JP2021015904A - 無線装置および無線装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】小型化を実現しつつ2次電池に対する充電を行うことが可能な新規な構造の無線装置および無線装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の無線装置は、基板と、前記基板の第1の面に搭載された、無線回路を含む半導体素子と、前記基板の前記第1の面に設けられ、前記半導体素子を封止する非導電層と、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って設けられ、該端面において前記基板に設けられた第1の配線と接触する第1の金属膜と、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って、前記第1の金属膜と離間して設けられ、該端面において前記基板に設けられた第2の配線と接触する第2の金属膜と、第1の電極が前記第1の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続された2次電池と、を備える。【選択図】図2

Description

本発明の実施形態は、無線装置および無線装置の製造方法に関する。
従来、無線装置の小型化を実現する技術が提案されている。このような小型の無線装置においては、外部からの電源供給によらずにスタンドアローンで動作できるようにしたいという要望がある。これを実現するため、小型の無線装置に2次電池を搭載することが検討されている。
小型の無線装置に2次電池を搭載した場合、2次電池への充電時に充電器(クレードル)の端子に接触する充電用のパッド(金属パターン)を無線装置に設ける必要がある。2次電池を搭載した場合においても、無線装置を小型化することが望まれる。
特開2018−29286号公報
本発明が解決しようとする課題は、小型化を実現しつつ2次電池に対する充電を行うことが可能な新規な構造の無線装置および無線装置の製造方法を提供することである。
実施形態の無線装置は、基板と、前記基板の第1の面に搭載された、無線回路を含む半導体素子と、前記基板の前記第1の面に設けられ、前記半導体素子を封止する非導電層と、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って設けられ、該端面において前記基板に設けられた第1の配線と接触する第1の金属膜と、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って、前記第1の金属膜と離間して設けられ、該端面において前記基板に設けられた第2の配線と接触する第2の金属膜と、第1の電極が前記第1の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続された2次電池と、を備える。
第1の実施形態に係る無線装置の外観を示す斜視図。 第1の実施形態に係る無線装置の側面図。 第1の実施形態に係る無線装置を充電器に装着した様子を示す断面図。 第1の実施形態に係る無線装置の製造方法の一例を示すフローチャート。 変形例1の無線装置の外観を示す斜視図。 変形例1の無線装置を充電器に装着した様子を示す断面図。 変形例2の無線装置の外観を示す斜視図。 変形例2の無線装置の外観を示す斜視図。 変形例3の無線装置の断面図。 変形例3の無線装置の断面図。 第2の実施形態に係る無線装置の側面図。 基板に設けられた配線の一例を示す平面図。 無線回路に電源を供給するための回路構成の一例を示す概念図。
以下、添付図面を参照しながら、実施形態に係る無線装置および無線装置の製造方法について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同様の機能を持つ構成要素については同一の符号を付して、重複した説明を適宜省略する。
<第1の実施形態>
まず、図1および図2を参照して、第1の実施形態に係る無線装置の構造について説明する。図1は、第1の実施形態に係る無線装置の外観を示す斜視図であり、図2は、図1の線分A−A’を通り、XZ面に平行な面における断面図である。
第1の実施形態に係る無線装置は、基板101と、半導体素子として構成された無線回路102および電源回路103と、封止樹脂104と、第1の金属膜105と、第2の金属膜106と、2次電池107とを備える。
基板101は、絶縁基材に銅などの金属材料よりなる配線がパターン形成されたものである。配線は、基板101の第1の面101aと、この第1の面101aの裏面にあたる第2の面101bとに設けられる。第1の面101aに設けられた配線の一部は、基板101を貫通するビアを介して、第2の面101bに設けられた配線の一部と繋がっている。図2においては、基板101に設けられた配線の例として、第1の配線111と、第2の配線112と、第3の配線113とを図示している。第1の配線111と第2の配線112は、端部が基板101の端面に到達するように設けられている。
