JP2021009890A - 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器 - Google Patents

電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2021009890A
JP2021009890A JP2019121948A JP2019121948A JP2021009890A JP 2021009890 A JP2021009890 A JP 2021009890A JP 2019121948 A JP2019121948 A JP 2019121948A JP 2019121948 A JP2019121948 A JP 2019121948A JP 2021009890 A JP2021009890 A JP 2021009890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin member
electronic component
plate
resin
facing plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019121948A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021009890A5 (ja
JP7362313B2 (ja
Inventor
井出 邦仁
Kunihito Ide
邦仁 井出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2019121948A priority Critical patent/JP7362313B2/ja
Priority to US16/899,439 priority patent/US11373916B2/en
Publication of JP2021009890A publication Critical patent/JP2021009890A/ja
Publication of JP2021009890A5 publication Critical patent/JP2021009890A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7362313B2 publication Critical patent/JP7362313B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636Interconnect structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14698Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0017Casings, cabinets or drawers for electric apparatus with operator interface units

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】 電子部品の信頼性を向上するうえで有利な技術を提供する。【解決手段】 素子板10の素子領域50および周辺領域70の少なくとも一方と対向板20との間に配置された樹脂部材30と、周辺領域70と対向板20との間に配置された樹脂部材40と、を備え、樹脂部材40の屈折率と対向板20の屈折率との差が0.2以上である。【選択図】 図1

Description

本発明は、電子部品に関する。
撮像装置や表示装置に用いられる電子部品は、撮像素子や表示素子が設けられた素子板と、その表面を保護する対向板と、素子板と対向板との間に充填される樹脂部材から構成される。撮像装置や表示装置などは光学的な目的で使用するので、対向板と樹脂部材との界面での光の反射を防ぐために、樹脂部材には、対向板の屈折率に近い材料が用いられる。
特許文献1には、第1基板、封止層及び第2基板に囲まれた封止空間内に設けられた有機EL素子部と、封止空間内に充填された充填剤と、を備える有機EL表示装置が開示されている。
特開2019−29137号公報
対向板と素子板の間に異物が混入した場合、異物の許容高さより対向板と素子板のギャップが狭くなると、対向板に異物が押され、素子板に異物を介して対向板からの力が加わってしまう。この力により素子板上の撮像素子や表示素子が破壊されてしまう可能性がある。そのため、対向板と素子板のギャップを検査することが望ましい。しかしながら、対向板と樹脂部材の屈折率差が小さいと、対向板と樹脂部材の界面での光の反射が少ない。そのため、対向板と素子板のギャップを光学的に測定できなかったり、測定精度が十分でなかったりするという問題がある。そして、検査が不十分となれば電子部品の信頼性の低下につながる。
そこで本発明は、電子部品の信頼性を向上するうえで有利な技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための手段は、機能素子が設けられた素子領域および前記素子領域の周囲に配された周辺領域と、を備える素子板と、前記素子領域および前記周辺領域に対向する対向板と、前記素子領域および前記周辺領域の少なくとも一方と前記対向板との間に配置された第1樹脂部材と、前記周辺領域と前記対向板との間に配置された第2樹脂部材と、を備え、前記第2樹脂部材の屈折率と前記対向板の屈折率との差が0.2以上であることを特徴とする。
本発明は、電子部品の信頼性を向上するうえで有利な技術を提供することができる。
