JP2020519011A - Iii−v族利得材料および集積化ヒート・シンクを有する電子−光学装置ならびにその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
− 最初に、第1のウエハ・コンポーネント1が提供される(例えばSOIウエハとして)かまたは製造される場合がある(図8、ステップS10〜S12)。このウエハ1は、Si基板100とSi基板100の上のクラッド層101、103とを含む。必要な場合、SOIウエハ1の埋め込み酸化物101上に第2の酸化物層103が堆積され(S12)、それによって、二重クラッド層101、103を形成する場合があり、
− III−V族スタック108を含む第2のコンポーネント2が必要である(ステップS21以降)。
Claims (24)
- シリコン基板と、前記シリコン基板の上のクラッド層であって、前記クラッド層は、その中に形成されたキャビティであって、前記クラッド層の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する電気絶縁性熱スプレッダで満たされたキャビティを含むクラッド層と、を含む第1のウエハ・コンポーネントと、
所定の放射の光増幅のために設計されたIII−V族半導体利得材料のスタックを含む第2のウエハ・コンポーネントであって、前記第2のウエハ・コンポーネントは、前記第1のウエハ・コンポーネントにボンディングされ、それによって、前記III−V族半導体利得材料のスタックは、前記熱スプレッダと熱連通する第2のウエハ・コンポーネントと
を含み、前記熱スプレッダは、前記所定の放射に対して、
前記シリコン基板の屈折率、および
前記III−V族半導体利得材料のスタックの平均屈折率
のそれぞれより低い屈折率を有する
電子−光学装置。 - 前記クラッド層中の前記キャビティは、前記シリコン基板に達するまで延在し、それによって、前記熱スプレッダは、前記シリコン基板と接触する、請求項1に記載の電子−光学装置。
- 前記III−V族半導体利得材料のスタックは、前記熱スプレッダと向かい合い、かつ少なくとも部分的に重なるように構造化される、請求項1または2に記載の電子−光学装置。
- 前記熱スプレッダは、前記クラッド層の熱伝導率より少なくとも10倍大きい熱伝導率を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の電子−光学装置。
- 前記第1のウエハ・コンポーネントは、シリコン・オン・インシュレータ・ウエハであり、前記クラッド層は、
前記シリコン・オン・インシュレータ・ウエハの埋め込み酸化物に対応する、第1の酸化物層と、
前記第1の酸化物層の上の第2の酸化物層と、
を含み、
前記キャビティは、前記第2の酸化物層を通り、少なくとも部分的に前記第1の酸化物層を通って延在する、請求項1から4のいずれか一項に記載の電子−光学装置。 - 前記電子−光学装置は、前記キャビティを含む前記クラッド層中に形成された2個以上のキャビティの組を含み、前記組の前記キャビティは、前記熱スプレッダを含むそれぞれの電気絶縁性熱スプレッダで満たされ、前記熱スプレッダのそれぞれは、前記クラッド層の熱伝導率より大きな熱伝導率を有し、前記III−V族半導体利得材料のスタックは、前記熱スプレッダと熱連通するように配置された、請求項5に記載の電子−光学装置。
- 前記熱スプレッダは、前記クラッド層の残りの部分によって分離された2個のスプレッダを含み、前記残りの部分は、前記III−V族半導体利得材料のスタックと対向して配置され、前記電子−光学装置は、前記クラッド層の前記残りの部分中に埋め込まれたシリコン・コンポーネントをさらに含み、前記コンポーネントは、前記シリコン・オン・インシュレータ・ウエハの元の上部シリコン層から構造化された、請求項6に記載の電子−光学装置。
- 前記コンポーネントは、前記III−V族半導体利得材料のスタックと対向して配置されたシリコン導波路である、請求項6または7に記載の電子−光学装置。
- 前記熱スプレッダは、CMOS適合性材料である、請求項1から8のいずれか一項に記載の電子−光学装置。
- 前記電子−光学装置は、CMOSで製造された装置であり、III−V族半導体利得材料の前記スタックは、前記電子−光学装置のバック・エンド・オブ・ザ・ラインにおいて埋め込まれる、請求項9に記載の電子−光学装置。
- 前記電子−光学装置は、端面発光レーザ装置を含み、後者は、前記III−V族半導体利得材料のスタックを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の電子−光学装置。
- 前記レーザ装置は、前記第2のウエハ・コンポーネント中に、前記第2のウエハ・コンポーネント中に集積化される他の電子コンポーネントと共通のバック・エンド・オブ・ザ・ラインを可能にするように埋め込まれる、請求項11に記載の電子−光学装置。
- 前記レーザ装置は、端面発光、横方向電流注入レーザ装置である、請求項11または12に記載の電子−光学装置。
- 前記レーザ装置は、端面発光、縦方向電流注入レーザ装置である、請求項11または12に記載の電子−光学装置。
- 前記熱スプレッダは、200nmより大きな波長に対して、2.5より小さい屈折率を有する、請求項1から14のいずれか一項に記載の電子−光学装置。
- 前記熱スプレッダは、以下の材料
ダイヤモンド、
窒化ホウ素、および
窒化アルミニウム
の1種以上を含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の電子−光学装置。 - 前記熱スプレッダは、窒化アルミニウムを含む、請求項16に記載の電子−光学装置。
- 前記III−V族半導体利得材料のスタックは、
In1−x−yAlxGayAs、ここで0≦x≦1および0≦y≦1−x、
InGaAsP、および
InGaAsN
の1種を含む、請求項1から17のいずれか一項に記載の電子−光学装置。 - シリコン・フォトニクス・チップであって、その中に集積化された電子−光学装置を含み、前記電子−光学装置は、
シリコン基板と、前記シリコン基板の上のクラッド層であって、前記クラッド層は、その中に形成されたキャビティであって、前記クラッド層の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する電気絶縁性熱スプレッダで満たされたキャビティを含むクラッド層、とを含む第1のウエハ・コンポーネントと、
所定の放射の光増幅のために設計されたIII−V族半導体利得材料のスタックを含む第2のウエハ・コンポーネントであって、前記第2のウエハ・コンポーネントは、前記第1のウエハ・コンポーネントにボンディングされ、それによって、前記III−V族半導体利得材料のスタックは、前記熱スプレッダと熱連通する第2のウエハ・コンポーネントと
