JP2020514609A - オゾン導入によるNOx変換の増加 - Google Patents

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Abstract

受動的NOx吸着体触媒と結合した上流触媒;排気流をオゾンと接触させ、排気流中のNOをオゾンと反応させてNO2を生成する手段;及びSCR触媒を含む、排気流からの排出を減少させるための排気精製システム及び方法。【選択図】図1A及び図1B

Description

有害な副生成物の排出及び燃料経済性を増加させるための増え続ける圧力を減少させる必要性は、内燃機関についての継続中の課題である。ディーゼルエンジンは、世界中で政府間機関によって規制立法措置が取られる少なくとも四分類の汚染物質、すなわち:一酸化炭素(CO)、未燃炭化水素(HC)、窒素酸化物(NO)及び粒子状物質(PM)を一般に含む排気を生じる。様々な排出制御装置が、各種の汚染物質の一又は複数を処理するために存在する。これらの排出制御装置は、しばしば、排気システムの一部として組み合わされて、排気ガスが環境中に排出される前に全四分類の汚染物質が処理されることを保証する。
排気ガスの処理のための様々な方法は、排気ガス中のNO種がNOよりも高い割合のNOを含むときにより迅速に進行する。結果として、より高い割合のNOを含む排気ガスを提供して、そのような方法を含むシステムにおけるNO変換をさらに促進させることが望ましいことがある。
本発明のいくつかの実施態様によれば、排気流からの排出を減少させるための排気精製システムは、順番に:受動的NO吸着体触媒と結合した上流触媒;排気流をオゾンと接触させ、排気流中のNOをオゾンと反応させてNOを生成する手段;及びSCR触媒を含む。いくつかの実施態様では、上流触媒は、酸化触媒及び/又はコールドスタート触媒を含む。受動的NO吸着体触媒は、フィルタ基材を含み得る。いくつかの実施態様では、上流触媒及び受動的NO吸着体触媒は単一基材上に含まれる。該システムは、SCR触媒の上流の排気ガスを加熱する手段、例えば電気ヒータをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、排気ガスを加熱するための手段は、排気流をオゾンと接触させる手段の上流に位置する。排気流をオゾンと接触させる手段は、例えばオゾン生成器を含み得る。該システムは、SCR触媒の上流に位置し得るSCRF触媒をさらに含み得る。いくつかの実施態様では、該システムは、SCR触媒の下流のASCをさらに含み得る。
本発明のいくつかの実施態様によれば、排気流からの排出を減少させる方法は、排気流を受動的NO吸着体触媒と結合した上流触媒と接触させること;排気流をオゾンと接触させることにより、NOをNOに酸化させること;及び、SCR触媒の存在下で酸化工程から生成されたNOを還元剤と接触させることにより、NOを窒素に選択的に触媒還元することを含む。いくつかの実施態様では、上流触媒は、酸化触媒及び/又はコールドスタート触媒を含む。受動的NO吸着体触媒は、フィルタ基材を含み得る。いくつかの実施態様では、上流触媒及び受動的NO吸着体触媒は単一基材上に含まれる。該システムは、例えば電気ヒータにより、SCR触媒の上流の排気流を加熱することをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、排気流は、排気流をオゾンと接触させる前に、加熱される。いくつかの実施態様では、オゾンは、排気流に注入される。選択的触媒還元工程は、排気流をSCR触媒と接触させることを含み得、排気流をSCRF触媒と接触させることをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、SCRF触媒はSCR触媒の上流に位置する。選択的触媒還元工程は、排気ガスをSCR触媒の下流のASCと接触させることをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、還元剤はアンモニアである。
いくつかの実施態様では、オゾンと接触している排気流中約20wt%から約80wt%、好ましくは約50wt%のNOがオゾンと反応し、NOが生成される。いくつかの実施態様では、排気流は、選択的触媒還元工程の開始時に、約20wt%から約70wt%、好ましくは約50wt%のNO/NO%値を含む。いくつかの実施態様では、NOをNOに酸化させる工程は、250℃未満の排気流温度、又は約30℃から約250℃の温度で行われる。本発明の方法のNO変換は、排気流をオゾンと接触させることによりNOをNOに酸化させる工程が存在しないことを除いて同等である方法のNO変換よりも高いことがあり;いくつかの実施態様では、NO変換は、約4%から約12%高く、又は約5%から約6%高い。本発明の方法のNO変換は、排気流をオゾンと接触させることによりNOをNOに酸化させる工程及び加熱工程を存在しないことを除いて同等である方法のNO変換よりも高いことがあり;いくつかの実施態様では、本方法のNO変換は、約4%から約12%高く、又は約8%から約10%高い。
フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、電気ヒータ及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、電気ヒータ及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、電気ヒータ、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、電気ヒータ、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、オゾン生成器、電気ヒータ及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、オゾン生成器、電気ヒータ及び下流のSCR触媒が続くシステムを示す。 DOCの出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNO測定、PNA中間ベッド温度、並びにSCR入口温度を含む、図1Aのシステムの試験結果を示す。 コールドスタート触媒の出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNO測定、PNA中間ベッド温度、並びにSCR入口温度を含む、図1Bのシステムの試験結果を示す。 図1AのシステムのSCR入口で測定された、経時的なNO/NO%を示す。 図1BのシステムのSCR入口で測定された、経時的なNO/NO%を示す。 DOCの出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNO測定、PNA中間ベッド温度、並びにSCR入口温度を含む、図2Aのシステムの試験結果を示す。 コールドスタート触媒の出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNO測定、PNA中間ベッド温度、並びにSCR入口温度を含む、図2Bのシステムの試験結果を示す。 DOCの出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNO測定、PNA中間ベッド温度、並びにSCR入口温度を含む、図4Aのシステムの試験結果を示す。 コールドスタート触媒の出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNO測定、PNA中間ベッド温度、並びにSCR入口温度を含む、図4Bのシステムの試験結果を示す。 オゾン生成器を有しないシステム(図1A及び1Bのシステム)、オゾン生成器を有するシステム(図2A及び2Bのシステム)、並びにオゾン生成器及びヒータを有するシステム(図4A及び4Bのシステム)のNO変換を示す。
本発明のシステム及び方法は、内燃機関からの排気ガスの精製に関する。本発明は、特に、ディーゼルエンジンからの排気ガスを洗浄することを対象としている。
一酸化炭素(NO)は、エンジン排気流における最も豊富な窒素種であるが、排気ガスの処理のための様々な方法は、NO種がNOよりもNOであるときにより迅速に進行する。例えば、リーンバーンエンジンからのNO排出に対向する戦略、例えば選択的触媒還元(SCR)触媒において、それらは、NOの存在が有益であり得るしるしである。したがって、排気流をNOよりも増加した割合のNOを含有するSCR触媒に提供することが望ましい。
