TWI842959B

TWI842959B - 使用晶圓模型及晶圓製造組件之晶圓曝光方法

Info

Publication number: TWI842959B
Application number: TW109134344A
Authority: TW
Inventors: 史帝芬布爾; 菲利普格羅杰; 派翠克隆歇爾
Original assignee: 德商科尼亞克公司
Priority date: 2019-12-21
Filing date: 2020-10-05
Publication date: 2024-05-21

Abstract

本發明揭示一種晶圓曝光方法，其自預定量測位點處之晶圓結構獲得臨界尺寸值。獲得用於形成該等晶圓結構之一曝光程序之位置相依程序參數。自該等量測位點處之該等臨界尺寸值判定一預設模型及至少一進一步模型之係數。各進一步模型在至少一項上不同於該預設模型及其他模型。該等模型估算隨至少兩個位置座標變化之該等臨界尺寸值、該等程序參數及/或該等程序參數之校正值。判定自該等模型獲得之估算臨界尺寸值與該等量測位點處所獲得之該等臨界尺寸值之間的殘差。自該預設模型及該至少一進一步模型中選擇一更新模型。該選擇係基於使該等殘差、該模型之項之數目及/或該模型之項之階加權之一準則。

Description

使用晶圓模型及晶圓製造組件之晶圓曝光方法

本發明實施例係關於半導體微影及圖案化之領域，且特定言之，本發明實施例係關於用於程序監測及程序控制之晶圓模型之態樣。

在諸如積體電路、顯示器及感測器之電子裝置之製造中，一光微影系統將圖案自一光罩轉印至一半導體基板。光罩含有電路設計資訊。一光阻層塗覆半導體基板。一曝光程序將光罩圖案轉印至光阻層中。曝光程序之可控參數包含聚焦及劑量。「聚焦」值可給定為一「散焦」，其描述實際焦平面與用於最佳圖案化條件之一參考面之間的一距離。劑量值給出曝光光束之輻射功率之一量測。聚焦及劑量兩者之最佳值通常取決於主表面上之曝光光束之位置座標。因為基板之程序歷史之波動影響曝光結果，所以最佳聚焦及劑量值亦係時間相依的。聚焦及劑量之一回饋迴路通常基於自先前曝光基板獲得之資訊提供下一曝光之聚焦及劑量校正值。通常自相對較少量測位點獲得之資訊導出校正值。一晶圓模型基於自量測位點獲得之資訊支援場細線校正值或甚至場內校正值之內插。

需要穩步改良圖案化程序之程序監測及程序控制。

本申請案之一實施例係關於一種晶圓曝光方法。針對一晶圓曝光方法，自預定量測位點處之晶圓結構獲得臨界尺寸值。獲得用於形成該等晶圓結構之一曝光程序之位置相依程序參數。自該等量測位點處之該等臨界尺寸值判定一預設模型及至少一進一步模型之係數。各進一步模型在至少一項上不同於該預設模型及其他模型。各模型估算隨至少兩個位置座標變化之該等臨界尺寸值、該等程序參數及/或該等程序參數之校正值。判定自該等模型獲得之估算臨界尺寸值與該等量測位點處所獲得之該等臨界尺寸值之間的殘差。自該預設模型及該至少一進一步模型中選擇一更新模型。該選擇係基於使該等殘差、項之數目及/或該晶圓模型之項之階加權之一準則。

本申請案之另一實施例係關於一種晶圓製造組件。該晶圓製造組件包含一曝光工具組件。該曝光工具組件使塗覆晶圓基板之光阻層曝光於一曝光光束，其中該曝光工具組件使用位置相依程序參數來自該等曝光光阻層界定晶圓結構。一處理器單元與該曝光工具組件資料連接。該處理器單元接收及/或保持用於在該曝光工具組件中界定該等晶圓結構之位置相依程序參數。該處理器單元進一步接收自預定量測位點處之該曝光光阻層獲得之晶圓結構之臨界尺寸值。該處理器單元自該等量測位點處之該等臨界尺寸值判定一預設模型及至少一進一步模型之係數。各進一步模型在至少一項上不同於該預設模型及其他模型。該等模型估算隨至少兩個位置座標變化之該等臨界尺寸值、該等程序參數及/或該等程序參數之校正值。該處理器單元判定自該等模型獲得之估算臨界尺寸值與該等量測位點處所獲得之該等臨界尺寸值之間的殘差。該處理器單元自該預設模型及該至少一進一步模型中選擇一更新模型，其中該選擇係基於使該等殘差、該模型之項之數目及/或該模型之項之階加權之一準則。

熟習技術者將在閱讀以下詳細描述及檢視附圖之後認知額外特徵及優點。

在以下詳細描述中，參考附圖，附圖構成本發明之一部分且附圖中依繪示方式展示其中可實踐實施例之特定實施例。應瞭解，可利用其他實施例，且可在不背離本發明之範疇的情況下作出結構或邏輯改變。例如，針對一實施例所繪示或描述之特徵可用於其他實施例上或結合其他實施例使用以產生又一實施例。本發明意欲包含此等修改及變動。使用特定語言描述實例，其不應被解釋為限制隨附申請專利範圍之範疇。圖式未按比例繪製且僅供說明。若無另外說明，則不同圖式中之對應元件由相同元件符號標示。

術語「具有」、「含有」、「包含」、「包括」及其類似者係開放式的，且術語指示存在所述結構、元件或特徵，但不排除額外元件或特徵。除非內文另有明確指示，否則冠詞「一」及「該」意欲包含複數及單數。

本發明之一實施例係關於一種晶圓曝光方法。晶圓曝光方法包含獲得預定量測位點處之晶圓結構之臨界尺寸值。

晶圓結構可包含形成於一晶圓基板上或一晶圓基板中之結構。晶圓基板可為包含一基板材料之一薄圓盤。基板材料可包含一半導電材料。例如，舉例而言，晶圓基板可為一半導體晶圓、包含一或多個半導電層之一玻璃基板或一SOI (絕緣體上矽)晶圓。

晶圓基板可包含自晶圓基板之一前側處之一主表面延伸至晶圓基板中之溝槽。溝槽可由不同於一周圍基板材料之一材料填充。替代地或另外，晶圓結構可自晶圓基板之一前側處之一主表面突出。自主表面突出之結構可包含(例如)柱、條形肋及/或線圖案。自主表面突出之結構可包含光阻結構。

各臨界尺寸值定量描述晶圓結構之一者之一物理性質或兩個晶圓結構之間的一位置關係。

晶圓曝光方法可進一步包含獲得已用於形成晶圓結構之一曝光程序之位置相依程序參數。曝光程序可使用一曝光工具組件。曝光工具組件可使用一曝光光束將一光罩圖案投影至塗覆晶圓基板之主表面之一光阻層中。程序參數包含會影響臨界尺寸值之曝光程序之此等參數。程序參數可包含可隨主表面上之曝光光束之位置變化來控制之曝光程序之此等參數。

