JP2020506071A - 研磨パッドおよびその製造方法 - Google Patents
研磨パッドおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020506071A JP2020506071A JP2019539185A JP2019539185A JP2020506071A JP 2020506071 A JP2020506071 A JP 2020506071A JP 2019539185 A JP2019539185 A JP 2019539185A JP 2019539185 A JP2019539185 A JP 2019539185A JP 2020506071 A JP2020506071 A JP 2020506071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- layer
- polishing
- adhesive layer
- support layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 24
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0045—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by stacking sheets of abrasive material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
研磨層を提供する段階と、前記研磨層を貫通する第１貫通ホールを形成する段階と、前記研磨層に対向する支持層を提供する段階と、前記第１貫通ホールが形成されている研磨層と前記支持層との間に接着層を介在し、前記接着層により、前記研磨層および前記支持層を互いに接着させる段階と、前記第１貫通ホールを基準に、前記接着層の所定の領域に前記接着層を貫通する第３貫通ホールおよび前記支持層の所定の領域に前記支持層を貫通する第２貫通ホールを形成する段階と、前記第１貫通ホール内にウィンドウを挿入する段階とを含む研磨パッドの製造方法。【選択図】図１
Description
本発明は、半導体の化学的機械的平坦化（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ、ＣＭＰ）工程に使用される研磨パッドおよびその製造方法に関するものである。
半導体製造工程の中で化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）工程は、ヘッドに付着しているウェーハ（ｗａｆｅｒ）をプラテン（ｐｌａｔｅｎ）上に形成された研磨パッドの表面に接触するようにした状態で、スラリーを供給してウェーハ表面を化学的に反応させながらプラテンとヘッドとを相対運動させて、機械的にウェーハ表面の凹凸を平坦化する工程である。
ＣＭＰ工程において所望の表面特性や厚さが得られた時点を検出して工程を終結させる終点を決める段階もまた重要である。したがって、様々な平坦化終点を決定する方法が開発されてきて、その例としては、透明なウィンドウを研磨パッドに挿入して光学的に測定する技術が知られている。具体的には、光ビームがウィンドウを通過して加工中のウェーハの表面に誘導され、その後反射された光ビームがウィンドウを通過して復帰すると、検出器においてウェーハ表面特性を分析することができる。
従来、ウィンドウを有する積層研磨パッドは、通常、研磨層および支持層のそれぞれを貫通するホールを形成した後に接着して製造されていた。しかしながら、このような従来の方法は、研磨層と支持層にノッチを形成して位置を合わせる煩わしい整列工程が必要である欠点があった。
また、光透過領域に対応する部分に剥離性保護部材を形成して、所望の位置の下端部を除去する方法が開発されているが、光透過領域の下端に接着剤層が残るので、光学的透過度が低下するという問題がある（特許文献１を参照）。
従来のウィンドウを有する積層研磨パッドは、通常、研磨層と支持層にそれぞれホールを形成した後に接着するため、製造時に光透過領域を所定の位置に形成する工程が容易ではなく、製造された研磨パッドに接着剤層が存在することにより、光学的透過度が低下するという問題があった。
したがって、本発明により、ノッチを形成しなくても簡単に光透過領域を所定の位置に形成することができ、光学的透過度が低下しないかつ層間剥離を防止することができる研磨パッドの製造方法およびこれにより製造された研磨パッドを提供する。
本発明の一実施形態によると、
（ａ）研磨層を提供する段階と、
（ｂ）前記研磨層を貫通する第１貫通ホールを形成する段階と、
（ｃ）前記研磨層に対向する支持層を提供する段階と、
（ｄ）前記第１貫通ホールが形成されている研磨層と前記支持層との間に接着層を介在し、前記接着層により、前記研磨層および前記支持層を互いに接着させる段階と、
（ｅ）前記第１貫通ホールを基準に、前記接着層の所定の領域に前記接着層を貫通する第３貫通ホールおよび前記支持層の所定の領域に前記支持層を貫通する第２貫通ホールを形成する段階と、
（ｆ）前記第１貫通ホール内にウィンドウを挿入する段階とを含む、研磨パッドの製造方法が提供される。
（ａ）研磨層を提供する段階と、
（ｂ）前記研磨層を貫通する第１貫通ホールを形成する段階と、
（ｃ）前記研磨層に対向する支持層を提供する段階と、
（ｄ）前記第１貫通ホールが形成されている研磨層と前記支持層との間に接着層を介在し、前記接着層により、前記研磨層および前記支持層を互いに接着させる段階と、
（ｅ）前記第１貫通ホールを基準に、前記接着層の所定の領域に前記接着層を貫通する第３貫通ホールおよび前記支持層の所定の領域に前記支持層を貫通する第２貫通ホールを形成する段階と、