無線回路102や電源回路103などの半導体素子は、例えばシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム砒素などの材料による半導体基板の内部または表層に、銅、アルミニウム、金などの金属パターンが形成されたものであり、基板101の第1の面101aに搭載され、第1の面101aに設けられた配線に接続される。例えば、電源回路103は第1の配線111および第3の配線113に接続され、無線回路102は第3の配線113および第2の配線112に接続される。第3の配線113は、基板101の第2の面101bから基板101を貫通するビアを介して基板101の第1の面101aに亘って設けられ、基板101の第1の面101aにおいて電源回路103と無線回路102とに繋がっている。第2の配線112は、基板101の第2の面101bから基板101を貫通するビアを介して基板101の第1の面101aに亘って設けられ、基板101の第1の面101aにおいて無線回路102と第2の金属膜106とに繋がっている。なお、無線回路102や電源回路103などの半導体素子は、誘電体基板や磁性体基板、金属、もしくはそれらの組み合わせで構成されていてもよい。また、無線回路102や電源回路103などの半導体素子は、CSP(Chip Size Package)、またはフェイスアップにしてボンディングワイヤと接続される構成としてもよい。
なお、図2では、基板101の第1の面101aに無線回路102および電源回路103の2つの半導体素子を搭載した例を示しているが、無線回路102のみが搭載されていてもよい。また、無線回路102や電源回路103以外の他の半導体素子が搭載されていてもよい。また、これらの半導体素子のほかに、チップコンデンサ、抵抗、インダクタ、水晶発振器およびICなどの電子部品が搭載されていてもよい。また、電源回路103は、半導体素子を含まず、抵抗器や、コンデンサからなる場合もある。
封止樹脂104は、例えば、エポキシ樹脂を主成分としてシリカ充填材などを加えた熱硬化性成形材料よりなり、基板101の第1の面101aに設けられ、無線回路102や電源回路103などの半導体素子を封止して保護する役割を持つ。なお、封止樹脂104は、半導体素子を封止する非導電層の一例である。非導電層は樹脂に限らず、他の非導電材料または絶縁材料を用いた構成であってもよい。
第1の金属膜105および第2の金属膜106は、例えば、銅、銀などの導電率が高い金属材料、あるいは銀などの金属材料とエポキシ樹脂などの絶縁材料との混合物である導電性ペーストよりなり、それぞれ封止樹脂104の表面(外側の面)から基板101の端面に亘って設けられる。第1の金属膜105および第2の金属膜106は、酸化防止の目や金属膜の密着性を向上させる目的のチタンやSUSの層を含む場合もある。これら第1の金属膜105と第2の金属膜106は互いに離間して設けられ、電気的に絶縁されている。第1の金属膜105および第2の金属膜106は、例えば、封止樹脂104の表面から基板101の端面に亘って成膜された一体の金属膜に対して切削加工を施してスリット状のギャップ部108を形成し、このギャップ部108により一体の金属膜を分離することにより形成される。
ここで、第1の金属膜105は、基板101の端面において基板101に設けられた第1の配線111と接触し(図2のB部を参照)、第1の配線111と接続される。また、第2の金属膜106は、基板101の端面において基板101に設けられた第2の配線112と接触し(図2のC部を参照)、第2の配線112と接続される。
2次電池107は、第1の電極(正極)107aが基板101に設けられた第3の配線113に接続され、第2の電極(負極)107bが基板101に設けられた第2の配線112に接続されるように、例えば半田付けによる表面実装により基板101の第2の面101bに搭載される。この2次電池107としては、電子機器で一般的に利用されているリチウムイオン電池、ニッケル・カドミウム蓄電池、鉛蓄電池、全個体電池のほか、例えば電気二重層キャパシタなどを用いてもよい。
2次電池107の第1の電極107aは、基板101に設けられた第3の配線113および電源回路103を介して、第1の配線111に電気的に接続されている。第1の配線111は、上述のように、第1の金属膜105と図2のB部において接触し、第1の金属膜105と電気的に接続されている。したがって、本実施形態に係る無線装置においては、第1の金属膜105が、第1の配線111、電源回路103および第3の配線113を介して、2次電池107の第1の電極107aと電気的に接続された構成となっている。
