JP2021010562A - 遊技機 - Google Patents

Abstract

【課題】遊技球の発射動作の正確性を長期間にわたって安定的に維持できる遊技機を提供する。【解決手段】球送りソレノイドＳＬｆの動作に基づいて、遊技球を所定の発射位置に誘導する誘導動作と、発射位置に遊技球が誘導された後、発射ソレノイドＳＬｅの動作に基づいて遊技球を打撃する発射動作と、を有して構成され、誘導動作は、規定電流を球送りソレノイドＳＬｆに供給する起動動作と、起動動作を終えた後、規定電流より低電流で球送りソレノイドＳＬｆを機能させる保持動作と、に区分されている。【選択図】図１０

Description

本発明は、遊技球の発射動作の正確性を長期間にわたって安定的に維持できる構成を有する遊技機に関する。

パチンコ機などの弾球遊技機は、遊技盤に設けた図柄始動口と、複数の表示図柄による一連の図柄変動態様を表示する図柄表示部と、開閉板が開閉される大入賞口などを備えて構成されている。そして、図柄始動口に設けられた検出スイッチが遊技球の通過を検出すると入賞状態となり、遊技球が賞球として払出された後、図柄表示部では表示図柄が所定時間変動される。その後、７・７・７などの所定の態様で図柄が停止すると大当り状態となり、大入賞口が繰返し開放されて、遊技者に有利な遊技状態を発生させている。

大当りの遊技状態を発生させるか否かは、図柄始動口に遊技球が入賞したことを条件に実行される大当り抽選で決定されており、上記の図柄変動動作は、この抽選結果を踏まえたものとなっている。例えば、抽選結果が当選状態である場合には、リーチアクションなどと称される演出動作を２０秒前後実行し、その後、特別図柄を整列させている。

ところで、この種の遊技機では、図柄始動口に遊技球が入賞しない限り、上記の抽選処理は実行されないので、遊技者は、発射ハンドルの回転位置を適宜に変化させることで、目的位置に向かって遊技球を発射させている。具体的には、球送りソレノイドの動作に対応して発射位置に誘導された遊技球が、発射ソレノイドに対応して動作する打撃槌によって発射される（特許文献１、特許文献２）。

例えば、引用文献２の構成では、発射位置の遊技球に続くべき遊技球を、待機位置に受け入れる受入動作と、後続の遊技球の移動を阻止しつつ、待機位置の遊技球を発射位置に移動させる流出動作とが、球送りソレノイドの通電に基づいて切換えられる。また、引用文献１には、後続の遊技球の移動を阻止した状態で、最先端の遊技球だけ発射位置に移動させるソレノイドＯＮ動作（図１１（ａ））と、最先端の遊技球の移動を阻止しつつ、後続の遊技球の移動を許可するソレノイドＯＦＦ動作（図１１（ｂ））と、が開示されている。

特開２０１６−３６６００号公報 特開２００８−２８９５８０号公報

上記の通り、この種の遊技機にとって、遊技球の発射動作の正確性は極めて重要であり、発射ハンドルの回転位置と、打撃槌による遊技球への打撃強度には、一対一の関係が必須であり、遊技球の到達位置がばらつくようなことがあってはならない。

しかし、大きな消費電力によって、球送りソレノイドの劣化が促進されると、正確な球送り動作を長期間に亘って維持することができない。

また、球送りソレノイドの劣化によって電源ラインやグランドラインに設定値を超える大電流が流れると、電源ラインやグランドラインの電圧降下が増加し、発射ソレノイドに供給される駆動電圧が低下することで、正確な発射動作を維持できない。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、遊技球の発射動作の正確性を長期間にわたって安定的に維持できる遊技機を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明は、球送りソレノイドと、発射ソレノイドを適宜に動作させることで、遊技媒体を遊技領域に向けて発射する発射制御部を有する遊技機であって、前記球送りソレノイドの動作に基づいて、遊技媒体を所定の発射位置に誘導する誘導動作と、前記発射位置に遊技媒体が誘導された後、前記発射ソレノイドの動作に基づいて、前記発射位置の遊技媒体を打撃する発射動作と、を有して構成され、前記誘導動作は、規定電流を前記球送りソレノイドに供給する起動動作と、前記起動動作を終えた後、規定電流より低電流で前記球送りソレノイドを機能させる保持動作と、に区分されている。

上記した本発明によれば、遊技球の発射動作の正確性を長期間にわたって安定的に維持できる遊技機を実現できる。

本実施例のパチンコ機を示す斜視図である。 本実施例の遊技盤の概略正面図である。 本実施例の全体回路構成を示すブロック図である。 主制御基板と払出制御基板の要部を示す回路ブロック図である。 電源基板から払出制御基板への配電を説明する図面である。 払出制御基板の隔離ラインを説明する図面である。 発射制御回路素子とタッチセンサとを図示したものである。 発射制御回路素子の要部を説明する回路図である。 発射制御回路素子のカウント動作を説明するタイムチャートである。 発射制御回路素子のソレノイド制御動作を説明するタイムチャートである。 球送りソレノイドと発射ソレノイドの変形動作例を説明するタイムチャートである。

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本実施例のパチンコ機ＧＭを示す斜視図であり、図２は、遊技盤５の正面図を示している。また、図３は、パチンコ機ＧＭの全体回路構成を示すブロック図であり、図４は、主制御基板２１と払出制御基板２４の内部構成をやや詳細に示すブロック図である。

先ず、図１に示す通り、このパチンコ機ＧＭは、島構造体に着脱可能に装着される矩形枠状の木製外枠１と、木製外枠１に固着されたヒンジ２を介して開閉可能に枢着される前枠３とで構成されている。

この前枠３には、遊技盤５が、裏側からではなく、表側からワンタッチコネクタを利用して着脱自在に装着され、その前側には、ガラス扉６と前面板７とが夫々開閉自在に枢着されている。ここで、ワンタッチコネクタとは、一の装着操作で複数の接点が接続状態となり、一の分離操作で複数の接点が分離状態となる接続コネクタＣ１〜Ｃ３（図３参照）を意味する。

ガラス扉６の外周には、ＬＥＤランプなどによる電飾ランプが、略Ｃ字状に配置されている。一方、ガラス扉６の下側には、スピーカが配置されている。

前面板７には、発射用の遊技球を貯留する上皿８が装着され、前枠３の下部には、上皿８から溢れ出し又は抜き取った遊技球を貯留する下皿９と、発射ハンドル１０とが設けられている。発射ハンドル１０は、その回動角度に応じた強度で動作する打撃槌によって遊技球が発射される。

ここで、打撃槌は、発射ソレノイドＳＬｅ（図３）によって駆動されており、打撃槌が機能するまでの発射準備のため、球送りソレノイドＳＬｆ（図３）が機能している。具体的な動作は、特に限定されないが、例えば、球送りソレノイドＳＬｆのＯＮ動作に対応して、後続の遊技球の移動を阻止しつつ最先端の遊技球が待機位置に受け入れられ、その後、球送りソレノイドＳＬｆのＯＦＦ動作に対応して、待機位置の遊技球が発射位置に移動する。

この球送り動作は、６００ｍＳ程度の動作周期で繰り返されるが、球送りソレノイドＳＬｆのＯＮ動作時に、発射ソレノイドＳＬｅがＯＮ動作することで、発射位置の遊技球が、１分間に１００個程度発射されることになる。

また、発射ハンドル１０には、図３や図４に示すように、発射ソレノイドＳＬｅの発射強度を調整可能な発射強度ボリュームＶＲと、遊技者が発射ハンドル１０に触れているか否かを検出するタッチセンサＴＣＨと、遊技者が発射停止を指示する発射停止スイッチＳＴＯＰと、が配置されている。

そして、発射強度ボリュームＶＲの出力であって、発射ハンドル１０の回転位置を示す発射強度信号ＶＲと、タッチセンサＴＣＨのタッチセンサ信号ＴＣＨと、停止スイッチ信号ＳＴＯＰは、払出制御基板２４の発射制御回路素子ＳＨに伝送されるよう構成されている（図３、図４参照）。

