JP2021027132A - 圧電積層体、圧電素子、および圧電積層体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記基板上に製膜された電極膜と、
前記電極膜上に設けられたニッケル酸ランタンからなる層と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に製膜され、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、CuおよびMnからなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含む圧電膜と、を備え、
前記圧電膜の絶縁耐圧が350kV/cm以上である圧電積層体およびその関連技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1に示すように、本実施形態にかかる圧電膜を有する積層体(積層基板)10(以下、圧電積層体10とも称する)は、基板1と、下部電極膜2と、圧電膜(圧電薄膜)3と、上部電極膜4と、を備えている。
図3に、本実施形態におけるKNN膜3を有するデバイス30(以下、圧電デバイス30とも称する)の概略構成図を示す。圧電デバイス30は、上述の圧電積層体10を所定の形状に成形することで得られる素子20(KNN膜3を有する素子20、以下、圧電素子20とも称する)と、圧電素子20に接続される電圧印加部11aまたは電圧検出部11bと、を少なくとも備えている。電圧印加部11aとは、下部電極膜2と上部電極膜4との間(電極間)に電圧を印加するための手段であり、電圧検出部11bとは、下部電極膜2と上部電極膜4との間(電極間)に発生した電圧を検出するための手段である。電圧印加部11a、電圧検出部11bとしては、公知の種々の手段を用いることができる。
以下では、上述の圧電積層体10、圧電素子20、および圧電デバイス30の製造方法について説明する。
温度(基板温度):100℃以上500℃以下、好ましくは200℃以上400℃以下
放電パワー:1000W以上1500W以下、好ましくは1100W以上1300W以下
雰囲気:アルゴン(Ar)ガス雰囲気
雰囲気圧力:0.1Pa以上0.5Pa以下、好ましくは0.2Pa以上0.4Pa以下
時間:30秒以上3分以下、好ましくは30秒以上2分以下
製膜温度(基板温度):100℃以上500℃以下、好ましくは200℃以上400℃以下
放電パワー:1000W以上1500W以下、好ましくは1100W以上1300W以下
製膜雰囲気:Arガス雰囲気
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製膜時間:3以上10分以下、好ましくは4分以上7分以下
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放電パワー:1000W以上1500W以下、好ましくは1100W以上1300W以下
雰囲気:Arガス雰囲気
雰囲気圧力:0.1Pa以上0.5Pa以下、好ましくは0.2Pa以上0.4Pa以下
時間:30秒以上3分以下、好ましくは30秒以上1分以下
製膜温度(基板温度):500℃以上700℃以下、好ましくは550℃以上650℃以下
放電パワー:2000W以上2400W以下、好ましくは2100W以上2300W以下
製膜雰囲気:Arガス+酸素(O2)ガス雰囲気
雰囲気圧力:0.2Pa以上0.5Pa以下、好ましくは0.2Pa以上0.4Pa以下
O2ガスに対するArガスの分圧(Ar/O2分圧比):30/1〜20/1、好ましくは27/1〜23/1
製膜速度:0.5μm/hr以上2μm/hr以下、好ましくは0.5μm/hr以上1.5μm/hr以下
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
本実施形態は上述の態様に限定されず、以下のように変形することもできる。また、これらの変形例は任意に組み合わせることができる。
Cu−KNN膜3は、リチウム(Li)、Ta、アンチモン(Sb)等のK、Na、Nb、Cu、Mn以外の元素を、上述のKNN膜3の粒界密度低減効果を損なわない範囲内、例えば5at%以下(上述の元素を複数種添加する場合は合計濃度が5at%以下)の範囲内で含んでいてもよい。
KNN膜3は、CuやMnに加えて、あるいはCuやMnに変えて、CuやMnと同等の効果を奏する他の金属元素を、上述のKNN膜3の粒界密度低減効果を得つつ、KNN膜3の比誘電率を適正な大きさとすることができる濃度で含んでいてもよい。この場合であっても、上述の実施形態および変形例と同様の効果が得られる。
上述の圧電積層体10を圧電素子20に成形する際、圧電積層体10(圧電素子20)を用いて作製した圧電デバイス30をセンサまたはアクチュエータ等の所望の用途に適用することができる限り、圧電積層体10から基板1を除去してもよい。
温度:300℃
放電パワー:1200W
導入ガス:Arガス
Arガス雰囲気の圧力:0.3Pa
時間:1分
製膜温度:100℃以上500℃以下の所定の温度
放電パワー:1200W
導入ガス:Arガス
Arガス雰囲気の圧力:0.3Pa
時間:5分
温度:300℃
放電パワー:1200W
導入ガス:Arガス
Arガス雰囲気の圧力:0.3Pa
時間:1分
温度:600℃
放電パワー:2200W
導入ガス:Ar+O2混合ガス
Ar+O2混合ガス雰囲気の圧力:0.3Pa
O2ガスに対するArガスの分圧(Ar/O2分圧比):25/1
製膜速度:1μm/hr
上記サンプル1〜11について絶縁耐圧を測定した。これらの測定結果を表1に示す。表1に示すように、下部電極膜上であってKNN膜の直下にLNO層を設けることで、KNN膜が350kV/cm以上の高い絶縁耐圧を有することが確認できた。また、LNO層を設けることで、KNN膜の厚さを薄くしても、すなわち、KNN膜の厚さを2μm以下としても、KNN膜は350kV/cm以上の高い絶縁耐圧を有することが確認できた。また、KNN膜中のCu濃度が高くなるほど、KNN膜の絶縁耐圧が高くなることが確認できた。さらにまた、LNO層の平均結晶粒径を大きくすることで、KNN膜の絶縁耐圧をさらに高めることが確認できた。また、LNO層の代わりにSRO層を設けた場合、KNN膜の絶縁耐圧を高めることができないことが確認できた。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜された電極膜と、