一方、2次電池107の第2の電極107bは、基板101に設けられた第2の配線112と電気的に接続されている。第2の配線112は、上述のように、第2の金属膜106と図2のC部において接触し、第2の金属膜106と電気的に接続されている。したがって、本実施形態に係る無線装置においては、第2の金属膜106が、第2の配線112を介して、2次電池107の第2の電極107bと電気的に接続された構成となっている。
ここで、第1の金属膜105と第2の金属膜106は、上述のように互いに離間して設けられており、電気的に絶縁されている。したがって、第1の金属膜105と第2の金属膜106は、2次電池107を充電するための充電器(クレードル)に無線装置を装着した際に充電器の端子に接触させる充電用のパッドとして利用することができる。
図3は、第1の実施形態に係る無線装置を充電器200に装着した様子を示す断面図である。無線装置は、例えば樹脂などの絶縁体よりなるケース150に収容されて使用される。ケース150には2つの開口部151,152が設けられており、ケース150内に無線装置が収容されると、一方の開口部151から第1の金属膜105が外部に露出し、他方の開口部152から第2の金属膜106が外部に露出する。
充電器200には、充電用のプラス側端子201とマイナス側端子202とが設けられている。これらプラス側端子201とマイナス側端子202は、バネなどにより図3の上方向に付勢されている。無線装置がケース150に収容された状態で図3に示すように充電器200に装着されると、充電器200のプラス側端子201がケース150の開口部151を介して無線装置の第1の金属膜105に接触し、充電器200のマイナス側端子202がケース150の開口部152を介して無線装置の第2の金属膜106に接触する。これにより、無線装置に搭載された2次電池107に対する充電が行われる。
すなわち、第1の金属膜105は充電器200のプラス電極と同電位になり、第2の金属膜106は充電器200のグランド電極と同電位になる。そして、充電器200から、第1の金属膜105、第1の配線111、電源回路103および第3の配線113を介して、2次電池107に電流が供給され、2次電池107が充電される。なお、2次電池107の第1の電極107aを負極、第2の電極107bを正極とし、第2の金属膜106が充電器200のプラス電極と同電位、第1の金属膜105が充電器200のグランド電極と同電位になる構成としてもよい。電源回路103は、スイッチング素子やインダクタ、コンデンサや保護回路を含む場合がある。スイッチング素子を用いた電源を用いる場合、第1の金属膜105と第3の配線113の電位は異なる。
また、2次電池107が放電する電流(または充電器200からの電流)の供給を受けて無線回路102が動作する際も、第2の金属膜106はグランド電位になる。ここで、第2の金属膜106は、その一部が、基板101の第1の面101aに対して垂直な方向(−Z方向)に見たときに、無線回路102(半導体素子)と重なるように配置されている。したがって、第2の金属膜106は、無線回路102の動作時に発生する不要電磁波の漏洩や外部からの不要電磁波の混入を抑制する電磁波シールドとして機能する。
すなわち、第1の実施形態に係る無線装置においては、2次電池107を充電するための充電用のパッドとして用いる第2の金属膜106が電磁波シールドとしての機能を併せ持つ構成、換言すると、電磁波シールドとして機能する第2の金属膜106を充電用のパッドとして用いて、2次電池107の充電を行う構成となっている。特に、本実施形態では、図1に示すように、第1の金属膜105と第2の金属膜106とにより封止樹脂104の表面の全域が覆われており、第1の金属膜105の面積と比較して第2の金属膜106の面積が格段に大きいので、第2の金属膜106は電磁波シールドとして良好な性能を発揮することができる。
次に、第1の実施形態に係る無線装置の製造方法の一例について、図4のフローチャートに沿って説明する。
まず、両面銅張基板に第1の配線111、第2の配線112および第3の配線113を含む配線をパターン形成、基板方面にソルダーレジストを塗布、ニッケルと金メッキなどの表面処理を行い、基板101を作成する(ステップS101)。そして、基板101の必要箇所にクリーム半田を印刷し(ステップS102)、基板101の第1の面101aに無線回路102や電源回路103などの半導体素子を搭載して(ステップS103)、リフローにより半田付けする(ステップS104)。
その後、無線回路102や電源回路103などの半導体素子が搭載された基板101の第1の面101a上にトランスファーモールドやコンプレッションモールドなどの手段により封止樹脂104を充填し、この封止樹脂104により無線回路102や電源回路103などの半導体素子を封止する(ステップS105)。なお、上記ステップS101からステップS105までの工程は、個々の基板101が多数並んだ大型基板で、一括して行われる。
