JP2021014056A - Mask printing machine and displacement acquisition method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マスクを介して回路基板に粘性流体の印刷を行うマスク印刷機、マスクに形成された貫通孔と基板に形成されたパターンとのずれを取得するずれ取得方法に関するものである。 The present invention relates to a mask printing machine that prints a viscous fluid on a circuit board via a mask, and a deviation acquisition method for acquiring a deviation between a through hole formed in the mask and a pattern formed in the substrate.
特許文献1に記載のマスク印刷機においては、回路基板(以下、単に基板と略称する)がマスクの下方の、マスクから離間した離間位置にある状態で、マスクと基板との間に進入可能な第1の撮像部により、マスクに設けられた認識マークであるマスクマークと、基板を両側からクランプするクランプ部材に設けられた認識マークであるクランプマークとが撮像され、その撮像画像に基づいて基板の移動量である離間時位置補正値が取得される。また、基板がマスクに当接した当接位置にある状態で、マスクの上方に進入可能な第2の撮像部により、マスクマークとクランプマークとが撮像され、その撮像画像に基づいて、それらの重なりの状態が取得されて基板の移動量である当接時位置補正値が取得され、記憶される。その後、基板の離間位置において、第1の撮像部による撮像画像に基づいて取得された離間時位置補正値と、記憶されている当接時位置補正値とに基づいて基板が移動させられ、基板とマスクとの位置合わせが行われる。その結果、基板を昇降させる基板昇降装置の機械的誤差等に起因する基板とマスクとの位置ずれを排除して、基板とマスクとの位置合わせを高い精度で行うことが可能となる。
In the mask printing machine described in
本発明の課題は、マスクに形成された貫通孔と回路基板に形成されたパターンとの水平方向のずれを取得することである。 An object of the present invention is to obtain a horizontal deviation between a through hole formed in a mask and a pattern formed in a circuit board.
本発明に係るマスク印刷機においては、複数の貫通孔が形成されたマスクと複数のパターンが形成された回路基板とが重なっている状態で、撮像装置により上方からマスクが撮像される。互いに対応する貫通孔とパターンとの水平方向のずれが小さい場合には、マスクの上方から基板に形成されたパターンを見ることはできない。しかし、これら貫通孔とパターンとの水平方向のずれが大きい場合には、マスクの貫通孔を通してパターンの一部が見える場合がある。そこで、この撮像画像と、パターンの全体の形状を表す情報とに基づけば、パターンの貫通孔に対する相対位置を推定することが可能となり、パターンと貫通孔との水平方向のずれを取得することができる。 In the mask printing machine according to the present invention, the mask is imaged from above by the image pickup apparatus in a state where the mask having a plurality of through holes and the circuit board having a plurality of patterns are overlapped with each other. When the horizontal deviation between the through holes corresponding to each other and the pattern is small, the pattern formed on the substrate cannot be seen from above the mask. However, when the horizontal deviation between these through holes and the pattern is large, a part of the pattern may be visible through the through holes of the mask. Therefore, based on this captured image and the information representing the overall shape of the pattern, it is possible to estimate the relative position of the pattern with respect to the through hole, and it is possible to obtain the horizontal deviation between the pattern and the through hole. it can.
以下、本発明の一実施形態に係るマスク印刷機について図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, the mask printing machine according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1〜3に示すように、本マスク印刷機は、回路基板(以下、基板と略称する)PにマスクSを介して粘性流体としてクリーム状はんだを印刷するものであり、フレーム2,基板搬送装置4,基板昇降装置6,基板移動装置8,マスク装置10,スキージ装置12,撮像装置としての第1撮像装置14、第2撮像装置16等を含む。
As shown in FIGS. 1 to 3, this mask printing machine prints creamy solder as a viscous fluid on a circuit board (hereinafter abbreviated as a board) P via a mask S, and transports the
基板搬送装置4は、基板Pを搬送するものであり、例えば、1対のコンベア20a,20b、それら1対のコンベア20a,20bを駆動する図示しない搬送モータ等を含むものである。以下、本明細書において、基板Pの搬送方向をx方向とし、基板Pの搬送方向と直交する方向である幅方向をy方向とし、基板Pの厚さ方向、すなわち、マスク印刷機の上下方向をz方向とする。x方向、y方向、z方向は互いに直交する。また、基板Pには、図8〜10等に示すように、クリーム状はんだの印刷部分を表すパターンCが複数形成される。
The
基板昇降装置6は、回路基板保持装置としての基板保持装置22によって保持された基板Pをz方向に移動(昇降)させるものであり、基板移動装置8は、基板保持装置22によって保持された基板Pをxy平面内で移動させるものである。
The
基板保持装置22は、支持プレート24に取り付けられた複数の支持ピン26、クランプ装置28、基板押さえ装置30等を含む。複数の支持ピン26は、基板Pを下方から支持するものである。クランプ装置28は、基板Pを幅方向(y方向)の両側から保持するものであり、一対のクランプ部材34a,34b、一対のクランプ部材34a、34bを互いに接近、離間させる接近離間装置36等を含む。基板押さえ装置30は、一対の押さえ部材40a,40b、一対の押さえ部材40a、40bを互いに接近・離間させる接近離間装置41等を含む。一対の押さえ部材40a、40bの下面に、一対のクランプ部材34a,34bの上面と基板Pの上面とが当接させられることにより、基板Pの上面の高さが規定される。
