JP2021001404A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[構成]
本発明の第1の実施形態について、図面を参照して説明する。
次に、本実施形態に係る成膜装置1の動作及び成膜方法について説明する。以下に述べる成膜装置1の動作は、制御装置4の機構制御部41によって制御されるものである。ワークWは、大気圧の外部からロードロック室に搬入される。ロードロック室を予め設定された圧力まで減圧してから搬入口20を開き、チャンバ2の内部にワークWを搬入する。ロードロック室の圧力はチャンバ2の圧力よりも高いため、搬入口20を開いたときにチャンバ2の圧力は一時的に上昇する。搬入したワークWはステージ21に載置する。ワークWの搬入は、不図示の搬送装置で行う。ステージ21に載置した後は、搬入口20を閉じてチャンバ2を密閉する。チャンバ2は排気装置25によって常時排気されているため、搬入口20を閉じることによってチャンバ2は減圧される。
上述の実施形態の成膜装置1において、以下の条件で成膜処理を行った。
・DC電力[kW]: 3.5
・Arガス圧力[Pa]: 1.46(420sccm)
・O2圧力[Pa]: 0.037(12.5sccm)
・成膜圧力(Ar+O2)[Pa]: 1.50
・放電電圧[V]: 398
・排気時間[s]:23.4
・成膜時間[s]: 5.2
・成膜速度[nm/s]: 7.7
・ターゲット231:酸化インジウムスズ(ITO)
・膜厚[nm]:40
・ワークW:ポリカーボネート基板
(1)本実施形態の成膜装置1は、成膜材料からなるターゲット231が配置され、内部にワークWが搬入される密閉容器であるチャンバ2と、ワークWの搬入後、チャンバ2を所定の排気時間、排気してベース圧力にする排気装置25と、ベース圧力に排気されたチャンバ2の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部27と、を備える。スパッタガス導入部27は、チャンバ2の内部に付着する成膜材料の増加によるベース圧力の上昇に応じて、チャンバ2に導入するスパッタガスの酸素分圧を減少させる。
本発明の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、第1の実施形態の構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付与し詳細な説明を省略する。
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した成膜装置1は、スパッタリング等の成膜処理とエッチング等の膜処理を行う複数のチャンバを備えた、マルチチャンバ型のプラズマ処理装置に適用しても良い。
2 チャンバ
20 搬入口
21 ステージ
22 シャフト
23 スパッタ源
231 ターゲット
232 バッキングプレート
233 導電部材
24 電源装置
25 排気装置
26 圧力計
27 スパッタガス導入部
271a アルゴンガス導入部
272a 酸素導入部
271b,272b 流量制御計
4 制御装置
41 機構制御部
42 酸素分圧決定部
43 記憶部
44 計時部
45 警報生成部
46 入出力制御部
47 入力装置
48 出力装置
49 ベース圧力決定部
W ワーク
Claims (5)
- ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜装置であって、
成膜材料からなるターゲットが配置され、内部に前記ワークが搬入される密閉容器と、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気してベース圧力にする排気装置と、
前記ベース圧力に排気された前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、を備え、
前記スパッタガス導入部は、前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料の増加による前記ベース圧力の上昇に応じて、前記密閉容器に導入する前記スパッタガスの酸素分圧を減少させることを特徴とする成膜装置。 - 前記ベース圧力を計測する圧力計と、
前記圧力計で測定された前記ベース圧力に応じて、前記スパッタガス導入部が導入する前記スパッタガスの酸素分圧を決定する制御装置と、を備えることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、
前記電源装置から前記ターゲットに供給された電力の積算量に基づいて決定した前記ベース圧力に応じて、前記スパッタガス導入部が導入する前記スパッタガスの酸素分圧を決定する制御装置と、を備えることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記ベース圧力が6×10−3[Pa]を超えたときに警報を生成する警報生成部を更に備えることを特徴とする請求項2又は3記載の成膜装置。
- ワークに対してプラズマを用いて成膜を行う成膜方法であって、
成膜材料からなるターゲットが配置された密閉容器の内部に前記ワークを搬入し、
前記ワークの搬入後、前記密閉容器を所定時間排気してベース圧力にし、
前記ベース圧力に排気された前記密閉容器の内部に、酸素を含むスパッタガスを導入し、
前記密閉容器内部に付着する前記成膜材料の増加による前記ベース圧力の上昇に応じて、前記密閉容器に導入する前記スパッタガスの酸素分圧を減少させることを特徴とする成膜方法。
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JPH01268859A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Casio Comput Co Ltd | 透明導電膜の形成方法および形成装置 |
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JPH01268859A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Casio Comput Co Ltd | 透明導電膜の形成方法および形成装置 |
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