上皿８の外周面には、チャンスボタン１１が設けられている。このチャンスボタン１１は、遊技者の左手で操作できる位置に設けられており、遊技者は、発射ハンドル１０から右手を離すことなくチャンスボタン１１を操作できる。このチャンスボタン１１は、通常時には機能していないが、ゲーム状態がボタンチャンス状態となると内蔵ランプが点灯されて操作可能となる。なお、ボタンチャンス状態は、必要に応じて設けられるゲーム状態である。

上皿８の右部には、カード式球貸し機に対する球貸し操作用の操作パネル１２が設けられ、カード残額を３桁の数字で表示する度数表示部ＮＵＭ（図４）と、所定金額分の遊技球の球貸しを指示する球貸しスイッチと、ゲーム終了時にカードの返却を指令する返却スイッチとが設けられている。

図２に示すように、遊技盤５の表面には、金属製の外レールと内レールとからなるガイドレール１３が環状に設けられ、その略中央には、背面側に延びる中央開口ＨＯが設けられている。そして、中央開口ＨＯの奥底には、液晶カラーディスプレイで構成された表示装置ＤＳが配置されている。

また、表示装置ＤＳの前面に形成される空間には、演出可動体ＡＭＵ（可動役物）が昇降自在に配置されている。演出可動体ＡＭＵは、昇降機構ＡＬＶに保持されて昇降される固定部材ＦＩＸと、固定部材ＦＩＸに支持されて回転する回転部材ＲＯＴとで構成されている。

昇降機構ＡＬＶの昇降動作や、回転部材ＲＯＴの回転動作は、ステッピングモータで構成された演出モータＭ１〜Ｍｎの回転によって実現される。なお、通常時には、演出可動体ＡＭＵは、昇降機構ＡＬＶに吊り上げられた状態で待機している。

遊技領域の適所には、図柄始動口１５、大入賞口１６、普通入賞口１７、ゲート１８が配設されている。これらの入賞口１５〜１８は、それぞれ内部に検出スイッチを有しており、遊技球の通過を検出できるようになっている。

表示装置ＤＳは、大当り状態に係わる特定図柄を変動表示すると共に背景画像や各種のキャラクタなどをアニメーション的に表示する装置である。この表示装置ＤＳは、中央部に特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃと右上部に普通図柄表示部１９を有している。そして、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃでは、大当り状態の招来を期待させるリーチ演出が実行されたり、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃ及びその周りでは、当否結果を不確定に報知する予告演出などが実行される。

普通図柄表示部１９は普通図柄を表示するものであり、ゲート１８を通過した遊技球が検出されると、普通図柄が所定時間だけ変動し、遊技球のゲート１８の通過時点において抽出された抽選用乱数値により決定される停止図柄を表示して停止するようになっている。

図柄始動口１５は、左右一対の開閉爪を備えた電動式チューリップで開閉されるよう構成され、普通図柄表示部１９の変動後の停止図柄が当り図柄を表示した場合には、開閉爪が所定時間だけ、若しくは、所定個数の遊技球を検出するまで開放されるようになっている。

電動式チューリップは、制御信号ＣＬＴ２がＬレベルになるタイミングで、パワートランジスタによるスイッチ回路ＰＳを経由して、第２ソレノイドＳＬ２が通電状態となって開放する（図４参照）。なお、図２に示す構成とは相違するが、普通入賞口１７を開閉可能に構成する場合には、制御信号ＣＴＬ３で通電制御される第３ソレノイドＳＬ３によって普通入賞口が開閉される。

図柄始動口１５に遊技球が入賞すると、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの表示図柄が所定時間だけ変動し、図柄始動口１５への遊技球の入賞タイミングに応じた抽選結果に基づいて決定される停止図柄で停止する。なお、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃ及びその周りでは、一連の図柄演出の間に、予告演出が実行される場合がある。また、予告演出の一種として、演出可動体ＡＭＵが中央開口ＨＯの位置に降下してくることがある。そして、降下した演出可動体ＡＭＵは、時計方向又は反時計方向に回転した後、元の位置に上昇する。

大入賞口１６は、例えば前方に開放可能な開閉板１６ａで開閉制御されるが、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの図柄変動後の停止図柄が「７７７」などの大当り図柄のとき、「大当りゲーム」と称する特別遊技が開始され、開閉板１６ａが開放されるようになっている。開閉板１６ａは、制御信号ＣＴＬ１がＬレベルになるタイミングで、第１ソレノイドＳＬ１が通電状態となって開放する（図４参照）。

大入賞口１６の開閉板１６ａが開放された後、所定時間が経過し、又は所定数（例えば１０個）の遊技球が入賞すると開閉板１６ａが閉じる。このような動作は、最大で例えば１５回まで特別遊技が継続され、遊技者に有利な状態に制御される。なお、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの変動後の停止図柄が特別図柄のうちの特定図柄であった場合には、特別遊技の終了後のゲームが高確率状態となるという特典が付与される。

図３は、上記した各動作を実現するパチンコ機ＧＭの全体回路構成を示すブロック図であり、ホールコンピュータＨＣと、球貸し機ＬＥＮに接続され、ＡＣ２４Ｖを受けて動作する遊技機が示されている。なお、ホールコンピュータＨＣには、各種の遊技情報ＩＮＦや異常情報が伝送され、球貸し機ＬＥＮと遊技機ＧＭとの間では、球貸し動作時に、各種の情報が送受信される。

図３に示す通り、この遊技機ＧＭは、ＡＣ２４Ｖを受けて、３種類の直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ，３５Ｖ）を、二系統に出力する電源基板２０と、遊技制御動作を中心統括的に担う主制御基板２１と、主制御基板２１から受けた制御コマンドＣＭＤに基づいてランプ演出及び音声演出などを実行する演出制御基板２２と、演出制御基板２２から受けた制御コマンドＣＭＤ’に基づいて表示装置ＤＳを駆動する画像制御基板２３と、主制御基板２１から受けた制御コマンドＳＹＯに基づいて、払出モータＭｏを制御して遊技球を払い出す払出制御基板２４と、を中心に構成されている。

主制御基板２１が出力する制御コマンドＣＭＤは、先ず、演出制御基板２２に伝送され、演出制御基板２２から出力される制御コマンドＣＭＤ’は、１ビット長のストローブ信号ＳＴＢと共に、画像インタフェイス基板３７を経由して、画像制御基板２３に伝送される。一方、主制御基板２１が出力する賞球用の制御コマンドＳＹＯは、主基板中継基板３４を経由して、払出制御基板２４に伝送される。

制御コマンドＣＭＤと制御コマンドＣＭＤ’は、１６ビット長のパラレルデータであり、主制御基板２１から画像制御基板２３には、８ビット長毎に２回に分けてパラレル送信される。したがって、主制御基板２１から画像制御基板２３に向かうコマンド伝送路は、ストローブ信号ＳＴＢを含めて合計９ビット長となる。

一方、演出制御基板２２から画像制御基板２３に伝送される制御コマンドＣＭＤ’は、１６ビット長をまとめてパラレル伝送される。そのため、演出制御基板２２から画像制御基板２３に向かうコマンド伝送路は、ストローブ信号ＳＴＢ’を含めて合計１７ビット長となるが、多数の制御コマンドを連続的に送受信しても迅速にその処理を終えることができる利点がある。

本実施例では、主制御基板２１から払出制御基板２４に伝送される制御コマンド（賞球コマンド）ＳＹＯは、８ビット長のシリアルデータで構成されている。この賞球コマンドＳＹＯは、スタートビットＳＴＡＲＴと、ストップビットＳＴＯＰとが前後に付加されることで合計１０ビットとなり、伝送クロックを伝送しない非同期方式でシリアル伝送される。

