JP2021028652A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. アドバンスドプロセス制御方法は以下を含むものであって:
   露光ツールアセンブリを使用することによって、半導体基板をコーティングするフォトレジスト層を露光ビームで露光する、ここで、各露光について、少なくともデフォーカス値および露光量を含む現在の露光パラメータセットが使用される;
   露光されたフォトレジスト層を現像してレジストパターンを形成する;
   レジストパターンおよび/またはレジストパターンから導出された基板パターンにおけるフィーチャ特性を測定し、測定されたフィーチャ特性と目標フィーチャ特性との偏差に応じて現在の露光パラメータセットを更新する;
   露光パラメータセットを更新しない場合に形成される仮想レジストパターンの補正なしフィーチャ特性を推定する；
   半導体基板の表面上のサンプリング点についての位置情報を備えるサンプリング計画を修正することにより、補正なしのフィーチャ特性から得られた情報に応じてフィーチャ特性の測定ストラテジを変更することを含み、前記フィーチャ特性は前記サンプリング点において測定される、アドバンスドプロセス制御方法。
2. 露光ツールアセンブリを使用して、更新された露光パラメータ設定が使用されて、半導体基板を露光ビームでコーティングするフォトレジスト層を露光することを含む請求項１記載のアドバンスドプロセス制御方法。
3. 補正なしのフィーチャ特性およびウエハコンテキスト情報から得られた情報に応じて、現在の露光パラメータセットを更新することを含み、ウエハコンテキスト情報は、半導体基板のプロセス履歴に関する情報を含む請求項１記載のアドバンスドプロセス制御方法。
4. 現在の露光パラメータを更新することは基板グループに割り当てられた半導体基板のみを考慮し、基板グループに割り当てられた半導体基板はウエハコンテキスト情報において少なくとも1つの共通パラメータを共有し、基板グループは半導体基板の真の部分集合を含む、請求項３記載のアドバンスドプロセス制御方法。
5. 基板グループに割り当てられた半導体基板の補正なしのフィーチャ特性は、全ての半導体基板の補正なしのフィーチャ特性間の相関とは異なる相関を示す、請求項４に記載のアドバンスドプロセス制御方法。
6. 第１のサンプリング点数を含む元のサンプリング計画に基づいて、ウエハモデルの第1のモデル係数を決定する;
   サンプリング点の真の部分集合に基づいてウエハモデルの第２のモデル係数を決定する；
   第１のモデル係数と第２のモデル係数との間の偏差が所定の閾値未満である場合、元のサンプリング計画をサンプリング点の真の部分集合を含む新しいサンプリング計画と置き換える、ことを含む請求項１記載のアドバンスドプロセス制御方法。
7. レジストパターンおよび/または基板パターンが複数のレジストフィーチャを含み、フィーチャ特性が、円形レジストフィーチャの直径、レジストフィーチャの側壁角度、レジストフィーチャの高さ寸法、非円形レジストフィーチャの短軸の長さ、非円形レジストフィーチャの長軸の長さ、ストライプ形状レジストフィーチャの線幅、レジストフィーチャ
   間の空間の幅、レジストフィーチャの面積、およびレジストフィーチャの線縁粗さのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のアドバンスドプロセス制御方法。
8. ウエハ製造アセンブリであって:
   i)半導体基板をコーティングするフォトレジスト層を、現在の露光パラメータセットに従って露光ビームに露光するように構成され、ii)露光されたフォトレジスト層からレジストパターンを形成するように構成された露光ツールアセンブリ;
   レジストパターンおよびレジストパターンから導出された基板パターンのうちの少なくとも1つのフィーチャ特性を測定するように構成された計測ユニット;
   測定されたフィーチャ特性の目標フィーチャ特性からの偏差に応じて露光パラメータセットを更新するように構成されたAPCユニット;
   露光パラメータセットを更新せずに形成された仮想レジストパターンの補正なしのフィーチャ特性を推定するように構成される演算ユニットと、を備え、前記演算ユニットは、さらに、半導体基板の表面上のサンプリング点についての位置情報を備えるサンプリング計画を修正することにより、前記計測ユニットのフィーチャ特性の測定ストラテジを変更するように構成され、前記フィーチャ特性は前記サンプリング点において測定される、ウエハ製造アセンブリ。
9. 演算ユニットは、補正なしのフィーチャ特性から得られた情報に応じて現在の露光パラメータセットを更新するように構成される、請求項８に記載のウエハ製造アセンブリ。
10. 演算ユニットは補正なしのフィーチャ特性から、およびウエハコンテキスト情報から得られた情報に応じて、現在の露光パラメータセットを更新するように構成され、ウエハコンテキスト情報は、半導体基板のプロセス履歴に関する情報を含む、請求項９に記載のウエハ製造アセンブリ。
11. 演算ユニットは基板グループに割り当てられた半導体基板にのみ基づいて現在の露光パラメータを更新するように構成され、基板グループに割り当てられた半導体基板はウエハコンテキスト情報において少なくとも1つの共通パラメータを共有し、基板グループは半導体基板の真の部分集合を含む、請求項１０に記載のウエハ製造アセンブリ。
12. 基板グループに割り当てられた半導体基板の補正なしのフィーチャ特性は、全ての半導体基板の補正なしのフィーチャ特性間の相関とは異なる相関を示す、請求項１１に記載のウエハ製造アセンブリ。
13. 演算ユニットとAPCユニットとを接続するデータインタフェースであって、APCユニットは、演算ユニットから受信した情報に応じて露光パラメータセットを更新するように構成される請求項８に記載のウエハ製造アセンブリ。
14. 演算ユニットは第１のサンプリング点数を含む元のサンプリング計画に基づいてウエハモデルの第１のモデル係数を決定し、元のサンプリング計画のサンプリング点の真の部分集合に基づいてウエハモデルの第２のモデル係数を決定し、第１および第２のモデル係数を記述する情報を出力するように構成される請求項８に記載のウエハ製造アセンブリ。
15. 演算ユニットはサンプリング計画、自動プロセス制御、およびウエハモデルのうちの少なくとも1つの代替設定のために、仮想レジストパターンの補正なしのフィーチャ特性をシミュレートするように構成される、請求項８に記載のウエハ製造アセンブリ。