JP2020507888A - 改善された熱伝導性を有する誘電体層 - Google Patents

Abstract

一実施形態では、誘電体層は、フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、複数のシリカ粒子、及び強化層を含む。誘電体層は、２０〜４５体積パーセントのフルオロポリマー、１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子、１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子、１０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子、及び５〜１５体積パーセントの強化層の少なくとも１つを含むことができ；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている。

Description

本発明は改善された熱伝導性を有する誘電体層に関する。

回路サブアセンブリは、単層回路及び多層回路の製造に使用され、たとえば、回路積層体、ボンドプライ、樹脂被覆導電層、及びカバーフィルム、ならびにパッケージング基板積層体、及びビルドアップ材料を含む。上記のサブアセンブリのそれぞれは誘電体材料の層を含む。電子デバイス及びその上の特徴がより小さくなると、結果として得られる高密度の回路レイアウトの温度管理がますます重要となる。誘電体層中に熱伝導性粒子状フィラーを混入することによって回路積層体の熱伝導性を改善するために、多くの労力が費やされてきた。多量の熱伝導性粒子状フィラーを加えることによって熱伝導率の増加が示されているが、熱伝導性粒子状フィラーの量が増加すると、誘電体層の１つ以上の機械的性質に悪影響が生じることがある。

したがって、他の性質の容認できない妥協を生じさせることなく、回路積層体の熱伝導性を改善することが当分野において依然として必要とされている。

フルオロポリマーと誘電体フィラー組成物とを含む熱伝導性誘電体層が本明細書に開示される。

一実施形態では、誘電体層は、２５〜４５体積パーセントのフルオロポリマー；１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子；及び５〜１５体積パーセントの強化層を含み；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている。

誘電体層の製造方法であって、フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、複数のシリカ粒子、及び複数のガラス繊維を含む混合物を形成するステップと；この混合物から誘電体層を形成するステップとを含み；誘電体層が、２５〜４５体積パーセントのフルオロポリマー；１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子；及び５〜１５体積パーセントの強化層を含み；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている方法も本明細書に開示される。

誘電体層のさらなる製造方法の１つは、フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、及び複数のシリカ粒子を含む混合物を強化層に含浸させて誘電体層を形成するステップを含み；この誘電体層は、２５〜４５体積パーセントのフルオロポリマー；１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子；及び５〜１５体積パーセントの強化層を含み；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている。

誘電体層を含む物品であって；誘電体層が、２５〜４５体積パーセントのフルオロポリマー；１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子；及び５〜１５体積パーセントの強化層を含み；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている物品がさらに本明細書に開示される。この物品は誘電体層を含む多層回路基板であってよい。

上記及びその他の特徴は、以下の図、詳細な説明、及び請求項によって例示される。
代表的で非限定的な図面が参照され、添付の図面中、同様の要素には同様の番号が付けられている。

誘電体層の断面図の一実施形態を示している。 図１の誘電体層を含むシングルクラッド回路材料の断面図の一実施形態を示している。 図１の誘電体層を含むダブルクラッド回路材料の断面図の一実施形態を示している。 パターン化されたパッチを有する図３の金属クラッド回路積層体の断面図の一実施形態を示している。

窒化ホウ素は、回路材料の誘電体層中に頻繁に使用される、熱伝導率を増加させ、温度管理に役立つ高熱伝導性セラミックフィラーである。誘電体層中に窒化ホウ素を混入すると熱伝導率を増加させることができるが、窒化ホウ素の量が増加すると機械的性質が低下することがある。たとえば、フィラーの粒度分布、表面積、及び表面化学に依存するが、５０体積パーセント以上の使用量では、材料中の粉末の最大充填比を超えることがあり、そのため追加の粉末を加えると、材料中に取り込まれる空隙の数が増加し、材料が脆くなることがある。誘電体層に接合される銅箔の剥離強度は、高熱伝導率を実現するために必要な窒化ホウ素の体積組成ではフィラー材料の表面偏析が起こることが多いために高使用量の窒化ホウ素によって影響されうる機械的性質のさらなる一例である。この表面偏析によって、銅箔剥離強度が工業規格未満の値まで実質的に低下しうる。複数の窒化ホウ素粒子；１〜２５マイクロメートルの二酸化チタンＤ_５０値を有する複数の二酸化チタン粒子；及び複数のシリカ粒子を含む独自のフィラー組成物によって、窒化ホウ素粒子の量を減少させながら、高熱伝導性を維持できることを発見した。たとえば、このフィラー組成物は、１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；１〜２５マイクロメートルの二酸化チタンＤ_５０値を有する１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；及び０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子を含むことができる。本明細書において使用される場合、粒度は動的光散乱によって測定される。特に、独自のサイズ及び量の複数の二酸化チタン粒子によって、窒化ホウ素の量を減少させることができ、その結果、誘電体層の改善された熱的性質を得ることができる。このような高熱伝導率を実現するフィラー組成物の性質は、ある量の窒化ホウ素を二酸化チタンで置き換えると熱伝導率の低下が生じると予想されるので、驚くべきことである。

さらに驚くべきことに、この高熱伝導率は、強化された誘電体層において観察され、強化層は一般に誘電体層の熱伝導率を低下させる。特に、本発明の誘電体層は、ＡＳＴＭ Ｄ５４７０−１２に準拠して測定して、実施例１の誘電体層を基準として、０．８以上のｚ方向相対ｚ方向熱伝導率を実現できる。強化層を用いて高熱伝導性を実現できる性質によって、誘電体層の機械的性質が改善され、強化層なしでは実現できない曲げ強度が実現可能となる。

