JP2021012955A - 配線基板の製造方法及び配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】品質の向上した配線基板の提供。【解決手段】実施形態の配線基板１の製造方法は、複数の配線基板１を含むワークパネル１００を用意することと、ワークパネル１００を切断して配線基板１に分割することとを含み、ワークパネル１００を用意することは、第１面４Ｆ及び第２面４Ｓを有し、第１面４Ｆに第１導体層５を備える第１絶縁層４を用意することと、第１面４Ｆ側に少なくとも一組の絶縁層４ａ及び導体層５ａを積層することと、第１導体層５を底面に露出させる凹部２を形成することと、を含み、ワークパネル１００を切断して複数個の配線基板１に分割することは、凹部２の底面に、少なくとも第１導体層５を貫通する貫通孔Ｈを設けることと、貫通孔Ｈの内壁が切断面に露出するように凹部２の切断を行うことにより、配線基板１の側面に開放端を有するキャビティＣを配線基板１に形成することとを含んでいる。【選択図】図１

Description

本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、底面全体に銅膜からなるストッパ層を露出するキャビティが形成された配線基板が開示されている。

特開２００６−１９４４１号公報

特許文献１の配線基板では、キャビティを分割するように配線基板を切断する場合、ストッパ層の切断端面におけるバリや延びが生じるおそれがある。

本発明の配線基板の製造方法は、複数の配線基板を含むワークパネルを用意することと、前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することと、を含んでいる。そして、前記ワークパネルを用意することは、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有すると共に前記第１面に第１導体層を備える第１絶縁層を用意することと、前記第１面及び前記第１導体層の上に少なくとも一組の絶縁層及び導体層を積層することと、前記少なくとも一組の絶縁層及び導体層の一部を除去することによって、前記第１導体層を底面に露出させる凹部を形成することと、を含み、前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することは、前記凹部の底面に、少なくとも前記第１導体層を貫通する貫通孔を設けることと、前記貫通孔の内壁が切断面に露出するように前記凹部の切断を行うことにより、配線基板の側面に開放端を有するキャビティを前記配線基板に形成することと、を含んでいる。

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有すると共に前記第１面に第１導体層を備えるコア基板と、前記コア基板の前記第１面側に積層されるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層に形成され、前記ビルドアップ層の表面および側面に開口を有するキャビティと、を備えている。そして、前記キャビティの底面には前記第１導体層の前記コア基板と反対側の表面が露出しており、前記側面は、前記配線基板の内部に向かって凹んでいる、前記第１導体層の湾曲部を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、電子部品が搭載されるキャビティの底面に露出する導体層が切断領域に延びている場合であっても、ワークパネルの切断が良好に行われ得る。金属箔の切断端面におけるバリや延びの発生が防止され得る。接続信頼性の高いプリント配線板を提供することができる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板の平面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例である配線基板１の一部の断面図が示されている。図２には図１の配線基板１の平面図が示されている（図１は図２のＩ−Ｉ線での断面図である）。一実施形態の製造方法は、図３Ａ〜３Ｆに示されている。図１および図２に示されるように、配線基板１は、第１面４Ｆ及び第１面４Ｆと反対側の第２面４Ｓを有する第１絶縁層４と、第１面４Ｆ上に設けられている第１導体層５と、第１面４Ｆ及び第１導体層５の上に積層されている少なくとも一組の絶縁層４ａ及び導体層５ａと、第１導体層５を露出させるキャビティＣとを備えている。図１の例では、第１絶縁層４の第１面４Ｆ及び第１導体層５の上に、全部で６つの絶縁層４ａと全部で６つの導体層５ａとが交互に積層されており、６組の絶縁層４ａ及び導体層５ａが積層されている。キャビティＣは、この少なくとも一組の絶縁層４ａ及び導体層５ａを貫通している。