これら主制御基板２１、演出制御基板２２、画像制御基板２３、及び払出制御基板２４には、ワンチップマイコンＭＣＯＭ１〜ＭＣＯＭ４を備えるコンピュータ回路がそれぞれ搭載されている。そこで、制御基板２１〜２４とインタフェイス基板３７に搭載された回路、及びその回路によって実現される動作を機能的に総称して、本明細書では、主制御部２１、演出制御部２２、画像制御部２３、及び払出制御部２４と言うことがある。すなわち、この実施例では、画像制御基板２３と画像インタフェイス基板３７とで画像制御部２３を構成している。なお、演出制御部２２、画像制御部２３、及び払出制御部２４の全部又は一部がサブ制御部である。

＜部品化された電源基板２０＞
先ず、本実施例では、電源基板２０の回路構成を簡素化して、公的検査が不要な電源基板の部品化を実現している。具体的には、電源基板２０は、ＡＣ２４Ｖを整流する整流回路と、整流回路の出力を受ける力率改善回路と、力率改善回路の出力を受けて３種類の直流電圧（３５Ｖ，１２Ｖ，５Ｖ）を生成する降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータとで構成され、電源の投入や遮断を示す電源リセット信号ＲＳＴや、電断信号ＡＢＮが出力されない構成となっている。

この構成に対応して、本実施例では、電源リセット信号ＲＳＴ（ＲＳＴ１〜ＲＳＴ３）は、払出制御基板２４、主制御基板２１、及び、演出制御基板２２に配電された直流電圧に基づいて各々で生成される。具体的には、先ず、図４に示す通りであり、払出制御基板２４と主制御基板２１では、電源基板２０から配電された２種類の直流電圧（１２Ｖ，５Ｖ）に基づいて、各々の直流判定回路ＪＧ１，ＪＧ２において、電源リセット信号ＲＳＴ１，ＲＳＴ２を生成して内部回路を電源リセットしている。

同様に、演出制御基板２２と画像制御基板２３でも、配電された２種類の直流電圧（１２Ｖ，５Ｖ）に基づいて、電源リセット信号ＲＳＴ３を生成し、演出制御基板２２と画像制御基板２３の内部回路を電源リセットしている。

また、払出制御基板２４の直流判定回路ＪＧ１は、払出制御基板２４に配電された交流電圧ＡＣ２４Ｖに基づいて、電断信号ＡＢＮを生成して、ワンチップマイコンＭＣＯＭ４と、主制御基板２１のワンチップマイコンＭＣＯＭ１に伝送している。

このように、実施例では、遊技制御動作に影響を与える電源リセット信号ＲＳＴや電断信号ＡＢＮが、電源基板２０から出力されないので、事実上、電源基板２０の悪用や改変のおそれがなく、公的機関における確認検査が不要となる。

＜バックアップ電源基板２７＞
また、本実施例では、電気二重層コンデンサＣｂｋを配置したバックアップ電源基板２７が、電源基板２０や払出制御基板２４とは別に設けられており、払出制御基板２４は、電源基板２０から受ける直流電圧ＶＢＢ（５Ｖ）を、給電ラインＶＢＢを通してバックアップ電源基板２７に給電して、電気二重層コンデンサＣｂｋを充電している（図４参照）。なお、電断後は、電気二重層コンデンサＣｂｋの充電電圧ＶＢＢが、払出制御基板２４と主制御基板２１に搭載されたワンチップマイコンＭＣＯＭ４，ＭＣＯＭ１のバックアップ電源ＶＢＢとして機能し、各ワンチップマイコンの内蔵ＲＡＭの記憶内容が確実に維持される。

＜電源基板からの配電経路＞
次に、電源基板２０で生成された直流電圧の配電経路などについて整理しておく。図５は、電源基板２０の内部構成うち、力率改善回路を省略すると共に、払出制御部２４に関連する部分だけを図示したものである。なお、電源基板２０には、図示と同様の３組の電源回路が更に設けられており、図示しない３組の電源回路が生成した３種類の直流電圧３５，１２Ｖ，５Ｖは、接続コネクタＣ２と電源中継基板３５を経由して、演出制御基板２２に配電されている。そして、演出制御基板２２と画像インタフェイス基板３７を経由して、画像制御基板２３に、２種類の直流電圧（１２Ｖ，５Ｖ）が配電されるようなっている。

以上を踏まえて、電源基板２０から払出制御部２４への配電について説明を続けると、図５に示す通り、電源基板２０には、交流２４Ｖを整流する全波整流回路と、整流電圧を直流電圧に変換するＤＣ／ＤＣコンバータDC/DC1〜DC/DC3と、ＬＣフィルタ回路LC1 〜LC2 とで構成された３組の電源回路が、払出制御基板２４のために配置されている。

そして、各電源回路が生成した直流電圧３５，１２Ｖ，５Ｖが、交流２４Ｖと共に、払出制御基板２４に配電される。なお、払出制御基板２４に配電された３種類の直流電圧３５，１２Ｖ，５Ｖは、払出制御基板２４を経由した後、接続コネクタＣ１と主基板中継基板３４とを経由して、主制御基板２１に配電される（図３、図４参照）。

ここで、３種類の直流電圧３５Ｖ，１２Ｖ，５Ｖの電源ラインと、これらに対応するグランドラインは、各々、複数本の配線ケーブルで配電されており、線路インピーダンスの低減化を図っている。また、直流電圧３５Ｖは、図４に示す通り、球送りソレノイドＳＬｆ、発射ソレノイドＳＬｅ、及び主制御部２１のソレノイド類ＳＬ１〜ＳＬ３の駆動電圧に特化されている。

そのため、直流電圧３５Ｖの電源ライン及びグランドラインには、ソレノイド駆動電流だけが流れることになり、直流電圧５Ｖを電源電圧とする主制御部２１や払出制御部２４のコンピュータ回路（ＭＣＯＭ１，ＭＣＯＭ４）や論理回路、及び、直流１２Ｖを電源電圧とするモータドライバＤＲなどの影響を受けることがなく、ソレノイド駆動電圧（３５Ｖ）がふらつくことが防止される。また、直流電圧３５Ｖの電源ライン及びグランドラインに流れるソレノイド駆動電流の変化が、コンピュータ回路（ＭＣＯＭ１，ＭＣＯＭ４）などに与える影響も軽減される。

図４に示す通り、直流１２Ｖを電源電圧とするのは、遊技球を払出す払出モータＭｏを駆動するモータドライバＤＲだけでなく、払出した遊技数をカウントする計数スイッチや、球貸し動作に関する球貸中継部ＬＫ１も含まれる。

ところで、以下の説明では、便宜上、直流電圧３５Ｖのグランドを第１グランド面A_GND と称し、その他のグランドを第２グランド面D_GND と称することがあるが、何れのグランド面A_GND ，D_GND も、図５に示す通り、電源基板２０の共通グランド端子ＣＯＭに接続されている。但し、本実施例では、払出制御基板２４と主制御基板２１において、第１グランド面A_GND と第２グランド面D_GND が、完全に分離状態となっており、一方の電流が、他方に影響を与えることがない。

＜遊技機の概略回路構成＞
続いて、図３に戻って説明を続けると、この遊技機ＧＭは、図３の破線で囲む枠側部材ＧＭ１と、遊技盤５の背面に固定された盤側部材ＧＭ２とに大別される。そして、枠側部材ＧＭ１と盤側部材ＧＭ２とは、一箇所に集中配置された接続コネクタＣ１〜Ｃ３によって電気的に接続されている。各接続コネクタＣ１〜Ｃ３は、各々、複数の接点を有するが、これら全体Ｃ１〜Ｃ３の接点が、一の装着操作で接続状態となり、一の分離操作で分離状態となるワンタッチコネクタである。

枠側部材ＧＭ１には、ガラス扉６や前面板７が枢着された前枠３と、その外側の木製外枠１とが含まれており、機種の変更に拘わらず、長期間にわたって遊技ホールに固定的に設置される。一方、盤側部材ＧＭ２は、機種変更に対応して交換され、新たな盤側部材ＧＭ２が、元の盤側部材の代わりに枠側部材ＧＭ１に取り付けられる。なお、枠側部材ＧＭ１を除く全てが、盤側部材ＧＭ２である。

