JP2020537354A - 半導体上に配置された構造物に吸収されるべき所定の波長を有する放射線量を制御するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記放射線吸収層が、前記中間層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有する。
を含むことに留意されたい。
Claims (12)
- 半導体とのオーミック接触をもたらす複数金属層のスタックを有するオーミック・コンタクトであって、
前記スタックが:
前記半導体と直接接触して配置された下層と;
前記下層の上方に配置された放射線吸収制御層であり、前記半導体を伴う前記スタックをアニールして前記オーミック接触を形成するために使用されるプロセスの間に、前記スタックが放射線に暴露される間に前記放射線吸収制御層に吸収されるべき放射線エネルギーの量を制御する放射線吸収制御層と;
を含む、
オーミック・コンタクト。 - 半導体とのオーミック接触をもたらす複数層のスタックを有する、半導体用のオーミック・コンタクトであって、
前記スタックが:
前記半導体に直接接触して配置された下方金属層;
前記下方金属層の上に配置された中間層であり、所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する中間層;及び
前記中間層の上に配置された放射線吸収層であり、前記放射線エネルギーに対する前記中間層の前記所定のエネルギー吸収係数よりも少なくとも一桁大きい、前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する放射線吸収層;
を含む、
オーミック・コンタクト。 - 前記放射線エネルギーが赤外線放射エネルギーである、請求項2に記載のオーミック・コンタクト。
- 前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む、請求項2に記載のオーミック・コンタクト。
- 請求項2に記載のオーミック・コンタクトであり、
前記中間層が、所定の電気抵抗率を有し、
前記放射線吸収層が、前記中間層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有する、
オーミック・コンタクト。 - 所定の波長を有する放射線を用いて、半導体層とのオーミック接触を形成する方法であって:
(A)オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと;
(B)前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックをアニールするステップと;
を含み、
前記オーミック・コンタクト・スタックが:
前記所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率を有する層を含む頂部層であり、該頂部層の前記所定のエネルギー吸収率が前記オーミック接触を形成するために前記オーミック・コンタクト・スタックにより吸収される前記放射線エネルギーの量に従って選択される、頂部層と;
前記頂部層の下で、前記半導体層に接触する導電層と;
を含み、
前記アニールするステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露するステップを含む、
方法。 - 前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む、請求項6に記載の方法。
- 半導体層へのオーミック接触を形成する方法であって:
(A)オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと;
(B)前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックを合金化するステップと;
を含み、
前記オーミック・コンタクト・スタックが:
所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、所定の電気抵抗率とを有する金属層を含む頂部層と;
前記頂部層の下の導電層であり、前記頂部層の前記所定のエネルギー吸収率よりも少なくとも一桁少ない前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、前記頂部層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁大きい所定の電気抵抗率を有する導電層と;
を含み、
前記合金化するステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露し、前記放射線エネルギーの一部が前記頂部層により吸収されるステップを含む、
方法。 - 前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む、請求項8に記載の方法。
- 半導体層へのオーミック接触を形成するための方法であって:
前記半導体層の上に窓を有するフォトレジストマスクをリソグラフィー的に形成するステップであり、前記半導体層の表面の一部を前記オーミック接触のために露出させるステップと;
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記半導体層の露出部分上に、100オングストロームから400オングストロームの範囲の厚さを有するチタン層を形成するステップと;
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記チタン層上に、800オングストロームから2000オングストロームの範囲の厚さを有するアルミニウム層を形成するステップと;
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記アルミニウム層上に、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するプラチナ層を形成するステップと;
前記マスクを蒸発フラックスに暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記プラチナ層上に、200オングストロームから100000オングストロームの範囲の厚さを有する金層を形成するステップと;
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記金層上に、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するチタン層である放射線吸収材料の層を形成するステップと;
前記フォトレジストマスク並びにチタン、アルミニウム、プラチナ、金及びチタンの層を除去し、予備合金オーミック・コンタクト・スタックを残すステップと;
前記オーミック・コンタクト・スタックを合金化するステップであり、前記スタックの前記放射線吸収材料を放射線に暴露し、前記放射線の一部が前記放射線吸収材料の層により吸収されるステップと;
を含む方法。 - 半導体上に配置された構造物によって吸収されるべき、所定の波長を有する放射線の量を制御するための方法であって:
(A)前記構造物によって吸収される放射線の量に応じて選択される反射率を有する材料の層を、前記構造物上に設けるステップと;
(B)前記材料の層を載せた前記構造物を、前記所定の波長を有する放射線に曝すステップと;
を含む方法。 - 半導体上に配置された構造物によって吸収されるべき、所定の波長帯域を有する放射線の量を制御するための方法であって:
(A)前記構造物によって吸収される放射線の量に応じて選択される反射率を有する材料の層を、前記構造物上に設けるステップと;
(B)前記材料の層を載せた前記構造物を、前記所定の波長帯域を有する放射線に曝すステップと;
を含む方法。
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