JP6335980B2 - 遊技機 - Google Patents

Description

本発明は、遊技動作に起因する抽選処理によって大当り状態を発生させる遊技機に関し、特に、不要な電力消費を抑制した遊技機に関する。

パチンコ機などの弾球遊技機は、遊技盤に設けた図柄始動口と、複数の表示図柄による一連の図柄変動態様を表示する図柄表示部と、開閉板が開閉される大入賞口などを備えて構成されている。そして、図柄始動口に設けられた検出スイッチが遊技球の通過を検出すると入賞状態となり、遊技球が賞球として払出された後、図柄表示部では表示図柄が所定時間変動される。その後、７・７・７などの所定の態様で図柄が停止すると大当り状態となり、大入賞口が繰返し開放されて、遊技者に有利な遊技状態を発生させている。

このような遊技状態を発生させるか否かは、図柄始動口に遊技球が入賞したことを条件に実行される大当り抽選で決定されており、上記の図柄変動動作は、この抽選結果を踏まえたものとなっている。例えば、抽選結果が当選状態である場合には、リーチアクションなどと称される演出動作を２０秒前後実行し、その後、特別図柄を整列させている。

リーチアクションでは、表示装置による派手な画像演出、電飾ランプなどによるランプ演出、大音量の音声演出、及び、可動役物による可動演出の全部又は一部が実行されるのが通例であり、遊技機において相当の電力を消費する。そして、遊技ホールには、この種の遊技機が多数配置されているので、全体としての消費電力を抑制するため、可能な限り、省電力化を図りたいところである。

特開２０１６−０７７５９１号公報 特開２０１５−１１９８７１号公報 特開２０１５−１１６４３７号公報 特開２００８−３０７２９０号公報

そこで、省電力を実現する各種の構成が提案されているが（特許文献１〜４）、待機動作中の遊技機について効果的な省電力構成は知られていない。

すなわち、スロットマシン（特許文献４参照）とは異なり、弾球遊技機では、遊技者が遊技中か否かは、もっぱら、図柄始動口に遊技球が入賞することのない継続時間で判定されており、省電力モードに移行するまでの迅速性に欠ける。一方、発射球の有無を定常的に検出するのでは（特許文献３参照）、特段の意義もなく、機器構成が複雑化する。

ここで、発射ハンドルなどの遊技部材の接触情報を活用することは考えられるが、簡易な構成では、接触情報の伝送路を悪用する不正遊技の可能性も懸念されるところである。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、不正遊技を回避しつつ、待機動作中か否かを迅速に検出して、相応の動作が実行可能な遊技機を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するため、本発明は、所定のスイッチ信号に基づいて抽選処理を実行し、その抽選結果に応じた遊技動作を実行可能な遊技機であって、前記抽選処理を実行して遊技動作を中心統括的に制御する主制御手段と、前記主制御手段からの指示に基づいて演出動作を実行する演出制御手段と、前記スイッチ信号を発生させるための操作部材に、遊技者が触れているか否かを検出可能なセンサ回路と、前記センサ回路が出力するセンサ信号を受ける検知回路と、前記センサ信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作するスイッチ回路と、前記スイッチ回路の出力に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作するフォトカプラと、を有して構成され、前記スイッチ回路と、前記フォトカプラとを搭載する接続回路基板を設けると共に、遊技者が操作部材に触れている接触状態では、検知回路から前記センサ回路に検出電流が供給されると共に、前記フォトカプラがＯＮ／ＯＦＦ何れか一方側の第１動作をし、遊技者が操作部材に触れていない非接触状態では、前記検出電流が途絶えると共に、前記フォトカプラがＯＮ／ＯＦＦ何れか他方側の第２動作をするよう構成されている。

本発明は、前記フォトカプラの第１動作から第２動作への移行に基づいて、自らを省電力モードで機能させる動作、及び／又は、外部機器を省電力モードで機能させる動作を開始するコンピュータ回路が設けられているのが好適である。この場合、前記コンピュータ回路は、前記フォトカプラの第２動作から第１動作への移行に基づいて、省電力モードから通常モードの動作に復帰するよう構成されていると好ましい。また、前記コンピュータ回路は、演出制御手段を構成しているのが好ましい。

ここで、前記フォトカプラを搭載した接続回路基板は、前記センサ回路を搭載した回路基板と、検知回路を搭載した回路基板の間に配置されるのが好ましい。また、前記スイッチ回路は、ＯＮ／ＯＦＦ状態の何れであっても、入力電流が事実上流れないよう構成されているのが好適である。

何れにしても、前記センサ回路から検知回路までの伝送路が断線状態の場合には、検知回路の出力に基づいて、遊技者が操作部材に触れていない非接触状態と判定されるよう構成されているのが好適である。

上記の通り、本発明によれば、不正遊技を回避しつつ、待機動作中か否かを迅速に検出して、相応の動作が実行可能となる。

本実施例のパチンコ機を示す斜視図である。 本実施例の遊技盤の概略正面図である。 本実施例の全体回路構成を示すブロック図である。 発射接続基板の回路構成を示す図面である。 ＤＣ３５Ｖの電源ラインと、タッチセンサ信号の伝送経路を説明する図面である。 電源基板の回路構成と回路動作を説明する図面である。 演出制御部の回路構成を示すブロック図である。 駆動電源基板の回路構成を説明する図面である。 駆動電源基板の変形構成を説明する図面である。 演出制御部の動作を説明するフローチャートである。 発射接続基板の回路構成の変形例を説明する図面である。

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本実施例のパチンコ機ＧＭを示す斜視図である。このパチンコ機ＧＭは、島構造体に着脱可能に装着される矩形枠状の木製外枠１と、外枠１に固着されたヒンジ２を介して開閉可能に枢着される前枠３とで構成されている。

この前枠３には、遊技盤５が、裏側からではなく、表側からワンタッチコネクタを利用して着脱自在に装着され、その前側には、ガラス扉６と前面板７とが夫々開閉自在に枢着されている。ここで、ワンタッチコネクタとは、一の装着操作で複数の接点が接続状態となり、一の分離操作で複数の接点が分離状態となる接続コネクタＣ１〜Ｃ４（図３参照）を意味する。

ガラス扉６の外周には、ＬＥＤランプなどによる電飾ランプが、略Ｃ字状に配置されている。一方、ガラス扉６の下側には、スピーカが配置されている。

前面板７には、発射用の遊技球を貯留する上皿８が装着され、前枠３の下部には、上皿８から溢れ出し又は抜き取った遊技球を貯留する下皿９と、発射ハンドル１０とが設けられている。発射ハンドル１０は、その回動角度に応じた強度で動作する打撃槌によって遊技球が発射される。

ここで、打撃槌は、発射ソレノイドＳＬｅによって駆動されており、打撃槌が機能するまでの発射準備のため、球送りソレノイドＳＬｆが機能している。また、発射ハンドル１０には、発射ソレノイドＳＬｅの発射強度を調整可能な強度ボリュームと、遊技者が発射ハンドル１０に触れているか否かを検出するタッチセンサと、遊技者が発射停止を指示する発射停止スイッチと、が配置されている。

そして、発射ハンドル１０の回転位置を示す発射強度信号ＶＲと、タッチセンサからのタッチセンサ信号Ｓ１と、停止スイッチ信号Ｓ２は、発射接続基板２７を経由して、発射制御基板２５に伝送されるよう構成されている（図３、図４参照）。

一方、上皿８の外周面には、チャンスボタン１１が設けられている。このチャンスボタン１１は、遊技者の左手で操作できる位置に設けられており、遊技者は、発射ハンドル１０から右手を離すことなくチャンスボタン１１を操作できる。このチャンスボタン１１は、通常時には機能していないが、ゲーム状態がボタンチャンス状態となると内蔵ランプが点灯されて操作可能となる。なお、ボタンチャンス状態は、必要に応じて設けられるゲーム状態である。

上皿８の右部には、カード式球貸し機に対する球貸し操作用の操作パネル１２が設けられ、カード残額を３桁の数字で表示する度数表示部と、所定金額分の遊技球の球貸しを指示する球貸しスイッチと、ゲーム終了時にカードの返却を指令する返却スイッチとが設けられている。

図２に示すように、遊技盤５の表面には、金属製の外レールと内レールとからなるガイドレール１３が環状に設けられ、その略中央には、背面側に延びる中央開口ＨＯが設けられている。そして、中央開口ＨＯの奥底には、液晶カラーディスプレイで構成された表示装置ＤＳが配置されている。

また、表示装置ＤＳの前面に形成される空間には、演出可動体ＡＭＵ（可動役物）が昇降自在に配置されている。演出可動体ＡＭＵは、昇降機構ＡＬＶに保持されて昇降される固定部材ＦＩＸと、固定部材ＦＩＸに支持されて回転する回転部材ＲＯＴとで構成されている。

昇降機構ＡＬＶの昇降動作や、回転部材ＲＯＴの回転動作は、ステッピングモータで構成された演出モータＭ１〜Ｍｎの回転によって実現される。なお、通常時には、演出可動体ＡＭＵは、昇降機構ＡＬＶに吊り上げられた状態で待機している。

遊技領域の適所には、図柄始動口１５、大入賞口１６、普通入賞口１７、ゲート１８が配設されている。これらの入賞口１５〜１８は、それぞれ内部に検出スイッチを有しており、遊技球の通過を検出できるようになっている。

表示装置ＤＳは、大当り状態に係わる特定図柄を変動表示すると共に背景画像や各種のキャラクタなどをアニメーション的に表示する装置である。この表示装置ＤＳは、中央部に特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃと右上部に普通図柄表示部１９を有している。そして、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃでは、大当り状態の招来を期待させるリーチ演出が実行されたり、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃ及びその周りでは、当否結果を不確定に報知する予告演出などが実行される。

普通図柄表示部１９は普通図柄を表示するものであり、ゲート１８を通過した遊技球が検出されると、普通図柄が所定時間だけ変動し、遊技球のゲート１８の通過時点において抽出された抽選用乱数値により決定される停止図柄を表示して停止するようになっている。

図柄始動口１５は、左右一対の開閉爪を備えた電動式チューリップで開閉されるよう構成され、普通図柄表示部１９の変動後の停止図柄が当り図柄を表示した場合には、開閉爪が所定時間だけ、若しくは、所定個数の遊技球を検出するまで開放されるようになっている。

電動式チューリップは、制御信号ＣＴＬｂがＬレベルになるタイミングで、第２ソレノイドＳＬｂが通電状態となって開放する（図５参照）。なお、図２の構成とは異なり、普通入賞口１７を開閉可能に構成する場合には、制御信号ＣＴＬｃで通電制御される第３ソレノイドＳＬｃによって普通入賞口が開閉される。

図柄始動口１５に遊技球が入賞すると、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの表示図柄が所定時間だけ変動し、図柄始動口１５への遊技球の入賞タイミングに応じた抽選結果に基づいて決定される停止図柄で停止する。なお、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃ及びその周りでは、一連の図柄演出の間に、予告演出が実行される場合がある。また、予告演出の一種として、演出可動体ＡＭＵが中央開口ＨＯの位置に降下してくることがある。そして、降下した演出可動体ＡＭＵは、時計方向又は反時計方向に回転した後、元の位置に上昇する。

大入賞口１６は、例えば前方に開放可能な開閉板１６ａで開閉制御されるが、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの図柄変動後の停止図柄が「７７７」などの大当り図柄のとき、「大当りゲーム」と称する特別遊技が開始され、開閉板１６ａが開放されるようになっている。開閉板１６ａは、制御信号ＣＴＬａがＬレベルになるタイミングで、第１ソレノイドＳＬａが通電状態となって開放する（図５参照）。

大入賞口１６の開閉板１６ａが開放された後、所定時間が経過し、又は所定数（例えば１０個）の遊技球が入賞すると開閉板１６ａが閉じる。このような動作は、最大で例えば１５回まで特別遊技が継続され、遊技者に有利な状態に制御される。なお、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの変動後の停止図柄が特別図柄のうちの特定図柄であった場合には、特別遊技の終了後のゲームが高確率状態となるという特典が付与される。