＜盤側部材ＧＭ２＞
先ず、盤側部材ＧＭ２から説明すると、遊技盤５の背面には、盤側部材ＧＭ２として、主制御基板２１、演出制御基板２２、画像制御基板２３、及び画像インタフェイス基板３７が、表示装置ＤＳやその他の回路基板と共に固定されている。

図３や図４に示す通り、主制御基板２１には、係員が操作する初期化スイッチＩＮＩが接続されている。初期化スイッチＩＮＩは、主制御部２１と払出制御部２４のワンチップマイコンＭＣＯＭ１，ＭＣＯＭ４の内蔵ＲＡＭの作業領域を初期設定するか否かを決定するスイッチである。そして、初期化スイッチＩＮＩがＯＮ操作されたことを示すＲＡＭクリア信号ＣＬＲは、主制御部２１のワンチップマイコンＭＣＯＭ１と、払出制御部２４のワンチップマイコンＭＣＯＭ４に共通的に伝送される（図４参照）。

また、主制御部２１は、遊技盤中継基板３３を経由して、遊技盤５の各遊技部品に接続されている。そして、遊技盤上の各入賞口１５〜１８に内蔵された検出スイッチのスイッチ信号を受ける一方、電動式チューリップなどのソレノイド類ＳＬ１〜ＳＬ３を駆動している。

先に説明した通り、ソレノイドＳＬ１〜ＳＬ３の電源電圧は、電源基板２０で生成され、払出制御部２４を経由して配電されている。図４に示す通り、各ソレノイドＳＬ１〜ＳＬ３には、電力スイッチＰＳ〜ＰＳが接続されており、各電力スイッチＰＳには、制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴＬ３に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作するパワートランジスタが内蔵されている。そして、ワンチップマイコンＭＣＯＭ１が制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴＬ３を適宜に制御することで、各ソレノイドＳＬ１〜ＳＬ３が電動式チューリップや大入賞口１６が適宜に開閉することになる。

図３に示す通り、演出制御基板２２には、音声演出・ランプ演出・演出可動体による可動演出などの演出動作を制御するワンチップマイコンＭＣＯＭ２と、ワンチップマイコンＭＣＯＭ２からの指示に基づいて音声信号を再生して出力する音声合成回路（音声プロセッサ）ＳＮＤと、再生される音声信号の元データである圧縮音声データを記憶する音声メモリと、音声合成回路ＳＮＤのデジタル音声信号を受けてＤ級増幅するデジタルアンプＡＭＰなどが配置されている。

また、演出制御基板２２には、ランプ駆動基板３８と、ランプモータ駆動基板３９とが接続されており、各駆動基板３８，３９に接続されたランプ群やモータ群Ｍ１〜Ｍｘが適宜に駆動されることで、ランプ演出と可動演出が実現される。

一方、画像制御基板２３には、演出制御基板２２から制御コマンドＣＭＤ’を受けるワンチップマイコンＭＣＯＭ３と、ワンチップマイコンＭＣＯＭ３からの指示に基づいて、表示装置ＤＳの一フレーム分の画像データを生成して出力する画像プロセッサＶＤＰと、画像演出用の基礎データを記憶するＣＧメモリなどが配置されている。そして、ワンチップマイコンＭＣＯＭ３が、制御コマンドＣＭＤ’に基づいて画像プロセッサＶＤＰを制御することで、演出制御部２２におけるランプ演出、音声演出、可動演出に同期した画像演出が実現される。

＜枠側部材ＧＭ１＞
続いて、枠側部材ＧＭ１について説明する。図３の破線枠に示す通り、枠側部材ＧＭ１には、電源基板２０と、払出制御基板２４と、信号中継基板２５と、発射中継基板２６と、バックアップ電源基板２７と、外部端子基板２８と、枠中継基板３１と、ランプ駆動基板３２とが含まれており、これらの回路基板が、前枠３の適所に各々固定されている。電源基板２０と、バックアップ電源基板２７については、先に説明した通りである。

外部端子基板２８は、ホールコンピュータＨＣに伝送すべき遊技情報ＩＮＦを中継する回路基板であり、遊技情報ＩＮＦは、主制御基板２１で生成され、主基板中継基板３４と、接続コネクタＣ１と、払出制御基板２４とを経由して、外部端子基板２８に至るよう回路接続されている（図４参照）。

ランプ駆動基板３２には、複数のＬＥＤが接続されており、これらのＬＥＤ群を駆動する駆動データは、シリアル信号として、演出制御基板２２のワンチップマイコンＭＣＯＭ２→枠中継基板３６→接続コネクタＣ３→枠中継基板３１を経由して、ランプ駆動基板３２に搭載された複数のＬＥＤドライバに伝送されている。同様に、演出制御基板２２で生成された音声演出用の音声信号も、枠中継基板３６→接続コネクタＣ３→枠中継基板３１を経由して、複数のスピーカに供給されている。

また、枠中継基板３１は、チャンスボタン１１からのスイッチ信号を受けており、他の信号と纏めたシリアル信号として、接続コネクタＣ３→枠中継基板３６を経由して演出制御基板２２のワンチップマイコンＭＣＯＭ２に伝送される。

次に、払出制御基板２４には、図４に示す通り、８ビットを処理単位とするＣＰＵを内蔵したワンチップマイコンＭＣＯＭ４と、電源リセット信号ＲＳＴ１や電断信号ＡＢＮを生成する電源関連回路２９と、払出モータＭｏを回転駆動するモータドライバＤＲと、遊技球を発射制御する球送りソレノイドＳＬｆや発射ソレノイドＳＬｅの駆動信号などを生成する発射制御回路素子ＳＨと、降圧型の安定化電源回路ＲＥＧと、球貸し動作を実現する球貸中継部ＬＫ１と、が搭載されている。

電源関連回路２９は、電源基板２０から交流２４Ｖを受ける交流検知回路ＤＥＴと、電源基板２０から直流１２Ｖと５Ｖを受ける直流判定回路ＪＧ１と、を有して構成されている。ここで、交流検知回路ＤＥＴは、交流電源が投入状態であるか、遮断状態であるかを検出する回路である。一方、直流判定回路ＪＧ１は、電源基板２０に関して先に説明した通りであり、直流電圧（１２Ｖ，５Ｖ）に基づいて電源リセット信号ＲＳＴ１を生成すると共に、交流電源（ＡＣ２４Ｖ）が遮断されたことを検知して、電断信号ＡＢＮを生成する。

本実施例では、払出モータＭｏを回転駆動ための駆動信号Φ１〜Φ４は、ワンチップマイコンＭＣＯＭ４によって生成され、直流電圧１２Ｖを電源電圧とするモータドライバＤＲに伝送される。一方、発射ソレノイドＳＬｅや球送りソレノイドＳＬｆについては、ワンチップマイコンＭＣＯＭ４の制御に基づかず、発射制御回路素子ＳＨのリード端子への固定的な設定値や、発射強度ボリュームＶＲの出力信号に基づいて、その通電時間や通電タイミングや通電周期などが発射制御回路素子ＳＨにおいて制御される。

但し、発射制御回路素子ＳＨが発射制御動作を開始するためには、(1) 球貸し機ＬＥＮが正常に接続されており、且つ、(2) 主制御部２１から発射許可信号ＳＨＯＯＴを受けることが動作開始条件となる。また、(3) 遊技者が発射ハンドル１０から手を離した場合や、(4) 遊技者が発射停止を指示した場合には、発射制御回路素子ＳＨは、当然に発射動作を停止する（動作停止条件）。

上記した動作開始条件に関連して、発射制御回路素子ＳＨは、球貸中継部ＬＫ１と中継基板ＬＫ２を経由して、球貸し機ＬＥＮに接続されており、球貸し機ＬＥＮとの接続状態を示す通電信号ＰＯＵＴを受けるようになっている。また、発射制御回路素子ＳＨは、主制御部２１のワンチップマイコンＭＣＯＭ１から発射許可信号ＳＨＯＯＴを受けるよう回路接続されている。