電子部品を説明するための模式図。 電子部品の製造方法を説明するための模式図。 電子部品の検査方法を説明するための模式図。 電子部品を説明するための模式図。 電子部品を説明するための模式図。 機器を説明するための模式図。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。なお、以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。
第1実施形態による、素子板10と対向板20との間に樹脂部材30で充填した電子部品ECについて、図1を用いて説明する。図1(a)は、本発明の電子部品ECの第1の実施形態を説明するための上面模式図を示し、図1(b)は上面模式図のA−A’断面模式図を示す。
図1(a)、図1(b)に示すように、素子板10と対向板20が配され、素子板10と対向板20の間には樹脂部材30が配される。素子板10は、機能素子100が設けられた素子領域50と、素子領域50の周囲に配された周辺領域70と、を備える。対向板20は素子領域50および周辺領域70に対向する。樹脂部材30は、素子領域50および周辺領域70の少なくとも一方と対向板20との間に配置されている。樹脂部材40は周辺領域70と対向板20との間に配置されている。図1(b)に示した樹脂部材30は、図1(a)において対向板20と同じ位置にあるため符号を付していない。また、樹脂部材40が樹脂部材30と同様に素子板10と対向板20の間で、かつ素子領域50の外周である周辺領域70に設けられている。つまり、樹脂部材40は周辺領域70と対向板20との間に配置されている。樹脂部材40の屈折率と対向板20の屈折率との差が0.2以上である。樹脂部材30は素子領域50および周辺領域70の少なくとも一方と対向板20との間に配置されていればよく、素子領域50と対向板20との間のみに配置されてもよいし、周辺領域70と対向板20との間のみに配置されてもよい。本例では、樹脂部材30は素子領域50および周辺領域70と対向板20との間に配置されている。そして、樹脂部材40は樹脂部材30で囲まれている。
対向板20は素子領域50と周辺領域70の両方に対向する。本例の素子板10は対向板20に対向しない非対向領域80を有するが、非対向領域80は無くてもよい。
樹脂部材40は、各々が互いに離間して設けられた第1部材と第2部材と第3部材とを含み、第1部材と第2部材とを結ぶ直線上に第3部材が位置しない。例えば、図1(a)において、左上の樹脂部材40と右上の樹脂部材40とを結ぶ直線上に左下の樹脂部材40が位置しない。このように、3つの樹脂部材40で三角形が形成されるように配置することで、樹脂部材40で対向板20を安定的に支持できるため好ましい。樹脂部材40は、各々が互いに離間して設けられた第1部材と第2部材と第3部材とを含み、第1部材と前記第2部材とを結ぶ円弧上に第3部材が位置するようにしてもよい。ここでは樹脂部材40を4か所に設けたが、素子領域50の周囲であれば、対向する2辺以上に合計3か所以上あればよく、各辺に3か所以上ある場合は直線上、もしくは円弧上であると好ましい。また、各か所の上面視での形状は、円形だけではなく、楕円形、正方形、長方形であってもよい。樹脂部材30および樹脂部材40は、UV硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、2液混合型樹脂などが用いられる。樹脂部材30および樹脂部材40は、UV照射、熱処理、時間経過などの処理を経る前の未硬化の状態では、液体の樹脂材料である。
素子板10は、ガラス基板やシリコン基板を含む。素子板10がガラス基板を含む場合には、素子領域50には、ガラス基板の上にTFTが形成される。素子板10がシリコン基板を含む場合には、素子領域50には、シリコン基板の中にトランジスタのソース、ドレインが形成され、シリコン基板の上にゲートが形成される。素子領域50には表示素子や受光素子などの機能素子100と機能素子を制御するための半導体素子(不図示)および配線層(不図示)が形成されている。機能素子100は、電子部品ECが表示装置であれば表示素子である。表示素子は、ELD(エレクトロルミネッセンスディスプレイ)におけるEL素子、LCD(リキッドクリスタルディスプレイ)における液晶素子である。表示装置あるいは撮像装置において、素子領域50と樹脂部材40との間には、カラーフィルタアレイおよびマイクロレンズアレイの少なくとも一方が設けられうる。機能素子100は、電子部品ECが撮像装置であれば撮像素子(光電変換素子)である。表示素子や撮像素子はいずれも画素を成すものであり、素子領域50を画素領域と称することもできる。素子領域50の周辺には、周辺回路等(不図示)が形成されている。表示装置における周辺回路は、有効画素を駆動するための駆動回路や、有効画素に入力する信号を処理する、DAC(デジタルアナログ変換回路)等の処理回路を含む。撮像装置における周辺回路は、有効画素を駆動するための駆動回路や、有効画素から出力された信号を処理する、ADC(アナログデジタル変換回路)等の処理回路を含む。
対向板20は、ガラス基板や樹脂基板などを含み、屈折率1.3から1.9の範囲内の透光性を有する。対向板20の屈折率は好ましくは1.4から1.6の範囲内である。樹脂部材30としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などが好適に用いられる。撮像や表示を行うための電子部品ECでは、光路中にある物質界面で起きる光の反射はノイズとなる。そのため、樹脂部材30は、対向板20と樹脂部材30との界面で光の反射が起きにくい屈折率をもつ樹脂であることが好ましく、対向板20と樹脂部材30との屈折率差が0.1以下であることが好ましい。樹脂部材30および樹脂部材40は対向板20に接することが好ましいが、樹脂部材30および樹脂部材40の少なくとも一方と、対向板20との間に、別の膜が配置されてもよい。対向板20はガラス基板や樹脂基板などの基板のみで構成されてもよいし、基板と基板の表面を覆う被膜とで構成されてもよい。あるいは、樹脂部材40と対向板20との間に、樹脂部材30の一部が存在してもよい。