（ｆ）前記第１貫通ホール内にウィンドウを挿入する段階とを含む、研磨パッドの製造方法が提供される。
他の実施形態によると、
第１貫通ホールが形成された研磨層と、
前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第２貫通ホールが形成され、前記研磨層に対向する支持層と、
前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第３貫通ホールが形成され、前記研磨層および前記支持層の間に介在されている接着層と、
前記第１貫通ホール内に挿入され、前記接着層に接着されているウィンドウとを含み、
前記研磨層および前記支持層には、前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホールを整列するためのノッチが形成されていなくかつ前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホールが互いに整列された、研磨パッドが提供される。
第１貫通ホールが形成された研磨層と、
前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第２貫通ホールが形成され、前記研磨層に対向する支持層と、
前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第３貫通ホールが形成され、前記研磨層および前記支持層の間に介在されている接着層と、
前記第１貫通ホール内に挿入され、前記接着層に接着されているウィンドウとを含み、
前記研磨層および前記支持層には、前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホールを整列するためのノッチが形成されていなくかつ前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホールが互いに整列された、研磨パッドが提供される。
前記実施形態による研磨パッドの製造方法は、ノッチを形成しなくても光透過領域を所定の位置に形成することが容易である。
また、前記方法によると、ウィンドウ下端に接着層が存在しないため、光学的透過度に優れた研磨パッドを形成することができる。
さらに、前記方法は、研磨層と支持層との接着の際、両面テープではなくホットメルト接着剤を使用するため、層間剥離が防止された研磨パッドを製造することができる。
以下、前記実施形態による研磨パッドの製造方法を、添付した図面を参照して詳細に説明する。図面において、同じ参照番号は同じ構成要素を指し、各構成要素の大きさや厚さは説明の便宜のために誇張され得る。一方、以下に説明される実施形態は例示的なものであり、このような実施形態から様々な変形が可能である。
図１は、一実施形態による研磨パッドの製造方法を概略的に示したものである。
前記研磨パッドの製造方法により製造された研磨パッドは、第１貫通ホール２０１が形成されている研磨層１０１と、支持層１０２と、前記研磨層１０１と前記支持層１０２との間に介在している接着層１０３と、前記第１貫通ホール２０１内に挿入されたウィンドウ１０４とを含む。
前記研磨パッドの製造方法により製造された研磨パッドは、第１貫通ホール２０１が形成されている研磨層１０１と、支持層１０２と、前記研磨層１０１と前記支持層１０２との間に介在している接着層１０３と、前記第１貫通ホール２０１内に挿入されたウィンドウ１０４とを含む。
まず、前記研磨層１０１を提供する（図１（ａ）を参照）。
前記研磨層１０１は、発泡体または無発泡体であり得、好ましくは、微細気泡を有する発泡体であり得る。
前記研磨層１０１は、発泡体または無発泡体であり得、好ましくは、微細気泡を有する発泡体であり得る。
前記研磨層１０１は、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ハロゲン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、感光性樹脂、または、これらの任意の組み合わせを含み得るが、これに限定されるものではない。
前記ポリウレタン系樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を多様に変更することにより所望の物性が容易に得られるので、研磨層１０１の形成材料として好ましい。
前記研磨層１０１の表面は、スラリーを保持し更新するために、凹凸構造を有することが好ましい。また、前記凹凸構造は規則性を有するのが一般的であるが、スラリーの保持および更新のために特定の位置に溝のピッチ、溝の幅、溝の深さなどを変化させることが可能である。
前記研磨層１０１の形状は特に制限されず、前記研磨層１０１の大きさも、使用する研磨装置に応じて適宜調節することができる。
前記研磨層１０１の厚さは、特に制限されるものではないが、０．８ｍｍ〜５．０ｍｍであり得、１．０ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましい。
次いで、前記研磨層１０１を貫通する第１貫通ホール２０１を形成する（図１（ｂ）を参照）。
前記研磨層１０１を貫通する第１貫通ホール２０１を形成する方法は、切削工具によりプレスまたは研削する方法、炭酸レーザーなどのレーザーを利用する方法、第１貫通ホール２０１の形状を備えた金型に原料を流入し硬化させて形成する方法などがあるが、これらに限定されない。
前記第１貫通ホール２０１の平面形状は特に制限されず、円形、楕円形、正方形、長方形または多角形であり得る。
次に、前記研磨層１０１に対向する支持層１０２を提供する（図１（ｃ）を参照）。