誘電体層はフルオロポリマーを含む。本明細書において使用される場合、「フルオロポリマー」は、フッ素化アルファ−オレフィンモノマー、すなわち、少なくとも１つのフッ素原子置換基を含むアルファ−オレフィンモノマーと、場合により、フッ素化アルファ−オレフィンモノマーに対して反応性の非フッ素化エチレン性不飽和モノマーとから誘導される繰り返し単位を含むホモポリマー及びコポリマーを含む。代表的なフッ素化アルファ−オレフィンモノマーとしては、ＣＦ_２＝ＣＦ_２、ＣＨＦ＝ＣＦ_２、ＣＨ_２＝ＣＦ_２、ＣＨＣｌ＝ＣＨＦ、ＣＣｌＦ＝ＣＦ_２、ＣＣｌ_２＝ＣＦ_２、ＣＣｌＦ＝ＣＣｌＦ、ＣＨＦ＝ＣＣｌ_２、ＣＨ_２＝ＣＣｌＦ、ＣＣｌ_２＝ＣＣｌＦ、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＦ_３ＣＨ＝ＣＦ_２、ＣＦ_３ＣＨ＝ＣＨ_２、ＣＨＦ_２ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２、及びパーフルオロ（Ｃ_２〜８アルキル）ビニルエーテル、たとえばパーフルオロメチルビニルエーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、及びパーフルオロオクチルビニルエーテルが挙げられる。フッ素化アルファ−オレフィンモノマーは、テトラフルオロエチレン（ＣＦ_２＝ＣＦ_２）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＣｌＦ＝ＣＦ_２）、（パーフルオロブチル）エチレン、フッ化ビニリデン（ＣＨ_２＝ＣＦ_２）、ヘキサフルオロプロピレン（ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_３）、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。代表的な非フッ素化モノエチレン性不飽和モノマーとしては、エチレン、プロピレン、ブテン、及びエチレン性不飽和芳香族モノマー、たとえばスチレン及びアルファ−メチル−スチレンが挙げられる。代表的なフルオロポリマーとしては、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）（ＰＣＴＦＥ）、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−プロピレン）、ポリ（エチレン−テトラフルオロエチレン）（ＥＴＦＥ）、ポリ（エチレン−クロロトリフルオロエチレン）（ＥＣＴＦＥ）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）、ポリ（テトラフルオロエチレン−エチレン−プロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン）（フッ素化エチレン−プロピレンコポリマー（ＦＥＰ）とも呼ばれる）、ポリ（テトラフルオロエチレン−プロピレン）（フルオロエラストマー（ＦＥＰＭとも呼ばれる））、ポリ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピレンビニルエーテル）、テトラフルオロエチレン主鎖と完全フッ素化アルコキシ側鎖とを有するコポリマー（パーフルオロアルコキシポリマー（ＰＦＡ）とも呼ばれる）（たとえば、ポリ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピレンビニルエーテル）））、ポリビニルフルオリド（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン−クロロトリフルオロエチレン）、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロスルホン酸、及びパーフルオロポリオキセタン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを挙げることができる。フルオロポリマーは、パーフルオロアルコキシアルカンポリマー又はフッ素化エチレン−プロピレンの少なくとも１つを含むことができる。フルオロポリマーはパーフルオロアルコキシアルカンポリマーを含むことができる。これらのフルオロポリマーを少なくとも１つ含む組合せを使用することができる。

いくつかの実施形態では、フルオロポリマーはＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、又はＰＴＦＥの少なくとも１つであり、これらはフィブリル形成性、又は非フィブリル形成性であってよい。ＦＥＰは、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）よりテフロン（登録商標）ＦＥＰ（ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＦＥＰ）の商品名、又はダイキン（Ｄａｉｋｉｎ）よりネオフロンＦＥＰ（ＮＥＯＦＬＯＮ ＦＥＰ）の商品名で入手可能であり；ＰＦＡは、ダイキン（Ｄａｉｋｉｎ）よりネオフロンＰＦＡ（ＮＥＯＦＬＯＮ ＰＦＡ）の商品名、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）よりテフロン（登録商標）ＰＦＡ（ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＰＦＡ）の商品名、又はソルベイ・ソレクシス（Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ）よりハイフロンＰＦＡ（ＨＹＦＬＯＮ ＰＦＡ）の商品名で入手可能である。

フルオロポリマーはＰＴＦＥを含むことができる。ＰＴＦＥは、ＰＴＦＥホモポリマー、わずかに変性されたＰＴＦＥホモポリマー、又はこれらの一方もしくは両方を含む組合せを含むことができる。本明細書において使用される場合、わずかに変性されたＰＴＦＥホモポリマーは、ポリマーの全重量を基準として、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーから誘導される１重量％未満の繰り返し単位を含む。

フルオロポリマーは、フルオロポリマーの末端を含むフルオロポリマーの主鎖中に架橋性モノマーを組み込むことによって架橋性にすることができる。架橋性モノマーは、結果として得られることが望まれる性質により、当業者に周知のあらゆる熱的、化学的、又は光により開始される架橋技術によって架橋させることができる。代表的な架橋性フルオロポリマーの１つは、アクリレート及びメタクリレートの両方を含む（メタ）アクリレート官能基を含む（メタ）アクリレートフルオロポリマーである。たとえば、架橋性フルオロポリマーは式：
Ｈ_２Ｃ＝ＣＲ’ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｒ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＯＯＣＲ’＝ＣＨ_２
で表すことができ、式中、Ｒは、前述のフッ素化アルファ−オレフィンモノマー又は非フッ素化モノエチレン性不飽和モノマーのオリゴマーであり、Ｒ’はＨ又は−ＣＨ_３であり、ｎは１〜４である。Ｒは、テトラフルオロエチレンから誘導される単位を含むオリゴマーであってよい。

フルオロポリマー上のアクリレート基を介してラジカル架橋反応を開始するために、（メタ）アクリレートフルオロポリマーをフリーラジカル源に曝露することによって、架橋フルオロポリマー網目構造を形成することができる。フリーラジカル源は、紫外（ＵＶ）光感受性ラジカル開始剤、又は有機過酸化物の熱分解であってよい。適切な光開始剤及び有機過酸化物は当技術分野においてよく知られている。架橋性フルオロポリマーは市販されており、たとえばデュポン・カンパニー（ＤｕＰｏｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ）のバイトンＢ（ＶＩＴＯＮ Ｂ）である。

