JP2020510997A - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
X1は、N−L−(Ar)a、S、またはOを表し、
Lは、単結合、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表し、
Y1〜Y12は、それぞれ独立して、NまたはCR1を表し、
R1は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ(C1−C30)アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表す;または隣接する置換基に結合して置換もしくは非置換の環を形成し、
aは1〜4の整数を表し、aが2以上の整数である場合、それぞれのArは同じ場合も異なる場合もある)
で表される化合物を含み;
正孔輸送ゾーンがアリールアミン誘導体を含み、このアリールアミン誘導体のHOMOエネルギー準位が以下の式11:
−5.0eV≦HOMO≦−4.65eV (11)
を満たす有機エレクトロルミネッセンスデバイスによって、上記目的を実現できることを見出した。
−5.0eV≦HOMO≦−4.65eV (11)
−5.0eV≦HOMO≦−4.70eV (12)
[反応スキーム1]
R201〜R211は、それぞれ独立して水素、ジュウテリウム、ハロゲン、非置換、もしくはハロゲンおよび/またはジュウテリウムで置換された(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、または置換もしくは非置換の(C6−C30)アリールを表す;または隣接するR201〜R211に結合して置換もしくは非置換の縮合環を形成することができ;
nは1〜3の整数を表す)から選択される。
本開示によるOLEDデバイスを製造した。OLEDデバイス用のガラス基板上の透明電極のインジウムスズ酸化物(ITO)薄膜(10Ω/sq)(ジオマテック株式会社、日本)に対して、アセトンおよびイソプロピルアルコールを順次使用して超音波洗浄を行い、次にイソプロピルアルコール中に保管した。次に、このITO基板を真空蒸着装置の基板ホルダー上に搭載した。真空蒸着装のセル中に化合物HI−1を導入し、次に装置のチャンバー中の圧力を10−6torrに制御した。その後、セルに電流を印加して、導入した上記材料を蒸発させ、それによってITO基板上に90nmの第1の正孔注入層を形成した。次に、真空蒸着装置の別のセル中に化合物HI−2を導入し、セルに電流を印加することによって導入した材料を蒸発させ、それによって第1の正孔注入層の上に厚さ5nmの第2の正孔注入層を形成した。次に真空蒸着装置のセル中に化合物HT−2−46を導入し、セルに電流を印加することによって蒸発させ、それによって第2の正孔注入層の上に厚さ10nmの第1の正孔輸送層を形成した。次に、真空蒸着装置の別のセル中に、表1中に示される第2の正孔輸送層の化合物を導入し、セルに電流を印加することによって蒸発させ、それによって第1の正孔輸送層の上に厚さ60nmの第2の正孔輸送層(補助層)を形成した。正孔注入層および正孔輸送層の形成後、その上に発光層を以下のようにして形成した:真空蒸着装置の一方のセル中に表1中に示されるホスト材料をホストとして導入し、別のセル中に化合物D−39をドーパントとして導入した。これら2つの材料を蒸発させ、ホストおよびドーパントの量を基準として2重量%のドーピング量でドーパントを堆積して、正孔輸送層の上に厚さ40nmの発光層を形成した。次に、別の2つのセル中に化合物ET−1および化合物EI−1を導入し、1:1の比率で蒸発させて、発光層の上に厚さ35nmの電子輸送層を形成した。電子輸送層上に厚さ2nmの電子注入層として化合物EI−1を堆積した後、別の真空蒸着装置によって厚さの80nmのAlカソードを電子注入層の上に堆積した。このようにして、OLEDデバイスを製造した。
以下の表1中に示される化合物を第2の正孔輸送層中に使用し、化合物CBPをホスト中に使用したことを除けば、デバイス例1と同じ方法でOLEDデバイスを製造した。
以下の表1中に示される化合物を第2の正孔輸送層中に使用したことを除けば、デバイス例1と同じ方法でOLEDデバイスを製造した。
第1および第2の正孔注入層の代わりに化合物HT−1および化合物HI−2を1:0.03の比率で堆積して厚さ5nmの正孔注入層を形成し、次に化合物HT−1を蒸発させて厚さ100nmの第1の正孔輸送層を形成し、表1中に示される化合物を第2の正孔輸送層中に使用したことを除けば、デバイス例1と同じ方法でOLEDデバイスを製造した。
X 1 は、N−L−(Ar) a 、S、またはOを表し、
Lは、単結合、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表し、
Y 1 〜Y 12 は、それぞれ独立して、NまたはCR 1 を表し、
R 1 は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ(C1−C30)アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表す;または隣接する置換基に結合して置換もしくは非置換の環を形成し、