次に、大型基板をダイシングにより個片化して(ステップS106)、封止樹脂104により封止された半導体素子が搭載された基板101(個々のモジュール)を得る。そして、個々のモジュールごとに、例えばスパッタや蒸着、スプレーなどの方法により、封止樹脂104の表面から基板101の端面に亘って一体の金属膜を成膜する(ステップS107)。ステップS106およびステップS107は、次のようなステップでもよい。すなわち、スパッタや蒸着、スプレー、スクリーン印刷などの方法により、大型基板に並んだ複数の基板101における、封止樹脂104の表面から基板101の端面に亘って一体の金属膜を成膜し(ステップS106’)、ダイシングにより個片化する(ステップS107’)ようにしてもよい。
次に、例えば3次元レーザ装置などを用いて、ステップS107で成膜した金属膜に対して切削加工を施し、この金属膜にスリット状のギャップ部108を形成する(ステップS108)。これにより、ステップS107で成膜された一体の金属膜が第1の金属膜105と第2の金属膜106とに分離される。なお、ギャップ部108を形成するための切削加工は、3次元レーザ装置を用いて行う方法に限らない。例えば、モジュールを固定する台座を回転させながら2次元レーザ装置を用いて切削加工を施してもよいし、エンドミルなどの切削工具を用いて切削加工を施してもよい。
最後に、基板101の第2の面101bに2次電池107を表面実装し(ステップS109)、本実施形態に係る無線装置が完成する。なお、2次電池107は、ステップS106で大型基板を個片化する前に、基板101の第2の面101bに実装されてもよい。
以上、具体的な例を挙げながら詳細に説明したように、第1の実施形態に係る無線装置は、基板101の第1の面101aに搭載された半導体素子(無線回路102および電源回路103)を封止する封止樹脂104の表面から基板101の端面に亘って設けられた第1の金属膜105および第2の金属膜106が、2次電池107を充電するための充電用のパッドとして機能する構造となっている。したがって、例えば充電用のパッドを基板101に設けたり、充電用のコネクタを基板101に搭載したりする必要がなく、2次電池107の充電のために基板101を大型化する必要がない。すなわち、第1の実施形態に係る無線装置は、小型化を実現しつつ2次電池107に対する充電を行うことができる。
また、第1の実施形態に係る無線装置は、無線回路102などの半導体素子が搭載された基板101の第1の面101aの裏面にあたる第2の面101bに2次電池107を搭載する構造であるため、基板101を大型化することなく2次電池107を搭載するための占有面積を確保することができ、サイズが大きく容量が多い2次電池107を用いることができる。特に、本実施形態では、基板101の第2の面101bに対して表面実装により2次電池107を搭載しており、コネクタは不要とされているので、その分、2次電池107のサイズを大きくすることができる。なお、本実施形態においては、基板101として2層の導体層を持つ両面基板を用いる例を説明したが、基板101は2層基板に限らず、2層以上の多層基板を用いてもよい。基板101として多層基板を用いた場合も同様の効果を達成できる。
(変形例1)
なお、上述の第1の実施形態に係る無線装置においては、図1に示したように、封止樹脂104の表面のうち、基板101の第1の面101aと平行な上面部から、この上面部と交差する1つの側面部を介して基板101の端面に到達する形状で、第1の金属膜105が設けられている。しかし、第1の金属膜105は、基板101の端面において第1の配線111と接触し、第1の配線111と接続される形状であれば、どのような形状で設けられていてもよい。
例えば図5に示すように、封止樹脂104の上面部には第1の金属膜105を設けずに、封止樹脂104の1つの側面部から基板101の端面に亘って第1の金属膜105が設けられた構成であってもよい。図5の例の場合、封止樹脂104の上面部の全域と、封止樹脂104の側面部のうち、第1の金属膜105で覆われた領域とギャップ部108とを除く領域とが、すべて第2の金属膜106によって覆われる。したがって、上述の第1の実施形態に係る無線装置と比較して、第2の金属膜106による電磁波シールドの性能を向上させることができる。
このように構成された無線装置は、2次電池107への充電を行う場合、例えば図6に示すようにケース150に収容されて充電器200に装着され、充電器200のプラス側端子201が第1の金属膜105に接触する。なお、図6では充電器200のマイナス側端子202が図示されていないが、充電器200のマイナス側端子202は、例えば、第1の金属膜105と同じ面内で第2の金属膜106と接触する構成とすることができる。