図３は、上記した各動作を実現するパチンコ機ＧＭの全体回路構成を示すブロック図である。図示の通り、このパチンコ機ＧＭは、ＡＣ２４Ｖを受けて各種の直流電圧と電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２を出力する電源基板２０と、遊技制御動作を中心統括的に担う主制御基板２１と、主制御基板２１から受けた制御コマンドＣＭＤに基づいてランプ演出及び音声演出を実行する演出制御基板２２と、演出制御基板２２から受けた制御コマンドＣＭＤ’に基づいて表示装置ＤＳを駆動する画像制御基板２３と、主制御基板２１から受けた制御コマンドＣＭＤ”に基づいて払出モータＭを制御して遊技球を払い出す払出制御基板２４と、遊技者の操作に応答して遊技球を発射させる発射制御基板２５と、を中心に構成されている。

主制御基板２１が出力する制御コマンドＣＭＤは、先ず、演出制御基板２２に伝送され、演出制御基板２２から出力される制御コマンドＣＭＤ’は、画像インタフェイス基板２８を経由して、画像制御基板２３に伝送される。また、主制御基板２１が出力する制御コマンドＣＭＤ”は、主基板中継基板３２を経由して、払出制御基板２４に伝送される。

制御コマンドＣＭＤ，ＣＭＤ’，ＣＭＤ”は、何れも１６ビット長であるが、主制御基板２１や払出制御基板２４が関係する制御コマンドは、８ビット長毎に２回に分けてパラレル送信されている。一方、演出制御基板２２から画像制御基板２３に伝送される制御コマンドＣＭＤ’は、１６ビット長をまとめてパラレル伝送されている。そのため、可動予告演出を含む予告演出を、多様化して多数の制御コマンドを連続的に送受信するような場合でも、迅速にその処理を終えることができ、他の制御動作に支障を与えない。

本実施例では、画像インタフェイス基板２８と画像制御基板２３とは、配線ケーブルを経由することなく、雄型コネクタと雌型コネクタとを直結されて二枚の回路基板が積層されている。そのため、各電子回路の回路構成を複雑高度化しても基板全体の収納空間を最小化できると共に、接続ラインを最短化することで耐ノイズ性を高めることができる。

これら主制御基板２１、演出制御基板２２、画像制御基板２３、及び払出制御基板２４には、ワンチップマイコンを備えるコンピュータ回路がそれぞれ搭載されている。そこで、これらの制御基板２１〜２４とインタフェイス基板２８に搭載された回路、及びその回路によって実現される動作を機能的に総称して、本明細書では、主制御部２１、演出制御部２２、画像制御部２３、及び払出制御部２４と言うことがある。すなわち、この実施例では、画像制御基板２３と画像インタフェイス基板２８とで画像制御部２３を構成している。なお、演出制御部２２、画像制御部２３、及び払出制御部２４の全部又は一部がサブ制御部である。

また、このパチンコ機ＧＭは、図３の破線で囲む枠側部材ＧＭ１と、遊技盤５の背面に固定された盤側部材ＧＭ２とに大別されている。枠側部材ＧＭ１には、ガラス扉６や前面板７が枢着された前枠３と、その外側の木製外枠１とが含まれており、機種の変更に拘わらず、長期間にわたって遊技ホールに固定的に設置される。一方、盤側部材ＧＭ２は、機種変更に対応して交換され、新たな盤側部材ＧＭ２が、元の盤側部材の代わりに枠側部材ＧＭ１に取り付けられる。なお、枠側部材ＧＭ１を除く全てが、盤側部材ＧＭ２である。

図３の破線枠に示す通り、枠側部材ＧＭ１には、電源基板２０と、払出制御基板２４と、発射制御基板２５と、発射接続基板２７と、枠中継基板３５と、ランプ駆動基板３６とが含まれており、これらの回路基板が、前枠３の適所に各々固定されている。

図４は、タッチセンサを搭載するセンサ基板ＳＮと、発射接続基板２７と、発射制御基板２５について、各基板の回路構成を図示したものである。図示の通り、センサ基板ＳＮは、接触片たる発射ハンドル１０に遊技者が触れているか否かに基づいて発信強度が変わる発信回路と、発信強度を検出する検波平滑回路と、検波出力に基づいてセンストランジスタＱｓをＯＮ／ＯＦＦ制御するスイッチング回路などを有して構成されている。

この実施例では、遊技者が発射ハンドル１０に触れると、センストランジスタＱｓがＯＮ動作し、遊技者が発射ハンドル１０から手を離すと、センストランジスタＱｓがＯＦＦ動作する。センストランジスタＱｓには、２００μＡ程度のＯＮ電流を流す必要があるが、センストランジスタＱｓは、オープンコレクタ状態であるので、他の回路基板からセンストランジスタＱｓのＯＮ電流をシンクさせる必要がある。

発射接続基板２７は、センサ基板ＳＮからタッチセンサ信号Ｓ１を受けて、これを発射制御基板２５に転送すると共に、タッチセンサ信号Ｓ１に基づいて生成されたタッチ信号ＴＣＨを、演出制御基板２２に向けて出力している。本実施例では、タッチ信号ＴＣＨは、発射接続基板２７→枠中継基板３５→枠中継基板３４の経路で演出制御基板２２に伝送されている（図３）。図５にも示す通り、タッチ信号ＴＣＨは、ワンタッチコネクタの接続コネクタＣ４を経由して演出制御基板２２に伝送される。

そして、接続コネクタＣ４を通過する伝送経路中の何れかの回路基板には、フォトカプラＰＨの電流制限抵抗Ｒ４１と、タッチ信号ＴＣＨの入力抵抗Ｒ４０と、フィルタコンデンサＣ４と、入力抵抗Ｒ４０を通してタッチ信号ＴＣＨを受ける反転バッファＱ１２と、で構成された信号伝送回路が搭載されている。なお、電流制限抵抗Ｒ４１は、フォトカプラＰＨのフォトトランジスタのＯＮ電流を規定する。また、反転バッファＱ１２は、Ｃ−ＭＯＳ構成の入力回路を有しており、事実上、入力電流は流れない。

上記したタッチ信号ＴＣＨを生成するため、発射接続基板２７には、タッチセンサ信号Ｓ１に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作するＮｃｈ型のＭＯＳトランジスタＱ１０と、ＭＯＳトランジスタＱ１０のゲート端子に接続される入力抵抗Ｒ２０と、入力抵抗Ｒ２０とグランド間に配置されるサージアブソーバＳＵＲと、ＭＯＳトランジスタＱ１０のドレイン電流が流れるフォトカプラＰＨと、ドレイン電流を規制するドレイン抵抗Ｒ２１とが搭載されている。

本実施例では、ＭＯＳトランジスタＱ１０を使用するので、事実上、入力電流が流れることはなく、センサ基板ＳＮのセンストランジスタＱｓに対するシンク電流は、発射制御基板２５から供給される。なお、サージアブソーバＳＵＲは、例えばバリスタで構成され、タッチセンサ信号Ｓ１の伝送路に、静電気の帯電などによる過電圧が発生しても、直ちにこれが吸収され、ＭＯＳトランジスタＱ１０や発射制御基板の反転バッファＱ１１が破損されることを防止している。なお、ＭＯＳトランジスタＱ１０のゲートソース間にも過電圧を吸収する２個のツェナーダイオードが対面して配置されている。

発射制御基板２５の回路構成は、図４に示す通りであり、電流制限抵抗Ｒ３１と、入力抵抗Ｒ３０と、フィルタコンデンサＣ３と、入力抵抗Ｒ３０を通してタッチセンサ信号Ｓ１を受ける反転バッファＱ１１と、を有して構成されている。ここで、電流制限抵抗Ｒ３１は、センサ基板ＳＮのセンストランジスタＱｓのＯＮ電流を規制しており、２００μＡ程度のＯＮ電流は、電流制限抵抗Ｒ３１→発射制御基板２５→発射接続基板２７の経路で、センストランジスタＱｓに供給される。なお、反転バッファＱ１１は、Ｃ−ＭＯＳ構成の入力回路を有しており、事実上、入力電流は流れない。

発射制御基板２５の他の構成は、特開２００９−１１９１８４号公報などに記載された公知の構成であり、遊技者が発射ハンドル１０を握り、発射停止スイッチを操作せず、且つ、払出制御基板２４から発射を許可する発射制御信号Ｓ３を受ける場合に、タッチセンサ信号Ｓ１＝ＯＮ、発射停止スイッチ信号Ｓ２＝ＯＦＦ、且つ、発射制御信号Ｓ３＝ＯＮの条件が揃い、法的の所定周期で遊技球が間欠的に発射される。一方、上記の条件が揃わない場合には、遊技球が発射されることはない。

なお、遊技球の発射動作は、発射ソレノイドＳＬｅが間欠的に通電することで実現されるが、発射ソレノイドＳＬｅの通電電流の電流値に応じて発射強度が制御される。また、発射周期に対応して、球送りソレノイドＳＬｆが通電して、発射球が所定位置にセットされる。

以上、発射接続基板２７の回路構成を説明したので、タッチセンサの動作について確認する。遊技中、遊技者が発射ハンドル１０を握っているので、センストランジスタＱｓはＯＮ状態であり、電流制限抵抗Ｒ３１→発射接続基板２７の経路で、センストランジスタＱｓに２００μＡ程度のＯＮ電流が流れる。なお、反転バッファＱ１１は、Ｃ−ＭＯＳ構成の入力回路を有し、また、トランジスタＱ１０もＮｃｈＭＯＳで構成されているので、ＯＮ電流は、これ以外の通路では流れず、ＯＮ電流の電流値は、もっぱら、ＤＣ５Ｖと、電流制限抵抗Ｒ３１だけで規定される。

規定のＯＮ電流が流れる状態では、タッチセンサ信号Ｓ１がＬレベルであって、反転バッファＱ１１の入力がＬレベルであることから、反転バッファＱ１１の出力がＨレベルとなり、タッチセンサ信号Ｓ１＝ＯＮの状態となる。また、このとき、ＭＯＳトランジスタＱ１０はＯＦＦ状態であり、フォトカプラＰＨもＯＦＦ状態であるので、反転バッファＱ１２の入力たるタッチ信号ＴＣＨはＨレベルとなり、反転バッファＱ１２の出力はＬレベルであってタッチ信号ＴＣＨ＝ＯＮの状態となる。

一方、遊技者が発射ハンドル１０から手を離すと、センストランジスタＱｓがＯＦＦ状態となるので、反転バッファＱ１１の入力たるタッチセンサ信号Ｓ１がＨレベルとなり、反転バッファＱ１１の出力はＬレベルであって、タッチセンサ信号Ｓ１＝ＯＦＦの状態となる。また、このとき、ＭＯＳトランジスタＱ１０はＯＮ遷移するので、フォトカプラＰＨが導通する。すると、反転バッファＱ１２の入力であるタッチ信号ＴＣＨがＬレベルに遷移し、反転バッファＱ１２の出力はＨレベルとなって、タッチ信号ＴＣＨ＝ＯＦＦの状態となる。

次に、タッチセンサ信号Ｓ１やタッチ信号ＴＣＨの伝送経路に断線異常が生じた場合について説明する。先ず、タッチセンサの内部異常によりセンストランジスタＱｓがＯＦＦ状態を維持したり、或いは、タッチセンサ信号Ｓ１の伝送経路に断線異常が生じると、電流制限抵抗Ｒ３１がプルアップ抵抗として機能することで、タッチセンサ信号Ｓ１がＨレベル（ＯＦＦ状態）を維持する。

また、このとき、ＭＯＳトランジスタＱ１０はＯＮ遷移するので、フォトカプラＰＨが導通して、タッチ信号ＴＣＨがＬレベル（ＯＦＦ状態）に遷移する。この動作状態は、遊技者が発射ハンドル１０から手を離している場合と同じであり、意味も無く、遊技球が発射されるおそれはなく、適切なフェールセーフ動作が実現される。また、動作異常に対応して、以下に説明する省電力モードの動作を開始することもできる。

本実施例では、上記したフェールセーフ動作と、フォトカプラＰＨの動作を活用して、適宜な省電力モードの動作を開始し、また、省電力モードから通常モードの動作に復帰している。具体的には、タッチ信号ＴＣＨがＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移すると、所定時間後に、演出制御部２２のワンチップマイコン４０を省電力モードの動作に移行させると共に、演出モータＭ１〜Ｍｎなどの外部機器を省電力モードで動作させるようにしている。そして、その後、タッチ信号ＴＣＨがＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移すると、直ちに、省電力モードの動作を終了して、通常モードの動作に復帰させている。なお、具体的な手法については更に後述する。

