JP2020504454A - 半導体製造に使用するための除去可能な一時的保護層 - Google Patents
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Abstract
処理中に半導体デバイスウェハを一時的に保護する方法は、ポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することと、調製した溶液でデバイスウェハをコーティングすることと、コーティングしたデバイスウェハを焼成して保護層を形成することと、焼成したデバイスウェハを処理することと、処理したウェハから保護層を溶媒で65℃以上の温度にて溶解させることと、を含む。溶媒は水を含む。焼成は、150℃〜170℃の温度で行われる。保護層は、処理中、焼成したデバイスウェハ上に残存する。ポリ(ビニルアルコール)は、93%以上の加水分解度を有する。【選択図】図3
Description
本発明は、保護層に関し、具体的には、半導体デバイス製造に使用するための一時的保護層に関する。
高度な半導体デバイスは、デバイスをパッケージングする際に粒子汚染に対する感度を増加させ、歩留まり損失をもたらす恐れがある。例えば、デバイスがウェハレベルで完成した後、パッケージングのために半導体デバイスウェハを個々の集積回路又はダイにウェハ個片化又はダイシングするプロセスは、デバイス表面を粒子汚染に暴露させ、パッケージング時にデバイスの損失をもたらす可能性がある。
処理中に半導体デバイスウェハを一時的に保護する方法は、ポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することと、調製した溶液でデバイスウェハをコーティングすることと、コーティングしたデバイスウェハを150℃〜170℃の温度で焼成して保護層を形成することと、焼成したデバイスウェハ上に保護層が残存している間、焼成したデバイスウェハを処理することと、処理したウェハから保護層を溶媒で65℃以上の温度にて溶解させることと、を含む。溶媒は水を含む。ポリ(ビニルアルコール)は、93%を超える加水分解度を有する。
様々な実施形態は、処理中に半導体デバイスウェハを一時的に保護する方法に関する。方法は、ポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することと、調製した溶液でデバイスウェハをコーティングすることと、コーティングしたデバイスウェハを150℃〜170℃の温度で焼成して保護層を形成することと、焼成したデバイスウェハを処理することと、処理したウェハから保護層を溶媒で65℃以上の温度にて溶解させることと、を含む。溶媒は水を含む。保護層は、処理中、焼成したデバイスウェハ上に残存する。ポリ(ビニルアルコール)は、93%以上の加水分解度を有する。いくつかの実施形態では、処理はダイシングを含む。いくつかの実施形態では、ポリ(ビニルアルコール)は、93%〜99.3%の加水分解度を有する。いくつかの実施形態では、溶液中のポリ(ビニルアルコール)の濃度は、溶液の5重量%〜30重量%であり、残部は水である。いくつかの実施形態では、デバイスウェハのコーティングは、調製した溶液をデバイスウェハの表面上にスピンコーティングすることを含む。いくつかの実施形態では、コーティングしたデバイスウェハの焼成は、1分〜12分の時間にわたる。いくつかの実施形態では、保護層を溶解させることは、1分〜30分の時間にわたる。いくつかの実施形態では、保護層の溶解は、処理したウェハを溶媒に浸漬することを含む。いくつかの実施形態では、保護層の溶解は、処理したウェハ上に溶媒を噴霧することを含む。いくつかの実施形態では、溶媒は水からなる。
様々な実施形態は、ウェハ個片化中に半導体デバイスウェハを一時的に保護する方法に関する。方法は、ポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することと、調製した溶液でデバイスウェハをコーティングすることと、コーティングしたデバイスウェハを135℃〜170℃の温度で焼成して保護層を形成することと、焼成したデバイスウェハをダイシングすることと、ダイシングしたウェハから保護層を溶媒で65℃以上の温度にて溶解させることと、を含む。溶媒は水を含む。保護層は、ダイシング中、焼成したデバイスウェハ上に残存する。ポリ(ビニルアルコール)は、98.4%以上の加水分解度を有する。いくつかの実施形態では、ポリ(ビニルアルコール)は、98.4%〜99.3%の加水分解度を有する。いくつかの実施形態では、溶液を調製することは、80℃〜98℃の温度に水を加熱することと、加熱した水にポリ(ビニルアルコール)を混合することと、混合物を撹拌して溶液を形成することと、を含む。いくつかの実施形態では、溶液中のポリ(ビニルアルコール)の濃度は、溶液の5重量%〜30重量%であり、残部は水である。いくつかの実施形態では、デバイスウェハのコーティングは、調製した溶液をデバイスウェハの表面上にスピンコーティングすることを含む。いくつかの実施形態では、コーティングしたデバイスウェハの焼成は、1分〜12分の時間にわたる。いくつかの実施形態では、保護層を溶解させることは、1分〜30分の時間にわたる。いくつかの実施形態では、保護層の溶解は、ダイシングしたウェハを溶媒に浸漬することを含む。いくつかの実施形態では、保護層の溶解は、ダイシングしたウェハ上に溶媒を噴霧することを含む。いくつかの実施形態では、溶媒は水からなる。