前記支持層１０２は、ポリウレタン樹脂を含浸したポリエステル不織布タイプ、ポリウレタン樹脂のスエードタイプ、ポリウレタン発泡型フォームタイプ、またはこれらの任意の組み合わせであり得るが、これに限定されるものではない。
前記支持層１０２の厚さは、特に制限されるものではないが、０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであり得、０．４ｍｍ〜１．５ｍｍであることが好ましい。
次いで、前記第１貫通ホール２０１が形成された研磨層１０１と前記支持層１０２との間に接着層１０３を介在して、前記接着層１０３により、前記研磨層１０１および前記支持層１０２を互いに接着させる（図１（ｄ）を参照）。
前記接着層１０３は、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、またはこれらの任意の組み合わせを含み得るが、これに限定されるものではない。好ましくは、前記接着層１０３は、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、またはこれらの組み合わせであり得る。
前記接着層１０３は、前記研磨層１０１の一面に付着された第１接着層および前記支持層１０２の一面に付着された第２接着層を含むことができる。
例えば、前記接着層１０３は、前記第１接着層および前記第２接着層からなり得る。
前記第１接着層および前記第２接着層の材料は、前記接着層の材料として例示したものと同一であり得る。
前記接着層１０３の厚さは、１０μｍ〜４００μｍであり得、好ましくは２０μｍ〜２５０μｍであり得る。
また、前記第１接着層の厚さは、５μｍ〜２００μｍであり得、好ましくは１０μｍ〜１２５μｍであり得る。
また、前記第２接着層の厚さは、５μｍ〜２００μｍであり得、好ましくは１０μｍ〜１２５μｍであり得る。
前記接着層１０３の厚さが前記範囲であると、低い温度で溶融させて研磨層と支持層とを付着させることができ、接着力が強力であるというメリットがある。
前記第１接着層および前記第２接着層を加熱して、一部または全部を溶融させた後、前記第１接着層および前記第２接着層が互いに当接するように貼り合わせて前記接着層１０３を形成することができる。
前記第１接着層および前記第２接着層の溶融温度は８０℃〜１７０℃であり得る。
前記第１接着層および前記第２接着層の溶融温度が前記範囲であるとき、接着層１０３の接着力が優れ、研磨層１０１と支持層１０２との間が容易に剥離されることを防止することができ、研磨層１０１または支持層１０２が変形したり劣化したりすることを防止することができる。
前記第１接着層および前記第２接着層の溶融温度が前記範囲であるとき、接着層１０３の接着力が優れ、研磨層１０１と支持層１０２との間が容易に剥離されることを防止することができ、研磨層１０１または支持層１０２が変形したり劣化したりすることを防止することができる。
前記接着層１０３を用いて前記研磨層１０１と前記支持層１０２とを接着させると、長時間の研磨が行われても、前記研磨層１０１および前記支持層１０２が容易に剥離されず、スラリーの浸透防止性能に優れ得る。
次いで、前記第１貫通ホール２０１を基準に、前記接着層１０３の所定の領域に、前記接着層１０３を貫通する第３貫通ホール２０３および前記支持層１０２の所定の領域に前記支持層１０２を貫通する第２貫通ホール２０２を形成する（図１（ｅ）を参照）。
好ましくは、前記第３貫通ホール２０３を前記第１貫通ホール２０１が形成されている領域内に形成し、この際、前記第３貫通ホール２０３の平面積は、前記第１貫通ホール２０１の平面積よりも小さいこともあり得る。
また、前記第２貫通ホール２０２を前記第１貫通ホール２０１が形成された領域内に形成し、この際、前記第２貫通ホール２０２の平面積は、前記第１貫通ホール２０１の平面積よりも小さいこともあり得る。
前記第３貫通ホール２０３の平面形状は特に制限されず、円形、楕円形、正方形、長方形または多角形であり得る。
また、前記第２貫通ホール２０２の平面形状は特に制限されず、円形、楕円形、正方形、長方形または多角形であり得る。
前記第３貫通ホール２０３の平面積および前記第２貫通ホール２０２の平面積を前記第１貫通ホール２０１の平面積より小さくすると、前記第１貫通ホールの下端にウィンドウを支持することができる接着層１０３および支持層１０２が存在するため、ウィンドウを前記第１貫通ホール２０１に効果的に固定させることができる。
好ましくは、前記第３貫通ホール２０３および前記第２貫通ホール２０２が互いに対応するように、前記第３貫通ホール２０３と前記第２貫通ホール２０２とを同時に形成し得る。
前記第３貫通ホール２０３および前記第２貫通ホール２０２を形成する方法は、ガイド部材を利用して切断する方法であり得る。
具体的に、前記第１貫通ホール２０１を基準に、前記第３貫通ホール２０３および前記第２貫通ホール２０２を形成する段階は、前記第１貫通ホール２０１の内部にガイド部材を挿入する段階と、前記ガイド部材によって、切断部を所定の位置に整列させる段階と、前記切断部によって、前記接着層および前記支持層の一部を切断する段階とを含む。
前記切断部は、前記ガイド部材に固定されるか、前記ガイド部材によってガイドされ得る。
前記ガイド部材は、前記第１貫通ホール２０１の内側面に接触して、前記切断部をガイドすることができる。
前記切断部は、前記接着層１０３と前記支持層１０２とを同時に切断することができる。
前記ガイド部材は、前記第１貫通ホール２０１の内側面に接触して、前記切断部をガイドすることができる。
前記切断部は、前記接着層１０３と前記支持層１０２とを同時に切断することができる。