以上、発射接続基板２７について説明したので、図３に戻って、本遊技機の他の構成を説明する。図３に示すランプ駆動基板３６には、複数のＬＥＤが接続されており、これらのＬＥＤ群を駆動する駆動データＳＤＡＴＡは、シリアル信号として、演出制御基板２２→枠中継基板３４→枠中継基板３５を経由して、ランプ駆動基板３６に搭載された複数のＬＥＤドライバに伝送されている。

遊技盤５の背面には、主制御基板２１、演出制御基板２２、画像制御基板２３及び画像インタフェイス基板２８が、表示装置ＤＳやその他の回路基板と共に固定されている。そして、枠側部材ＧＭ１と盤側部材ＧＭ２とは、一箇所に集中配置された接続コネクタＣ１〜Ｃ４によって電気的に接続されている。各接続コネクタＣ１〜Ｃ４は、各々、複数の接点を有するが、これら全体Ｃ１〜Ｃ４の接点が、一の装着操作で接続状態となり、一の分離操作で分離状態となるワンタッチコネクタである。

電源基板２０は、接続コネクタＣ２を通して、主基板中継基板３２に接続され、接続コネクタＣ３を通して、電源中継基板３３に接続されている。電源基板２０の内部構成は、図６（ａ）に示す通りであり、外部から受けるＡＣ２４Ｖを全波整流するブリッジ型の整流回路６１と、整流回路６１の出力を受けてＤＣ３５Ｖを出力する力率改善回路６２と、整流回路の過渡電流を抑制する突入電流防止回路６３と、４個のＤＣ−ＤＣコンバータ（以下、コンバータと略す）ＲＧ１〜ＲＧ４及びその付属回路と、交流電源の遮断と直流出力電圧の異常を監視する交流監視回路６４と、を有して構成されている。

力率改善回路６２が出力するＤＣ３５Ｖは、給電ラインＣＢ１〜ＣＢ３を通して、主制御基板２１と、払出制御基板２４と、演出制御基板２２に配電される。そこで、電源基板２０の内部構成を説明する前に、先ず、給電ラインＣＢ１〜ＣＢ３の構成について詳細に説明する。

図６（ａ）に示す通り、溶断ヒューズＦＵ１を経由した直流電圧ＤＣ３５Ｖは、第１給電ラインＣＢ１と第２給電ラインＣＢ２を経由して、主制御基板２１と払出制御基板２４に給電される。一方、演出制御基板２２に対しては、サーミスタＴＨ２及び溶断ヒューズＦＵ２を経由させた直流電圧ＤＣ３５Ｖが、第３給電ラインＣＢ３を通して給電される。

給電ラインＣＢ１，ＣＢ２は、直接、直流電圧ＤＣ３５Ｖを給電するのに対して、給電ラインＣＢ３は、サーミスタＴＨ２を介在させて、直流電圧ＤＣ３５Ｖを給電するのは、本実施例では、給電ラインＣＢ１，ＣＢ２が誘導性負荷で終端されているのに対して、給電ラインＣＢ３が容量性負荷で終端されているためである。

図５（ａ）は、給電ラインＣＢ１〜ＣＢ３が、誘導性負荷、又は容量性負荷の何れで終端されているかを説明する図面である。なお、併せて、発射接続基板２７が受けるタッチセンサ信号Ｓ１と、タッチ信号ＴＣＨの伝送経路も図示している。

図示の通り、第１給電ラインＣＢ１の直流電圧ＤＣ３５Ｖは、接続コネクタＣ２を通過後、主制御基板２１の内部配線を経由して、遊技盤中継基板３１に至り、大入賞口１６の開閉板１６ａや図柄始動口１５の電動式チューリップなどを開閉させる電磁ソレノイドＳＬａ〜ＳＬｃの一端に供給される。そして、本実施例の場合、電磁ソレノイドＳＬａ〜ＳＬｃの他端は、電源電圧を要しない電力スイッチＰＳを経由して、制御信号ＣＴＬａ〜ＣＴＬｃを受けている。

図５（ｂ）に示す通り、実施例の電力スイッチＰＳは、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとグランド端子ＧＮＤの三端子で構成されており、出力端子ＯＵＴとグランド端子ＧＮＤとの間に、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴであるトランジスタＱｎが配置されている。この電力スイッチＰＳのトランジスタＱｎは、入力端子電圧＝１．５Ｖ程度を閾値電圧としてＯＮ／ＯＦＦ動作をするが、過熱保護、過電流保護、過電圧保護、出力電流制御、出力遮断、及び、静電気保護などの機能を発揮する内部回路を内蔵した一素子で構成されている。

具体的には、トランジスタＱｎのドレイン−ソース間の電圧は６０Ｖ程度でクランプされ（過電圧保護）、素子温度が１５０℃程度で出力動作を停止し（過熱保護）、１０Ｖを超える入力電圧がクランプされ（静電保護）、ドレイン電流が６Ａ程度を超えると保護回路が機能するよう構成されている。なお、トランジスタＱｎのＯＮ動作時の出力端子とグランド間の内部抵抗は０．３Ω程度であり、電流検出用のシャント抵抗はトランジスタＱｎには接続されていない。また、ＯＦＦ動作時のドレイン−ソース間の漏れ電流は、５〜１０μＡ程度である。

この電力スイッチＰＳは、トランジスタＱｎのＯＮ動作時に、電磁ソレノイドに１Ａ程度の駆動電流を流す電流ドライバとして機能するが、同等の保護機能を有する通常のドライバとは異なり、電源電圧が不要である点に大きな特徴がある。なお、電力スイッチＰＳに代えて、パワートランジスタを配置したのでは、各種の保護機能を発揮させることはできない。

本実施例では、電源電圧が存在しない図５（ｂ）に示す電力スイッチＰＳを使用して、電磁ソレノイドＳＬｉを駆動するので、電源投入時など、ソレノイドが通電していない状態はもとより、遊技動作中でソレノイドＳＬｉが通電する状態でも、給電ラインＣＢ１が容量性負荷となることがない。すなわち、トランジスタＱｎがＯＮ動作するソレノイドＳＬｉの通電時に、給電ラインＣＢ１が誘導性負荷となることは自明であるが、トランジスタＱｎのＯＦＦ時についても、ドレイン−ソース間の漏れ抵抗や、小容量の漂遊容量が機能することで、給電ラインＣＢ１は誘導性負荷となる。

なお、以上の点は、第１給電ラインＣＢ１だけでなく、第２給電ラインＣＢ２についても同様である。すなわち、第２給電ラインＣＢ２の直流電圧ＤＣ３５Ｖは、払出制御基板２４や発射制御基板２５の内部配線を経由して、発射ソレノイドＳＬｅや球送りソレノイドＳＬｆの一端に供給され、発射ソレノイドＳＬｅや球送りソレノイドＳＬｆの他端は、図５（ｂ）に示す電力スイッチＰＳを経由して、各々の制御信号ＣＴＬｅ，ＣＴＬｆを受けている。

このように、給電ラインＣＢ１，ＣＢ２は、何れも誘導性負荷で終端されるため、電源投入時など、給電ラインが初めて活線化されるタイミングにも、過大な電流が流れるおそれがなく、ヒューズＦＵ１の溶断などの電源トラブルのおそれがない。

以上、給電ラインＣＢ１，ＣＢ２を、図５（ｂ）に示す電力スイッチＰＳで終端させた本実施例の効果を説明したが、第３給電ラインＣＢ３については、同様の構成を採ることができない。

すなわち、図５（ａ）に示す通り、第３給電ラインＣＢ３の直流電圧ＤＣ３５Ｖは、接続コネクタＣ３を通過後、演出制御基板２２やランプ／モータ駆動基板３０の内部配線を経由して、駆動電源基板２６に配電される。駆動電源基板２６には、ＤＣ−ＤＣコンバータＣＮが配置されており、ＤＣ−ＤＣコンバータＣＮの入力側に平滑コンデンサＣｉｎが配置されていることで、第３給電ラインＣＢ３は容量性負荷となる。

ここで、平滑コンデンサＣｉｎは、可動役物による可動演出時に、ＤＣ−ＤＣコンバータＣＮの入力電圧が無闇に変動して、給電ラインＣＢ３から電源リップルノイズを発生させないよう、可動演出時の消費電力に基づいて最適値に設定される。可動演出時の消費電力は、可動役物の荷重などに大きく関連するが、平滑コンデンサＣｉｎは、少なくとも、２０μＦ以上である必要があり、２０μＦ〜８００μＦの範囲で最適設定される。

図８に関し後述するように、ＤＣ−ＤＣコンバータＣＮは、ＤＣ３５Ｖを受けて、ＤＣ１５Ｖ又は１８Ｖを出力する降圧型コンバータであり、その出力電圧は、演出モータＭ１〜Ｍｎの駆動電圧Ｖｍとなる。本実施例では、演出モータＭ１〜Ｍｎの駆動電圧Ｖｍが１５Ｖ又は１８Ｖ程度であるにも拘らず、敢えて、ＤＣ３５Ｖを配電する高圧給電方式を採ることで、接続コネクタＣ３→演出制御基板２２→ランプ／モータ駆動基板３０→駆動電源基板２６に至る通電路における電力損失を効果的に軽減している。

例えば、駆動電源基板２６に至るまでＤＣ３５Ｖを配電する実施例の構成を、ＤＣ１５Ｖを配電する構成と比較した場合、仮に、両構成において、電源基板２０からの供給電力が同一であると仮定すると、高圧給電する本実施例の構成では、給電電流Ｉが１５／３５＝３／７になるので、線路損失抵抗ｒにおける電力損失が９／４９倍に抑制されることになる（ｒ×Ｉ^２）。

ワンタッチコネクタＣ１〜Ｃ４を使用する本実施例では、特に、接続コネクタＣ３の径年劣化による接触抵抗の増加が懸念されるところ、上記した高圧給電の構成は非常に有効である。このように、本実施例では、電力損失を抑制するため高圧給電方式を採るが、ただ単に高圧給電したのでは、電源投入時に問題が生じる。

すなわち、給電ラインＣＢ３は、２０μＦ〜８００μＦ程度の容量性負荷であるところ、電源投入時には、コンデンサＣｉｎのインピーダンスがほぼゼロの状態から開始されて、０Ｖから３５Ｖまで急速に充電されるので、この間のラッシュ電流によって、接触抵抗の大きい部分が繰り返し摩耗される。なお、コンデンサへの急速充電が終わると、ラッシュ電流が収まるので、溶断ヒューズＦＵ２が反応することがなく、ラッシュ電流による摩耗が毎日繰り返されることになる。また、万一、電源投入状態のまま、盤側部材ＧＭ２が枠側部材ＧＭ１に装着されるような場合、接続コネクタＣ３の接触抵抗によって、その接点部分が溶断してしまう可能性もある。

そこで、本実施例では、上記の問題を考慮して、容量性負荷である第３給電ラインＣＢ３に限り、その最上流側にサーミスタＴＨ２を配置している。ここで、サーミスタＴＨ２は、２５℃の抵抗値が公証値１Ω〜３Ωであり、１００℃の抵抗値が０．２Ω程度、１７０℃の抵抗値が０．１Ω程度の素子が選択される。また、このサーミスタＴＨ２の熱放散定数δは、１４ｍＷ／℃〜２７ｍＷ／℃である。なお、熱放散定数δは、静止空気雰囲気においてサーミスタ自身が通電による自己加熱で１℃温度上昇するために必要な電力（ｍＷ／℃）を意味する。

本実施例では、上記した特性のサーミスタＴＨ２を、第３給電ラインＣＢ３に配置するので、例えば、電源投入時に２Ω程度であったサーミスタＴＨ２の抵抗値が、その後の通電による自己発熱によって、急激に０．１〜０．２Ω程度まで低下することになり、このような過渡的に電流制限機能を発揮するサーミスタＴＨ２によって、電源投入時の電源トラブルが確実に回避される。

以上、図５に基づいて、第１給電ラインＣＢ１、第２給電ラインＣＢ２、及び、第３給電ラインＣＢ３について詳細に説明したので、図６を参照しつつ、電源基板２０の内部構成について更に説明する。