添付の図面を考慮して、本発明の実施形態についての以下の記載を参照することによって、本発明の上述及び他の特性及び有利性、並びにそれらを達成する様式がより明らかになり、本発明自体がより良好に理解されるであろう。
上述したように、例えば、ダイシングプロセスに関連した粒子汚染の存在は、高度な半導体デバイスの歩留まり損失をもたらし得る。粒子汚染は、例えば、浮遊粒子汚染であり得る。浮遊粒子は、半導体デバイスがダイシングされるために列をなして待っている間に、及び/又は個々のダイがダイシングテープから剥がされ、パッケージ内に配置されるために、列をなして待っている間に、半導体デバイス上に定着し得る。粒子汚染は、例えば、ダイシングプロセス中に発生し得る。粒子汚染が半導体デバイス上に定着すると、除去することは困難であり得る。
本開示の実施形態は、ウェハが処理されるのを待っている間に、ウェハが処理されている間に、及びウェハが処理された後に、粒子汚染がデバイスウェハ上に定着するのを防止するために、一時的なポリ(ビニルアルコール)層を半導体デバイス上に設ける。本開示のいくつかの実施形態は、ウェハがダイシングされるのを待っている間に、ウェハがダイシングされている間に、及びウェハがダイシングされた後、個々のダイが選び取られ、パッケージ内に配置されるまでに、粒子汚染がデバイスウェハ上に定着するのを防止するために、一時的なポリ(ビニルアルコール)層を半導体デバイス上に設ける。本開示の実施形態に従って形成されたポリ(ビニルアルコール)層は、厚さ又は半導体デバイスへの接着の実質的な損失なしに、ダイシングプロセス中に使用される室温水への曝露に耐えることができることが見出された。ダイシング後、個々のダイが選び取られ、パッケージ内に配置される前に、ポリ(ビニルアルコール)層は、それが存在しなければ半導体デバイス上に定着したであろう任意の粒子汚染を運び去る、本開示の実施形態による、水を含む加熱した溶媒で容易に除去することができる。
本開示の実施形態に従って形成されたポリ(ビニルアルコール)層はまた、可視スペクトルにわたって少なくとも80%の光透過率を有する。これは、ウェハダイシング中の正確なアライメントのために半導体デバイスのパターンが明確に視認されなければならないため、重要である。本開示の実施形態に従って形成されたポリ(ビニルアルコール)層はまた、銅ボンディングパッドなど、それらが接触し得る半導体デバイスの材料に対して非腐食性である。
図1は、本開示の実施形態による、個々のダイにダイシングされる半導体デバイスウェハ10の一部分及びデバイスウェハ10に適用された一時的保護層12の概略断面図である。図1に示すように、デバイスウェハ10は、複数のダイシングストリート20(3つ図示)によって分離された、上面14、底面16、及び複数の半導体デバイス18(2つ図示)を含む。ダイシングの前には、図1に示すように、半導体デバイス18及びダイシングストリート20は、別個に画定されているが、全てデバイスウェハ10の一体部分である。
保護層12は、最初にポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することによって、デバイスウェハ10の上面14に適用することができる。いくつかの実施形態では、溶液は、水を加熱し、ポリ(ビニルアルコール)を水に混合し、ポリ(ビニルアルコール)が水に完全に溶解するように混合物を2〜3時間撹拌することによって調製することができる。他の実施形態では、ポリ(ビニルアルコール)を水に混合することができ、次いで混合物を撹拌しながら加熱することができる。いくつかの実施形態では、水は、80℃、85℃、若しくは90℃程度の低い温度に、又は93℃、95℃、若しくは98℃程度の高い温度に、又は前述の温度のうちのいずれか2つの間に画定される任意の範囲内の温度に加熱することができる。例えば、いくつかの実施形態では、水は、80℃〜98℃、80℃〜95℃、85℃〜95℃、又は90℃〜95℃の範囲の温度に加熱することができる。いくつかの他の実施形態では、ポリ(ビニルアルコール)は、水が加熱される前に水に添加されてもよく、ポリ(ビニルアルコール)及び水は一緒に加熱されてもよい。いくつかの実施形態では、結果として得られた粘性溶液は、0.1マイクロメートル、0.5マイクロメートル、及び/又は1マイクロメートルフィルタなど、1つ以上のフィルタを通して濾過することができる。
いくつかの実施形態では、調製した溶液中のポリ(ビニルアルコール)の濃度は、5重量パーセント(重量%)、10重量%、若しくは15重量%程度に低く、又は20重量%、25重量%、若しくは30重量%程度に高くすることができ、又は前述の値のうちのいずれか2つの間に画定される範囲内であってもよい。例えば、いくつかの実施形態では、調製した溶液中のポリ(ビニルアルコール)の濃度は、5重量%〜30重量%、5重量%〜20重量%、5重量%〜15重量%、10重量%〜25重量%、又は15重量%〜20重量%の範囲であり得る。