そのため、本発明のシステム及び方法は、オゾン(O)を排気流に導入することにより、NOへのNO酸化(すなわちNO−メイク)を増加させるよう構成されている。オゾンは、排気流中のNOのための酸化剤として作用することがわかっている。特に、コールドスタート状態等の低温では、NO−メイクは、通常、SCR触媒の上流の酸化触媒性能に限定される。しかしながら、驚くべきことに、受動的NO吸着体と結合した上流触媒の取り込みと組み合わされた、オゾンによるNO酸化を通じたより高いNO−メイクは、SCR触媒システムにわたってより高いNO変換(すなわち、より低いNO排ガス)をもたらし得ることが発見された。
本発明のシステムは、NO吸着体触媒と結合した上流触媒、排気流をオゾンと接触させて、排気流中のNOをオゾンと反応させてNOを生成する手段;及びSCR触媒を含む。
DOC
本発明のシステムは、一又は複数のディーゼル酸化触媒を含み得る。酸化触媒、特にディーゼル酸化触媒(DOC)は、当該技術分野において周知である。酸化触媒は、COをCOに酸化し、気相炭化水素(HC)及びディーゼル微粒子の有機フラクション(可溶性有機成分)をCOとHOに酸化させるように設計されている。典型的な酸化触媒は、アルミナ、シリカ−アルミナ、及びゼオライトなどの高表面積の無機酸化物担体上白金及び任意選択的にパラジウムも含む。
コールドスタート触媒
本発明のシステムは、一又は複数のコールドスタート触媒を含み得る。コールドスタート触媒は、設定温度以下でNO及び炭化水素(HC)を吸着し、且つ吸着されたNO及びHCを低温より高い温度で変換及び放出するのに効果的な装置である。好ましくは、設定温度は、約200℃、約250℃、又は約200℃から約250℃である。適切なコールドスタート触媒の例は、国際公開第2015085300号に記載されており、これは参照によりその全文が本明細書に援用される。
コールドスタート触媒は、モレキュラーシーブ触媒及び担持白金族金属触媒を含み得る。モレキュラーシーブ触媒は、貴金属及びモレキュラーシーブを含み得るか、又は本質的にそれらからなる。担持白金族金属触媒は、一又は複数の白金族金属及び一又は複数の無機酸化物担体を含む。貴金属は、好ましくは、パラジウム、白金、ロジウム、金、銀、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、又はそれらの混合物である。
モレキュラーシーブは、ゼオライトを含む、任意の天然又は合成モレキュラーシーブであってもよく、好ましくは、アルミニウム、シリコン及び/又はリンで構成されている。モレキュラーシーブは、典型的には、酸素原子の共有によって連結された、SiO、AIO、及び/又はPOの三次元的配置を有するが、二次元的構造であってもよい。典型的には、モレキュラーシーブフレームワークは、典型的にはアルカリ及びアルカリ土類元素(例えばNa、K、Mg、Ca、Sr及びBa)、アンモニウムイオン及びプロトンの電荷補償カチオンによって効果が相殺されるアニオン性である。
モレキュラーシーブは、好ましくは、8つの四面体原子の最大環サイズを有する小細孔モレキュラーシーブ、10の四面体原子の最大環サイズを有する中細孔モレキュラーシーブ、及び12の四面体原子の最大環サイズを有する大細孔モレキュラーシーブであり得る。より好ましくは、モレキュラーシーブは、AEI、MFI、EMT、ERI、MOR、FER、BEA、FAU、CHA、LEV、MWW、CON、EUO又はそれらの混合物の骨格構造を有する。
担持白金族金属触媒は、一又は複数の白金族金属(「PGM」)及び一又は複数の無機酸化物担体を含む。PGMは、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム又はそれらの混合物、最も好ましくは白金及び/又はパラジウムである。無機酸化物担体は、最も一般的には、第2、3、4、5、13及び14族の元素の酸化物を含む。有用な無機酸化物担体は、好ましくは、10から700m/gの範囲内の表面積、0.1から4mL/gの範囲内の細孔容積、及び、約10から1000オングストロームの細孔径を有する。無機酸化物担体は、好ましくは、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、セリア、ニオビア、タンタル酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、又はそれらのうちのいずれか二以上の混合酸化物若しくは複合酸化物、例えばシリカ−アルミナ、セリア−ジルコニア又はアルミナ−セリア−ジルコニアである。アルミナ及びセリアは特に好ましい。
担持白金族金属触媒は、任意の既知の手段で調製され得る。好ましくは、一又は複数の白金族金属は、担持PGM触媒を形成するための任意の既知の手段によって一又は複数の無機酸化物上にロードされ、添加の方法は、特に重要であるとは考えられていない。例えば、(硝酸白金のような)白金化合物が、含浸、吸着、イオン交換、初期湿潤、沈殿などによって、無機酸化物に担持され得る。鉄、マンガン、コバルト及びバリウム等の他の金属も、担持PGM触媒に添加され得る。
本発明のコールドスタート触媒は、従来技術において良く知られる方法によって調製され得る。モレキュラーシーブ触媒及び担持白金族金属触媒は、物理的に混合されて、コールドスタート触媒が生成され得る。好ましくは、コールドスタート触媒は、フロースルー基材又はフィルタ基材をさらに含む。一実施態様において、モレキュラーシーブ触媒及び担持白金族金属触媒は、フロースルー又はフィルタ基材上にコーティングされ、好ましくは、ウォッシュコート法を使用してフロースルー又はフィルタ基材上に堆積され、コールドスタート触媒系が生成される。
受動的NO吸着体
本発明のシステムは、一又は複数の受動的NO吸着体を含み得る。受動的NO吸着体は、低温以下でNOを吸着し、低温より高い温度で吸着されたNOを放出するのに有効である装置である。受動的NO吸着体は、貴金属及び小細孔モレキュラーシーブを含み得る。貴金属は、好ましくは、パラジウム、白金、ロジウム、金、銀、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、又はそれらの混合物である。好ましくは、低温は、約200℃、約250℃、又は約200℃から約250℃である。適切な受動的NO吸着体の例は、米国特許公開第20150158019号に記載されており、これは参照によりその全文が本明細書に援用される。
小細孔モレキュラーシーブは、ゼオライトを含む、任意の天然又は合成モレキュラーシーブであってもよく、好ましくは、アルミニウム、シリコン及び/又はリンで構成されている。モレキュラーシーブは、典型的には、酸素原子の共有によって連結された、SiO、AlO、及び/又はPOの三次元的配置を有するが、二次元的構造であってもよい。典型的には、モレキュラーシーブフレームワークは、典型的にはアルカリ及びアルカリ土類元素(例えばNa、K、Mg、Ca、Sr及びBa)、アンモニウムイオン及びプロトンの電荷補償カチオンによって効果が相殺されるアニオン性である。その他金属(例えばFe、Ti及びGa)は、小細孔モレキュラーシーブの骨格に取り込まれ、金属取込モレキュラーシーブを生成してもよい。
好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、アルミノシリケートモレキュラーシーブ、金属置換アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルミノホスフェートモレキュラーシーブ、又は金属置換アルミノホスフェートモレキュラーシーブから選択される。より好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、好ましくは、ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG及びZON、並びにこれらのいずれか2つ以上の混合又は連晶の骨格型を有するモレキュラーシーブである。小細孔モレキュラーシーブの特に好ましい連晶は、KFI−SIV、ITE−RTH、AEW−UEI、AEI−CHA、及びAEI−SAVを含む。最も好ましくは、小細孔モレキュラーシーブはAEI又はCHA、又はAEI−CHA連晶である。
適切な受動的NO吸着体は、任意の既知の手段によって調製され得る。例えば、貴金属が小細孔モレキュラーシーブに添加されて、任意の既知の手段により受動的NO吸着体が形成され得る。例えば、(硝酸パラジウムのような)貴金属が、含浸、吸着、イオン交換、初期湿潤、沈殿等によってモレキュラーシーブに担持され得る。他の金属も受動的NO吸着体に添加することができる。好ましくは、受動的NO吸着体中の貴金属のいくつか(添加された貴金属の合計の1パーセント超)は、小細孔モレキュラーシーブの細孔内に位置する。より好ましくは、貴金属の総量の5パーセント超が小細孔モレキュラーシーブの細孔内に位置し;さらにより好ましくは貴金属の総量の10パーセント超又は25パーセント超又は50パーセント超が小細孔モレキュラーシーブの細孔内に位置し得る。
