JP2020537110A - 熱電冷却を伴う磁場生成 - Google Patents

熱電冷却を伴う磁場生成 Download PDF

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Abstract

装置は、DC電気信号を生成するためのDC電源、電気パルスを生成するためのパルス発生器、および電気素子を備えることができる。パルス発生器とDC電源は、一緒に電気的に結合することができる。電気素子は、DC電気信号および電気パルスを受け取ることができる。電気素子は、DC電気信号を受け取るとそれに応答して磁場を生成し、電気パルスを受け取るとそれに応答して冷却することができる。【選択図】図1

Description

本発明は、磁場生成に関する。より具体的には、本発明は、熱電冷却を伴う磁場生成に関する。
電子回路は、様々なアプリケーション(モーターなど)の磁場を生成するために使用できる。この種の回路は、通常、動作中に熱を発生する。これにより、発生する可能性のある磁場の強度が制限されることがある。たとえば、電流制限は通常、回路が過熱しないことを保証するために設けられる。回路を冷却すると、さらなる電流を受け取り、より強い磁場を生成する回路の能力が向上する。
以下の開示は、磁場生成の向上に関する。本明細書で開示される実施形態は、熱電冷却を伴う磁場生成のための方法および装置を提供する。
1つの代表的な実施形態では、装置は、DC(直流)電気信号を生成するためのDC(直流)電源、電気パルスを生成するためのパルス発生器、および電気要素を備えることができる。パルス発生器とDC電源は、一緒に電気的に結合することができる。電気素子は、DC電気信号および電気パルスを受け取るように構成することができる。電気素子は、DC電気信号を受け取るとそれに応答して磁場を生成し、電気パルスを受け取るとそれに応答して冷却するように構成することができる。
開示される実施形態のいずれにおいても、電気素子を冷却することにより、電気素子がDC電流を受け取る能力を増大させることができる。開示された実施形態のいずれにおいても、電気素子は誘導素子を備えることができる。開示された実施形態のいずれにおいても、電気素子は、1nHを超えるインダクタンスを有することができる。開示される実施形態のいずれにおいても、パルス発生器は、少なくとも100ボルト/秒の時間に対する電圧の変化を有する電気パルスを生成するように構成することができる。
開示される実施形態のいずれにおいても、装置は、電気素子に結合されたエネルギー回収素子をさらに備えることができる。電気素子は、電気パルスを受け取ると、熱を電気エネルギーに変換し、エネルギー回収素子が電気エネルギーを受け取るように構成することができる。開示される実施形態のいずれにおいても、エネルギー回収素子の出力は、DC電源に結合することができる。
開示される実施形態のいずれにおいても、DC電気信号および電気パルスは、DC電気信号および電気パルスを変圧器の対向する巻線に印加することにより結合することができる。例えば、DC電気信号および電気パルスの一方は、変圧器の一次巻線に印加され得る。DC電気信号および電気パルスの他方は、変圧器の二次巻線に印加され得る。開示された実施形態のいずれにおいても、電気素子および回収素子の一方は変圧器の一次巻線を備えることができる。電気素子および回収素子の他方は変圧器の二次巻線を備えることができる。
別の代表的な実施形態では、装置は、DC電気信号を生成するDC電源、DC電源に結合された第1の電気素子、電気パルスを生成するパルス発生器、および第2の電気素子を備えることができる。第1の電気素子は、DC電気信号を受け取り、DC電気信号を受け取ることに応答して磁場を生成するように構成することができる。第2の電気素子は、電気パルスを受け取り、その電気パルスを受け取ることに応答して冷却するように構成することができる。第1の電気素子は、第2の電気素子が冷却されるときに第1の電気素子が冷却されるように、第2の電気素子に熱的に結合することができる。
開示される実施形態のいずれにおいても、第2の電気素子は、電気パルスを受け取ることに応答して熱を電気エネルギーに変換するように構成することができる。開示された実施形態のいずれにおいても、装置は、電気パルスを受け取る第2の電気素子によって生成された電気エネルギーを保存するためのエネルギー回収素子をさらに備えることができる。開示された実施形態のいずれにおいても、第2の電気素子によって生成された電気エネルギーは、DC電源に印加することができる。