ポリ(ビニルアルコール)溶液を調製した後、調製した溶液でデバイスウェハ10の上面14をコーティングして、保護層12を形成することができる。いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、スピンコーティングによってコーティングすることができる。スピンコーティングでは、好適な量の溶液が上面14上に分配され、次いで、上面14を均一にコーティングするようにデバイスウェハ10が高速回転される。いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、10秒、15秒、20秒、若しくは25秒程度の短い時間、又は35秒、40秒、45秒、50秒、55秒若しくは60秒程度の長い時間、又は前述の時間のうちのいずれか2つの間の任意の時間にわたって回転させることができる。いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、10秒〜60秒、15秒〜55秒、20秒〜50秒、又は25秒〜45秒の範囲の時間にわたって回転させることができる。いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、800回転/分(RPM)、900RPM、1,000RPM、若しくは1,100RPM程度の低い速度で、又は1,200RPM、1,300RPM、1,400RPM、1,500RPM、若しくは1,600RPM程度の高い速度で、又は前述の速度のうちのいずれか2つの間の任意の速度で回転させてもよい。いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、800RPM〜1,600RPM、900RPM〜1,500RPM、1,000RPM〜1,400RPM、又は1,100RPM〜1,300RPMの範囲の速度で回転させてもよい。上面14にわたって溶液を分配することに加えて、高速回転は、保護層12から水の大部分を急速に蒸発させるのに役立つ。他の実施形態では、デバイスウェハ10は、スプレーコーティング、ロールコーティング、又は当該技術分野において既知の他のコーティング方法によってコーティングすることができる。
いくつかの実施形態では、保護層12の厚さは、0.5マイクロメートル、0.6マイクロメートル、0.7マイクロメートル、0.8マイクロメートル、若しくは0.9マイクロメートル程度に低く、又は1マイクロメートル、2マイクロメートル、3マイクロメートル、4マイクロメートル、若しくは5マイクロメートル程度に高く、又は前述の値のうちのいずれか2つの間に画定される任意の範囲内にすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、保護層12の厚さは、0.5マイクロメートル〜5マイクロメートル、0.6マイクロメートル〜4マイクロメートル、0.7マイクロメートル〜3マイクロメートル、0.8マイクロメートル〜2マイクロメートル、又は0.9マイクロメートル〜1マイクロメートルの範囲である。
デバイスウェハ10がポリ(ビニルアルコール)溶液でコーティングされた後、デバイスウェハ10を焼成して、保護層12内に残っている水の大部分を蒸発させることができる。いくつかの実施形態では、焼成は、135℃、140℃、若しくは145℃程度の低い温度で、又は150℃、155℃、160℃、165℃、若しくは170℃程度の高い温度で、又は前述の温度のうちのいずれか2つの間に画定される温度範囲内で行われる。例えば、いくつかの実施形態では、焼成は、135℃〜170℃、140℃〜165℃、145℃〜160℃、150℃〜155℃、又は150℃〜170℃の範囲の温度で行われる。200℃を超える焼成温度では、可視スペクトルにわたって平均化された平均光透過率は、80%未満に低下し得ることが見出された。また、200℃の焼成温度では、水を80℃の温度に加熱しても、水を含む溶媒で保護層12を溶解することによって保護層12を容易に除去することはできないことも判明している。
いくつかの実施形態では、焼成は、デバイスウェハ10の底部側16が、加熱された表面、又はホットプレート(図示せず)と物理的に接触しているホットプレート焼成を含むことができる。このような実施形態では、デバイスウェハ10は、1分、2分、若しくは3分程度の短い時間、又は4分、5分、若しくは6分程度の長い時間、又は任意の2つの前述の時間の間の任意の時間にわたって焼成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、デバイスウェハは、1分〜6分、2分〜5分、又は3分〜4分の範囲の時間にわたってホットプレート上で焼成することができる。いくつかの実施形態では、焼成は、加熱された空気の流れが上面14上の保護層12を横切るコンベクションオーブン焼成を含むことができる。