好ましくは、受動的NO吸着体は、フロースルー基材又はフィルタ基材をさらに含む。受動的NO吸着体は、フロースルー又はフィルタ基材上にコーティングされ、好ましくは、ウォッシュコート法を使用してフロースルー又はフィルタ基材上に堆積され、受動的NO吸着体システムが生成される。
発熱体
本発明のシステムは、発熱体を含み得る。発熱体は、上流触媒及び/又は受動的NO吸着体の下流、且つオゾンを排気流と接触させるための手段の上流の、内燃機関の排出路内に含まれる。任意の適切な発熱体が、本発明のシステム及び方法に含まれ得る。
本発明のシステムは、エンジン熱管理による加熱を含むことができる。そのような加熱システムは、特に始動時の温度を上昇させるように提供され得る。
一態様では、発熱体は、端部と端部のそれぞれ一つに堆積された電力接続とを有する電気的に加熱されたハニカム体を含む。ハニカム体は、電気的に絶縁されたギャップ上の曲がった電流路を規定し得る。
発熱体が本明細書に記載のように触媒/吸着体と結合している態様では、電気的に絶縁されている担持素子は、ハニカム体を少なくとも一つの触媒担体に固定し得る。あるいは、発熱体の担体として機能する触媒担体は、電気的に活性なコーティングを有し得る。例えば、電気的に活性なコーティングは、排気ガス中の構成要素、特に一酸化炭素及び炭化水素の酸化若しくは還元、又はNOの酸化を促進させ得る。加熱可能なハニカム体には、そのような電気的に活性な層も提供され得る。
触媒担体及び/又はハニカム体は、ハニカムを形成する滑らかで波形のシートメタル層から形成され得る。
ハニカム体は、大きな表面積を有してもよく、それによって流れる排気ガスへの良好な熱伝達が保証される。生成される熱は、結果として及び放射線により排気ガス又は下流の成分へ迅速に伝達することができる。排気ガスの方向において上流に配置される触媒担体への、放射線により放出される可能性のある加熱出力は、次に、この担体から排気ガスへ放出され、それによって、完全な加熱出力が下流の成分に利用可能になる。
いくつかの態様では、ハニカム体は、電流路がほぼ蛇行しているか又はらせん状の形態を有する方法で成形され得る。
本発明のいくつかの態様では、発熱体は、触媒基材を有する単一装置を形成する。例えば、発熱体は、NO貯蔵触媒を有する単一装置を形成し得る。この場合、NO貯蔵触媒は、装置の上流端部上にコーティングされ、発熱体は装置の下流端部上にコーティングされ得る。同様に、発熱体は、触媒が特定のシステムに応じて装置の上流又は下流端部上にコーティングされる、選択的還元触媒、加水分解触媒、又は酸化触媒を有する単一装置を形成し得る。好ましくは、発熱体がNO貯蔵触媒を有する単一基材を形成する場合、基材は、前方(加熱なし)ゾーンと後方(加熱)ゾーンとの間の断熱を含む。しかしながら、一般的に、NO貯蔵触媒及び発熱体を二つの異なる基材上に有して、発熱体によるNO貯蔵触媒の加熱を最小限にすることが好ましい。あるいは、発熱体は、選択的還元触媒、加水分解触媒、又は酸化触媒等の触媒層で完全にコーティングされてもよい。
発熱体は、システムの他の成分のいずれかとは別個の成分であり得る。あるいは、発熱体は、限定されないが、酸化触媒、コールドスタート触媒、受動的NO吸着体、SCR/SCRF触媒、パティキュレートフィルタ、ミキサ、又は加水分解触媒等のシステムの別の成分の一部として結合することができる。
オゾン
本発明のシステムは、排気流中のNOをオゾンと反応させてNOを生成するために、排気流をオゾンと接触させる手段を含む。例えば、オゾンは、NOを含有する排気流中に注入され得る。したがって、システムは、オゾンをNOを含有する排気流中に注入するためのインジェクタを含み得る。
エンジンは、オゾンを生成するためのオゾン生成器を含み得る。オゾンは、当該技術分野で知られる方法で生成することができる。例えば、オゾン発生器は、大きな電位差を保っている二つの電極間に空気を通過させるコロナ放電管であり得る。あるいは、オゾン生成器は、空気中の酸素をオゾンにイオン化するための高エネルギーランプであり得る。
一般的に、オゾンを含有する排気ガス中少なくとも50%、少なくとも80%、及び/又は約100%のNOが、オゾンと反応してNOが生成される。いくつかの実施態様では、約40%から約100%;約40%から約95%;約40%から約90%;約40%から約85%;約40%から約80%;約40%から約75%;約40%から約70%;約40%から約65%;約40%から約60%;約45%から約100%;約45%から約95%;約45%から約90%;約45%から約85%;約45%から約80%;約45%から約75%;約45%から約70%;約45%から約65%;約45%から約60%;約50%から約100%;約50%から約95%;約50%から約90%;約50%から約85%;約50%から約80%;約50%から約75%;約50%から約70%;約50%から約65%;約50%から約60%;約60%から約100%;約60%から約95%;約60%から約90%;約60%から約85%;約60%から約80%;約60%から約75%;約60%から約70%;約70%から約100%;約70%から約95%;約70%から約90%;約70%から約85%;約70%から約80%;約80%から約100%;約80%から約95%;約80%から約90%;約80%から約85%;約90%から約100%;又は約90%から約95%の、オゾンと接触する排気ガス中のNOが、オゾンと反応してNOが生成される。
必要とされる程度のNOの変換を行うためには、十分なオゾンが用いられなければならない。変換は、NO+O→NO+Oである。一般的に、NOを含有する排気ガスは、NOと化学量論的に反応させ、NOを生成するのに必要とされる、少なくとも50%、少なくとも80%、又は約100%の量のオゾンと接触する。いくつかの実施態様では、NOを含有する排気ガスは、NOと化学両論的に反応させてNOを生成するのに必要とされる約40%から約100%;約40%から約95%;約40%から約90%;約40%から約85%;約40%から約80%;約40%から約75%;約40%から約70%;約40%から約65%;約40%から約60%;約45%から約100%;約45%から約95%;約45%から約90%;約45%から約85%;約45%から約80%;約45%から約75%;約45%から約70%;約45%から約65%;約45%から約60%;約50%から約100%;約50%から約95%;約50%から約90%;約50%から約85%;約50%から約80%;約50%から約75%;約50%から約70%;約50%から約65%;約50%から約60%;約60%から約100%;約60%から約95%;約60%から約90%;約60%から約85%;約60%から約80%;約60%から約75%;約60%から約70%;約70%から約100%;約70%から約95%;約70%から約90%;約70%から約85%;約70%から約80%;約80%から約100%;約80%から約95%;約80%から約90%;約80%から約85%;約90%から約100%;又は約90%から約95%の量のオゾンと接触している。
通常、オゾンの量は、それが接触している排気ガスの約0.04〜0.16体積%であり得る。オゾン生成器は、適切に選択される。例として、400ppmのNOを含有する、1時間当たり7,500リットルの排気ガスの流量について、NOへの完全な変換は、1分間当たり1リットルの空気が60%の容量で動作するオゾン生成器(Thermo Electron)に供給される場合に達成することができ;動作が容量の40%未満に減少されるか又は空気流が1分間当たり250ml未満に減少される場合、変換効率は著しく低下することがわかっている。
NOの形成に使用されるものを超える余剰のオゾンは、触媒上で破壊され得る。しかしながら、余剰のオゾンは、有利に用いられて、特に低温で排気ガス中の炭化水素の酸化が促進され得る。
SCR触媒
本発明のシステムは、一又は複数のSCR触媒を含み得る。システムは、オゾン導入の下流に位置するSCR触媒を含む。本発明のシステムは、一又は複数の追加のSCR触媒も含み得る。
本発明の排気システムは、アンモニア又はアンモニアに分解可能な化合物を排気ガスに導入するためのインジェクタの下流に位置するSCR触媒を含み得る。SCR触媒は、アンモニア又はアンモニアに分解可能な化合物を注入するためのインジェクタのすぐ下流に位置し得る(例えば、インジェクタとSCR触媒との間に介在する触媒はない)。
