JP2020518727A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板支持アセンブリであって、
   支持シャフト、
   前記支持シャフト上に配置された基板支持体、及び
   前記基板支持体上に配置されるべき基板の温度を測定するための基板温度モニタリングシステムであって、
   光ファイバチューブと、
   前記光ファイバチューブに結合された光ガイドであって、前記光ガイドの少なくとも一部が、前記支持シャフトを通って前記基板支持体の中へと延びる開口内に配置される、光ガイドと、
   前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの接合部の周りに配置された冷却アセンブリであって、基板処理中、前記光ファイバチューブを約１００℃未満の温度に維持する、冷却アセンブリと
   を備えた基板温度モニタリングシステム
   を備えている基板支持アセンブリ。
2. 前記光ガイドが、サファイアチューブである、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
3. 前記基板温度モニタリングシステムが、
   前記光ガイドの側方移動を制限することによって前記光ガイドを損傷から保護するように前記開口内に配置されたシース
   をさらに備えている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
4. 前記シースが、前記支持シャフトと同じ材料を含む、請求項３に記載の基板支持アセンブリ。
5. 前記光ガイドが、少なくとも約４００ｍｍの長さ、及び少なくとも約４０ｍｍの内径を有する、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
6. 前記基板支持体上に基板が配置されたとき、前記光ガイドの端部が、前記基板から１ｍｍ以内にある、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
7. 前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの前記接合部が、真空密封によって、前記開口から隔離されている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
8. 前記基板支持体が、基板受容面と同一平面上に又は前記基板受容面の下方に位置付けされた窓をさらに備えている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
9. 前記光ガイドが、前記窓から０．５ｍｍ以内に延びる、請求項８に記載の基板支持アセンブリ。
10. 処理チャンバであって、
    処理空間を画定するチャンバ本体、及び
    前記処理空間内に配置された基板支持アセンブリ
    を備え、
    前記基板支持アセンブリが、
    支持シャフトと、
    前記支持シャフト上に配置された基板支持体と、
    前記基板支持体上に配置されるべき基板の温度を測定するための基板温度モニタリングシステムであって、
    光ファイバチューブ、
    前記光ファイバチューブに結合された光ガイドであって、前記光ガイドの少なくとも一部が、前記支持シャフトを通って前記基板支持体の中へと延びる開口内に配置される、光ガイド、及び
    前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの接合部の周りに配置された冷却アセンブリであって、基板処理中、前記光ファイバチューブを約１００℃未満の温度に維持する、冷却アセンブリ
    を備えた基板温度モニタリングシステムと
    を備えている、処理チャンバ。
11. 前記光ガイドが、サファイアチューブである、請求項１０に記載の処理チャンバ。
12. 前記基板温度モニタリングシステムが、
    前記光ガイドの側方移動を制限することによって前記光ガイドを損傷から保護するように前記開口内に配置されたシース
    をさらに備えている、請求項１０に記載の処理チャンバ。
13. 前記光ガイドが、少なくとも約４００ｍｍの長さ、及び少なくとも約４０ｍｍの内径を有する、請求項１０に記載の処理チャンバ。
14. 前記基板支持体上に基板が配置されたとき、前記光ガイドの端部が、前記基板から１ｍｍ以内にある、請求項１０に記載の処理チャンバ。
15. 前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの前記接合部が、真空密封によって、前記開口から隔離されている、請求項１０に記載の処理チャンバ。
16. 前記基板支持体が、基板受容面と同一平面上に又は前記基板受容面の下方に位置付けされた窓をさらに備えている、請求項１０に記載の処理チャンバ。
17. 基板を処理する方法であって、
    処理チャンバの処理空間内に配置された基板支持アセンブリの基板受容面上に基板を位置付けすることと、
    １つ又は複数の処理ガスを前記処理空間内に流すことと、
    前記１つ又は複数の処理ガスのプラズマを形成することと、
    前記基板を約１１０℃以上の温度に加熱することと、
    光ファイバチューブを使用して、前記基板の温度を測定することと、
    前記光ファイバチューブを、約１００℃以下の温度に維持することと、
    前記基板上に材料層を堆積することと
    を含む方法。
18. 前記基板の温度を測定することが、前記光ファイバチューブによって受信した光学情報を前記処理チャンバに連結されたコントローラに伝達することを含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記基板支持アセンブリが、
    支持シャフトと、
    前記支持シャフト上に配置された基板支持体と、
    前記基板の温度を測定するための基板温度モニタリングシステムであって、
    前記光ファイバチューブ、
    前記光ファイバチューブに結合された光ガイドであって、前記光ガイドの少なくとも一部が、前記支持シャフトを通って前記基板支持体の中へと延びる開口内に配置される、光ガイド、及び
    前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの接合部の周りに配置された冷却アセンブリであって、基板処理中、前記光ファイバチューブを約１００℃未満の温度に維持する、冷却アセンブリ
    を備えた基板温度モニタリングシステムと
    を備えている、請求項１７に記載の方法。
20. 前記基板が、約５００℃以上の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。