開示された実施形態のいずれにおいても、装置は、電気素子に接続される発振器をさらに備えることができる。開示された実施形態のいずれにおいても、装置は、電気素子に接続される第1の発振器および第2の発振器をさらに備えることができる。
別の代表的な実施形態では、方法は、DC電気信号を生成するステップと、電気パルスを生成するステップと、DC電気信号および電気パルスを結合し、DC電気信号成分および電気パルス成分を有する結合された電気信号にするステップと、結合された電気信号を電気素子へ印加するステップと、を含むことができる。電気素子は、DC電気信号成分を受け取ることに応答して磁場を生成し、電気パルス成分を受け取ることに応答して冷却するように構成することができる。
開示される実施形態のいずれにおいても、電気素子は誘導素子を備えることができる。開示される実施形態のいずれにおいても、方法は、電気パルスを受け取ることに応答して電気素子によって生成された電気エネルギーを、DC電気信号を生成する電源に印加するステップをさらに含むことができる。
本発明の前述のおよび他の目的、特徴、および利点は、添付の図面を参照して進められる以下の詳細な説明からより明らかになるであろう。
図1は例示的な磁場発生器のブロック図である。 図2はエネルギー回収素子を含む別の例示的な磁場発生器のブロック図である。 図3は図2のエネルギー回収素子のさらなる詳細を示すブロック図である。 図4は別の例示的な磁場発生器のブロック図である。 図5は別の例示的な磁界発生器のブロック図である。 図6は別の例示的な磁界発生器のブロック図である。 図7は発振器を含む、別の例示的な磁場発生器のブロック図である。 図8は第1の発振器および第2の発振器を含む、別の例示的な磁場発生器のブロック図である。 図9はマイクロプロセッサを含む、別の例示的な磁場発生器のブロック図である。 図1―9の磁場発生器を動作させる例示的な方法を示す。
この開示は、熱電冷却を伴う磁場発生器の実施形態に関する。磁場生成は、電気モーター、磁気イメージング等の様々なアプリケーションに有用である。磁場を生成するための装置は、導体(例えば、銅線)がコア(例えば、空芯、鉄芯)の周りに巻かれるコイルまたはソレノイドを含むことができる。コアの周りの巻線の各ターンは、装置によって生成される全体的な磁場強度が巻線のターン数に比例するように磁場を作成できる。装置の磁場強度は、コイルを通過する電流の量にも比例する。
磁場装置のコイルに電流が流れると、ジュール加熱によりコイルが加熱される。コイルを流れる電流が増加すると、コイルの温度が上昇する。特定の温度になると、過熱によりコイルが適切に機能しなくなる。この過熱の問題は、コイルが増加した電流を流す能力を阻害したり、またはコイルを物理的に劣化させる可能性がある。さらに、コイルの温度が上昇すると、抵抗が増加し、増加した電流を流す能力がさらに低下する。したがって、装置によって生成されることができる磁場の強さは、機能を破壊または失う前にコイルが受容することができる加熱の量によって制限される。
この過熱の問題は、コイルを絶縁するか、過熱が問題になる前により多くの電流を流すことができるより重いゲージワイヤを使用することで軽減できる。しかしながら、これらの解決策はそれぞれ、コイルの直径を増加させ、それにより、コイルの巻線が含み得る単位体積あたりの巻数を制限し、生成され得る磁場の強度を制限する。コイルを冷却する他のより精巧な方法は、装置を操作するコストを大幅に増加させる可能性がある。したがって、必要なことは、コイルの温度を下げる方法である。この目標を達成するための装置および方法が本明細書に開示される。
図1は、回路100の磁場発生システムの実施形態を示す。回路100は、DC電源102、パルス発生器104、および電気素子106を含む。DC電源102は、一定の直流(DC)電流を生成することができる。DC電源102は、バッテリ、キャパシタ、演算増幅器(オペアンプ)、またはDC電流を出力することができる他のソースを含むことができる。電気素子106は、DC電流が装置に加えられたときに磁場を生成する装置を含むことができる。図示の実施形態では、電気素子106は、コアの周りのコイルに巻かれたワイヤを備えるインダクタである。DC電源102からのDC電流がインダクタ106を通過すると、磁場が発生する。磁場の強さは、DC電流の強さとコイルの巻き数に比例する。ほとんどのモーターには、0.1―10AのDC出力が必要である。電気自動車は100−1000Aを必要とする場合がある。上記で説明したように、DC電流がインダクタ106を通過するとき、ジュール加熱により温度が上昇する。また、回路100によって生成され得る磁場強度はこの加熱によって制限される。