The
基板昇降装置6は、第1昇降装置46、第2昇降装置47、第3昇降装置48等を含む。第1昇降装置46は、電動モータ54、電動モータ54の回転をz方向の直線移動に変換してベース台55に伝達する運動変換機構としてのねじ機構56等を含み、支持プレート24、クランプ装置28、基板押さえ装置30等を支持する第1昇降台57を、ベース台55とともに昇降させるものである。第2昇降装置47は、エアシリンダ62、エアシリンダ62のピストンロッドのy方向の移動をz方向の移動に変換して、第2昇降台60に伝達する運動変換機構としての一対のカム機構63a,63b等を含み、支持プレート24、クランプ装置28を支持する第2昇降台60を第1昇降台57に対して昇降させるものである。第3昇降装置48は、第2昇降台60に固定された電動モータ64、電動モータ64の回転をz方向の直線移動に変換して、支持プレート24に伝達する運動変換機構としてのねじ機構65等を含み、支持プレート24を第2昇降台60に対して昇降させるものである。
The
基板移動装置8は、ベース台55に対して第1昇降台57をxy平面内において移動させるものであり、図4に示すように、x移動装置70、2つのy移動装置71,72を含む。y移動装置71,72は、第1昇降台57のx方向に互いに対向する部分に設けられる。x移動装置70、y移動装置71,72は同じ構造を成すものであるため、代表してx移動装置70について説明する。x移動装置70は、ベース台55に取り付けられた電動モータ74、移動部材75、電動モータ74の回転を移動部材75の直線移動に変換する運動変換装置としてのねじ機構76等を含み、移動部材75に、第1昇降台57と一体的に移動可能に設けられた突出部79がローラ77、ボールプランジャ78を介して係合させられる。電動モータ74の駆動により、移動部材75がx方向に移動させられ、それに伴って突出部79および第1昇降台57がベース台55に対してx方向に相対的に移動させられる。なお、y移動装置71,72が異なる状態で作動させられるとともにx移動装置70が作動させられることにより、第1昇降台57はベース台55に対してz軸回りに回転させられる。これら第1昇降台57のベース台55に対する相対移動は、第1昇降台57とベース台55との間に介在された複数の鋼球58(図3参照)によってスムーズに許容される。
The
マスク装置10は、フレーム2の基板昇降装置6等の上方に設けられ、マスク保持装置82、マスク移動装置83、クランプ機構84等を含む。マスク保持装置82は、マスクSを引っ張った状態で、平面状に保持するものであり、メッシュ86と、矩形を成すマスク枠87とを含む。マスクSは金属製の薄膜であり、図8,10等に示すように、基板Pの複数のパターンCに対応する複数の部分に形成された複数の貫通孔Hを有する。なお、図8,10等には、パターンC1,C2,C3、貫通孔H1,H2,H3が記載されているが、以下、これらを区別する必要がない場合、総称する場合等には、パターンC,貫通孔Hと称する場合がある。また、図8,10等に記載の貫通孔H,パターンCは、マスクS、基板Pに実際に形成される形状とは異なる。さらに、マスクSの対角線上に隔たった部分には一対の基準マークMsが形成される。一対の基準マークMsは、マスクSの、基板Pに対角線上に隔てて形成された一対の基準マークMpに対応する部分に位置する。
The
マスク移動装置83は、マスク枠87をxy平面内において移動させることにより、マスクSを移動させるものであり、図5に示すように、マスク枠87を保持する枠受け台90に設けられたx移動装置92、2つのy移動装置94,95等を含む。x移動装置92、y移動装置94,95は、同じ構造を成すものであるため、x移動装置92について代表して説明する。x移動装置92は、マスク枠87の互いにx方向に対向する部分に設けられた駆動装置102と押圧装置103とを含む。駆動装置102は、電動モータ100と、電動モータ100の回転を直線移動に変換してマスク枠87に伝達する運動変換機構101とを含む。押圧装置103は、エアシリンダ等により構成されたものであり、駆動装置102によるマスク枠87の移動を許容しつつ反力を付与する。駆動装置102、押圧装置103は、それぞれ、ローラ104を介してマスク枠87に係合させられ、マスク枠87は、回転体105を介して枠受け部90に保持される。それにより、マスク枠87のxy平面内の移動がスムーズに行われ得る。なお、y移動装置94,95が異なる状態で作動させられるとともにx移動装置92が作動させられることにより、マスク枠87がz軸回りに回転させられる。
The
クランプ機構84は、互いに離間して設けられた4つのクランプ装置108を含む。クランプ装置108は、それぞれ、シリンダと、シリンダのピストンロッドに一体的に移動可能に係合させられたクランプ部材106とを含み、シリンダの作動により、クランプ部材106がマスク枠87を押し付けるクランプ位置とマスク枠87から離間する非クランプ位置とに移動させられる。クランプ部材106の非クランプ位置において、x移動装置92、y移動装置94,95の作動により、マスク枠87が枠受け台90に対してxy平面内において移動させられ、クランプ部材106のクランプ位置においてマスク枠87が保持される。
The
スキージ装置12は、図1,2に示すように、一対のスキージ110a、110bを有するスキージヘッド112と、スキージヘッド112をy方向に移動させるスキージ移動装置114とを含む。スキージ移動装置114は、電動モータ115、図示しないスライダ、電動モータ115の回転を直線移動に変換してスライダに伝達する運動変換機構としてのねじ機構116、y方向に伸びたガイドレール117等を含み、スライダにスキージヘッド112が固定的に保持される。スキージヘッド112のヘッド本体119には、スキージ110a、110bをそれぞれ昇降させる昇降装置118a、118b等が設けられる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
第1撮像装置14は、マスクSを上方から撮像するものであり、マスクSの上方において、マスクSに沿って移動可能とされる。第1撮像装置14を移動させる第1撮像装置移動装置は、ヘッド本体119に設けられたx移動装置120を含む。x移動装置120は、x方向に伸びたガイドレール124、電動モータ125、電動モータ125により回転させらるボールねじ126、ボールねじ126に係合させられたナット部材を有するスライダ127等を含み、スライダ127に第1撮像装置14が一体的に移動可能に保持される。第1撮像装置14は、x移動装置120によりx方向に移動させられるとともに、スキージ移動装置114によりy方向に移動させられる。このことから、第1撮像装置移動装置は、x移動装置120およびスキージ移動装置114等から構成されると考えることができる。
The
第2撮像装置16は、基板P,マスクSに設けられた基準マークMp,Msを撮像するものであり、第2撮像装置移動装置130により、基板保持装置22とマスク保持装置10との間に進入可能とされる。第2撮像装置移動装置130は、図6に示すように、x移動装置142とy移動装置144とを含む。x移動装置142は、電動モータ150、電動モータ150の回転をxスライダ152の直線運動に変換する運動変換機構154、x方向に伸びたガイドレール156a,156b等を含む。y方向移動装置144は、xスライダ152に設けられ、電動モータ158、yスライダ161、電動モータ158の回転をスライダ161の直線移動に変換する運動変換機構160、y方向に伸びたガイドレール162等を含む。第2撮像装置16は、yスライダ161に一体的に移動可能に保持され、x移動装置142、y移動装置144によりxy平面内において移動可能とされる。
The
本マスク印刷機は、図7に示す制御装置200により制御される。制御装置200は、コンピュータを主体とするものであり、実行部204,記憶部206,入・出力部208等を含む。入・出力部208には、第1撮像装置14、第2撮像装置16、ディスプレイ210等が接続されるとともに、基板搬送装置4、基板昇降装置6、基板移動装置8、マスク装置10、スキージ装置12、第1撮像装置移動装置のx移動装置120、第2撮像装置移動装置130等が駆動回路212を介して接続される。ディスプレイ210には、マスク印刷機の状態が表示される。
