JP2021018968A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 半透過反射層と、
   第１サブ画素に対応して設けられる１反射層と、
   前記第１サブ画素に対応して設けられる第１画素電極と、
   出射される光の波長域が前記第１サブ画素と同じ第２サブ画素に対応して設けられる第
   ２反射層と、
   前記第２サブ画素に対応して設けられる第２画素電極と、
   前記第１反射層と前記半透過反射層との間、かつ、前記第２反射層と前記半透過反射層
   との間に設けられる発光機能層と、
   を備え、
   前記第１画素電極は、前記第１反射層と前記発光機能層との間に設けられ、
   前記第２画素電極は、前記第２反射層と前記発光機能層との間に設けられ、
   前記第２画素電極の厚さは、前記第１画素電極の厚さよりも厚い、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記第１反射層と前記第１画素電極との間、かつ、前記第２反射層と前記第２画素電極
   との間に設けられ、第１の層厚を有する絶縁層を備える、請求項１に記載の発光装置。
3. 第１サブ画素と、
   第２サブ画素と、
   第３サブ画素と、
   を備え、
   前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素は、
   反射層と、
   半透過反射層と、
   前記反射層と前記半透過反射層との間に設けられる発光機能層と、
   前記反射層と前記発光機能層との間に設けられる画素電極と、
   前記反射層と前記画素電極との間に設けられる絶縁層と、
   を有し、
   前記第２サブ画素における前記画素電極の厚さは、前記第１サブ画素における前記画素
   電極の厚さよりも厚い、
   ことを特徴とする発光装置。
4. 前記第１サブ画素における前記画素電極の厚さは、前記第３サブ画素における前記画素
   電極の厚さと同じであり、
   前記第１サブ画素における前記絶縁層の厚さは、前記第２サブ画素における前記絶縁層
   の厚さと同じであり、
   前記第３サブ画素における前記絶縁層の厚さは、前記第１サブ画素における前記絶縁層
   の厚さおよび前記第２サブ画素における前記絶縁層の厚さとは異なる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
5. 前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素よりも表示領域の中央に配置される、
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。
7. 表示領域に配置された、第１サブ画素および第２サブ画素を含み、前記第１サブ画素お
   よび前記第２サブ画素は、反射層と、絶縁膜と、画素電極と、発光機能層と、半透過反射
   層とを有する発光装置の製造方法であって、
   前記表示領域を規定する第１マスクと、複数の開口部が設けられた第２マスクと、を用
   いて、スパッタ法によって前記画素電極を形成する工程を含み、
   前記表示領域において、前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素よりも中央に配置され
   、
   前記第２マスクの前記複数の開口部は、前記第１サブ画素に対応するエリアよりも前記
   第２サブ画素に対応するエリアで密である、発光装置の製造方法。
8. 表示領域に配置された、第１サブ画素および第２サブ画素を含み、前記第１サブ画素お
   よび前記第２サブ画素は、反射層と、絶縁膜と、画素電極と、発光機能層と、半透過反射
   層とを有する発光装置の製造方法であって、
   導電性膜を形成した後に、前記導電性膜上にポジ型のレジストを塗布する工程と、
   グレースケールフォトマスクを用いて、塗布された前記レジストの一部を露光する工程
   と、
   露光された前記レジストを現像してレジスト層とする工程と、
   前記レジスト層と前記導電性膜とをエッチングして、エッチバックによって前記レジス
   ト層の断面形状を前記導電性膜に転写し、前記導電性膜から前記画素電極を形成する工程
   と、を含み、
   前記表示領域において、前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素よりも中央に配置され
   、
   前記グレースケールフォトマスクによって前記レジストが受ける露光量は、前記第２サ
   ブ画素に対応するエリアよりも前記第１サブ画素に対応するエリアの方が大きい、発光装
   置の製造方法。