誘電体層は、誘電体層の全体積を基準として２０〜４５体積パーセント、又は３５〜４５体積パーセントのフルオロポリマーを含むことができる。
誘電体層は、窒化ホウ素、二酸化チタン、及びシリカを含むフィラー組成物を含む。フィラー組成物は、窒化ホウ素、ルチル二酸化チタン、及びシリカを含むことができる。フィラー組成物は、それぞれ高誘電率及び低誘電率を有するルチル二酸化チタン及び非晶質シリカを含むことができるが、その理由は、この組合せによって、それぞれの量を調節することで、誘電体層中での広範囲の誘電率と低散逸率との組合せが可能となるからである。

誘電体層は、複数の窒化ホウ素粒子（本明細書では窒化ホウ素とも記載される）を含む。窒化ホウ素粒子は、結晶、多結晶、非晶質、又はそれらの組合せであってよい。窒化ホウ素粒子はプレートレット（たとえば、六方晶プレートレット）の形態であってよい。窒化ホウ素粒子は、５〜４０マイクロメートル、１０〜２５マイクロメートル、又は１２〜２０マイクロメートル、又は１５〜２０マイクロメートルのＤ_５０粒度を有することができる。本明細書において使用される場合、Ｄ_５０粒度は、レーザ光散乱によって測定して、粒子の数の５０％がＤ_５０値よりも大きく、粒子の数の５０％がＤ_５０値よりも小さいことに対応する。窒化ホウ素プレートレットに適用すると、Ｄ_５０値は最大横寸法を意味することができる。窒化ホウ素プレートレットは、１〜５マイクロメートル、又は１〜２マイクロメートルの厚さを有することができる。横寸法の厚さに対する比は５以上、又は１０以上となりうる。窒化ホウ素粒子は、０．５〜２０平方メートル／グラム（ｍ^２／ｇ）、又は１〜１５ｍ^２／ｇの平均表面積を有することができる。

フィラー組成物は、場合により、窒化ホウ素繊維、窒化ホウ素チューブ、球状窒化ホウ素粒子、卵形窒化ホウ素粒子、不規則な形状の窒化ホウ素粒子、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せをさらに含むことができる。窒化ホウ素繊維及びチューブは、１０ｎｍ〜１０マイクロメートルの平均外径、及び１マイクロメートル以上、もしくは１０マイクロメートル〜１０センチメートル（ｃｍ）、もしくは５００マイクロメートル〜１ｍｍの長さの一方又は両方を有することができる。窒化ホウ素繊維又はチューブは、長さ／断面寸法として計算されるアスペクト比が１０〜１，０００，０００、又は２０〜５００，０００、又は４０〜２５０，０００であってよい。

窒化ホウ素は、１００〜２，０００ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）、又は１００〜１，８００Ｗ／ｍ・Ｋ、又は１００〜１，６００Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有することができる。熱伝導率の測定方法はＡＳＴＭ Ｅ１２２５−１３に準拠している。

誘電体層は、誘電体層の全体積を基準として、１５〜３５体積パーセント、又は１５〜３０体積パーセント、又は１８〜３０体積パーセント、又は２０〜２５体積パーセントの窒化ホウ素粒子を含むことができる。誘電体層が含む窒化ホウ素が少なすぎる場合は、所望の熱伝導性を実現できない場合があり、誘電体層が含む窒化ホウ素が多すぎる場合は、機械的性質の低下が観察されることがある。

窒化ホウ素粒子は、誘電体層中に凝集体を形成することがある。これらの凝集体は、１〜２００マイクロメートル、又は２〜１２５マイクロメートル、又は３〜４０マイクロメートルの平均凝集体サイズ分布（ＡＳＤ）、又は直径を有することができる。窒化ホウ素は、凝集体及び／又は非凝集窒化ホウ素粒子の混合物として存在することができる。特に、誘電体層の透過電子顕微鏡写真から求めると、５０体積パーセント以下、３０体積パーセント以下、又は１０体積パーセント以下の窒化ホウ素が誘電体層中で凝集しうる。

誘電体層は、複数の二酸化チタン粒子（本明細書において二酸化チタンとも記載される）を含む。二酸化チタンは、ルチル二酸化チタン、アナターゼ二酸化チタン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。二酸化チタンはルチル二酸化チタンを含むことができる。二酸化チタン粒子は、１〜４０マイクロメートル、又は５〜４０マイクロメートル、１〜２５マイクロメートル、又は１〜２０マイクロメートルのＤ_５０粒度を有することができる。二酸化チタン粒子は、複数の平坦面を有する不規則なものであってよい。

誘電体層は、誘電体層の全体積を基準として０〜４０体積パーセント、１〜３５体積パーセント、又は１〜３２体積パーセント、又は１〜１０体積パーセントの二酸化チタン粒子を含むことができる。

誘電体層は、複数のシリカ粒子（本明細書においてシリカとも記載される）を含むことができる。シリカ粒子は、微結晶シリカ、非晶質シリカ（たとえば、溶融非晶質シリカ）、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。シリカ粒子は、球状又は不規則であってよい。シリカ粒子は、５〜１５マイクロメートル、又は５〜１０マイクロメートルのＤ_５０粒度を有することができる。小さな粒度のシリカ粒子によって、強化層が組み込まれる場合でさえも良好な誘電特性を得ることができる。

誘電体層は、誘電体層の全体積を基準として０〜３５体積パーセント、又は０〜２５体積パーセント、又は１５〜３０体積パーセントのシリカ粒子を含むことができる。
フィラー組成物は、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ガラスビーズ、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せをさらに含むことができる。フィラー組成物は、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_４、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せをさらに含むことができる。

窒化ホウ素のシリカに対する体積比は、１：０〜１：２、又は１：０〜１：１．５、又は１：０．５〜１：１．５、又は１：０．８〜１：１．４であってよい。窒化ホウ素のＤ_５０値のシリカのＤ_５０値に対する比は、１：０．２５〜１：１．２５、又は１：０．３〜１：１．１、又は１：０．２５〜１：０．７５、又は１：０．４〜１：０．６であってよい。窒化ホウ素の二酸化チタンに対する体積比は、１：０．０１〜１：１．７、又は１：０．２〜１：１．５であってよい。窒化ホウ素の二酸化チタンに対する体積比は、１：０．１〜１：０．６、又は１：０．２〜１：０．４であってよい。窒化ホウ素のＤ_５０値の二酸化チタンのＤ_５０値に対する比は、１：０．１〜１：２．５、又は１：０．１〜１：２であってよい。窒化ホウ素のＤ_５０値の二酸化チタンのＤ_５０値に対する比は１：０．８〜１：１．２であってよい。