を含み、前記熱スプレッダは、前記所定の放射に対して、
前記シリコン基板の屈折率、および
前記III−V族半導体利得材料のスタックの平均屈折率
のそれぞれより低い屈折率を有する、
シリコン・フォトニクス・チップ。 - 電子−光学装置の製造方法であって、
前記電子−光学装置の2つのコンポーネントを提供するステップであって、
前記コンポーネントのうちの第1のものは、シリコン基板と前記シリコン基板の上のクラッド層とを含み、
前記コンポーネントのうちの第2のものは、所定の放射の光増幅のために設計されたIII−V族半導体利得材料のスタックを含む
ステップと、
前記クラッド層中にキャビティを創出するステップと、
前記キャビティを電気絶縁性材料で満たして熱スプレッダを形成するステップであって、前記熱スプレッダは、
前記クラッド層の熱伝導率より大きな熱伝導率と、
前記所定の放射に対して、
前記シリコン基板の屈折率、および
前記熱スプレッダは、以下の材料
ダイヤモンド、
窒化ホウ素、および
の1種以上を含む、請求項1から19のいずれか一項に記載の
III−V族半導体利得材料の前記スタックの平均屈折率
のそれぞれより低い屈折率と
を有するステップと、
前記2つのコンポーネントをウエハ・ボンディングし、III−V族半導体利得材料の前記スタックを、前記形成された熱スプレッダと向かい合いかつ少なくとも部分的に重なり合い、前記熱スプレッダと熱連通する構造化されたスタックを得るように構造化するステップと
を含む製造方法。 - 前記キャビティは、
前記クラッド層を前記シリコン基板に達するまで下方にエッチングすることによって創出され、
次に、前記熱スプレッダを形成する材料で満たされ、それによって、後者は、前記シリコン基板と接触する
請求項20に記載の製造方法。 - 提供される前記第1のウエハ・コンポーネントは、シリコン・オン・インシュレータ・ウエハであり、前記方法は、前記キャビティを創出するステップの前に、
前記シリコン・オン・インシュレータ・ウエハの埋め込み酸化物に対応する第1の酸化物層の上に第2の酸化物層を堆積させ、それによって、前記クラッド層を形成するステップ
をさらに含み、
前記キャビティは、次に、前記キャビティが少なくとも部分的に前記第1の酸化物層中に達するように前記第2の酸化物層を通してエッチングされる、
請求項20または21に記載の製造方法。 - 前記方法は、前記クラッド層中に前記キャビティを含む2個以上のキャビティの組を創出するステップを含み、前記満たすステップは、創出された前記キャビティを前記クラッド層の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する電気絶縁性材料で満たして、2個以上の熱スプレッダをそれぞれ形成することを含み、後者は、前記熱スプレッダを含み、前記III−V族半導体利得材料のスタックは、結果として得られる構造化スタックが前記熱スプレッダと対向して配置され、前記熱スプレッダと熱連通するように構造化される、請求項20から22のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記コンポーネントのうちの前記第1のものを提供するステップは、
シリコン基板と、前記シリコン基板の上の第1の酸化物層と、前記第1の酸化物層の上の上部シリコン層とを含むシリコン・オン・インシュレータ・ウエハを提供することと、
前記シリコン・オン・インシュレータ・ウエハの上部シリコン層を構造化してシリコン・コンポーネントを得ることと、
提供された前記ウエハの第1の酸化物層の上に第2の酸化物層を堆積させ、それによって、前記クラッド層を形成することであって、後者は、前記第1の酸化物層と、前記シリコン・コンポーネントがその中に埋め込まれた前記第2の酸化物層と、を含むことと
を含み、
創出するステップは、
間にある前記クラッド層の残りの部分によって分離された2個のキャビティをエッチングすることを含み、前記シリコン・コンポーネントは、エッチングされた前記2個のキャビティを満たして前記それぞれの熱スプレッダを形成する前に、前記残りの部分中に埋め込まれる、
請求項20から23のいずれか一項に記載の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022113929A1 (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
JP7548336B2 (ja) | 2021-01-18 | 2024-09-10 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9515002B2 (en) * | 2015-02-09 | 2016-12-06 | Micron Technology, Inc. | Bonding pads with thermal pathways |
JP6869830B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-05-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10594111B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-03-17 | International Business Machines Corporation | Lateral current injection electro-optical device with well-separated doped III-V layers structured as photonic crystals |
DE102018214574A1 (de) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Robert Bosch Gmbh | Integriert-optische Vorrichtung |
US11081856B2 (en) * | 2018-12-27 | 2021-08-03 | Cisco Technology, Inc. | III-V laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding |
JP7139952B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2022-09-21 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