パルス発生器104は、電気パルスを発生させる装置であり得る。いくつかの実施形態では、パルス発生器104は、周期的な間隔で電気パルスの連続ストリームを生成することができる。理想的には、パルス発生器104は、パルス発生器によって出力される電圧が短時間にわたって急速に増加する電気パルスを生成する。これは、立ち上がり時間が短い方形波、または正弦波、のこぎり波、または高周波の同様の出力電圧波で行うことができる。回路100は、100V/秒程度の小さいdV/dt比(例えば、ある期間にわたる電圧の変化)を有するパルス発生器104によるパルス出力で機能することができる。しかしながら、パルス発生器104は、少なくとも100V/μs、または10,000から100,000V/μs以上のdV/dtを有するパルスを出力することができる。
パルス発生器104が高いdV/dt比を有する電気パルスを出力するとき、インダクタ106は、本明細書で説明されるように、熱エネルギーを電気エネルギーに変換して冷却する。高いdV/dt比のパルス発生器104によって出力された電気パルスがインダクタ106の一方の側に印加されると、電気素子は冷却される。そして、パルス発生器によって生成されたものよりも高い電力レベルを有する電気素子の反対の側に電圧が現れる。このように、パルス発生器104によって出力される鋭いパルスは、インダクタ106に熱エネルギーを電気エネルギーに変換させ、それによってインダクタを冷却する。パルス発生器104によって出力されるパルスのdV/dt比が高いほど、より多くの量の熱エネルギーが電気エネルギーに変換され、インダクタ106がより多く冷却される。この現象は、Kinetic Power Transient(KPT)と呼ばれる。
モーター駆動では、電気駆動の瞬間的な側面は、磁場の変化率に関連するDC信号と見なすことができる。したがって、「駆動」は電流が反転するAC信号のようにも見えるが、実際の磁場とその影響はDC現象である。上述のKPT効果は、インダクタ106内でのジュール加熱による熱の電気エネルギーへの変換が、インダクタの冷却を行う速度でなされるような時間スケールで適用され得る。外部的には、KPT効果が起こるためのこの信号は、AC駆動信号と同様にAC信号と考えることができる。ただし、実際に冷却が行われる短い時間スケールでは、この信号はDCによって適切にモデル化される。
図1に示すように、DC電源102およびパルス発生器104の出力は結合される。パルス発生器104によって出力される電気パルスの振幅は、DC電源102によって出力される電圧の振幅よりも小さくすることができる。図示の実施形態では、パルス発生器104によって生成されたパルスの振幅は、電源102のDC電圧の振幅の1―10%である。さらに、インダクタ106は、特にパルスが高い周波数を有する場合、狭いパルス幅を有する場合、またはインダクタが高いインダクタンスを有する場合、一般にこれらのパルスへの応答が遅い。図示の実施形態では、インダクタ106のインダクタンスは、少なくとも1nH以下とすることができるが、400μHより大きくすることができる。図示の実施形態では、パルス発生器104の出力は、少なくとも2kHzの周波数を有し、1―5MHzの間の周波数とすることができる。これらの理由により、インダクタ106を通過するDC電源102からのDC電流によって生ずる磁場は、パルス発生器104によって出力されるパルスによってわずかに変化するかもしれないが、大きくは妨げを受けない。
図示の実施形態では、パルス発生器104によって出力されるパルスは正の電圧を有する。しかしながら、いくつかの実施形態では、パルス発生器104の出力は、パルスの少なくとも一部については負の電圧となり得る。いくつかの実施形態では、パルス発生器によるパルス出力の一部がDC電源の正の電圧よりも大きい負の電圧を有する場合、DC電源102およびパルス発生器104の結合された出力は、特定の期間中、負であり得る。