窒化ホウ素粒子、二酸化チタン粒子、及びシリカ粒子の１つ以上は、フルオロポリマー中への分散を促進するために、たとえば界面活性剤、シラン、有機ポリマー、又は別の無機材料で表面処理することができる。たとえば、粒子にオレイルアミン、オレイン酸などの界面活性剤をコーティングすることができる。シランは、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピル−メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、フェニルシラン、トリクロロ（フェニル）シラン、３−（トリエトキシシリル）プロピルスクシニル無水物、トリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン、ビニルベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビニル−トリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス（ベータメトキシエトキシ）シラン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。シランは、フェニルシランを含むことができる。シランは、置換フェニルシラン、たとえば米国特許第４，７５６，９７１号明細書に記載のものを含むことができる。シランは、コーティングされる粒子の全重量を基準として０．０１〜２重量％、又は０．１〜１重量％で存在することができる。粒子には、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、銀、又は上記の１つ以上を含む組合せをコーティングすることができる。粒子は、塩基触媒ゾルゲル技術、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）の湿式及び乾式コーティング技術、又はポリ（エーテルエーテルケトン）（ＰＥＥＫ）の湿式及び乾式コーティング技術によってコーティングすることができる。

窒化ホウ素粒子は、セラミック、金属酸化物、金属水酸化物、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含む表面コーティングを含むことができる。表面コーティングは、シリカ、アルミナ、ベーマイト、水酸化マグネシウム、チタニア、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。表面コーティングは、ポリシラザン、ポリカルボシラン、シロキサン、ポリシロキサン、ポリカルボシロキサン、シルセスキオキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリカルボシラザン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せから得ることができる。

誘電体層は、硬化中の誘電体層の面内での収縮の制御を促進することができ、強化層を有さない同じ誘電体層よりも高い機械的強度を付与することが可能な、複数の繊維を含む強化層を含む。強化層は製織層又は不織層であってよい。繊維は、ガラス繊維（Ｅガラス繊維、Ｓガラス繊維、及びＤガラス繊維など）、シリカ繊維、ポリマー繊維（ポリエーテルイミド繊維、ポリスルホン繊維、ポリ（エーテルケトン）繊維、ポリエステル繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリカーボネート繊維、芳香族ポリアミド繊維、クラレ（Ｋｕｒａｒａｙ）より市販されるベクトラン（ＶＥＣＴＲＡＮ）などの液晶ポリマー繊維など）、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。これらの繊維は１０ナノメートル〜１０マイクロメートルの直径を有することができる。強化層は、２００マイクロメートル以下、又は５０〜１５０マイクロメートルの厚さを有することができる。誘電体層は、５〜１５体積パーセント、又は６〜１０体積パーセント、又は７〜１１体積パーセント、又は７〜９体積パーセントの強化層を含むことができる。

誘電体層の厚さは、その意図する使用によって左右される。誘電体層の厚さは、５〜１，０００マイクロメートル、又は５〜５００マイクロメートル、又は５〜４００マイクロメートルであってよい。別の一実施形態では、誘電体基板層として使用される場合、その複合材料の厚さは、２５０〜４，０００マイクロメートル、又は５００マイクロメートル〜２，０００マイクロメートル、又は５００マイクロメートル〜１，０００マイクロメートルである。

誘電体層は、１０ギガヘルツ（ＧＨｚ）の周波数で測定して２以上、又は２〜６．５、又は２〜５の誘電率を有することができる。誘電体層は、１０ＧＨｚの周波数で測定して０．００３以下の散逸率を有することができる。誘電率（Ｄｋ）及び誘電損失又は散逸率（Ｄｆ）は、２３〜２５℃の温度における「Ｘバンドにおける誘電率及び誘電正接のためのストリップライン試験」（Ｓｔｒｉｐｌｉｎｅ Ｔｅｓｔ ｆｏｒ Ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ ａｎｄ Ｌｏｓｓ Ｔａｎｇｅｎｔ ａｔ Ｘ−Ｂａｎｄ）試験方法ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．５．５．５に準拠して測定することができる。

誘電体層は、０．５〜１０Ｗ／ｍ・Ｋ、又は０．５〜５Ｗ／ｍ・Ｋ、又は１〜２Ｗ／ｍ・Ｋのｚ方向熱伝導率を有することができる。「ｚ方向熱伝導率」は、誘電体層の面に対して垂直方向の熱伝導率を意味する。ｚ方向熱伝導率はＡＳＴＭ Ｄ５４７０−１２に準拠して測定することができる。

誘電体層は、フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、任意選択の複数のシリカ粒子、及び任意選択の溶媒を含む混合物を強化層に含浸させることによって作製することができる。この含浸は、混合物の強化層上へのキャスティング、又は強化層の混合物中へのディップコーティング、又は混合物の強化層上へのロールコーティングを含むことができる。

誘電体層は、水中にフィラー組成物及び複数のガラス繊維を含む混合物を形成するステップと；分散体の形態、たとえば水中のフルオロポリマーを加えるステップと；誘電体層を形成するステップとによって作製することができる。この形成のステップは、ペースト押出成形及びカレンダー加工を含むことができる。形成のステップは製紙機上で形成するステップを含むことができる。

混合物は、フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、複数のシリカ粒子、及び任意選択の溶媒を混合することによって形成することができる。混合物は、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、複数のシリカ粒子、及び任意選択のフィラー組成物溶媒を含むフィラー組成物と、フルオロポリマー及び任意選択のフルオロポリマー組成物溶媒を含むフルオロポリマー組成物とを混合することによって形成することができる。正確な厚さまで混合物を計量供給することによって、誘電体層の厚さを制御することができる。強化層の形成後、溶媒を除去することができる。

