金属３０の上方を回って外壁部４２へ向かう湾曲した形状となっている。一方、平面鏡３３等の光学部材は、溶融金属３０の上方に配置されている。また、デブリは、イオン化したものも含む。したがって、レーザ光Ｌ１が照射された溶融金属３０から飛び出すデブリのうち、平面鏡３３等の光学部材へ向かうデブリは、漏洩磁場Ｂ１の方向と交差する運動量成分を有している。よって、イオン化したデブリの進行方向を、平面鏡３３等の光学部材が配置された通路３７の方向から反らすことができる。これにより、磁気を用いたデブリミティゲーションシステムを新たに配置することが不必要となり、光源２を単純な構造とすることができる。

本実施形態の光源２を用いたＥＵＶ光の生成方法は、図５のステップＳ１２における溶融金属３０を流動させる方法が異なる。本実施形態では、回転子２０の代わりに電磁流体力学ポンプを用いて、溶融金属３０を流動させる。これ以外のＥＵＶ光の生成方法は、実施形態１と同様である。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態の光源２は、実施形態１と同様に、溶融金属３０を流動させるので、レーザ光Ｌ１が照射される部分を常に移動させることができる。よって、レーザ光Ｌ１による過加熱を抑制し、安定してＥＵＶ光を生成することができる。

また、本実施形態では、電磁流体力学ポンプを用いて溶融金属３０を流動させており、機械的に動く部品で溶融金属３０を流動させていない。よって、信頼性が高く、長期間安定して溶融金属３０を流動させることができる。

溶融金属３０に流れる電流によって発生するジュール熱、または、上側電極５０及び下側電極６０を用いて誘導加熱することにより、溶融金属３０となるスズ等の金属を溶融させることができる。これによりヒータ３１を省くことができる。

磁石４０が形成した磁場の漏洩磁場Ｂ１は、デブリミティゲーション効果を生じさせるため、平面鏡３３及び楕円面鏡７１等の光学部材の汚染を低減させることができる。実施形態２の光源２における上記以外の構成及び効果は、実施形態１の記載に含まれている。

なお、本実施形態では、流動手段は、磁場及び電場により作用する電磁流体力学ポンプを含む。溶融金属３０を、中心軸Ｒ１の周りに回転させて流動させる電磁流体力学ポンプの例として、内壁１１と外壁１２との間に形成された磁場、及び、溶融金属３０の上側に設けられた上側電極５０と溶融金属３０の下側に設けられた下側電極６０との間に形成された電場により作用する電磁流体力学ポンプを示したが、これに限らない。例えば、磁場と電場の配置が逆、すなわち、内壁１１と外壁１２の間に電場があり、溶融金属３０の上側と下側の間に磁場が形成された電磁流体力学ポンプでも同じ効果を得ることができる。具体的には、流動手段は、内壁１１と外壁１２との間に形成された電場、及び、溶融金属３０の上側に設けられた上側磁石と溶融金属３０の下側に設けられた下側磁石との間に形成された磁場により作用する電磁流体力学ポンプを含んでもよい。

（実施形態３）
次に、実施形態３に係る検査装置を説明する。図１０は、実施形態３に係る検査装置を例示した構成図である。図１０に示すように、検査装置１００は、光源１または光源２、照明光学系７０、検出光学系８０を備えている。検査装置１００は、検査対象９０を検査する。検査対象９０は、例えば、ＥＵＶマスクである。なお、検査対象９０は、ＥＵＶマスクに限らない。

照明光学系７０は、ＥＵＶ光Ｅ１により検査対象９０を照明する。照明光学系７０は、楕円面鏡７１〜７３、落とし込み鏡７４を含んでいる。検出光学系８０は、ＥＵＶ光Ｅ１により照明された検査対象９０からの光Ｅ２を検出して検査対象９０の画像を取得する。検出光学系８０は、シュバルツシルト光学系８１、平面鏡８２、凹面鏡８３、検出器８４を備えている。シュバルツシルト光学系８１は、凹面鏡８１ａ及び凸面鏡８１ｂを含む拡大光学系である。ステージ９１上に検査対象９０として、例えば、ＥＵＶマスクが載置されている。

光源１または光源２から取り出されたＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡７１に入射する。楕円面鏡７１は、石英を含む基板と、基板の主面にコーティングされた金属膜とを含んでいる。金属膜は、例えば、ルテニウム膜である。ルテニウム膜がコーティングされた面が反射面である。楕円面鏡７２及び楕円面鏡７３の構造も、楕円面鏡７１と同様である。