可自預定量測位點處所獲得之臨界尺寸值判定一預設模型之係數。預設模型可為已用於判定先前曝光之曝光參數之一模型。另外，可判定至少一進一步模型之係數，其中各進一步模型在至少一項上不同於預設模型且在至少一項上不同於其他進一步模型。

各模型可依封閉數學形式估算跨主表面之臨界尺寸值之一分佈。當前模型接收自量測位點處之量測獲得之輸入資訊。模型自輸入資訊導出描述跨整個主表面之臨界尺寸值之一分佈之輸出資訊。輸入資訊可包含量測臨界尺寸值及/或自量測臨界尺寸值導出之程序參數。輸出資訊可包含隨位置變化之估計臨界尺寸值、更新程序參數及/或程序參數校正值。輸出資訊可被顯示、傳輸至一較高階程序監測及/或管理系統及/或可用於控制跨下一晶圓基板之整個主表面之曝光程序或當前晶圓基板之一再加工。

可以明確界定基板主表面之各點之位置座標描述位置。舉例而言，位置座標可為線性座標(例如正交線性座標(x, y座標系))或極座標(r, φ)。位置座標可描述曝光場之位置(針對場間校正)及/或各曝光場內之位置(針對場內校正)。

各模型由項之一和表示。各(模型)項包含至少一位置座標及一係數。例如，各項可為一係數與至少一位置座標之一代數函數之一乘積。

可藉由使用一擬合演算法來獲得各模型之係數。擬合演算法搜尋使由各自模型輸出之臨界尺寸值(「模型CD」)與實際臨界尺寸值(「實際CD」)之間的偏差最小化之係數。實際CD係自當前晶圓基板上之預定量測位點處之晶圓結構直接獲得之CD。模型CD係各自模型針對預定量測位點輸出之CD。擬合演算法可包含一最小平方法(LSM)。

接著，單獨針對各相關模型，判定模型之輸出與自晶圓結構獲得之實際CD值之間的殘差。換言之，單獨針對各相關模型，判定模型CD與實際CD之間的剩餘差。

接著，自預設模型及至少一進一步模型中選擇一更新模型。選擇可基於使殘差之量值與各自模型之項之數目及/或模型之項之階加權之一準則。總殘差通常隨模型之複雜性增加(例如隨模型項之數目)而減小。但僅對整個模型具有高影響之項(例如相對較重加權項)通常表示晶圓基板之生產線之物理效應，而低加權項僅或主要反映雜訊效應。藉由將項之數目視作一懲罰項，一模型之項之數目可受限於表示生產線之顯著物理效應且亦可對下一曝光具有一系統效應之項。另一方面，無法指派給一實體背景之模型項對改良曝光程序幾乎無貢獻且甚至會對模型之效率具有一直接效應。

使用更新模型而非預定模型控制曝光程序可更有效，因為更新模型與生產線之當前主要物理效應較佳匹配。新模型項及/或跳過模型項可指示晶圓基板之生產線中之程序之顯著改變。

根據一實施例，可輸出描述更新模型之項之資訊。例如，可向一人類操作者或一較高階程序監測及/或管理系統顯示模型項之任何改變。模型之一項之任何跳過及一項之任何插入可指示總體程序特徵之一些顯著改變。因此，關於消除模型項及/或新引入模型項之資訊可用於程序控制。

根據一實施例，可基於更新模型更新用於下一曝光程序中之位置相依程序參數。依此方式，自一當前晶圓基板之預定量測位點取得之資訊可即時用於改良下一曝光程序。曝光程序可即時適應程序特徵之一改變。

藉由使用在線資訊穩定更新模型，曝光程序可在其首次出現之後且在無介入(例如無操作者介入)之情況下依循在先前經處理晶圓基板中未偵測到之程序偏差。

根據一實施例，更新模型之選擇可基於使模型項之數目與殘差之一總量加權之一權衡。例如，可界定組合一第一項及一第二項之一輔助函數。第一項表示隨模型項之數目變化之模型品質。第一項可隨模型項之數目增加而穩定減小。第二項可隨模型項之數目增大。第二項可穩定增大，例如單調增大。可相加地或相乘地組合項。

根據一實施例，更新模型之選擇可基於BIC (貝氏資訊準則)或一AIC (赤池資訊準則)之至少一者。BIC可界定為方程式(1)，且AIC可界定為方程式(2)。方程式(1)：BIC = k·ln(n)-2·ln(^L) 方程式(2)：AIC = 2k-2·ln(^L)

在方程式(1)及(2)中，n給出量測位點之數目，k給出項之數目，且^L指示似然函數之一最大值，其可與總殘差成反比增大。

根據一實施例，模型可包含澤尼克多項式及/或勒壤得(Legendre)多項式之至少一者。澤尼克多項式係指一旋轉座標系。歸因於大多數晶圓基板之形狀及程序之性質，諸多程序偏差導致可由澤尼克多項式較好描述之誤差。

例如，模型可包含(例如)用於場間校正之具有極座標之多項式項。場間校正可減小基板級偏差，例如基於沈積效應、晶圓彎曲及其他之效應。例如，模型可包含澤尼克多項式。另外或替代地，模型可包含(例如)用於場內校正之具有直角座標之多項式項。場內校正可減小光罩效應及/或設計特定效應。例如，模型可包含勒壤得多項式。

根據一實施例，進一步模型之至少一者可包含高達一最高階之一特定類型之所有多項式。例如，至少一進一步模型可包含高達最高階之所有澤尼克多項式。最高階可在自3至10之一範圍內。最高階可為其中BIC或AIC具有一最小值之階。

根據一實施例，可針對更新模型之各係數判定一品質指數。品質指數可給出關於係數與取樣點處所獲得之臨界尺寸值之變動之相依度之資訊。

可自所有預定量測位點或僅自一些預定量測位點導出品質指數。例如，可僅自對係數貢獻顯著之預定量測位點導出品質指數。當臨界尺寸值之各者之略微變動對係數之值僅具有低影響時及/或當係數之值與臨界尺寸值相比對單一離群值穩健時，品質指數可較高。

品質指數可傳輸至一較高階程序監測及/或管理系統或可向一人類操作者顯示。另外或替代地，更新模型之項之選擇可考量模型項之品質指數。例如，更新模型之項之選擇可包含跳過其係數具有低於一預設臨限值之一品質指數之項。

例如，可基於例如自助法之一統計學方法計算品質指數。例如，各係數之計算可在具有自取樣點所獲得之臨界尺寸值之不同權重之不同運行中重複複數次。例如，在各重複中，取樣點之至少另一者可完全被忽略係數計算及/或至少另一取樣點可由一因數2加權。相關係數之不同運行中之結果之間的差越小，指派給係數之品質指數可越高。