溶媒は、混合物の粘度を調整するために存在することができ、たとえば強化層の含浸中に、誘電体層の形成を促進することができる。溶媒の選択は、フルオロポリマー及びフィラー組成物を溶解又は分散させ、混合物の塗布及び誘電体層の乾燥のために好都合な蒸発速度を有するように行うことができる。溶媒及び分散媒体の非排他的な一覧としては、アルコール（メタノール、エタノール、及びプロパノールなど）、シクロヘキサン、ヘプタン、ヘキサン、イソホロン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ノナン、オクタン、トルエン、水、キシレン、及びテルペン系溶媒が挙げられる。たとえば、溶媒は、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含むことができる。溶媒は水を含むことができる。誘電体基板の形成方法が、フィラー組成物及びフルオロポリマー組成物を形成するステップを含む場合、フィラー組成物溶媒とフルオロポリマー組成物溶媒とは同じ場合も異なる場合もある。たとえば、フルオロポリマー組成物溶媒は水を含むことができ、フィラー組成物溶媒はアルコールを含むことができる。

たとえば、フルオロポリマーからのフィラー組成物の沈降又は浮遊による分離を遅らせるためと、誘電体層の形成に適合した粘度を有する混合物を得るために、混合物は粘度調整剤を含むことができる。代表的な粘度調整剤としては、ポリアクリル酸、植物ガム、及びセルロース系化合物が挙げられる。粘度調整剤の具体例としては、ポリアクリル酸、メチルセルロース、ポリエチレンオキシド、グアーガム、イナゴマメゴム、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウム、及びトラガカントゴムが挙げられる。あるいは、溶媒の粘度が、対象となる時間の間に分離しない混合物を得るのに十分である場合は、粘度調整剤を省くことができる。

強化層の含浸後、たとえば、溶媒もしくは粘度調整剤を除去するため、又はフルオロポリマーを焼結させるために、誘電体層を加熱することができる。
１つ以上の誘電体層及び１つ以上の導電層を含む多層スタックを形成するステップと；多層スタックを積層するステップとによって、積層体を形成することができる。多層スタック間の接着を促進するために、場合により多層スタック中に接着層が存在することができる。層を接合させ積層体を形成するのに適切な時間の間、ある圧力及び温度下のプレス機、たとえば、真空プレス機中に多層スタックを入れることができる。あるいは、誘電体基板は、銅箔などの導電層がなくてもよい。

誘電体層を含む回路材料は、導電層が上に配置された誘電体層を有する多層材料を形成することによって作製することができる。有用な導電層としては、たとえば、ステンレス鋼、銅、金、銀、アルミニウム、亜鉛、スズ、鉛、遷移金属、又はこれらを少なくとも１つ含む合金が挙げられる。導電層の厚さに関する特定の制限はなく、導電層の表面の形状、サイズ、又はテクスチャーに関する制限もない。導電層は３〜２００マイクロメートル、又は９〜１８０マイクロメートルの厚さを有することができる。２つ以上の導電層が存在する場合、２つの層の厚さは同じ場合も異なる場合もある。導電層は銅層を含むことができる。適切な導電層としては、回路の形成に現在使用されている銅箔、たとえば電着された銅箔などの導電性金属の薄層が挙げられる。銅箔は２マイクロメートル以下、又は０．７マイクロメートル以下の二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さを有することができ、粗さはスタイラスプロフィルメータを用いて測定される。

導電層及び誘電体層を積層することによって、ダイレクトレーザストラクチャリングによって、又は接着層を介して導電層を基板に接着することによって、導電層を取り付けることができる。回路材料の個別の材料及び形態によって許容される当技術分野において周知の別の方法、たとえば、電着、化学気相成長などを使用して、導電層を取り付けることができる。

積層は、誘電体層、導電層、及び誘電体層と導電層との間の任意選択の中間層を含む多層スタックを積層して、層状構造を形成することを伴う場合がある。導電層は、中間層を使用せずに誘電体層と直接接触してもよい。次に層を接合させ積層体を形成するのに適切な時間の間、ある圧力及び温度下のプレス機、たとえば、真空プレス機中にこの層状構造を入れることができる。積層及び任意選択の硬化は、１段階プロセスによって、たとえば真空プレス機を用いて行うことができるし、又は多段階プロセスによって行うこともできる。１段階プロセスでは、層状構造をプレス機中に入れ、積層圧力（たとえば、１５０〜１，２００ポンド／平方インチ（ｐｓｉ））（１．０〜８．３メガパスカル）にして、積層温度（たとえば、摂氏２６０〜３９０度（℃））まで加熱することができる。積層温度及び圧力を所望の均熱時間の間、たとえば２０分間維持し、その後（依然として圧力下で）１５０℃以下まで冷却することができる。

中間層が存在する場合、中間層は導電層と誘電体層との間に配置することができるポリフルオロカーボンフィルムを含むことができ、マイクロガラス強化フルオロカーボンポリマーの任意選択の層をポリフルオロカーボンフィルムと導電層との間に配置することができる。マイクロガラス強化フルオロカーボンポリマーの層は、導電層の基板に対する接着力を増加させることができる。マイクロガラスは、層の全重量を基準として４〜３０重量パーセント（重量％）の量で存在することができる。マイクロガラスは９００マイクロメートル以下、又は５００マイクロメートル以下の最大長さスケールを有することができる。マイクロガラスは、コロラド州デンバーのジョンズ・マンビル・コーポレーション（Ｊｏｈｎｓ−Ｍａｎｖｉｌｌｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）より市販される種類のマイクロガラスであってよい。ポリフルオロカーボンフィルムは、フルオロポリマー（ポリテトラフルオロエチレン、フッ素化エチレン−プロピレンコポリマー、及びテトラフルオロエチレン主鎖と完全フッ素化アルコキシ側鎖とを有するコポリマーなど）を含む。