SCR触媒は、基材及び触媒組成物を含む。基材は、フロースルー基材又はフィルタリング基材であり得る。SCR触媒がフロースルー基材を有するとき、基材はSCR触媒組成物を含み得る(すなわち、SCR触媒は押出により得られる)か、又はSCR触媒は基材上に配置若しくは担持され得る(すなわち、SCR触媒組成物はウォッシュコート法により基材上に塗布される)。
SCR触媒がフィルタリング基材を有するとき、該触媒は選択的触媒還元フィルタ触媒であり、これは本明細書中では略語「SCRF」で称される。SCRFは、フィルタリング基材及び選択的触媒還元(SCR)組成物を含む。本出願を通じたSCR触媒の使用についての言及は、必要に応じてSCRF触媒の使用も含むと理解される。
選択的触媒還元組成物は、金属酸化物系SCR触媒配合物、モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物、又はそれらの混合物を含み得るか、又は本質的にそれからなる。そのようなSCR触媒配合物は、当該技術分野で知られている。
選択的触媒還元組成物は、金属酸化物系SCR触媒配合物を含み得るか、又は本質的にそれからなる。金属酸化物系SCR触媒配合物は、耐火性酸化物に担持されたバナジウム又はタングステン又はそれらの混合物を含む。耐火性酸化物は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、セリア及びそれらの組み合わせからなる群より選択され得る。
金属酸化物系SCR触媒配合物は、チタニア(例えばTiO)、セリア(例えばCeO)、及びセリウムとジルコニウムの混合又は複合酸化物(例えばCeZr(1-x)、ここでx=0.1から0.9、好ましくはx=0.2から0.5)からなる群より選択される耐火性酸化物に担持されるバナジウムの酸化物(例えばV)及び/又はタングステンの酸化物(例えばWO)を含み得るか、又は本質的にそれらからなる。
耐火性酸化物がチタニア(例えばTiO)であるとき、好ましくは、バナジウムの酸化物の濃度は、(例えば金属酸化物系SCR配合物の)0.5から6wt%であり、且つ/又はタングステンの酸化物(例えばWO)の濃度は5から20wt%である。より好ましくは、バナジウムの酸化物(例えばV)及びタングステンの酸化物(例えばWO)は、チタニア(例えばTiO)に担持される。
耐火性酸化物がセリア(例えばCeO)であるとき、好ましくは、バナジウムの酸化物の濃度は、(例えば金属酸化物系SCR配合物の)0.1から9wt%であり、且つ/又はタングステンの酸化物(例えばWO)の濃度は0.1から9wt%である。
金属酸化物系SCR触媒配合物は、チタニア(例えばTiO)に担持されるバナジウムの酸化物(例えばV)及び任意選択的にタングステンの酸化物(例えばWO)を含み得るか、又は本質的にそれらからなる。
選択的触媒還元組成物は、モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物を含み得るか、又は本質的にそれからなる。モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物は、モレキュラーシーブを含み、それは任意選択的には遷移金属交換モレキュラーシーブである。SCR触媒配合物は遷移金属交換モレキュラーシーブを含むことが好ましい。
一般に、モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物は、アルミノシリケート骨格(例えばゼオライト)、アルミノホスフェート骨格(例えばAlPO)、シリコアルミノホスフェート骨格(例えばSAPO)、又はヘテロ原子含有シリコアルミノホスフェート骨格(例えばMeが金属であるMeAPSO)を有するモレキュラーシーブを含み得る。ヘテロ原子(すなわちヘテロ原子含有骨格中のもの)は、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、鉄(Fe)、バナジウム(V)及びそれら二つ以上の組み合わせからなる群より選択され得る。ヘテロ原子は金属であることが好ましい(例えば、上記のヘテロ原子含有骨格のそれぞれは、金属含有骨格であり得る)。
モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物は、アルミノシリケート骨格(例えばゼオライト)又はシリコアルミノホスフェート骨格(例えばSAPO)を有するモレキュラーシーブを含むか、又は本質的にそれからなる。
モレキュラーシーブがアルミノシリケート骨格を有する(例えば、モレキュラーシーブがゼオライトである)とき、典型的には、モレキュラーシーブは、5から200(例えば10から200)、好ましくは10から100(例えば10から30、又は20から80)、例えば12から40、より好ましくは15から30のシリカ対アルミナのモル比(SAR)を有する。
典型的には、モレキュラーシーブは微多孔質である。微多孔質モレキュラーシーブは、2nm未満の直径を有する細孔を有する(例えば、IUPACの「微多孔質(microporous)の定義による[Pure & Appl. Chem., 66(8), (1994), 1739-1758)を参照])。
モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物は、小細孔モレキュラーシーブ(例えば8つの四面体原子の最大環サイズを有するモレキュラーシーブ)、中細孔モレキュラーシーブ(例えば10の四面体原子の最大環サイズを有するモレキュラーシーブ)、及び大細孔モレキュラーシーブ(すなわち12の四面体原子の最大環サイズを有するモレキュラーシーブ)を含み得る。
モレキュラーシーブが、小細孔モレキュラーシーブであるとき、小細孔モレキュラーシーブは、ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、LTA、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SFW、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG及びZON、又はこれらのいずれか二つ以上の混合及び/又は連晶から成る群より選択される骨格型コード(FTC)により表される骨格構造を有し得る。好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、CHA、LEV、AEI、AFX、ERI、LTA、SFW、KFI、DDR及びITEからなる群より選択されるFTCにより表される骨格構造を有する。より好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、CHA及びAEIからなる群より選択されるFTCにより表される骨格構造を有する。小細孔モレキュラーシーブは、FTC CHAにより表される骨格構造を有し得る。小細孔モレキュラーシーブは、FTC AEIにより表される骨格構造を有し得る。小細孔モレキュラーシーブがゼオライトであり、FTC CHAにより表される骨格を有するとき、ゼオライトはチャバザイトであり得る。
モレキュラーシーブが中細孔モレキュラーシーブであるとき、中細孔モレキュラーシーブは、AEL、AFO、AHT、BOF、BOZ、CGF、CGS、CHI、DAC、EUO、FER、HEU、IMF、ITH、ITR、JRY、JSR、JST、LAU、LOV、MEL、MFI、MFS、MRE、MTT、MVY、MWW、NAB、NAT、NES、OBW、−PAR、PCR、PON、PUN、RRO、RSN、SFF、SFG、STF、STI、STT、STW、−SVR、SZR、TER、TON、TUN、UOS、VSV、WEI及びWEN、又はそれら二つ以上の混合及び/又は連晶からなる群より選択される骨格型コード(FTC)により表される骨格構造を有し得る。好ましくは、中細孔モレキュラーシーブは、FER、MEL、MFI及びSTTからなる群より選択されるFTCにより表される骨格構造を有する。より好ましくは、中細孔モレキュラーシーブは、FER及びMFIからなる群より選択されるFTC、特にMFIにより表される骨格構造を有する。中細孔モレキュラーシーブがゼオライトであり、FTC FER又はMFIにより表される骨格を有するとき、ゼオライトは、フェリエライト、シリカライト又はZSM−5であり得る。