配線基板１は、第１絶縁層４の第２面４Ｓ側に、第２導体層６と、第２面４Ｓ及び第２導体層６の上に積層されている少なくとも一組の絶縁層４ｂ及び導体層６ｂとをさらに備えている。図１の例では、第１絶縁層４の第２面４Ｓ及び第２導体層６の上に、全部で６つの絶縁層４ｂと全部で６つの導体層６ｂとが交互に積層されており、６組の絶縁層４ｂ及び導体層６ｂが積層されている。

配線基板１は、導体層５ａ、６ｂをそれぞれ含む２つのビルドアップ層１１、１２と２つのビルドアップ層１１、１２に挟まれているコア基板１０とを備えており、所謂、ビルドアップ多層配線基板の構造を有している。図１に示される例では、ビルドアップ層１１は、６つの導体層５ａと、各導体層間に介在する絶縁層４ａとの積層体によって構成されている。導体層５ａのそれぞれは、所望の導体パッドおよび／または配線パターンを有するように適宜パターニングされている。そして、各絶縁層４ａは、それぞれの絶縁層における上下両側の導体層同士を接続する複数のビア導体７を含んでいる。ビルドアップ層１２は、６つの導体層６ｂと、各導体層間に介在する絶縁層４ｂとの積層体によって構成されている。導体層６ｂのそれぞれは、所望の導体パッドおよび／または配線パターンを有するように適宜パターニングされている。そして、各絶縁層４ｂは、それぞれの絶縁層における上下両側の導体層同士を接続する複数のビア導体７を含んでいる。

図１の例では、ビルドアップ層１１、１２は互いに同数の導体層５ａ、６ｂを含んでいる。しかし、ビルドアップ層１１、１２は互いに異なる数の導体層５ａ、６ｂを含んでいてもよい。

コア基板１０は第１絶縁層４からなる絶縁層と、第１導体層５および第２導体層６とを備えている。コア基板１０は、第１導体層５と第２導体層６とを接続するスルーホール導体７０を含んでいる。なお、コア基板１０は、２つの絶縁層に挟まれた金属層を有するメタルコア基板（図示せず）であってもよい。その場合、メタルコア基板の一方の絶縁層が、第１絶縁層４によって構成され得る。

第１及び第２の導体層５、６、各導体層５ａ、各導体層６ｂ、各ビア導体７、及びスルーホール導体７０は、好ましくは金属製の導電体、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、銅の電解若しくは無電解めっき膜によって構成される。図１の例では、第１及び第２の導体層５、６は、それぞれ、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含む３層構造を有している。一方、各導体層５ａ、各導体層６ｂ、各ビア導体７及びスルーホール導体７０は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含む２層構造を有している。

第１絶縁層４及び絶縁層４ａ、４ｂは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材及び／又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図１の例では、第１絶縁層４は、ガラス繊維を含む補強材４１を含んでいる。

図１に示される例では、配線基板１はビルドアップ層１１の最外層の導体層５ａ及び絶縁層４ａ上にソルダーレジスト層８ａを備え、ビルドアップ層１２の最外層の導体層６ｂ及び絶縁層４ｂ上にソルダーレジスト層８ｂを備えている。ソルダーレジスト層８ａ、８ｂは、ビルドアップ層１１、１２それぞれの最外層の導体層５ａ、６ｂそれぞれが有する導体パッドを露出させる開口８ｃを備えている。ソルダーレジスト層８ａ、８ｂは、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

キャビティＣは、キャビティＣの内部に露出する底面を有している。キャビティＣの内部には、配線基板１に実装される半導体集積回路装置等の外部の電子部品が載置され得る。キャビティＣの内部には、複数の電子部品が搭載されてもよい。任意の数の電子部品が搭載され得る。キャビティＣの底面は、金属層で構成されている。図１の例では、キャビティＣの底面は、第１導体層５の露出部５０における第１絶縁層４と反対側の表面によって構成されている。

キャビティＣは、配線基板１の端縁まで延びている。すなわち、図２のような平面視においてキャビティＣの少なくとも一辺は、配線基板１の縁部と一致している。したがって、キャビティＣの底面を形成している第１導体層５は、図１に示されているように、配線基板１の少なくとも１つの縁部の側面に露出している。