このような実施形態では、デバイスウェハ10は、4分、5分、若しくは6分程度の短い時間、又は8分、10分、若しくは15分程度の長い時間、又は任意の2つの前述の時間の間の任意の時間にわたって焼成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、デバイスウェハは、4分〜15分、5分〜10分、又は6分〜8分の範囲の時間にわたってコンベクション焼成することができる。いくつかの実施形態では、焼成は、ホットプレート焼成及びコンベクションオーブン焼成の両方を含むことができる。このような実施形態では、合計焼成時間は、5分、6分、若しくは7分程度の短い時間、又は8分、9分、若しくは10分程度の長い時間、又は任意の2つの前述の時間の間の時間であり得る。例えば、ホットプレート焼成及びコンベクションオーブン焼成の両方を含む実施形態では、合計焼成時間は、5分〜10分、6分〜9分、又は7分〜8分の範囲であり得る。150℃などのより高い焼成温度では、10分より長い合計焼成時間は、可視スペクトルの一部に対して保護層12の光透過率を80%に近付けるように減少させ得ることが見出された。
デバイスウェハ10が焼成された後、保護層12は、実質的に、室温において水に不溶性である。本開示の目的のために、室温は20℃〜30℃の範囲である。保護層12は、デバイスウェハ10の上面14を粒子汚染から保護する。
図2は、ダイシングテープ22上に載置された図1の半導体デバイスウェハ10の一部分の概略断面図である。図2に示すように、ダイシングテープ22は、デバイスウェハ10の底部側16に接着される。ダイシングテープ22は、当該技術分野において既知の任意のダイシングテープであり得る。ダイシングテープ22は、典型的には、ダイシングフレーム(図示せず)にも接着されて、デバイスウェハ10をダイシングフレーム内に浮遊させる。ダイシングフレームは、当該技術分野において既知であるように、デバイスウェハ10をダイシングソー(図示せず)上で加工するための機械的インターフェースを提供する。デバイスウェハ10がダイシングテープ22上に載置されると、デバイスウェハ10はダイシングされる準備が整う。デバイスウェハ10がダイシングされるために列をなして待っている間、いずれの浮遊粒子汚染も保護層12上に落ちることになり、デバイスウェハ10の上面14上に落ちることはない。
図3は、ダイシングプロセス中のデバイスウェハ10上の一時的保護層12を示している、図2の半導体デバイスウェハ10の一部分の概略断面図である。図3に示すように、ダイシングブレード24を使用して、デバイスウェハ10を切断し、ダイシングテープ22にわずかに切り込んで、ダイシングストリート20を除去し、半導体デバイス18を個々のダイに分離することができる。ダイシングブレード24は、当該技術分野において既知の任意のタイプのダイシングブレード、例えば、ダイヤモンド含浸樹脂ブレードであり得る。図3に示されているダイシングブレード24は、図面のページの奥又は手前のいずれかに向かう方向に回転する。図3に示すように、図の左側のダイシングストリート20は完全にダイシングされ、図示された2つの半導体デバイス18の間の図の中央にあるダイシングストリート20は部分的にダイシングされ、図の右側のダイシングストリート20はまだダイシングされていない。プロセス全体を通して、ダイシングブレード24によってダイシングされている領域は、ブレードを冷却し、ダイシングブレード24によってダイシングストリート20から除去された粒子(図示せず)を洗い流すために、水(図示せず)が噴霧されている。保護層12は、ダイシングブレード24を冷却するために使用される室温水に可溶性ではないため、上面14上に無傷で残存する。大きいウェハ上では、多くの半導体デバイス18と共に、デバイスウェハ10の上面14は、長期間にわたって冷却水噴霧に曝され得る。本発明の実施形態による保護層12は、そのような長期間にわたって、実質的に不溶性に無傷で残存することができる。いくつかの実施形態では、保護層12は、2.5時間、3時間、5時間、8時間、若しくは20時間程度の長い時間にわたって、又は前述の値のうちのいずれか2つの間の任意の時間程度の長さにわって、実質的に不溶性に無傷で残存する。デバイスウェハ10の上面14を浮遊粒子から保護することに加えて、保護層12はまた、冷却水噴霧によって完全には洗い流されないことがあり得るダイシングストリート20から除去された粒子からも上面14を保護する。
図4は、個々の半導体デバイス18ダイ上の一時的保護層12を示している、ダイシング後の図3の半導体デバイスウェハ10の一部分の概略断面図である。図4を参照して上述したように、保護層12は、半導体デバイス18のそれぞれの上面14上に無傷で残存しており、上面14を浮遊粒子汚染から保護し続ける。
図5は、本開示の実施形態による、一時的保護層12の除去後の図4のダイシングした半導体デバイスウェハ10の一部分の概略断面図である。いくつかの実施形態では、保護層12は、水を含む溶媒で保護層12を溶解することによって除去することができ、溶媒は65℃以上の温度を有する。いくつかの実施形態では、保護層12は、65℃、70℃、75℃、80℃程度の低い温度、又は85℃、90℃、95℃、99℃程度の高い温度、又は前述の温度のうちのいずれか2つの間に画定される温度範囲内の温度を有する溶媒によって溶解することができる。例えば、いくつかの実施形態では、保護層12は、65℃〜99℃、70℃〜95℃、75℃〜90℃、80℃〜85℃、又は80℃〜95℃の範囲の温度を有する溶媒によって溶解することができる。いくつかの実施形態では、溶媒は水からなる。いくつかの他の実施形態では、溶媒は、水及び界面活性剤を含む。