The mask printing machine is controlled by the
記憶部206は、マスクSに形成された複数の貫通孔Hの各々の形状に関する情報である形状情報と複数の貫通孔Hの各々の基準点の位置である基準位置に関する情報である基準位置情報とを含む貫通孔情報を記憶する貫通孔情報記憶部220、回路基板Pに形成された複数のパターンCの各々についての形状情報と基準位置情報とを含むパターン情報を記憶するパターン情報記憶部222等を含む。図17に示すように、形状情報には、貫通孔H,パターンCの各々の外形の形(例えば、円形、矩形、多角形等が該当する)を表す情報、寸法(例えば、直径、辺の長さ等が該当する)を表す情報、テンプレートを表す情報(例えば、外形または外形線を規定する情報をいう)等が含まれる。基準位置情報には、貫通孔H,パターンCの各々の基準点(例えば、中心点等の予め定められた点とすることができる)の位置を表す情報等が含まれる。位置は、例えば、マスクS,回路基板Pの各々の互いに対応する予め定められた点(例えば、角、原点マークの中心点等とすることができる)を原点とした場合のxy座標上の位置で表すことができる。また、互いに対応する貫通孔HとパターンCとにおいて、基準位置は同じである場合が多い。
The
なお、パターン情報記憶部222に、基板Pに形成された複数のパターンCすべてについての情報が記憶されるようにすることは不可欠ではなく、例えば、複数のパターンCのうちの重要である少なくとも1つのパターンCについての情報が記憶されるようにしてもよい。重要であるパターンには、例えば、高い印刷精度が要求されるもの、小さいもの等が該当する。貫通孔情報記憶部220についても同様である。
It is not essential that the pattern
以上のように構成されたマスク印刷機において、基板PとマスクSとの水平方向の相対位置の調整である位置合わせが行われ、その後、基板Pが、上面がマスクSの下面に当接する当接位置まで上昇させられ、スキージ110a,110bが移動させられることにより、基板PのパターンCにマスクSの貫通孔Hを介してクリーム状はんだが塗布されるのであり、マスク印刷が行われる。
この場合の位置合わせは、基準マークに基づいて行われるのが普通である。具体的には、基板Pが基板搬送装置4によりマスクSの下方の予め定められた位置に搬送された場合に、第2撮像装置16により、基板P,マスクSの各々に形成された基準マークMp,Msが撮像される。そして、一対の基準マークMpの中心点と一対の基準マークMsの中心点とが一致するように、基板移動装置8とマスク移動装置83との少なくとも一方により、基板PとマスクSとの水平方向の相対位置が補正されるのであり、位置合わせが行われる。この位置合わせを基準マーク依拠位置合わせと称し、この場合の基板PとマスクSとの水平方向の相対位置の補正値を基準マーク依拠補正値と称する。
In the mask printing machine configured as described above, the alignment is performed by adjusting the relative positions of the substrate P and the mask S in the horizontal direction, and then the upper surface of the substrate P comes into contact with the lower surface of the mask S. By raising the
The alignment in this case is usually performed based on the reference mark. Specifically, when the substrate P is transported to a predetermined position below the mask S by the
しかし、基板PやマスクSには基準マークが設けられていない場合があり、その場合にはマーク依拠位置合わせを行うことができない。また、基板Pが歪んでいたり、変形していたりする場合等には、基板マークMp,Msの中心点同士の水平方向の位置が一致しても、貫通孔HとパターンCとがずれる場合がある。 However, the substrate P and the mask S may not be provided with the reference mark, and in that case, the mark-based alignment cannot be performed. Further, when the substrate P is distorted or deformed, the through hole H and the pattern C may be displaced even if the centers of the substrate marks Mp and Ms are aligned in the horizontal direction. is there.
そこで、本実施例においては、マスクSと基板Pとが重なった状態で、上方から第1撮像装置14によりマスクSが撮像され、その撮像画像に基づいて、互いに対応する少なくとも1つの貫通孔Hの各々と少なくとも1つのパターンCの各々との水平方向のずれ(以下、単に、ずれと称する場合がある)がそれぞれ個別に取得される。そして、個別に取得された貫通孔Hの各々とパターンCとの各々との水平方向ずれである個別ずれを統計的に処理することにより、ずれの平均的な値である平均的ずれ値が取得される。また、取得された平均的ずれ値に基づいて、マスクSと基板Pとの水平方向の相対位置の補正値であるずれ依拠補正値が取得される。ずれ依拠補正値は、例えば、平均的ずれ値が0となるように取得されるようにしたり、平均的ずれ値が最小となるように取得されるようにしたりすること等ができる。
その後、ずれ依拠補正値に基づいてマスクSと基板Pとの水平方向の相対位置の補正が行われるのであり、ずれ依拠位置合わせが行われる。
Therefore, in this embodiment, the mask S is imaged by the
After that, the relative positions of the mask S and the substrate P in the horizontal direction are corrected based on the deviation-based correction value, and the deviation-based positioning is performed.
この場合において、撮像画像において、互いに対応する複数の貫通孔Hの各々と複数のパターンCの各々とのすべてについて個別ずれを取得することは不可欠ではなく、複数のパターンCのうち重要である少なくとも1つのパターンCの各々と、それに対応する少なくとも1つの貫通孔Hの各々とのずれが取得されて平均的ずれ値が取得されるようにすることができる。 In this case, in the captured image, it is not indispensable to acquire individual deviations for each of the plurality of through holes H corresponding to each other and each of the plurality of patterns C, and at least which is important among the plurality of patterns C. The deviation between each of the one pattern C and each of the corresponding at least one through hole H can be acquired so that the average deviation value can be acquired.