ところで、この発射制御回路素子ＳＨは、発射制御に関する多数の電子素子が内蔵されたＳＩＰ（Single Inline Package ）タイプの単一素子で構成されている（図６）。但し、特に限定されず、ＤＩＰ（Dual Inline Package ）タイプの単一素子であっても良い。

何れにしても、上記の構成を実現する払出制御基板２４の回路部品は、表面実装タイプではなく、全て、スルーホール実装タイプに統一されており、且つ、全ての回路部品は、直接またはＩＣソケットを通して基板表面に配置され、各回路部品のリード端子は、基板表面から挿入され、裏面側から半田付けされている。そのため、フローはんだ付け工法などを採用することで、半田付け作業を迅速に終えることができる。また、払出制御基板２４の裏面側に回路部品が存在しないので、払出制御部２４を薄型化できるだけでなく、検査機関での検査処理も迅速化される。

また、払出制御基板２４の基板表面と基板裏面には、各々、ベタアース面が形成されている。ここで、ベタアース面とは、回路基板面において、部品間を接続する信号パターンや、電源電圧を給電する電源パターンを除いた部分を、全てグランド面としたものであり、低インピーダンス性を実現すると共に、耐ノイズ性を向上させている。

更に、払出制御基板２４の基板表面と基板裏面のベタアース面は、各々、隔離ラインによって、第１グランド面A_GND と、第２グランド面D_GND に二分されており、二つのグランド面A_GND ，D_GND を流れる帰路電流が混在しないよう対策されている。この点は、先に説明した通りであり、第１グランド面A_GND には、ソレノイド駆動電圧（直流電圧３５Ｖ）の帰路電流だけが流れることになる。

なお、(1) 全ての回路部品がスルーホール実装タイプに統一され、基板表面から挿入されて裏面側から半田付けされる点、(2) 基板裏面には回路部品が存在しない点、及び、(3) ベタアース面が、隔離ラインによって第１グランド面A_GND と、第２グランド面D_GND に二分されることについては、払出制御基板２４だけでなく主制御基板２１についても同様である。

以上を踏まえて、払出制御基板２４について説明を続けると、発射制御回路素子ＳＨには、図４に示す通り、直流電圧３５Ｖと、直流電圧５Ｖとが二種類の電源電圧として供給されている。

ここで、発射制御回路素子ＳＨに供給される直流電圧５Ｖは、ワンチップマイコンＭＣＯＭ１，ＭＣＯＭ４や、これらに関連する論理回路の電源電圧５Ｖとは区別されており、直流電圧１２Ｖを降圧する安定化電源回路ＲＥＧで生成されている。そのため、発射制御回路素子ＳＨの論理動作が、電源電圧５Ｖの電源ラインを経由して、主制御部２１や払出制御部２４のワンチップマイコンや、その他の回路素子に悪影響を与えることが未然防止される。

以上の払出制御基板２４の構成に対応して、信号中継基板２５は、モータドライバＤＲから受ける駆動信号Φ１〜Φ４を、払出モータＭｏに転送して払出モータＭｏを回転駆動している（図３）。また、信号中継基板２５は、各種の検知センサからの検出信号を受けて、払出制御基板２４のワンチップマイコンＭＣＯＭ４に転送している。

信号中継基板２５が受ける検出信号は、特に限定されないが、この実施例では、ガラス扉６や前枠３が開放されたことを示す扉枠開放信号、遊技球が詰まって払出不能状態であることを示す球詰り検出信号、払出すべき遊技球が無いこと示す補給切れ検出信号、及び、遊技球の払出しを検知したことを示す計数スイッチの検出信号が含まれる。

次に、発射中継基板２６は、発射制御回路素子ＳＨから受ける駆動信号を、球送りソレノイドＳＬｆに供給して、発射ソレノイドＳＬｅと共に発射制御動作を実現している。また、発射中継基板２６には、遊技者が操作する発射ハンドル１０に関して、遊技球の発射停止を指示する発射停止スイッチＳＴＯＰ、遊技者が発射ハンドル１０に触れていることを示すタッチセンサＴＣＨ、及び、発射ハンドル１０の回転位置を示す発射強度ボリュームＶＲからの信号を受けて、受けた各信号を、払出制御基板２４のワンチップマイコンＭＣＯＭ４に転送している。

図６は、払出制御基板２４のベタアース面を図示したものであり、払出制御基板２４の表面側の左上の隅角部を概略的に図示している。先に説明した通り、払出制御基板２４の表裏面に形成されたベタアース面は、隔離ラインで隔てて、図６の網掛けで示す第１グランド面A_GND と、第２グランド面D_GND とに区分されている。なお、網掛け部と、その他の白紙部分との境界を確定する実線が隔離ラインである。なお、図６は、払出制御基板２４の表面側を図示しているが、裏面側にも、表面側の網掛け部に対応する領域が、第１グランド面A_GND となっている。

図６には、電源基板から３種類の直流電圧（３５Ｖ，１２Ｖ，５Ｖ）を受ける第１コネクタＣＮ１と、球送りソレノイドＳＬｆを駆動すると共に、発射制御用の各種の信号を受ける第２コネクタＣＮ２と、発射ソレノイドＳＬｅを駆動する第３コネクタＣＮ３と、発射制御回路素子ＳＨと、安定化電源回路ＲＥＧなどが記載されている。なお、第１グランド面A_GND への接続点と、第２グランド面D_GND への接続点とは、便宜上、互いに異なるアース記号で表現している。

ここで、第２コネクタＣＮ２のグランド端子ＧＮＤは、第２グランド面D_GND に接続され、他の全てのコネクタ端子は、回路基板の信号パターンを経由して、発射制御回路素子ＳＨのリード端子に接続されている。発射制御回路素子ＳＨのリード端子には、直流電圧３５Ｖが配電される第１電源端子Ｔ１，Ｔ２と、直流電圧５Ｖが配電される第２電源端子Ｔ９と、第１グランド面A_GND に接続される第１グランド端子Ｔ７と、第２グランド面D_GND に接続される第２グラント端子Ｔ１４が存在する。図示の通り、第２電源端子Ｔ９には、安定化電源回路ＲＥＧが出力する５Ｖが配電されている。

また、図６に示す通り、直流電圧３５Ｖの電源ラインと第１グランド面A_GND との間には、電解コンデンサＣ１が配置されている。そして、この直流電圧３５Ｖは、発射制御回路素子ＳＨの第１電源端子Ｔ１，Ｔ２に直接供給されると共に、電流制限抵抗ＲＳを経由して発射制御回路素子ＳＨのリード端子Ｔ３に供給されている（図８参照）。また、タッチセンサＴＣＨからの信号は、発射制御回路素子ＳＨのリード端子Ｔ８に伝送されると共に、サージアブソーバＳＡを経由して第１グランド面A_GND に接続されている（図８参照）。

サージアブソーバＳＡは、通常は高抵抗値を維持して殆ど電流が流れないが、サージ電圧（異常電圧）を受けると低抵抗に変化する素子である。そして、高い静電気に帯電した遊技者が発射ハンドル１０に触れた場合、そのサージ電圧は、タッチセンサＴＣＨからサージアブソーバＳＡを経由して、第１グランド面A_GND に吸収されるので、発射制御回路素子ＳＨの破壊や劣化が未然防止される。なお、帯電した静電気に伴うサージ電流が、第２グランド面D_GND に流れ込むこともないので、コンピュータ回路が誤動作するおそれも無い。

払出制御基板２４の表面側の左上の隅角部は、上記の回路構成を有する。そして、図６の網掛け部によって確認できる通り、隔離ラインは、第１コネクタＣＮ１と、第２コネクタＣＮ２と、発射制御回路素子ＳＨを、各々二分するように形成されている。すなわち、第１コネクタＣＮ１において、直流電圧３５Ｖが配電される第１電源端子と、これに対応するグラント端子が、第１グランド面A_GND の上部に位置し、残りの端子は、第２グランド面D_GND の上部に位置している。