楕円面鏡７１で反射したＥＵＶ光Ｅ１は、絞られながら進み、集光点ＩＦ１において集光する。集光点ＩＦ１で集光したＥＵＶ光Ｅ１は、集光点ＩＦ１の後で拡がる。その後、ＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡７２で反射し、絞られながら進み、集光点ＩＦ２において集光する。その後、集光点ＩＦ２の後で拡がったＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡７３で反射される。楕円面鏡７３で反射したＥＵＶ光Ｅ１は、絞られながら進み、落とし込み鏡７４に入射する。

落とし込み鏡７４に入射したＥＵＶ光Ｅ１は、落とし込み鏡７４によって反射し、検査対象９０の検査領域を照明する。なお、照明光学系７０は、楕円面鏡７１〜７３及び落とし込み鏡７４以外の光学素子を付加してもよいし、楕円面鏡７１〜７３のいくつかを省いてもよい。

楕円面鏡７１の２つの集光点のうち、第１集光点は、平面鏡３３を介して、プラズマの輝点に位置するように配置されている。楕円面鏡７１の第２集光点は、楕円面鏡７２の第１集光点（集光点ＩＦ１）に位置している。楕円面鏡７２の第２集光点は、楕円面鏡７３の第１集光点（集光点ＩＦ２）に位置している。楕円面鏡７３の第２集光点は、落とし込み鏡７４を介して、検査対象９０の検査領域に位置している。

ＥＵＶ光Ｅ１により照明された検査対象９０からの光Ｅ２は、ＥＵＶ光Ｅ１の反射光及び回折光を含んでおり、検査領域内のパターン情報を含んでいる。検査対象９０からの光Ｅ２は、凹面鏡８１ａ及び凸面鏡８１ｂとで構成されたシュバルツシルト光学系８１によって拡大される。拡大された光Ｅ２は、平面鏡８２で折り返された後に、凹面鏡８３でさらに拡大され、検出器８４に入射する。

検出器８４は、例えば、ＴＤＩカメラである。検出器８４の下側に配置されたセンサー面に検査領域からの光Ｅ２が投影される。これにより、検出器８４は、検査領域のパターンを光学像として入力し、検査領域の画像を取得する。そして、パターンが解析され、欠陥が検出される。

次に、検査装置１００を用いた検査方法を説明する。図１１は、実施形態３に係る検査方法を例示したフローチャート図である。

図１１のステップＳ２１に示すように、まず、照明光として、ＥＵＶ光Ｅ１を生成する。ＥＵＶ光Ｅ１の生成方法は、実施形態１及び２に記載された方法を用いる。

次に、ステップＳ２２に示すように、生成されたＥＵＶ光Ｅ１により検査対象９０を照明する。具体的には、楕円面鏡７１〜７３及び落とし込み鏡７４を含む照明光学系７０を用いて、光源１または光源２で生成されたＥＵＶ光Ｅ１を検査対象９０まで導く。

次に、ステップＳ２３に示すように、ＥＵＶ光Ｅ１により照明された検査対象９０からの光Ｅ２を検出して検査対象９０の画像を取得する。具体的には、シュバルツシルト光学系８１、平面鏡８２、凹面鏡８３、検出器８４を含んだ検出光学系を用いて、検査対象９０の画像を取得する。
次に、ステップＳ２４に示すように、取得した画像を用いて検査対象９０を検査する。このようにして、検査装置１００は検査対象９０を検査することができる。

本実施形態の検査装置１００によれば、安定して生成されたＥＵＶ光Ｅ１を用いて検査対象９０を検査することができるので、信頼性が高い検査を行うことができる。よって、ＥＵＶＬフォトマスク検査装置として必要な性能を備えることができる。また、シンプルな構造で検査を行うことができるので、検査コストを低減することができる。これ以外の構成及び効果は実施形態１及び２の記載に含まれている。

（実施形態４）
次に、実施形態４に係る光源を説明する。検査装置における照明光学系の配置により、光源からＥＵＶ光を取り出す際には、取り出したＥＵＶ光の方向ベクトルに、鉛直方向下側の成分を含むようにすることが望ましい場合がある。実施形態１及び実施形態２の光源の配置では、鉛直方向下側の成分を含む方向に直接ＥＵＶ光を取り出すことが困難である。本実施形態では、このような鉛直方向下側の成分を含む方向に、ＥＵＶ光を取り出すことが可能な光源の例を説明する。