CN113491007A (zh) * | 2019-03-11 | 2021-10-08 | Hrl实验室有限责任公司 | 在金属嵌入式芯片组件(meca)处理期间保护晶粒的方法 |
US10985084B2 (en) * | 2019-07-03 | 2021-04-20 | Globalfoundries U.S. Inc. | Integrated III-V device and driver device packages with improved heat removal and methods for fabricating the same |
WO2021199137A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光デバイス |
FR3109020B1 (fr) * | 2020-04-06 | 2022-02-25 | Scintil Photonics | Dispositif photonique pour etablir un rayonnement lumineux comprenant un mode optique dans un guide d'onde |
CN112769031B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-05-16 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种背向集成有源器件及其制备方法 |
CN113113838B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-12-23 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 集成激光器件及其制备方法 |
TWI763420B (zh) * | 2021-04-09 | 2022-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
KR20230049482A (ko) | 2021-10-06 | 2023-04-13 | 삼성전자주식회사 | 광 변조 소자 및 이를 포함한 장치 |
US11934021B2 (en) * | 2022-01-27 | 2024-03-19 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photonic devices integrated with thermally conductive layers |
US11822120B2 (en) * | 2022-02-24 | 2023-11-21 | Globalfoundries U.S. Inc. | Optical components with enhanced heat dissipation |
US11846804B2 (en) * | 2022-02-24 | 2023-12-19 | Globalfoundries U.S. Inc. | Thermally-conductive features positioned adjacent to an optical component |
FR3136317A1 (fr) | 2022-06-01 | 2023-12-08 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de fabrication d’une puce photonique |
CN114864753B (zh) * | 2022-07-05 | 2022-11-04 | 杭州视光半导体科技有限公司 | 一种三层堆叠结构晶圆的制备方法及应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173402A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US20090168821A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Alexander Fang | Thermal shunt for active devices on silicon-on-insulator wafers |
JP2013222844A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子 |
JP2016533027A (ja) * | 2013-10-09 | 2016-10-20 | スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド | シリコンフォトニックデバイスへの未処理直接バンドギャップチップの組込み |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9316785B2 (en) | 2013-10-09 | 2016-04-19 | Skorpios Technologies, Inc. | Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device |
US11181688B2 (en) * | 2009-10-13 | 2021-11-23 | Skorpios Technologies, Inc. | Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device |
US8787417B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-07-22 | Universiteit Gent | Laser light coupling into SOI CMOS photonic integrated circuit |
US8290014B2 (en) | 2010-03-11 | 2012-10-16 | Junesand Carl | Active photonic device |
FR2967831B1 (fr) | 2010-11-18 | 2013-07-19 | Commissariat Energie Atomique | Laser heterogene a efficacite elevee et procede de fabrication du laser |