また、ずれには、貫通孔Hの基準点とパターンCの基準点との水平方向(x方向、y方向)の隔たりΔx、Δyと、貫通孔HとパターンCとの成す角度Δθとの少なくとも一方が含まれる。
貫通孔Hの基準点とパターンCの基準点との水平方向の隔たりは、貫通孔Hの基準点の位置である基準位置とパターンCの基準位置との差として取得したり、貫通孔HとパターンCとの各々のテンプレートの移動量の差として取得したりすること等ができる。
また、貫通孔HとパターンCとの成す角度は、貫通孔H,パターンCの各々において設定された基準線の成す角度として取得したり、貫通孔HとパターンCとの各々のテンプレートの回転角度の差として取得したりすること等ができる。以下、個別ずれ、ずれ依拠補正値の取得について具体的に説明する。
Further, in the deviation, at least the distance Δx, Δy in the horizontal direction (x direction, y direction) between the reference point of the through hole H and the reference point of the pattern C and the angle Δθ formed by the through hole H and the pattern C are at least. One is included.
The horizontal distance between the reference point of the through hole H and the reference point of the pattern C can be obtained as the difference between the reference position, which is the position of the reference point of the through hole H, and the reference position of the pattern C. It can be acquired as the difference in the amount of movement of each template from the pattern C.
Further, the angle formed by the through hole H and the pattern C can be obtained as the angle formed by the reference line set in each of the through hole H and the pattern C, or the rotation angle of each template of the through hole H and the pattern C. It can be obtained as a difference between. Hereinafter, the acquisition of individual deviation and deviation dependence correction values will be specifically described.
貫通孔情報、パターン情報が予め入力されて貫通孔情報記憶部220,パターン情報記憶部222に記憶される。そして、基準マーク依拠位置合わせが行われた後、または、基準マーク依拠位置合わせが行われることなく、基板Pを上昇させることにより、基板PをマスクSの下面に当接させる。このマスクSの下面に基板Pが当接した状態は、マスクSと基板Pとが重なった状態の一態様である。この状態で、第1撮像装置14が上方からマスクSを撮像する。
Through-hole information and pattern information are input in advance and stored in the through-hole
貫通孔HとパターンCとの水平方向のずれが小さい場合、例えば、基準マーク依拠位置合わせが行われ、かつ、基板Pの歪が小さい場合には、図8,9に示すように、マスクSの貫通孔Hと基板PのパターンCとは上下方向においてほぼ同じ位置にある。互いに対応する貫通孔H1およびパターンC1、貫通孔H2とパターンC2とで、それぞれ、基準点同士(Ha1,Ca1)、(Ha2,Ca2)がほぼ一致する。そのため、貫通孔Hを通してパターンCの外形線は見えないのが普通であり、図10に示す撮像画像Gにおいて、パターンCの外形線を表す画像は認識できないのが普通である。そのため、撮像画像Gに基づいてパターンCについての基準位置や向きを取得することは困難である。 When the horizontal deviation between the through hole H and the pattern C is small, for example, when the reference mark-based alignment is performed and the distortion of the substrate P is small, the mask S is as shown in FIGS. The through hole H and the pattern C of the substrate P are located at substantially the same positions in the vertical direction. The reference points (Ha1, Ca1) and (Ha2, Ca2) are substantially the same in the through holes H1 and the pattern C1 and the through holes H2 and the pattern C2 corresponding to each other, respectively. Therefore, the outline of the pattern C is usually not visible through the through hole H, and the image representing the outline of the pattern C cannot be recognized in the captured image G shown in FIG. Therefore, it is difficult to acquire the reference position and orientation of the pattern C based on the captured image G.
それに対して、貫通孔HとパターンCとのずれが大きい場合、例えば、基準マーク依拠位置合わせが行われない場合、基板Pが歪んでいたり、変形していたりする場合等には、貫通孔H1,H2を通してパターンC1,C2の外形線の一部Lg1,Lg2が見える場合がある。図11に示すように撮像画像Gにおいて、貫通孔H1、H2の内部にパターンC1、C2の外形線の一部Lg1、Lg2を示す画像が認識される場合がある。 On the other hand, when the deviation between the through hole H and the pattern C is large, for example, when the reference mark-based alignment is not performed, or when the substrate P is distorted or deformed, the through hole H1 , Lg2 may be visible as part of the outline of patterns C1 and C2 through H2. As shown in FIG. 11, in the captured image G, an image showing a part of the outlines of the patterns C1 and C2 Lg1 and Lg2 may be recognized inside the through holes H1 and H2.
そこで、本実施例においては、撮像画像Gに基づいて、例えば、テンプレートマッチング等の画像認識技術を利用して画像認識が行われる。図12(a)に示すように、撮像画像Gにおける貫通孔H1,H2の内部のパターンC1,C2の外形線Lg1,Lg2に、パターン情報に含まれる形状情報に基づいて規定されるパターンC1,C2全体の外形線(例えば、テンプレートTC1,TC2を利用することができる)L1,L2の一部が一致するように、テンプレートTC1,TC2を移動させる。そして、図12(b)に示すように、そのテンプレートTC1,TC2のx方向,y方向の移動量、回転角度に基づいて、パターンC1,C2の基準点Ca1,Ca2の位置である基準位置(座標)や向きが推定される。 Therefore, in this embodiment, image recognition is performed based on the captured image G by using an image recognition technique such as template matching. As shown in FIG. 12A, the patterns C1 and Lg2 defined in the outlines Lg1 and Lg2 of the patterns C1 and C2 inside the through holes H1 and H2 in the captured image G based on the shape information included in the pattern information. Templates TC1 and TC2 are moved so that a part of the outlines of the entire C2 (for example, templates TC1 and TC2 can be used) L1 and L2 match. Then, as shown in FIG. 12B, the reference position (the position of the reference points Ca1 and Ca2 of the patterns C1 and C2) is based on the movement amount and the rotation angle of the templates TC1 and TC2 in the x-direction and the y-direction. Coordinates) and orientation are estimated.
パターンC1,C2の基準点Ca1,Ca2の位置は、テンプレートTC1,TC2の基準点C01,C02の位置とテンプレートTC1,TC2の移動量とに基づいて推定することができる。パターンC1の向きは、X軸またはY軸である基準軸に対するパターンC1の基準線kC1の傾斜角度θC1で表すことができるが、パターンC1の向きを表す傾斜角度θC1は、テンプレートTC1の回転角度として推定することができる。
傾斜角度θは、符号(+、−)を有する値であり、符号により、回転の向きが分かる。また、傾斜角度θは、パターンCの形状が円形等である場合には、取得されない。
The positions of the reference points Ca1 and Ca2 of the patterns C1 and C2 can be estimated based on the positions of the reference points C01 and C02 of the templates TC1 and TC2 and the movement amount of the templates TC1 and TC2. The orientation of the pattern C1 can be represented by the tilt angle θC1 of the reference line kC1 of the pattern C1 with respect to the reference axis which is the X-axis or the Y-axis, but the tilt angle θC1 representing the orientation of the pattern C1 is used as the rotation angle of the template TC1. Can be estimated.