なお、図5に示した例では、封止樹脂104の1つの側面部に第1の金属膜105が設けられているが、第1の金属膜105は、封止樹脂104の2つ以上の側面部に跨って設けられてもよい。ただし、封止樹脂104の1つまたは2つの側面部に第1の金属膜105を設ける構成であれば、上述の3次元レーザ装置を用いて台座を回転させることなく第1の金属膜105と第2の金属膜106とを分離するギャップ部108を形成でき、短時間で生産性よく無線装置を製造できる。したがって、封止樹脂104の1つまたは2つの側面部に第1の金属膜105を設ける構成とすることが望ましい。
また、図1や図5に示した例では、第1の金属膜105と第2の金属膜106とが基板101の端面の全域を覆うように設けられているが、第1の金属膜105が第1の配線111に接触し、第2の金属膜106が第2の配線112に接触する構成であればよく、基板101の端面の一部が露出していてもよい。
(変形例2)
第2の金属膜106は、上述のように、無線回路102が動作する際にグランド電位となる導体である。したがって、例えば図7に示すように、第2の金属膜16にスロットアンテナ109の少なくとも一部を形成し、アンテナ付きの無線装置として構成することもできる。この場合、スロットアンテナ109は、基板101の第1の面101aに対して垂直な方向(−Z方向)に見たときに、無線回路102と重ならないように形成する。これにより、第2の金属膜106による電磁波シールドの機能を維持しながら、アンテナ付きの無線装置を実現することができる。
スロットアンテナ109は、導体に囲まれたスリット状のギャップに給電することで、このスリット状のギャップをアンテナとして機能させたものである。スロットアンテナ109は、長手方向の全長(スロット長)を無線装置の通信に用いる所望周波数のおおよそ半波長とすることにより、所望周波数の電磁波を効率よく放射または受信することができる。このようなスロットアンテナ109は、例えば、封止樹脂104の表面から基板101の端面に亘って成膜された一体の金属膜に3次元レーザ装置などを用いてギャップ部108を形成する際に、このギャップ部108と併せて形成することができる。
なお、図7に示すスロットアンテナ109の形状は一例であり、この例に限らない。スロットアンテナ109は、スロット長が無線装置の通信に用いる所望周波数のおおよそ半波長となるように、少なくとも一部が第2の金属膜106に形成されていればよい。ただし、図7に示す例のように、第1の金属膜105と第2の金属膜106とを分離するギャップ部108と同じ面にスロットアンテナ109の少なくとも一部が配置される構成とすれば、切削加工によりギャップ部108とスロットアンテナ109を形成する際の作業性が向上する。
また、スロットアンテナ109の一部は、例えば特許文献1に開示される無線装置と同様に、基板101に設けられたグランド電位の導体パターンに設けられていてもよい。つまり、第2の金属膜106と電気的に接続される導体パターンを基板101に設け、第2の金属膜106からこの導体パターンに亘って一体のスロットアンテナ109を形成するようにしてもよい。また、例えば図8に示すように、スロットアンテナ109の少なくとも一部を、プラス電位である第1の金属膜105に設けてもよいし、第1の金属膜105に接続される導体パターンを基板101に設け、第1の金属膜105からこの導体パターンに亘って一体のスロットアンテナを形成するようにしてもよい。スロットアンテナ109の一部を、第1の金属膜105および第2の金属膜106にそれぞれ設けてもよい。
(変形例3)
上述の第1の実施形態に係る無線装置は、2次電池107を基板101の第2の面101bに表面実装している。しかし、2次電池107は、第1の電極107aが基板101に設けられた第1の配線111に電気的に接続され、第2の電極107bが基板101に設けられた第2の配線112に電気的に接続されるように無線装置に搭載されればよく、基板101の第2の面101bに表面実装する形態に限らない。
例えば図9に示すように、基板101の第2の面101b側に2次電池107を搭載するための別基板(電池基板121)を配置し、この電池基板121に2次電池107を搭載する構成としてもよい。電池基板121には、第4の配線114と第5の配線115とが設けられる。2次電池107は、第1の電極107aが第4の配線114に接続され、第2の電極107bが第5の配線115に接続されるように、電池基板121に搭載される。電池基板121は、第4の配線114が第3の配線113と電気的に接続され、第5の配線115が第2の配線112と電気的に接続されるように、基板101の第2の面101b側に半田付けされる。
この図9の例では、2次電池107の第1の電極107aは、電池基板121に設けられた第4の配線114、基板101に設けられた第3の配線113および電源回路103を介して、基板101に設けられた第1の配線111に電気的に接続される。また、2次電池107の第2の電極107bは、電池基板121に設けられた第5の配線115を介して、基板101に設けられた第2の配線112に電気的に接続される。