前記のように、第３貫通ホール２０３および前記第２貫通ホール２０２を形成する方法は、従来の研磨層および支持層にそれぞれ貫通ホールを形成してから接着させる方法に比べて、ノッチを形成しなくても容易に光透過領域を所定の位置に形成することができるので、製造工程が単純である。また、前記第１貫通ホール２０１を基準に、前記第３貫通ホール２０３および前記第２貫通ホール２０２が互いに対応するよう同時に形成すると、光透過領域には接着層１０３が存在しないので、光学的検出精度に優れた研磨パッドを製造することができる。
次いで、前記第１貫通ホール２０１内にウィンドウ１０４を挿入する（図１（ｆ）を参照）。
前記ウィンドウ１０４は、前記第１貫通ホール２０１と同一大きさを有し得る。
前記ウィンドウ１０４は、前記第１貫通ホール２０１と同一大きさを有し得る。
前記ウィンドウ１０４は、発泡体または無発泡体であり得、好ましくは無発泡体であり得る。前記ウィンドウ１０４が無発泡体であれば、ウィンドウ１０４内に微細気泡が存在しないため、スラリーの浸透可能性を減らして光学的検出の精度向上および光透過領域の損傷防止を図ることができる。
前記ウィンドウ１０４は、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ハロゲン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、感光性樹脂、またはこれらの任意の組み合わせを含み得るが、これに限定されるものではない。
前記ウィンドウ１０４は、前記研磨層１０１に使用される材料と比較して摩耗率が同じであるか、やや高いものが好ましい。前記ウィンドウ１０４の摩耗率が前記研磨層１０１の摩耗率よりも小さいと、一定時間の研磨を行った後、ウィンドウ部分のみ突出して、研磨されるウェーハにスクラッチを発生させることがあり、ひどい場合は破損させ得るという問題点がある。
前記ウィンドウ１０４の光透過率は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長において２０％以上であり得、より好ましくは６７０ｎｍ〜６８０ｎｍの波長において３０％以上であり得る。
前記研磨パッドの製造方法は、前記ウィンドウ１０４を前記接着層１０３に接着させる段階をさらに含むことができる。
前記ウィンドウ１０４を前記接着層１０３に接着させる段階において、前記接着層１０３の一部または全部が溶融され、前記ウィンドウ１０４に接着され得る。
この際、前記接着層１０３の溶融温度は、８０℃〜１７０℃であり得る。
この際、前記接着層１０３の溶融温度は、８０℃〜１７０℃であり得る。
前記接着層１０３の溶融温度が前記範囲であるとき、前記接着層１０３と前記ウィンドウ１０４との接着力が優れ、前記接着層１０３、前記研磨層１０１、および前記支持層１０２が変形したり劣化したりすることを防止することができる。また、長時間の研磨に対しても前記接着層１０３と前記ウィンドウ１０４との間にスラリーが浸透することを防止することができる。
前記ウィンドウ１０４を前記接着層１０３に接着させるために、熱または振動を利用し得るが、これに限定されるものではない。具体的には、前記ウィンドウ１０４を前記接着層１０３に接着して固定させるために、熱溶着または超音波溶着法を利用することができる。
一方、他の実施形態による研磨パッドの製造方法は、前記支持層に接着テープを提供する段階をさらに含むことができる。
この際、前記接着テープは、前記支持層において接着層が形成された面の反対面に接着され得る。
この際、前記接着テープは、前記支持層において接着層が形成された面の反対面に接着され得る。
前記接着テープは両面テープであり得る。
前記接着テープは、前記研磨パッドがプラテン（ｐｌａｔｅｎ）に装着できるようにするためである。
前記接着テープは、前記研磨パッドがプラテン（ｐｌａｔｅｎ）に装着できるようにするためである。
また、前記研磨パッドの製造方法は、前記第１貫通ホールを基準に、前記接着テープの所定の領域に、前記接着テープを貫通する第４貫通ホールを形成する段階を、さらに含むことができる。
前記第４貫通ホールを前記第１貫通ホールが形成された領域内に形成し、前記第４貫通ホールの平面積は、前記第１貫通ホールの平面積よりも小さいのであり得る。
好ましくは、前記第３貫通ホールと、前記第２貫通ホールと、前記第４貫通ホールとを同時に形成し得る。具体的には、前記第３貫通ホール、前記第２貫通ホール、および前記第４貫通ホールが互いに対応するように、前記第３貫通ホールと、前記第２貫通ホールと、前記第４貫通ホールとを同時に形成することができる。
この場合、光透過領域には、接着層のみならず接着テープも存在しないため、光学的検出精度に優れた研磨パッドを得ることができる。
図２を参照して一実施形態による切断方法を説明すると、次の通りである。
具体的に、図２は、接着層１０３を貫通する第３貫通ホールおよび支持層１０２を貫通する第２貫通ホールを形成する一実施形態を示すものである。
具体的に、図２は、接着層１０３を貫通する第３貫通ホールおよび支持層１０２を貫通する第２貫通ホールを形成する一実施形態を示すものである。
前記第３貫通ホールおよび前記第２貫通ホールを形成するために、切断部３０３が結合されたガイド部材３０１を利用し得る。
研磨層１０１を貫通する第１貫通ホールの内部に前記ガイド部材３０１を挿入し、前記ガイド部材３０１によって切断部３０３を所定の位置に整列させ、ガイド部材３０１の上端に垂直で圧力を加えて、前記接着層１０３および前記支持層１０２の一部を切断する。
前記ガイド部材３０１は、前記第１貫通ホールの内側面に接触して前記切断部をガイドし、前記切断部は、前記接着層１０３と前記支持層１０２とを同時に切断することができる。
一方、図３を参照して他の実施形態による切断方法を説明すると、次の通りである。