前記電極膜上に設けられたニッケル酸ランタン(LaNiO3、略称:LNO)からなる層と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に製膜され、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、銅(Cu)およびマンガン(Mn)からなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含む圧電膜と、を備え、
前記圧電膜の絶縁耐圧が350kV/cm以上、好ましくは400kV/cm以上である圧電積層体が提供される。
付記1の圧電積層体であって、好ましくは、
前記圧電膜の厚さが0.5μm以上5μm以下、好ましくは0.5μm以上2μm以下、より好ましくは0.5μm以上1μm未満である。
付記1又は2の圧電積層体であって、好ましくは、
前記ニッケル酸ランタンからなる層を構成する結晶粒群の平均結晶粒径が100nm以上である。
付記1〜3のいずれかの圧電積層体であって、好ましくは、
前記ニッケル酸ランタンからなる層の厚さが10nm以上である。
付記1〜4のいずれかの圧電積層体であって、好ましくは、
前記電極膜は、ニッケル酸ランタンとは異なる材料を用いて製膜されている。
付記1〜5のいずれかの圧電積層体であって、好ましくは、
前記電極膜は、ニッケル酸ランタンよりも所定のエッチング液に対するエッチングレートが低い材料を用いて製膜されている。前記所定のエッチング液は、キレート剤のアルカリ水溶液を含みフッ酸を含まないエッチング液である。例えば、前記所定のエッチング液は、エチレンジアミン四酢酸と、アンモニア水と、過酸化水素水とを混合したエッチング液である。
付記1〜6のいずれかの圧電積層体であって、好ましくは、
前記金属元素はCuである。
本発明の他の態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜された下部電極膜と、
前記下部電極膜上に設けられたニッケル酸ランタン(LaNiO3、略称:LNO)からなる層と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に製膜され、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、CuおよびMnからなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含む圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜された上部電極膜と、を備え、
前記圧電膜の絶縁耐圧が350kV/cm以上、好ましくは400kV/cm以上である圧電素子(圧電デバイス)が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板上に電極膜を製膜する工程と、
前記電極膜上にニッケル酸ランタンからなる層を形成する工程と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、CuおよびMnからなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含み、絶縁耐圧が350kV/cm以上、好ましくは400kV/cm以上である圧電膜を製膜する工程と、を有する圧電積層体の製造方法が提供される。
2 電極膜(下部電極膜)
3 圧電膜
7 ニッケル酸ランタンからなる層(LNO層)
10 圧電積層体
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に製膜された電極膜と、
前記電極膜上に設けられたニッケル酸ランタンからなる層と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に製膜され、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、CuおよびMnからなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含む圧電膜と、を備え、
前記圧電膜の絶縁耐圧が350kV/cm以上である圧電積層体。 - 前記圧電膜の厚さが0.5μm以上5μm以下である請求項1に記載の圧電積層体。
- 前記電極膜は、ニッケル酸ランタンとは異なる材料を用いて製膜されている請求項1又は2に記載の圧電積層体。
- 基板と、
前記基板上に製膜された下部電極膜と、
前記下部電極膜上に設けられたニッケル酸ランタンからなる層と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に製膜され、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、CuおよびMnからなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含む圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜された上部電極膜と、を備え、
前記圧電膜の絶縁耐圧が350kV/cm以上である圧電素子。 - 基板上に電極膜を製膜する工程と、
前記電極膜上にニッケル酸ランタンからなる層を形成する工程と、
前記ニッケル酸ランタンからなる層上に、組成式(K1−xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、CuおよびMnからなる群より選択される金属元素を0.2at%以上2.0at%以下の濃度で含み、絶縁耐圧が350kV/cm以上である圧電膜を製膜する工程と、を有する圧電積層体の製造方法。
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