根據一實施例，選擇可基於使殘差之一分佈加權之一準則。例如，選擇可基於一常態測試。常態測試包含判定一各自模型之殘差之分佈與一常態分佈之間的一致度。例如，更新模型可為導致殘差分佈與一常態分佈之間的一最佳擬合之模型。可自一常態分佈與各自模型之殘差之分佈之間的一最小均方差導出一致度。

根據針對重疊誤差分析及/或重疊校正之一實施例，臨界尺寸值可包含重疊差異值。重疊誤差發生於形成於晶圓基板之不同層中之結構之間。

重疊差異值描述形成於一第一水平層中之第一晶圓結構與形成於一第二水平層中之第二晶圓結構之間的重疊誤差之種類及程度。重疊誤差可為位置相依的且可包含以下之至少一者：第一晶圓結構與第二晶圓結構之間的一線性偏移、第二晶圓結構相對於第一晶圓結構之一放大或大小減小及第二晶圓結構相對於第一晶圓結構之一旋轉。第二水平層可直接鄰接第一水平層。替代地，一第三水平層可形成於第一水平層與第二水平層之間。

一重疊差異值自其獲得之一量測位點可為具有第一水平層中之一第一使用結構及第二水平層中之一第二使用結構之晶圓基板前側處之任何區域。替代地，量測位點可為具有形成於第一水平層及第二水平層之一第一者中之一使用結構且具有第一水平層及第二水平層之第二者中之一重疊標記之一區域。根據另一替代，可自包含離散重疊標記之區域獲得重疊差異值。離散重疊標記專門或至少主要用於判定重疊誤差。

離散重疊標記可包含(例如)平行線及/或框形標記之組。例如，一重疊標記可包含第一水平層中之一第一框及第二水平層中之一第二框。兩個框可具有不同大小。各框可包含沿一矩形(例如一正方形)之邊配置之四個線形條。

針對重疊分析及/或重疊校正，可控程序參數可包含位置偏移。位置偏移可包含線性偏移，例如一x偏移及一y偏移。x偏移可包含關於一晶圓基板自一參考位置沿一第一水平軸(x軸)之一橫向位移之資訊。y偏移可包含關於晶圓基板自參考位置沿一第二水平軸(y軸)之一位移之資訊。第二水平方向可正交於第一水平方向運行。

進一步針對重疊分析及/或重疊校正，各模型可包含一晶圓重疊模型。晶圓重疊模型估算隨基板主表面之位置座標變化之重疊差異值、位置偏移及/或位置偏移校正值。

在反映晶圓曝光方法應用於重疊分析及/或重疊校正之項中，各晶圓重疊模型依封閉數學形式估算跨基板主表面之總重疊誤差。各重疊模型由項之一和表示。各(模型)項包含至少一位置座標及一係數。例如，各項可為一係數與至少一位置座標之一函數之一乘積。

當前重疊模型接收自重疊標記處之量測獲得之輸入資訊。重疊模型自輸入資訊導出描述跨整個基板主表面之位置相依重疊誤差之輸出資訊。輸入資訊可包含重疊標記處之量測重疊誤差。輸出資訊可包含隨位置座標變化之估計位置相依重疊誤差、更新位置偏移及/或位置偏移校正值。

根據一實施例，重疊模型可包含方程式(3)及(4)中所表示之項。方程式(3)：Δx=Γ₁ ·x+R₁ ·x·y+WM₁ ·y 方程式(4)：Δy=Γ₂ ·y+R₂ ·x·y+WM₂ ·x

各重疊模型之係數Γ₁ 、Γ₂ 、R₁ 、R₂ 、WM₁ 、WM₂ 可自一擬合演算法獲得。擬合演算法搜尋使模型化重疊誤差與重疊標記處之實際重疊誤差之間的偏差最小化之係數值。實際重疊誤差係自當前晶圓基板之(若干)重疊標記直接獲得之重疊誤差。模型重疊誤差係重疊模型針對重疊標記之位置輸出之重疊誤差。擬合演算法可包含一最小平方法。

接著，單獨針對各相關重疊模型，判定重疊模型之輸出與重疊標記處所獲得之重疊誤差之間的殘差。換言之，單獨針對各相關重疊模型，判定模型重疊誤差與實際重疊誤差之間的剩餘差。

接著，自預設重疊模型及至少一進一步重疊模型中選擇一更新重疊模型。選擇可基於使殘差之量值及/或分佈與項之數目及/或晶圓重疊模型之項之一最高階加權之一準則。

輸出資訊可被顯示、傳輸至一較高階程序監測及/或管理系統及/或可用於再加工。例如，第二晶圓結構可為光阻結構。可移除光阻結構且可在可使用更新重疊模型之輸出資訊之一進一步曝光程序中圖案化沈積一進一步光敏層。根據一實施例，可基於更新重疊模型更新用於晶圓基板之曝光中之位置相依位置偏移。

根據針對曝光分析及/或曝光校正之一實施例，臨界尺寸值可包含定量描述一實體晶圓結構之至少一物理性質之臨界尺寸(下文中之CD)。例如，CD可包含一圓形光阻特徵之直徑、一非圓形光阻特徵之一短軸之長度、一非圓形光阻特徵之一長軸之長度、一條形光阻特徵之線寬、兩個光阻特徵之間或相同平面內之兩個基板特徵之間的一空間之寬度、一光阻特徵之側壁角、一光阻特徵之表面積或一光阻特徵之線邊緣粗糙度。

自其獲得臨界尺寸之量測位點可為取樣點。取樣點可在曝光場內，可在曝光場外部(例如在一晶圓邊緣區域中)、在晶片區域內及/或在晶片區域外部(例如在晶圓基板之鋸口區域中)。可在一取樣計畫中界定取樣點之數目及位置。取樣計畫可為靜態的或可為動態的。在一動態取樣計畫中，一或多個取樣點之位置可改變及/或取樣點之數目可隨時間改變。

亦針對曝光分析及/或曝光校正，可控程序參數可包含用於形成晶圓結構之一程序中之一曝光程序之位置相依曝光參數。曝光參數影響臨界尺寸。曝光參數可包含絕對聚焦值、散焦值、聚焦校正值、劑量值、劑量校正值及/或可自其明確導出曝光方法之輸入參數(例如一曝光工具組件之輸入參數)之任何其他參數或參數組。曝光參數可包含一單一參數(例如曝光劑量或一聚焦值)或可包含曝光劑量及一聚焦值之一組合。

用於界定實體晶圓結構之曝光程序中之曝光參數可為先前判定曝光參數或可自管理曝光參數之一執行個體接收。管理曝光參數之執行個體可為整合於其中發生曝光之一曝光工具組件中或指派給該曝光工具組件之一處理器單元。替代地或另外，處理器單元可整合於與曝光工具組件資料連接之一伺服器設備中或指派給該伺服器設備。

