JP2021004802A - 湿度センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁性を有するガラスからなる基材2を、洗浄及び乾燥を行ってから、マスク治具に取り付けた後、酸素プラズマを照射して、基材2の上面2aの有機物を除去するとともに、上面2aを改質した。そして、基材2をスパッタリング装置にセットし、Cr等の金属粒子を物理蒸着して第1電極3を形成して中間体11にした。次に、中間体11に酸素プラズマを照射して、基材2の上面2aの露出部分と第1電極3の上面3aを改質した。
本比較例における、実施例1との相違点は、凹凸部形成工程S4がない条件で、真空度を5[Pa]の条件下で感湿膜4の上面にCrの金属粒子を物理蒸着して第2電極5を形成しているとともに、第2電極5は一層のみとなっている点であり、その他は実施例1と同様である。
本参考例における、比較例との相違点は、トリメチロールプロパントリアクリレートに代えて、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートをモノマとしている点であり、その他は比較例と同様である。
本参考例における、比較例との相違点は、トリメチロールプロパントリアクリレートに代えて、トリメチロールプロパントリアクリレートとイソボルニルアクリレートを重量比25:75で混合したものをモノマとしている点であり、その他は比較例と同様である。
本参考例における、参考例1との相違点は、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートに代えて、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートとイソボルニルアクリレートを重量比25:75で混合したものをモノマとしている点であり、その他は参考例1と同様である。本参考例は、参考例1と同様の方法で必要な感湿膜が形成できた。これは、重合に寄与する官能基を2つ以上有するモノマと重合に寄与する官能基を1つだけ有するモノマとが共重合されてなる構成にすることにより、単一での成膜性が低いモノマを重合要素として含む構成を容易に実現できることを示している。
本参考例における、参考例1との相違点は、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートに代えて、4−アクリロイルモルホリンをモノマとしている点であり、その他は参考例1と同様である。しかし、参考例1と同様の方法では、成膜性が悪いため湿度センサに必要な感湿膜が形成できなかった。
本参考例における、参考例1との相違点は、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートに代えて、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートと4−アクリロイルモルホリンを重量比20:80で混合したものをモノマとしている点であり、その他は参考例1と同様である。本参考例は、参考例1と同様の方法で必要な感湿膜が形成できた。これは、重合に寄与する官能基を2つ以上有するモノマと重合に寄与する官能基を1つだけ有するモノマとが共重合されてなる構成にすることにより、単一での成膜性が低いモノマを重合要素として含む構成を容易に実現できることを示している。
本実施例における、実施例1との相違点は、トリメチロールプロパントリアクリレートに代えて、日本化薬株式会社製KAYARAD R−604(商品名)をモノマとしている点であり、その他は実施例1と同様である。
本参考例における、実施例2との相違点は、真空度を5[Pa]の条件下で感湿膜4の上面4aにCrの金属粒子を物理蒸着して第2電極5を形成しており、第2電極(上部電極)が一層のみとなっている点であり、その他は実施例2と同様である。
2 基材
3 第1電極(下部電極)
4 感湿膜
5 第2電極(上部電極)
11、12、13、14 中間体
41 凹凸部
51 第1層
52 第2層
53 第2電極の部分
G1、G11、G12 空隙
T1 膜厚
R1 応答時間
Claims (12)
- 基材の上面に形成された第1電極と、前記第1電極の上面に形成された高分子材料からなる感湿膜と、前記感湿膜の上面に形成された第2電極とを備え、前記感湿膜の上面に複数の凹凸部が形成されている構成であって、
前記第2電極は、前記感湿膜の上面に接合している第1層と、前記第1層の上面に接合している第2層とを有する薄膜積層構造であり、
前記第2電極に形成された空隙は、前記第1層の下面側の空隙が前記第2層の上面側の空隙よりも大きいことを特徴とする湿度センサ。 - 前記感湿膜は、膜厚が0.1μm以上かつ3.0μm未満であり、且つ、
前記凹凸部の厚み方向の大きさと前記凹凸部の間隔との比は1:0.5〜1:2.0であることを特徴とする請求項1記載の湿度センサ。 - 前記感湿膜は、ビニル化合物、ビニリデン化合物、アクリル化合物、または、メタクリル化合物のいずれか一種以上が重合されてなる構成であることを特徴とする請求項1または2記載の湿度センサ。
- 前記感湿膜は、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)アクリルアミド、4−アクリロイルモルホリン、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、N,N−ジメチルメタクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)メタクリルアミド、4−メタクリロイルモルホリン、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、または、トリメチロールプロパントリメタクリレートのいずれか一種以上が重合されてなる構成であることを特徴とする請求項1または2記載の湿度センサ。
- 前記感湿膜は、化学式1(化1)、化学式2(化2)、または、化学式3(化3)で表される構造を有するモノマが重合されてなる構成であることを特徴とする請求項1または2記載の湿度センサ。
- 基材の上面に第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極の上面に高分子材料からなる感湿膜を形成する感湿膜形成工程と、
前記感湿膜の上面に複数の凹凸部を形成する凹凸部形成工程と、
前記凹凸部が形成された前記感湿膜の上面に第2電極を形成する第2電極形成工程とを有している湿度センサの製造方法であって、