図9に示す構成の場合、予め2次電池107が搭載された電池基板121を半田付けなどにより基板101の第2の面101b側に接合するといった、比較的簡単な方法で無線装置に2次電池107を搭載することができるので、生産性を向上させることができる。この場合でも、例えば充電用のパッドを基板101および基板121に設けたり、充電用のコネクタを基板101および基板121に搭載したりする必要はない。2次電池107の充電のために基板101および基板121を大型化する必要がない。
また、例えば図10に示すように、2次電池107を基板101の第1の面101aに表面実装し、無線回路102や電源回路103などの半導体素子とともに2次電池107が封止樹脂104によって封止される構成としてもよい。この場合、2次電池107としては、固体電解質を用いた全個体電池を用いることが望ましい。
図10に示す例のように、2次電池107を基板101の第1の面101aに表面実装する構成の場合、基板101の面方向のサイズは大きくなるが、基板101の厚み方向のサイズを小型化(薄型化)することができる。
<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態に係る無線装置は、2次電池107として、一般的に市販されているリチウムポリマー電池を無線装置に搭載した例である。一般的に市販されているリチウムポリマー電池は電源回路を備えており、この電源回路にコネクタがケーブルによって接続されている。リチウムポリマー電池の第1の電極(正極)は、電源回路を介してコネクタの正極側端子と電気的に接続され、リチウムポリマー電池の第2の電極(負極)は、電源回路を介してコネクタの負極側端子と電気的に接続されている。以下では、本実施形態に係る無線装置に搭載される2次電池107を、第1実施形態と区別して2次電池107’と表記する。
図11は、第2の実施形態に係る無線装置の断面図であり、図2と同様の位置における断面を図中のy方向に見た断面図である。また、図12は、第2の実施形態に係る無線装置の基板101に設けられた配線の一例を示す平面図(Z方向から見た基板101におけるXY平面図)であり、図13は、無線回路102に電源を供給するための回路構成の一例を示す概念図である。
第2の実施形態に係る無線装置においては、図11に示すように、基板101の第2の面101bに上述のリチウムポリマー電池よりなる2次電池107’が搭載される。本実施形態では、2次電池107’が電源回路103’を備えているため、基板101の第1の面101aに電源回路103が搭載されていない。その代わり、無線回路102に供給される電源の電圧を安定化させるためのキャパシタ123が、基板101の第1の面101aに搭載されている。
2次電池107’のコネクタ122は、図12に示すように、正極側端子122aが基板101に設けられた第1の配線111と接続され、負極側端子122bが基板101に設けられた第2の配線112と接続されるように、基板101の第2の面101bに実装される。したがって、2次電池107’の第1の電極は、電源回路103’とコネクタ122を介して、基板101に設けられた第1の配線111と電気的に接続され、2次電池107’の第2の電極は、電源回路103’とコネクタ122を介して、基板101に設けられた第2の配線112と電気的に接続される。
本実施形態においても、上述の第1の実施形態と同様に、基板101に設けられた第1の配線111は第1の金属膜105と電気的に接続され、基板101に設けられた第2の配線112は第2の金属膜106と電気的に接続されている(図12参照)。したがって、第1の金属膜105と第2の金属膜106を、2次電池107’を充電するための充電用のパッドとして利用することができる。
また、キャパシタ123は、図12に示すように、正極側が第1の配線111に接続され、負極側が第2の金属膜106と電気的に接続された第6の配線116に接続されるように、基板101の第1の面101aに搭載される。なお、無線回路102のグランド端子は、第7の配線117を介して第2の金属膜106と接続されている。
第2の実施形態に係る無線装置においては、以上の構成によって、図13に示すように、2次電池107’が第1の金属膜105と第2の金属膜106とに接続されるとともに、この2次電池107’に対して、無線回路102とキャパシタ123とが並列に接続された回路構成となる。