また、第２コネクタＣＮ２において、球送りソレノイドＳＬｆに駆動信号を伝送する駆動端子対だけが、第１グランド面A_GND の上部に位置し、残りの端子は、第２グランド面D_GND の上部に位置する。なお、第３コネクタＣＮ２は、第１グランド面A_GND の上部に位置している。

一方、発射制御回路素子ＳＨについては、発射ソレノイドＳＬｅに駆動信号を出力する駆動端子対Ｔ５，Ｔ６、球送りソレノイドＳＬｆに駆動信号を出力する駆動端子対Ｔ３，Ｔ４、直流電圧３５Ｖを受ける第１電源端子Ｔ１，Ｔ２、及び、第１グランド面A_GND に接続されるグランド端子Ｔ７は、第１グランド面A_GND の上部に位置し、残りの端子は、第２グランド面D_GND の上部に位置している。

したがって、発射制御回路素子ＳＨ、第１〜第３コネクタＣＮ２、及び、その他の回路部品を、スルーホール実装しても、適切にグランド配線を終えることができる。また、第１グランド面A_GND に対応する電源パターンや信号パターンが複雑化することもない。

次に、図７（ａ）は、発射制御回路素子ＳＨの内部構成を示すブロック図である。図示の通り、発射制御回路素子ＳＨには、通電信号ＰＯＵＴと、論理反転された発射許可信号ＳＨＯＯＴと、論理反転された停止スイッチ信号ＳＴＯＰと、タッチセンサ信号ＴＣＨと、を受けるＡＮＤ回路が内蔵されている。

また、発射制御回路素子ＳＨには、負帰還アンプＡＭＰと、負帰還アンプＡＭＰの出力を遮断又は通過させる通電遮断部ＣＵＴと、通電遮断部ＣＵＴを通過した信号の電圧レベルに対応した電流を出力する電流増幅トランジスタＴｒ２とが、内蔵されている。負帰還アンプＡＭＰは、発射強度信号ＶＲと電流検出抵抗Ｒｒの出力を受けて動作しており、電流増幅トランジスタＴｒ２が、発射強度信号ＶＲに対応した電流を出力するよう構成されている。

発射制御回路素子ＳＨには、発振器ＯＳＣと、遊技球の発射動作に適合する周波数となるよう、発振器ＯＳＣの出力を分周する分周器ＤＶと、分周器ＤＶが出力するクロックパルスＣＫをカウントする８進カウンタＣＴと、が内蔵されている。図９は、クロックパルスＣＫと、その反転信号であるＣＥクロック（ＣＥバーと表記）と、カウンタＣＴの出力Ｑ０〜Ｑ７と、の関係が示されている。図示の通り、カウンタＣＴの出力Ｑ０〜Ｑ７は、クリア信号ＣＬＲが非アクティブ（Ｌ）に変化した後、ＣＥクロックの累積個数に対応して変化する。

何ら限定されないが、実施例の場合、ＣＥバー信号の周期は、７５ｍＳ程度に設定され、デューティ比５０％に設定されている。したがって、８進カウンタの出力Ｑ０〜Ｑ７の周期は、８×７５＝６００ｍＳ程度となる。また、図１０に示す通り、発射周期や球送り周期も６００ｍＳ程度となり、１分間に１００個程度の遊技球の発射が実現される。

このカウンタＣＴの出力Ｑ０〜Ｑ７は、適宜な論理回路を経由して、通電遮断部ＣＵＴと、通電制御トランジスタＴｒ１と、通電制御スイッチＳＷに供給されている。通電制御トランジスタＴｒ１は、Ｑ１＊ＣＥバー信号を受けてＯＮ動作して、直流３５Ｖを球送りソレノイドＳＬｆに出力している。また、通電制御スイッチＳＷは、Ｑ１＋Ｑ２信号を受けてＯＮ動作して、球送りソレノイドＳＬｆからの帰還電流を受け入れている。なお、上記の動作において、「＊」記号は、論理積を意味し、「＋」記号は、論理和を意味し、以下の説明も同様である。

一方、通電遮断部ＣＵＴは、Ｑ２＊ＣＥバー信号を受けて動作し、Ｑ２＊ＣＥバー信号がＨレベルであるタイミングに限り、負帰還アンプＡＭＰの出力を通過させ、それ以外のタイミングでは通電遮断部ＣＵＴをＯＮ動作させることで、負帰還アンプＡＭＰの出力を第２グランド面D_GND に短絡させている。

また、球貸し機ＬＥＮとの接続が確立すると通電信号がＰＯＵＴ＝Ｈとなり、主制御部２１が発射を許可すれば発射許可信号がＳＨＯＯＴ＝Ｈとなり、停止スイッチの操作が無いと停止スイッチ信号がＳＴＯＰ＝Ｈとなり、遊技者が発射ハンドル１０に触れるとタッチセンサ信号がＴＣＨ＝Ｌとなるよう構成されている。

したがって、発射制御回路素子ＳＨのリード端子Ｔ１２，Ｔ１３，Ｔ１０，Ｔ９の各論理レベルで評価した場合、ＰＯＵＴ＝Ｈ、ＳＨＯＯＴ＝Ｌ、ＳＴＯＰ＝Ｌ、ＴＣＨ＝Ｌが成立すると、球送りソレノイドＳＬｆと発射ソレノイドＳＬｅによる発射動作が許可されることになる。

次に、図７（ｂ）は、タッチセンサの内部構成を図示したものであり、遊技者が発射ハンドル１０を握っている場合は、センストランジスタＱｓはＯＮ状態であり、タッチセンサ信号ＴＣＨ＝Ｌとなる。そして、信号供給元の論理レベルで評価した場合に、通電信号ＰＯＵＴ＝Ｈ、発射許可信号ＳＨＯＯＴ＝Ｈ、停止スイッチ信号ＳＴＯＰ＝Ｈ、タッチセンサ信号ＴＣＨ＝Ｌの条件で、ＡＮＤ回路の出力がＨレベルとなり、分周器ＤＶの分周動作が許可され、その出力信号の周波数で決まる法的の所定周期（実施例では、６００ｍＳ程度）で、遊技球が間欠的に発射されることになる。

一方、上記の何れかの条件が不成立であると、遊技球が発射されることはない。なお、遊技球の発射動作は、発射ソレノイドＳＬｅが間欠的に通電することで実現されるが、発射強度ボリュームＶＲに値に基づいて規定される発射ソレノイドＳＬｅの通電電流に対応して発射強度が制御される。また、発射周期に対応して、球送りソレノイドＳＬｆが通電して、発射球が所定の発射位置にセットされる。

図８は、上記の動作を実現する発射制御回路素子ＳＨの出力部を示す回路図であり、図１０は、発射制御回路素子ＳＨの動作を説明するタイムチャートである。

図示の通り、発射制御回路素子ＳＨの出力部は、球送りソレノイドＳＬｆに駆動電流を供給する通電制御トランジスタＴｒ１と、発射ソレノイドＳＬｅに駆動電流を供給する電流増幅トランジスタＴｒ２と、を中心に構成されている。また、発射制御回路素子ＳＨには、球送りソレノイドＳＬｆの駆動電流が急減する図１０のタイミングＴｉ２や、発射ソレノイドＳＬｅの駆動電流が途絶える図１０のタイミングＴｉ３に発生する逆起電力を吸収するダンパーダイオードＤ１，Ｄ２が内蔵されている。

先ず、通電制御トランジスタＴｒ１について説明すると、図８に示す通り、通電制御トランジスタＴｒ１は、Ｑ１＊ＣＥバー信号を受ける制御トランジスタＴｒ３のＯＮ／ＯＦＦ動作に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作している。ここで、Ｑ１＊ＣＥバー信号は、図１０（ｆ）に示す通りであり、タイミングＴｉ１〜Ｔｉ２の期間に限りＨレベルとなり、他のタイミングではＬレベルを維持する。