図６（ａ）に示す通り、力率改善回路６２は、チョークコイルＬ１と、スイッチングトランジスタＱ１，Ｑ２と、２つのトランジスタをＯＮ／ＯＦＦ制御してチョッパ動作を実現する昇圧タイプの力率制御回路ＰＦＣと、平滑コンデンサＣ１とを有して構成され、入力電圧のピーク値３３．９Ｖ（＝２４＊ＳＱＲ２）を昇圧して、設計値ＤＣ３５Ｖの直流電圧を出力している。

先に説明した通り、この直流電圧ＤＣ３５Ｖは、第１から第３の給電ラインＣＢ１〜ＣＢ３を通して、主制御基板２１と、払出制御基板２４と、演出制御基板２２に各々配電されている。

力率制御回路ＰＦＣは、トランジスタＱ１，Ｑ２を相補的にＯＮ／ＯＦＦ制御することで、ＡＣ２４Ｖの電源ラインに、低振幅ノコギリ波状の充放電流を流している（図６（ｄ）参照）。すなわち、トランジスタＱ１のＯＮ時（Ｑ２がＯＦＦ）に、チョークコイルＬ１に蓄積されたエネルギーが、トランジスタＱ２のＯＮ時（Ｑ１がＯＦＦ）に、平滑コンデンサＣ１に充電されることで、ＡＣ２４Ｖの電源ラインの入力電流を略正弦波状に改善している。

したがって、本実施例によれば、図６（ｃ）に示すようなスパイク状の入力電流が流れることがなく、整流回路６１を構成するダイオードＤ１〜Ｄ４の電流最大定格を抑制することができ、大容量のダイオードＤ１〜Ｄ４（相対的に高価）を使用する必要がなくなる。なお、図６（ｂ）と図６（ｃ）は、力率改善回路を有しない従来装置（比較例）について、平滑コンデンサＣ１の両端電圧と、ＡＣ２４Ｖの電源ラインの入力電流の電流波形を示したものであり、平滑コンデンサＣ１への充電時に、スパイク状の大電流が流れることを示している。これに対して、本実施例では、図６（ｃ）に示すようなスパイク電流が流れないので、電源ノイズが発生することがなく、この意味でも好適である。

突入電流防止回路６３は、ＮチャンネルＭＯＳ型のスイッチングトランジスタＱ３と、トランジスタＱ３のドレイン端子−ソース端子間に配置されたサーミスタＴＨ１と、トランジスタＱ３のゲート電圧を規定するバイアス素子（ＺＤ１，Ｒ１，Ｒ２，Ｃ２）とで構成されている。図示の通り、バイアス素子にはツェナーダイオードＺＤ１が含まれているので、ツェナーダイオードＺＤ１が降伏してＯＮ動作するまでの過渡状態では、ゲート端子にバイアス電圧が加わらず、トランジスタＱ３がＯＦＦ状態となる。

そのため、電源投入直後は、ＡＣ２４Ｖの電源ラインの入力電流が、整流回路６１→力率改善回路６２→サーミスタＴＨ１→整流回路６１の経路を通ることになり、電源投入時の過渡電流（突入電流）がサーミスタＴＨ１によって最適に制限される。そのため、本実施例では、この意味でも大容量で高価なダイオードＤ１〜Ｄ４を使用する必要が無い利点がある。なお、力率制御回路ＰＦＣの出力値が、定常値（ＤＣ３５Ｖ）に近づくと、ツェナーダイオードＺＤ１がＯＮ動作して、トランジスタＱ３もＯＮ動作するので、その後は、サーミスタＴＨ１に電流が流れることはなく、サーミスタＴＨ１において無駄な電力消費が継続することはない。

交流監視回路６４は、ダイオードＤ５，Ｄ６及び負荷抵抗Ｒ３で構成された全波整流回路と、電流制限抵抗Ｒ４と、コンバータＲＧ４とで構成されている。負荷抵抗Ｒ３の両端電圧は、ピーク値３４Ｖ程度の脈流波形となり（図６（ｅ）参照）、この脈流電圧が電流制限抵抗Ｒ４を経由して、コンバータＲＧ４の監視端子Ｓｉｎ１に供給されている。そして、コンバータＲＧ４は、監視端子Ｓｉｎ１に供給される電圧に基づいて、交流電源ＡＣ２４Ｖの遮断を判定しているが、その詳細は後述する。

４個のコンバータＲＧ１〜ＲＧ４は、全て同一レベルの直流電圧（ＤＣ３５Ｖ）をＤＣ入力端子Ｖｉｎ受けて動作して、不図示の受動素子（Ｒ，Ｌ，Ｃ）と共に機能することで、降下レベルの直流電圧（１２Ｖ又は５Ｖ）を出力している。すなわち、コンバータＲＧ１とコンバータＲＧ２は、各々、１２Ｖを生成して出力端子Ｖｏｕｔに出力しており、コンバータＲＧ１の出力電圧ＤＣ１２Ｖは、演出制御基板２２に配電され、コンバータＲＧ２の出力電圧ＤＣ１２Ｖは、主制御基板２１と払出制御基板２４に配電されている。

また、コンバータＲＧ３は、演出制御基板２２に配電されるＤＣ５Ｖを生成してコンバータＲＧ３の出力端子Ｖｏｕｔから出力し、コンバータＲＧ４は、主制御基板２１と払出制御基板２４に配電されるＤＣ５Ｖを生成して、コンバータＲＧ４の出力端子Ｖｏｕｔから出力する。このように、本実施例の電源基板２０では、３種類の直流電圧（３５Ｖ，１２Ｖ，５Ｖ）だけを生成し、これらの直流電圧の配電を受けた各制御基板２０，２１，２２では、必要に応じて、降下レベルの一又は複数の電源電圧を生成する構成を採っており、遊技機全体として電源回路の構成に無駄がない。

なお、コンバータＲＧ４の出力に基づいてＤＣ５Ｖのバックアップ電源ＢＡＫが生成され、主制御基板２１と払出制御基板２４に配電されている。ここで、バックアップ電源ＢＡＫとは、営業終了や停電により交流電源２４Ｖが遮断された後も、主制御部２１と払出制御部２４のワンチップマイコンの内蔵ＲＡＭのデータを保持するＤＣ５Ｖの直流電源である。

ところで、コンバータＲＧ１とコンバータＲＧ３には、各回路素子のＤＣ−ＤＣ変換動作の許否を制御する制御端子ＣＴＬが設けられており、制御端子ＣＴＬがＨレベルであることを条件に内部回路が機能してＤＣ−ＤＣ変換動作が実行される。

また、この実施例では、コンバータＲＧ２と、コンバータＲＧ４は、内部構成を図６（ｆ）に示す同一の回路素子（ＩＣ）を使用している。この回路素子は、内蔵されたＤＣ変換回路ＣＮＶへのＤＣ入力端子Ｖｉｎと、ＤＣ変換回路ＣＮＶの動作を許否制御する制御端子ＣＴＬと、コンパレータＣＭ２への入力端子Ｓｉｎ２と、異常信号を受ける検出端子ＲＥＦと、５．１Ｖ用のツェナーダイオードなどに内部接続された監視端子Ｓｉｎ１と、コンパレータＣＭ２の出力端子Ｓｏｕｔ２と、コンパレータＣＭ１の出力端子Ｓｏｕｔ１と、ＤＣ変換回路ＣＮＶの出力端子Ｖｏｕｔと、を有して構成されている。このコンバータＲＧ２，ＲＧ４についても、制御端子ＣＴＬがＨレベルであることを条件に内部回路（ＤＣ変換回路ＣＮＶ）が機能してＤＣ−ＤＣ変換動作が実行される。

図６（ｆ）に示す通り、コンバータＲＧ２やコンバータＲＧ４に内蔵されたコンパレータＣＭ２は、その入力端子Ｓｉｎ２への入力電圧と、比較基準電圧２．５Ｖとを比較してＨ／Ｌレベルの比較結果を出力する。具体的には、入力端子Ｓｉｎ２の電圧が、比較基準電圧２．５Ｖより高い場合には、出力端子Ｓｏｕｔ２に、Ｈレベルの比較結果を出力するが、入力端子Ｓｉｎ２の電圧が、比較基準電圧２．５Ｖを下回ると、Ｌレベルの比較結果を出力するよう構成されている。

図６（ａ）に略記している通り、コンバータＲＧ２やコンバータＲＧ４の入力端子Ｓｉｎ２には、各々、直流電圧ＤＣ３５Ｖを適宜に分圧した分圧信号ＤＶが供給されている。この分圧信号ＤＶは、直流電圧ＤＣ３５Ｖが正常レベルである場合には、比較基準電圧２．５Ｖより高レベルであるが、直流電圧ＤＣ３５Ｖが所定レベルまで降下すると、比較基準電圧２．５Ｖを下回るよう設定されている。そのため、直流電圧ＤＣ３５Ｖが所定レベルまで降下すると、コンバータＲＧ２やコンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ２がＬレベルに遷移することになる。

図６（ａ）に示す通り、コンバータＲＧ２の出力端子Ｓｏｕｔ２は、自らの制御端子ＣＴＬと共に、コンバータＲＧ１の制御端子ＣＴＬに接続されている。同様に、コンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ２は、自らの制御端子ＣＴＬと共に、コンバータＲＧ３の制御端子ＣＴＬに接続されている。

そのため、直流電圧ＤＣ３５Ｖが降下して、コンバータＲＧ２やコンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ２の出力電圧がＬレベルに遷移すると、その後は、４つのコンバータＲＧ１〜ＲＧ４が、一斉にＤＣ−ＤＣ変換機能を停止することになる。このように、本実施例では、ＤＣ−ＤＣ変換すべき入力電圧（ＤＣ３５Ｖ）が、異常レベルまで降下すると、ＤＣ−ＤＣ変換動作が自動的に停止されるので、その後の異常動作の発生のおそれがない。

図６（ｆ）に戻って説明を続けると、コンパレータＣＭ１の入力部は、ワイアードＯＲ構成になっており、監視端子Ｓｉｎ１からの電圧、又は、検出端子ＲＥＦからの電圧の何れか一方又は双方が、比較基準電圧２．５Ｖを下回る場合には、出力端子Ｓｏｕｔ１に、Ｌレベルの検出信号を出力するようになっている。

出力端子Ｓｏｕｔ１から出力されるＬレベルの検出信号は、交流電源（ＡＣ２４Ｖ）が降下したか、主制御基板２１や払出制御基板２４に配電されるべき直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ）が降下したことを示しており、電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２として、各制御基板２１，２４に配電される。

また、この実施例の場合、コンバータＲＧ２の出力端子Ｓｏｕｔ１は、コンバータＲＧ４の検出端子ＲＥＦに接続されている。そのため、コンバータＲＧ２の出力端子Ｓｏｕｔ１の電圧がＬレベルに遷移して、コンバータＲＧ４の検出端子ＲＥＦがＬレベルに遷移すると、この動作に対応して、コンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ１がＬレベルに遷移することになる。

このような回路構成に対応して、本実施例では、コンバータＲＧ２の出力電圧ＤＣ１２Ｖを、分圧抵抗ＲＡ，ＲＢによる分圧回路で監視し、コンバータＲＧ４の出力電圧ＤＣ５Ｖを、分圧抵抗Ｒａ，Ｒｂによる分圧回路で監視している。そして、各分圧回路の監視出力は、ダイオードＤ７を通して結合され、監視電圧ＤＥ１として、コンバータＲＧ２の検出端子ＲＥＦに供給されている。ここで、分圧抵抗ＲＡ，ＲＢと分圧抵抗Ｒａ，Ｒｂは、各コンバータＲＧ２，ＲＧ４の出力電圧ＤＣ１２Ｖ，ＤＣ５Ｖに対応した値に設定されており、正常時（つまり、各コンバータＲＧ２，ＲＧ４の出力電圧が所定レベル１２Ｖ，５Ｖである場合）には、コンバータＲＧ２の検出端子ＲＥＦに供給される監視電圧ＤＥ１が２．５５Ｖ程度になるよう設計されている。