導電層は、レーザダイレクトストラクチャリングによって取り付けることができる。ここで、誘電体層はレーザダイレクトストラクチャリング添加剤を含み；レーザダイレクトストラクチャリングは、基板の表面に照射するためにレーザを用いるステップと、レーザダイレクトストラクチャリング添加剤のトラックを形成するステップと、トラックに導電性金属を取り付けるステップとを含むことができる。レーザダイレクトストラクチャリング添加剤は、金属酸化物粒子（酸化チタン及び銅クロム酸化物など）を含むことができる。レーザダイレクトストラクチャリング添加剤は、スピネル銅などのスピネル系無機金属酸化物粒子を含むことができる。金属酸化物粒子には、たとえば、スズ及びアンチモン（たとえば、コーティングの全重量を基準として５０〜９９重量％のスズ及び１〜５０重量％のアンチモン）を含む組成物をコーティングすることができる。レーザダイレクトストラクチャリング添加剤は、１００部のそれぞれの組成物を基準として２〜２０部の添加剤を含むことができる。照射は、１，０６４ナノメートルの波長を有するＹＡＧレーザを用いて、１０ワットの出力、８０キロヘルツ（ｋＨｚ）の周波数、及び３メートル／秒の速度で行うことができる。導電性金属は、たとえば銅を含む無電解めっき浴中でめっきプロセスを用いて取り付けることができる。

導電層は、導電層を接着的に取り付けることによって取り付けることができる。導電層は、回路（別の回路の金属化層）、たとえばフレックス回路であってよい。１つ以上の導電層と基板との間に接着層を配置することができる。

代表的な誘電体層の１つが図１中に示される。誘電体層１００は、フルオロポリマー、フィラー組成物、及び強化層３００を含む。強化層３００は製織層又は不織層であってよい。誘電体層１００は第１の平坦面１２及び第２の平坦面１４を有する。誘電体層１００は、強化層の第１の側の上に配置される第１の誘電体層部分１６、及び強化層の第２の側の上に配置される第２の誘電体層部分１８を有することができる。本明細書において使用される場合、「第１の誘電体」及び「第２の誘電体」という用語は、強化層３００のそれぞれの側の上の領域を意味し、種々の実施形態が２つの別個の部分に限定されるものではない。

「線の厚さ」を有する波線によって強化層３００が図１〜４中に示されているが、このような描写は一般的な説明を目的としたものであり、本明細書に開示される実施形態の範囲の限定を意図したものではないことは理解されるであろう。強化層３００は、強化層３００中の空隙を介して誘電体層１００の間の接触を可能にする製織又は不織繊維材料であってよい。

図１の誘電体層１００を含む代表的な回路材料の１つが図２中に示されており、導電層２０が誘電体層１００の平坦面１４上に配置されて、シングルクラッド回路材料５０が形成される。本明細書及び本開示全体にわたって使用される場合、「配置される」は、複数の層が互いを部分的又は完全に覆うことを意味する。導電層２０と誘電体層１００との間に介在層、たとえば接着層が存在することができる（図示せず）。

別の代表的な一実施形態が図３中に示されており、ダブルクラッド回路材料５０は、２つの導電層２０及び３０の間に配置された図１の誘電体層１００を含む。導電層２０及び３０の一方又は両方は、ダブルクラッド回路を形成するための回路（図示せず）の形態であってよい。誘電体層と導電層との間の接着力を増加させるために、誘電体層１００の一方又は両方の側の上に接着剤（図示せず）を使用することができる。多層回路を得るためにさらなる層を加えることができる。

図４は、エッチング、ミリング、又はあらゆる他の適切な方法によってパターン化された導電層３０を有するダブルクラッド回路材料５０を示している。本明細書において使用される場合、「パターン化された」という用語は、導電性要素３０がライン内及び面内の導電性不連続部分３２を有する配列を含んでいる。回路材料は信号ラインをさらに含むことができ、これは同軸ケーブル、フィーダーストリップ、又はマイクロストリップの中心信号導体であってよく、たとえば、導電性要素３０と信号連通するように配置されてよい。中心信号ラインの周囲に配置される接地シースを有する同軸ケーブルを設けることができ、接地シースは導電性接地層２０と電気接地連通するように配置することができる。

誘電体層は種々の回路材料中に使用することができる。本明細書において使用される場合、回路材料は、回路及び多層回路の製造に使用される物品であり、たとえば、回路サブアセンブリ、ボンドプライ、樹脂被覆導電層、クラッドなしの誘電体層、遊離のフィルム、及びカバーフィルムが挙げられる。回路サブアセンブリは、誘電体層に固定して取り付けられた導電層、たとえば銅を有する回路積層体を含む。ダブルクラッド回路積層体は、誘電体層のそれぞれの側の上に１つずつの２つの導電層を有する。たとえばエッチングによる積層体の導電層のパターン化によって回路が形成される。多層回路は複数の導電層を含み、その少なくとも１つが導電性配線パターンを含むことができる。典型的には、多層回路は、ボンドプライを用いて１つ以上の回路を互いに積層することによって、後にエッチングされる樹脂被覆導電層を有する追加層を積み重ねることによって、又はクラッドなしの誘電体層を加えることで追加層を積み重ね、続いて付加的金属化を行うことによって形成される。多層回路の形成後、周知の孔形成技術及びめっき技術を使用して、導電層の間に有用な電気経路を形成することができる。

誘電体層はアンテナ中に使用することができる。アンテナは携帯電話（スマートフォンなど）、タブレット、ラップトップなどの中に使用することができる。
本開示を説明するために以下の実施例が提供される。これらの実施例は、単に説明的なものであり、本開示により作製されるデバイスがそれらに記載の材料、条件、又はプロセスパラメータに限定されることを意図するものではない。
（実施例）
使用した材料を表１中に列挙しており以下の実施例に使用した。

実施例では、相対熱伝導率は、ＡＳＴＭ Ｄ５４７０−１２に準拠して測定されるｚ方向熱伝導率に基づいた。
実施例１〜１１
表２に規定されるポリテトラフルオロエチレン及びフィラー組成物を製織ガラス繊維強化層に含浸させることによって誘電体層を作製し、すべての量は体積パーセントの単位で示され、相対ＴＣは、実施例１を基準としたｚ方向熱伝導率を意味する。

表２は、実施例１の１６マイクロメートルのＤ_５０値から、実施例２の３マイクロメートルのＤ_５０値まで二酸化チタンの粒度が変化しても、依然として８０％の相対ｚ方向熱伝導率が得られることを示している。