図１２は、実施形態４に係る光源を例示した断面図である。図１３は、実施形態４に係る光源を例示した斜視図である。図１４は、実施形態４に係る光源を例示した断面斜視図であり、溶融金属を除去した状態を示す。図１５は、実施形態４に係る光源を例示した断面斜視図であり、溶融金属を充填した状態を示す。

図１２〜図１５に示すように、本実施形態の光源３は、容器１０、前側電極５６、後側電極５７、左側磁石４４、右側磁石４５、熱交換器３８、デブリシールド３２ａ、楕円面鏡７１を備えている。容器１０は、ルツボ１０ｂ、上昇管１４を有している。

ルツボ１０ｂの下方には熱交換器３８が配置されている。熱交換器３８はルツボ１０ｂ内の溶融金属３０を所定の温度に保持する。

上昇管１４は、上方に延びた管状である。上昇管１４の一端は、溶融金属３０に浸漬している。上昇管１４の他端は、上方を向いている。上昇管１４は、前壁１５、後壁１６、左壁１７、右壁１８を有している。これらの壁で囲まれた上昇管１４の内部を溶融金属３０が流動する。上方を向いた上昇管１４の他端において、前壁１５は、他の壁よりも低くなっている。

前壁１５には前側電極５６が設けられている。例えば、前側電極５６は、前壁１５の内面に沿って上方に延びている。後壁１６には後側電極５７が設けられている。例えば、後側電極５７は、後壁１６の内面に沿って上方に延びている。前側電極５６と後側電極５７との間に電圧を印可することにより、前側電極５６と後側電極５７との間に電場が形成される。形成された電場により、前側電極５６と後側電極５７との間の溶融金属３０に電流が流れる。

左壁１７には左側磁石４４が設けられている。例えば、左側磁石４４は、左壁１７の外面側に配置されている。右壁１８には右側磁石４５が設けられている。例えば、右側磁石４５は、右壁１８の外面側に配置されている。左壁１７と右壁１８との間には磁場が形成されている。

本実施形態の流動手段は、電磁流体力学ポンプを含んでいる。電磁流体ポンプは、左壁１７と右壁１８との間に形成された磁場、及び、前壁１５に設けられた前側電極５６と後壁１６に設けられた後側電極５７との間に形成された電場により溶融金属３０に作用する。具体的には、当該磁場及び電場により、溶融金属３０に対して、磁場の方向及び電場の方向に直交する方向に力が作用する。これにより、電磁流体力学ポンプは、上昇管１４の一端から他端まで溶融金属３０を上昇させる。

上昇管１４の他端において、前壁１５は、他の壁よりも低くなっている。また、前側電極５６は、前壁１５の上端よりも上の部分において、二股に分かれている。そして、二股に分かれた前側電極５６の間は空いている。よって、電磁流体力学ポンプにより上昇管１４内を上昇した溶融金属３０は、上昇管１４の他端において、前側電極５６の間を通って、前壁１５より溢れ、前壁１５の外面を伝ってルツボ１０ｂ内に戻る。

レーザ光Ｌ１は、例えば、前壁１５の外面を伝って流れ落ちる溶融金属３０を照射する。前壁１５の外面を伝って流れ落ちる溶融金属３０の表面は、水平方向に面している。よって、レーザ光Ｌ１は、水平方向から溶融金属３０を照射することができる。レーザ光Ｌ１により照射された溶融金属３０からは、ＥＵＶ光Ｅ１が生成される。これにより、光源３は、鉛直方向下側の成分を含むＥＵＶ光を取り出すことができる。

本実施形態の光源３も、電磁流体力学ポンプを用いて溶融金属３０を流動させることができる。光源３の容器１０は、上昇管１４を有しており、電磁流体力学ポンプの作用により、溶融金属３０を、上昇管１４の一端から他端まで上昇させ、上昇管１４の他端から溢れさせて流動させる。そして、上昇管１４から溢れ、前壁１５の外面を流動する溶融金属３０に対して、レーザ光Ｌ１を照射させている。よって、レーザ光Ｌ１を、水平方向から照射することができるので、鉛直方向下側の成分を含むＥＵＶ光Ｅ１を取り出すことができる。

また、光源３は、ＥＵＶ光Ｅ１を鉛直方向下側の成分を含むように取り出すことができるので、照明光学系において、多様な光学配置を可能とすることができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１〜３の記載に含まれている。