具体的に、図３は、接着層１０３を貫通する第３貫通ホールおよび支持層１０２を貫通する第２貫通ホールを形成する別の実施形態を示すものである。
具体的に、図３は、接着層１０３を貫通する第３貫通ホールおよび支持層１０２を貫通する第２貫通ホールを形成する別の実施形態を示すものである。
前記第３貫通ホールおよび前記第２貫通ホールを形成するために、ガイド部材３０２によって切断部３０４をガイドすることができる。
研磨層１０１を貫通する第１貫通ホールの内部に前記ガイド部材３０２を挿入し、前記ガイド部材３０２によって切断部３０４を所定の位置に整列させ、切断部の上端に垂直で圧力を加えて、前記接着層１０３および前記支持層１０２の一部を切断する。
前記ガイド部材３０２は、前記第１貫通ホールの内側面に接触して前記切断部をガイドし、前記切断部は、前記接着層１０３と前記支持層１０２とを同時に切断することができる。
図４を参照して一実施形態による研磨パッドを説明すると、次の通りである。
前記研磨パッドは、第１貫通ホールが形成された研磨層１０１と、前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第２貫通ホール２０２が形成され、前記研磨層１０１に対向する支持層１０２と、前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第３貫通ホール２０３が形成され、前記研磨層１０１および前記支持層１０２の間に介在されている接着層１０３と、前記第１貫通ホール内に挿入され、前記接着層１０３に接着されているウィンドウ１０４とを含み、前記研磨層１０１および前記支持層１０２には、前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホール２０２を整列するためのノッチが形成されなく、かつ、前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホール２０２が互いに整列されている。
好ましくは、前記接着層１０３の一部または全部が溶融され前記ウィンドウ１０４に接着される。
前記研磨パッドは、前述の研磨パッドの製造方法により製造された研磨パッドであり得る。
前記研磨パッドは、前述の研磨パッドの製造方法により製造された研磨パッドであり得る。
図４は、一実施形態による研磨パッドの断面を示したものである。具体的に、図４は、前記研磨パッドにおいて、ウィンドウ１０４、第３貫通ホール２０３および第２貫通ホール２０２のいずれも存在する部分を切断した断面を示したものである。
図４におけるＷＡは、研磨パッドの断面において第１貫通ホールまたはウィンドウ１０４の幅を示し、ＷＢは、研磨パッドの断面において第２貫通ホール２０２または第３貫通ホール２０３の幅を示す。
前記ＷＡは１０ｍｍ〜１００ｍｍであり得るが、これに限定されるものではない。
前記ＷＢは、５ｍｍ〜９５ｍｍであり得るが、これに限定されるものではない。
前記ＷＢは、５ｍｍ〜９５ｍｍであり得るが、これに限定されるものではない。
一方、前記ＷＢは前記ＷＡよりも小さいことが好ましい。
例えば、前記ＷＢは前記ＷＡの１７％〜９５％であり得るが、これに限定されるものではない。
例えば、前記ＷＢは前記ＷＡの１７％〜９５％であり得るが、これに限定されるものではない。
前記ＷＢが前記ＷＡの１７％〜９５％であるとき、支持層が光ビームの透過および反射を妨害して誤差が生じることを防止し、ウィンドウ１０４を研磨パッドに安定して固定させるために、より有利であり得る。
前記研磨パッドは、ウィンドウ１０４下端にフィルムまたは接着層のいずれも存在しないため、光学的透過度に優れる。
このような研磨パッドは、ＣＭＰ研磨の際、研磨を中断するか否かを決めるために、基板が好ましい表面平坦性または層厚に達しているか、又は下部層が露出されているかを検出することが可能である。
ＣＭＰプロセスの間に各終了点のｉｎ−ｓｉｔｕ検出（ｉｎ−ｓｉｔｕ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）のために様々な技術が存在する。
例えば、研磨中に基板上における層の均一性のｉｎ−ｓｉｔｕ測定のための光学的モニタリングシステムが使用され得る。
例えば、研磨中に基板上における層の均一性のｉｎ−ｓｉｔｕ測定のための光学的モニタリングシステムが使用され得る。
前記光学的モニタリングシステムは、研磨中に基板に向けて光線を指向させる光源、基板から反射される光を測定する検出器、および検出器からの信号を分析して終了点が検出されたかを計算するコンピュータを含み得る。
１０１：研磨層
１０２：支持層
１０３：接着層
１０４：ウィンドウ
２０１：第１貫通ホール
２０２：第２貫通ホール
２０３：第３貫通ホール
３０１、３０２：ガイド部材
３０３、３０４：切断部
ＷＡ：研磨パッド断面における第１貫通ホールまたはウィンドウの幅
ＷＢ：研磨パッド断面における第２貫通ホールまたは第３貫通ホールの幅
１０２：支持層
１０３：接着層
１０４：ウィンドウ
２０１：第１貫通ホール
２０２：第２貫通ホール
２０３：第３貫通ホール
３０１、３０２：ガイド部材
３０３、３０４：切断部
ＷＡ：研磨パッド断面における第１貫通ホールまたはウィンドウの幅
ＷＢ：研磨パッド断面における第２貫通ホールまたは第３貫通ホールの幅
Claims (12)
- （ａ）研磨層を提供する段階と、
（ｂ）前記研磨層を貫通する第１貫通ホールを形成する段階と、
（ｃ）前記研磨層に対向する支持層を提供する段階と、
（ｄ）前記第１貫通ホールが形成された研磨層と前記支持層との間に接着層を介在し、前記接着層により、前記研磨層および前記支持層を互いに接着させる段階と、
（ｅ）前記第１貫通ホールを基準に、前記接着層の所定の領域に前記接着層を貫通する第３貫通ホールおよび前記支持層の所定の領域に前記支持層を貫通する第２貫通ホールを形成する段階と、