そのため、制御トランジスタＴｒ３は、タイミングＴｉ１〜Ｔｉ２の期間に限りＯＮ動作して、電源電圧３５Ｖ→抵抗Ｒ４→抵抗Ｒ３→第２グランドの経路で電流が流れることなる。その結果、ＰチャンネルＭＯＳで構成された通電制御トランジスタＴｒ１は、バイアス抵抗Ｒ４の両端電圧に基づいてＯＮ動作する。

一方、通電制御スイッチＳＷは、図１０（ｅ）に示すＱ１＋Ｑ２信号を受けてＯＮ／ＯＦＦ動作しており、タイミングＴｉ１〜Ｔｉ３の期間は、ＯＮ動作状態となっている。そのため、ＯＮ動作状態の通電制御トランジスタＴｒ１のソース端子Ｓからドレイン端子Ｄに流れるＯＮ電流は、球送りソレノイドＳＬｆを経由して、通電制御スイッチＳＷのグランド端子に流れ込むことになる。

そして、球送りソレノイド（電磁ソレノイド）ＳＬｆがＯＮ動作することで電磁石を機能し、この電磁石に、球送り部材（不図示）の一部が吸着されることで、一連の遊技球のうち先頭位置の遊技球が、待機位置に受け入れられる（図１０（ｉ）参照）。なお、図１０（ｉ）は、発射制御回路素子ＳＨのリード端子Ｔ４の電位Ｖ１を図示したものであり、このタイミングＴｉ１ではゼロである。また、この受入タイミングＴｉ１では、待機位置の下流側に位置する発射位置には、先行する球送りソレノイドＳＬｆのＯＦＦ動作時に、待機位置の遊技球が発射位置に移動している。

ところで、図８に示す通り、制御トランジスタＴｒ３のエミッタ端子は、第２グランド面D_GND に接続され、通電制御スイッチＳＷのグランド端子は、第１グランド面A_GND に接続されている。ここで、第１グランド面A_GND と第２グランド面D_GND とは、払出制御基板２４において電気的に隔離されているが、二つのグランド面A_GND ，D_GND の電位は、電源基板２０のＣＯＭ端子（図５）において共通化されるので、上記の動作に支障は生じない。

以上、タイミングＴｉ１〜Ｔｉ２の動作を説明したが、タイミングＴｉ２の後は、Ｑ１＊ＣＥバー信号がＬレベルとなり（図１０（ｆ）参照）、抵抗Ｒ４の電流が途絶えることで、制御トランジスタＴｒ３は、ＯＦＦ状態となる。しかし、Ｑ１＋Ｑ２信号を受けてＯＮ／ＯＦＦ動作する通電制御スイッチＳＷは、タイミングＴｉ１〜Ｔｉ３の間はＯＮ状態を維持する。また、本実施例の場合、発射制御回路素子ＳＨの端子Ｔ１とＴ２の間には、電流制限抵抗ＲＳが配置されている。

そのため、タイミングＴｉ２〜Ｔｉ３の間は、電源電圧３５Ｖ→電流制限抵抗ＲＳ→球送りソレノイドＳＬｆ→通電制御スイッチＳＷ→第１グランドの経路で駆動電流が流れ続けることなる。但し、この駆動電流は、例えば２７０Ω程度の電流制限抵抗ＲＳによって制限された抑制レベルとなる。

この抑制レベルの電流値は、適宜に設定されるが、タイミングＴｉ１〜Ｔｉ２における球送りソレノイドＳＬｆのＯＮ動作によって、球送り部材の一部が、既に電磁石に吸着されているので、この吸着状態を維持できる電流で足りる。すなわち、離間状態の球送り部材を吸着するには、それなりの吸着トルク（始動トルク）が必要となるが、吸着状態を維持するには、それほどのトルクは必要でなく、適宜な抑制レベルの駆動電流で足りる。

具体的に確認すると、本実施例では、Ｔｉ１〜Ｔｉ２の始動トルク区間は、例えば、４９０ｍＡ程度の始動トルク電流を流すのに対して、Ｔｉ２〜Ｔｉ３の保持トルク期間は、１００ｍＡ程度の保持電流を流すよう設計されている。本発明者の検討によれば、保持電流は、少なくとも始動トルク電流の１／２未満とすべきであり、１／３以下が好適であり、より好適には、１／４．５〜１／５．５とすべきことを確認している。なお、本明細書において、記号「〜」は、数値範囲の両端を含んでいる。

何れにしても、本実施例では、始動トルク電流によって吸着動作を実現した後は、駆動電流を抑制するので、無駄な電力消費を回避して無駄な発熱を防止できると共に、球送りソレノイドＳＬｆの熱破損や劣化を防止することができる。また、球送りソレノイドＳＬｆの動作タイミング（Ｔｉ１〜Ｔｉ３）と、発射ソレノイドＳＬｅの動作タイミングが一部重複する本実施例において、発射タイミングでは、球送りソレノイドＳＬｆに大電流が流れていないので、電源ラインの電圧降下が抑制され、発射ソレノイドＳＬｅに供給される駆動電圧は、設計値を確実に維持することになる。

上記の各効果に関連して、更に具体的に説明すると、先ず、本実施例では、電流値４９０ｍＡの始動トルク区間と、電流値１００ｍＡの保持トルク期間と、を設けることで、電流実効値を１４１ｍＡ程度に抑制して電力消費を軽減している。また、消費電力の抑制と、確実な球送り動作のためには、始動トルク区間は、球送りソレノイドＳＬｆのインダクタンスが影響する実測値において、３５ｍＳ〜５５ｍＳとすべきことも確認している。なお、始動トルク区間と、保持トルク期間との区間比は、球送りソレノイドＳＬｆのインダクタンスが影響する実測値において、１：１．５〜１：３．５の範囲が好適であり、インダクタンスを無視した設計値では、図１０に示す通り、１：３とするのが好適である。

なお、球送りソレノイドＳＬｆの駆動電流が（実施例では１／４．９に）急減する図１０のタイミングＴｉ２には、大きな逆起電力が発生するが、この逆起電力は、ダンパーダイオードＤ１に吸収されるので、通電制御トランジスタＴｒ１が破損するおそれはない。

因みに、ダンパーダイオードＤ１を設けない場合には、タイミングＴｉ２において、通電制御トランジスタＴｒ１のソース端子Ｓの電位が＋３５Ｖであるのに対して、ドレイン端子Ｄには、通電制御スイッチＳＷがＯＮの状態で負方向の大きな逆方向電圧が加わるので、通電制御トランジスタＴｒ１のソース端子Ｓとドレイン端子Ｄの間（ＳＤ間）に、過大電圧がかかるおそれがある。この点は、電流増幅トランジスタＴｒ２のＳＤ間の過大電圧を吸収するという意味で、ダンパーダイオードＤ２についても同様である。

続いて、電流増幅トランジスタＴｒ２の動作について説明する。図８の下部には、発射強度ボリュームＶＲに対応する電流制御信号ＳＧの通過を許可／禁止する通電遮断部ＣＵＴと、通電遮断部ＣＵＴを通過した電流制御信号ＳＧを受けてリニア動作する前置トランジスタＴｒ４と、前置トランジスタＴｒ４のリニア動作に対応する電流を発射ソレノイドＳＬｅに供給する電流増幅トランジスタＴｒ２とが記載されている。

通電遮断部ＣＵＴは、図１０（ｄ）に示すＱ２＊ＣＥバー信号を受けて動作しており、Ｑ２＊ＣＥバー信号がＬレベルの通常時はＯＮ動作して、入力信号ＳＧをグランドに短絡させることで、電流制御信号ＳＧの伝送を禁止している。一方、Ｑ２＊ＣＥバー信号がＨレベルに変化すると、通電遮断部ＣＵＴがＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移し、電流制御信号ＳＧのグランドへの短絡が解除されることで、有意レベルの電流制御信号ＳＧが、前置トランジスタＴｒ４に伝送される。