表２は、粒度を維持しながら、実施例１の球状から実施例３の非球状までシリカ粒子の形態が変化しても、熱伝導率に大きな影響は生じなかったことも示している。
実施例４では、ガラス繊維強化材の体積パーセントを１６．２体積パーセントまで増加させた。セラミック成分は実施例１と同じサイズ及び形態であるが、強化材体積が増加すると、実施例１の７５％未満に相対熱伝導率が低下した。

実施例５では、ガラス繊維強化材の体積パーセントを８．０体積パーセントまで減少させた。ガラス繊維強化の体積パーセントのこの小さな変化では、ｚ方向熱伝導率に大きな影響は生じなかった。

実施例６では、二酸化チタン及びシリカの比率を小さく変化させた。これらの小さな変化によって、誘電率の調整が可能となりうるが、熱伝導性に大きな影響は生じなかった。
実施例７では、二酸化チタンの代わりに酸化アルミニウムを使用した。この材料の変更によって、実施例１の７５％未満に相対熱伝導率が低下した。

実施例８及び実施例１０では、窒化ホウ素のサイズを変更したが、粒子の形状は維持した。この変更によって熱伝導性に大きな影響は生じなかった。
実施例８及び実施例９の比較では、二酸化チタンを変更したが、粒子の形状は維持した。この変更によって熱伝導性に大きな影響は生じなかった。

実施例１１では、二酸化チタンの量をわずか１．０体積パーセントまで減少させた。相対ｚ方向熱伝導率の低下が観察されたが、依然として実施例１に示される値の８０％以内であった。

本開示の種々の非限定的な態様を以下に示す。
態様１：フルオロポリマーと、複数の窒化ホウ素粒子と、複数の二酸化チタン粒子と、複数のシリカ粒子と、強化層とを含む誘電体層。この誘電体層は、２０〜４５体積パーセントのフルオロポリマー；１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；１〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子；及び５〜１５体積パーセントの強化層の少なくとも１つを含むことができ；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている。この誘電体層は、２０〜４５体積パーセントのフルオロポリマー；１５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子；５〜２０体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子；１０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子；及び５〜１５体積パーセントの強化層の少なくとも１つを含むことができ；体積パーセント値は誘電体層の全体積を基準としている。

態様２：フルオロポリマーが、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−プロピレン）、ポリ（エチレン−テトラフルオロエチレン）、ポリ（エチレン−クロロトリフルオロエチレン）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−エチレン−プロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−プロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピレンビニルエーテル）、テトラフルオロエチレン主鎖と完全フッ素化アルコキシ側鎖とを有するコポリマー、ポリビニルフルオリド、ポリフッ化ビニリデン、ポリ（フッ化ビニリデン−クロロトリフルオロエチレン）、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロスルホン酸、パーフルオロポリオキセタン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せを含む、態様１の誘電体層。

態様３：フルオロポリマーがポリテトラフルオロエチレンを含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様４：誘電体層が１８〜３０体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子を含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様５：複数の窒化ホウ素粒子が、窒化ホウ素プレートレット、好適には六方晶窒化ホウ素プレートレットを含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様６：複数の窒化ホウ素粒子が５〜４０マイクロメートルの窒化ホウ素Ｄ_５０値を有する上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様７：誘電体層が１〜１０体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子を含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様８：二酸化チタンがルチル二酸化チタンを含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様９：複数の二酸化チタン粒子が不規則な形状の粒子を含み、それぞれが独立して複数の平坦面を有する、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様１０：二酸化チタンＤ_５０値が１〜４０マイクロメートル、又は１〜２５マイクロメートルである、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様１１：誘電体層が１５〜２５体積パーセントの複数のシリカ粒子を含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様１２：複数のシリカ粒子が５〜１５マイクロメートルのシリカＤ_５０値を有する上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様１３：シリカが非晶質シリカを含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様１４：複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、及び複数のシリカ粒子の１つ以上が表面処理剤を含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様１５：強化層が製織ガラス繊維強化材又は不織ガラス繊維強化材を含む、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。
態様１６：誘電体層が１〜２Ｗ／ｍＫのｚ方向熱伝導率を有する、上記態様のいずれか１つ以上の誘電体層。

態様１７：誘電体層、たとえば上記態様のいずれか１つの誘電体層の製造方法であって：フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、及び複数のシリカ粒子を含む混合物を強化層に含浸させて、誘電体層を形成するステップを含む、方法。

態様１８：含浸のステップが、ディップコーティング又はキャスティングを含む、態様１７の方法。
態様１９：誘電体層、たとえば態様１〜１６のいずれか１つの誘電体層の製造方法であって：フルオロポリマー、複数の窒化ホウ素粒子、複数の二酸化チタン粒子、複数のシリカ粒子、及び複数のガラス繊維を含む混合物を形成するステップと；この混合物から誘電体層を形成するステップとを含む、方法。

態様２０：誘電体層を形成するステップが、ペースト押出成形及びカレンダー加工を含む、態様１９の方法。
態様２１：上記態様のいずれか１つの誘電体層を含む物品。

態様２２：上記態様のいずれか１つの誘電体層を含む多層回路基板。
態様２３：誘電体層が１〜２Ｗ／ｍＫのｚ方向熱伝導率を有する、態様２２に記載の多層回路基板。

これとは別に、これらの組成物、方法、及び物品は、本明細書に開示されるあらゆる適切な材料、ステップ、又は成分を含む、からなる、又はから本質的になることができる。これらの組成物、方法、及び物品は、これに加えて、又はこれとは別に、組成物、方法、及び物品の機能又は目的の実現に他の場合には必要でないあらゆる材料（又は化学種）、ステップ、又は成分がない、又は実質的に含まないように構成することができる。