進一步針對曝光分析及/或曝光校正，各模型可包含一晶圓曝光模型。晶圓曝光模型估算隨基板主表面之位置座標變化之CD、曝光參數及/或曝光參數校正值。各晶圓曝光模型由項之一和表示，如上文所描述。

晶圓曝光模型可包含(例如)用於場間校正之具有極座標之多項式項。場間校正可減小基板級偏差，例如基於沈積效應、晶圓彎曲及其他之效應。場內校正可減小設計特定效應。例如，晶圓模型可包含澤尼克多項式。另外或替代地，晶圓曝光模型可包含(例如)用於場內校正之具有直角座標之多項式項。例如，晶圓曝光模型可包含勒壤得多項式。

當前晶圓曝光模型接收自取樣點處之量測獲得之輸入資訊。晶圓曝光模型自輸入資訊導出描述跨整個主表面之臨界尺寸之一分佈之輸出資訊。輸入資訊可包含量測CD及/或自量測CD導出之曝光參數。輸出資訊可包含隨位置座標變化之估計CD、更新曝光參數及/或曝光參數校正值。輸出資訊可被顯示、傳輸至一較高階程序監測及/或管理系統及/或可用於控制跨下一晶圓基板之整個主表面之曝光程序。

殘差之總量值係模型CD與實際CD之間的剩餘偏差之一量測。特定言之，殘差之總量值可給出各自物理模型之品質之一印象。隨著一物理模型中之項之數目增加，總殘差變低。但隨著項之數目增加至一穩定增加程度，額外項傾向於使晶圓曝光模型伴隨程序可忽略雜訊。基於不僅考量殘差且亦考量晶圓曝光模型之項之數目之一準則選擇晶圓曝光模型可導致更新晶圓曝光模型僅高度伴隨系統誤差，因此為可實際歸因於程序歷史之程序效應之誤差。

晶圓結構可包含可形成於一晶圓基板之一主表面上之光阻結構。晶圓基板可為包含一基板材料之一薄圓盤。基板材料可包含一半導電材料。例如，舉例而言，晶圓基板可為一半導體基板、包含一或多個半導電層之一玻璃基板或一SOI (絕緣體上矽)晶圓。

光阻結構可包含一活化或去活化光活性組分。藉由使一曝光光阻層顯影來獲得光阻結構。光阻結構可包含複數個橫向分離之光阻特徵。換言之，光阻結構可覆蓋基板主表面之一或多個第一部分且可使基板主表面之一或多個第二部分曝光。

根據一實施例，形成光阻結構可包含使形成於基板主表面上之一第一光阻層曝光。曝光使用位置相依曝光參數。

可使曝光第一光敏層顯影，其中自曝光第一光敏層獲得光阻結構。為此，可相對於未曝光區段選擇性移除第一光敏層之曝光區段或可相對於曝光區段選擇性移除第一光敏層之曝光區段。

應用基於考量殘差及晶圓曝光模型之項之數目兩者之一準則更新晶圓曝光模型之技術促進依高重現保真度製造半導體裝置(諸如記憶體裝置、微處理器、邏輯電路、類比電路、功率半導體裝置)且可提高半導體裝置(特定言之，具有低於100 nm之小橫向特徵尺寸之半導體裝置)之一製程之良率。

根據一實施例，可在一第二晶圓基板上使一第二光阻層曝光，其中曝光使用自更新晶圓曝光模型獲得之位置相依曝光參數對。

根據另一實施例，本發明係關於一種晶圓製造組件。除非另有說明，否則晶圓製造組件之描述使用參考上述晶圓曝光方法所引入之術語及概念。

一曝光工具組件可根據位置相依程序參數使塗覆基板之光阻層曝光於一曝光光束。接著，曝光工具組件自曝光光阻層形成光阻結構。例如，曝光工具組件可包含一微影曝光單元及一顯影劑單元。在曝光單元中，一光罩橫向調變一曝光光束。經橫向調變之曝光光束活化光阻層之曝光位置中之光活性化合物。顯影劑單元可選擇性移除光阻層之曝光部分或未曝光部分。光阻層之殘餘形成光阻結構。

光阻結構及/或源自光阻結構之基板結構形成晶圓結構。例如，可藉由使用用作蝕刻遮罩之光阻結構蝕刻晶圓基板來獲得基板結構。

一處理器單元可與曝光工具組件資料連接。例如，處理器單元可接收用於形成光阻結構之曝光工具組件中之位置相依程序參數。處理器單元及曝光工具組件可直接資料連接，其中處理器單元可直接自曝光工具組件接收位置相依程序參數。替代地或另外，處理器單元及曝光工具組件可經由另一資料管理單元(例如一伺服器)資料連接，其中處理器單元可直接自資料管理單元接收位置相依程序參數。替代地或另外，處理器單元可儲存先前使用之程序參數且可使用先前已判定之程序參數。

處理器單元亦可接收自量測位點處之光阻結構獲得之光阻結構及/或基板結構之臨界尺寸值。

處理器單元可自量測位點處之臨界尺寸值判定一預設模型及至少一進一步模型之係數，其中各進一步模型在至少一項上不同於預設晶圓模型及其他晶圓模型，且其中晶圓模型估算隨至少兩個位置座標變化之臨界尺寸值及/或程序參數之校正值。處理器單元可單獨針對各相關模型進一步判定模型之輸出與自晶圓結構獲得之臨界尺寸值之間的殘差。處理器單元可自預設模型及至少一進一步模型中選擇一更新模型，其中選擇係基於使殘差與項之數目及/或模型之項之階加權之一準則。

臨界尺寸值可包含重疊差異值及/或CD，如上文所描述。程序參數可包含曝光參數及/或位置偏移，如上文所描述。模型可包含一晶圓曝光模型及/或一晶圓重疊模型，如上文所描述。

根據一實施例，處理器單元可經組態以輸出描述更新模型之項之資訊。

根據一實施例，處理器單元可經組態以基於更新模型更新位置相依程序參數且將更新位置相依程序參數輸出至曝光工具組件。

根據一實施例，晶圓製造組件可包含獲得(例如量測)預定量測位點處之晶圓結構之臨界尺寸值之一度量單元。度量單元可將量測臨界尺寸值輸出至處理器單元。

圖1展示具有一曝光工具組件300之一晶圓製造組件900之一部分。曝光工具組件包含一塗覆器單元310、一微影曝光單元320及一顯影劑單元330。複數個經預處理晶圓基板100經連續供應至曝光工具組件300。舉例而言，晶圓基板100可為半導體晶圓、其上形成有半導體層或半導體元件之玻璃基板或SOI (絕緣體上半導體)晶圓。塗覆器單元310及顯影劑單元330之各者可包含應用相同類型之程序之兩個或更多個子單元。