また、図1(a)に示すように、素子板10と対向板20の間には樹脂部材30が少なくとも素子領域50の全面に配置されている。
樹脂部材40は対向板20との界面で光の反射が起きやすい屈折率をもつ、屈折率差が0.2以上となるような低屈折率樹脂や高屈折率樹脂を配置することにより、光学的な手法によりギャップを測定することが可能となる。樹脂部材40としては、住友精化株式会社製HIMシリーズ、東京応化工業株式会社製HALシリーズなどの高屈折率樹脂、あるいは東京応化工業株式会社製LALシリーズなどの低屈折率樹脂などが好適に用いられる。
次に本発明の電子部品ECの製造方法について、図2を用いて説明する。図2の各図において、左側は電子部品ECの構成部材の平面模式図であり、右側は平面模式図で示したA−A’断面模式図である。
図2(a)に示す工程では、機能素子100が設けられた素子領域50および素子領域50の周囲に配された周辺領域70と、を備える素子板10を用意する。図2(a)に示すように、素子板10上に素子領域50が配されている。素子領域50には機能素子100(図2以降不図示)と機能素子を制御するための半導体素子(不図示)及び配線層(不図示)が形成されている。
次に、図2(b)に示す工程では、周辺領域70の上に樹脂部材40としての固体の樹脂材料を配置する。また、図2(b)に示す工程では、素子領域50の上に樹脂部材30となる液体の樹脂材料31を配置する。固体の樹脂部材40を配置した後に、液体の樹脂材料31を配置することが好ましいが、逆でもよい。この時点では、樹脂部材40としての固体の樹脂材料と樹脂部材30となる液体の樹脂材料31は離間している。図2(b)に示すように素子領域50の外に樹脂部材40を配置する。樹脂部材40の上面視からの直径は、光学的な測定手法で用いる光のスポット径より大きいことが好ましい。例えばキーエンス製レーザー変位計CL−P007を用いた場合、対向板20の貼り合せ後に樹脂部材40の直径が50μm以上であることが好ましい。そこで、樹脂部材40の直径が50μm以上になるように樹脂部材40となる液体の樹脂材料を塗布法によって配置し、当該液体の樹脂材料を硬化させて、固体の樹脂材料である樹脂部材40を形成する。図2(b)では4か所に配置しているが、対向する2辺以上に合計3か所以上あればよく、各樹脂部材40は離れた位置にあると好ましく、各辺に3か所以上ある場合は直線上、もしくは円弧上であると好ましい。樹脂部材30は、素子領域50の該中央に、素子板10と対向板20のギャップと、素子領域50および対向板20の面積から計算された量を配置する。本例では、対向板20の大きさを15mm×20mm、ギャップを0.005mmとする。この場合、樹脂部材30は1.5mm必要となる。また、樹脂部材40の上面視での直径を1mmとすると、1か所あたり0.0039mm必要となる。
次に、図2(c)に示す工程では、素子領域50および周辺領域70に対向する対向板20が樹脂部材40としての固体の樹脂材料および液体の樹脂材料31に接触するように配置する。その後に、液体の樹脂材料31を流動させて液体の樹脂材料31を樹脂部材40としての固体の樹脂材料に接触させる。すなわち、樹脂部材30となる樹脂材料31は対向板20に押されて対向板20の主面に沿って広がりながら流動し、貼り合わされる。樹脂部材30となる樹脂材料31は対向板20と素子板10の間から外に主面からはみ出てもよく、はみ出なくてもよいが、素子領域50の全面を覆っていることが好ましい。また、樹脂部材40と対向板20との間に樹脂部材30となる樹脂材料31が入り込まないように、貼り合せ速度などを適宜調整する。対向板20と素子板10のギャップは、対向板20と素子板10のそれぞれの位置を機械的に移動することで制御される。
さらに、図2(c)に示す工程では、樹脂部材30となる樹脂材料31を樹脂材料31に応じたUV硬化、熱硬化、2液混合後の時間経過などの硬化手法で、硬化後に樹脂部材30となる液体の樹脂材料31を硬化させる。このようにして、図2(c)に示すように、対向板20を素子板10に樹脂部材30を介して貼りつける。
ここでは、先に固体の樹脂部材30を形成した後に、液体の樹脂材料41を形成する例を説明したが、樹脂部材30となる液体の樹脂材料と、液体の樹脂材料41を形成した後に、両者を硬化させてもよい。この場合、樹脂部材30となる液体の樹脂材料と液体の樹脂材料41の配置の順序はどちらが先でもよいし、同時であってもよい。また、先に固体の樹脂部材40を形成した後に、樹脂部材30となる液体の樹脂材料を形成してもよい。
図3を用いて電子部品ECの検査方法を説明する。図3(a)は、図2(c)の樹脂部材40近傍での断面模式図である。図2(d)に示すように、樹脂部材40が配されている箇所で、レーザー変位計などの光学的な手法で対向板20と素子板10とのギャップを測定する。対向板20および樹脂部材40を介して素子板10に光を照射し、素子板10と樹脂部材40との間での反射光と、対向板20と樹脂部材40との間での反射光を受光する。この受光した光を用いて、対向板20と素子板10のギャップを測定する。対向板20と素子板10とのギャップは、素子板10表面で起きる反射の位置と、対向板20と樹脂部材40との界面で起きる反射の位置との差分から求められる。なお、ここでは電子部品ECが完成した後に、電子部品ECを検査する例を示すが、電子部品ECの製造中、例えば樹脂部材30となる樹脂材料31の硬化前に、対向板20と素子板10とのギャップを計測してもよい。そして、計測したギャップに基づいて、樹脂材料31の硬化前に、対向板20と素子板10とのギャップを調整してもよい。