なお、本実施形態では、流動手段は、磁場及び電場により作用する電磁流体力学ポンプを含む。上昇管１４内を上昇させた溶融金属３０を、上昇管１４の他端から溢れさせて流動させる電磁流体力学ポンプの例として、左壁１７と右壁１８との間に形成された磁場、及び、前壁１５に設けられた前側電極５６と後壁１６に設けられた後側電極５７との間に形成された電場により作用する電磁流体力学ポンプを示したが、これに限らない。例えば、磁場と電場の配置が逆、すなわち、左壁１７と右壁１８との間に電場があり、前壁１５と後壁１６との間に磁場が形成された電磁流体力学ポンプでも同じ効果を得ることができる。具体的には、流動手段は、左壁１７と右壁１８との間に形成された電場、及び、前壁１５に設けられた前側磁石と後壁１６に設けられた後側磁石との間に形成された磁場により作用する電磁流体力学ポンプを含んでもよい。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。また、実施形態１〜４における構成は、適宜、組み合わせてもよい。

１、２、３ 光源
１０ 容器
１０ａ 円環槽
１０ｂ ルツボ
１１ 内壁
１２ 外壁
１３ 底壁
１４ 上昇管
１５ 前壁
１６ 後壁
１７左壁
１８ 右壁
２０ 回転子
２１ 円板部
２２ 円筒部
２３ シャフト
３０ 溶融金属
３１ ヒータ
３２ デブリシールド
３３ 平面鏡
３５ 集光レンズ
３６、３７ 通路
３８ 熱交換器
４０ 磁石
４１ 内壁部
４２ 外壁部
４３ 底壁部
４４ 左側磁石
４５ 右側磁石
５０ 上側電極
５１ 上側端子
５５ 開口部
５６ 前側電極
５７ 後側電極
６０ 下側電極
６１ 下側端子
６２ 下側端子絶縁ガイシ
７０ 照明光学系
７１、７２、７３ 楕円面鏡
７４ 落とし込み鏡
８０ 検出光学系
８１ シュバルツシルト光学系
８１ａ 凹面鏡
８１ｂ 凸面鏡
８２ 平面鏡
８３ 凹面鏡
８４ 検出器
９０ 検査対象
９１ ステージ
１００ 検査装置
Ｅ１ ＥＵＶ光
Ｅ２ 光
Ｌ１ レーザ光
Ｒ１ 中心軸

Claims (22)