aは1〜4の整数を表し、aが2以上の整数である場合、それぞれのArは同じ場合も異なる場合もある)
で表される化合物を含み;
正孔輸送ゾーンがアリールアミン誘導体を含み、このアリールアミン誘導体のHOMOエネルギー準位が以下の式11:
−5.0eV≦HOMO≦−4.65eV (11)
を満たす有機エレクトロルミネッセンスデバイスによって、上記目的を実現できることを見出した。
−5.0eV≦HOMO≦−4.65eV (11)
−5.0eV≦HOMO≦−4.70eV (12)
[反応スキーム1]
R 201 〜R 211 は、それぞれ独立して水素、ジュウテリウム、ハロゲン、非置換、もしくはハロゲンおよび/またはジュウテリウムで置換された(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、または置換もしくは非置換の(C6−C30)アリールを表す;または隣接するR 201 〜R 211 に結合して置換もしくは非置換の縮合環を形成することができ;
nは1〜3の整数を表す)から選択される。
本開示によるOLEDデバイスを製造した。OLEDデバイス用のガラス基板上の透明電極のインジウムスズ酸化物(ITO)薄膜(10Ω/sq)(ジオマテック株式会社、日本)に対して、アセトンおよびイソプロピルアルコールを順次使用して超音波洗浄を行い、次にイソプロピルアルコール中に保管した。次に、このITO基板を真空蒸着装置の基板ホルダー上に搭載した。真空蒸着装のセル中に化合物HI−1を導入し、次に装置のチャンバー中の圧力を10 −6 torrに制御した。その後、セルに電流を印加して、導入した上記材料を蒸発させ、それによってITO基板上に90nmの第1の正孔注入層を形成した。次に、真空蒸着装置の別のセル中に化合物HI−2を導入し、セルに電流を印加することによって導入した材料を蒸発させ、それによって第1の正孔注入層の上に厚さ5nmの第2の正孔注入層を形成した。次に真空蒸着装置のセル中に化合物HT−2−46を導入し、セルに電流を印加することによって蒸発させ、それによって第2の正孔注入層の上に厚さ10nmの第1の正孔輸送層を形成した。次に、真空蒸着装置の別のセル中に、表1中に示される第2の正孔輸送層の化合物を導入し、セルに電流を印加することによって蒸発させ、それによって第1の正孔輸送層の上に厚さ60nmの第2の正孔輸送層(補助層)を形成した。正孔注入層および正孔輸送層の形成後、その上に発光層を以下のようにして形成した:真空蒸着装置の一方のセル中に表1中に示されるホスト材料をホストとして導入し、別のセル中に化合物D−39をドーパントとして導入した。これら2つの材料を蒸発させ、ホストおよびドーパントの量を基準として2重量%のドーピング量でドーパントを堆積して、正孔輸送層の上に厚さ40nmの発光層を形成した。次に、別の2つのセル中に化合物ET−1および化合物EI−1を導入し、1:1の比率で蒸発させて、発光層の上に厚さ35nmの電子輸送層を形成した。電子輸送層上に厚さ2nmの電子注入層として化合物EI−1を堆積した後、別の真空蒸着装置によって厚さの80nmのAlカソードを電子注入層の上に堆積した。このようにして、OLEDデバイスを製造した。
以下の表1中に示される化合物を第2の正孔輸送層中に使用し、化合物CBPをホスト中に使用したことを除けば、デバイス例1と同じ方法でOLEDデバイスを製造した。
以下の表1中に示される化合物を第2の正孔輸送層中に使用したことを除けば、デバイス例1と同じ方法でOLEDデバイスを製造した。
第1および第2の正孔注入層の代わりに化合物HT−1および化合物HI−2を1:0.03の比率で堆積して厚さ5nmの正孔注入層を形成し、次に化合物HT−1を蒸発させて厚さ100nmの第1の正孔輸送層を形成し、表1中に示される化合物を第2の正孔輸送層中に使用したことを除けば、デバイス例1と同じ方法でOLEDデバイスを製造した。
Claims (10)
- 第1の電極と、前記第1の電極に面する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間の発光層と、前記第1の電極と前記発光層との間の正孔輸送ゾーンとを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記発光層が以下の式1:
X1は、N−L−(Ar)a、S、またはOを表し、
Lは、単結合、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリーレン、または置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリーレンを表し、
Arは、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表し、
Y1〜Y12は、それぞれ独立して、NまたはCR1を表し、