一基板批次(例如一晶圓批)之晶圓基板100可經受用於形成相同電子電路之相同程序。例如，一基板批次之晶圓基板100可連續供應至相同類型之不同程序單元，其中相同類型之程序單元應用相同類型之程序。替代地，晶圓基板100可連續供應至相同程序單元，其中各程序單元可包含其中可並行處理一些晶圓基板110之一或多個子單元。

例如，晶圓基板100可供應至塗覆器單元310。塗覆器單元310將一光阻層沈積於各基板100之主表面上。除光阻層之外，塗覆器單元310亦可沈積一或多個輔助層，例如一抗反射塗層。例如，塗覆器單元310可包含將一光阻材料施配於基板主表面上且藉由旋轉晶圓基板100來均勻分佈光阻材料之一旋塗器單元。光阻材料可含有一光活性組分(PCA)、一溶劑及一樹脂。塗覆器單元310可包含用於在塗覆之後蒸發溶劑之至少一部分之一加熱設施。將經光阻劑塗覆之晶圓基板100轉移至曝光單元320。

在微影曝光單元320中，一曝光光束將一目標圖案轉印至光阻層中，其中曝光光束可在曝光部分中選擇性活化或去活化光阻層之光活性組分。曝光光束可為一電磁輻射束或一粒子束。根據一實施例，曝光光束包含具有短於365 nm之一波長(例如193 nm或更小)之光或電磁輻射，其中電磁輻射穿過一光罩或在一光罩處反射且使光罩圖案成像至光阻層中。

在由曝光光束曝光之光阻層之部分中，光活性組分可活化或去活化一光活性化合物。例如，曝光光束可影響一先前未聚合化合物之聚合或先前已聚合化合物之解聚合。在曝光之後，光阻層含有光罩圖案之一潛像。

一個晶圓基板100之曝光可包含整個基板主表面之一單次曝光或可包含主表面上之相鄰曝光場中之複數次曝光。在後一情況中，相同圖案可成像至各曝光場中。各曝光由諸如聚焦及劑量之曝光參數界定，如上文所界定。聚焦及劑量之至少一者可因相同晶圓基板100上、相同基板批次之晶圓基板100之間及/或不同基板批次之間的不同曝光場而不同。將具有曝光光阻層之晶圓基板100轉移至顯影劑單元330。

微影曝光單元320可進一步包含一基板載物台。在曝光期間，晶圓基板可固定於具有一曝光位置中之一曝光場之基板載物台上。基板載物台可相對於曝光光束移動，使得曝光光束可沿一線性掃描方向(y方向)及/或反平行於掃描方向掃描曝光場。曝光光束可依均勻掃描速度掃描各曝光場一次或若干次。在完成曝光場之曝光之後，基板載物台可沿至少一橫向方向移動，其中將另一曝光場放置於曝光位置中。

顯影劑單元330使用光阻層之曝光及未曝光部分之不同溶解速率來相對於未曝光部分選擇性溶解曝光部分，或反之亦然。顯影劑單元330可包含用於蒸發溶劑殘餘及/或使顯影光阻層化學改質之一曝光後烘烤之一加熱室。例如，一熱處理可硬化顯影光阻層或可增強基板主表面上之顯影光阻層之黏附性。顯影光阻層形成一光阻結構。光阻結構可包含複數個橫向分離之光阻特徵或可包含具有開口之一或多個光阻特徵。

一度量單元400可判定取樣點處之臨界光阻特徵之臨界尺寸，如上文所描述。度量單元400可為曝光工具組件300之整合部分，或晶圓基板100可轉移至一遠端度量單元400。度量單元400亦可判定由光阻結構界定之晶圓結構之臨界尺寸。例如，度量單元400可判定藉由將光阻結構用作蝕刻遮罩所獲得之基板特徵之臨界尺寸。取樣點係在一取樣計畫中界定之晶圓基板100上之位置。度量單元400可藉由(例如) OCD (光學臨界尺寸)散射量測、檢測由SEM (掃描電子顯微鏡)獲得之影像及檢測由光學顯微鏡獲得之影像來獲得關於臨界尺寸值之資訊。

臨界尺寸值可包含上述物理尺寸之任何者。在下文中，縮寫「CD」應被理解為包含所有種類之臨界尺寸值且不限於為臨界光阻特徵之線及空間之寬度或臨界光阻特徵之面積。

在轉移至度量單元400之前，一曝光後程序可使用光阻圖案(例如)作為用於形成晶圓基板100中之凹槽及/或溝槽之蝕刻遮罩、作為植入遮罩或作為其他修改程序之一遮罩。在此情況中，度量單元400可量測經後處理基板而非光阻結構之特徵之CD。

一處理器單元200可接收自取樣點處之顯影光阻結構及/或經後處理晶圓基板100獲得之量測CD。處理器單元200可包含進階程序控制(APC)功能。換言之，基於自先前在相同曝光工具組件300或另一曝光工具組件處經處理之一或多個晶圓基板100獲得之CD，處理器單元200可回應於當前CD量測而持續更新至少一曝光參數。

為此，處理器單元200可使用基於相對較少取樣點來內插至少一曝光參數之場細線及/或場細線內校正值之一預設晶圓曝光模型。另外，處理器單元200可基於當前基板之取樣點處所獲得之當前CD來更新預設晶圓曝光模型之係數。

處理器單元200進一步包含上述晶圓曝光模型更新功能。各晶圓曝光模型更新可包含兩個步驟之至少一者。一第一步驟可判定用於更新晶圓模型之多項式之最高階。一第二步驟可鑑於與實際臨界尺寸值之偏差來自高達最高階之所有多項式移除未改良或僅無關緊要地改良更新晶圓曝光模型之多項式。

術語「第一步驟」及「第二步驟」不應被理解為指示一隱含時序。第二步驟可在第一步驟之後，可與第一步驟交錯，或可與第一步驟同時實施，使得第二步驟之結果可與第一步驟同時使用或甚至在第一步驟結束之前使用。

替代地或另外，處理器單元200可接收自至少部分形成於顯影光阻結構及/或經後處理晶圓基板100中之重疊標記獲得之重疊差異。處理器單元200可包含一載物台控制功能。基於自先前在相同曝光工具組件300或另一曝光工具組件處經處理之一或多個晶圓基板100獲得之重疊資訊，處理器單元200可將位置偏移添加至曝光位置。

為此，處理器單元200可使用基於重疊標記處所偵測之重疊誤差來內插位置偏移之場細線及/或場細線內校正值之一預設晶圓重疊模型。另外，處理器單元200可基於重疊標記處所獲得之當前重疊差異值來更新預設晶圓重疊模型之係數。

處理器單元200進一步包含上述晶圓重疊模型更新功能。各晶圓重疊模型更新可包含用於晶圓曝光更新功能之上述兩個步驟之至少一者。

圖2涉及一晶圓模型更新之第一步驟。線501繪示RMSE (均方根誤差)，且線502繪示使用高達不同最高階之澤尼克多項式之晶圓模型之BIC。插圖503示意性視覺化一基板主表面上之一例示性CD分佈，其中不同灰階指示不同臨界尺寸值。例示性CD分佈明顯相對於基板主表面之中心點對稱。