樹脂部材40と対向板20の屈折率差が0.2未満である場合、図2(b)に示すように、樹脂部材40と対向板20の界面でレーザー変位計のレーザー光の反射を検出することが困難である。そのため、対向板20と樹脂部材40との界面位置を特定できず、対向板20と素子板10のギャップを測定することが困難である。樹脂部材30と対向板20との屈折率差が0.1以下である場合も同様に、接着部材30と対向板20の界面でレーザー変位計のレーザー光の反射を検出することが困難である。そのため、接着部材30と対向板20との界面位置を特定できず、対向板20と素子板10のギャップを測定することが困難になる。画像を表示するための素子板10や撮像するための素子板10においては、光路中にある物質界面で起きる光の反射はノイズとなる。素子領域50を覆っている樹脂部材30は、対向板20と樹脂部材30との界面で光の反射が起きにくい屈折率をもつ樹脂であることが好ましいため、光学的な手法でギャップを測定することはできなくなる。しかしながら、素子領域50の周辺領域70に配される樹脂部材40は、素子領域上の光路上にないため、対向板20に近い屈折率である必要がない。そこで対向板20の屈折率と0.2以上異なる屈折率をもつ樹脂部材40とすることで、対向板20と樹脂部材40との界面での光の反射が大きくなり、光学的な手法でギャップ測定が可能となる。
対向板20と素子板10とのギャップの間にギャップ以上の大きさの異物が入ってしまった状態で対向板20を貼り合せた場合、素子板10や対向板20にダメージを与える可能性がある。ダメージは、徐々に進行し、例えば一か月後にようやく検出できるレベルになるような場合もあるため、貼り合せ後すぐにダメージ検査工程を設けてもすべてのダメージを検出することは困難である。そのため、工程管理としては、許容する異物の大きさを管理すると同時に、ギャップが想定より狭くないことを管理する、すなわちギャップ許容値を管理する必要がある。本実施形態の電子部品ECを採用することにより、容易にギャップを測定および管理することが可能となる。
円形球状のギャップ測定用部材を用いてその変形量を測定することで素子板と対向板のギャップを測定する方法が知られている。しかしながら、弾性体であるギャップ測定部材の変形によってギャップを測定させるため、隣接する樹脂部材にも応力がかかるなどの影響を与える。また、ギャップ測定部材の変形により周囲にある樹脂部材も変形することとなり、樹脂部材の屈折率変化やボイドなどの発生の原因となるという問題がある。樹脂部材30および樹脂部材40が硬化後の固体の状態であっても、樹脂部材40から樹脂部材30に対しての応力印加を、弾性体を用いた場合に比べて低下することができる。また、樹脂部材30の屈折率の変化やボイドのなどの発生を抑制することが可能となる。
撮像装置や表示装置では、対向板と同程度の屈折率の樹脂部材30を用いるので、対向板20と樹脂部材30との界面の反射光が微弱になり光学的にギャップを測定することは困難である。本発明の目的は、素子板10への対向板20の接着工程において、樹脂部材30の屈折率の変化やボイドなどの発生を抑制することが可能となる。
第2実施形態による、素子板と対向板との間に樹脂部材30で充填した電子部品ECについて、図4を用いて説明する。図4の各図において、左側は電子部品ECの構成部材の平面模式図であり、右側は平面模式図で示したA−A’断面模式図である。
本実施形態にといて第1実施形態と異なるのは、樹脂部材40が配される位置である。図4(a)に示したようにギャップ測定可能な樹脂部材40を一直線上でない3か所以上に、互いに離間して配することによって、対向板20と素子板10とのギャップの傾きを測定することが可能となる。その結果、素子領域50内でのギャップ分布を傾きとして計算から求めることができる。具体的な数値を用いて説明する。図3(a)の素子領域50の左上の座標を(X=0,Y=0)とし、上面からみて右、下をそれぞれ正の方向とする。素子領域50は、X方向に15mm、Y方向に10mmの大きさとする。また左上の樹脂部材40のギャップ測定位置座標X,Yおよび対向板20と素子板10のギャップGを、(X、Y,G)=(−1mm,−1mm,0.010mm)とする。同様に右上の樹脂部材40では、(X、Y,G)=(16mm,−1mm,0.009mm)、下の樹脂部材40では(X、Y,G)=(7.5mm,11mm,0.008mm)とする。これらからギャップの平面を表す式は、0.012X+0.0255Y+204G−2.0025=0と表される。素子領域50においてギャップGが最も小さくなる位置は(X,Y)=(15mm、10mm)の位置であり、Gは0.0077mmと計算できる。このGがあらかじめ定めたギャップ許容値と比較することで、工程管理が可能となる。
また、一つの辺に直線上または円弧上に3か所以上に樹脂部材30を配することによって、対向板20、素子板10のどちらか、もしくは両方が反りを持つ場合に、素子領域50内でのギャップ分布を変形量分布として計算から求めることができる。
さらに、図4(b)に示したように、素子領域50の周辺領域70の2辺以上にそれぞれ3か所以上に樹脂部材30を配することによって、素子領域50における最狭ギャップを計算から求めることも可能となる。つまり、樹脂部材40は、各々が互いに離間して設けられた第1部材と第2部材と第3部材とを含み、第1部材と前記第2部材とを結ぶ直線上に第3部材が位置する。例えば、図4(b)において、左上の樹脂部材40と左下の樹脂部材40とを結ぶ直線上に左中央の樹脂部材40が位置する。本例の構成を用いることで、直接測定することが適切でない素子領域50における最狭ギャップを計算から求めることができ、容易にギャップを管理することが可能となる。