パルス発生器104が周期的な間隔で継続的に電気パルスを出力する場合、インダクタ106は、熱エネルギーを継続的に電気エネルギーに変換し、各パルスで冷却される。これは、DC電源102からのDC電流によって生じるインダクタ106の温度上昇を低減する。これにより、インダクタ106を過熱することなく、DC電源102からの電流を増加させることができる。したがって、これにより、システム100は、パルス発生器104が存在しないシステムで可能であるものよりも大きな強度の磁場を生成することができる。あるいは、システム100は、パルス発生器104が存在しないシステムで同じ強度の磁場を生成するのに必要であるものよりも小さいゲージワイヤを備えるインダクタ106から磁場を生成するのに使用することができる。これは、同等の磁場を生成することができる他の回路と比較して、回路100のコストおよびサイズを低減することができる。
パルス発生器104によって達成できるインダクタ106の冷却量は、パルス発生器によって出力されるパルスのdV/dt比、ならびにインダクタ106を構成するワイヤのゲージを含む他の要因に依存する。いくつかの実施形態では、DC電源102によって出力されるDC電流によって引き起こされるインダクタ106のジュール加熱の量は、パルス発生器104の出力によって引き起こされる冷却によって正確に打ち消される。これらの実施形態では、インダクタ106は、その温度をまったく上げることなく磁場を生成する。回路100は、超伝導体に類似すると考えることができる。
図2は、別の磁場生成回路200の例示的な実施形態を示す。図2の実施形態では、回路200は、出力が結合されてインダクタ106に印加されるDC電源102およびパルス発生器104を含む。図1の例と同様に、DC電源102の出力は、インダクタ106に磁場を生成させる。パルス発生器104の出力は、インダクタ106を冷却させる。それにより、インダクタの容量を増加させ、DC電源102からさらなる電流を受け取り、過熱することなく、さらなる磁場強度を生成する。さらに、回路200は、インダクタ106と並列するエネルギー回収素子202を含む。
上記で説明したように、インダクタが高いdV/dt比を持つパルス発生器104から電気パルスを受け取ったときに発生するKPT効果は、インダクタ106を冷却するだけでなく、インダクタに熱エネルギーを電気エネルギーに変換させる。それにより、DC電源102およびパルス発生器104によって出力される結合されたエネルギーよりも大きい電気エネルギーを有するインダクタの両端に電圧を生成する。回路200では、この余分なエネルギーは、エネルギー回収素子202により取り出される。いくつかの実施形態では、エネルギー回収素子202は、この生成された電気エネルギーを(例えば、キャパシタまたは電池に)保存する。他の実施形態では、生成されたこの余分ののエネルギーは、DC電源102にフィードバックされて、電源への電力供給を助ける。これらの実施形態では、インダクタ106のジュール加熱は、回路200に少なくとも部分的に電力を供給するために使用され、それによって所要電力を低減し、回路の効率を高める。
図3は、別の磁場発生回路300の例示的な実施形態を示す。図3の実施形態では、回路300は、DC電源102、パルス発生器104、インダクタ106、およびエネルギー回収素子202を含む。回路300では、エネルギー回収素子202は、整流器302、およびキャパシタ304、306を備える。キャパシタ304、306は、DC電流の流れを中断することなく、インダクタ106から過剰な交流(AC)成分を除去することができる。整流器302は、任意のAC電力をDCに変換し、DC電力のみを出力することができる。いくつかの実施形態では、整流器302は省略できる。そして、エネルギー回収素子302はAC電力を出力できる。エネルギー回収素子202は、インダクタ106の正の側でタップされて示されているが、インダクタの負の側に結合することができる。
図4は、別の磁場発生回路400の例示的実施形態を示す。図4の実施形態では、回路400は、DC電源102、パルス発生器104、インダクタ106および整流器302を含む。パルス発生器104の出力は、コイル310に結合することができる。DC電源102の出力は、コイル312に結合することができる。コイル310、312は、変圧器の一次巻線および二次巻線を構成するようにコア314(例えば、鉄芯)の周りに巻き付けることができる。それにより、DC電源102およびパルス発生器104の出力が結合される。