R1は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ(C1−C30)アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表す;または隣接する置換基に結合して置換もしくは非置換の環を形成し、
aは1〜4の整数を表し、aが2以上の整数である場合、それぞれのArは同じ場合も異なる場合もある)
で表される化合物を含み;
前記正孔輸送ゾーンがアリールアミン誘導体を含み、前記アリールアミン誘導体のHOMOエネルギー準位が以下の式11:
−5.0eV≦HOMO≦−4.65eV (11)
を満たす、有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - L、Ar、およびR1における前記置換アルキル、前記置換アリール(エン)、前記置換ヘテロアリール(エン)、前記置換シクロアルキル、前記置換アルコキシ、前記置換トリアルキルシリル、前記置換ジアルキルアリールシリル、前記置換アルキルジアリールシリル、前記置換トリアリールシリル、前記置換モノ−もしくはジ−アルキルアミノ、前記置換モノ−もしくはジ−アリールアミノ、前記置換アルキルアリールアミノ、および前記置換された環の置換基が、それぞれ独立して、ジュウテリウム;ハロゲン;シアノ;カルボキシル;ニトロ;ヒドロキシル;(C1−C30)アルキル;ハロ(C1−C30)アルキル;(C2−C30)アルケニル;(C2−C30)アルキニル;(C1−C30)アルコキシ;(C1−C30)アルキルチオ;(C3−C30)シクロアルキル;(C3−C30)シクロアルケニル;(3〜7員)ヘテロシクロアルキル;(C6−C30)アリールオキシ;(C6−C30)アリールチオ;非置換、または(C1−C30)アルキルもしくは(C6−C30)アリールで置換された(5〜50員)ヘテロアリール;非置換、または(3〜50員)ヘテロアリールで置換された(C6−C30)アリール;トリ(C1−C30)アルキルシリル;トリ(C6−C30)アリールシリル;ジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル;(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル;アミノ;モノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ;モノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ;(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノ;(C1−C30)アルキルカルボニル;(C1−C30)アルコキシカルボニル;(C6−C30)アリールカルボニル;ジ(C6−C30)アリールボロニル;ジ(C1−C30)アルキルボロニル;(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールボロニル;(C6−C30)アリール(C1−C30)アルキル;ならびに(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 式1中のY1〜Y12の少なくとも1つの隣接する組がCR1であり、CR1の隣接する2つのR1が互いに縮合して、それぞれ独立して、以下の式2〜6:
Aは、NまたはCR2を表し;
R2およびR3は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ(C1−C30)アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表し;
- 前記アリールアミン誘導体が、以下の式11:
La〜Lcは、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリーレン、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリーレン、または置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキレンを表し、
Ar1〜Ar3は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、または置換もしくは非置換の(5〜30員)ヘテロアリールを表し、但し、Ar1〜Ar3の少なくとも1つは以下の式:
Xは、それぞれ独立して、O、S、NR8、またはCR9R10を表し、
B環は、置換もしくは非置換のC10アリールを表し、
ZおよびVは、それぞれ独立して、OまたはSを表し、
A1〜A12は、それぞれ独立して、NまたはCR43を表し、
Ldは、単結合、または置換もしくは非置換の(C6−C30)アリーレンを表し、
R11〜R35は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(5〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換の(3〜7員)ヘテロシクロアルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール(C1−C30)アルキル、−NR36R37、−SiR38R39R40、−SR41、−OR42、シアノ、ニトロ、またはヒドロキシルを表す、または隣接する置換基に結合して置換もしくは非置換の環を形成することができ、前記環はスピロ構造を含むことができ、