モレキュラーシーブが大細孔モレキュラーシーブであるとき、大細孔モレキュラーシーブは、AFI、AFR、AFS、AFY、ASV、ATO、ATS、BEA、BEC、BOG、BPH、BSV、CAN、CON、CZP、DFO、EMT、EON、EZT、FAU、GME、GON、IFR、ISV、ITG、IWR、IWS、IWV、IWW、JSR、LTF、LTL、MAZ、MEI、MOR、MOZ、MSE、MTW、NPO、OFF、OKO、OSI、−RON、RWY、SAF、SAO、SBE、SBS、SBT、SEW、SFE、SFO、SFS、SFV、SOF、SOS、STO、SSF、SSY、USI、UWY及びVET、又はこれら二つ以上の混合及び/又は連晶からなる群より選択される骨格型コード(FTC)により表される骨格構造を有し得る。好ましくは、大細孔モレキュラーシーブは、AFI、BEA、MAZ、MOR及びOFFからなる群より選択されるFTCにより表される骨格構造を有する。より好ましくは、大細孔モレキュラーシーブは、BEA、MOR及びMFIからなる群より選択されるFTCにより表される骨格構造を有する。大細孔モレキュラーシーブがゼオライトであり、FTC BEA、FAU又はMORにより表される骨格を有するとき、ゼオライトは、ベータゼオライト、フォージャサイト、ゼオライトY、ゼオライトX又はモルデナイトであり得る。
一般に、モレキュラーシーブは小細孔モレキュラーシーブであることが好ましい。
モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物は、好ましくは、遷移金属交換モレキュラーシーブを含む。遷移金属は、コバルト、銅、鉄、マンガン、ニッケル、パラジウム、白金、ルテニウム及びレニウムからなる群より選択され得る。
遷移金属は銅であり得る。銅交換モレキュラーシーブを含有するSCR触媒配合物の利点は、そのような配合物が優れた低温NO還元活性(例えば、それは、鉄交換モレキュラーシーブの低温NO還元活性よりも良好であることがある)を有することである。本発明のシステム及び方法は、あらゆる種類のSCR触媒を含み得るが、銅を含有するSCR触媒(「Cu−SCR触媒」)は、それらが硫酸化の影響に対して特に脆弱であるため、本発明のシステムからより著しい利益を受けることができる。Cu−SCR触媒配合物は、例えば、Cu交換SAPO−34、Cu交換CHAゼオライト、Cu交換AEIゼオライト又はそれらの組み合わせを含み得る。
遷移金属は、モレキュラーシーブの外面上の骨格外部位、又はモレキュラーシーブのチャネル、空洞若しくはケージ内に存在し得る。
典型的には、遷移金属交換モレキュラーシーブは、遷移金属交換モレキュラーシーブの0.10から10重量%の量、好ましくは0.2から5重量%の量を含む。
一般に、選択的触媒還元触媒は、0.5から4.0gin-、好ましくは1.0から3.0 4.0gin-の総濃度で選択的触媒還元組成物を含む。
SCR触媒組成物は、金属酸化物系SCR触媒配合物とモレキュラーシーブ系SCR触媒配合物との混合物を含み得る。(a)金属酸化物系SCR触媒配合物は、チタニア(例えばTiO)に担持されるバナジウムの酸化物(例えばV)及び任意選択的にタングステンの酸化物(例えばWO)を含み得るか、又は本質的にそれらからなり、且つ(b)モレキュラーシーブ系SCR触媒配合物は、遷移金属交換モレキュラーシーブを含み得る。
SCR触媒がSCRFであるとき、フィルタリング基材は、好ましくは、触媒化スートフィルタに関して本明細書に記載されるようなウォールフロー型フィルタ基材モノリスであり得る。ウォールフロー型フィルタ基材モノリス(例えばSCR−DPFのもの)は、典型的には、1平方インチ当たり(cpsi)60から400セルのセル密度を有する。ウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、100から350cpsiのセル密度を有することが好ましく、より好ましくは200から300cpsiのセル密度を有することが好ましい。
ウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、0.20から0.50mm、好ましくは0.25から0.35mm(例えば約0.30mm)の壁厚(例えば平均内部壁厚)を有し得る。
一般的に、コーティングされていないウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、50から80%、好ましくは55から75%、より好ましくは60から70%の多孔率を有する。
コーティングされていないウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、典型的には少なくとも5μmの平均細孔サイズを有する。平均細孔サイズは、10から40μm、例えば15から35μm、より好ましくは20から30μmであることが好ましい。
ウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、対称的なセル設計又は非対称的なセル設計を有し得る。
一般にSCRFに関しては、選択的触媒還元組成物は、ウォールフロー型フィルタ基材モノリスの壁内に配置される。加えて、選択的触媒還元組成物は、入口チャネルの壁上及び/又は出口チャネルの壁上に配置され得る。
追加成分
本発明のシステムは、特定のシステムで所望の効果を達成するのに適した追加成分を含み得る。
還元剤/尿素インジェクタ
システムは、SCR及び/又はSCRF触媒の上流の排気システムに窒素還元剤を導入するための手段を備え得る。排気システム中へ窒素還元剤を導入するための手段はSCR又はSCRF触媒のすぐ上流にある(例えば、窒素還元剤を導入するための手段とSCR又はSCRF触媒との間に介在する触媒は存在しない)ことが好ましい場合がある。
還元剤は、排気ガス中へ還元剤を導入するための任意の適切な手段によって、流れている排気ガスに加えられる。適切な手段には、インジェクタ、噴霧器、又は供給装置が含まれる。そのような手段は当該技術分野でよく知られている。
システムにおける使用のための窒素還元剤は、尿素、炭酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、及びギ酸アンモニウムからなる群より選択されるアンモニア自体、ヒドラジン、又はアンモニア前駆体であり得る。尿素が特に好ましい。
排気システムはまた、その中のNOを還元するための、排気ガスの中への還元剤の導入を制御する手段も備えうる。好ましい制御手段は、電子制御装置、任意選択的にエンジン制御装置を含み、NO還元触媒の下流に位置するNOセンサを更に備え得る。
NO貯蔵触媒
本発明のシステムは、一又は複数のNO貯蔵触媒を含み得る。NO貯蔵触媒は、特定の条件に従って、一般的には温度及び/又はリッチ/リーン排気条件によって、NOを吸着し、放出し、且つ/又は減少させる装置を含み得る。NO貯蔵触媒は、例えば、受動的NO吸着体、コールドスタート触媒、NOトラップ等を含み得る。
NOトラップ
本発明のシステムは、一又は複数のNOトラップを含み得る。NOトラップは、NOをリーン排気条件下で吸着し、吸着したNOをリッチ条件下で放出し、且つ放出したNOを還元してNを生成する装置である。
本発明の実施態様のNOトラップは、NO貯蔵のためのNO吸着剤及び酸化/還元触媒を含み得る。典型的には、酸化窒素は、酸化触媒の存在下で、酸素と反応してNOを生成する。第2に、無機硝酸塩の形態のNO吸着剤によって、NOが吸着される(例えば、BaO又はBaCOはNO吸着剤上でBa(NOに転換される)。最後に、エンジンがリッチ条件下で作動する場合、貯蔵された無機硝酸塩は分解してNO又はNOを形成し、これがその後、還元触媒の存在下で、一酸化炭素、水素、及び/又は炭化水素との反応によって(又はNH若しくはNCO中間体を介して)還元されてNを形成する。典型的に、窒素酸化物は、排気流中の熱、一酸化炭素、及び炭化水素の存在下で、窒素、二酸化炭素、及び水に変換される。
NO吸着剤成分は、好ましくは、アルカリ土類金属(Ba、Ca、Sr及びMg等)、アルカリ金属(K、Na、Li及びCs等)、希土類金属(La、Y、Pr及びNd等)、又はその組み合わせである。これらの金属は、典型的には、酸化物の形態で見出される。酸化/還元触媒は、一又は複数の貴金属を含み得る。適切な貴金属には、白金、パラジウム及び/又はロジウムが含まれ得る。好ましくは、酸化機能を実施するために白金が含まれ、且つ還元機能を実施するためにロジウムが含まれる。酸化/還元触媒及びNO吸着剤は、排気システムにおける使用のために無機酸化物のような担体材料にロードされ得る。
アンモニア酸化触媒