回路400はさらに、コイル304およびコア306を含むことができる。インダクタ106およびコイル304は、インダクタ106をコイル304に結合する変圧器を構成するようにコア306の周りに巻き付けることができる。これは、インダクタ106によってKPT効果から生成されたエネルギーをコイル304に伝達することを可能にする。次に、整流器302は、このエネルギーをDCに変換し、この電圧を保存または出力することができる。いくつかの実施形態では、この電気エネルギーは、図2に関連して上述したように、DC電源102に入力して戻すことができる。
図5は、別の磁場発生回路500の例示的実施形態を示す。図5の実施形態では、回路500は、DC電源102、パルス発生器104、インダクタ106、およびコイル304を含む。回路500において、DC電源102は、磁場を生成するためにインダクタ106にDC電流を供給する。パルス発生器104は、上述のように、コイル304にKPT効果により熱エネルギーを電気エネルギーに変換させる電気パルスを出力し、それにより、上述のようにコイルを冷却する。インダクタ106およびコイル304は、熱がインダクタ106からコイル304に伝達され得るように熱的に結合することができる。図示の実施形態では、インダクタ106およびコイル304は、同じコアの周りに巻き付けることによって熱的に結合することができる。他の実施形態では、インダクタ106およびコイル304は、それらの間の熱伝達を可能にする熱伝導性材料を共有することができる。または、インダクタ106およびコイル304は、それらの間で熱を放射できるように配置することができる。したがって、インダクタ106がジュール加熱により加熱されると、コイル304はKPT効果により冷却される。こうして、インダクタ106とコイル304との間に温度勾配が存在する。そして、インダクタ106とコイル304は熱的に結合されているので、インダクタ106からコイル304に熱が移動し、それによりインダクタを冷却する。このことは、過熱することなく、さらなる電流をインダクタ106に流すことができ、それによって、より強い磁場がインダクタによって生成される。
さらに、上記に説明したように、KPT効果により、コイル304は、パルス発生器104によって出力される電力と比較して過剰な電力を生成する。いくつかの実施形態では、この過剰な電気エネルギーは、DC電源102に供給されて、DC電源への電力供給を助ける。
図6は、別の磁場発生回路600の例示的実施形態を示す。回路600は、回路600がエネルギー回収素子または負荷602を含むことを除いて、回路500と同じである。上記で説明したように、KPT効果は、コイルに、パルス発生器104によって出力される電気エネルギーよりも大きい電気エネルギーを生成させる。図6に図示された実施形態では、この過剰なエネルギーは、エネルギー回収素子602により保存される。いくつかの実施形態では、この過剰なエネルギーは、保存されるのではなく、負荷に加えられる。
図7は、別の磁場発生回路700の例示的実施形態を示す。回路700は、回路700が、パルス発生器104およびコイル304と直列に結合された発振器702を含むことを除いて、図6の回路600と同じである。発振器702は、高調波発振器とすることができる。発振器702は、パルス発生器104によるパルス出力によってトリガーされると、周期的な発振電圧を出力することができる。発振器702は、パルス発生器104によって出力されるパルスによってトリガーされると、周期的信号をコイル304に出力する。発振器702によって出力される信号の強度は、時間とともに減少する。しかしながら、パルス発生器104によって出力される各後続のパルスは、新しい発振サイクルを開始する。したがって、パルス発生器104が、非常に短いパルス幅を有するパルスを出力するときでさえ、発振器702は、入力信号がコイル304に供給される時間を延長するのに使用することができる。