針對插圖503之例示性CD分佈，將描述單向CD變動之一階之澤尼克多項式不促成晶圓模型之任何改良。

二階澤尼克多項式之一者描述點對稱變動。藉由添加二階之多項式，RMSE及BIC兩者可顯著下降。插圖504示意性視覺化由可使用高達二階之所有澤尼克多項式之一晶圓模型描述之CD分佈。

可在自使用三階澤尼克多項式之一晶圓模型轉變至使用四階澤尼克多項式之一晶圓模型時觀察到RMSE及BIC兩者之一進一步顯著下降。插圖505示意性視覺化由使用高達四階之所有澤尼克多項式之一晶圓模型描述之CD分佈。插圖505展示遠大於插圖504之與插圖503之例示性CD分佈之一致性。

使用超過四階之項可進一步減小RMSE。但上升BIC值反而指示進一步階僅促成成像雜訊。針對此實例，使用高達四階之澤尼克多項式之一晶圓模型具有最小BIC值。最小BIC值以高概率指示最適合晶圓模型之最高澤尼克階。換言之，最小BIC指示高達哪一階之澤尼克多項式促成成像系統效應及自哪一階起之澤尼克多項式反而伴隨雜訊。

第二步驟可包含驗證高達判定最高階之各多項式之相關性。在圖2之實例中，一階及三階之多項式明顯不顯著影響RMSE，且更新晶圓模型可在無一階及三階之多項式的情況下繼續。若針對曝光於一稍後時間點之一基板證明使用一階或三階多項式之一者之一晶圓模型導致減小RMSE，則此可指示程序特徵之一顯著改變。晶圓模型可在新偵測到之程序特徵首次出現時即時適應新程序特徵。

再次參考圖1，處理器單元200可透過一介面單元290輸出關於更新晶圓模型之組成之資訊。介面單元290可包含其中可向一人類操作者呈現資訊之一顯示器。替代地或另外，介面單元290可包含至一較高階程序監測及/或管理系統之一資料鏈路。替代地或另外，處理器單元200可使用更新晶圓模型來判定下一曝光之更新曝光參數。

圖3A及圖3B視覺化一可能晶圓模型更新。一第一晶圓模型更新步驟之結果可為超過四階之項不會改良晶圓模型。接著，可驗證包含高達四階之15個澤尼克多項式之所有32768個可能組合之晶圓模型之品質。

可基於指示殘差總量之一第一項(例如RMSE)及指示多項式數目之一第二項(例如BIC)判定各晶圓模型之品質。

針對一第一基板，第二晶圓模型更新步驟之結果可為包含高達二階之所有澤尼克多項式及四階之點對稱澤尼克多項式之一晶圓模型實現最佳擬合晶圓模型。

在圖3A中，針對第一基板所判定之最佳晶圓模型之澤尼克多項式由虛線圓標記。

針對在相同曝光工具處稍後處理之一第二基板，第二晶圓模型更新步驟之結果可為包含三階澤尼克多項式之一者而非二階澤尼克多項式之一者之一晶圓模型可實現比第一基板之最佳晶圓模型更佳之一晶圓模型。

在圖3B中，第二基板之最佳擬合晶圓模型之澤尼克多項式由虛線圓標記。

多項式級上之晶圓模型之更改可指示程序特徵之一特性改變。此改變可傳信至一較高階程序監測及/或管理系統或一人類操作者。另外，更新晶圓模型可用於曝光工具對經改變程序特徵之一即時回應。

替代地，「更新」晶圓模型僅用於傳信程序特徵之改變，而使用高達判定最高階之所有澤尼克多項式之一晶圓模型可用於更新曝光參數。

替代地或除第二晶圓模型更新步驟之外，晶圓模型更新亦可包含一第三晶圓模型更新步驟。第三晶圓模型更新步驟可將品質指數視作用於選擇更新晶圓模型之多項式之穩定性準則。品質指數可基於幾何考量及/或可基於統計學考量。

圖4展示繪示使用一晶圓曝光模型更新700之一實施例的一流程圖。在步驟702中，可選擇一內定晶圓模型作為當前晶圓模型。選擇可基於經驗知識。

步驟710基於自預定量測位點(例如在一取樣計畫中界定之取樣點)處之一度量工具獲得之標記細線量測資料705來判定當前晶圓曝光模型之模型係數795。可將模型係數795傳輸至一APC系統。

若啟用晶圓曝光模型更新，則晶圓曝光模型更新700可在步驟710中使用一更新晶圓曝光模型替換內定晶圓曝光模型，只要更新晶圓曝光模型滿足特定要求。

為此，晶圓曝光模型更新可在步驟720中使用預設內定晶圓曝光模型初始化一更新晶圓曝光模型。

步驟730產生在至少一項上不同於更新晶圓曝光模型及所有先前經檢查晶圓曝光模型之一進一步晶圓曝光模型。

步驟740檢查進一步晶圓曝光模型及更新晶圓曝光模型之哪一者提供較佳係數選擇，例如較佳BIC值。例如，若進一步晶圓曝光模型之BIC值不低於更新晶圓曝光模型之BIC值，則預期進一步晶圓曝光模型表現不如預設晶圓曝光模型，且晶圓曝光模型更新進行至步驟780。否則，晶圓曝光模型更新進行至步驟750。

步驟750檢查進一步晶圓曝光模型是否將表現足夠穩定且滿足一穩定性準則。例如，若進一步晶圓曝光模型未通過一上述自助法測試，則預期進一步晶圓曝光模型表現不夠穩定，且晶圓曝光模型更新進行至步驟780。否則，晶圓曝光模型更新進行至步驟760。

步驟760檢查進一步晶圓曝光模型是否通過常態測試。例如，若進一步晶圓曝光模型未通過上述常態測試，則預期進一步晶圓曝光模型未覆蓋所有顯著程序特徵，且晶圓曝光模型更新進行至步驟780。否則，晶圓曝光模型更新進行至步驟770。

在步驟770中，將被認為表現足夠穩定且好於先前更新晶圓曝光模型之當前進一步晶圓曝光模型界定為新更新晶圓曝光模型。接著，晶圓曝光模型更新進行至步驟780。

步驟780檢查是否存在之前未檢查之另一可能晶圓曝光模型。若存在，則晶圓曝光模型更新返回至步驟730。否則，晶圓曝光模型更新進行至步驟790。

步驟790使用最近更新晶圓曝光模型替換用於步驟710中之內定晶圓曝光模型。

為了說明，已相對於監測程序特徵之方法及用於使一曝光方法適應程序特徵之一改變之方法來描述各種方案。可結合監測曝光工具組件中之基板之對準之方法及監測相同基板上之連續曝光之重疊之方法來實施類似技術。在下文中，先前界定術語以相同於上文之意義使用。