第3実施形態による、素子板と対向板との間に樹脂部材30で充填した電子部品ECについて、図5を用いて説明する。図5(a)は、図1(b)に対応する変形例である。図5(b)は、図5(a)における樹脂部材40周辺を拡大したものであり、図5(b)において、左側は電子部品ECの構成部材の平面模式図であり、右側は平面模式図で示したA−A’断面模式図である。
図1で示した第1実施形態と異なるのは、素子板10と対向板20との間にはスペーサ60が設けられており、スペーサ60は樹脂部材40に覆われている点である。つまり、樹脂部材40がスペーサ60を内包する。スペーサ60は所望のギャップになるように選定された、樹脂、セラミック、ガラス等から構成される、一般には球状物である。樹脂部材40にはそれぞれ少なくとも一つ以上のスペーサ60が混合されている。図4(b)に示すように、スペーサ60は、対向板20と素子板10とそれぞれ接している。
第3実施形態の製造方法を図5(c)を用いて説明する。図5(c)に示すように、素子板10を素子領域50が上向きになるように設置し、樹脂部材30となる液体の樹脂材料31を素子領域50に塗布する。また、スペーサ60を混合した、樹脂部材40となる液体の樹脂材料41を、素子領域50の周辺領域70に配する。
次に図5(a)に示す様に、対向板20を貼り合せる。詳細には、対向板20を素子板10の上方まで移動させたのち、対向板20の自重もしくは、制御された力でスペーサ60に接するまで移動させる。第一実施形態では、対向板20と素子板10のそれぞれの位置を機械的に移動することでギャップが制御されるが、本実施形態では、スペーサ60によりギャップが制御される。樹脂部材30となる液体の樹脂材料31を配置した後であって、対向板20を配置する前には、樹脂部材40となる樹脂材料41は球状のスペーサ60を内包する液体である。これにより、スペーサ60により素子板10と対向板20の間隔を制御できる。仮に、樹脂材料41が固体の樹脂部材40であると、樹脂部材40の厚みによって素子板10と対向板20の間隔が規定される可能性があるため、スペーサ60を用いる効果が低下する。
次に、対向板20を配置したあとに、樹脂材料31,41を硬化する。樹脂部材30となる樹脂材料31および樹脂部材40となる樹脂材料41の硬化手法に応じて、樹脂部材30となる液体の樹脂材料31および樹脂部材40となる液体の樹脂材料41を硬化させ、固体の樹脂部材30および固体の樹脂部材40を形成する。
その後、ギャップ測定手段でギャップを測定する。この時、樹脂部材40のうちスペーサ60のない部分を用いて測定する。なぜなら、スペーサ60は一般に球状であり、その接触点は原理的には点であるため、測定で用いるレーザー光のスポット径である50μmに比べてはるかに小さい。したがって、直径10μmのスペーサを用いた場合、接触点は1μm以下となり、スペーサ60と対向板20の屈折率差が0.2以上であっても、接触点を用いて測定することは困難である。また、接触点以外であっても、レーザー光の光路中に屈折率が異なる樹脂部材40とスペーサ60の両方が存在すると、樹脂部材40とスペーサ60との界面での反射の影響により正確なギャップ測定は困難となる。
スペーサ60に接するときに対向板20を押す力が装置で強くなりスペーサが大きく変形した場合や、スペーサ60が存在しなかったり、スペーサ60が適切に機能しなかったりした場合、意図したギャップにならない場合がある。しかし、本例の構成を用いることで、容易にギャップを管理することが可能となる。また、第2実施形態と組み合わせた場合であっても、当然のことながら可能である。
第4実施形態の実施形態について説明する。第4実施形態では、素子板10と対向板30の間には3種類の樹脂部材が配置されている。樹脂部材30は少なくとも素子領域50の上に設けられている。樹脂部材40は少なくとも周辺領域70の上に設けられている。そして、周辺領域70と対向板20との間に配置された周辺樹脂部材(不図示)を更に備える。樹脂部材40は周辺樹脂部材に接触してもよく、樹脂部材40は周辺樹脂部材に囲まれてもよい。また、樹脂部材30は周辺樹脂部材に囲まれてもよい。周辺樹脂部材の屈折率と対向板20の屈折率との差は、樹脂部材30の屈折率と対向板20の屈折率との差よりも大きいことが好ましい。また、周辺樹脂部材の屈折率と対向板20の屈折率との差は、樹脂部材40の屈折率と対向板20の屈折率との差よりも小さことも好ましい。例えば、樹脂部材30に、透過率が高い樹脂材料や、対向板20との屈折率が小さい樹脂材料を選択することができる。この場合、樹脂部材30は素子板10と対向板20との接着力が低くてもよい。そして、周辺樹脂部材として素子板10と対向板20との接着力が高い樹脂材料を選択すれば、光学特性と接着性能を両立できる。そのうえで、ギャップ測定に有利な、樹脂部材30を用いることで、ギャップ管理を高精度にできる。
図6は、上述したいずれかの実施形態にかかる電子部品ECを適用した、機器500の実施形態を示す模式図である。機器500は、カメラやディスプレイ、携帯情報端末などの電子機器であり、車両や船舶、飛行機、人工衛星のような輸送機器、内視鏡や放射線診断装置のような医療機器、分析機器などでもよい。電子部品ECは、撮像機能および/または表示機能を有する機器500に好適である。
機器500は、集積回路部品の半導体装置が実装された回路部品400を備えている。撮像デバイス110および配線部品210を備える撮像部品310の配線部品210が回路部品400に接続されている。表示デバイス120および配線部品220を有する表示部品320の配線部品220が回路部品400に接続されている。撮像部品310が上述した電子部品ECであってよく、その場合には、撮像デバイス110が上述した電子デバイス100に、配線部品210が上述した配線部品200に対応する。表示部品320が上述した電子部品ECであってよく、その場合には、表示デバイス120が上述した電子デバイス100に、配線部品220が上述した配線部品200に対応する。表示デバイス120は電子ビューファインダーを構成してもよい。機器500は撮像デバイス110に結像するレンズ410が着脱可能となっている。機器500としてのカメラはレフレックス方式でもよいし、ノンレフレックス方式でもよい。
基板10に配線部品200が導電部材150を介して接合された電子部品ECとしての厚さは、各部材を上下方向に積層した場合、各部材の厚さの合計となる。基板10を含む電子部品ECは、機器500に組み込まれて使用されるものであり、電子部品ECの小型化が必要である。導電部材150の分だけ基板10の厚さを小さくしても、基板10や配線部品200と比べて導電部材150の厚さの比率は微少である。しかし、配線部品200の絶縁体部202を凹部50に配置するような凹部50を設けることで、小型化された電子部品を提供することができ、機器500の小型化あるいは部品の高密度化が可能となる。
10 素子板
20 対向板
100 機能素子
50 素子領域
70 周辺領域
30 樹脂部材
40 樹脂部材
EC 電子部品

Claims (20)

  1. 機能素子が設けられた素子領域および前記素子領域の周囲に配された周辺領域と、を備える素子板と、
    前記素子領域および前記周辺領域に対向する対向板と、
    前記素子領域および前記周辺領域の少なくとも一方と前記対向板との間に配置された第1樹脂部材と、
    前記周辺領域と前記対向板との間に配置された第2樹脂部材と、
    を備え、
    前記第2樹脂部材の屈折率と前記対向板の屈折率との差が0.2以上であることを特徴とする電子部品。
  2. 前記第1樹脂部材と前記対向板の前記屈折率との差が0.1以下である、請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記第2樹脂部材は、各々が互いに離間して設けられた第1部材と第2部材と第3部材とを含み、前記第1部材と前記第2部材とを結ぶ直線上に前記第3部材が位置しない、請求項1または2に記載の電子部品。
  4. 前記第2樹脂部材は、各々が互いに離間して設けられた第1部材と第2部材と第3部材とを含み、前記第1部材と前記第2部材とを結ぶ直線上に前記第3部材が位置する、請求項1または2に記載の電子部品。
  5. 前記第2樹脂部材は、各々が互いに離間して設けられた第1部材と第2部材と第3部材とを含み、前記第1部材と前記第2部材とを結ぶ円弧上に前記第3部材が位置する、請求項1または2に記載の電子部品。
  6. 前記素子板と前記対向板との間にはスペーサが設けられており、前記スペーサは前記第2樹脂部材に覆われている、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品。
  7. 前記第1樹脂部材は前記素子領域および前記周辺領域と前記対向板との間に配置されており、前記第2樹脂部材は前記第1樹脂部材で囲まれている、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品。
  8. 前記第1樹脂部材は少なくとも前記素子領域に設けられており、
    前記周辺領域と前記対向板との間に配置された第3樹脂部材を更に備え、
    前記第3樹脂部材の屈折率と前記対向板の前記屈折率との差は、前記第1樹脂部材の前記屈折率と前記対向板の前記屈折率との差よりも大きく、かつ、前記第2樹脂部材の前記屈折率と前記対向板の前記屈折率との差よりも小さい、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子部品。
  9. 前記素子板は前記対向板に対向しない領域を有する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品。
  10. 前記第1樹脂部材および前記第2樹脂部材は前記対向板に接する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電子部品。
  11. 前記機能素子は表示素子である、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子部品。
  12. 前記機能素子は撮像素子である、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子部品。
  13. 前記対向板はガラス基板を含む、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電子部品。
  14. 前記素子板はシリコン基板を含む、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の電子部品。
  15. 前記素子領域と前記第1樹脂部材との間にカラーフィルタアレイが設けられている、請求項1乃至14のいずれか1項に記載の電子部品。
  16. 前記素子領域と前記第1樹脂部材との間にマイクロレンズアレイが設けられている、請求項1乃至15のいずれか1項に記載の電子部品。
  17. 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の電子部品と、
    前記電子部品に接続された配線部品と、
    前記電子部品に前記配線部品を介して接続された回路部品と、を備える機器。
  18. 機能素子が設けられた素子領域および前記素子領域の周囲に配された周辺領域と、を備える素子板を用意する工程と、
    前記周辺領域の上に第1樹脂材料を配置する工程と、
    前記素子領域の上に液体の第2樹脂材料を配置する工程と、
    前記素子領域および前記周辺領域に対向する対向板が前記第1樹脂材料および前記第2樹脂材料に接触するように配置した後に、前記第2樹脂材料を流動させて前記第2樹脂材料を前記第1樹脂材料に接触させる工程と、
    前記第2樹脂材料を硬化する工程と、
    を有ることを特徴とする電子部品の製造方法。
  19. 前記対向板を配置する前には、前記第1樹脂材料は球状のスペーサを内包する液体であり、前記対向板を配置したあとに、前記第1樹脂材料を硬化する、請求項18に記載の電子部品の製造方法。
  20. 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の電子部品を用意し、
    前記対向板および前記第2樹脂部材を介して前記素子板に光を照射し、
    前記素子板と前記第2樹脂部材との間での反射光と、前記対向板と前記第2樹脂部材との間での反射光から、前記対向板と前記素子板のギャップを測定することを特徴とする電子部品の検査方法。
JP2019121948A 2019-06-28 2019-06-28 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器 Active JP7362313B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019121948A JP7362313B2 (ja) 2019-06-28 2019-06-28 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器
US16/899,439 US11373916B2 (en) 2019-06-28 2020-06-11 Method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019121948A JP7362313B2 (ja) 2019-06-28 2019-06-28 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2021009890A true JP2021009890A (ja) 2021-01-28
JP2021009890A5 JP2021009890A5 (ja) 2022-06-29
JP7362313B2 JP7362313B2 (ja) 2023-10-17

Family

ID=74043324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019121948A Active JP7362313B2 (ja) 2019-06-28 2019-06-28 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11373916B2 (ja)
JP (1) JP7362313B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022158136A1 (ja) 2021-01-25 2022-07-28 三菱重工エンジン&ターボチャージャ株式会社 排気管、及びエンジン

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004152664A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Seiko Epson Corp 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
US20090283887A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 Panasonic Corporation Optical semiconductor device
WO2014148276A1 (ja) * 2013-03-18 2014-09-25 ソニー株式会社 半導体装置、電子機器
WO2015115553A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び固体撮像素子
JP2016086039A (ja) * 2014-10-23 2016-05-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体装置の製造方法及び製造装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4794283B2 (ja) 2005-11-18 2011-10-19 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US9620740B2 (en) 2012-10-11 2017-04-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescence element and lighting device
JP2015056211A (ja) 2013-09-10 2015-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2017134886A (ja) 2014-06-19 2017-08-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP2016138992A (ja) 2015-01-27 2016-08-04 Jsr株式会社 液晶表示素子および感放射線性樹脂組成物
JP2019029137A (ja) 2017-07-27 2019-02-21 双葉電子工業株式会社 有機el表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004152664A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Seiko Epson Corp 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
US20090283887A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 Panasonic Corporation Optical semiconductor device
WO2014148276A1 (ja) * 2013-03-18 2014-09-25 ソニー株式会社 半導体装置、電子機器
WO2015115553A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び固体撮像素子
JP2016086039A (ja) * 2014-10-23 2016-05-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体装置の製造方法及び製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022158136A1 (ja) 2021-01-25 2022-07-28 三菱重工エンジン&ターボチャージャ株式会社 排気管、及びエンジン

Also Published As

Publication number Publication date
US20200411389A1 (en) 2020-12-31
US11373916B2 (en) 2022-06-28
JP7362313B2 (ja) 2023-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI611202B (zh) 晶圓堆疊及光學裝置
US20180068157A1 (en) Display panel and display apparatus
US7675016B2 (en) Solid-state image pickup device and method of producing the same
WO2013146091A1 (ja) 撮像機構、内視鏡、及び撮像機構の製造方法
US11080508B2 (en) Display capable of detecting fingerprint
US20110278692A1 (en) Solid-state image sensing device having a direct-attachment structure and method for manufacturing the same
JP5875313B2 (ja) 電子部品および電子機器ならびにこれらの製造方法。
TWI695200B (zh) 光學模組及其製造方法
JP6065470B2 (ja) 撮像装置、検査装置、及び電子デバイスの製造方法
JP7362313B2 (ja) 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器
CN111009537A (zh) 图像传感器芯片级封装
US20110108180A1 (en) Method for producing a curved circuit
US6909173B2 (en) Flexible substrate, semiconductor device, imaging device, radiation imaging device and radiation imaging system
TW201947277A (zh) 光控濾光片
US11195864B2 (en) Flip-chip sample imaging devices with self-aligning lid
KR20140122907A (ko) 표시 장치
JP4224997B2 (ja) 補正値算出装置、基板、基板製造方法、電気光学装置、補正値算出方法及び電子機器
JP2007322898A (ja) 焦点検出装置およびカメラ
CN114144714A (zh) 包括透镜组件的光学模块
KR20160132745A (ko) 전자 모듈과 그 제조 방법 및 이를 구비하는 카메라 모듈
JP2019191403A (ja) 配線基板及び表示パネル
US20240176049A1 (en) Optical Device, Optical Module, and Method for Manufacturing Optical Device or Optical Module
US20230266627A1 (en) Electronic devices including transfer layer, methods of manufacturing the electronic devices, and electronic apparatuses including the electronic devices
JP7394496B2 (ja) 放射線検出器およびその製造方法
JP2017220604A (ja) 基板同士の接合方法、撮像装置の製造方法、撮像装置、および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220621

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231004

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7362313

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151