キャビティＣのサイズは、収容される電子部品に応じて適宜選択され得る。例えば図１に示される例では、キャビティＣは、６層の絶縁層４ａの厚み分の深さをもつように形成されている。しかし、キャビティＣの側面を形成する絶縁層４ａの層数は図１の例に限定されない。また、キャビティＣの平面形状も、キャビティＣ内に収容される電子部品の形状などに応じて、任意の平面形状で形成され得る。ただし、いずれの場合も、前述のように、キャビティＣの少なくとも一辺は、配線基板１の縁部と一致するように形成されている。キャビティＣは、配線基板１の表面および配線基板１の側面の少なくとも一部に開口を有するように形成されている凹部である。

図２に示されるように、配線基板１の第１絶縁層４の第１面４Ｆ側の表面は、ソルダーレジスト層８ａに被覆されている。導体層５ａに含まれる導体パッドが、ソルダーレジスト層８ａの開口８ｃから露出している。また、キャビティＣの底面を構成している第１導体層５の露出部５０がキャビティＣの内部に露出している。

図２では、導体パッドは円形の形状で、ソルダーレジスト層８ａの開口８ｃから露出している。しかしながら、導体パッドの形状は図示のものに限定されるわけではない。また、導体パッドの数または配列なども、図２に示されている例に限定されない。任意の所望の数の導体パッドが、接続される外部の電子部品の端子などにあわせて適宜配列され得る。

図２に示されているように、配線基板１のキャビティＣは、略矩形の平面形状においてその一端が開放されているような凹部形状で形成されている。キャビティＣの凹部形状は、ビルドアップ層１１の断面によって構成される３方の側面と、第１導体層５の露出部５０によって構成される底面とによって画定されている。

図２に示されているキャビティＣの底面における開放端は、湾曲部Ｃ１を含んでいる。湾曲部Ｃ１は、配線基板１の縁部に含まれるように形成されている。湾曲部Ｃ１は、キャビティＣの開放端と反対側のキャビティＣの側面に向かって凹むように形成されている。

図１および図２に示される配線基板１を製造する方法が図３Ａ〜３Ｆを参照して具体的に示される。なお、添付の図面において、配線基板のキャビティＣなどを含む各構成要素のサイズや形状の正確な比率を示すことは意図されていない。

まず、配線基板１を多数個含むようなワークパネル１００が製造される。本実施形態では、このようなワークパネル１００が切断されることによって複数個の配線基板１に分割される。

図３Ａに示されるように、ワークパネル１００（図３Ｃおよび３Ｄ参照）のためのコア基板１０が用意される。図３Ａ〜３Ｃでは、配線基板１となる領域Ａが対向して２つ連結されて（図３Ｃ参照）形成されているコア基板１０の領域が例として示されている。例えば、コア部となる絶縁層として第１絶縁層４を有する両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板は、第１絶縁層４の第１面４Ｆに第１導体層５となる銅箔を備えると共に、第１絶縁層４の第２面４Ｓに第２導体層６となる銅箔を備えている。

コア基板１０へのドリル加工又はレーザー加工などによって、スルーホール導体７０の形成位置に貫通孔が形成される。そして、例えばセミアディティブ法を用いて、例えば銅の無電解めっき膜及び銅の電解めっき膜を含み、所望の導体パターンを有する第１導体層５及び第２導体層６が形成される。同時に、銅の無電解めっき膜及び電解めっき膜を含むスルーホール導体７０が形成される。例えばこのようにして、第１面４Ｆに第１導体層５を、第２面４Ｓに第２導体層６を備える第１絶縁層４が用意される。第１導体層５は、キャビティＣの底面を形成して配線基板１から露出される露出部５０を含んでいる。なお、第１及び第２の導体層５、６並びにスルーホール導体７０の形成には、サブトラクティブ法が用いられてもよい。また、両面銅張積層板を用いずに、第１絶縁層４の両面にセミアディティブ法によって、金属箔を有さない第１及び第２の導体層５、６が形成されてもよい。