動作中、図7のパルス発生器104は、高いdV/dt比を有する電気パルスを周期的に出力する。各パルスは、発振器702に、発振信号をコイル304に出力させることができる。コイル304は、冷却をし、熱エネルギーを電気エネルギーに変換して、それが受け取る電気信号の電力を増加させることができる。熱はインダクタ106からコイル104に伝達され、電気素子が電気エネルギーに変換するためのさらなる熱エネルギーを提供することができる。次いで、電力が増加した信号は、エネルギー回収素子602によって保存または消費され得る。
図8は、別の磁場発生回路800の例示的実施形態を示す。回路800は、回路800が、単一の発振器702ではなく、第1の発振器802および第2の発振器804を含むことを除いて、図7の回路700と同じである。第1の発振器802は、図7の発振器702と同様とすることができる。第2の発振器804は、第1の発振器802がパルス発生器104からのパルスに応答して発振信号を出力するとき、第2の発振器804が第1の発振器802によって出力される発振信号よりも高い周波数を有する共振発振信号を出力するように構成することができる。このようにして、第2の発振器804は、コイル304に印加される信号を拡大することができる。先の実施形態と同様に、エネルギー回収素子602へ出力された電気エネルギーは、パルス発生器104によって出力された電気エネルギーよりも大きい。図8の図示された実施形態では、第1の発振器802および第2の発振器804は、パルス発生器104とコイル304との間に直列に結合されるように示されている。第1の発振器802と第2の発振器804との間にコイル304を配置するなど、他の構成を用いることもできる。
図9は、磁場発生回路900の別の例示的実施形態を示す。回路900は、パルス発生器104が、マイクロプロセッサ902、スイッチ904、906、およびキャパシタ910を含む異なる回路素子に置き換えられることを除いて、図6の回路600と同様である。回路900は、マイクロプロセッサ902によって制御され得る第1のスイッチ904および第2のスイッチ906を含むことができる。マイクロプロセッサ902は、スイッチ904、906を独立して開閉することができる。第1のスイッチ904は電源908に接続することができる。第2のスイッチ906は接地することができる。スイッチ904、906は、並列に接続することができる。スイッチ904、906は、キャパシタ910に接続することができる。マイクロプロセッサ902は、方形波を出力するようにスイッチ904、906を交互に開閉することができる。第1の時間間隔中に、マイクロプロセッサ902は、スイッチ904を閉じ、スイッチ906を開くことができる。これにより、電源908からの電圧がキャパシタ910に印加され、それによって正の電圧がキャパシタの一方のプレート上に蓄積する。第2の時間間隔中に、マイクロプロセッサ902は、スイッチ904を開き、スイッチ906を閉じることができる。これにより、キャパシタ910が接地され、それにより、負の電圧がキャパシタプレート上に現れる。次いで、マイクロプロセッサ908がスイッチ904、906の一方を繰り返し開き、他方を閉じることにより、このプロセスを継続することができる。それにより、キャパシタ910の各プレート上に現れる交番する一連の正および負の電圧を生成する。したがって、キャパシタ910によって出力される電圧は、高いdV/dt比を有する方形波である。いくつかの例では、スイッチ904、906は、トランジスタ(例えば、CMOSトランジスタ)で置き換えることができる。
図10は、開示される技術の特定の例において実行することができるように、熱電冷却を伴う磁場生成回路を動作させる例示的な方法を概説するフローチャートである。例えば、図示の方法は回路100によって実行することができる。以下の説明は、他の実施形態においても用いることができるが、図1を対象とする。
プロセスブロック1010において、DC電源102は、DC電気信号を生成する。プロセスブロック1020で、パルス発生器104は電気パルスを生成する。プロセスブロック1030では、DC電源102によって出力されたDC信号と、パルス発生器104によって出力された電気パルスとが結合される。信号を結合すると、DC信号成分と電気パルス成分を持つ単一の信号になる。プロセスブロック1040では、結合された信号がインダクタ106に印加されて、磁場を生成する。KPT効果のために、インダクタ106は冷却され、それにより、過熱することなく、より高い電流レベルをインダクタに加えることができる。それにより、KPT効果がない場合可能なものよりも強い磁場を生成する。
