JP2020522132A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020522132A5
JP2020522132A5 JP2019564957A JP2019564957A JP2020522132A5 JP 2020522132 A5 JP2020522132 A5 JP 2020522132A5 JP 2019564957 A JP2019564957 A JP 2019564957A JP 2019564957 A JP2019564957 A JP 2019564957A JP 2020522132 A5 JP2020522132 A5 JP 2020522132A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
nozzle
liner
connector
cross
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019564957A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020522132A (ja
JP7125427B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2018/024539 external-priority patent/WO2018222256A1/en
Publication of JP2020522132A publication Critical patent/JP2020522132A/ja
Publication of JP2020522132A5 publication Critical patent/JP2020522132A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7125427B2 publication Critical patent/JP7125427B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本明細書に記載の実施形態による処理システムの断面図である。 本明細書に記載の実施形態による処理システムの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による処理システムの概略上面図である。 本明細書に記載の実施形態によるチャンバ本体の斜視図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリを含むチャンバ本体の一部の断面斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による図1A〜図1Cの処理システムの一部の断面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリの下部ライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による分流器の底面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリの上部ライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による図1A〜図1Cの処理システムの一部の断面側面図である。 本明細書に記載の実施形態によるノズルの斜視図である。 図6Aのノズルの断面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による図1A〜図1Cの処理システムの一部の断面側面図である 本明細書に記載の実施形態によるライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による分流器の斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による留め具の斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による、留め具によってライナーに固定された分流器の斜視図である。

Claims (14)