図３Ｂに示されるように、第１絶縁層４の第１面４Ｆ及び第１導体層５の上に、それぞれ複数の絶縁層４ａ及び導体層５ａを積層することによってビルドアップ層１１が形成される。好ましくはビルドアップ層１１の形成と同時に、第１絶縁層４の第２面４Ｓ及び第２導体層６の上に、それぞれ複数の絶縁層４ｂ及び導体層６ｂを積層することによってビルドアップ層１２が形成される。

ビルドアップ層１１、１２の形成には、一般的なビルドアップ工法が用いられ得る。例えばフィルム状のエポキシ樹脂又はプリプレグをコア基板１０の両面に積層することによって絶縁層４ａ、４ｂが形成される。絶縁層４ａ、４ｂにビア導体７用の貫通孔がレーザー加工又はドリル加工などによって形成される。そして例えばセミアディティブ法を用いて、所望の導体パターンを有する導体層５ａ、６ｂ及びビア導体７が、それぞれ形成される。同様の工程を所望の回数（図３Ｂの例では５回）繰り返すことによって、ビルドアップ層１１、１２が形成され得る。好ましくは、図３Ｂに示されるように、キャビティＣの形成領域Ｃ２内の各導体層５ａには、ダミーパターン５１が設けられる。

なお、本実施形態の配線基板の製造方法において、第１絶縁層４及び第１導体層５の上方への複数の絶縁層４ａ及び導体層５ａの積層には、必ずしもビルドアップ工法が用いられなくてもよい。例えば、絶縁層４ａと導体層５ａとを事前に積層することによって形成された１つ又は複数の配線板が一括してプリプレグを介して積層されてもよい。また、各導体層の導体パターンの形成にも、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、又はフルアディティブ法などが、適宜用いられ得る。

ビルドアップ層１１上にソルダーレジスト層８ａが形成され、ビルドアップ層１２上にソルダーレジスト層８ｂが形成される。ソルダーレジスト層８ａ、８ｂは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層８ａ、８ｂには、露光及び現像によって開口８ｃが形成される。

続いて、図３Ｃに示されるように、ドリルやレーザーなどを用いたザグリ加工により、絶縁層４ａ及び導体層５ａの一部を除去することによって、ビルトアップ層１１に凹部２が形成される。ワークパネル１００が完成される。本実施形態では、ワークパネル１００において、少なくとも２つの配線基板１のキャビティＣとなる部分がそれぞれ対向するように、配線基板１となる領域Ａが連結されて製造されている。したがって、図３Ｄに示されているように、凹部２は、少なくとも一対の配線基板１におけるそれぞれのキャビティＣとなる部分に跨るように形成される。凹部２の形成において、キャビティＣの底面となる位置に設けられている第１導体層５の導体パターン（露出部５０）が、ドリルまたはレーザー光のストッパ層として機能し得る。したがって、ザグリ加工後の凹部２の底面には、第１導体層５の導体パターン（露出部５０）が露出している。

次いで、ワークパネル１００が個片の配線基板１へと切断される。切断は、凹部２を横断するように、領域Ａ同士の境界を切断領域として行われる。凹部２の底面には、前述のように、第１導体層５の導体パターン（露出部５０）が露出している。第１導体層５は、例えば銅箔などの金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含む３層の金属層などの金属層で形成されている。このような第１導体層５がコア基板１０およびビルドアップ層１２の絶縁層４ｂとともに切断されると、切断された第１導体層５の切断端面にバリや延びが発生するおそれがある。また、切断時に第１導体層５に加わる外力が、樹脂と金属との接合を引き離す方向に加わることによって、第１導体層５が切断端面において第１絶縁層４から剥離するおそれもある。これらによって配線基板１における切断端面が平滑でなくなる可能性がある。配線基板１が組み込まれる装置において他の基板や部品に悪影響を及ぼすおそれがあると考えられる。配線基板１の製品としての外観性も低下するおそれがある。また、第１導体層５の剥離が生じると、キャビティＣがコア基板１０によって十分に支持されなくなったり、キャビティＣへの電子部品などの実装工程に支障をきたすことがある。電子部品を実装する歩留まりが低下するおそれがある。