The tilt angle θ is a value having a sign (+, −), and the sign indicates the direction of rotation. Further, the inclination angle θ is not acquired when the shape of the pattern C is circular or the like.
なお、パターンC1,C2の基準点の位置は、形状情報に基づいて規定されるパターンC1,C2の外形線を用いて、撮像画像GにおけるパターンC全体の外形を規定し、その規定されたパターンCの全体の外形に基づいて取得することができる。このように、パターンC1,C2の基準位置や向きは、撮像画像Gとパターンの形状情報とに基づいて、または、撮像画像Gとパターンの形状情報および基準位置情報とに基づいて取得することができる。 The position of the reference point of the patterns C1 and C2 defines the outer shape of the entire pattern C in the captured image G by using the outer lines of the patterns C1 and C2 defined based on the shape information, and the defined pattern. It can be obtained based on the overall outer shape of C. As described above, the reference positions and orientations of the patterns C1 and C2 can be acquired based on the captured image G and the shape information of the pattern, or based on the captured image G and the shape information and the reference position information of the pattern. it can.
それに対して、貫通孔Hを表す画像は撮像画像Gに含まれる。そのため、貫通孔Hの基準位置、向きは、少なくとも撮像画像Gに基づいて取得することができる。例えば、図13(a)に示すように、貫通孔情報に含まれる基準位置情報、テンプレートTH1を用いて、撮像画像G上の貫通孔Hの外形線と、テンプレートTH1とが一致するようにテンプレートTH1を移動させ、そのx方向,y方向の移動量、回転角度に基づいて、貫通孔Hの基準点Ha1の位置である基準位置や向きθH1を取得することができる。
また、撮像画像Gにおいて規定された貫通孔Hの外形に基づいて、その貫通孔Hの基準点Ha1を取得して基準位置を取得するとともに、その貫通孔Hの基準線kH1を取得して、基準線kH1の基準軸に対する傾斜角度θH1を取得することもできる。また、マスクSの歪が小さい場合には、貫通孔情報に含まれる基準位置情報が表す基準位置を、貫通孔Hの基準位置とすること等もできる。
On the other hand, the image representing the through hole H is included in the captured image G. Therefore, the reference position and orientation of the through hole H can be acquired at least based on the captured image G. For example, as shown in FIG. 13A, using the reference position information included in the through-hole information, the template TH1, the template so that the outline of the through-hole H on the captured image G and the template TH1 match. TH1 can be moved, and the reference position and the direction θH1 which are the positions of the reference point Ha1 of the through hole H can be obtained based on the movement amount and the rotation angle in the x-direction and the y-direction.
Further, based on the outer shape of the through hole H defined in the captured image G, the reference point Ha1 of the through hole H is acquired to acquire the reference position, and the reference line kH1 of the through hole H is acquired. It is also possible to acquire the inclination angle θH1 with respect to the reference axis of the reference line kH1. Further, when the distortion of the mask S is small, the reference position represented by the reference position information included in the through hole information can be set as the reference position of the through hole H.
そして、図13(b)に示すように、貫通孔H,パターンCの形が円形である場合には、貫通孔H2の基準点Ha2の位置とパターンC2の基準点Ca2の位置とのx方向、y方向の隔たりΔx2、Δy2が取得され、貫通孔H,パターンCの形状が矩形である場合には、貫通孔H1の基準点の位置Ha1とパターンC1の基準点Ca1の位置とのx方向、y方向の隔たりΔx1、Δy1が取得されるとともに貫通孔HとパターンCとの成す角度(テンプレートの回転角度の差)Δθ1が取得されるのである。 Then, as shown in FIG. 13B, when the shape of the through hole H and the pattern C is circular, the x direction between the position of the reference point Ha2 of the through hole H2 and the position of the reference point Ca2 of the pattern C2. When the distances Δx2 and Δy2 in the y direction are acquired and the shape of the through hole H and the pattern C is rectangular, the x direction between the position Ha1 of the reference point of the through hole H1 and the position of the reference point Ca1 of the pattern C1. , The distances Δx1 and Δy1 in the y direction are acquired, and the angle (difference in the rotation angle of the template) Δθ1 formed by the through hole H and the pattern C is acquired.
ずれ依拠補正値(x方向,y方向の隔たり、角度)を成分とするベクトルであるずれ依拠補正ベクトルの取得の一例を、図14のフローチャートで表されるずれ依拠補正ベクトル取得プログラムに基づいて説明する。本実施例においては、互いに対応する複数の貫通孔Hの各々と複数のパターンCの各々とのうち、重要であるものを含む少なくとも1つの貫通孔Hの各々とそれに対応する少なくとも1つのパターンCとのずれがそれぞれ取得される。以下、これらずれが取得される対象の貫通孔H,パターンCを対象貫通孔H,対象パターンCと称する。 An example of acquiring a deviation-based correction vector, which is a vector whose components are deviation-based correction values (distance in the x-direction and y-direction, and an angle), will be described based on the deviation-based correction vector acquisition program represented by the flowchart of FIG. To do. In this embodiment, each of the plurality of through holes H corresponding to each other and each of the plurality of patterns C, each of at least one through hole H including an important one, and at least one pattern C corresponding thereto. The deviation from each is acquired. Hereinafter, the target through hole H and the pattern C from which these deviations are acquired will be referred to as the target through hole H and the target pattern C.
