JP2021041330A - メタンの脱水素芳香族化反応用触媒及び芳香族化合物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
したがって、芳香族化合物及び水素の製造効率をさらに高めた優れた触媒の開発が望まれている。
[1] 4族の金属(Ti、Zr、Hf)及び5族の金属(V、Nb、Ta)からなる群から選択される少なくとも1つの金属MがドーピングされたタングステンカーバイドM−WCx(式中、xは0.82〜1.00の数値を表す。)が担持されたメタロシリケートからなることを特徴とするメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
[2] 金属Mが5族の金属である前項1に記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
[3] 5族の金属がNbである前項2に記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
[4] M−WCxのxの値が0.82または1.0である前項1〜3のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
[5] メタロシリケートがZSM−5型ゼオライトである前項1〜4のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
[6] タングステン化合物及び4族(Ti、Zr、Hf)及び5族の金属(V、Nb、Ta)からなる群から選択される少なくとも1つの金属M化合物をメタロシリケートに担持した後、焼成してタングステンと金属Mの複合酸化物とする工程(触媒前駆体製造工程)と前記触媒前駆体をメタンの存在下500〜900℃の温度で熱処理し炭化する工程(触媒前駆体炭化工程)を含むことを特徴とする前項1〜5のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒の製造方法。
[7] 触媒前駆体製造工程におけるメタロシリケートへの金属Mの担持量が、タングステン金属100質量部に対して金属M換算で0.1〜50質量部である前項6に記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒の製造方法。
[8] メタンまたはメタンを主成分とする低級炭化水素ガスを300〜900℃の温度で、前項1〜5のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒と接触させることを特徴とする芳香族化合物の製造方法。
[9] 芳香族化合物がベンゼンである前項8に記載の芳香族化合物の製造方法。
実施形態の芳香族化合物製造用触媒は、式:M−WCxで示される4族(Ti、Zr、Hf)及び5族の金属(V、Nb、Ta)からなる群から選択される少なくとも1つの金属Mがドーピングされたタングステンカーバイドが担持されたメタロシリケートからなる。
上記式中、xは、W元素に対するC元素の組成比を表し、0.82〜1.00の数値である。「M−W」は単に金属MがWと共存することを意味し、金属MとWの組成比が1:1であることを表すものではない。
さまざまな組成比のタングステンカーバイド(WCx化合物)が知られている。単純に酸化タングステンを担持したメタロシリケートを触媒前駆体とした場合、メタンからの芳香族化合物生成反応を行うと、炭化反応によって生成するタングステンカーバイドはWCx(x=0.5)となり、芳香族化合物製造反応に対して低い活性しか示さない。しかし、金属MとWの複合酸化物を担持した触媒前駆体を用いた場合は、結晶構造がWCx(x=0.82〜1.0)と類似したものとなり、高い触媒活性を示す触媒となる。WCxのxは、0.82及び1.0はどちらであってもよい。
金属Mは、4族の金属であるTi、Zr、Hfまたは5族の金属であるV、Nb、Taの群から選択される少なくとも1つの金属である。これらの中では結合距離がタングステンにより近いことから5族の金属が好ましく、昇華しにくい面からNbがさらに好ましい。金属MはM元素を含む化合物の形で触媒担体に担持され、触媒前駆体製造工程において焼成されて酸化物となる。
触媒の担体に使用するメタロシリケートとしては、シリカ及びアルミナからなる多孔質体であるモレキュラーシーブ5A(UTA)、フィジャサイト(NAY)及びNAX、ZSM−5、MCM−22のようなアルミノシリケート、リン酸を主成分とするALPO−5、VPI−5等の多孔質体で、0.6〜1.3nmのミクロ細孔やチャンネルからなるゼオライト、シリカを主成分とし一部アルミナを成分として含むメゾ細孔(1〜10nm)の筒状細孔(チャンネル)で特徴づけられるFSM−16やMCM−41などのメゾ細孔多孔質担体などが例示できる。これらの中でも、細孔径、酸点の性質の観点から、ZSM−5型ゼオライト、MCM−22型ゼオライトを好適に用いることができる。