本実施形態では、凹部２を横断する切断において、まず、図３Ｅに示されるように、凹部２の底面に、領域Ａ同士の境界に沿うように、凹部２の底面に対して垂直方向に、すなわち配線基板１の積層方向に、貫通孔Ｈが形成される。貫通孔Ｈの形成は、好ましくはドリル加工によって行われ得る。第１導体層５におけるバリや延び、剥離などが起きにくいと考えられる。例えば貫通孔Ｈは、これに限定されるわけではないが、平面形状で直径ｄの略円形状の貫通孔をドリル加工により互いに重なり合うように連続させて形成することによって形成される。したがって、貫通孔Ｈは幅ｄを有している。幅ｄの大きさは例えば、８００μｍ程度以上、３８００μｍ程度以下である。貫通孔Ｈの長さＬ１は、例えば凹部２の切断方向の長さＬ２の約５０％〜９５％程度である。貫通孔Ｈがこの程度の長さＬ１を有していれば、後述のワークパネル１００の切断後に、清浄な切断端面が十分に得られ得ると考えられる。

続いて、図３Ｆに示されるように、領域Ａ同士の境界において切断が行われる。切断は、好ましくは、刃径が貫通孔Ｈの幅ｄよりも小さいルータを使用して行われる。したがって、貫通孔Ｈが形成されている切断領域においては、ルータの刃は第１導体層５やコア基板１０、ビルドアップ層１２と接触しない。この結果、切断後に得られる配線基板１における切断端面には、貫通孔Ｈの一部の内壁が露出している。凹部２の底面を形成していた第１導体層５の導体パターン（露出部５０）における切断端面は、大部分が貫通孔Ｈにより形成される。よって、切断端面におけるバリなどの発生が顕著に抑制されると考えられる。発生したバリにより、配線基板１が組み込まれる装置において他の基板や部品に悪影響を及ぼすおそれがない。切断時における第１導体層５の延びや剥離も生じにくいと考えられる。配線基板１に電子部品を実装する際の歩留まりも向上すると考えられる。

この切断により、少なくとも２つの配線基板１（図１および図２参照）が形成される。本実施形態では、ルータによるワークパネル１００の切断が、貫通孔Ｈの形成場所では、貫通孔Ｈに沿って、かつ、その内側をルータが通るように行われる。したがって、凹部２の切断部は、貫通孔Ｈの一部を構成していた湾曲部Ｃ１を含んでいる。よって、製造される配線基板１は、配線基板１の側面のキャビティＣの開放端に湾曲部Ｃ１を含んでいる。すなわち、キャビティＣの開口が形成されている配線基板１の側面は、配線基板の内部に向かって凹んでいる湾曲部Ｃ１を含んでいる。湾曲部Ｃ１における配線基板１の端面は、バリ等の発生が見られない清浄な端面である。また、切断部近くのキャビティＣの底面に剥離などが見られることもない。

キャビティＣの形成後、キャビティＣの底面に露出する第１導体層５の露出部５０、および、ソルダーレジスト層８ａ、８ｂの開口８ｃ内に保護膜（図示せず）が形成されてもよい。保護膜は例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又はＳｎなどの複合又は単一の金属めっき膜であってよく、また、ＯＳＰ膜であってもよい。

図１および図２に例示の配線基板１の製造を例に、実施形態の配線基板の製造方法が説明されたが、実施形態の配線基板の製造方法は、説明された手順に限定されない。例えば、凹部２はザグリ加工によってではなく、凹部２の形成領域に剥離層を設けることによって形成されてもよい。例えば、第１絶縁層４の第１面４Ｆ及び第１導体層５の上に絶縁層４ａが積層される前に、凹部２の底面を形成する第１導体層５の露出部５０上に、第１導体層５と密着するものの比較的弱い力で容易に第１導体層５から分離され得る粘着層と、絶縁層４ａに対して十分な接着性を発現し得る接合層とから構成される剥離層が設けられる。ビルドアップ層１１の形成後、凹部２の形成領域の周囲全周にわたってレーザー照射などによって溝が形成される。そして、ビルドアップ層１１中の溝２１に囲まれた部分が、剥離層と共に除去されることにより、凹部２が形成されてもよい。