ステップ1(以下、S1と略称する。他のステップについても同様とする)において、第2撮像装置16により基板Pの基準マークMpとマスクSの基準マークMsとが撮像され、例えば、基準マークMpの中心点と基準マークMsの中心点とが一致するように、マスクSと基板Pとの水平方向の相対位置が制御されるのであり、基準マーク依拠位置合わせが行われる。そして、基板PがマスクSの下面に当接するまで上昇させられる。S2において、この状態で、第1撮像装置14により上方から撮像が行われ、撮像画像Gが得られ、S3において、nが1に設定される。nは、対象貫通孔H,対象パターンCの各々に予め設定された番号である。
In step 1 (hereinafter abbreviated as S1; the same applies to other steps), the reference mark Mp of the substrate P and the reference mark Ms of the mask S are imaged by the
S4において、撮像画像Gと貫通孔情報記憶部220に記憶された貫通孔情報とに基づいて、1番目のマスクSの対象貫通孔Hの基準点Ha1の位置(xHa1、yHa1)、テンプレートTH1の回転角度θH1が取得される。
S5において、撮像画像Gとパターン情報記憶部222に記憶されたパターン情報とに基づいて、対象パターンC1の基準点Ca1の位置(xCa1、yCa1)、回転角度θC1が推定される。
S6において、対象貫通孔H1の基準位置xHa1、yHa1と、対象パターンCの基準位置xCa1、yCa1との隔たりΔx1、Δy1、対象貫通孔H1と対象パターンC1との成す角度Δθ1が取得され、個別ずれベクトルが記憶される。
In S4, based on the captured image G and the through-hole information stored in the through-hole
In S5, the position (xCa1, yCa1) of the reference point Ca1 of the target pattern C1 and the rotation angle θC1 are estimated based on the captured image G and the pattern information stored in the pattern
In S6, the distances Δx1, Δy1 between the reference positions xHa1 and yHa1 of the target through hole H1 and the reference positions xCa1 and yCa1 of the target pattern C, and the angle Δθ1 formed by the target through hole H1 and the target pattern C1 are acquired, and individual deviations are obtained. The vector is stored.
図15のフローチャートに示すように、S61において、第i番目の対象貫通孔Hiと対象パターンCiとにおいて、基準位置(座標が表す値)の差が求められ(Δxi=xCai−xHai、Δyi=yCai−yHai)、回転角度θHi、θCiの差が対象貫通孔Hと対象パターンCとの成す角(Δθi=θCi−θHi)として求められる。そして、S62において、これら個別ずれΔxi、Δyi、Δθiを成分とする個別ずれベクトルαiが取得され、記憶されるのである。 As shown in the flowchart of FIG. 15, in S61, the difference in the reference position (value represented by the coordinates) is obtained between the i-th target through hole Hi and the target pattern Ci (Δxi = xCai-xHai, Δyi = yCai). −YHai), the difference between the rotation angles θHi and θCi is obtained as the angle (Δθi = θCi−θHi) formed by the target through hole H and the target pattern C. Then, in S62, the individual deviation vector αi having these individual deviations Δxi, Δyi, and Δθi as components is acquired and stored.
そして、S7において、nが1増加させられ、S8において、nが対象貫通孔等の個数Nより小さいか否かが判定される。最初にS8が実行される場合には判定はYESであるため、S4に戻され、同様に、2番目の対象貫通孔と対象パターンとについて、個別ずれベクトルが取得される。 Then, in S7, n is incremented by 1, and in S8, it is determined whether or not n is smaller than the number N of the target through holes and the like. When S8 is executed for the first time, the determination is YES, so the process is returned to S4, and similarly, individual deviation vectors are acquired for the second target through hole and the target pattern.
以下、対象貫通孔の各々と対象パターンの各々との個別ずれ、個別ずれベクトル等が、S4〜6の実行により、それぞれ、取得されるが、そのうちに、nがNに達すると、S8の判定がNOになり、S9において、個別ずれに基づいて平均的ずれ値が取得され、平均的ずれ値ベクトルが取得される。S10において、平均的ずれ値ベクトルの成分である平均的ずれ値に基づいてずれ依拠補正値が取得され、ずれ依拠補正値を成分とするずれ依拠補正ベクトルが取得される。
図16のフローチャートで示すように、S91において、対象貫通孔Hの各々と対象パターンCの各々とのそれぞれの個別ずれの成分(Δxi、Δyi、Δθi)に荷重Wiを掛けた値の合計を荷重Wiの和で割った値が平均的ずれ値として取得され、S92において、平均的ずれ値を成分とする平均的ずれベクトルβが取得される。また、本実施例においては、平均的ずれ値がずれ依拠補正値とされる。マスクSまたは基板Pがずれ依拠補正値移動させられることにより、貫通孔HとパターンCとのずれを小さくすることができる。荷重Wiは、0より大きく、1より小さい値であり、荷重Wiが大きい場合は、その「個別ずれ」の「ずれ依拠補正値」への影響が大きくなる。
Hereinafter, individual deviations, individual deviation vectors, etc. between each of the target through holes and each of the target patterns are acquired by executing S4 to 6, respectively, and when n reaches N, the determination of S8 is made. Becomes NO, and in S9, the average deviation value is acquired based on the individual deviation, and the average deviation value vector is acquired. In S10, the deviation dependence correction value is acquired based on the average deviation value which is a component of the average deviation value vector, and the deviation dependence correction vector having the deviation dependence correction value as a component is acquired.
As shown in the flowchart of FIG. 16, in S91, the sum of the values obtained by multiplying the individual deviation components (Δxi, Δyi, Δθi) of each of the target through holes H and each of the target patterns C by the load Wi is loaded. The value divided by the sum of Wi is acquired as the average deviation value, and in S92, the average deviation vector β having the average deviation value as a component is acquired. Further, in this embodiment, the average deviation value is used as the deviation dependence correction value. By moving the mask S or the substrate P by the deviation-based correction value, the deviation between the through hole H and the pattern C can be reduced. The load Wi is a value larger than 0 and smaller than 1, and when the load Wi is large, the influence of the “individual deviation” on the “deviation dependence correction value” becomes large.
本実施例において、ずれ依拠補正ベクトルが取得された後に、マスク印刷が行われる。
基板Pが下降させられ、マスクSから離間させられる。そして、ずれ依拠補正値に基づいて、マスクSまたは基板Pが水平方向へ移動させられることにより、基板PとマスクSとの水平方向の相対位置が補正される。基板Pが上昇させられ、マスクSの下面に当接する。その状態で、スキージ110a、110bによりクリーム状はんだの印刷が行われる。
このように、本実施例においては、マスクSの少なくとも1つの対象貫通孔Hの各々と基板Pの少なくとも1つのパターンCの各々とのずれ等に基づいてずれ依拠補正値が取得され、ずれ依拠補正値に基づいて、マスクSと基板Pとの水平方向の相対位置が補正されるため、仮に、基準マーク依拠位置合わせが行われなくても、クリーム状はんだを精度よくパターンに印刷することができる。
In this embodiment, mask printing is performed after the deviation reliance correction vector is acquired.