本発明のシステムは、一又は複数の、アンモニアスリップ触媒(「ASC」)とも呼ばれる、アンモニア酸化触媒を含み得る。一又は複数のASCは、SCR触媒から下流に含まれて、余剰のアンモニアを酸化させ、且つそれが大気中へ放出されるのを妨げ得る。いくつかの実施態様では、ASCは、SCR触媒と同じ基材上に含まれ得る。特定の実施態様では、アンモニア酸化触媒材料は、NO又はNOの形成の代わりにアンモニアの酸化を有利にするよう選択され得る。好ましい触媒材料は、白金、パラジウム、又はこれらの組み合わせを含み、白金又は白金/パラジウムの組み合わせが好ましい。好ましくは、アンモニア酸化触媒は、金属酸化物に担持された白金及び/又はパラジウムを含む。好ましくは、触媒は、高表面積の担体上に配置され、アルミナを含むが、それに限定されるものではない。
三元触媒
本発明のシステムは、一又は複数の三元触媒(TWC)を含み得る。TWCは、単一装置上でNOをNに、一酸化炭素をCOに、炭化水素をCOとHOに変換するために、典型的には、化学量論的条件下でガソリンエンジンに使用される。
フィルタ
本発明のシステムは、一又は複数のパティキュレートフィルタを含み得る。パティキュレートフィルタは、内燃機関の排気から微粒子を減少させる装置である。パティキュレートフィルタは、触媒化パティキュレートフィルタ及びベア(非触媒化)パティキュレートフィルタを含む。フィルタによって捕捉されたスートを破壊することに加えて、炭化水素と一酸化炭素を酸化させるために、触媒化スートフィルタとも呼ばれる触媒化パティキュレートフィルタ(ディーゼル及びガソリン用途用)は、金属及び金属酸化物成分(Pt、Pd、Fe、Mn、Cu、及びセリア等)を含む。
基材
本発明の触媒及び吸着体はそれぞれ、フロースルー基材又はフィルタ基材をさらに含み得る。一実施態様では、触媒/吸着体は、フロースルー又はフィルタ基材上にコーティングされてもよく、好ましくは、ウォッシュコート法を使用して、フロースルー又はフィルタ基材上に堆積される。
SCR触媒とフィルタの組み合わせは、選択的触媒還元フィルタ(SCRF触媒)として知られている。SCRF触媒は、SCR及びパティキュレートフィルタの機能性を組み合わせた単一基材装置であり、所望の本発明の実施態様に適している。本出願を通じたSCR触媒についての記載及び言及は、必要に応じて、SCRF触媒も含むと理解される。
フロースルー又はフィルタ基材は、触媒/吸着体成分を含有することができる基材である。好ましくは、基材は、セラミック基材又は金属基材である。セラミック基材は、任意の好適な耐火材料、例えばアルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、マグネシア、ゼオライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸マグネシウム、アルミノケイ酸塩、及びメタロアルミノケイ酸塩(コーディエライト及びスポジュメンなど)又はそれらの任意の2種以上の混合物若しくは混合酸化物から作られていてもよい。コーディエライト、ケイ酸アルミン酸マグネシウム及び炭化ケイ素が特に好ましい。
金属基体はいかなる好適な金属から作られてもよく、特に、チタンとステンレス鋼のような耐熱性の金属及び金属合金でも、他の微量金属に加えて、鉄、ニッケル、クロム、及び/又はアルミニウムを含むフェライト合金でもよい。
フロースルー基材は、好ましくは、基材を軸方向に貫通し、基材の入口又は出口から基材全体に延びる多数の小さな平行する薄壁チャンネルのあるハニカム構造を有するフロースルーモノリスである。基材のチャンネル断面は、いかなる形状でもよいが、好ましくは正方形、シヌソイド形、三角形、長方形、六角形、台形、円形又は楕円形である。フロースルー基材は、多孔度が高い場合があり、これにより、触媒が基材壁内を貫通することが可能になる。
フィルタ基材は、好ましくは、ウォールフローモノリスフィルタである。ウォールフロー型フィルタのチャネルは交互に閉塞しており、それによって、排気ガス流が、入口からチャネルに入り、その後チャネルを貫流して、出口につながる異なるチャネルからフィルタを出ることが可能になる。よって、排気ガス流内の粒子は、フィルタに捕捉される。
触媒/吸着体は、ウォッシュコート法等の任意の既知の手段によって、フロースルー又はフィルタ基材に添加され得る。
燃料インジェクタ
本発明のシステムは、一又は複数の燃料インジェクタを含み得る。例えば、システムは、ディーゼル酸化触媒の上流に二次燃料インジェクタを含み得る。任意の適切な種類の燃料インジェクタが、本発明のシステムに使用され得る。
実施態様/システム
本発明のシステムは、NO吸着体触媒と結合した上流触媒、排気流をオゾンと接触させて、排気流中のNOをオゾンと反応させてNOを生成する手段;及びSCR触媒を含む。
上流触媒は、エンジンとオゾン導入のための手段との間に配置され得る。上流触媒は、ディーゼル酸化触媒、コールドスタート触媒、又はそれらの組み合わせ等の酸化触媒を含み得る。
上流触媒は、受動的NO吸着体と結合され得る。上流触媒及び受動的NO吸着体が結合しているとき、受動的NO吸着体は、上流触媒の下流近く又はすぐ下流に置かれてもよく、又はそれらは単一基材上に含まれてもよい。いくつかの実施態様では、上流触媒及び受動的NO吸着体は、さらに下流に位置する受動的NO吸着体で分断されてもよい。
該システムは、例えば電気ヒータにより、SCR触媒の上流の排気流を加熱するための手段をさらに含み得る。排気ガスを加熱するための手段は、排気流をオゾンと接触させる手段の上流に位置し得る。
システムはSCRF触媒も含み得る。SCRF触媒は、SCR触媒の上流に位置し得る。いくつかの実施態様では、システムは、SCR触媒の下流にASCも含み得る。
本発明のシステムは、所望の結果を達成するために、任意の適切な追加成分を含み得る。
方法
排気流からの排出を減少させる方法は、排気流を受動的NO吸着体触媒と結合した上流触媒と接触させること;排気流をオゾンと接触させることにより、NOをNOに酸化させること;及び、SCR触媒の存在下で酸化工程から生成されたNOを還元剤と接触させることにより、NOを窒素に選択的に触媒還元することを含み得る。
いくつかの実施態様では、方法は、例えば電気ヒータにより、SCR触媒の上流の排気流を加熱することを含む。排気流は、排気流をオゾンと接触させる前に加熱され得る。いくつかの実施態様では、排気流は約30℃から約250℃の温度に加熱され得る。いくつかの実施態様では、排気流は、SCR触媒入口温度が約200℃から約235℃;約205℃から約230℃;約210℃から約225℃;又は約215℃から約220℃の温度に達するまで加熱される。いくつかの実施態様では、排気流は、約400から約600秒のFTPサイクル等、設定時間に基づいて加熱される。
いくつかの実施態様では、方法は、排気流にオゾンを注入することに関係する。いくつかの実施態様では、オゾンは、SCR触媒入口温度が所望の温度、例えば約100℃から約250℃;約110℃から約240℃;約120℃から約230℃;約130℃から約220℃;約140℃から約210℃;約150℃から約200℃;約160℃から約190℃;約170℃から約180℃;約110℃から約250℃;約120℃から約250℃;約130℃から約250℃;約140℃から約250℃;約150℃から約250℃;約160℃から約250℃;約170℃から約250℃;約180℃から約250℃;約190℃から約250℃;約200℃から約250℃;約210℃から約250℃;約220℃から約250℃;約230℃から約250℃;約150℃から約250℃;約160℃から約240℃;約170℃から約230℃;約180℃から約220℃;約190℃から約220℃;約200℃から約220℃;約100℃;約110℃;約120℃;約130℃;約140℃;約150℃;約160℃;約170℃;約180℃;約190℃;約200℃;約210℃;約220℃;約230℃;約240℃;又は約250℃に達するまで、排気流に添加され得る。
NOをNOに酸化させる工程は、任意の適切な温度で行われ得る。いくつかの実施態様では、この酸化工程は、約250℃以下の排気流温度、又は約250℃未満の排気流温度で行われる。いくつかの実施態様では、この酸化工程は、約30℃から約250℃;約35℃から約250℃;約40℃から約250℃;約50℃から約250℃;約60℃から約250℃;約70℃から約250℃;約80℃から約250℃;約90℃から約250℃;約100℃から約250℃;約110℃から約250℃;約120℃から約250℃;約130℃から約250℃;約140℃から約250℃;約150℃から約250℃;約160℃から約250℃;約170℃から約250℃;約180℃から約250℃;約190℃から約250℃;約200℃から約250℃;約210℃から約250℃;約220℃から約250℃;約230℃から約250℃;約30℃から約240℃;約35℃から約240℃;約40℃から約240℃;約50℃から約240℃;約60℃から約240℃;約70℃から約240℃;約80℃から約240℃;約90℃から約240℃;約100℃から約240℃;約110℃から約240℃;約120℃から約240℃;約130℃から約240℃;約140℃から約240℃;約150℃から約240℃;約160℃から約240℃;約170℃から約240℃;約180℃から約240℃;約190℃から約240℃;約200℃から約240℃;約210℃から約240℃;約220℃から約240℃;又は約230℃から約240℃の排気流温度で行われる。