（ｆ）前記第１貫通ホール内にウィンドウを挿入する段階と、
を含む研磨パッドの製造方法。 - 前記第３貫通ホールを前記第１貫通ホールが形成されている領域内に形成し、この際、前記第３貫通ホールの平面積は前記第１貫通ホールの平面積よりも小さく、
また、前記第２貫通ホールを前記第１貫通ホールが形成されている領域内に形成し、この際、前記第２貫通ホールの平面積は前記第１貫通ホールの平面積よりも小さい、請求項１に記載の研磨パッドの製造方法。 - 前記第３貫通ホールおよび前記第２貫通ホールが互いに対応するように、前記第３貫通ホールおよび前記第２貫通ホールを同時に形成する、請求項２に記載の研磨パッドの製造方法。
- 前記研磨パッドの製造方法は、前記ウィンドウを前記接着層に接着させる段階をさらに含む、請求項３に記載の研磨パッドの製造方法。
- 前記ウィンドウを前記接着層に接着させる段階において、前記接着層の一部または全部が溶融され、前記ウィンドウに接着される、請求項４に記載の研磨パッドの製造方法。
- 前記ウィンドウを熱または振動によって前記接着層に接着させる、請求項５に記載の研磨パッドの製造方法。
- 前記（ｅ）段階は、
前記第１貫通ホールの内部にガイド部材を挿入する段階と、
前記ガイド部材によって、切断部を所定の位置に整列させる段階と、
前記切断部によって、前記接着層および前記支持層の一部を切断する段階とを含み、
前記切断部は、前記ガイド部材に固定されるか、または前記ガイド部材によってガイドされる、請求項１に記載の研磨パッドの製造方法。 - 前記ガイド部材は、前記第１貫通ホールの内側面に接触して、前記切断部をガイドする、請求項７に記載の研磨パッドの製造方法。
- 前記切断部は、前記接着層および前記支持層を同時に切断する、請求項８に記載の研磨パッドの製造方法。
- 前記研磨パッドの製造方法は、
前記支持層に接着テープを接着する段階と、
前記第１貫通ホールを基準に、前記接着テープの所定の領域に前記接着テープを貫通する第４貫通ホールを形成する段階とをさらに含み、
この際、前記接着テープは、前記支持層において接着層が形成されている面の反対面に接着され、
前記第３貫通ホールと、前記第２貫通ホールと、前記第４貫通ホールとを同時に形成する、請求項３に記載の研磨パッドの製造方法。 - 第１貫通ホールが形成されている研磨層と、
前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第２貫通ホールが形成され、前記研磨層に対向する支持層と、
前記第１貫通ホールが形成されている領域内に第３貫通ホールが形成され、前記研磨層および前記支持層の間に介在される接着層と、
前記第１貫通ホール内に挿入され、前記接着層に接着されているウィンドウとを含み、
前記研磨層および前記支持層には、前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホールを整列するためのノッチが形成されなく、かつ、前記第１貫通ホールおよび前記第２貫通ホールが互いに整列されている、研磨パッド。 - 前記接着層の一部または全部が溶融され前記ウィンドウに接着される、請求項１１に記載の研磨パッド。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170010401A KR101904322B1 (ko) | 2017-01-23 | 2017-01-23 | 연마패드 및 이의 제조방법 |
| KR10-2017-0010401 | 2017-01-23 | ||
| PCT/KR2018/000850 WO2018135878A1 (ko) | 2017-01-23 | 2018-01-18 | 연마패드 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020506071A true JP2020506071A (ja) | 2020-02-27 |
| JP7117310B2 JP7117310B2 (ja) | 2022-08-12 |
Family
ID=62908512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019539185A Active JP7117310B2 (ja) | 2017-01-23 | 2018-01-18 | 研磨パッドおよびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11780057B2 (ja) |
| JP (1) | JP7117310B2 (ja) |
| KR (1) | KR101904322B1 (ja) |
| CN (1) | CN110177655A (ja) |
| TW (1) | TWI663026B (ja) |
| WO (1) | WO2018135878A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200028097A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-16 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 연마 장치용 연마패드 |
| CN110774185B (zh) * | 2019-11-07 | 2021-04-23 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种带微孔槽的抛光用白垫及生产方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002001647A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