The substrate P is lowered and separated from the mask S. Then, the mask S or the substrate P is moved in the horizontal direction based on the deviation dependence correction value, so that the relative positions of the substrate P and the mask S in the horizontal direction are corrected. The substrate P is raised and comes into contact with the lower surface of the mask S. In that state, the creamy solder is printed by the
As described above, in this embodiment, the deviation dependence correction value is acquired based on the deviation between each of at least one target through hole H of the mask S and each of at least one pattern C of the substrate P, and the deviation dependence is obtained. Since the horizontal relative positions of the mask S and the substrate P are corrected based on the correction values, the creamy solder can be printed on the pattern with high accuracy even if the reference mark-based alignment is not performed. it can.
また、基板Pに形成された少なくとも1つの対象パターンCの基準位置、向きが取得され、それに基づいてマスクSに形成された対象貫通孔Hとのずれが取得されて、ずれ依拠補正値が取得されるため、基板Pが歪んでいたり変形していたりしても、クリーム状はんだを精度よくパターン上に印刷することができる。
さらに、対象貫通孔Hの基準位置、向きが撮像画像Gに基づいて取得されて、対象パターンCとのずれが取得されるため、マスクSが歪んでいたり、変形していたりしても、クリーム状はんだを精度よくパターン上に印刷することができる。
また、貫通孔の基準位置情報に基づけば、撮像画像Gにおいて対象貫通孔Hの位置を特定するのに便利である。
Further, the reference position and orientation of at least one target pattern C formed on the substrate P are acquired, and based on this, the deviation from the target through hole H formed in the mask S is acquired, and the deviation dependence correction value is acquired. Therefore, even if the substrate P is distorted or deformed, the creamy solder can be printed on the pattern with high accuracy.
Further, since the reference position and orientation of the target through hole H are acquired based on the captured image G and the deviation from the target pattern C is acquired, even if the mask S is distorted or deformed, the cream is creamed. The state solder can be printed on the pattern with high accuracy.
Further, based on the reference position information of the through hole, it is convenient to specify the position of the target through hole H in the captured image G.
なお、ずれ依拠補正値は、基板P毎に、取得されるようにすることができるが、マスク印刷が連続して行われる場合に、第1回目のマスク印刷の際に取得され、2回目からは、1回目に取得されたずれ依拠補正値を用いて位置合わせが行われるようにすることができる。
また、上記実施例においては、マスクSの下面に基板Pが当接した状態で、第1撮像装置14によりマスクSの撮像が行われたが、基板PがマスクSの下面から離間した状態で、撮像が行われるようにすることもできる。基板PがマスクSの下面から離間していても、基板PとマスクSとの水平方向の相対位置は同じであるからである。この状態も、基板PとマスクSとが重なった状態であるとする。
The deviation dependence correction value can be acquired for each substrate P, but when mask printing is continuously performed, it is acquired at the time of the first mask printing and from the second time. Can be aligned using the deviation-based correction value acquired the first time.
Further, in the above embodiment, the image of the mask S is performed by the
さらに、平均的ずれ値を取得する場合に、個別ずれに荷重を掛けることは不可欠ではなく、個別ずれの合計を個数で割った値であるずれの平均値を平均的ずれ値として取得することができる。
また、対象貫通孔Hと対象パターンCとの水平方向のずれを取得する際に、対象貫通孔H、対象パターンCの各々の基準位置を、それぞれ取得することは不可欠ではない。例えば、それぞれのテンプレートTHi、TCiの移動量の差を、対象貫通孔Hと対象パターンCとの水平方向のずれとして取得することができる。この場合において、テンプレートTCi,TCiの移動量の取得がそれぞれ貫通孔の基準位置の取得、パターンの基準位置の取得に対応すると考えることができる。
Furthermore, when acquiring the average deviation value, it is not essential to apply a load to the individual deviations, and it is possible to acquire the average value of the deviations, which is the value obtained by dividing the total of the individual deviations by the number, as the average deviation value. it can.
Further, when acquiring the horizontal deviation between the target through hole H and the target pattern C, it is not indispensable to acquire the reference positions of the target through hole H and the target pattern C, respectively. For example, the difference in the amount of movement of the respective templates THi and TCi can be acquired as a horizontal deviation between the target through hole H and the target pattern C. In this case, it can be considered that the acquisition of the movement amounts of the templates TCi and TCi corresponds to the acquisition of the reference position of the through hole and the acquisition of the reference position of the pattern, respectively.
以上のように、制御装置200の図14のフローチャートで表されるずれ依拠補正値取得プログラムのS1〜9を記憶する部分、実行する部分等によりずれ取得装置が構成され、制御装置200のS10を記憶する部分、実行する部分等によりずれ依拠補正値取得部が構成される。ずれ取得装置のうち、基準位置のx方向,y方向の隔たりを取得する部分が第1ずれ取得部に対応し、傾斜角度を取得する部分が第2ずれ取得部に対応し、また、S5を記憶する部分、実行する部分等のうち基準位置を推定する部分等により基準位置推定部が構成され、傾斜角度を推定する部分等により傾斜角度推定部が構成され、S4を記憶する部分、実行する部分のうち基準位置を取得する部分等により貫通孔基準位置取得部が構成される。さらに、また、S9(S91)を記憶する部分、実行する部分等により平均的ずれ値取得部が構成される。さらに、個別ずれを統計的に処理した値が平均的ずれ値に対応する。
また、S2が撮像工程に対応し、S2〜6がずれ取得工程に対応する。なお、制御装置200の図14のフローチャートで表されるずれ依拠補正値取得プログラムのS1〜10を記憶する部分、実行する部分等によりずれ依拠補正値取得装置が構成されると考えることができる。
As described above, the deviation acquisition device is configured by the portion that stores S1 to S9 of the deviation dependence correction value acquisition program represented by the flowchart of FIG. 14 of the
Further, S2 corresponds to the imaging process, and S2 to 6 correspond to the deviation acquisition process. It can be considered that the deviation dependence correction value acquisition device is composed of a portion for storing S1 to 10 of the deviation dependence correction value acquisition program represented by the flowchart of FIG. 14 of the
8:基板移動装置 12:スキージ装置 14:第1撮像装置 22:基板保持装置 82:マスク保持装置 83:マスク移動装置 110a,110b:スキージ 114:スキージ移動装置 120:x移動装置
8: Substrate moving device 12: Squeegee device 14: First imaging device 22: Board holding device 82: Mask holding device 83:
Claims (7)
前記マスクを保持するマスク保持装置と、
そのマスク保持装置の下方に設けられ、前記回路基板を保持する回路基板保持装置と、
前記マスク保持装置によって保持された前記マスクを上方から撮像可能な撮像装置と、
前記複数のパターンの各々に関する情報を記憶するパターン情報記憶部と、
前記回路基板保持装置によって保持された前記回路基板と前記マスク保持装置によって保持された前記マスクとが重なっている状態において、前記撮像装置によって撮像された撮像画像と、少なくとも前記パターン情報記憶部に記憶された前記情報のうち前記複数のパターンのうちの少なくとも1つのパターンである対象パターンの各々の形状に関する情報とに基づいて、前記少なくとも1つの対象パターンの各々の、それに対応する前記マスクに形成された前記複数の貫通孔のうちの少なくとも1つの貫通孔である対象貫通孔の各々に対する相対位置を推定し、前記少なくとも1つの対象貫通孔の各々と前記少なくとも1つの対象パターンの各々との水平方向のずれをそれぞれ取得するずれ取得装置と
を含むマスク印刷機。 A mask printing machine that prints viscous fluid on a portion represented by a plurality of patterns formed on a circuit board through a plurality of through holes formed in the mask.