  1. 半導体処理チャンバのためのライナー部材であって、
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたノズルであって、前記ノズルの前記第1の開口部は円形の断面を有し、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記ノズルの前記第1の開口部よりも広く且つ浅い楕円形の断面を有し、前記ノズルの前記第2の開口部は前記ノズルの前記第1の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有する、ノズルと、
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたライナーであって、前記ライナーの前記第1の端部は前記ノズルの前記第2の端部に結合されており、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記第1の開口部の断面より広い断面を有するが、実質的に高さは同じである、ライナーと、
    前記ライナー部材に形成され、前記ノズルの前記第1の端部から前記ライナーの前記第2の端部まで延びるチャネルであって、前記ノズルの前記第1の端部におけるよりも前記ライナーの前記第2の端部においてより広く、前記ノズルの前記第1の端部におけるよりも前記ライナーの前記第2の端部においてより浅いチャネル
    を備えるライナー部材。
  2. 前記ライナー部材が石英を含む、請求項1に記載のライナー部材。
  3. 前記チャネル内に配置された突起部を、さらに備える、請求項1に記載のライナー部材。
  4. 前記チャネル内に配置された分流器をさらに備え前記分流器は前記突起部によって前記ライナー部材に固定されており、前記分流器は前記ライナーの高さより低い高さを有する、請求項に記載のライナー部材。
  5. 前記分流器が三角形の形状を有する、請求項4に記載のライナー部材。
  6. イナーアセンブリであって
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたコネクタであって、前記コネクタの第2の開口部は、前記コネクタの第1の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有し、前記コネクタの第1の端部はさらに、前記コネクタの前記第1の開口部から半径方向外側に延びる第1のフランジを備え、前記コネクタの第2の端部はさらに、前記コネクタの前記第2の開口部から半径方向外側に延びる第2のフランジを備える、コネクタと、
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたノズルであって、前記ノズルの前記第1の端部は前記コネクタの前記第2の端部に直接結合されており、前記ノズルの前記第1の開口部は円形の断面を有し、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記ノズルの前記第1の開口部よりも広く且つ浅い楕円形の断面を有し、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記ノズルの前記第1の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有する、ノズルと、
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたライナーであって、前記ライナーの前記第1の端部は前記ノズルの前記第2の端部に直接結合されており、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記第1の開口部の断面より広い断面を有するが、実質的に高さは同じである、ライナーと、
    前記ライナーアセンブリを通って形成され、前記コネクタの前記第1の端部から前記ライナーの前記第2の端部まで延びる導管であって、前記導管が、流体流路を画定し、前記流体流路は、前記流体流路の主軸に実質的に垂直な第1の方向に広がり、前記流体流路の主軸および前記第1の方向に実質的に垂直な第2の方向に狭くなる、導管
    を有する、ライナーアセンブリ。
  7. 前記コネクタの前記第1の開口部および前記第2の開口部が円形である、請求項6に記載のライナーアセンブリ。
  8. 前記ノズルの前記第1の開口部が、前記コネクタの前記第2の開口部より大きい直径を有する、請求項6に記載のライナーアセンブリ。
  9. 処理チャンバ、並びに
    コネクタによって前記処理チャンバに結合された遠隔プラズマ源、
    を備える処理システムであって、
    前記処理チャンバは、
    基板支持部、
    前記基板支持部に結合されたチャンバ本体であって、前記チャンバ本体が、第1の側部および前記第1の側部の反対側の第2の側部を備え、前記チャンバ本体および前記基板支持部が、協働して処理容積部を画定する、チャンバ本体、
    前記第2の側部に隣接して前記基板支持部に配置された分散ポンピング構造、および
    前記第1の側部に配置されたライナーアセンブリ、
    を備え、前記ライナーアセンブリは、
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたノズルであって、前記ノズルの前記第1の開口部は円形の断面を有し、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記ノズルの前記第1の開口部よりも広く且つ浅い楕円形の断面を有し、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記ノズルの前記第1の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有する、ノズル、および
    第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備えたライナーであって、前記ライナーの前記第1の端部は前記ノズルの前記第2の端部に結合されており、前記ノズルの前記第2の開口部は、前記第1の開口部の断面より広い断面を有するが、実質的に高さは同じである、ライナー、
    を備え、
    前記コネクタ第1の開口部を有する第1の端部と、前記第1の端部の反対側の第2の開口部を有する第2の端部とを備え、前記コネクタの第2の開口部は、前記コネクタの第1の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有し、前記コネクタの前記第2の端部は、前記ライナーアセンブリの前記ノズルの前記第1の端部に接続されて、前記遠隔プラズマ源から前記処理容積部までの流体流路を形成前記流体流路は、前記流体流路の主軸に実質的に垂直な第1の方向に広がり、前記流体流路の主軸および前記第1の方向に実質的に垂直な第2の方向に狭くなる、処理システム。
  10. 前記分散ポンピング構造が、2つのポンピングポートを備える、請求項9に記載の処理システム。
  11. 前記2つのポンピングポートが、ガス流路に垂直な線に沿って離間している、請求項10に記載の処理システム。
  12. 前記2つのポンピングポートが、前記処理チャンバの中心軸に関して対称的に配置されている、請求項11に記載の処理システム。
  13. 2つのバルブをさらに備え、各バルブが、前記2つのポンピングポートのうちの対応するポンピングポートに接続されている、請求項10に記載の処理システム。
  14. 流器が、前記ライナーに配置されており、前記分流器は前記ライナーの高さよりも低い高さを有する、請求項に記載の処理システム。
JP2019564957A 2017-05-31 2018-03-27 遠隔プラズマ酸化チャンバ Active JP7125427B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762513200P 2017-05-31 2017-05-31
US62/513,200 2017-05-31
PCT/US2018/024539 WO2018222256A1 (en) 2017-05-31 2018-03-27 Remote plasma oxidation chamber

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020522132A JP2020522132A (ja) 2020-07-27
JP2020522132A5 true JP2020522132A5 (ja) 2021-05-06
JP7125427B2 JP7125427B2 (ja) 2022-08-24