「ａ」及び「ａｎ」という用語は、量の限定を意味するものではなく、言及される要素が少なくとも１つ存在することを意味する。「又は」という用語は、文脈が明確に他のことを意味するのでなければ、「及び／又は」を意味する。本明細書にわたって「一態様」、「一実施形態」、「別の一実施形態」、「いくつかの実施形態」などへの言及は、実施形態と関連して記載される特定の要素（たとえば、特徴、構造、ステップ、又は特性）が、本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に含まれ、別の実施形態には存在する場合もしない場合もあることを意味する。さらに、記載される要素は、種々の実施形態におけるあらゆる適切な方法と組み合わせることが可能なことを理解すべきである。「任意選択の」又は「任意選択で」は、続いて記載される事象又は状況が起こる場合も起こらない場合もあり、その記述が、その事象が起こる場合と、その事象が起こらない場合とを含むことを意味する。「組合せ」という用語は、ブレンド、混合物、合金、反応生成物などを含む。また、「これらを少なくとも１つ含む組合せ」は、その一覧が、それぞれの要素を個別に含み、その一覧の２つ以上の要素の組合せ、及びその一覧の少なくとも１つの要素と挙げられていない同様の要素との組合せを含むことを意味する。

本明細書において逆のことが明記されているのでなければ、すべての試験基準は、実質的に本出願の出願日の時点、又は優先権が主張される場合は、その試験基準が発表された最先の優先権出願の出願日の時点で最新の基準である。

同じ成分又は性質に関するあらゆる範囲の端点は、それらの端点を含み、個別に組合せ可能であり、あらゆる中間の点及び範囲を含む。たとえば、「最大２５体積パーセント、又は５〜２０体積パーセント」の範囲は、それらの端点と、１０〜２３体積パーセントなどの「５〜２５体積パーセント」の範囲のあらゆる中間値とを含む。

他の定義がなければ、本明細書において使用される技術用語及び科学用語は、本開示が属する当業者によって一般に理解されているものと同じ意味を有する。
引用されるすべての特許、特許出願、及び他の参考文献は、それらの全体が参照により本明細書に援用される。しかし、本出願中の用語が、組み入れられた参考文献中の用語と矛盾又は抵触する場合、本出願の用語が、組み入れられた参考文献の抵触する用語に対して優先される。

特定の実施形態を記載してきたが、現在予見できない、もしくはできないであろう代案、修正、変形、改善、及び実質的な同等物が、出願に又は当業者の前に現れるかもしれない。したがって、出願時及びそれらが修正可能な時点の添付の請求項は、すべてのそのような代案、修正、変形、改善、及び実質的な同等物を含むことが意図される。

Claims (22)

1. ２５〜４５体積パーセントのフルオロポリマーと、
   １５〜３５体積パーセントの複数の窒化ホウ素粒子と、
   １〜３２体積パーセントの複数の二酸化チタン粒子と、
   ０〜３５体積パーセントの複数のシリカ粒子と、
   ５〜１５体積パーセントの強化層とを含んでなり、
   前記体積パーセント値が前記誘電体層の全体積を基準とする、誘電体層。
2. 前記フルオロポリマーが、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−プロピレン）、ポリ（エチレン−テトラフルオロエチレン）、ポリ（エチレン−クロロトリフルオロエチレン）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−エチレン−プロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−プロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピレンビニルエーテル）、テトラフルオロエチレン主鎖と完全フッ素化アルコキシ側鎖とを有するコポリマー、ポリビニルフルオリド、ポリフッ化ビニリデン、ポリ（フッ化ビニリデン−クロロトリフルオロエチレン）、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロスルホン酸、パーフルオロポリオキセタン、又はこれらを少なくとも１つ含む組合せからなる、請求項１に記載の誘電体層。
3. 前記フルオロポリマーがポリテトラフルオロエチレンからなる、請求項１又は２に記載の誘電体層。
4. 前記誘電体層が１５〜３０体積パーセントの前記複数の窒化ホウ素粒子を含んでなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の誘電体層。
5. 前記複数の窒化ホウ素粒子が窒化ホウ素プレートレット、好適には六方晶窒化ホウ素プレートレットからなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の誘電体層。
6. 前記複数の窒化ホウ素粒子が５〜４０マイクロメートルの窒化ホウ素Ｄ_５０値を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の誘電体層。
7. 前記誘電体層が５〜１０体積パーセントの前記複数の二酸化チタン粒子を含んでなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の誘電体層。
8. 前記二酸化チタンがルチル二酸化チタンを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の誘電体層。
9. 前記複数の二酸化チタン粒子が、それぞれが独立して複数の平坦面を有する不規則な形状の粒子からなる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の誘電体層。
10. 前記二酸化チタンのＤ_５０値が１〜４０マイクロメートル、又は１〜２５マイクロメートルである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の誘電体層。
11. 前記誘電体層が１５〜２５体積パーセントの前記複数のシリカ粒子を含んでなる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の誘電体層。
12. 前記複数のシリカ粒子が５〜１５マイクロメートルのシリカＤ_５０値を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の誘電体層。
13. 前記シリカが非晶質シリカからなる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の誘電体層。
14. 前記複数の窒化ホウ素粒子、前記複数の二酸化チタン粒子、及び前記複数のシリカ粒子の１つ以上が表面処理剤を含んでなる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の誘電体層。
15. 前記強化層が製織したガラス繊維強化材又は不織ガラス繊維強化材からなる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の誘電体層。
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の誘電体層の製造方法において、
    前記フルオロポリマー、前記複数の窒化ホウ素粒子、前記複数の二酸化チタン粒子、及び前記複数のシリカ粒子を含んでなる混合物を前記強化層に含浸させて前記誘電体層を形成する工程を備える、方法。
17. 前記含浸がディップコーティング又はキャスティングからなる、請求項１６に記載の方法。
18. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の誘電体層の製造方法において、
    前記フルオロポリマー、前記複数の窒化ホウ素粒子、前記複数の二酸化チタン粒子、前記複数のシリカ粒子、及び複数のガラス繊維を含む混合物を形成する工程と、
    前記混合物から前記誘電体層を形成する工程とを備える、方法。
19. 前記誘電体層を形成する前記ステップが、ペースト押出成形及びカレンダー加工を含む、請求項１８に記載の方法。
20. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の誘電体層を備えた物品。
21. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の誘電体層を含んでなる多層回路基板。
22. 前記誘電体層が１〜２Ｗ／ｍＫのｚ方向熱伝導率を有する、請求項２１に記載の多層回路基板。