第2の実施形態に係る無線装置は、上述の第1の実施形態と同様に充電器200に装着されると、第1の金属膜105が充電器200のプラス電極と同電位、第2の金属膜106が充電器200のグランド電極と同電位となり、充電器200から、第1の金属膜105、第1の配線111、コネクタ122および電源回路103’を介して2次電池107’に電流が供給され、2次電池107’が充電される。また、無線回路102の動作時には、2次電池107’に対して無線回路102とキャパシタ123とが並列に接続されているため、無線回路102に安定した電源を供給することができる。
以上説明したように、第2の実施形態に係る無線装置は、上述の第1の実施形態と同様に、基板101の第1の面101aに搭載された無線回路102やキャパシタ123を封止する封止樹脂104の表面から基板101の端面に亘って設けられた第1の金属膜105および第2の金属膜106が、2次電池107’を充電するための充電用のパッドとして機能する構造となっている。したがって、第2の実施形態に係る無線装置は、上述の第1の実施形態と同様に、小型化を実現しつつ2次電池107’に対する充電を行うことができる。
また、第2の実施形態に係る無線装置は、一般的に市販されているリチウムポリマー電池を2次電池107’として搭載した構成であるため、部品調達コストを低減させて安価に製造することができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、ここで説明した実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。ここで説明した新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。ここで説明した実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
101 基板
101a 第1の面
101b 第2の面
102 無線回路
103 電源回路
104 封止樹脂
105 第1の金属膜
106 第2の金属膜
107 2次電池
107a 第1の電極
107b 第2の電極
108 ギャップ部
109 スロットアンテナ
111 第1の配線
112 第2の配線
113 第3の配線

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板の第1の面に搭載された、無線回路を含む半導体素子と、
    前記基板の前記第1の面に設けられ、前記半導体素子を封止する非導電層と、
    前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って設けられ、該端面において前記基板に設けられた第1の配線と接触する第1の金属膜と、
    前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って、前記第1の金属膜と離間して設けられ、該端面において前記基板に設けられた第2の配線と接触する第2の金属膜と、
    第1の電極が前記第1の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続された2次電池と、を備える無線装置。
  2. 前記2次電池は、前記基板の第2の面に搭載されている
    請求項1に記載の無線装置。
  3. 前記基板の第2の面側に配置される電池基板をさらに備え、
    前記2次電池は、前記電池基板に搭載されている
    請求項1に記載の無線装置。
  4. 前記2次電池は、前記基板の前記第1の面に搭載され、前記半導体素子とともに前記非導電層により封止されている
    請求項1に記載の無線装置。
  5. 前記2次電池の前記第1の電極は、前記基板に設けられた第3の配線および電源回路を介して前記第1の配線と電気的に接続されている
    請求項1乃至4のいずれか一項に記載の無線装置。
  6. 前記第2の金属膜の一部は、前記基板の前記第1の面に対して垂直な方向に見たときに、前記半導体素子と重なるように設けられている
    請求項1乃至5のいずれか一項に記載の無線装置。
  7. 前記非導電層の表面は、前記基板の前記第1の面と平行な上面部と、該上面部と交差する側面部とを含み、
    前記第1の金属膜は、前記非導電層の側面部から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って設けられている
    請求項1乃至6のいずれか一項に記載の無線装置。
  8. 前記第1の金属膜と前記第2の金属膜は、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って成膜された一体の金属膜に対して切削加工を施してスリット状のギャップ部を形成し、該ギャップ部により前記一体の金属膜を分離することにより形成される
    請求項1乃至7のいずれか一項に記載の無線装置。
  9. 前記第1の金属膜および前記第2の金属膜の少なくとも一方にスロットアンテナの少なくとも一部が形成されている
    請求項1乃至8のいずれか一項に記載の無線装置。