Family

ID=64455931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019564957A Active JP7125427B2 (ja) 2017-05-31 2018-03-27 遠隔プラズマ酸化チャンバ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11615944B2 (ja)
JP (1) JP7125427B2 (ja)
KR (2) KR20230047477A (ja)
CN (1) CN110612593B (ja)
TW (1) TWI798210B (ja)
WO (1) WO2018222256A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD882536S1 (en) * 2017-04-28 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Plasma source liner
US10847337B2 (en) 2018-01-24 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Side inject designs for improved radical concentrations
JP2022515081A (ja) * 2018-12-20 2022-02-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理チャンバの処理空間に改善されたガス流を供給するための方法および装置
KR20210135357A (ko) * 2019-04-05 2021-11-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가변 유동 밸브를 갖는 프로세스 시스템
KR20210094694A (ko) * 2020-01-21 2021-07-30 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 물질막 증착 장치, 및 상압 화학 기상 증착 장치
KR102522687B1 (ko) 2020-10-20 2023-04-18 에이피시스템 주식회사 박막 제조 장치

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729827A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Kawasaki Steel Corp 半導体基板の製造方法および装置
US5620523A (en) * 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US6170428B1 (en) 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US5935334A (en) * 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system
US6450116B1 (en) * 1999-04-22 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals
JP2001118799A (ja) 1999-10-22 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスの導入と流れの制御方法およびその装置
JP2002151486A (ja) 2000-10-30 2002-05-24 Applied Materials Inc 基体処理方法及び装置並びに基体処理装置の運転方法
US6576564B2 (en) * 2000-12-07 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Photo-assisted remote plasma apparatus and method
JP3676680B2 (ja) 2001-01-18 2005-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置及びプラズマ生成方法
EP1310466A3 (en) * 2001-11-13 2003-10-22 Tosoh Corporation Quartz glass parts, ceramic parts and process of producing those
JP2004091848A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置
US20070051471A1 (en) * 2002-10-04 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for stripping
US20050221618A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Amrhein Frederick J System for controlling a plenum output flow geometry
JP4572100B2 (ja) * 2004-09-28 2010-10-27 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマ処理装置
EP1866465A2 (en) 2005-01-18 2007-12-19 ASM America, Inc. Reaction system for growing a thin film
JP2007157885A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原料ガス供給装置
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
EP2625706B1 (en) 2010-10-05 2016-04-20 Oerlikon Advanced Technologies AG In-situ conditioning for vacuum processing of polymer substrates
US10225919B2 (en) * 2011-06-30 2019-03-05 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Projected plasma source
JP5792315B2 (ja) 2011-10-07 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20130168377A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Stmicroelectronics Pte Ltd. Adapter for coupling a diffusion furnace system
KR102376982B1 (ko) * 2015-04-14 2022-03-21 삼성전자주식회사 세라믹을 이용하여 파티클 저감 효과를 가지는 원격 플라즈마 발생장치
KR101692697B1 (ko) 2015-04-21 2017-01-04 (주)뉴젠텍 정렬 키 구조의 원격 플라즈마 소스 블록

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020522132A5 (ja)
JP2019167631A5 (ja) 基板処理システム及び装置
JP2017204477A5 (ja) 放電ランプ
US9288888B2 (en) Plasma torch with reversible baffle
CN103422563B (zh) 马桶联接装置
JP2017527729A (ja) デュアルベンチュリーデバイス
JP6516306B2 (ja) バーナー
US20180119947A1 (en) Double flame crown gas burner
KR101817254B1 (ko) 가스 디스트리뷰터 및 이의 제조방법
JP6402247B2 (ja) エアポンプ
US8201758B2 (en) Fluid spraying device
RU2018126666A (ru) Топливный инжектор с газораспределением через множество трубок
JP6405038B2 (ja) エアポンプ
US10928061B2 (en) Gas burner and hob comprising a gas burner
JP2020008013A5 (ja)
KR101588265B1 (ko) 노즐부재 및 이에 의한 가스 디스트리뷰터의 제조방법
US9353953B1 (en) Horizontal venturi burner construction
WO2022004194A1 (ja) 水栓の吐水部構造およびそれを備える水栓
WO2019031225A1 (ja) 流体管路
WO2018012267A1 (ja) 流路構造及び処理装置
KR101846653B1 (ko) 니플
US10900495B2 (en) Multistage pump
JP2020130005A (ja) 合成樹脂製配管用防虫キャップ
US20200271079A1 (en) Rail for high-pressure direct injection
WO2016130505A8 (en) Umbrella check valve with reduced hemolysis