ここで、電流制御信号ＳＧのレベルは、発射強度ボリュームＶＲに対応しており、電流制御信号ＳＧに対応する電流が、直流電圧３５Ｖ→バイアス抵抗Ｒ８→コレクタ抵抗Ｒ７→前置トランジスタＴｒ４→第２グランドの経路で流れる。そして、ＰチャンネルＭＯＳで構成された電流増幅トランジスタＴｒ２のソース端子Ｓとゲート端子Ｇの間に、バイアス抵抗Ｒ８の両端電圧が加わることで、電流増幅トランジスタＴｒ２のドレイン端子Ｄから所定レベルの駆動電流が出力されることになる。

この駆動電流は、電源電圧３５Ｖ→電流増幅トランジスタＴｒ２→発射ソレノイドＳＬｅ→電流検出抵抗Ｒｒ→第１グランドの経路で流れる。なお、図１０（ｈ）は、発射制御回路素子ＳＨのリード端子Ｔ６の電位Ｖ２（＝Ｖｒ）を図示したものであり、電流検出抵抗Ｒｒの両端電圧Ｖｒが、負帰還アンプＡＭＰに帰還されることで、駆動電流は、発射強度信号ＶＲに対応する所定レベルに維持される。

そして、この駆動電流に対応して発射ソレノイドＳＬｅが機能することで、発射位置の遊技球が所定の発射トルクで打撃されて発射されることになる。このように、発射トルクは、発射ソレノイドＳＬｅに供給される駆動電流のレベルで規定されるが、本実施例では、(1) ソレノイド駆動用の電源電圧３５Ｖを専用的に生成することで、他の電源電圧１２Ｖ，５Ｖと区別し、(2) 電源基板２０から払出制御基板２４への電源ラインやグランドラインを低インピーダンス化し、(3) 第１グランド面A_GND を第２グランド面D_GND から隔離し、且つ、(4) 発射タイミングに先行して球送りソレノイドＳＬｆの駆動電流を抑制しているので、発射ソレノイドＳＬｅへの駆動電流がふらつくことがない。

例えば、電源電圧３５Ｖの電源ラインと、そのグランドラインとの電位差がふらつくと、如何に負帰還制御をしているとはいえ、電位差のふらつきに、帰還経路が直ちには追随できず（所定の応答時間が必要）、発射ソレノイドＳＬｅの駆動電流が一定化されず、遊技球の到達位置が一定化されないおそれがある。

また、この実施例では、発射タイミングに先行して球送りソレノイドＳＬｆの駆動電流を抑制しているが、この対策を取らない場合には、球送りソレノイドＳＬｆへの駆動電流に対応する電源ラインやグランドラインの電圧降下によって、正確な発射動作が維持できない可能性がある。すなわち、球送りソレノイドＳＬｆの駆動電流については、定電流制御をしていないので、回路素子や球送りソレノイドＳＬｆの発熱などに対応して、駆動電流が変化して、電源電圧３５Ｖの電源ラインと、そのグランドラインとの電位差がふらつきを促進するおそれがある。

以上、正確な発射動作を実現可能な実施例について詳細に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定せず、適宜に変更可能である。例えば、上記の実施例では、発射ソレノイドＳＬｆに駆動電流を供給して（Ｔｉ１〜Ｔｉ３）、遊技球を待機位置に移動させ、その後、発射ソレノイドＳＬｆの駆動電流を停止することで、待機位置の遊技球を発射位置に移動させたが何ら限定されない。

すなわち、図１１に示すように、球送りソレノイドＳＬｆに駆動電流を供給して、先頭位置の遊技球だけを発射位置に移動させ（期間（ａ））、その後、球送りソレノイドＳＬｆへの駆動電流を停止した状態では（期間（ｂ））、遊技球の移動を停止する構成を採っても良い。

なお、図１１では、球送りソレノイドＳＬｆへの駆動電流を停止した状態で、発射ソレノイドＳＬｅをＯＮ動作させているが、何ら限定されず、図１０（ｈ）（ｉ）の場合と同様、球送りソレノイドＳＬｆへの通電時の最後に発射ソレノイドＳＬｅを機能させても良い。

ところで、上記の実施例では、遊技球を遊技者に実際に払出す弾球遊技機について説明したが、遊技者への賞球動作を伴わない管理遊技機（いわゆる封入式遊技機）にも、本発明は、好適に適用可能である。封入式遊技機では、遊技者への賞球に対応する遊技価値を、ＩＣカードその他に記憶すること（遊技価値の付与）によって実際の賞球動作を回避している。

ＳＬｆ 球送りソレノイド
ＳＬｅ 発射ソレノイド
Ｔｉ１〜Ｔｉ２ 起動動作
Ｔｉ２〜Ｔｉ３ 保持動作

Claims (9)

1. 球送りソレノイドと、発射ソレノイドを適宜に動作させることで、遊技媒体を遊技領域に向けて発射する発射制御部を有する遊技機であって、
   前記球送りソレノイドの動作に基づいて、遊技媒体を所定の発射位置に誘導する誘導動作と、前記発射位置に遊技媒体が誘導された後、前記発射ソレノイドの動作に基づいて、前記発射位置の遊技媒体を打撃する発射動作と、を有して構成され、
   前記誘導動作は、規定電流を前記球送りソレノイドに供給する起動動作と、
   前記起動動作を終えた後、規定電流より低電流で前記球送りソレノイドを機能させる保持動作と、に区分されていることを特徴とする遊技機。
2. 前記球送りソレノイドには、第１スイッチ回路と、第２スイッチ回路とが直列接続され、前記第１スイッチ回路には、電流制限抵抗が並列接続されており、
   前記起動動作時には、前記第１スイッチ回路と、前記第２スイッチ回路がＯＮ動作する一方、
   前記保持動作時には、前記第２スイッチ回路がＯＮ動作を維持する状態で、前記第１スイッチ回路がＯＦＦ動作するよう構成されている請求項１に記載の遊技機。
3. 前記誘導動作は、一連の遊技媒体のうち先頭位置の遊技媒体を、待機位置に移動させる前記球送りソレノイドの第１動作と、
   前記待機位置の遊技媒体を、前記発射位置に移動させる前記球送りソレノイドの第２動作に区分され、
   前記第１動作の動作時間が、前記発射動作の動作時間と一部重複するよう設計されている請求項１又は２に記載の遊技機。
4. 前記球送りソレノイドの駆動電流が遮断されることで前記第２動作が実行され、
   その後、前記球送りソレノイドに駆動電流が供給されることで前記第１動作が実行され、
   前記第２動作では、後続の遊技媒体の移動を阻止しつつ、前記待機位置の遊技媒体が前記発射位置に誘導される請求項３に記載の遊技機。
5. 前記誘導動作は、一連の遊技媒体のうち先頭位置の遊技媒体を、前記発射位置に移動させる前記球送りソレノイドの第１動作で実現され、
   前記第１動作の動作時間は、前記発射動作の動作時間と重複しないよう設計されている請求項１又は２に記載の遊技機。
6. 前記第１動作は、前記球送りソレノイドに駆動電流が供給されることで実行され、
   後続の遊技球の移動が阻止された状態で、先頭位置の遊技媒体の移動が許可される請求項５に記載の遊技機。
7. 前記誘導動作と前記発射動作を実現する駆動電流は、単一の発射制御回路素子から、前記球送りソレノイドと前記発射ソレノイドに供給されるよう構成されている請求項１〜６の何れかに記載の遊技機。
8. 前記発射制御回路素子には、
   第１電源電圧を、外部基板から受ける第１電源端子と、
   第１電源電圧に対応するグランド電圧を、前記外部基板から受ける第１グランド端子と、
   前記球送りソレノイドに駆動電流を供給する第１の駆動端子対と、
   前記発射ソレノイドに駆動電流を供給する第２の駆動端子対と、
   前記発射制御部の発射制御を規定する各種の信号を受ける一群の信号端子群と、
   遊技媒体の払出動作を制御する払出制御部の電源電圧と同一電圧レベルの第２電源電圧を受ける第２電源端子と、
   前記払出制御部のグランド電位に共通化される第２グランド端子と、
   が設けられている請求項８に記載の遊技機。
9. 前記第１グランド端子と前記第２グランド端子とは、前記発射制御部の回路基板では分離状態である請求項８に記載の遊技機。

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