1. レーザ光の照射によりプラズマを発生する溶融金属を保持した容器と、
   前記容器に対して前記溶融金属を流動させる流動手段と、
   を備え、
   流動させた前記溶融金属に対して、前記レーザ光を照射することにより発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成する光源。
2. 前記容器は、中心軸を中心として同心円状に配置された円筒状の内壁及び外壁を有する円環槽を含み、
   前記内壁及び前記外壁の間に円環状に前記溶融金属を保持した、
   請求項１に記載の光源。
3. 前記流動手段は、鉛直方向に延びた中心軸を回転軸とする回転子を含み、
   前記回転子は、前記回転子の一部を前記溶融金属に浸漬させ、前記中心軸を前記回転軸として前記一部を回転させることにより、前記溶融金属を前記中心軸の周りに回転させて流動させる、
   請求項１または２に記載の光源。
4. 前記回転子の一部は、前記中心軸を回転軸とした回転体である、
   請求項３に記載の光源。
5. 前記流動手段は、磁場及び電場により作用する電磁流体力学ポンプを含み、前記電磁流体力学ポンプは、前記溶融金属を、前記中心軸の周りに回転させて流動させる、
   請求項２に記載の光源。
6. 前記流動手段は、前記内壁と前記外壁との間に形成された磁場、及び、前記溶融金属の上側に設けられた上側電極と前記溶融金属の下側に設けられた下側電極との間に形成された電場により作用する電磁流体力学ポンプを含む、
   請求項５に記載の光源。
7. 前記流動手段は、前記内壁と前記外壁との間に形成された電場、及び、前記溶融金属の上側に設けられた上側磁石と前記溶融金属の下側に設けられた下側磁石との間に形成された磁場により作用する電磁流体力学ポンプを含む、
   請求項５に記載の光源。
8. 前記容器は、前壁、後壁、左壁及び右壁を有する上方に延びた上昇管を含み、
   前記上昇管の一端は、前記溶融金属に浸漬し、
   前記流動手段は、磁場及び電場により作用する電磁流体力学ポンプを含み、
   前記電磁流体力学ポンプは、前記上昇管内を上昇させた前記溶融金属を、前記上昇管の他端から溢れさせて流動させる、
   請求項１に記載の光源。
9. 前記流動手段は、前記左壁と前記右壁との間に形成された磁場、及び、前記前壁に設けられた前側電極と前記後壁に設けられた後側電極との間に形成された電場により作用する電磁流体力学ポンプを含む、
   請求項８に記載の光源。
10. 前記流動手段は、前記左壁と前記右壁との間に形成された電場、及び、前記前壁に設けられた前側磁石と前記後壁に設けられた後側磁石との間に形成された磁場により作用する電磁流体力学ポンプを含む、
    請求項８に記載の光源。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光源と、
    前記ＥＵＶ光により検査対象を照明する照明光学系と、
    前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を検出して前記検査対象の画像を取得する検出光学系と、
    を備えた検査装置。
12. レーザ光の照射によりプラズマを発生する溶融金属を容器内に形成するステップと、
    前記容器に対して前記溶融金属を流動させるステップと、
    流動させた前記溶融金属に対して、前記レーザ光を照射するステップと、
    前記レーザ光を照射することにより発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成するステップと、
    を備えたＥＵＶ光の生成方法。
13. 前記溶融金属を容器内に形成するステップにおいて、
    前記容器として、中心軸を中心として同心円状に配置された円筒状の内壁及び外壁を有する円環槽を用いるようにし、
    前記内壁及び前記外壁の間に円環状に前記溶融金属を保持する、
    請求項１２に記載のＥＵＶ光の生成方法。
14. 前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    鉛直方向に延びた中心軸を回転軸とする回転子の一部を前記溶融金属に浸漬させ、前記中心軸を前記回転軸として前記一部を回転させることにより、前記溶融金属を前記中心軸の周りに回転させて流動させる、
    請求項１２または１３に記載のＥＵＶ光の生成方法。
15. 前記回転子の一部を、前記中心軸を回転軸とした回転体とする、
    請求項１４に記載のＥＵＶ光の生成方法。
16. 前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    磁場及び電場により作用する電磁流体力学ポンプによって、前記溶融金属を前記中心軸の周りに回転させて流動させる、
    請求項１３に記載のＥＵＶ光の生成方法。
17. 前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    前記内壁と前記外壁との間に形成された磁場、及び、前記溶融金属の上側に設けられた上側電極と前記溶融金属の下側に設けられた下側電極との間に形成された電場により作用する電磁流体力学ポンプによって、前記溶融金属を前記中心軸の周りに回転させて流動させる、
    請求項１６に記載のＥＵＶ光の生成方法。
18. 前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    前記内壁と前記外壁との間に形成された電場、及び、前記溶融金属の上側に設けられた上側磁石と前記溶融金属の下側に設けられた下側磁石との間に形成された磁場により作用する電磁流体力学ポンプによって、前記溶融金属を前記中心軸の周りに回転させて流動させる、
    請求項１６に記載のＥＵＶ光の生成方法。
19. 前記溶融金属を容器内に形成するステップにおいて、
    前記容器として、前壁、後壁、左壁及び右壁を有する上方に延びた上昇管を含むようにし、
    前記上昇管の一端を、前記溶融金属に浸漬させ、
    前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    磁場及び電場により作用する電磁流体力学ポンプによって、前記上昇管内を上昇させた前記溶融金属を、前記上昇管の他端から溢れさせて流動させる、
    請求項１２に記載のＥＵＶ光の生成方法。
20. 前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    前記左壁と前記右壁との間に形成された磁場、及び、前記前壁に設けられた前側電極と前記後壁に設けられた後側電極との間に形成された電場により作用する電磁流体力学ポンプによって、前記上昇管内を上昇させた前記溶融金属を、前記上昇管の他端から溢れさせて流動させる、
    請求項１９に記載のＥＵＶ光の生成方法。
21. 前記溶融金属を流動させるステップにおいて、
    前記左壁と前記右壁との間に形成された電場、及び、前記前壁に設けられた前側磁石と前記後壁に設けられた後側磁石との間に形成された磁場により作用する電磁流体力学ポンプによって、前記上昇管内を上昇させた前記溶融金属を、前記上昇管の他端から溢れさせて流動させる、
    請求項１９に記載のＥＵＶ光の生成方法。
22. 請求項１２〜２１のいずれか一項に記載のＥＵＶ光の生成方法と、
    生成された前記ＥＵＶ光により検査対象を照明するステップと、
    前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を検出して前記検査対象の画像を取得するステップと、
    を備えた検査方法。

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