根據一實施例，一種對準方法可包含：量測形成於一基板上及/或一基板中之對準標記之幾何值；自該等幾何值判定一預設對準模型及至少一進一步對準模型之係數，其中各進一步對準模型在至少一項上不同於該預設對準模型及其他模型，且其中該等對準模型估算與至少兩個位置座標相依之該等幾何值及/或該等幾何值之校正值；判定該等對準模型之輸出與該等幾何值之間的殘差；及自該預設對準模型及該至少一進一步對準模型中選擇一更新對準模型，其中該選擇係基於考量該等殘差及該對準模型之項之數目之一準則。

一對準標記可包含一或多個空間分離之基板特徵，例如不同於周圍材料之一材料之凹槽或結構。一基板上之對準標記通常用於使一基板與一曝光單元之一光罩對準。

在將基板定位於曝光工具之一載物台上之後及(若適用)在一自動預對準之後及在曝光之前，可(例如)由整合於曝光工具中之一度量單元獲得一或多個對準標記之幾何值。幾何值可描述曝光工具中之一基板未對準，例如基板上之光罩之(若干)對準標記之一突起與基板上之(若干)對準標記之間的一未對準。

可自所獲得之幾何值判定一預設對準模型之係數。預設對準模型可包含已用於判定先前曝光之載物台參數之對準模型。載物台參數可包含一x偏移值及一y偏移值。x偏移值及y偏移值可描述載物台自一正常位置之位移。另外，可判定至少一進一步對準模型之係數，其中各進一步對準模型可在至少一項上不同於預設對準模型且在至少一項上不同於其他進一步對準模型。

各對準模型依封閉數學形式估算跨基板主表面之幾何值(「未對準」)。對準模型接收自對準標記處之量測獲得之輸入資訊。對準模型自輸入資訊導出描述跨整個基板主表面之一未對準之輸出資訊。輸入資訊可包含對準標記處之量測未對準。輸出資訊可包含隨位置變化之估計位置相依未對準、更新位置相依x/y偏移值及/或位置相依x/y偏移校正值。輸出資訊可被顯示、傳輸至一較高階程序監測及/或管理系統及/或可用於改良當前基板之對準，其中可回應於位置相依x/y偏移值來微調載物台之位置。

可以明確界定基板主表面之各點之位置座標描述位置。位置座標可為正交線性座標(x, y座標系)或極座標(r, φ)。

各對準模型由項之一和表示。各(模型)項包含至少一位置座標及一係數。例如，各項可為一係數與至少一位置座標之一函數之一乘積。

根據一實施例，對準模型可包含方程式(5)及(6)中所表示之項。方程式(5)：Δx=Γ₃ ·x+R₃ ·x·y+WM₃ ·y 方程式(6)：Δy=Γ₄ ·y+R₄ ·x·y+WM₄ ·x

各對準模型之係數可自一擬合演算法獲得。擬合演算法搜尋使模型化未對準與對準標記處之實際未對準之間的偏差最小化之係數。實際未對準係自當前基板之(若干)對準標記直接獲得之未對準。模型未對準係對準模型針對對準標記之位置輸出之未對準。擬合演算法可包含一最小平方法。

接著，單獨針對各相關對準模型，判定對準模型之輸出與對準標記處所獲得之未對準之間的殘差。換言之，單獨針對各相關對準模型，判定模型未對準與實際未對準之間的剩餘差。

接著，自預設對準模型及至少一進一步對準模型中選擇一更新對準模型。選擇係基於使殘差之量值及/或分佈與對準模型之項之數目加權之一準則，如上文針對晶圓模型所描述。

根據一實施例，可輸出描述更新對準模型之項之資訊。例如，可向一人類操作者或一較高階程序監測及/或管理系統顯示對準模型項之任何改變。對準模型之一項之任何跳過及一項之任何插入可指示基板歷史或曝光工具效能之一些顯著改變。因此，關於消除對準模型項及/或新引入對準模型項之資訊可用於程序控制。

根據一實施例，可基於更新對準模型更新用於基板之曝光中之位置相依x/y偏移值。

根據一實施例，一種曝光方法可包含：獲得來自取樣點處之一晶圓結構之臨界尺寸及用於界定該晶圓結構之一曝光程序中之位置相依曝光參數；自該等取樣點處之該等臨界尺寸判定一預設晶圓曝光模型及至少一進一步晶圓曝光模型之係數，其中各進一步晶圓曝光模型在至少一項上不同於該預設晶圓曝光模型及其他晶圓曝光模型，且其中該等晶圓曝光模型估算隨至少兩個位置座標變化之該等臨界尺寸、曝光參數及/或曝光參數校正值；判定自該等晶圓曝光模型獲得之估算臨界尺寸與該等取樣點處所獲得之該等臨界尺寸之間的殘差；及自該預設晶圓曝光模型及該至少一進一步晶圓曝光模型中選擇一更新晶圓曝光模型，其中該選擇係基於使該等殘差、該晶圓曝光模型之項之數目及/或該晶圓曝光模型之項之階加權之一準則。

根據另一實施例，一種重疊度量方法可包含：根據一實施例，一種重疊分析及校正方法可包含：自量測位點處之一晶圓基板獲得重疊差異值；獲得用於影響該等重疊差異值之一曝光程序中之位置相依位置偏移；自該等量測位點處之該等重疊差異值判定一預設晶圓重疊模型及至少一進一步晶圓重疊模型之係數，其中各進一步晶圓重疊模型在至少一項上不同於該預設晶圓重疊模型及其他晶圓重疊模型，且其中該等晶圓重疊模型估算隨至少兩個位置座標變化之該等重疊差異值、位置偏移及/或位置偏移校正值；判定自該等晶圓重疊模型獲得之估算重疊差異值與該等量測位點處所獲得之該等重疊差異值之間的殘差；及自該預設晶圓重疊模型及該至少一進一步晶圓重疊模型中選擇一更新晶圓重疊模型，其中該選擇係基於使該等殘差、該晶圓重疊模型之項之數目及/或該晶圓重疊模型之項之階加權之一準則。

量測位點可包含重疊標記。重疊差異值可自重疊獲得。晶圓重疊模型可包含方程式(3)及(4)中所給出之項。

100:晶圓基板 200:處理器單元 290:介面單元 300:曝光工具組件 310:塗覆器單元 320:微影曝光單元 330:顯影劑單元 400:度量單元 501:線 502:線 503:插圖 504:插圖 505:插圖 700:晶圓曝光模型更新 702:步驟 705:標記細線量測資料 710:步驟 720:步驟 730:步驟 740:步驟 750:步驟 760:步驟 770:步驟 780:步驟 790:步驟 795:模型係數 900:晶圓製造組件