そのため、正常時には、コンバータＲＧ２（コンパレータＣＭ１）の出力端子Ｓｏｕｔ１はＨレベルとなる。一方、コンバータＲＧ２，ＲＧ４の出力電圧の一方又は双方が、所定レベル１２Ｖや５Ｖを下回ると、コンバータＲＧ２（コンパレータＣＭ１）の出力端子Ｓｏｕｔ１は、ＨレベルからＬレベルに降下する。先に説明した通り、コンバータＲＧ２の出力端子Ｓｏｕｔ１は、コンバータＲＧ４の検出端子ＲＥＦに接続されているので、コンバータＲＧ２の出力端子Ｓｏｕｔ１と共にコンバータＲＧ４の検出端子ＲＥＦがＬレベルに遷移することで、コンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ１がＬレベルに遷移することになる。

ところで、交流監視回路６４を構成するコンバータＲＧ４の監視端子Ｓｉｎ１には、図６（ｅ）に示す監視電圧ＤＥ２が供給されている。この監視電圧ＤＥ２は、原始的には、ＡＣ２４Ｖの脈流であるが、電流制限抵抗Ｒ４を経由して５．１Ｖ用のツェナーダイオードに伝送されることで、振幅５．１Ｖ程度の検出電圧として、コンバータＲＧ４のコンパレータＣＭ１に供給される。なお、図６（ｅ）には、監視電圧ＤＥ２がパルス波状に記載されているが、交流電源ＡＣ２４Ｖが遮断されない限り、回路素子の容量成分や配線上の漂遊容量などに基づき、監視電圧ＤＥ２が２．５Ｖレベルを下回ることはない。すなわち、給電状態の交流電源ＡＣ２４Ｖの瞬時値が、０Ｖのタイミングであっても、監視電圧ＤＥ２は、２．５Ｖレベルを上回っている。

一方、交流電源ＡＣ２４Ｖが途絶えると（その時のコンバータＲＧ４の検出端子ＲＥＦやＤＣ入力端子Ｖｉｎの電圧レベルに拘わらず）、コンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ１が、素早く、Ｌレベルに遷移することになる。出力端子Ｓｏｕｔ１からの出力は、先に説明した電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２に他ならず、主制御基板２１と払出制御基板２４に伝送される。したがって、各制御基板２１，２４では、必要なバックアップ動作を迅速に開始することができる。なお、バックアップ動作とは、電源遮断前の遊技動作を電源投入後に再開できるよう、必要なデータを保存する動作を意味し、保存されたデータは、バックアップ電源ＢＡＫによって維持される（電源バックアップ機能）。なお、この実施例では、少なくとも数日は、各ワンチップマイコンのＲＡＭの記憶内容が保持されるよう設計されている。

先に説明した通り、電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２は、主制御基板２１や払出制御基板２４に配電されるべき直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ）が異常レベルまで降下した場合にも出力される。すなわち、本実施例では、コンバータＲＧ２，ＲＧ４及びその付属回路と、交流監視回路６４とが協働して、交流入力電圧ＡＣ２４Ｖの異常と、複数レベルの直流出力電圧（５Ｖ，１２Ｖ）の異常をまとめて監視しているので、全ての異常時に、主制御部２１や払出制御部２４が迅速に対処できる利点がある。以上の点も含め、電源基板２０における監視動作を確認すると以下の通りである。

（１）交流電源ＡＣ２４Ｖの遮断時には、交流監視回路６４から受ける監視電圧ＤＥ２が、比較基準電圧２．５Ｖを下回ることで、コンバータＲＧ４（交流監視回路６４）の出力端子Ｓｏｕｔ１から出力される電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２が素早くＬレベルとなる。

（２）主制御基板２１や払出制御基板２４に伝送される直流出力電圧１２Ｖ又は直流出力電圧５Ｖが降下すると、監視電圧ＤＥ１が比較基準電圧２．５Ｖを下回るタイミングで、コンバータＲＧ２の出力端子Ｓｏｕｔ１と、コンバータＲＧ４の検出端子ＲＥＦがＬレベルとなり、コンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ１から出力される電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２がＬレベルとなる。なお、この電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２は、交流電源ＡＣ２４Ｖの給電状態であってもＬレベルとなるので、例えば、コンバータＧＲ２，ＲＧ４の異常時にも、各制御基板２１，２４では、必要なバックアップ動作を開始することができる。

（３）力率改善回路６２から出力される直流電圧ＤＣ３５Ｖが降下して、監視電圧ＤＥ１が比較基準電圧２．５Ｖを下回ると、コンバータＲＧ２やコンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ２の出力電圧がＬレベルに遷移してコンバータＲＧ１〜ＲＧ４の動作が停止状態となる。その結果、主制御基板２１や払出制御基板２４に伝送されるべき直流出力電圧１２Ｖや直流出力電圧５Ｖのレベルも降下するので、（２）の場合と同様に、コンバータＲＧ４の出力端子Ｓｏｕｔ１から出力される電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２がＬレベルとなる。この動作も、交流電源ＡＣ２４Ｖが給電状態か否かを問わないので、例えば、整流回路６１や力率改善回路６２などの異常に伴う直流電圧の降下時にも、各制御基板２１，２４では、必要なバックアップ動作を開始することができる。

本実施例の電源基板２０では、交流電源の投入を示す電源リセット信号を生成しておらず、電源リセット信号が主制御基板２１、払出制御基板２４、演出制御基板２２などに伝送されることはない。そのため、各制御基板２１，２４，２２では、配電された直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ）に基づいて電源リセット信号を生成している。本実施例はこのような構成を採るので、従来装置のように、電源リセット信号を電源基板から各制御基板に伝送する信号線にノイズが重畳することで、ＣＰＵが異常リセットされるおそれがない。

続いて、上記した電源基板２０の構成を踏まえて、図３に戻って、遊技機ＧＭの他の構成について説明する。図３に示す通り、主制御基板２１は、主基板中継基板３２を経由して電源基板２０に接続されており、３種類の直流電圧ＤＣ３５Ｖ，ＤＣ１２Ｖ，ＤＣ５Ｖと、バックアップ電源ＢＡＫと、電源異常信号ＡＢＮ１とを受けている。図５に関して前述した通り、ＤＣ３５Ｖは、第１給電ラインＣＢ１を経由して、各種のソレノイドＳＬａ〜ＳＬｃに伝送される。

一方、払出制御基板２４は、中継基板を介することなく、電源基板２０に直結されており、主制御部２１が受けると同様の電源異常信号ＡＢＮ２や、バックアップ電源ＢＡＫを、３種類の直流電圧ＤＣ３５Ｖ，ＤＣ１２Ｖ，ＤＣ５Ｖと共に直接的に受けている。図５に示す通り、ＤＣ３５Ｖは、第２給電ラインＣＢ２を経由して、発射ソレノイドＳＬｅや球送りソレノイドＳＬｆに伝送される。

ところで、この実施例では、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲは、主制御部２１で生成されて主制御部２１と払出制御部２４のワンチップマイコンに伝送されている。ここで、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲは、各制御部２１，２４のワンチップマイコンの内蔵ＲＡＭの全領域を初期設定するか否かを決定する信号であって、係員が操作する初期化スイッチＳＷのＯＮ／ＯＦＦ状態に対応した値を有している。

また、図３に示す通り、主制御部２１は、主基板中継基板３２を経由して、払出制御部２４に制御コマンドＣＭＤ”を送信する一方、払出制御部２４からは、遊技球の払出動作を示す賞球計数信号や、払出動作の異常に係わるステイタス信号ＣＯＮや、動作開始信号ＢＧＮを受信している。ステイタス信号ＣＯＮには、例えば、補給切れ信号、払出不足エラー信号、下皿満杯信号が含まれる。動作開始信号ＢＧＮは、電源投入後、払出制御部２４の初期動作が完了したことを主制御部２１に通知する信号である。

また、主制御部２１は、遊技盤中継基板３１を経由して、遊技盤５の各遊技部品に接続されている。そして、遊技盤上の各入賞口１６〜１８に内蔵された検出スイッチのスイッチ信号を受ける一方、電動式チューリップなどのソレノイド類ＳＬｉを駆動している。

ここで、検出スイッチは、主制御部２１から配電された電源電圧ＶＢ（１２Ｖ）で動作するよう構成されている。また、図柄始動口１５への入賞状態などを示す各スイッチ信号は、電源電圧ＶＢ（１２Ｖ）と電源電圧Ｖｃｃ（５Ｖ）とで動作するインタフェイスＩＣで、ＴＴＬレベル又はＣＭＯＳレベルのスイッチ信号に変換された上で、主制御部２１に伝送される。

図３に示す通り、演出制御部２２は、電源中継基板３３を経由して、電源基板２０から３種類の直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ，３５Ｖ）を受けている（図４及び図７参照）。図５に関して前述した通り、ＤＣ３５Ｖは、第３給電ラインＣＢ３を経由して、ランプ／モータ駆動基板３０に伝送され、最終的には、駆動電源基板２６に伝送される。そして、ＤＣ３５Ｖは、駆動電源基板２６に配置されたＤＣ−ＤＣコンバータＣＮで所定レベルＶｍまで降圧された後、ランプ／モータ駆動基板３０に返送されて、演出モータＭ１〜Ｍｎの駆動電圧となる。

また、演出制御部２２は、主制御部２１から制御コマンドＣＭＤとストローブ信号ＳＴＢとを受けている（図３及び図７参照）。そして、演出制御部２２は、ランプ駆動基板２９やランプ／モータ駆動基板３０に搭載されたＬＥＤドライバに、ランプ駆動データＳＤＡＴＡ（シリアル信号）を供給している。特に限定されるものではないが、ランプ駆動基板２９やランプ／モータ駆動基板３０に搭載されているＬＥＤドライバ／モータドライバは、ランプ駆動基板３６に搭載されたＬＥＤドライバと同一構成である。

また、本実施例では同じＬＥＤドライバを使用してステッピングモータを駆動しており、ランプ／モータ駆動基板３０を経由して、演出モータ群Ｍ１〜Ｍｎを駆動している。この場合、モータ駆動データは、ランプ駆動データと同様のシリアル信号であり、演出内容を豊富化するべく演出モータ個数を増やしても、配線ケーブルが増加することがなく、機器構成が簡素化される。

なお、シリアル信号であるモータ駆動データは、ＬＥＤドライバと同一構成のモータドライバにおいて、モータ駆動パルスΦ１〜Φｉに再生されて、演出モータＭ１〜Ｍｎに出力される。

図３及び図７に示す通り、演出制御部２２は、画像制御部２３に対して、制御コマンドＣＭＤ’及びストローブ信号ＳＴＢ’と、システムリセット信号ＳＹＳと、２種類の直流電圧（１２Ｖ，５Ｖ）とを出力している。

そして、画像制御部２３では、制御コマンドＣＭＤ’に基づいて表示装置ＤＳを駆動して各種の画像演出を実行している。表示装置ＤＳは、ＬＥＤバックライトによって発光しており、画像インタフェイス基板２８から５対のＬＶＤＳ（低電圧差動伝送Low voltage differential signaling）信号と、バックライト電源電圧（１２Ｖ）とを受けて駆動されている（図７参照）。なお、ＬＥＤバックライト部は、ＰＷＭ制御によって輝度調整が可能となっている。

続いて、上記した演出制御部２２と画像制御部２３の構成を更に詳細に説明する。図７に示す通り、演出制御部２２は、音声演出・ランプ演出・演出可動体による予告演出・データ転送などの処理を実行するワンチップマイコン４０と、ワンチップマイコン４０の制御プログラムなどを記憶する制御メモリ（フラッシュメモリ）４１と、ワンチップマイコン４０からの指示に基づいて音声信号を再生して出力する音声合成回路（音声合成ＩＣ）４２と、再生される音声信号の元データである圧縮音声データを記憶する音声メモリ４３と、音声合成回路４２のデジタル音声信号を受けてＤ級増幅する２個のデジタルアンプ４６ａ，４６ｂと、を備えて構成されている。

音声メモリ４３は、音声合成回路４２からアクセス可能な不揮発性メモリであり、一連の背景音楽の一曲分（ＢＧＭ）や、ひと纏まりの演出音（予告音）などが、フレーズ圧縮データ（原音データ）として記憶されている。そして、各原音データは、１１ビット長のフレーズ番号（０００Ｈ〜７ＦＦＨ）で特定されるようになっており、音声合成回路４２やワンチップマイコン４０は、フレーズ番号によって原音データを特定することができる。

デジタルアンプ４６ａの増幅出力（アナログ音声信号）は、低音用のスピーカに供給されており、デジタルアンプ４６ｂの増幅出力（アナログ音声信号）は、遊技者に対して左右位置にほぼ整列配置された２個のスピーカに供給されている。

また、演出制御基板２２には、係員が操作する設定スイッチＳＥＴから４ビット長のスイッチ信号が供給されている。ここで、設定スイッチＳＥＴは、遊技盤５の裏側に配置されて、必要時に操作される盤側部材である。図３や図７に示す通り、設定スイッチＳＥＴは、枠側部材である音量スイッチＶＳＷ（図１参照）とは別に配置されている。そして、係員が設定スイッチＳＥＴを操作すると、遊技者が設定していた音量スイッチＶＳＷの設定値は無効となる。但し、その後、遊技者によって設定された音量スイッチＶＳＷの設定値は、重大な異常事態の発生時を除いて有効となる。

図７に示す通り、演出制御基板２２は、電源中継基板３３を経由して、電源基板２０から３種類の直流電圧（Ｖｃｃ＝５Ｖ、ＶＢ＝１２Ｖ、３５Ｖ）を受けている。そして、直流電圧Ｖｃｃ，ＶＢについては、そのまま画像インタフェイス基板２８及び画像制御基板２３に転送され、直流電圧３５Ｖは、そのままランプ／モータ駆動基板３０から駆動電源基板２６に伝送されて所定レベルＶｍに降圧された後、演出モータＭ１〜Ｍｎの駆動電圧として活用している。

なお、直流電圧Ｖｃｃは、演出制御基板２２の各種デジタル回路の電源電圧として活用され、直流電圧ＶＢは、デジタルアンプ４６ａ，４６ｂの電源電圧とされると共に、駆動基板２９，３０にも転送されてランプ演出やモータ演出に活用される。

また、演出制御基板２２には、電源基板２０から受ける直流電圧ＶＢに基づいて、降下レベルの３種類の直流電圧を生成する電源回路が設けられている（図７左側参照）。この電源回路は、具体的には、直流電圧１２Ｖから直流電圧１．０Ｖを生成する第一ＤＣ−ＤＣコンバータＣＯＮＶ１と、直流電圧１２Ｖから直流電圧３．３Ｖを生成する第二ＤＣ−ＤＣコンバータＣＯＮＶ２と、直流電圧３．３Ｖから直流電圧１．８Ｖを生成する第三ＤＣ−ＤＣコンバータＣＯＮＶ３とを有して構成されている。

直流電圧１．０Ｖは、音声合成回路４２に内蔵されたコア回路用の電源電圧であり、直流電圧３．３Ｖは、ワンチップマイコン４０と、制御メモリ４１と、音声合成回路４２と、音声メモリ４３の電源電圧として使用される。なお、音声合成回路４２に供給される直流電圧３．３Ｖは、内蔵されたインタフェイス回路用の電源電圧である。また、ワンチップマイコン４０が受ける直流電圧１．８Ｖは、内蔵されているコア回路の電源電圧であり、直流電圧３．３Ｖは、内蔵されているインタフェイス回路の電源電圧である。

このように、本実施例の演出制御基板２２では、主要な回路素子（ＩＣ）の電源電圧が、全てのＶｃｃ（５Ｖ）未満、具体的には公証値３．３Ｖ以下である。しかも、演算処理を制御するコア回路の電源電圧が全て、公証値１．８Ｖ以下であるので、複雑高度な動作を高速処理しても消費電力を大幅に抑制することができる。

この演出制御基板２２には、リセット回路ＲＳＴ＆ＷＤＴが設けられており、電源基板２０から受ける２種類の直流電圧（ＤＣ１２Ｖ、ＤＣ５Ｖ）に基づいて、第一リセット信号ＳＹＳと、これに遅れて起動する第二リセット信号ＲＳＥＴとを生成している。また、このリセット回路ＲＳＴ＆ＷＤＴは、ウォッチドッグタイマを兼ねている。

次に、演出制御部２２の他の回路構成について説明する。先ず、ワンチップマイコン４０には、図７に示す通り、複数のパラレル入出力ポートＰＩＯ（Ｐｉ＋Ｐｉ’＋Ｐｏ＋Ｐｏ’）と、複数のシリアル出力ポートＳＩと、が内蔵されている。シリアル出力ポートＳＩは、より詳細には、３チャンネルのシリアルポート（Ｓ０〜Ｓ２）を含んで構成されており、ランプ駆動基板３６、２９、３０に搭載された複数個のＬＥＤドライバに、各々、シリアル駆動データＳＤＡＴＡ０〜ＳＤＡＴＡ２を、クロック信号ＣＫ０〜ＣＫ２に同期して出力している。

すなわち、シリアルポートＳ０〜シリアルポートＳ２は、クロック同期方式に基づいて、対応するランプ駆動基板３６、２９、３０に、シリアル駆動データＳＤＡＴＡ０〜ＳＤＡＴＡ２を伝送している。なお、シリアル駆動データＳＤＡＴＡ０〜ＳＤＡＴＡ２は、その殆どが、各ＬＥＤの発光輝度をＰＷＭ制御（pulse width modulation）によって輝度調整するため輝度データ（ランプ駆動データ）であるが、演出モータＭ１〜Ｍｎを駆動するモータ駆動データも含まれている。

また、パラレル出力ポートＰｏ’は、３ビット長の動作許可信号ＥＮＡＢＬＥ０〜ＥＮＡＢＬＥ２を、ランプ駆動基板３６、２９、３０に出力しており、各ランプ駆動基板３６、２９、３０に搭載されたＬＥＤドライバは、動作許可信号ＥＮＡＢＬＥ０〜ＥＮＡＢＬＥ２の何れかに基づいて動作を開始している。また、出力ポートＰｏ’からは、デジタルアンプ４６ａ，４６ｂの出力を無音化するためのＭＵＴＥ信号が出力されている。このＭＵＴＥ信号は、例えば、動作が不安定となる可能性のある電源投入時や、音声合成回路４２の異常動作が検出された場合などに使用される。

このような構成に対応して、演出制御基板２２には、ワンチップマイコン４０のパラレル出力ポートＰｏ’や、シリアルポートＳＩや出力される各種の信号を伝送する出力バッファ回路４７，４８，４９が設けられている。ここで、出力バッファ４７は、第０チャンネルのＬＥＤ群に関連しており、ワンチップマイコン４０が出力するランプ駆動データＳＤＡＴＡ０、クロック信号ＣＫ０、及び、動作許可信号ＥＮＡＢＬＥ０を、枠中継基板３４に出力している。そして、出力された３ビットの信号は、枠中継基板３４、及び、枠中継基板３５を経由して、ランプ駆動基板３６のＬＥＤドライバに伝送される。

同様に、出力バッファ４８は、ワンチップマイコン４０が出力するランプ駆動データＳＤＡＴＡ１、クロック信号ＣＫ１、及び、動作許可信号ＥＮＡＢＬＥ１をランプ駆動基板２９のＬＥＤドライバに伝送しており、出力バッファ４９は、ランプ駆動データＳＤＡＴＡ２、クロック信号ＣＫ２、及び、動作許可信号ＥＮＡＢＬＥ２をランプ／モータ駆動基板３０のＬＥＤドライバに伝送している。なお、ランプ駆動基板２９のＬＥＤドライバは、第１チャンネルのＬＥＤ群を駆動し、ランプ／モータ駆動基板３０のＬＥＤドライバは、第２チャンネルのＬＥＤ群と、演出モータＭ１〜Ｍｎとを駆動している。

一方、入力バッファ４４には、主制御部２１からの制御コマンドＣＭＤ及びストローブ信号ＳＴＢと、発射接続基板２７からのタッチ信号ＴＣＨが入力されている。そして、制御コマンドＣＭＤとタッチ信号ＴＣＨは、入力バッファ４４を経由して入力ポートＰｉに入力されている。また、コマンド出力ポートＰｏからは、出力バッファ４５を経由して、制御コマンドＣＭＤ’及びストローブ信号ＳＴＢ’が出力されるよう構成されている。

入力ポートＰｉに供給されるタッチ信号ＴＣＨは、遊技者が発射ハンドル１０を保持しているか否かを示す信号であり、遊技操作時は、タッチ信号ＴＣＨがＯＮ状態であって（ＴＣＨ＝Ｌレベル）、発射ハンドルから遊技者が手を離すと、タッチ信号ＴＣＨがＯＦＦ状態（ＴＣＨ＝Ｈレベル）となる。したがって、ワンチップマイコン４０は、入力ポートＰｉを通して、タッチ信号ＴＣＨを把握することで、遊技者が遊技中か否かを判定することができる。

また、タッチ信号ＴＣＨは、入力バッファ４４を経由して、ワンチップマイコン４０のＮＭＩ（Non Maskable Interrupt）端子にも供給されており、タッチ信号ＴＣＨがＨレベルからＬレベルに変化すると、マスク不可の割込み処理が起動されるようになっている。つまり、本実施例では、異常ＯＦＦレベル（Ｈ）のタッチ信号ＴＣＨが、正常ＯＮレベル（Ｌ）に復帰すると、ワンチップマイコン４０は、ＮＭＩ割込みによって、その事実を直ちに知ることができるようになっている。なお、タッチ信号ＴＣＨが正常ＯＮ（Ｌ）レベルから、異常ＯＦＦ（Ｈ）レベルに変化してもＮＭＩ割込みは発生せず、ワンチップマイコン４０は、その事実を、入力ポートＰｉを通して把握することになる。

上記した各信号の電圧レベルについて説明すると、制御コマンドＣＭＤと、タッチ信号ＴＣＨと、ストローブ信号ＳＴＢは、入力バッファ４４において、ワンチップマイコン４０の電源電圧３．３Ｖに対応する論理レベルに変換されて８ビット単位で、ワンチップマイコン４０に供給される。先に説明した通り、タッチ信号ＴＣＨは、入力ポートＰｉと共に、ワンチップマイコン４０のＮＭＩ端子に供給され、ワンチップマイコン４０は、ＮＭＩ割込みの起動によって、タッチ信号ＴＣＨが正常ＯＮレベル（Ｌ）に復帰したことを把握する知ることができる。

一方、ストローブ信号ＳＴＢは、ワンチップマイコン４０の割込み（Maskable Interrupt）端子ＩＮＴに供給され、受信割込み処理によって、演出制御部２２は、制御コマンドＣＭＤを取得するよう構成されている。

演出制御部２２のワンチップマイコン４０が取得する制御コマンドＣＭＤには、（１）異常報知その他の報知用制御コマンドなどの他に、（２）図柄始動口への入賞に起因する各種演出動作の概要特定する制御コマンド（変動パターンコマンド）や、図柄種別を指定する制御コマンド（図柄指定コマンド）が含まれている。ここで、変動パターンコマンドで特定される演出動作の概要には、演出開始から演出終了までの演出総時間と、大当たり抽選における当否結果とが含まれている。

また、図柄指定コマンドには、大当たり抽選の結果に応じて、大当たりの場合には、大当たり種別に関する情報（１５Ｒ確変、２Ｒ確変、１５Ｒ通常、２Ｒ通常など）を特定する情報が含まれ、ハズレの場合には、ハズレを特定する情報が含まれている。変動パターンコマンドで特定される演出動作の概要には、演出開始から演出終了までの演出総時間と、大当り抽選における当否結果とが含まれている。なお、これらに加えて、リーチ演出や予告演出の有無などを含めて変動パターンコマンドで特定しても良いが、この場合でも、演出内容の具体的な内容は特定されていない。

そのため、演出制御部２２（ワンチップマイコン４０）では、変動パターンコマンドを取得すると、これに続いて演出抽選を行い、取得した変動パターンコマンドで特定される演出概要を更に具体化している。例えば、リーチ演出や予告演出について、その具体的な内容が決定される。そして、決定された具体的な遊技内容にしたがい、ＬＥＤ群などの点滅によるランプ演出や、スピーカによる音声演出の準備動作を行うと共に、画像制御部２３に対して、ランプやスピーカによる演出動作に同期した画像演出に関する制御コマンドＣＭＤ’を出力する。

このような演出動作に同期した画像演出を実現するため、演出制御部２２は、コマンド出力ポートＰｏを通して、画像制御部２３に対するストローブ信号（割込み信号）ＳＴＢ’と共に、１６ビット長の制御コマンドＣＭＤ’を画像インタフェイス基板２８に向けて出力している。なお、演出制御部２２は、図柄指定コマンドや、表示装置ＤＳに関連する報知用制御コマンドや、その他の制御コマンドを受信した場合は、その制御コマンドを、１６ビット長に纏めた状態で、割込み信号ＳＴＢ’と共に画像インタフェイス基板２８に向けて出力している。

上記した演出制御基板２２の構成に対応して、出力バッファ４５が設けられており、１６ビット長の制御コマンドＣＭＤ’と１ビット長の割込み信号ＳＴＢ’を画像インタフェイス基板２８に出力している。そして、これらのデータＣＭＤ’，ＳＴＢ’は、画像インタフェイス基板２８を経由して、画像制御基板２３に伝送される。なお、これらの信号は、ワンチップマイコン４０の電源電圧３．３Ｖに対応する論理レベルである。

また、パラレルポートＰｉ’には、係員が音量を設定するべく操作する設定スイッチＳＥＴからのスイッチ信号が供給されている。設定スイッチＳＥＴのスイッチ信号は、電源投入時に、そのレベルが判定されて初期状態の音量設定値が決定される。そして、その後も定時的に設定スイッチＳＥＴの設定位置が判定され、もし、初期状態から変化があれば、その時のスイッチ信号のレベルに応じた音量設定値となる。

また、演出制御基板２２には、音声合成回路４２から出力される音声信号を受ける２つのデジタルアンプ４６ａ，４６ｂが配置されている。先に説明した通り、音声合成回路４２は、３．３Ｖと１．０Ｖの電源電圧で動作しており、また、デジタルアンプ４６ａ，４６ｂは、電源電圧１２ＶでＤ級増幅動作しており、消費電力を抑制しつつ大音量の音声演出を可能にしている。

続いて、図８に基づいて駆動電源基板２６について説明する。第３給電ラインＣＢ３については、図５に関して説明した通りであるが、駆動電源基板２６は、ランプ／モータ駆動基板３０を経由して、演出制御基板２２から、第３給電ラインＣＢ３のＤＣ３５Ｖを受けると共に、電圧制御信号ＣＴＬ１を受けている。

この駆動電源基板２６は、ＤＣ−ＤＣコンバータＣＮを中心に構成され、ＤＣ−ＤＣコンバータＣＮの出力電圧Ｖｏｕｔが、演出モータＭ１〜Ｍｎの駆動電圧Ｖｍとして、ランプ／モータ駆動基板３０に伝送され、役物演出時には、演出モータＭ１〜Ｍｎが動作するようになっている（図８（ｂ）参照）。

実施例のＤＣ−ＤＣコンバータＣＮは、チョークコイルＬを内蔵して構成され（図８（ｃ）参照）、同期整流方式のステップダウン・チョッパ型レギュレータとして機能する。そこで、以下の説明では、このＤＣ−ＤＣコンバータを、便宜上、降圧コンバータＣＮと称することにする。

駆動電源基板２６の具体的な回路構成は、図８（ａ）に示す通りであり、降圧コンバータＣＮと、降圧コンバータＣＮの出力電圧Ｖｏｕｔを制御する可変抵抗回路ＶＲと、入力コンデンサＣｉｎと、出力コンデンサＣｏｕｔと、を有して構成されている。

入力コンデンサＣｉｎや出力コンデンサＣｏｕｔの容量値は、演出モータＭ１〜Ｍｎの消費電力に関連し、役物演出時の最大消費電力に対応して、２０μＦ〜８００μＦ範囲内の最適値に設定される。かかる観点から、図示の駆動電源基板２６には、入力コンデンサＣｉｎとして、１０μＦ程度のキャパシタンス素子が６個並列に配置され、出力コンデンサＣｏｕｔとして、２２０μＦ程度のキャパシタンス素子が２個並列に配置されている。

可変抵抗回路ＶＲは、互いに連動してスイッチング動作をするトランジスタＱ１，Ｑ２と、ＰＮＰ型トランジスタＱ１のバイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２と、トランジスタＱ１のコレクタ抵抗Ｒ３と、ＮＰＮ型トランジスタＱ２のバイアス抵抗Ｒ５，Ｒ６とで構成されている。本実施例では、コレクタ抵抗Ｒ３は、例えば４００ｋΩ程度、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２は、例えば１０ｋΩ程度である。そして、トランジスタＱ１のエミッタ端子が、降圧コンバータＣＮの出力端子Ｖｏｕｔに接続され、コレクタ抵抗Ｒ３が、降圧コンバータＣＮの制御端子Ａｄｊに接続されている。このような構成において、本実施例では、バイアス抵抗Ｒ２に加えて、敢えてバイアス抵抗Ｒ１を配置するので、トランジスタＱ２のＯＦＦ時に、トランジスタＱ１を確実にＯＦＦ状態に維持することができる。

すなわち、トランジスタＱ２のＯＦＦ時には、僅かとはいえ、トランジスタＱ２にコレクタ漏れ電流Ｌｋが流れるところ、もし、バイアス抵抗Ｒ１が存在しないと、このコレクタ漏れ電流ＬｋがトランジスタＱ１のエミッタ端子→ベース端子の経路で流れて、トランジスタＱ１を、増幅動作又はＯＮ動作させてしまう可能性がある。なお、後述するように、トランジスタＱ１は、コレクタ電流＝数１０μＡ程度で飽和状態となる。

これに対して、本実施例では、漏れ電流Ｌｋをバイアス抵抗Ｒ１に流す構成を採り、且つ、その時の抵抗Ｒ１の両端電圧が、トランジスタＱ１を動作させない電圧値に設計されているので、トランジスタＱ１を確実にＯＦＦ状態に維持することができる。

図５や図８（ａ）に示す通り、トランジスタＱ２は、演出制御基板２２から電圧制御信号ＣＴＬ１を受けるよう構成されており、電圧制御信号ＣＴＬ１がＨレベルであればトランジスタＱ２がＯＮ動作をする。

そして、トランジスタＱ２のＯＮ動作時には、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２に電流が流れると共に、エミッタ端子→ベース端子の経路で数ｍＡ程度のベース電流が流れるので、ＰＮＰ型トランジスタＱ１は、確実にＯＮ動作する。なお、本実施例では、コレクタ抵抗Ｒ３が４００ｋΩ程度であるので、トランジスタＱ２のＯＮ動作時のコレクタ飽和電流は、数１０μＡ程度となる。

何れにしても、電圧制御信号ＣＴＬ１がＨレベルの場合には、降圧コンバータＣＮの出力端子Ｖｏｕｔと、制御端子Ａｄｊとの抵抗値は、コレクタ抵抗Ｒ３の抵抗値に対応して４００ｋΩ程度となる。

一方、電圧制御信号ＣＴＬ１がＬレベルであれば、トランジスタＱ２がＯＦＦ状態を維持するので、これに対応して、ＰＮＰ型トランジスタＱ１もＯＦＦ状態を維持する。したがって、電圧制御信号ＣＴＬ１がＬレベルの場合には、降圧コンバータＣＮの出力端子Ｖｏｕｔと、制御端子Ａｄｊとの抵抗値は、実質的に∞となる。トランジスタＱ２のコレクタ漏れ電流Ｌｋに拘らず、トランジスタＱ１が、確実にＯＦＦ状態を維持することは上記した通りである。

図８（ｃ）は、降圧コンバータＣＮの内部構成を示す図面である。図示の通り、降圧コンバータＣＮは、相補的にＯＮ／ＯＦＦ動作するＭＯＳ−ＦＥＴであるパワートランジスタＴＲ１，ＴＲ２と、各トランジスタＴＲ１，ＴＲ２に適宜なデューティ比のＰＷＭ信号を供給するＰＷＭ回路と、トランジスタＴＲ１，ＴＲ２のドレイン電流が流れるチョークコイルＬと、出力電圧Ｖｏｕｔを分圧して検出電圧Ｖｒを得る分圧抵抗Ｒａ，Ｒｂと、検出電圧Ｖｒを比較電圧ＲＥＦと比較して比較電圧Ｖｃを出力するコンパレータＣＯＭと、を有して構成されている。

図示の通り、分圧抵抗Ｒａは、降圧コンバータＣＮの出力端子Ｖｏｕｔと、制御端子Ａｄｊとの間に配置される。また、ＰＷＭ回路は、スイッチング周波数１４０ｋＨｚのＰＷＭ信号を出力するが、比較電圧Ｖｃの出力タイミングに応じて、ＰＷＭ信号のデューティ比が変化するようになっている。

以上を踏まえて、降圧コンバータＣＮの動作内容を説明する。先ず、トランジスタＴＲ１がＯＮ状態で、トランジスタＴＲ２がＯＦＦ状態のタイミングでは、実線で示すコイル充電電流が、増加傾向を示してチョークコイルＬに流れ、チョークコイルＬに電磁エネルギーが充電される。この動作に対応して、出力電圧Ｖｏｕｔが増加し、これに合わせて検出電圧Ｖｒも増加することになる。

そして、検出電圧Ｖｒが比較電圧ＲＥＦを超えるタイミングでは、ＰＷＭ信号のレベルが遷移することで、トランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態、トランジスタＴＲ２がＯＮ状態に遷移する。その後は、破線で示すコイル放電電流が、減少傾向を示してチョークコイルＬに流れることで、電磁エネルギーが放電される。

そして、スイッチング周波数１４０ｋＨｚで規定されるタイミングで、トランジスタＴＲ１がＯＮ状態、トランジスタＴＲ２がＯＦＦ状態に戻り、先に説明したチョークコイルＬの充電動作が再実行される。

以上の説明から明らかな通り、ＰＷＭ信号のデューティ比は、検出電圧Ｖｒが比較電圧ＲＥＦを超えるタイミングで規定され、そのタイミングは、分圧抵抗Ｒａに並列接続関係となる可変抵抗回路ＶＲの等価抵抗Ｒｘによって規定されることになる。

この等価抵抗Ｒｘは、電圧制御信号ＣＴＬ１のＨ／Ｌレベル応じて変化し、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｈの場合にはＲｘ＝４００ｋΩ、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｌの場合にはＲｘ＝∞となる。この関係を言い換えると、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｈの場合には、バイアス抵抗Ｒａが実質的に低下することで、コイル充電動作からコイル放電動作の遷移タイミングが早くなることになり、出力電圧Ｖｏｕｔが減少することになる。

減少状態の出力電圧Ｖｏｕｔは、コレクタ抵抗Ｒ３の抵抗値に規定されるが、本実施例では、Ｒ３≒４００ｋΩに設定することで、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｈの場合には、出力電圧Ｖｏｕｔが１５Ｖ程度になり、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｌの場合には、出力電圧Ｖｏｕｔが１８Ｖ程度になるよう構成されている。

すなわち、本実施例では、電圧制御信号ＣＴＬ１のＨ／Ｌレベルに応じて、降圧コンバータＣＮの出力電圧Ｖｏｕｔが、１５Ｖ／１８Ｖとなる。そして、この出力電圧Ｖｏｕｔが、モータ駆動電圧Ｖｍとして、演出モータＭ１〜Ｍｎに供給される。

ここで、モータ駆動電圧Ｖｍを１５Ｖとするか１８Ｖかに応じて、モータ駆動電流が、約２０％（１８／１５＝１．２）変化するが、ステッピングモータのトルク出力は、励磁磁束の強さに比例し、励磁磁束の強さは、励磁巻線の巻数と、巻線に流れる駆動電流に比例するので、本実施例のように、モータ駆動電圧Ｖｍを制御することで回転トルクを２０％程度変化させることができる。

電圧制御信号ＣＴＬ１は、演出制御基板２２から供給されるが、遊技機の動作状態に応じて、適宜にソフトウェア的に制御される。具体的には、大型の可動役物が可動する演出タイミングは、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｌとし、小型の可動役物が可動する演出タイミングや、可動役物が機能しないタイミングでは、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｈとする。そのため、大型の可動役物を駆動する演出モータに供給される駆動電圧Ｖｍが１８Ｖとなり、小型の可動役物を駆動する演出モータに供給される駆動電圧Ｖｍは１５Ｖとなることで、最適な役物演出が実現される。

また、可動役物が機能しない動作状態では、電圧制御信号ＣＴＬ１＝Ｈとすることで、消費電力を多少でも抑制している。なお、このような省電力動作の効果を高めるためには、可動役物による役物演出時に限って、降圧コンバータＣＮを機能させるのが好適である。

図９は、このような構成を示す図面であり、入力コンデンサＣｉｎと、降圧コンバータＣＮの間に、遮断回路ＣＵＴを配置している。図示の通り、遮断回路ＣＵＴは、ＰＮＰ型のパワートランジスタＱ３と、トランジスタＱ３のバイアス抵抗Ｒ７，Ｒ８と、ＮＰＮ型のスイッチングトランジスタＱ４と、トランジスタＱ４のバイアス抵抗Ｒ９，Ｒ１０と、で構成されている。

この実施例では、演出制御基板２２から駆動電源基板２６に、トランジスタＱ４をＯＮ／ＯＦＦ制御する動作制御信号ＣＴＬ２が供給される。役物演出を実行するタイミングでは、これに先行して、動作制御信号ＣＴＬ２をＣＴＬ２＝Ｈとすることで、降圧コンバータＣＮが動作を開始する。そして、役物演出が終了した後、動作制御信号ＣＴＬ２をＣＴＬ２＝Ｌとすることで、無駄な電力消費を解消することができる。

以上、演出制御部２２のハードウェア構成を説明したので、最後に、演出制御部２２で実行される省電力モードの動作について説明する。図１０は、演出制御部２２の動作内容の一部を説明するフローチャートであり、ＣＰＵリセット後に実行されるメイン処理（ａ）と、ＮＭＩ割込み処理（ｂ）とを示している。

図示の通り、ワンチップマイコン４０のＣＰＵがリセットされた後、初期処理を終えると（ＳＴ１）、所定時間毎に一連の動作（ＳＴ２〜ＳＴ８）が繰り返し実行される。具体的には、所定時間の経過が判定され（ＳＴ２）、先ず、タッチ信号ＴＣＨが入力ポートＰｉから取得される。そして、遊技者が遊技中であって、タッチ信号ＴＣＨがＯＮレベルであれば、タイマ変数Ｔをゼロリセットして（ＳＴ５）、定常処理（ＳＴ８）を繰り返し実行する。

一方、タッチ信号がＯＦＦレベルであって、遊技者が発射ハンドル１０に触れていないと判定される場合には、経過時間を計測するタイマ変数Ｔをインクリメントする（ＳＴ６）。そして、タッチ信号がＯＦＦレベルの状態が、継続して規定時間（Ｍａｘ）に達すると、ワンチップマイコン４０を省電力モードの動作に切り替える（ＳＴ９）。便宜上、図１０では、ＣＰＵがＨＡＬＴ命令を実行して、ＣＰＵコアのクロックを停止させる構成を図示している。なお、省電力モードに切り替えるまでに、降圧コンバータＣＮは、図９の構成に基づいて、既に、その動作を停止しているか、少なくとも、図８の構成に基づいて、省電力モードに移行している。

省電力モード時の動作は、上記したＨＡＬＴ命令の実行に何ら限定されず、例えば、ワンチップマイコン４０の内部レジスタに、適当な動作パラメータを設定することで、適宜な省電力モードの動作が実現される。省電力モードの動作としては、例えば、（１）クロックの制御、（２）ドーズモードの動作、（３）スリープモードの動作、（４）スタンバイモードの動作などを好適に例示することができる。

なお、（１）クロックの制御には、（１ａ）動作クロックの分周比を変更して動作周波数を落とすこと、（１ｂ）特定のクロックを停止させることが含まれる。（２）ドーズDozeモードの動作には、（２ａ）所定の動作率で、ＣＰＵを繰り返し間欠動作させることが含まれる。（３）スリープSleep モードの動作には、（３ａ）ＣＰＵの動作を停止させること（Ｈａｌｔ命令など）、（３ｂ）ＣＰＵとオンチップバスの動作を停止させることが含まれる。

また、（４）スタンバイモードの動作には、（４ａ）メインクロック発振以外の動作をすべて停止すること、（４ｂ）メインクロック発振とメインタイマ以外のすべての動作を停止すること、（４ｃ）すべてのクロック発振と動作を停止させることが含まれる。

そして、適宜な省電力モードが開始された後、省電力モードの動作を終了して、通常モードに復帰するには、省電力モードの動作内容に応じて、（Ａ）所定の内部レジスタに、復帰用の動作パラメータを設定する、（Ｂ）ＣＰＵをリセットする、（Ｃ）ＮＭＩ割込みなどの外部割込みを実行する、などの動作が必要となる。

そこで、本実施例では、省電力効果の高いスリープモードの動作を採用し、スリープ動作からの復帰のためにＮＭＩ割込みを利用している。なお、更に、省電力効果を上げるには、スタンバイモードの動作を採用すれば良く、この場合もＮＭＩ割込みによって動作復帰を果たすことができる。

図１０（ｂ）は、ＮＭＩ割込み処理を示しており、適宜な復帰処理を実行して処理を終えている（ＳＴ１１）。復帰処理は、例えば、スタックポインタに、適宜な復帰アドレスを設定することで実行される。スタックポインタに設定した復帰アドレスは、割込み復帰動作（ＩＲＥＴ）によって実効化され、スタックポインタに設定された復帰アドレスから動作が再開される。なお、ＮＭＩ割込みが起動したことで、スリープモードの動作や、スタンバイモードの動作は自動的に解消される。

なお、スリープモードの動作や、スタンバイモードの動作に代えて、クロックの低減制御や、ドーズモードの動作によって省電力を図る場合には、ワンチップマイコン４０の所定の内部レジスタに、復帰用の動作パラメータを設定し、復帰アドレスを設定する（ＳＴ１１）。

ところで、上記の復帰処理（ＳＴ１１）に先行して、そのＮＭＩ割込み時が、省電力モードの動作中か否かを判定し（ＳＴ１０）、もし、省電力モード中でなければ、復帰処理（ＳＴ１１）をスキップして割込み処理を終えている。これは、ノイズなどの影響でＮＭＩ割込みが生じた場合に、意味なく演出動作を初期状態に戻さないためのフェールセーフ処理である。

ここで、そのＮＭＩ割込み時が省電力モードの動作中か否かの判定は、ＮＭＩ割込み時にスタック領域に自動保存される戻り番地を判定することで実現される。すなわち、省電力モード中に割込みが生じた場合には、戻り番地が、ステップＳＴ９の最終処理、例えば、Ｈａｌｔ命令の格納番地となる筈であり、それ例外の戻り番地となる場合には、ＮＭＩ割込み時が遊技動作中であったことを意味する。そこで、遊技動作中に、誤ってＮＭＩ割込みが生じた場合には、復帰処理（ＳＴ１１）を実行することなく、スタック領域に自動保存された戻り番地に処理を戻すことで、演出動作が正しく再開され遊技者に不信感を与えることがない。

何れにしても、本実施例では、タッチ信号ＴＣＨがＯＦＦレベルの状態が、継続して規定時間（例えば５分）に達すると、演出制御部２２のワンチップマイコン４０の動作を停止しているが（ＳＴ９）、画像制御部２８のワンチップマイコンやＶＤＰについては、動作を継続させており、表示装置ＤＳで実行されるデモ画像演出が途絶えることはない。但し、ＬＥＤバックライト部のＰＷＭ制御によって画面をやや暗くすることで省電力を図るのが好適である。この場合には、制御コマンドＣＭＤ’が活用される。

以上、実施例について詳細に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定せず、適宜に変更可能である。例えば、上記の実施例では、演出制御部２２について省電力モードの動作を実行したが、払出制御部２４や主制御部２１についても同様の動作を開始しても良い。

また、図４では、発射接続基板２７にフォトカプラＰＨを配置したが、この構成を省略して、図１１（ａ）の回路構成を採ることもできる。この場合には、タッチセンサ信号Ｓ１は、バッファＩＣを経由して、一方向に払出制御部２４、主制御部２１、演出制御部２２に伝送されている。

図１１（ａ）の回路構成の場合には、主制御部２１から適宜な周辺基板に対して、タッチセンサ信号Ｓ１を転送しても良いし、主制御部２１から省電力コマンドを各制御部に伝送することで、省電力動作を開始させても良い。

但し、この回路構成では、発射接続基板２７からタッチセンサ信号Ｓ１を出力する伝送線が、グランドレベルに落ちる異常が生じると、異常事態であるにも拘らず、遊技動作中であると判定されて発射動作が継続される問題があり、この意味において、図４の回路構成の方が優れている。なお、図４の回路構成では、タッチ信号ＴＣＨの伝送路が短絡しても、発射動作に影響を与えることがなく、単に、省電力モードの動作が開始されるだけである。

また、図４では、発射接続基板２７にフォトカプラＰＨを配置したが、フォトカプラＰＨを発射制御基板２５に配置しても良い。図１１（ｂ）は、この回路例であり、電流制限抵抗Ｒ３１が、フォトダイオードＰＨのフォトダイオードと、センストランジスタＱｓのＯＮ電流を規定している。この回路構成では、上記した図１１（ａ）の回路構成の欠点が解消され、また、タッチ信号ＴＣＨのＯＮ／ＯＦＦレベルが反転するので、タッチ信号ＴＣＨの伝送路の断線時に、省電力モードの動作が開始される。

但し、発射制御基板２５を作り替えなければならない点で、必ずしも、優れていない。すなわち、枠側部材ＧＭ１である発射制御基板２５は、長期間、遊技ホールに設置されており、その入れ替えが容易でないこと、及び、発射制御基板２５は、定型的な動作をすれば足りるので、在庫ストックが可能であることなどを考慮すれば、発射制御基板２５の設計変更は必ずしも優れていない。この点、図４の構成では、中継基板たる発射接続基板２７の取り換えだけで足り、在庫ストックされている発射制御基板２５が、仮に大量に存在しても、それらが無駄になることがない。

ＧＭ 遊技機
２１ 主制御手段
２２ 演出制御手段
１０ 操作部材
Ｑｓ センサ回路
Ｑ１１ 検知回路
ＰＨ フォトカプラ

Claims (8)

1. 所定のスイッチ信号に基づいて抽選処理を実行し、その抽選結果に応じた遊技動作を実行可能な遊技機であって、
   前記抽選処理を実行して遊技動作を中心統括的に制御する主制御手段と、前記主制御手段からの指示に基づいて演出動作を実行する演出制御手段と、前記スイッチ信号を発生させるための操作部材に、遊技者が触れているか否かを検出可能なセンサ回路と、前記センサ回路が出力するセンサ信号を受ける検知回路と、前記センサ信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作するスイッチ回路と、前記スイッチ回路の出力に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作するフォトカプラと、を有して構成され、前記スイッチ回路と、前記フォトカプラとを搭載する接続回路基板を設けると共に、
   遊技者が操作部材に触れている接触状態では、検知回路から前記センサ回路に検出電流が供給されると共に、前記フォトカプラがＯＮ／ＯＦＦ何れか一方側の第１動作をし、
   遊技者が操作部材に触れていない非接触状態では、前記検出電流が途絶えると共に、前記フォトカプラがＯＮ／ＯＦＦ何れか他方側の第２動作をするよう構成されていることを特徴とする遊技機。
2. 前記フォトカプラの第１動作から第２動作への移行に基づいて、
   自らを省電力モードで機能させる動作、及び／又は、外部機器を省電力モードで機能させる動作を開始するコンピュータ回路が設けられている請求項１に記載の遊技機。
3. 前記コンピュータ回路は、
   前記フォトカプラの第２動作から第１動作への移行に基づいて、省電力モードから通常モードの動作に復帰するよう構成されている請求項２に記載の遊技機。
4. 前記コンピュータ回路は、演出制御手段を構成している請求項２又は３に記載の遊技機。
5. 検知回路は、遊技媒体の発射を制御している発射制御基板に搭載されている請求項１〜４の何れかに記載の遊技機。
6. 前記フォトカプラを搭載した接続回路基板は、前記センサ回路を搭載した回路基板と、検知回路を搭載した回路基板の間に配置される請求項１〜５の何れかに記載の遊技機。
7. 前記スイッチ回路は、ＯＮ／ＯＦＦ状態の何れであっても、入力電流が事実上流れないよう構成されている請求項１〜６の何れかに記載の遊技機。
8. 前記センサ回路から検知回路までの伝送路が断線状態の場合には、
   検知回路の出力に基づいて、遊技者が操作部材に触れていない非接触状態と判定されるよう構成されている請求項１〜７の何れかに記載の遊技機。

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