US9442247B2 (en) | 2011-11-02 | 2016-09-13 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Branched shape optical isolator and optical apparatus, method and applications |
US9360620B2 (en) * | 2012-08-29 | 2016-06-07 | Aurrion, Inc. | Thermal management for photonic integrated circuits |
CN102904159B (zh) | 2012-10-26 | 2015-03-18 | 江苏尚飞光电科技有限公司 | 一种基于bcb键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 |
US20170214214A1 (en) * | 2013-04-25 | 2017-07-27 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | Hybrid semiconductor laser absent a top semiconductor cladding layer |
EP2866316A1 (en) | 2013-10-23 | 2015-04-29 | Alcatel Lucent | Thermal management of a ridge-type hybrid laser, device, and method |
JP6021118B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2016-11-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 光デバイスおよびその製造方法 |
KR102171268B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2020-11-06 | 삼성전자 주식회사 | 하이브리드 실리콘 레이저 제조 방법 |
US9397471B2 (en) | 2014-11-14 | 2016-07-19 | Intel Corporation | Heat removal from photonic devices |
US20160266322A1 (en) | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Samtec, Inc. | Optical module including silicon photonics chip and coupler chip |
US9583607B2 (en) | 2015-07-17 | 2017-02-28 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Semiconductor device with multiple-functional barrier layer |
-
2017
- 2017-05-05 US US15/587,754 patent/US10283931B2/en active Active
- 2017-11-06 US US15/804,716 patent/US10256603B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-02 DE DE112018000883.5T patent/DE112018000883B4/de active Active
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- 2018-05-02 JP JP2019558402A patent/JP7076470B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173402A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US20090168821A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Alexander Fang | Thermal shunt for active devices on silicon-on-insulator wafers |
JP2013222844A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子 |
JP2016533027A (ja) * | 2013-10-09 | 2016-10-20 | スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド | シリコンフォトニックデバイスへの未処理直接バンドギャップチップの組込み |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022113929A1 (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
WO2022113153A1 (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
JP7548336B2 (ja) | 2021-01-18 | 2024-09-10 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10256603B2 (en) | 2019-04-09 |
US10283931B2 (en) | 2019-05-07 |
CN110574176A (zh) | 2019-12-13 |
GB201916874D0 (en) | 2020-01-01 |
GB2576844A (en) | 2020-03-04 |
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DE112018000883B4 (de) | 2022-01-05 |
US20180323575A1 (en) | 2018-11-08 |
GB2576844B (en) | 2022-03-16 |
DE112018000883T5 (de) | 2019-10-31 |
JP7076470B2 (ja) | 2022-05-27 |
WO2018203246A1 (en) | 2018-11-08 |
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