また、実施形態の配線基板の製造方法に関して説明された条件や順序などは適宜変更されてよく、現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。本実施形態のワークパネル１００の切断プロセスは、配線基板１のキャビティＣとなる部分がそれぞれ対向する向きで連結されているようなワークパネルに適用されるだけでなく、開放端を有するキャビティをもつ基板を形成するために凹部の一部を切断することを含む様々な製造方法に適用することができる。

また、実施形態の製造方法によって得られる実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板１は任意の数の導体層５ａ、６ｂ及び絶縁層４ａ、４ｂを有し得る。各導体層５、６、５ａ、６ｂは、各図面に示されるような３層構造若しくは２層構造でなくてもよい。スルーホール導体７０及び各ビア導体７は、必ずしもテーパー形状を有していなくてもよい。また、キャビティＣは、ビルドアップ層１１の一部の層だけを貫通するように設けられてもよい。また、実施形態の配線基板はビルドアップ層だけで構成される配線基板であってもよい。

１ 配線基板
１０ コア基板
１００ ワークパネル
１１、１２ ビルドアップ層
２ 凹部
４ 第１絶縁層
４Ｆ 第１面
４Ｓ 第２面
４ａ、４ｂ 絶縁層
５ 第１導体層
５ａ 導体層
５０ 露出部
６ 第２導体層
６ｂ 導体層
７ ビア導体
７０ スルーホール導体
８ａ、８ｂ ソルダーレジスト層
Ａ 配線基板の形成領域
Ｃ キャビティ
Ｃ１ 湾曲部
Ｈ 貫通孔

Claims (6)

1. 複数の配線基板を含むワークパネルを用意することと、
   前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することと、
   を含む配線基板の製造方法であって、
   前記ワークパネルを用意することは、
   第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有すると共に前記第１面に第１導体層を備える第１絶縁層を用意することと、
   前記第１面及び前記第１導体層の上に少なくとも一組の絶縁層及び導体層を積層することと、
   前記少なくとも一組の絶縁層及び導体層の一部を除去することによって、前記第１導体層を底面に露出させる凹部を形成することと、
   を含み、
   前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することは、
   前記凹部の底面に、少なくとも前記第１導体層を貫通する貫通孔を設けることと、
   前記貫通孔の内壁が切断面に露出するように前記凹部の切断を行うことにより、配線基板の側面に開放端を有するキャビティを前記配線基板に形成することと、
   を含んでいる。
2. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することは、前記凹部の前記底面に露出された前記第１導体層を切断することを含んでいる。
3. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記凹部の前記底面に貫通孔を設けることは、ドリル加工によって前記第１導体層を貫通する貫通孔を形成することを含んでいる。
4. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することは、ルータ加工によって前記貫通孔の内壁が切断面に露出するように前記凹部の切断を行うことを含んでいる。
5. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記複数の配線基板を含むワークパネルを用意することは、少なくとも２つの配線基板のキャビティ同士が対向する向きで連結される一対の配線基板を用意することを含み、
   前記ワークパネルを切断して複数個の配線基板に分割することは、前記対向する向きにおける前記一対の配線基板の中央部を切断することにより、前記キャビティを有する少なくとも２つの配線基板を製造することを含んでいる。
6. 第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有すると共に前記第１面に第１導体層を備えるコア基板と、
   前記コア基板の前記第１面側に積層されるビルドアップ層と、
   前記ビルドアップ層に形成され、前記ビルドアップ層の表面および側面に開口を有するキャビティと、
   を備える配線基板であって、
   前記キャビティの底面には前記第１導体層の前記コア基板と反対側の表面が露出しており、
   前記側面は、前記配線基板の内部に向かって凹んでいる、前記第１導体層の湾曲部を含んでいる。

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