  10. 基板の第1の面に搭載された半導体素子を封止する非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って一体の金属膜を成膜する工程と、
    前記一体の金属膜に対して切削加工を施してスリット状のギャップ部を形成し、該ギャップ部により前記一体の金属膜を、前記基板の少なくとも1つの端面において前記基板に設けられた第1の配線と接触する第1の金属膜と、前記基板の少なくとも1つの端面において前記基板に設けられた第2の配線と接触する第2の金属膜とに分離する工程とを有し、
    前記第1の配線は2次電池の第1の電極と電気的に接続され、前記第2の配線は2次電池の第2の電極と電気的に接続される
    無線装置の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI778816B (zh) * 2021-09-28 2022-09-21 欣興電子股份有限公司 晶片互聯的封裝結構及其封裝方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05309139A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Omron Corp 高周波治療器
US20120300421A1 (en) * 2011-05-23 2012-11-29 Medtronic, Inc. Electrical feedthrough for implantable medical device
WO2018021005A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 日本精機株式会社 通信装置
JP2018029286A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 株式会社東芝 無線装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4064834B2 (ja) 2003-02-05 2008-03-19 株式会社日本自動車部品総合研究所 スロットアンテナ
US7965180B2 (en) * 2006-09-28 2011-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless sensor device
WO2009025613A1 (en) 2007-08-20 2009-02-26 Myfc Ab An arrangement for interconnecting electrochemical cells, a fuel cell assembly and method of manufacturing a fuel cell device
JP5726787B2 (ja) 2012-02-28 2015-06-03 株式会社東芝 無線装置、それを備えた情報処理装置および記憶装置
JP6567475B2 (ja) 2016-08-05 2019-08-28 株式会社東芝 無線装置
JP6659519B2 (ja) 2016-11-02 2020-03-04 株式会社東芝 アンテナ装置
JP6602324B2 (ja) 2017-01-17 2019-11-06 株式会社東芝 無線装置
JP6602326B2 (ja) 2017-02-06 2019-11-06 株式会社東芝 無線装置
JP6428823B2 (ja) 2017-03-29 2018-11-28 カシオ計算機株式会社 電子機器
JP6776280B2 (ja) * 2018-01-10 2020-10-28 株式会社東芝 無線通信モジュール、プリント基板、および製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05309139A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Omron Corp 高周波治療器
US20120300421A1 (en) * 2011-05-23 2012-11-29 Medtronic, Inc. Electrical feedthrough for implantable medical device
WO2018021005A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 日本精機株式会社 通信装置
JP2018029286A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 株式会社東芝 無線装置

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