包含附圖以提供實施例之進一步理解且附圖併入於本說明書中且構成本說明書之一部分。圖式繪示一曝光方法及一晶圓製造組件之實施例且與描述一起用於解釋實施例之原理。以下詳細描述及申請專利範圍中描述進一步實施例。

圖1係根據一實施例之用於監測及/或控制至少一曝光參數之包含一處理器單元之一晶圓製造組件之一區段之一示意性方塊圖。

圖2係用於繪示根據實施例之一晶圓模型更新程序中之一懲罰項之效應的一示意圖。

圖3A及圖3B示意性繪示根據用於繪示實施例之效應之一實例之一更新晶圓模型之澤尼克(Zernike)多項式之選擇。

圖4展示根據一實施例之一晶圓曝光模型更新之一流程圖。

100:晶圓基板

200:處理器單元

290:介面單元

300:曝光工具組件

310:塗覆器單元

320:微影曝光單元

330:顯影劑單元

400:度量單元

900:晶圓製造組件

Claims

一種晶圓曝光方法，其包括：自預定量測位點處之晶圓結構獲得臨界尺寸值；獲得用於形成該等晶圓結構之一曝光程序之位置相依程序參數；自該等量測位點處之該等臨界尺寸值判定一預設模型之係數及至少一進一步模型之係數，其中各進一步模型在至少一項上不同於該預設模型及其他進一步模型，且其中該預設模型及該至少一進一步模型估算在一封閉數學形式(closed mathematical form)中跨一晶圓基板之一主表面之該等臨界尺寸值、該等位置相依程序參數及/或該等位置相依程序參數之校正值為兩個位置座標之一代數函數(algebraic function)，其中該至少一項為一係數與該等位置座標之至少一者之該代數函數之一乘積；判定自該預設模型及該至少一進一步模型所獲得之估算臨界尺寸值與該等量測位點處所獲得之該等臨界尺寸值之間的殘差(residuals)；及自該預設模型及該至少一進一步模型中選擇一更新模型，其中該選擇係基於加權該等殘差之一準則，其選擇性地具有該預設模型及該至少一進一步模型之項之數目及/或該預設模型及該至少一進一步模型之項之一階(order)。
如請求項1之晶圓曝光方法，其進一步包括：輸出描述該更新模型之多個項之資訊。
如請求項1之晶圓曝光方法，其進一步包括：基於該更新模型更新該等位置相依程序參數。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該更新模型之該選擇係基於使該預設模型及該至少一進一步模型之項之數目與該等殘差之一總量加權之一權衡(trade-off)。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該更新模型之該選擇係基於一貝氏(Bayesian)資訊準則及一赤池(Akaike)資訊準則之至少一者。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該等模型包含澤尼克(Zernike)多項式及勒壤得(Legendre)多項式之至少一者。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該至少一進一步模型包含高達一最高階之所有澤尼克多項式。
如請求項1之晶圓曝光方法，其進一步包括：判定該更新模型之各係數之一品質指數，其中該品質指數給出該係數與該等臨界尺寸值之變動之一相依度之資訊。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該選擇係基於使該等殘差之一分佈加權之一準則。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該等臨界尺寸值包括重疊差異值，用於該曝光程序中之該等程序參數包括位置偏移，且各模型包括估算隨該等位置座標變化之該等重疊差異值、該等位置偏移及/或該等位置偏移之校正值之一晶圓重疊模型。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該等臨界尺寸值包括該等晶圓結構之臨界尺寸，用於該曝光程序中之該等程序參數包括曝光參數，且各模型包括估算隨該等位置座標變化之該等臨界尺寸、該等曝光參數及/或該等曝光參數之校正值之一晶圓曝光模型。
如請求項1之晶圓曝光方法，其中該等晶圓結構包括光阻結構。
如請求項12之晶圓曝光方法，其進一步包括：使形成於一第一晶圓基板上之一第一光阻層曝光，其中該曝光使用該等位置相依曝光參數；及使該曝光第一光阻層顯影，其中自該曝光光阻層獲得圖案化光阻結構。
如請求項13之晶圓曝光方法，其進一步包括：使形成於一第二晶圓基板上之一第二光阻層曝光，其中該曝光使用自一更新晶圓曝光模型獲得之位置相依曝光參數。
一種晶圓製造組件，其包括：一曝光工具組件，其經組態以使用位置相依程序參數使塗覆多個晶圓基板之光阻層曝光於一曝光光束且基於該等曝光光阻層界定晶圓結構；一處理器單元，其與該曝光工具組件資料連接，其中該處理器單元經組態以：接收及/或保持用於界定該等晶圓結構之該曝光工具組件中之位置相依程序參數；接收預定量測位點處之該等晶圓結構之臨界尺寸值；自該等預定量測位點處之該等臨界尺寸值判定一預設模型及至少一進一步模型之係數，其中各進一步模型在至少一項上不同於該預設模型及其他進一步模型，且其中該預設模型及該至少一進一步模型估算在一封閉數學形式中跨該等晶圓基板之一者之一主表面之該等臨界尺寸值、該等位置相依程序參數及/或該等位置相依程序參數之校正值為至少兩個位置座標之一代數函數，其中該至少一項為一係數與該等位置座標之至少一者之該代數函數之一乘積；判定自該預設模型及該至少一進一步模型所獲得之估算臨界尺寸值與該等量測位點處所獲得之該等臨界尺寸值之間的殘差；及自該預設模型及該至少一進一步模型中選擇一更新模型，其中該選擇係基於加權該等殘差之一準則，其選擇性地具有該預設模型及該至少一進一步模型之項之數目及/或該預設模型及該至少一進一步模型之項之一階。
如請求項15之晶圓製造組件，其中該處理器單元經進一步組態以輸出描述該更新模型之多個項之資訊。
如請求項15之晶圓製造組件，其中該處理器單元經進一步組態以基於該更新模型更新該等位置相依程序參數且將該等更新位置相依程序參數輸出至該曝光工具組件。
如請求項17之晶圓製造組件，其進一步包括一度量單元，其經組態以獲得該等量測位點處之該等晶圓結構之該等臨界尺寸值且將該等量測臨界尺寸值輸出至該處理器單元。
如請求項15之晶圓製造組件，其中該等臨界尺寸值包括重疊差異值，用於該曝光程序中之該等校正參數包括位置偏移，且各模型包括估算隨該等位置座標變化之該等重疊差異值、該等位置偏移及/或該等位置偏移之校正值之一晶圓重疊模型。
如請求項15之晶圓製造組件，其中該等臨界尺寸值包括該等晶圓結構之臨界尺寸值，用於該曝光程序中之該等校正參數包括曝光參數，且各模型包括估算隨該等位置座標變化之該等臨界尺寸值、該等曝光參數及/或該等曝光參數之校正值之一晶圓曝光模型。