| JP2003048151A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-18 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
| JP2005175464A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 光透過性が高い窓を有する研磨パッド |
| WO2006062158A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
| JP2009045694A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法 |
| JP2013525124A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄いパッドにおける窓のモールディング |
| JP2014172170A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 広スペクトル終点検出ウィンドウを有する多層ケミカルメカニカル研磨パッド |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171181B1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-01-09 | Rodel Holdings, Inc. | Molded polishing pad having integral window |
| WO2001023141A1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pad |
| US6722249B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-04-20 | Rodel Holdings, Inc | Method of fabricating a polishing pad having an optical window |
| US6875077B2 (en) * | 2002-03-18 | 2005-04-05 | Raytech Innovative Solutions, Inc. | Polishing pad for use in chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers having a transparent window for end-point determination and method of making |
| US7101275B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-09-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing |
| JP4775881B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-09-21 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
| JP5389973B2 (ja) | 2012-04-11 | 2014-01-15 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド及びその製造方法 |
| US9108290B2 (en) * | 2013-03-07 | 2015-08-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multilayer chemical mechanical polishing pad |
-
2017
- 2017-01-23 KR KR1020170010401A patent/KR101904322B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-01-18 CN CN201880006761.4A patent/CN110177655A/zh active Pending
- 2018-01-18 JP JP2019539185A patent/JP7117310B2/ja active Active
- 2018-01-18 US US16/479,824 patent/US11780057B2/en active Active
- 2018-01-18 WO PCT/KR2018/000850 patent/WO2018135878A1/ko active Application Filing
- 2018-01-22 TW TW107102188A patent/TWI663026B/zh active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002001647A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
| JP2003048151A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-18 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