R8〜R10およびR36〜R43は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、シアノ、ハロゲン、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル、置換もしくは非置換の(C6−C30)アリール、置換もしくは非置換の(3〜30員)ヘテロアリール、置換もしくは非置換の(C3−C30)シクロアルキル、置換もしくは非置換の(3〜7員)ヘテロシクロアルキル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ(C1−C30)アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ(C6−C30)アリールシリル、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ、または置換もしくは非置換の(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノを表す、または隣接する置換基に結合して置換もしくは非置換の環を形成することができ、
b、c、e、g、h、j、k、m、n、o、q、r、およびsは、それぞれ独立して、1〜4の整数を表し;d、f、p、およびtは、それぞれ独立して、1〜3の整数を表し;iは1〜6の整数を表し;lは1または2を表し;b〜tのそれぞれが2以上の整数である場合、R11、R12、R14〜R17、R22〜R28、およびR30〜R35のそれぞれは同じ場合も異なる場合もある)から選択される)で表される化合物を含む、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - La〜Ld、Ar1〜Ar3、およびR8〜R43における前記置換アルキル、前記置換アリール(エン)、前記置換ヘテロアリール(エン)、前記置換シクロアルキル、前記置換ヘテロシクロアルキル、前記置換アリールアルキル、および前記置換された環の置換基が、それぞれ独立して、ジュウテリウム;ハロゲン;シアノ;カルボキシル;ニトロ;ヒドロキシル;(C1−C30)アルキル;ハロ(C1−C30)アルキル;(C2−C30)アルケニル;(C2−C30)アルキニル;(C1−C30)アルコキシ;(C1−C30)アルキルチオ;(C3−C30)シクロアルキル;(C3−C30)シクロアルケニル;(3〜7員)ヘテロシクロアルキル;(C6−C30)アリールオキシ;(C6−C30)アリールチオ;非置換、または(C1−C30)アルキルもしくは(C6−C30)アリールで置換された(5〜50員)ヘテロアリール;非置換、または(3〜50員)ヘテロアリールで置換された(C6−C30)アリール;トリ(C1−C30)アルキルシリル;トリ(C6−C30)アリールシリル;ジ(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールシリル;(C1−C30)アルキルジ(C6−C30)アリールシリル;アミノ;モノ−もしくはジ−(C1−C30)アルキルアミノ;モノ−もしくはジ−(C6−C30)アリールアミノ;(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールアミノ;(C1−C30)アルキルカルボニル;(C1−C30)アルコキシカルボニル;(C6−C30)アリールカルボニル;ジ(C6−C30)アリールボロニル;ジ(C1−C30)アルキルボロニル;(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールボロニル;(C6−C30)アリール(C1−C30)アルキル;および(C1−C30)アルキル(C6−C30)アリールからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記アリールアミン誘導体のHOMOエネルギー準位が以下の式12:
−5.0eV≦HOMO≦−4.70eV (12).
を満たす、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記第1の電極と発光層との間に第1の正孔輸送層、前記第1の正孔輸送層と発光層との間に第2の正孔輸送層を含み、前記第2の正孔輸送層が、フルオレンまたは縮合フルオレンを含むアリールアミン誘導体を含み、前記アリールアミン誘導体のHOMOエネルギー準位が前記式11を満たす、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記正孔輸送ゾーンが、pドープされた正孔注入層、正孔輸送層、および発光補助層を含む、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
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