JP2021018968A5 - - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
Claims (8)
- 半透過反射層と、
第1サブ画素に対応して設けられる1反射層と、
前記第1サブ画素に対応して設けられる第1画素電極と、
出射される光の波長域が前記第1サブ画素と同じ第2サブ画素に対応して設けられる第
2反射層と、
前記第2サブ画素に対応して設けられる第2画素電極と、
前記第1反射層と前記半透過反射層との間、かつ、前記第2反射層と前記半透過反射層
との間に設けられる発光機能層と、
を備え、
前記第1画素電極は、前記第1反射層と前記発光機能層との間に設けられ、
前記第2画素電極は、前記第2反射層と前記発光機能層との間に設けられ、
前記第2画素電極の厚さは、前記第1画素電極の厚さよりも厚い、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記第1反射層と前記第1画素電極との間、かつ、前記第2反射層と前記第2画素電極
との間に設けられ、第1の層厚を有する絶縁層を備える、請求項1に記載の発光装置。 - 第1サブ画素と、
第2サブ画素と、
第3サブ画素と、
を備え、
前記第1サブ画素、前記第2サブ画素および前記第3サブ画素は、
反射層と、
半透過反射層と、
前記反射層と前記半透過反射層との間に設けられる発光機能層と、
前記反射層と前記発光機能層との間に設けられる画素電極と、
前記反射層と前記画素電極との間に設けられる絶縁層と、
を有し、
前記第2サブ画素における前記画素電極の厚さは、前記第1サブ画素における前記画素
電極の厚さよりも厚い、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記第1サブ画素における前記画素電極の厚さは、前記第3サブ画素における前記画素
電極の厚さと同じであり、
前記第1サブ画素における前記絶縁層の厚さは、前記第2サブ画素における前記絶縁層
の厚さと同じであり、
前記第3サブ画素における前記絶縁層の厚さは、前記第1サブ画素における前記絶縁層
の厚さおよび前記第2サブ画素における前記絶縁層の厚さとは異なる、
ことを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素よりも表示領域の中央に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の発光装置を備えた電子機器。
- 表示領域に配置された、第1サブ画素および第2サブ画素を含み、前記第1サブ画素お
よび前記第2サブ画素は、反射層と、絶縁膜と、画素電極と、発光機能層と、半透過反射
層とを有する発光装置の製造方法であって、
前記表示領域を規定する第1マスクと、複数の開口部が設けられた第2マスクと、を用
いて、スパッタ法によって前記画素電極を形成する工程を含み、
前記表示領域において、前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素よりも中央に配置され
、
前記第2マスクの前記複数の開口部は、前記第1サブ画素に対応するエリアよりも前記
第2サブ画素に対応するエリアで密である、発光装置の製造方法。 - 表示領域に配置された、第1サブ画素および第2サブ画素を含み、前記第1サブ画素お
よび前記第2サブ画素は、反射層と、絶縁膜と、画素電極と、発光機能層と、半透過反射
層とを有する発光装置の製造方法であって、
導電性膜を形成した後に、前記導電性膜上にポジ型のレジストを塗布する工程と、
グレースケールフォトマスクを用いて、塗布された前記レジストの一部を露光する工程
と、
露光された前記レジストを現像してレジスト層とする工程と、
前記レジスト層と前記導電性膜とをエッチングして、エッチバックによって前記レジス
ト層の断面形状を前記導電性膜に転写し、前記導電性膜から前記画素電極を形成する工程
と、を含み、
前記表示領域において、前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素よりも中央に配置され
、
前記グレースケールフォトマスクによって前記レジストが受ける露光量は、前記第2サ
ブ画素に対応するエリアよりも前記第1サブ画素に対応するエリアの方が大きい、発光装
置の製造方法。
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JP2019135924A JP6904386B2 (ja) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 |
US16/936,828 US20210028246A1 (en) | 2019-07-24 | 2020-07-23 | Light-emitting device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019135924A JP6904386B2 (ja) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 |
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---|---|
JP2021018968A JP2021018968A (ja) | 2021-02-15 |
JP2021018968A5 true JP2021018968A5 (ja) | 2021-03-25 |
JP6904386B2 JP6904386B2 (ja) | 2021-07-14 |
Family
ID=74189191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019135924A Active JP6904386B2 (ja) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 |
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2019
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