| JP2005175464A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 光透過性が高い窓を有する研磨パッド |
| WO2006062158A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
| JP2009045694A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法 |
| JP2013525124A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄いパッドにおける窓のモールディング |
| JP2014172170A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 広スペクトル終点検出ウィンドウを有する多層ケミカルメカニカル研磨パッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI663026B (zh) | 2019-06-21 |
| US11780057B2 (en) | 2023-10-10 |
| US20210354267A1 (en) | 2021-11-18 |
| TW201832874A (zh) | 2018-09-16 |
| KR20180086671A (ko) | 2018-08-01 |
| JP7117310B2 (ja) | 2022-08-12 |
| KR101904322B1 (ko) | 2018-10-04 |
| CN110177655A (zh) | 2019-08-27 |
| WO2018135878A1 (ko) | 2018-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7547243B2 (en) | Method of making and apparatus having polishing pad with window | |
| US9017140B2 (en) | CMP pad with local area transparency | |
| JP5474093B2 (ja) | 窓支持部を具備する研磨パッドおよび研磨システム | |
| JP4904027B2 (ja) | 研磨パッド | |
| TW200824841A (en) | Polishing pad with window having multiple portions | |
| KR101889081B1 (ko) | 연마패드 및 이의 제조방법 | |
| JP4654275B2 (ja) | 両面研磨装置 | |
| TW201217104A (en) | Pad window insert | |
| KR101587821B1 (ko) | 연마 패드 윈도우의 처리 방법 | |
| TW201230224A (en) | Polishing pad for eddy current end-point detection | |
| JP2020506071A (ja) | 研磨パッドおよびその製造方法 | |
| KR100721888B1 (ko) | 연마 패드 | |
| JP2004327779A (ja) | 研磨パッド、研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US7238097B2 (en) | Polishing pad and method of producing same | |
| JP3239764B2 (ja) | Ｃｍｐ用研磨装置及び研磨ポリシャ | |
| EP3140852B1 (en) | Multi-layer polishing pad for cmp | |
| JP2006520273A (ja) | 研磨工具および研磨装置 | |
| KR20150132844A (ko) | 이차 윈도우 시일을 구비한 연마 패드 | |
| JP2006102940A (ja) | 研磨パッド及びその製造方法 | |
| JP2000288912A (ja) | 研磨ポリシャ及びその製造方法 | |
| JP3232424U (ja) | 光透過窓を有する研磨パッド | |
| KR20240006369A (ko) | 윈도우가 장착된 연마패드 및 이의 제조방법 | |
| JPH1034524A (ja) | Ｃｍｐ用研磨装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200901 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201127 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210324 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210615 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210915 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220516 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220801 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7117310 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |