JP2021028652A

JP2021028652A - リソグラフィ処理される半導体デバイスのためのプロセス制御方法

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Publication number: JP2021028652A
Application number: JP2019147243A
Authority: JP
Inventors: シュテファンブール; Stefan Buhl; ボリスハベツ; Habets Boris; ワンスーキム; Wan Suu Kim
Original assignee: Qoniac GmbH
Current assignee: Qoniac GmbH
Priority date: 2019-08-09
Filing date: 2019-08-09
Publication date: 2021-02-25
Anticipated expiration: 2039-08-09
Also published as: JP7329386B2

Abstract

【課題】リソグラフィ処理された半導体デバイスのフィーチャ特性を安定に維持できるプロセス制御方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト層は、露光ユニット３２４によって露光され、現像ユニット３２６で現像された後、計測ユニット３３０でレジストパターンのフィーチャ特性を測定される。ＡＰＣユニット２９０は測定されたフィーチャ特性の目標フィーチャ特性からの偏差に応じて、デフォーカス値および露光量を含む露光パラメータセットを更新する。また演算ユニット２００で、露光パラメータセットを更新することなく形成される、仮想レジストパターンの補正されていないフィーチャ特性が推定される。補正なしのフィーチャ特性から得られた情報に応じて、フィーチャ特性の測定ストラテジを変更することができ、または現在の露光パラメータセットを更新することもできる。【選択図】図２

Description

実施形態は揮発性および不揮発性メモリ装置、論理回路、マイクロプロセッサ、パワー半導体装置、およびフラットパネル装置などの半導体装置の製造に関し、露光プロセスは、半導体ウエハ上のフォトレジスト層にパターンを転写する。露光プロセスは、APC(アドバンスドプロセス制御)を使用して、以前に露光された半導体ウエハからの計測結果に基づいて、現在の露光のための露光パラメータを決定することができる。実施形態はさらに、露光ツールアセンブリを含むウエハ製造アセンブリに関する。

半導体デバイスの製造プロセス中、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ、抵抗器、および配線接続などの機能素子の様々な物理的部分が半導体基板内および半導体基板上に、たとえば半導体基板内のドープ領域として、および半導体基板の処理された表面上に堆積された層内に形成される。物理的部分は、処理された表面上の1つ以上の層の堆積を組み合わせ、パターニングプロセスを使用して特定のパターンを層に転写することによって、層ごとに形成されてもよく、パターニングプロセスは例えば、エッチングによって、関係する層の部分を局所的に修正または除去する。パターニングプロセスの変動はターゲット寸法からの逸脱をもたらし、プロセス歩留まりに悪影響を及ぼす可能性があり、または、完成した半導体デバイスのパラメータの比較的広範な広がりを引き起こす可能性がある。

フォトマスキングによるパターニングは、半導体ウエハの処理された表面上にフォトレジスト層を堆積することを含む。露光プロセスはフォトマスクのレチクルパターンをフォトレジスト層に投影し、フォトレジスト層において、露光後にフォトレジスト層がレチクルパターンの潜像を含むように、露光された部分において、露光されていない部分に対して光活性成分が選択的に改質される。現像プロセスは、改質された部分または改質されていない部分を選択的に除去する。現像されたレジスト層は、エッチングマスクとして、または注入マスクとして使用することができる。

レジストパターンの物理的寸法は、とりわけ、露光量およびデフォーカス値に依存する。露光量は、フォトレジスト層を特定のパターンで露光するために使用される露光放射のエネルギーを表す。デフォーカスは、ウエハ表面と露光放射の焦点面との間の距離を示す。フォトレジスト層内の特定のクリティカルパターンの物理的寸法を測定し、目標寸法と比較することができる。APCは、限界寸法の測定結果の関数として、次の露光の露光量および/またはデフォーカスを調整することができる。

ウエハ全体にわたるフォトレジストパターンの物理的寸法の改善された均一性、例えば、ウエハ内の均一性、およびウエハ間の均一性、例えば、ウエハ間の均一性、低労力での改善された均一性、および/またはウエハ内およびウエハ間の均一性に悪影響を及ぼすことなく低減された計測努力の必要性が存在する。

図1は、実施形態の理解に有用な背景を説明するための参考例に従って露光パラメータを制御するためのアドバンスドプロセス制御ユニットを含む半導体デバイス製造アセンブリの一部の概略ブロック図である。図2は、一実施形態による、露光パラメータを更新せずに形成された仮想構造の補正なしのフィーチャ特性を推定するための演算ユニットを含む、半導体デバイス製造アセンブリの一部の概略ブロック図である。図3は、露光パラメータの更新に関する実施形態によるアドバンスドプロセス制御のための方法を示す概略フローチャートである。図4は、露光ツールアセンブリの補正データの制御に関する実施形態による演算ユニットを含む半導体デバイス製造アセンブリの一部の概略ブロック図である。図5は、実施形態に係るアドバンスドプロセス制御方法を概略的に示すブロック図である。図6は、図4の実施形態の効果を説明するための、測定され、補正されない限界寸法を示す概略図である。図7は、他の実施形態に係るアドバンスドプロセス制御方法によって得られた情報を用いた方法を概略的に示すブロック図である。図8は、サンプリング計画の修正に関する実施形態による演算ユニットを含む半導体デバイス製造アセンブリの一部の概略ブロック図である。図9は、エッチングプロセスの制御に関する実施形態による演算ユニットを含む半導体デバイス製造アセンブリの一部の概略ブロック図である。図10は、さらなる実施形態による半導体デバイス製造アセンブリの一部の概略ブロック図である。

図1は、コータユニット322、露光ユニット324、および現像ユニット326を含む露光ツールアセンブリ320を有する従来の半導体デバイス製造アセンブリ390の一部を示す。前処理された半導体基板の複数の入力ウエハロット410は、半導体デバイス製造アセンブリ390に連続的に供給される。半導体基板は例えば、その上に半導体構造が形成されたガラス基板、またはSOI(semiconductor-on-insulator)ウエハといった半導体ウエハとすることができる。以下、その種類に関わらず、半導体基板をウエハ401と呼ぶ。

ウエハロット410当たりのウエハ401の数は、典型的には25までである。同じウエハロット410のウエハ401は、同じ電子回路を形成するために同じプロセスを受けることができる。例えば、各ウエハロット410のウエハ401は、同じタイプの異なるプロセスユニットに連続的に供給されてもよく、同じタイプのプロセスユニットは同じプロセスを適用する。あるいはウエハ401が同じプロセスユニットに連続的に供給されてもよく、各プロセスユニットは各ウエハロット410のウエハ401のいくつかを並列に処理できる1又は複数のサブユニットを含んでもよい。

図1の例では、ウエハロット410のウエハ401が露光ツールアセンブリ320のコータユニット322に供給される。コーティングユニット322は、反射防止コーティングの有無にかかわらず、フォトレジスト層または層システムでウエハ401をコーティングする。コータ部322はウエハ401を回転させることにより、ウエハ表面にレジスト材料を塗布し、レジスト材料を均一に分配するスピナ部を含んでもよい。コータユニット322は、フォトレジスト中の溶媒の一部を蒸発させるための加熱設備を含むことができる。少なくともフォトレジスト層でコーティングされたウエハ401は、露光ユニット324に移送される。

露光ユニット324は目標パターンをフォトレジスト層に転写する露光ビームを生成し、露光ビームは、露光された部分においてフォトレジスト層の光活性成分を選択的に活性化することができる。露光ビームは、電磁放射ビームまたは粒子ビームであってもよい。例えば、露光ビームはフォトレジスト層を走査することができる電子ビームであり、光ビームの強度変調又はブランキングは、ターゲットパターンを生成することができる。別の実施形態によれば、露光ビームは365nmより短い波長、例えば193nm以下の光または電磁放射を含み、電磁放射はレチクルを通過するか、またはレチクルで反射し、レチクルパターンをフォトレジスト層に結像する。

露光ビームによって露光されたフォトレジスト層の部分において、光活性成分は、以前に重合されていない化合物の重合または以前に重合された化合物の脱重合に影響を及ぼす。

1つのウエハ401の露光は処理された表面全体の1つの単一露光を含むことができ、または処理された表面上の隣接する露光フィールドに複数の露光を含むことができ、ここで、同じパターンが、各露光フィールドに結像される。各露光は、露光放射の露光量と、処理された表面と露光放射の焦点面との間の距離を示すデフォーカス値とによって定義される。デフォーカスおよび/または露光量は、同じウエハ401上の異なる露光フィールドに対して、ウエハロット410の異なるウエハおよび/または異なるウエハロット410の異なるウエハ間で異なり得る。露光されたフォトレジスト層を有するウエハ401は、現像ユニット326に移送される。

現像ユニット326は、フォトレジスト層において露光されていない部分または露光された部分を除去する、あるいは、露光された部分に対して露光されていない部分を除去する。現像ユニット326は露光後ベークのための加熱チャンバを含むことができ、フォトレジスト層の露光された部分および露光されていない部分の異なる溶解速度を利用して、露光された部分を露光されていない部分に対して選択的に溶解するか、またはその逆を行う。現像ユニット326は例えば、現像されたレジスト層を硬化させるために、または、ウエハ表面上の現像されたレジスト層の接着性を改善するために、残りの溶媒を蒸発させ、現像されたレジスト層を化学的に改質するための加熱チャンバを含むことができる。現像されたレジスト層は、複数のレジストフィーチャを含むレジストパターンを形成する。

計測ユニット330は、サンプリング点におけるレジストパターンのクリティカルレジストフィーチャのフィーチャ特性を測定することができる。計測ユニット330は露光ツールアセンブリ320の一体化された部分であってもよく、またはウエハ401が離れて設けられた計測ユニット330に移送されてもよい。フィーチャ特性は、クリティカルレジストフィーチャの物理的寸法を含む。サンプリング点は、サンプリング計画で定義されたウエハ上の位置である。計測ユニット330は例えば、OCD(optical critical dimension)スキャトロメトリ、SEM(scanning electron microscopy)により得られた画像の検査、光学顕微鏡により得られた画像の検査により、フィーチャ特性に関する情報を得ることができる。

クリティカルレジストフィーチャのフィーチャ特性は、例として、円形レジストフィーチャの直径、非円形レジストフィーチャの短軸および長軸の長さ、ストライプ形状レジストフィーチャの線幅、レジストフィーチャ間の空間の幅、レジストフィーチャの側壁角度（side wall angles）、レジストフィーチャの面積、およびレジストフィーチャの線縁粗さ（line edge roughness）などの物理的寸法を含むことができる。以下では、略語「CD」があらゆる種類のフィーチャ特性を含み、クリティカルレジストフィーチャのラインおよびスペースの幅、ならびにクリティカルレジストフィーチャの面積に限定されない。

露光後プロセスは例えば、半導体基板に溝およびトレンチ(grooves and trenches)を形成するためのエッチングマスクとして、注入マスクとして、または他の修正プロセスのためのマスクとして、レジストパターンを使用することができる。

APCユニット290は、サンプリング計画において規定されたウエハの選択位置において測定されたCDを受け取る。同じ露光ツールアセンブリ320または他の露光ツールアセンブリで処理された1つまたは複数の先行ウエハ上で測定されたCDに基づいて、APCユニット290は各露光フィールド、各ウエハ、および/または各ウエハロットで、露光ユニット324内の露光量および/またはデフォーカスを個別に調整する。

図2は、露光パラメータ、計測設定、およびリソグラフィ処理されたデバイスのためのアドバンスドプロセス制御設定を決定するための手段を含むウエハ製造アセンブリ300を示す。ウエハ製造アセンブリ300は、図1を参照して説明したような機能を有する露光ツールアセンブリ320と、計測ユニット330とを含むことができる。

APCユニット290は、計測ユニット330から受信した測定CDに基づいて、現在の露光のための露光パラメータセットを決定することができる。露光パラメータセットはドーズ/フォーカス補正データ、例えば、フォーカスの補正値、露光量の補正値、又はフォーカス及び露光量の両方の補正値を含むことができる。APCユニット290はさらに、それぞれ特定の重み係数を乗算された、事前に決定された数の以前の露光における補正データを考慮することができる。外部から受け取った他の情報がない場合、APCユニット290は、新しいドーズ/フォーカス補正データを露光ツールアセンブリ320に出力する。

ウエハ製造アセンブリ300は、測定されたウエハの特定のフィーチャ特性に関する情報を受信する演算ユニット200をさらに含む。例えば、計測ユニット330または複数の計測ユニットによって得られた測定データを受信して管理するMES(manufacturing execution system)は、上記で定義されたCDを演算ユニット200に転送することができる。さらに、演算ユニット200は、CDが取得されたウエハ401を識別するウエハコンテキスト情報WCIを受け取ることができる。ウエハコンテキスト情報WCIはウエハ401の材料、タイプ、およびパラメータを識別するパラメータ、ウエハ401が処理されたプロセスツールおよびプロセスユニット、例えば、露光ツールアセンブリ320で使用されるレチクル、関係するウエハがさらされたプロセス条件、関係するウエハがさらされたプロセスガスおよびプロセス流体の識別子、ならびに、例えば以前のプロセスの日時を含む経時的情報を含み得る。

また、演算ユニット200は露光ツールアセンブリ320におけるプロセス補正に使用可能な露光情報、例えば、以前に適用された露光量、フォーカス、以前のドーズ/フォーカス補正データ、および/または露光後ベークの温度プロファイルを受け取り、かつ/または保持する。プロセス補正に使用可能な露光情報はウエハコンテキスト情報WCIに含まれていてもよいし、露光ツールアセンブリ320から演算ユニット200に直接送信されてもよい。

演算ユニット200の第1ステージでは、計測ユニット330から受信した測定CDと露光情報とに基づいて、現在の露光のための露光量及び焦点誤差を決定することができる。露光情報は1つまたは複数の先行露光の露光パラメータ、1つまたは複数の先行露光の露光量および焦点誤差、および/またはオンプロダクトフォーカス測定によって取得されたフォーカスデータを含むことができ、演算ユニット200がオンプロダクトフォーカス測定によって取得されたデータを受信する場合、フォーカス誤差はゼロであり得る。

露光量および焦点誤差を決定するために、演算ユニット200の第1ステージでは、CD、露光量、および焦点の間の関係を記述する物理モデルを使用することができる。物理モデルは、測定されたCDから、基本関数および係数を有する例えば多項式モデルによって定義され得るものであり、測定されたCDが得られたサンプリング点に対して有効な露光量および/またはデフォーカス値を得ることができる。

演算ユニット200の第2ステージでは、露光パラメータセットの更新なしに形成されるのであろう、仮想レジストパターンにおける補正されていないフィーチャ特性を計算することができる。すなわち、演算ユニット200は、アドバンスドプロセス制御を省略した場合のCDを算出する。一実施形態によれば、第2ステージでは、以前に処理されたウエハの最適露光量および最適焦点値を遡及的に計算することができる。

デフォーカスおよび/または露光量の更新手順を適用せずに露光から生じるのであろう仮定の補正なしフィーチャ特性を推定することによって、演算ユニット200は露光から少なくとも第1の露光後プロセスユニット340までのすべてのプロセスのパラメータを計算し、分析するのに役立つことができ、同時に、露光のための基本的なアドバンスドプロセス制御が依然としてアクティブであり、処理されたウエハ401は、通常の程度までプロセス公差を満たす。演算ユニット200は異なるウエハモデル、ウエハコンテキスト情報、APC設定、および/またはサンプリング計画における調整を使用して、アドバンスドプロセス制御の一時的なバイパスなしに、プロセス補正値およびCD均一性を決定することを可能にし得、その結果、ウエハ歩留まりは影響されないままであり、アドバンスドプロセス制御がないためにウエハが失われない。

この目的のために、演算ユニット200の第2ステージによって得られた結果RSは、エキスパートシステム206、人間のオペレータ(ユーザ)のために結果を視覚化するユーザインターフェース205、露光後処理ユニット340、またはAPCユニット290に送信されてもよい。演算ユニット200の第2ステージの結果は例えば、アドバンスドプロセス制御の設定を変更することによって、またはウエハモデルの再定義によって、パラメータドリフトを補償するように露光後プロセスユニット340をコントロールすることによって、または、例えば、計測ユニット330によって使用されるサンプリング計画を変更して、測定ストラテジを変更することによって、ウエハ処理に影響を及ぼすために使用されてもよい。

例えば、演算ユニット200から得られた情報に基づいて、計測ユニット330によって使用されるサンプリング計画は、1つ以上の多項式に関して完全なウエハ表面にわたるCD分布を記述するモデルのモデル係数の決定に最も影響を及ぼさないサンプリング点をスキップすることによって修正されてもよい。

代替的に又は追加的に、目標値からのフィーチャ特性の偏差が平滑化又は最小化されるように、代替的なデフォーカス/露光量補正パラメータが取得されてもよい。この目的のために、修正解除されたCDは、ウエハコンテキスト情報の特定のパラメータに特有の傾向を探索することができる。代替のドーズ/フォーカス補正データはAPCユニット290に送信されてもよく、ここで、改訂されたデフォーカス/露光量補正パラメータは、次の露光のための慣用的に導出された露光量/焦点補正値を上書きすることができる。

ユーザインターフェース205における他のパラメータ設定の結果のシミュレーションと組み合わせたウエハ製造アセンブリ300の挙動のシミュレーションは、異なる材料または状況におけるCD偏差を区別することを可能にする。パラメータ変動の傾向（tendencies and trend）は、他の効果と干渉することなく、より正確に評価することができる。さらに、特定のフィーチャ特性に対する異なるパラメータ設定の影響を評価して、元のサンプリング点におけるどのフィーチャ特性が最も重要であるかを決定することができる。

図3は、以前の露光の補正なしのCDから現在の露光について予測された推定CDに基づいて、現在の露光の露光量を変更する方法の過程で実行されるシミュレーションの詳細を示す。このシミュレーションは、図2の演算ユニット200によって実行することができる。説明の簡略化のために、シミュレーションは、露光量のみを考慮する実施形態を示す。シミュレーションは、デフォーカス、デフォーカスと露光量の組合せ、さらにパラメータとパラメータの組合せにも適用することができる。

初期化ステップ510はカウンタnの値、第1のウエハまたはウエハロットの補正値CorrVal(1)および第1の露光の露光量ExpDos(1)を初期化する。ここで、カウンタnは単一のウエハまたはウエハロットをカウントすることができ、第1の露光量のみ、ターゲットCDおよび装置パラメータから導出することができる。カウンタステップ520は、カウンタnを1ごとにインクリメントすることができる。露光ツールは、露光ステップ530において、カウンタ値nに割り当てられたウエハを初期露光量で露光する。測定ステップ540によって、単一のウエハまたは複数の、例えば、同じロットに割り当てられたすべてのウエハ上の少なくとも1つの限界寸法（critical dimension）が得られる。測定されたCDから、推定ステップ550は補正露光量から生じる部分を測定されたCDに加算または減算することによって、補正なしの限界寸法CD(n)を推定する。ここで、n=1の場合、推定されたCD(1)は、測定されたCDに等しい。

所定n₀のウエハまたはウエハロットまで、緩和APC設定は、APCステップ570において、1つ以上の以前に測定された臨界寸法CD(n)、CD(n−1)に基づいて、次に単一のウエハまたはウエハロットの露光量を計算することができる。

測定回数が所定の回数n₀を超え、推定された補正なしの限界寸法CD(1), ...CD(n)に充分な情報が含まれているとき、予測工程582は、前に推定された補正なしのCDおよび代替の露光量補正に応じて、次の単一ウエハまたはウエハロットの仮想限界寸法PCD(n+1)を計算することができる。この目的のために、予測ステップ582は、現在のウエハおよび前のウエハに関するウエハコンテキスト情報を、コンテキストのために解釈することができる。補正ステップ584は、以前に推定されたCDに基づいて、次の露光のための代替的な露光量補正を決定することができる。

以下の表は、例を用いて図3の実施形態を示す。30ナノメートルの目標CDは、25 mJ/cm²の露光量での所与のレチクルを用いた露光から得られる。25 mJの露光量に近づくと、+1mJ/cm²の露光量のゆらぎは、1nmのCDの減少をもたらす。

テーブル1の実施例では、25 mJ/cm²の露光量での第1のウエハロット露光が目標CDから+2nmのずれである32nmの測定CDをもたらす。露光量とCDの関係を記述したモデルによれば、mJ/cm²を1単位追加すると露光量が1nm減少することを考慮して、高度プロセス制御（APC）は目標CDを満たすようにCDを2nm減少させるために、+2mJ/cm²の修正露光量だけ露光量を増加させる。しかし、上述したようなプロセスのばらつきのために、第2のウエハロットについて測定された平均CDは予想される30nmから再び逸脱することがあり、例えば30.5nmであることがある。次にウエハロットを露光するために、APCは+0.5nmの残りのCD偏差を相殺するために、0.5 mJ/cm²だけ修正ドーズ量をさらに増大させることができる。再度、更なるプロセス変動の影響により、第3のウエハロットについて測定された平均CDが29.7nmであるので、第4のウエハロットについては、修正ドーズ量が0.3 mJ/cm²だけ低減される。

表2は、測定されたCDおよび補正露光量から生じる補正CDに基づいて、補正なしのCD値をどのように推定することができるかの例を参照する。第1のロットでは補正CDを生成するために補正露光量が使用されていないので、補正なしのCDは測定されたCDに等しい。第2のロットでは、2 mJ/cm²の修正露光量が使用され、その結果、線幅が2ナノメートル減少した。したがって、補正露光量なしでは、実際の線幅が30.0nmではなく32.5nmであった。第3ロットでは測定されたCDは29.7nmであるが、全部で2.5nmである補正ドーズは2.5nmだけ線幅が減少し、補正なしのCDは32.2nmである。

補正なしのCDは、トレンド、周期性またはコンテキスト依存性、またはトレンドおよび周期性またはコンテキスト依存性の欠如を探索することができる。

図4は、露光ツールアセンブリ320における露光量および/またはデフォーカスの補正値を改善するために使用される演算ユニット200を有するウエハ製造アセンブリ300を示す。計測ユニット330はウエハ401からCDを取得し、そのCDをAPCユニット290及び演算ユニット200に送信する。

計測ユニット330は、計測したCDを演算ユニット200に送信する。演算ユニット200は最初に測定されたCDを直接使用して、1つ以上の多項式に基づく、ウエハ表面の全体にわたるCD分布を記述するモデルを得て、そして、仮想的なレジストパターンにおける補正なしのフィーチャ特性を計算することができる。別の実施形態によれば、演算ユニット200は露光量および焦点の誤差を得るためにCDと露光量およびデフォーカスとの間の関係を利用し、例えば、モデル係数がCDのタイプに依存しないように、モデルの各点について焦点および露光量の誤差または最適露光量および/または最適焦点を記述するモデルのモデル係数を決定するために、露光量および焦点の誤差または露光量および焦点の設定を利用する。

APCユニット290および演算ユニット200は異なるハードウェアコンポーネント、例えば、データ送信インターフェースを介して接続されたコントローラ、サーバ、コンピュータ、および/またはデータインターフェースを介してデータを交換する異なるソフトウェアモジュールに割り当てられてもよい。

例えば、APCユニット290は従来の焦点/露光量制御のためのプログラムを実行し、i)改善された焦点/露光量制御パラメータを決定するための代替パラメータ設定、およびii)焦点/露光量制御パラメータを露光ツールアセンブリ320に転送する前に従来得られたものを上書きするための改善された焦点/露光量制御パラメータのうちの少なくとも1つを受信するためのインターフェースを含むコントローラユニットを含むことができる。

演算ユニット200はAPCユニット290内のアドバンスドプロセス制御に加えて、プログラムを実行するコンピュータのための追加の装置、例えば、さらなるコントローラまたは追加のソフトウェアモジュールであってもよく、演算ユニット200によって得られる結果は、APCユニット290のパラメータ設定の変更、APCユニット290内の焦点/露光量補正値の交換に影響を及ぼしてもよく、または露光ツールアセンブリ320に直接送信されてもよい。別の実施形態によれば、APCユニット290は演算ユニット200に統合されたいくつかのモジュールまたはステージのうちの1つであってもよいし、演算ユニット200は、従来のAPCユニット290を完全に置き換えることができる。

APCユニット290はAPCユニット290が例えば、演算ユニット200から、またはユーザインターフェース205から、他の情報を受信しない限り、露光量および/または焦点の従来の(「緩和」)制御を実行してもよい。APCユニット290が、露光量およびデフォーカスのための強化補正データを受信する場合、APCユニット290は緩和補正データの代わりに、強化補正データを転送する。別の実施形態によれば、APCユニット290は代替パラメータ設定、例えば、以前のCDまたは以前の補正値のための重み設定を受け取り、受け取った代替パラメータ設定で以前のパラメータ設定を上書きすることができる。

演算ユニット200は露光パラメータセットの更新なしにレジストパターン内に形成されるレジストパターン内の仮想構造に関する補正なしのCDを計算し、補正なしのCDをユーザインターフェース205および/または外部エキスパートシステム206に送信することができる。代替的に又は追加的に、演算ユニット200は、内部エキスパート段階において、補正なしのCDを評価することができる。

ユーザ、エキスパートシステム206、または演算ユニット200のエキスパートステージは補正なしのCDをウエハおよび/またはウエハロットコンテキスト情報とリンクさせることができ、それぞれのパラメータと補正なしのCD値との間の相関についてウエハコンテキスト情報のパラメータを探索することができる。ウエハコンテキスト情報のパラメータと補正なしのCD値との間の相関が見つかった場合、ユーザ、エキスパートシステム206、またはエキスパートステージはウエハコンテキスト情報の同じパラメータに関係するそのような以前の露光に基づいてのみ、強化された補正値を推定するように演算ユニット200に促す。

例えば、ユーザ、エキスパートシステム206、またはエキスパートステージが、他のコータユニットのCDトレンドとは著しく異なる特定のコータユニットを特定するパラメータのCDトレンドを特定した場合、ユーザ、エキスパートシステム206、またはエキスパートステージは演算ユニット200に、その特定の同じコータユニットで処理されたウエハからの露光履歴のみを使用する異なるパラメータ設定を使用して、強化されたCD補正値を決定するように促すことができる。

演算ユニット200のシミュレーション段階は異なるパラメータ設定が実際にフォーカス/露光量補正値を決定するために使用される前に、CDに対する異なるパラメータ設定の効果をシミュレートすることができる。シミュレーションの結果はユーザインターフェース205に送信されてもよく、ユーザは異なるパラメータ設定を承認してもよい。

異なるパラメータ設定に対する承認の後、演算ユニット200またはユーザは、APCユニット290内のパラメータ設定を更新することができる。別の実施形態によれば、演算ユニット200はAPCユニット290がバイパスされるように、新しいパラメータ設定で得られた焦点/露光量補正値を露光ツールアセンブリ320に直接送信することができる。

測定されたCDから、およびウエハ401上のサンプリング点の計算された露光量および/またはデフォーカスから、演算ユニット200の第2ステージは、サンプリング点によって直接カバーされていないウエハ401上の領域におけるドーズ/フォーカスを推定するための、および/またはランダムな部分から系統的である可能性のある部分を分離するためのモデルの係数を決定することができる。モデルは1つまたは複数の多項式、例えば、奇数および偶数ゼルニケ多項式、ルジャンドル多項式、および/またはTPS(薄板スプライン)技法で決定された半径基底関数に関して、完全なウエハ表面全体にわたる露光量/焦点分布を記述するウエハスケールモデルであってもよく、またはそれを含んでもよい。

測定されたCDは、サンプリング点においてのみ値を送出する。モデリングアルゴリズムは、基本値、すなわちサンプリング点で測定されたCDと最もよく一致するように例えばゼルニケ多項式またはレジャンドル多項式のモデル係数を計算する。同定された多項式のすべてのモデル係数を用いて、多項式を評価して、ウエハ表面上の各点に対する露光量/焦点補正データを推定することができる。

モデルはまた、単一露光フィールドの1つ以上のモデル(フィールドファインモデル)またはウエハ401の複数の露光フィールド、例えばウエハ401の全ての露光フィールドを要約するフィールドモデルを含むことができる。

このモデルは、ウエハ表面全体にわたる点の密集した格子に対する露光量/デフォーカスを提供する。第2ステージ及び第1ステージの順序を変更することができ、両ステージは並列又は順次動作することができる。

新しい設定は、露光フィールドのための関連CD情報を推定するためのモデルの新しい係数に関与することができる。例えば、新しい設定はモデル多項式の少なくとも1つの次数を、例えば、n次のZernike多項式から、(n−m)次または(n+m)次のZernike多項式に変更することができる。新しい設定はモデルタイプを、例えば、ゼルニケ多項式によって記述されるモデルからルジャンドレモデルに変更することもできる。新たな模型の影響は、演算ユニット200のシミュレーションステージの手段によってシミュレートされ、ユーザインターフェース205で視覚化されてもよい。

APCが存在しない場合に同じウエハ上に形成されたものであろう仮定構造の補正なしのCDを計算することによって、より良好なCD補正値を探索することができ、同時に、露光のための基本的なアドバンスドプロセス制御が依然としてアクティブであり、処理されたウエハ401は、通常の程度までプロセス公差を満たす。一方、補正なしのCDに関する知識は例えば、ウエハ401が並列に処理される異なるツールまたはチャンバを区別することを可能にする。

探索的データ分析(EDA)は例えば視覚的方法を用いて、それらの主要な特性を要約するために、補正なしのCDを分析するために使用され得、ここで、EDAは、統計モデルを使用し得る。

さらなる計測ユニット350は、クリティカル基板フィーチャ(基板CD)の寸法を測定することができる。演算ユニット200は、測定されたCDとして、基板CDとレジストCDのうちの少なくとも1つを使用することができる。

一実施形態によれば、図4の演算ユニット200およびAPCユニット290は図5に示すアドバンスドプロセス制御方法を実行するように協働することができ、図5の各機能ブロックは図4に示すユニットのうちの1つにおいて、例えば、コントローラまたはサーバにおいて実行されるプログラムコードの一部として実行される方法ステップに対応する。

右側の列の機能ブロックは、ある時点で検査されたウエハ(現在のウエハ)と、現在のウエハから取得され、現在のウエハに割り当てられた現在のウエハデータとに関する。現在のウエハデータは所定の測定部位における現在のCD測定値、および現在のCD測定値から導出されたデータ、例えば、現在のデフォーカスおよび誤差データを含み得る。現在のウエハデータは、現在のウエハに関するウエハコンテキスト情報、適用されたデフォーカス及びエラー補正に関する情報、及びその他を含むことができる。測定部位は、サンプリング計画で定義することができる。

左側の列の機能ブロックは、現在のウエハの前に検査された以前に処理され検査されたウエハ(過去ウエハ)と、過去ウエハから取得され、過去ウエハに割り当てられた過去ウエハデータとに関する。過去ウエハデータは、過去CD測定値と、所定の測定部位における過去デフォーカスおよび露光量データとを含むことができる。過去ウエハデータはウエハコンテキスト情報、例えば、ウエハが処理されたプロセスユニット、およびウエハが受けたプロセス条件を識別する情報をさらに含むことができる。

第1のステップ710は測定部位における過去CD測定の結果と、複数の過去ウエハに対する過去露光データとを記憶し、利用可能にする。第2のステップ720は、過去CD測定値を、デフォーカスおよび露光量の誤差である目標CDからのCD測定値の偏差を記述する露光誤差に変換する。第2のステップ720は、目標値からのCD偏差を、CD偏差を引き起こすデフォーカスおよび露光量の誤差とリンクさせる多項式モデルを使用することができる。デフォーカスおよび露光量の誤差は、デフォーカスだけの誤差であってもよく、露光量だけの誤差であってもよく、またはデフォーカスおよび露光量の両方の誤差を含んでもよい。デフォーカスおよび露光量の誤差は、過去ウエハにおいて残留しているデフォーカスおよび露光量の誤差を表す。

第3のステップ730は、測定部位における過去のプロセス補正の影響を計算する。過去プロセス補正は各過去ウエハに実際に適用された焦点補正および露光量補正に対応し、上述したように、補正なしのフィーチャ特性の別の実例を形成することができる。

過去ウエハ上の各CD測定部位に対して、第4のステップ740は、第2のステップ720で決定された残留しているデフォーカスおよび露光量の誤差を、同じ過去ウエハに対して実際に適用されたデフォーカスおよび露光量と加算して、最適焦点および/または最適露光量を得る。最適焦点及び最適露光量は露光がそれらを使用した場合に、露光が最小CD偏差につながるのであろう値を遡及的に得る。

第5のステップ750は、過去ウエハ全体にわたる点の密な格子（dense grid）に対して最適な焦点または最適な露光量を提供するモデルの係数を決定することができる。一実施形態によれば、第5のステップ750は、最適な焦点を提供する第1のモデルの係数と、過去ウエハ全体にわたる点の密な格子（dense grid）の最適な露光量を提供する第2のモデルの係数とを提供することができる。ステップ710〜750は、複数の過去ウエハに対して繰り返されてもよい。

過去最適焦点値および最適露光量値から、第6のステップ760は、過去データからのみ導出される代替露光量および誤差補正を計算する。第6のステップ760は、過去最適焦点および最適露光量値のためにEWMA(exponentially weighted moving average)アプローチを使用することができる。EWMAアプローチは過去の最適焦点および/または時間内の最適露光量の指数加重移動平均を追跡することができ、このアプローチは過去の最適焦点および最適露光量値を幾何級数的に減少する順序で加重し、その結果、最も最近の最適焦点および最適露光量値が最も高く加重され、一方、最も遠いサンプルはほんのわずかしか寄与しないようにする。

例えば、第6のステップ760直近の過去ウエハnの最適露光量z_nに、直近の過去ウエハnの重み付け予測誤差を加えることによって、現ウエハである次のウエハの最適露光量z_n+1を予測することができ、ここで、予測誤差は式(1)で与えられるように、適用された露光量x_nと最適露光量z_nとの間の差である:

式(2)は、過去に適用された露光量x₁ .. x_nに関して、次のウエハに対する最適露光量z_n+1を記述する:

式(1)において、重みパラメータλは条件0<= λ <=1を満たし、ここで、λ=0に対して、EWMA手法は、過去最適露光量の平均値x₀をとる。λは下限と上限との間の範囲内の任意の値をとることができる。一例として、下限が0.05または0.1であり、上限が0.2または0.3である。λは、サンプル値が大きくノイズを含む場合には下限に近くすることができ、サンプル値が少なくとも多数の後続のサンプル定義可能関数について近似する場合には上限に近くてもよい。

あるいはまたはさらに、第6のステップ760は次のウエハの最適焦点値、または次のウエハの最適露光量値と最適焦点の両方を予測することができる。

第6のステップ760はまた、過去ウエハコンテキスト情報および現在のウエハのウエハコンテキスト情報を使用して、代替露光量および誤差補正値の決定のために過去ウエハの部分集合のみを選択することができる。例えば、第6のステップ760は、現在のウエハと同じ露光ツールの同じステージで処理されるそのような過去ウエハのみを考慮に入れることができる。予測された最適焦点および最適露光量から、第6のステップは、次のウエハのための代替のデフォーカスおよび露光量誤差補正を予測する。

第7のステップ810は、現在のウエハn+1の測定部位におけるCD測定の結果を利用可能にする。第8のステップ820は、現在のCD測定値を、デフォーカスおよび露光量誤差に関して目標CDからのCD測定値の偏差を記述する露光誤差に変換する。目標CDからのCD測定値の偏差からデフォーカスおよび露光量誤差を得るために、第8のステップ820は、第2のステップ720と同じ多項式モデルを使用することができる。デフォーカスおよび露光量誤差は、現在のウエハの残留デフォーカスおよび露光量誤差を表す。

第9のステップ830は、測定部位における前のプロセス補正の効果を計算する。以前のプロセス補正は、現在のウエハに対して実際に適用された焦点補正および露光量補正に対応する。

現在のウエハ上の各測定部位について、第10のステップ840は、第8のステップ820で得られた残留しているデフォーカスおよび露光量誤差と、第9のステップ830で得られた現在のウエハの実際のデフォーカスおよび露光量誤差とを加算して、現在のウエハについての最適なフォーカスおよび露光量補正を得る。ここで、最適な焦点補正および露光量補正は露光が最適な露光パラメータを使用した場合に、最小のCD偏差をもたらす値であり、遡及的に得られた露光パラメータである。

第11のステップ870は、第6のステップ760で得られた代替的な焦点補正および露光量補正の、現在のウエハの測定部位における効果を計算する。

第12のステップ880は、第11のステップ870で過去ウエハから得られた代替焦点補正と露光量補正の効果と、第10のステップ840で現在のウエハについて得られた最適露光量および焦点との差を計算することによって、代替焦点および露光量誤差を得る。第13のステップ890は、代替の焦点および露光量誤差を代替のCD値に変換することができる。

図6は、図4の実施形態におけるコータユニットによって引き起こされるプロセス偏差に関する例を示す。ライン601はn個のウエハについて測定されたCD偏差ΔCDを接続し、ライン602は、同じウエハについて補正なしのCD偏差ΔcCDを接続する。補正なしのCD偏差は3つの異なるコンテキストグループ611、612、613に割り当てることができ、各コンテキストグループは、複数のウエハを含む。第1のコンテキストグループ611に割り当てられたウエハの補正なしのCD偏差は、他のウエハの補正なしのCD偏差間の相関とは異なる相関を示す。

演算ユニット200のユーザ、エキスパートシステム、またはエキスパートステージは、関係するウエハのウエハコンテキスト情報を検索して、第1のコンテキストグループ611のウエハの共通コンテキスト、第2のコンテキストグループ612のウエハの共通コンテキスト、および第3のコンテキストグループ613のウエハの共通コンテキストを特定することができる。第1のコンテキストグループ611のウエハの共通コンテキストを識別することができる場合、演算ユニットは第1のコンテキストグループ611のウエハに関する以前の補正値のみから、ウエハコンテキスト情報内に同じパラメータを含む次のウエハの補正値を決定するように促されることができる。