A mask holding device for holding the mask and
A circuit board holding device provided below the mask holding device and holding the circuit board,
An imaging device capable of imaging the mask held by the mask holding device from above,
A pattern information storage unit that stores information about each of the plurality of patterns,
In a state where the circuit board held by the circuit board holding device and the mask held by the mask holding device overlap, the captured image captured by the imaging device and at least stored in the pattern information storage unit. Based on the information regarding the shape of each of the target patterns, which is at least one of the plurality of patterns, the mask is formed on the corresponding mask of each of the at least one target patterns. The relative position of each of the target through holes, which is at least one of the plurality of through holes, is estimated, and the horizontal direction of each of the at least one target through holes and each of the at least one target patterns. A mask printing machine including a deviation acquisition device for acquiring each deviation.
前記撮像画像と、少なくとも前記パターン情報記憶部に記憶された前記少なくとも1つの対象パターンの各々の前記形状に関する情報とに基づいて、前記少なくとも1つの対象パターンの各々の基準点の位置である基準位置を推定する基準位置推定部と、
その基準位置推定部によって推定された前記少なくとも1つの対象パターンの各々の前記基準位置と、前記少なくとも1つの対象貫通孔の各々の基準点の位置である基準位置とに基づいて、前記少なくとも1つの対象貫通孔の前記基準点の各々と前記少なくとも1つの対象パターンの前記基準点の各々との隔たりを前記ずれとしてそれぞれ取得する第1ずれ取得部と
を含む請求項1に記載のマスク印刷機。 The deviation acquisition device
A reference position, which is the position of each reference point of the at least one target pattern, based on the captured image and at least the information about the shape of each of the at least one target patterns stored in the pattern information storage unit. The reference position estimation unit that estimates
The at least one is based on the reference position of each of the at least one target patterns estimated by the reference position estimation unit and the reference position which is the position of each reference point of the at least one target through hole. The mask printing machine according to claim 1, further comprising a first deviation acquisition unit that acquires the distance between each of the reference points of the target through hole and each of the reference points of the at least one target pattern as the deviation.
前記第1ずれ取得部が、前記撮像画像と、少なくとも前記貫通孔情報記憶部に記憶された前記情報のうちの前記複数の貫通孔のうちの前記少なくとも1つの対象貫通孔の各々の形状に関する情報とに基づいて、前記少なくとも1つの対象貫通孔の各々の前記基準位置をそれぞれ取得する貫通孔基準位置取得部を含む請求項2に記載のマスク印刷機。 The mask printing machine includes a through-hole information storage unit that stores information about each of the plurality of through-holes.
The first deviation acquisition unit provides information on the shape of each of the captured image and at least one target through hole among the plurality of through holes in the information stored in the through hole information storage unit. The mask printing machine according to claim 2, further comprising a through-hole reference position acquisition unit that acquires the reference position of each of the at least one target through-holes based on the above.
前記撮像画像と、少なくとも前記パターン情報記憶部に記憶された前記少なくとも1つの対象パターンの形状に関する情報とに基づいて、基準軸に対する前記少なくとも1つの対象パターンの各々の傾斜角度を推定する傾斜角度推定部と、
その傾斜角度推定部によって推定された前記少なくとも1つの対象パターンの各々の前記傾斜角度と、前記少なくとも1つの対象貫通孔の各々の前記基準軸に対する傾斜角度とに基づいて、前記対象貫通孔の各々と前記対象パターンの各々との成す角度を前記ずれとしてそれぞれ取得する第2ずれ取得部と
を含む請求項1ないし3のいずれか1つに記載のマスク印刷機。 The deviation acquisition device
Tilt angle estimation that estimates the tilt angle of each of the at least one target pattern with respect to the reference axis based on the captured image and at least information about the shape of the at least one target pattern stored in the pattern information storage unit. Department and
Each of the target through holes is based on the tilt angle of each of the at least one target patterns estimated by the tilt angle estimation unit and the tilt angle of each of the at least one target through holes with respect to the reference axis. The mask printing machine according to any one of claims 1 to 3, further comprising a second deviation acquisition unit that acquires an angle formed by each of the target patterns as the deviation.
前記マスクと前記回路基板とを重ねた状態において、上方から前記マスクを撮像する撮像工程と、
前記撮像工程において得られた撮像画像と、前記対象パターンに関する情報とに基づいて、前記対象パターンの、それに対応する前記貫通孔である対象貫通孔に対する相対位置を推定する相対位置推定工程と、
その相対位置推定工程において推定された前記相対位置に基づいて、前記少なくとも1つの対象貫通孔の各々と前記少なくとも1つの対象パターンの各々とのずれをそれぞれ個別に取得する個別ずれ取得工程と
を含むずれ取得方法。 Each of the target through holes, which is at least one through hole of the plurality of through holes formed in the mask, and each of the target patterns, which is at least one pattern of the plurality of patterns formed on the circuit board. This is a deviation acquisition method for acquiring the deviation in the horizontal direction.
An imaging step of imaging the mask from above with the mask and the circuit board overlapped with each other.
A relative position estimation step of estimating the relative position of the target pattern with respect to the target through hole, which is the corresponding through hole, based on the captured image obtained in the imaging step and the information about the target pattern.
The individual deviation acquisition step of individually acquiring the deviation between each of the at least one target through hole and each of the at least one target pattern based on the relative position estimated in the relative position estimation step is included. How to get the deviation.
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