開示された発明の原理が適用され得る多くの可能な実施形態を考慮して、例示された実施形態は、本発明の望ましい例示にすぎず、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことを理解されたい。むしろ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定義される。したがって、我々は、これらの特許請求の範囲内に入るすべてを我々の発明として請求する。

Claims (15)

  1. DC電気信号を生成するDC電源と、
    電気パルスを生成するパルス発生器であって、前記パルス発生器および前記DC電源とが互いに電気的に結合されている、パルス発生器と、
    前記DC電気信号および前記電気パルスを受け取るように構成された電気素子であって、前記電気素子が、前記DC電気信号を受け取ることに応答して磁場を発生させるように構成されており、および前記電気素子が、前記電気パルスを受け取ることに応答して冷却するように構成されている、前記電気素子と、
    を備える装置。
  2. 前記電気素子を冷却することが、DC電流を受け取る前記電気素子の容量を増加させる、請求項1に記載の装置。
  3. 前記電気素子が誘導素子を備える、前述のいづれかの請求項に記載の装置。
  4. 前記パルス発生器が、少なくとも100ボルト/秒の時間に対する電圧の変化を有する電気パルスを生成するように構成される、前述のいづれかの請求項に記載の装置。
  5. 前記電気素子に結合されたエネルギー回収素子をさらに備える装置であって、
    前記電気素子が、前記電気パルスを受け取ると、熱を、前記エネルギー回収素子により受け取られる電気エネルギーに変換するように構成されている、前述のいづれかの請求項に記載の装置。
  6. 前記エネルギー回収素子の出力が、前記DC電源に結合される、請求項5に記載の装置。
  7. 前記DC電気信号および前記電気パルスが、前記DC電気信号および前記電気パルスを変圧器の対向する巻線に印加することにより結合される、前述のいづれかの請求項に記載の装置。
  8. 前記DC電気信号および前記電気パルスの一方が前記変圧器の一次巻線に印加され、前記DC電気信号および前記電気パルスの他方が前記変圧器の二次巻線に印加される、請求項7に記載の装置。
  9. DC電気信号を生成するステップと、
    電気パルスを生成するステップと、
    前記DC電気信号および前記電気パルスを結合して、DC電気信号成分および電気パルス成分を有する結合された電気信号にするステップと、
    結合された電気信号を電気素子に印加するステップと、
    を含む方法であって、
    前記電気素子が前記DC電気信号成分を受け取るとそれに応答して磁場を生成するよう構成され、および前記電気素子が前記電気パルス成分を受け取るとそれに応答して冷却するよう構成される、方法。
  10. 前記電気素子が誘導素子を備える、請求項9に記載の方法。
  11. 前記電気パルスを受け取るとそれに応答して前記電気素子によって生成される電気エネルギーを前記DC電気信号を生成する電源に印加するステップをさらに含む、請求項9から10のいずれかの請求項に記載の方法。
  12. 前記電気パルスを受け取るとそれに応答して前記電気素子によって生成された電気エネルギーをエネルギー回収素子に印加するステップをさらに含む、請求項9から10のいずれかの請求項に記載の方法。
  13. 前記電気パルスを受け取るとそれに応答して、前記電気素子によって生成された電気エネルギーを負荷へ印加するステップをさらに含む、請求項9から10のいずれかの請求項に記載の方法。
  14. 前記DC電気信号と前記電気パルスとを結合して、結合された電気信号にするステップが、
    前記DC電気信号と前記電気パルスの一方を変圧器の一次巻線に印加するステップと、
    前記DC電気信号と前記電気パルスの他方を前記変圧器の二次巻線に印加するステップと、
    を含む、請求項9から13のいずれかの請求項に記載の方法。
  15. 前記電気パルスの一部が、少なくとも100ボルト/秒の時間に対する電圧の変化を有する、請求項9から14のいずれかの請求項に記載の方法。
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