NOをNOに酸化させる工程中、オゾンと接触している排気流中有意な量のNOがオゾンと反応して、NOが生成される。いくつかの実施態様では、オゾンと反応してNOを生成する排気流中のNOの量は、排気流中約10wt%から約90wt%のNO;排気流中約15wt%から約85wt%のNO;排気流中約20wt%から約80wt%のNO;排気流中約25wt%から約75wt%のNO;排気流中約30wt%から約70wt%のNO;排気流中約35wt%から約65wt%のNO;排気流中約40wt%から約60wt%のNO;排気流中約45wt%から約55wt%のNO;排気流中約10wt%のNO;排気流中約15wt%のNO;排気流中約20wt%のNO;排気流中約30wt%のNO;排気流中約35wt%のNO;排気流中約40wt%のNO;排気流中約45wt%のNO;排気流中約50wt%のNO;排気流中約55wt%のNO;排気流中約60wt%のNO;排気流中約65wt%のNO;排気流中約70wt%のNO;排気流中約75wt%のNO;排気流中約80wt%のNO;排気流中約85wt%のNO;又は排気流中約90wt%のNOである。
排気流は、オゾンと接触し、NOをNOに酸化させる前に、所望のNO/NO%値を有し得る。そのような値は、酸化工程の開始時のNO/NO%値と称され得る。いくつかの実施態様では、排気流は、約10%から約90%;約15%から約85%;約20%から約80%;約25%から約75wt%;約30%から約70%;約35%から約65%;約40%から約60%;約45%から約55%;約10%;約15%;約20%;約30%;約35%;約40%;約45%;約50%;約55%;約60%;約65%;約70%;約75%;約80%;約85%;又は約90%のNO/NO%値を有する。
排気流中に供給されるオゾンの量は、SCR触媒の入口で所望のNO/NO%値を達成するために変化し得る。排気流中に供給されるオゾンの量は、SCR触媒の入口で約20%から約80%;約20%から約75%;約20%から約70%;約25%から約75%;約30%から約70%;約35%から約65%;約40%から約60%;約45%から約55%;約20%;約25%;約30%;約35%;約40%;約45%;約50%;約55%;約60%;約65%;約70%;約75%;又は約80%のNO/NO%値を達成するために変化し得る。
NOを窒素に選択的に触媒還元するために、酸化スチームから生成されたNOを含む排気流は、SCR触媒、及びアンモニア又は尿素等の還元剤と接触し得る。いくつかの実施態様では、この工程は、排気流をSCRF触媒と接触させることも含んでよく、これはSCR触媒の上流に位置し得る。排気流は、ASCとさらに接触してもよく、これはSCR触媒の下流に位置し得る。
利益
本発明のシステム及び方法は、SCR触媒システムにわたるより高いNO変換(すなわち、より低いNO排気管排出)に関する利益を提供し得る。驚くべきことに、受動的NO吸着体と結合した上流触媒の取り込みで組み合わされた、オゾンによるNO酸化を通じたより高いNO−メイクは、コールドスタート中等、低温を通じてさえもNO変換の増加をもたらし得ることが発見された。オゾンによるNO酸化の上流の発熱体の取り込みによって、さらなる利益が提供され得る。
いくつかの実施態様では、本発明のシステム及び方法は、それらが広範囲の温度にわたってNOを提供する能力を有し、それによりSCR触媒中のNO変換を強化するため、有益であり得る。例えば、コールドスタート中等の低温での典型なシステムでは、NO−メイクは、SCR触媒の上流の触媒の性能に限定され得る。しかしながら、本発明のシステム及び方法では、最大約230℃のSCR触媒入口温度については、オゾンは酸化剤として排気流へ導入されて、排気中のNOからNOが生成され得る。低温のこの期間中、上流触媒と受動的NO吸着体触媒の組み合わせはNOを吸収することができるが、SCR触媒は、オゾンとの接触を通じて生成されたNOによって、効率的に機能することができる。排気流の温度が上昇すると、十分なNOが上流触媒により生成され得、オゾン導入が停止され得る。いくつかの実施態様では、オゾン導入の上流の排気流を加熱することは、全体的なシステムのNO変換の効率をさらに強化することができる。
本発明のシステム及び方法のNO変換は、排気流をオゾンと接触させることによりNOをNOに酸化させるための手段/酸化させる工程が存在しないことを除いては同等であるシステム又は方法のNO変換よりも高いことがある。いくつかの実施態様では、本発明のシステム及び/又は方法のNO変換は、排気流を約2%から約20%;約2%から約18%;約2%から約16%;約4%から約14%;約4%から約12%;約4%から約10%;約4%から約8%;約4%から約6%;又は約5%から約6%でオゾンと接触させることによりNOをNOに酸化させるための手段/酸化させる工程が存在しないことを除いては同等であるシステム又は方法のNO変換よりも高い。
本発明のシステム及び方法のNO変換は、SCR触媒の上流の排気ガスを加熱するための手段/加熱する工程と、排気流をオゾンと接触させることにより、NOをNOに酸化させるための手段/酸化させる工程とが存在しないことを除いては同等であるシステム又は方法のNO変換よりも高いことがある。いくつかの実施態様では、本発明のシステム及び/又は方法のNO変換は、以下が存在しないことを除いては同等であるシステム又は方法のNO変換よりも高い:(1)SCR触媒の上流の排気ガスを加熱するための手段/加熱する工程、及び(2)排気流をオゾンと約2%から約30%;約2%から約28%;約4%から約26%;約4%から約24%;約4%から約22%;約4%から約20%;約4%から約18%;約4%から約16%;約4%から約14%;約6%から約12%;又は約8%から約10%で接触させることによりNOをNOに酸化させるための手段/酸化させる工程。
定義
本明細書で用いられる「混合酸化物」という用語は通常、当該技術分野で従来から知られているような、単一相の酸化物の混合物を指す。本明細書で用いられる「複合酸化物」という用語は、通常、当技術分野で従来から知られているような、二相以上の相を有する酸化物の組成物のことを指す。
疑義を避けるために、領域、ゾーン又は層に関して本明細書で用いられる用語「白金(Pt)とパラジウム(Pd)の組み合わせ」とは、白金とパラジウムの両方の存在を指す。「組み合わせ」という語は、白金及びパラジウムが混合物又は合金として存在することを要しないが、そのような混合物又は合金はこの語に包含される。
本明細書で用いられる「本質的になる」という表現は、特定した材料及び、発明の特徴の基本的特性に実質的に影響を及ぼさない任意の他の材料又は工程(例えば少量の不純物など)を含むように発明特徴の範囲を限定する。表現「本質的に〜からなる」は、表現「〜からなる」を包含する。
数値範囲の終点に関して本明細書で使用される「約」という表現は、特定した数値範囲の正確な終点を含む。したがって、例えば、最大「約0.2」のパラメーターを定義する表現は、最大0.2までであり、0.2を含めたパラメーターを含む。
本明細書で用いられる場合、「上流」及び「下流」とは、エンジンから大気への排気の流れの方向に関係する。
実施例1
一連のシステムを生成し、NO変換について試験した。
初めに、図1Aに示されるように、フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、下流のSCR触媒が続くシステムを調製した。
図1Bに示されるように、フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、下流のSCR触媒が続くシステムを調製した。
図2Aに示されるように、フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを調製した。
図2Bに示されるように、フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを調製した。
図4Aに示されるように、フィルタ上のPNAと結合したDOCを有し、電気ヒータ、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを調製した。