図7において、上述したような演算ユニット200は、EDA(electronic design automation)システムのメインユニット910とデータ接続されている。メインユニット910はコンピュータシステム上で実行されるコンピュータであってもよいし、サーバであってもよい。演算ユニット200は、露光ツールアセンブリによって実行された露光に関する情報をメインユニット910に送信する。また、メインユニット910は、フォトレジスト層に結像されるパターンを特定するレイアウト情報を受信する。レイアウトデータを露光ビームのモデルと畳み込むことによって、メインユニット910は露光されたフォトレジスト層内のエネルギー分布に関する情報を取得し、それにより、メインユニット910は、選択されたレイアウトフィーチャの寸法に対する特定の露光パラメータ、デフォーカス、および露光量偏差の影響をシミュレートすることができる。

典型的には、メインユニット910がデフォーカスおよび露光量誤差の最大値を使用して、重要なレイアウトフィーチャを特定する。演算ユニット200によって利用可能にされた実際のデフォーカスおよび露光量誤差を使用することによって、クリティカリティのテストはより正確になり、EDAはクリティカルとしてマークされるのであろう他のレイアウト特徴を見つけることができる。

図8は計測ユニット330の正確さおよび/または効率を向上させるために、演算ユニット200によって実行される計算の結果を使用する実施形態に関する。

ウエハ製造アセンブリ300は、少なくとも、上述のような露光ツールアセンブリ320と、APCユニット290と、計測ユニット330と、露光後処理ユニット340とを含む。

サンプリング計画333は、計測ユニット330に送信される。サンプリング計画333はウエハロット410内の特定のウエハ401を識別するためのウエハ識別情報を含むことができ、検査のために選択されたウエハ401上の計測部位を識別する位置情報をさらに含む。計測部位は、円形、楕円形、または長方形の形状を有することができる。計測部位のサイズは、測定方法に依存する。測定部位の直径または縁部の長さは、散乱測定法では約100μmであり、電子顕微鏡を使用する測定では約1μmであるか、または1μm未満であり得る。

計測ユニット330はウエハ401を検査し、サンプリング計画333において特定された計測部位において、ウエハ401に関するフィーチャ特性を得る。フィーチャ特性は測定領域内のウエハ401の表面上の構造の高さ、幅、および/または長さ、例えば、ステップまたはトレンチの線または垂直延長部の幅、ウエハ401の表面から延在する突起の側壁角、またはウエハ401の表面内に延在するトレンチの側壁角などの幾何学的寸法を含むことができる。代替的に又は追加的に、フィーチャ特性は、ウエハ401を覆う最上層の厚さ及び/又は組成に関する情報、又はラインエッジ粗さ、ライン幅粗さ、オーバーレイデータ、ウエハ形状、ウエハ変形、欠陥密度、並びに欠陥及び電気的測定の結果のような他の物理的特性又は特性に関する情報を含むことができる。

第1フェーズでは、計測ユニット330が第1のサンプリング点数を使用して元のサンプリング計画に従ってウエハ401を検査し、検査結果をAPCユニット290に送信する。APCユニット290は検査の結果を受信し、補正された露光パラメータを計算し、補正された露光パラメータを露光ツールアセンブリ320に送信する。

演算ユニット200は検査の結果及び補正された露光パラメータを受け取り、サンプリング点の複数の部分集合に対するフィーチャ特性のCDをシミュレートすることができる。さらなる実例では実際の偏差を測定されたCD値と比較することができ、最良の戦略に従ってサンプリング計画を修正することができる。

例えば、演算ユニット200は補正なしの値を記述する情報をユーザインターフェース205に転送することができ、ユーザはユーザインターフェース205においてユーザに提示された情報に応答してサンプリング計画を変更する。この変更は、システム性能を改善しないサンプリングポイントを省略することを目的とする。

他の実施形態によれば、演算ユニット200は補正なしの値を記述する情報をエキスパートシステムに転送することができ、または演算ユニット200は、さらなるユーザとの対話なしに最良の戦略に従ってサンプリング計画を修正するエキスパートステージを含むことができる。

例えば、演算ユニット200、エキスパートシステム、またはユーザは元のサンプリング計画の1つまたは複数のサンプリング点が省略された場合の偏差と、限界寸法の実際の偏差とを比較することができる。仮想偏差が実際の偏差に等しいか、より小さいか、またはわずかに悪い場合、演算ユニット200、エキスパートシステムまたはユーザは少なくとも計測ユニット330が更新されたサンプリング計画334のみを使用するように、サンプリング計画から問題のサンプリング点を除去する。

一実施形態によれば、演算ユニット200は元のサンプリング計画に基づいてウエハモデルの第1のモデル係数を決定し、元のサンプリング計画のサンプリング点の真の部分集合に基づいてウエハモデルの第2のモデル係数を決定する。第1のモデル係数と第2のモデル係数との間の偏差が所定の閾値未満である場合、演算ユニット200は、元のサンプリング計画を、サンプリング点の真の部分集合を含む新しいサンプリング計画で置き換えるように制御されてもよい。

次のウエハ401については、計測ユニット330がAPCの品質を損なうことなく、より少ないサンプリング点を使用する。さらなる計測ユニット350は、更新されたサンプリング計画334を使用することができる。

図9はパターニングプロセス、例えば、エッチングプロセスについて上述したようなアドバンスドプロセス制御に関する実施形態を示す。

パターン化され、現像されたフォトレジスト層でコーティングされたウエハ401は、露光後プロセスユニット340に移送される。露光後プロセスユニット340はレジストパターンをウエハ内に、例えば、ベース基板内に、および/またはベース基板上に堆積された層または層スタック内に結像するエッチングツールを含むことができ、基板パターンがウエハ401内に形成される。

基板パターンではパターン深さ、線幅、傾斜角、線粗さなどのCDはエッチング液濃度、エッチング温度、エッチング時間、プラズマ電圧、およびプラズマ周波数などのエッチングプロセスのパラメータに依存する。さらなる計測ユニット350は、サンプリング計画において規定され得る所定の測定部位において、基板パターンのCDを取得する。

プロセス制御ユニット280は露光ツールの焦点および露光量について上述したように、エッチングプロセスのパラメータのうちの1つまたは複数を制御することができる。

図10は露光プロセスと露光後プロセス、例えば、エッチングプロセスとの組み合わせに有効なアドバンスドプロセス制御の実施形態を示す。

露光ツールアセンブリ320で使用されるデフォーカスおよび露光量は、演算ユニット200が露光後プロセス後にウエハ401を検査するさらなる計測ユニット350で得られた基板パターンのCDを使用するという条件で、図2〜図5を参照して説明したような方法で制御することができる。エッチング・パラメータの変動によって生じるCDドリフトは、露光ツールアセンブリ320内の適切な設定によって補償することができる。