金属Mのドーピングによってタングステンカーバイドの構造が制御される理由は定かではないが、金属Mがメタルに還元される際に、酸化タングステンに結晶欠陥が発生して、カーボンの挿入が進行しやすくなると考えられる。すなわち、タングステンと金属Mは複合化(複合酸化物化)させておくことが必要である。
触媒前駆体は、金属Mとタングステンの複合酸化物がメタロシリケートに担持されたものである。触媒前駆体は、金属M化合物とタングステン化合物を担体に付着させた後、焼成することで製造される。金属Mの担持量は、特に制限はないが、金属M化合物の担持量が、タングステン金属100質量部に対し金属M金属換算で0.1〜20質量部であることが好ましく、0.1〜10質量部であることがより好ましく、1〜5質量部であることがさらに好ましい。金属Mを0.1質量部以上添加することで、タングステンとの複合酸化物が形成され、触媒中のタングステンカーバイドがWCx(x=0.82〜1.0)になる。金属Mそのものは触媒として機能しないため、金属Mを20質量部超添加すると、触媒能が低下してしまうことがある。
前記触媒前駆体を、メタンを含む原料ガス流通下高温で焼成(熱処理)することによってタングステンと金属Mの複合酸化物が炭化され芳香族化合物製造用触媒となるタングステンカーバイドが形成され(触媒前駆体炭化工程)、脱水素芳香族化反応により芳香族化合物を製造することができる(芳香族化合物製造工程)。
元素含有量を、株式会社リガク製ZSX Primus IIを使用し、EZスキャンプログラムにより測定した。担持されたタングステン及び金属Mの金属換算担持量は下記式から求めた。
WCxの構造解析は、株式会社リガク製MultiFlexを用いて触媒のX線回折(XRD)測定により行った。測定は連続走査モードにて行った。測定条件は、管電圧40kV、管電流40mA、サンプリング幅0.02°、スキャンスピード3°/minとした。
反応後の生成物ガスは、250℃で保温したままガスクロマトグラフィーで分析し、メタン転化率、ベンゼン選択率を計算した。分析装置として、FID検出器にアジレントテクノロジー株式会社製PLOTカラムGS−GASPRO:(60m、0.32mmφ)、TCD検出器に信和化工株式会社製キャピラリ―カラム MICROPACKED−ST(2m、1.0mmφ)を接続したアジレントテクノロジー株式会社製7890Bを使用した。キャリアガスには、FID側にヘリウムガスを使用し、TCD側に窒素ガスを使用して行い、アルゴンガスを内部標準とすることによって定量した。検量線補正後、目的物の収量及び原料残量を求め、これらより転化率及びベンゼン選択率を求めた。
タングステン酸パラアンモニウム5水和物((NH4)10W12O41・5H2O 0.9043g(W:3.464mmol)とニオブ酸シュウ酸アンモニウムn水和物NH4[Nb(C2O4)2]・nH2O 0.0534g(Nb:0.176mmol)を純水に溶解させた。またメタロシリケート担体としてアンモニウム型ZSM−5(東ソー株式会社製、SiO2/Al2O3=23mol/mol)を700℃空気下で5時間焼成し、プロトン型に変換したもの7.000gを、前記のタングステン化合物とニオブ化合物の混合水溶液に加え、撹拌しながら回転式減圧エバポレーターを用いて蒸発乾固した。得られた粉末を110℃で一晩乾燥させ、空気下700℃で5時間焼成し、ニオブとタングステンの複合酸化物Nb−W−Oが担持された触媒前駆体1を得た(タングステン金属10.1質量%、ニオブ金属0.34質量%、100×Nb/W=3.4)。
タングステン酸パラアンモニウム5水和物((NH4)10W12O41・5H2O 0.9054g(W:3.468mmol)とニオブ酸シュウ酸アンモニウムn水和物NH4[Nb(C2O4)2]・nH2O 0.1051g(Nb:0.346mmol)を純水に溶解させた。またメタロシリケート担体としてアンモニウム型ZSM−5(東ソー株式会社製、SiO2/Al2O3=23mol/mol)を700℃空気下で5時間焼成し、プロトン型に変換したもの5.5036gを、前記のタングステン化合物とニオブ化合物の混合水溶液に加え、撹拌しながら回転式減圧エバポレーターを用いて蒸発乾固した。得られた粉末を110℃で一晩乾燥させ、空気下700℃で5時間焼成し、ニオブとタングステンの複合酸化物Nb−W−Oが担持された触媒前駆体2を得た(タングステン金属10.2質量%、ニオブ金属0.68質量%、100×Nb/W=6.7)。
タングステン酸パラアンモニウム5水和物((NH4)10W12O41・5H2O 1.0001g(W:3.831mmol)とニオブ酸シュウ酸アンモニウムn水和物NH4[Nb(C2O4)2]・nH2O 1.1605g(Nb:3.830mmol)を純水に溶解させた。またメタロシリケート担体としてアンモニウム型ZSM−5(東ソー株式会社製、SiO2/Al2O3=23mol/mol)を700℃空気下で5時間焼成し、プロトン型に変換したもの6.0367gを、前記のタングステン化合物とニオブ化合物の混合水溶液に加え、撹拌しながら回転式減圧エバポレーターを用いて蒸発乾固した。得られた粉末を110℃で一晩乾燥させ、空気下700℃で5時間焼成し、ニオブとタングステンの複合酸化物Nb−W−Oが担持された触媒前駆体3を得た(タングステン金属9.1質量%、ニオブ金属3.11質量%、100×Nb/W=34.2)。