前記第2電極形成工程は、前記感湿膜の上面に第1層を薄膜形成し、次に、前記第1層の上面に第2層を薄膜形成することを特徴とする湿度センサの製造方法。 - 前記第2電極形成工程は、斜め蒸着法によって電極材を物理蒸着すること、真空度を2×10-6Pa以上かつ20Pa未満とした条件下での蒸着法によって電極材を物理蒸着すること、または、真空度を2×10-6Pa以上かつ20Pa未満とした条件下での斜め蒸着法によって電極材を物理蒸着すること、のいずれかの手段を1種以上選択し、前記第1層の下面側の空隙が前記第2層の上面側の空隙よりも大きくなるように前記第2電極に空隙を形成すること
を特徴とする請求項6記載の湿度センサの製造方法。 - 前記感湿膜形成工程は、ビニル化合物、ビニリデン化合物、アクリル化合物、または、メタクリル化合物のいずれか一種以上を重合する手段で前記感湿膜を形成することを特徴とする請求項6または7記載の湿度センサの製造方法。
- 前記感湿膜形成工程は、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)アクリルアミド、4−アクリロイルモルホリン、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、N,N−ジメチルメタクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)メタクリルアミド、4−メタクリロイルモルホリン、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、または、トリメチロールプロパントリメタクリレートのいずれか一種以上を重合する手段で前記感湿膜を形成することを特徴とする請求項6または7記載の湿度センサの製造方法。
- 前記感湿膜形成工程は、化学式4(化4)、化学式5(化5)、または、化学式6(化6)で表される構造を有するモノマを重合する手段で前記感湿膜を形成することを特徴とする請求項6または7記載の湿度センサの製造方法。
- 前記凹凸部形成工程は、真空度を0.2Pa以上かつ10Pa未満とした条件下でプラズマを照射することで、前記凹凸部の厚み方向の大きさと前記凹凸部の間隔との比を1:0.5〜1:2.0とすることを特徴とする請求項6〜10のいずれか一項記載の湿度センサの製造方法。
- 前記感湿膜を加熱処理するエージング工程をさらに備えることを特徴とする請求項6〜11のいずれか一項記載の湿度センサの製造方法。
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Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JPS5782760A (en) * | 1980-07-09 | 1982-05-24 | Commissariat Energie Atomique | Capacitive hyglometer and making thereof |
JPS5896722A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | 今井 淑夫 | 容量式湿度センサ及びその製造法 |
JPS59173743A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Sharp Corp | 感湿素子 |
JPH02108952A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Rika Kogyo Kk | 湿度センサー |
JPH04309855A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Saginomiya Seisakusho Inc | 感湿素子 |
JPH0650924A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Tdk Corp | 高分子湿度センサーおよびその製造方法 |
JPH06294765A (ja) * | 1991-09-06 | 1994-10-21 | Glory Ltd | 湿度センサの製造方法 |
US20100307238A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | The Governors Of The University Of Alberta | Humidity sensor and method of manufacturing the same |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5782760A (en) * | 1980-07-09 | 1982-05-24 | Commissariat Energie Atomique | Capacitive hyglometer and making thereof |
JPS5896722A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | 今井 淑夫 | 容量式湿度センサ及びその製造法 |
JPS59173743A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Sharp Corp | 感湿素子 |
JPH02108952A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Rika Kogyo Kk | 湿度センサー |
JPH04309855A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Saginomiya Seisakusho Inc | 感湿素子 |
JPH06294765A (ja) * | 1991-09-06 | 1994-10-21 | Glory Ltd | 湿度センサの製造方法 |
JPH0650924A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Tdk Corp | 高分子湿度センサーおよびその製造方法 |
US20100307238A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | The Governors Of The University Of Alberta | Humidity sensor and method of manufacturing the same |
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