図4Bに示されるように、フィルタ上のPNAと結合したコールドスタート触媒を有し、電気ヒータ、オゾン生成器及び下流のSCR触媒が続くシステムを調製した。
ISL 2007、8.9Lの排気量、HDDコールドFTPサイクルを使用して、各システムを試験した。エンジンアウトNOは4.0g/hp−hrであり、アンモニア:NO比は約1.2から約1.3であった。以下の条件を使用した。
図1A及び1Bのシステムについて、コールドスタート前にSCRF/SCRをNHで予備調製した。
図2A及び2Bのシステムについて、コールドスタート前にSCRF/SCRをNHで予備調製した。SCR入口温度が210℃に達するまでオゾン生成器を操作した。
図6は、図1Aのシステムの結果を示す。結果は、DOCの出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNOの測定を示す。PNA中間ベッド温度及びSCR入口温度も示されている。システムは、82%のNO変換を達成した。
図7は、図1Bのシステムの結果を示す。結果は、コールドスタート触媒の出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNOの測定を示す。PNA中間ベッド温度及びSCR入口温度も示されている。システムは、85%のNO変換を達成した。
図8A及び8Bは、それぞれ図1A及び1BのシステムのSCR入口で測定された、経時的なNO/NO%を示す。結果は、オゾン生成器を使用するとより高いNOメイクを示す(すなわち図1Bのシステム)。
図9は、図2Aのシステムの結果を示す。結果は、DOCの出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNOの測定を示す。PNA中間ベッド温度及びSCR入口温度も示されている。システムは、87%のNO変換を達成した。
図10は、図2Bのシステムの結果を示す。結果は、コールドスタート触媒の出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNOの測定を示す。PNA中間ベッド温度及びSCR入口温度も示されている。システムは、91%のNO変換を達成した。
図11は、図4Aのシステムの結果を示す。結果は、DOCの出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNOの測定を示す。PNA中間ベッド温度及びSCR入口温度も示されている。システムは、97%のNO変換を達成した。
図12は、図4Bのシステムの結果を示す。結果は、コールドスタート触媒の出口、PNAの出口、及びシステム全体の出口でのNOの測定を示す。PNA中間ベッド温度及びSCR入口温度も示されている。システムは、99%のNO変換を達成した。
図13は、オゾン生成器を有しないシステム(図1A及び1Bのシステム)、オゾン生成器を有するシステム(図2A及び2Bのシステム)、並びにオゾン生成器及びヒータを有するシステム(図4A及び4Bのシステム)のNO変換を示す。結果は、オゾン生成器を追加することによってNO変換が5〜6%増加することを示している。結果は、オゾン生成器を有するシステムにヒータを追加することによってNO変換が8〜10%増加することを示している。

Claims (34)

  1. a.受動的NO吸着体触媒と結合した上流触媒;
    b.排気流をオゾンと接触させ、排気流中のNOをオゾンと反応させてNOを生成する手段;
    c.SCR触媒
    を順番に含む排気流からの排出を減少させるための排気精製システム。
  2. 上流触媒が、酸化触媒及び/又はコールドスタート触媒を含む、請求項1に記載のシステム。
  3. 受動的NO吸着体触媒がフィルタ基材を含む、請求項1又は2に記載のシステム。
  4. 上流触媒及び受動的NO吸着体触媒が、単一基材上に含まれる、請求項1から3のいずれか一項に記載のシステム。
  5. SCR触媒の上流の排気ガスを加熱するための手段をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のシステム。
  6. 排気ガスを加熱するための手段が、電気ヒータを含む、請求項5に記載のシステム。
  7. 排気ガスを加熱するための手段が、排気流をオゾンと接触させる手段の上流に位置している、請求項5又は6に記載のシステム。
  8. 排気流をオゾンと接触させる手段が、オゾン生成器を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載のシステム。
  9. SCRF触媒をさらに含む、請求項1から8のいずれか一項に記載のシステム。
  10. SCRF触媒が、SCR触媒の上流に位置している、請求項9に記載のシステム。
  11. SCR触媒の下流のASCをさらに含む、請求項1から10のいずれか一項に記載のシステム。
  12. a.排気流を受動的NO吸着体触媒と結合した上流触媒と接触させること;
    b.排気流をオゾンと接触させることによりNOをNOに酸化させること;
    c.SCR触媒の存在下、酸化工程から生成されたNOを還元剤と接触させることにより、NOを窒素に選択的に触媒還元すること;
    を含む排気流からの排出を減少させる方法。
  13. 上流触媒が、酸化触媒及び/又はコールドスタート触媒を含む、請求項12に記載の方法。
  14. 受動的NO吸着体触媒がフィルタ基材を含む、請求項12又は13に記載の方法。
  15. 上流触媒及び受動的NO吸着体触媒が、単一基材上に含まれる、請求項12から14のいずれか一項に記載の方法。
  16. SCR触媒の上流の排気流を加熱することをさらに含む、請求項12から15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 排気流が電気ヒータによって加熱される、請求項16に記載の方法。
  18. 排気流をオゾンと接触させる前に、排気流が加熱される、請求項15又は16に記載の方法。
  19. オゾンが排気流中に注入される、請求項12から18のいずれか一項に記載の方法。
  20. 工程cが、排気流をSCR触媒と接触させることを含む、請求項12から19のいずれか一項に記載の方法。
  21. 工程cが、排気流をSCRF触媒と接触させることをさらに含む、請求項12から20のいずれか一項に記載の方法。
  22. SCRF触媒が、SCR触媒の上流に位置している、請求項21に記載の方法。
  23. 工程cが、排気ガスをSCR触媒の下流のASCと接触させることをさらに含む、請求項12から22のいずれか一項に記載の方法。
  24. 還元剤がアンモニアである、請求項12から23のいずれか一項に記載の方法。
  25. オゾンと接触している排気流中約20wt%から約80wt%、好ましくは約50wt%のNOが、オゾンと反応してNOが生成される、請求項12から24のいずれか一項に記載の方法。
  26. 排気流が、工程cの開始時に、約20wt%から約70wt%、好ましくは約50wt%のNO/NO%値を含む、請求項12から25のいずれか一項に記載の方法。
  27. 工程bが、250℃未満の排気流温度で行われる、請求項12から26のいずれか一項に記載の方法。
  28. 工程bが、30℃から250℃の排気流温度で行われる、請求項12から27のいずれか一項に記載の方法。
  29. NO変換が、工程bが存在しないことを除いては同等である方法のNO変換よりも高い、請求項12から28のいずれか一項に記載の方法。
  30. NO変換が、工程bが存在しないことを除いては同等である方法のNO変換よりも約4%から約12%高い、請求項12から29のいずれか一項に記載の方法。
  31. NO変換が、工程bが存在しないことを除いては同等である方法のNO変換よりも約5%から約6%高い、請求項12から30のいずれか一項に記載の方法。
  32. NO変換が、工程b及び加熱工程が存在しないことを除いては同等である方法のNO変換よりも高い、請求項16から18のいずれか一項に記載の方法。
  33. NO変換が、工程b及び加熱工程が存在しないことを除いては同等である方法のNO変換よりも約4%から約12%高い、請求項16から18のいずれか一項に記載の方法。
  34. NO変換が、工程b及び加熱工程が存在しないことを除いては同等である方法のNO変換よりも約8%から約10%高い、請求項16から18のいずれか一項に記載の方法。
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