タングステン酸パラアンモニウム5水和物((NH4)10W12O41・5H2O 0.6389g(W:2.447mmol)を純水に溶解させた。またメタロシリケート担体としてアンモニウム型ZSM−5を700℃空気下で5時間焼成し、プロトン型に変換したもの4.500gを、前記のタングステン化合物水溶液に加え、撹拌しながら回転式減圧エバポレーターを用いて蒸発乾固した。得られた粉末を110℃で一晩乾燥させ、空気下500℃で5時間焼成し、タングステンの酸化物WO3が担持された触媒前駆体4を得た(タングステン金属9.8質量%)。
上記の各触媒前駆体2.5mLを流通式固定床反応装置のインコネル600製の反応管(内径7mm、熱電対用さや管外径3mm)に充填した(触媒層高さ5cm、触媒層面積0.5cm2)。アルゴンガス流通下、0.1MPaで750℃まで5℃/minの速度で昇温した後、メタンを主成分とする原料ガス(メタンの他に10容量%アルゴンを含む)を1.9NL/hの速度で供給し、触媒前駆体と接触させ、触媒前駆体の炭化処理及び芳香族化合物生成反応を0.1MPa、750℃で行った。前駆体に原料ガスを流通し始めた時間を反応開始時間とし、300分までの触媒安定性及び触媒活性を調べた。
芳香族化合物としては主生成物であるベンゼンの生成速度の経時変化を調べた。結果を表1及び図1〜2に示す。なお、反応開始から90分以前は、触媒前駆体の炭化反応による触媒生成の期間である。この間に触媒が生成する。同時にメタンの反応によるベンゼンの生成も進行するが、反応が安定しないので、データは90分以降のものを記した。
図2に示すベンゼン生成速度から明らかなように、実施例の触媒はWとCの比率が異なる触媒(比較例1)やタングステンカーバイドWC2のみを担持した触媒(比較例2)に比べてベンゼンの生成速度が高かった。
図3に示すように、反応後の触媒のX線構造解析によるスペクトルを比較すると、実施例1では36°、48°にピークがあり、式M−WCxでのx=1.00)が形成されている。比較例1では、Nb比率の高い触媒前駆体3の炭化反応によって炭化物であるNb2W2Cが生成している。この炭化物は39°にピークがあり、x=0.5が形成されおり、W2Cと同様な結晶構造を形成しているため、触媒活性が低くなることがわかった。
Claims (9)
- 4族の金属(Ti、Zr、Hf)及び5族の金属(V、Nb、Ta)からなる群から選択される少なくとも1つの金属MがドーピングされたタングステンカーバイドM−WCx(式中、xは0.82〜1.00の数値を表す。)が担持されたメタロシリケートからなることを特徴とするメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
- 金属Mが5族の金属である請求項1に記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
- 5族の金属がNbである請求項2に記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
- M−WCxのxの値が0.82または1.0である請求項1〜3のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
- メタロシリケートがZSM−5型ゼオライトである請求項1〜4のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒。
- タングステン化合物及び4族(Ti、Zr、Hf)及び5族の金属(V、Nb、Ta)からなる群から選択される少なくとも1つの金属M化合物をメタロシリケートに担持した後、焼成してタングステンと金属Mの複合酸化物とする工程(触媒前駆体製造工程)と前記触媒前駆体をメタンの存在下500〜900℃の温度で熱処理し炭化する工程(触媒前駆体炭化工程)を含むことを特徴とする金属MがドーピングされたタングステンカーバイドM−WCx(式中、xは0.82〜1.00の数値を表す。)が担持されたメタロシリケートからなる請求項1〜5のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒の製造方法。
- 触媒前駆体製造工程におけるメタロシリケートへの金属Mの担持量が、タングステン金属100質量部に対して金属M換算で0.1〜50質量部である請求項6に記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒の製造方法。
- メタンまたはメタンを主成分とする低級炭化水素ガスを300〜900℃の温度で、請求項1〜5のいずれかに記載のメタンの脱水素芳香族化反応用触媒と接触させることを特徴とする芳香族化合物の製造方法。
- 芳香族化合物がベンゼンである請求項8に記載の芳香族化合物の製造方法。
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