Claims

アドバンスドプロセス制御方法は以下を含むものであって:
露光ツールアセンブリを使用することによって、半導体基板をコーティングするフォトレジスト層を露光ビームで露光する、ここで、各露光について、少なくともデフォーカス値および露光量を含む現在の露光パラメータセットが使用される;
露光されたフォトレジスト層を現像してレジストパターンを形成する;
レジストパターンおよび/またはレジストパターンから導出された基板パターンにおけるフィーチャ特性を測定し、測定されたフィーチャ特性と目標フィーチャ特性との偏差に応じて現在の露光パラメータセットを更新する;
露光パラメータセットを更新しない場合に形成される仮想レジストパターンの補正なしフィーチャ特性を推定する；
(i)補正なしのフィーチャ特性から得られた情報に応じてフィーチャ特性の測定ストラテジを変更すること、又は、(ii)補正なしのフィーチャ特性から得られた情報に応じて現在の露光パラメータセットを更新することのうちの少なくとも1つ、を含むアドバンスドプロセス制御方法。
露光ツールアセンブリを使用して、更新された露光パラメータ設定が使用されて、半導体基板を露光ビームでコーティングするフォトレジスト層を露光することを含む請求項1記載のアドバンスドプロセス制御方法。
補正なしのフィーチャ特性およびウエハコンテキスト情報から得られた情報に応じて、現在の露光パラメータセットを更新することを含み、ウエハコンテキスト情報は、半導体基板のプロセス履歴に関する情報を含む請求項1記載のアドバンスドプロセス制御方法。
現在の露光パラメータを更新することは基板グループに割り当てられた半導体基板のみを考慮し、基板グループに割り当てられた半導体基板はウエハコンテキスト情報において少なくとも1つの共通パラメータを共有し、基板グループは半導体基板の真の部分集合を含む、請求項3記載のアドバンスドプロセス制御方法。
基板グループに割り当てられた半導体基板の補正なしのフィーチャ特性は、全ての半導体基板の補正なしのフィーチャ特性間の相関とは異なる相関を示す、請求項4に記載のアドバンスドプロセス制御方法。
半導体基板の表面上のサンプリング点に関する位置情報を含むサンプリング計画を修正することによって測定ストラテジを変更し、フィーチャ特性はサンプリング点で測定される、請求項1記載のアドバンスドプロセス制御方法。
第1のサンプリング点数を含む元のサンプリング計画に基づいて、ウエハモデルの第1のモデル係数を決定する;
サンプリング点の真の部分集合に基づいてウエハモデルの第2のモデル係数を決定する；
第1のモデル係数と第2のモデル係数との間の偏差が所定の閾値未満である場合、元のサンプリング計画をサンプリング点の真の部分集合を含む新しいサンプリング計画と置き換える、ことを含む請求項6記載のアドバンスドプロセス制御方法。
レジストパターンおよび/または基板パターンが複数のレジストフィーチャを含み、フィーチャ特性が、円形レジストフィーチャの直径、レジストフィーチャの側壁角度、レジストフィーチャの高さ寸法、非円形レジストフィーチャの短軸の長さ、非円形レジストフィーチャの長軸の長さ、ストライプ形状レジストフィーチャの線幅、レジストフィーチャ間の空間の幅、レジストフィーチャの面積、およびレジストフィーチャの線縁粗さのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のアドバンスドプロセス制御方法。
ウエハ製造アセンブリであって:
i)半導体基板をコーティングするフォトレジスト層を、現在の露光パラメータセットに従って露光ビームに露光するように構成され、ii)露光されたフォトレジスト層からレジストパターンを形成するように構成された露光ツールアセンブリ(320);
レジストパターンおよびレジストパターンから導出された基板パターンのうちの少なくとも1つのフィーチャ特性を測定するように構成された計測ユニット(330、350);
測定されたフィーチャ特性の目標フィーチャ特性からの偏差に応じて露光パラメータセットを更新するように構成されたAPCユニット(290);
露光パラメータセットを更新せずに形成された仮想レジストパターンの補正なしのフィーチャ特性を推定するように構成される演算ユニット(200)と、を備えたウエハ製造アセンブリ。
演算ユニット(200)は、(i)フィーチャ特性の測定ストラテジを変更すること、および(ii)補正なしのフィーチャ特性から得られた情報に応じて現在の露光パラメータセットを更新することのうちの少なくとも1つを行うように構成される、請求項9に記載のウエハ製造アセンブリ。
演算ユニット(200)は補正なしのフィーチャ特性から、およびウエハコンテキスト情報から得られた情報に応じて、現在の露光パラメータセットを更新するように構成され、ウエハコンテキスト情報は、半導体基板のプロセス履歴に関する情報を含む、請求項10に記載のウエハ製造アセンブリ。
演算ユニット(200)は基板グループに割り当てられた半導体基板にのみ基づいて現在の露光パラメータを更新するように構成され、基板グループに割り当てられた半導体基板はウエハコンテキスト情報において少なくとも1つの共通パラメータを共有し、基板グループは半導体基板の真の部分集合を含む、請求項11に記載のウエハ製造アセンブリ。
基板グループに割り当てられた半導体基板の補正なしのフィーチャ特性は、全ての半導体基板の補正なしのフィーチャ特性間の相関とは異なる相関を示す、請求項12に記載のウエハ製造アセンブリ。
演算ユニット(200)とAPCユニット(290)とを接続するデータインタフェースであって、APCユニット(290)は、演算ユニット(200)から受信した情報に応じて露光パラメータセットを更新するように構成される請求項9に記載のウエハ製造アセンブリ。
演算ユニット(200)は第1のサンプリング点数を含む元のサンプリング計画に基づいてウエハモデルの第1のモデル係数を決定し、元のサンプリング計画のサンプリング点の真の部分集合に基づいてウエハモデルの第2のモデル係数を決定し、第1および第2のモデル係数を記述する情報を出力するように構成される請求項9に記載のウエハ製造アセンブリ。
演算ユニット(200)はサンプリング計画、自動プロセス制御、およびウエハモデルのうちの少なくとも1つの代替設定のために、仮想レジストパターンの補正なしのフィーチャ特性をシミュレートするように構成される、請求項9に記載のウエハ製造アセンブリ。