いくつかの実施形態では、保護層12は、ダイシングしたデバイスウェハ10を溶媒に浸漬することによって溶解することができる。他の実施形態では、保護層12は、ダイシングしたデバイスウェハ10上に溶媒を噴霧することによって溶解することができる。溶媒は、ダイシングした半導体デバイスをダイシングテープ22から剥がすことがないように、比較的低い圧力で噴霧することができる。いくつかの実施形態では、ダイシングしたデバイスウェハ10は、1分、2分、4分、6分、若しくは8分程度の短い時間にわたって、又は10分、15分、20分、25分、若しくは30分程度の長い時間にわたって、又は前述の時間のうちのいずれか2つの間の時間にわたって、溶媒に浸漬するか、又は溶媒で噴霧することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ダイシングしたデバイスウェハ10は、1分〜30分、2分〜25分、4分〜20分、6分〜15分、又は8分〜10分の範囲の時間にわたって、溶媒に浸漬するか、又は溶媒で噴霧することができる。
例えば、93%超、95%超、97%超、又は99%超の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)は、上述したように、室温で水にほとんど不溶性であるが、水を含む加熱した溶媒に容易に溶解する層を、形成することができることが見出された。87%〜89%などのより低い加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)は、150℃程度の高い温度で焼成した場合であっても、室温水にほとんど可溶性のままであることが見出された。
ポリ(ビニルアルコール)の加水分解度が93%を超える、いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、150℃〜170℃の温度で2分〜10分の時間にわたって焼成することができる。93%〜96%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)については、焼成温度は、保護層12が少なくとも2時間半の期間にわたって室温水に実質的に不溶性となるために、少なくとも150℃でなければならないことが判明している。ポリ(ビニルアルコール)の加水分解度が98.4%を超える、いくつかの実施形態では、デバイスウェハ10は、135℃〜170℃の温度で2分〜10分の時間にわたって焼成することができる。98.4%〜99.3%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)については、焼成温度は、保護層12が少なくとも2時間半の期間にわたって室温水に実質的に不溶性となるために、少なくとも135℃でなければならないことが判明している。
本発明は、例示的な設計に対するものとして説明したが、本発明は、本開示の趣旨及び範囲内で更に修正することができる。更に、本出願は、本発明が関連する技術分野における既知の又は慣習的な実践に属する本開示からのそのような逸脱を包含することが意図されている。
(実施例1)
焼成温度及び加水分解度の関数としての室温耐水性
2つのポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、1つは、98%〜99%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有し、もう1つは、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有した。加水分解度は製造業者によって提供された。溶液のそれぞれは、マントルヒーターを用いて、三つ口の2リットルガラスフラスコ内で1,170グラムの水を90℃〜95℃の温度に加熱することによって調製した。130グラムの量のポリ(ビニルアルコール)を少量ずつ添加しながら、混合物を激しく撹拌した。全てのポリ(ビニルアルコール)を添加した後、混合物を更に3時間撹拌して、ポリ(ビニルアルコール)を完全に溶解させた。結果として得られた溶液をそれぞれ、1マイクロメートルフィルタに通して濾過し、次いで0.1マイクロメートルフィルタに通して濾過した。
焼成温度及び加水分解度の関数としての室温耐水性
2つのポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、1つは、98%〜99%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有し、もう1つは、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有した。加水分解度は製造業者によって提供された。溶液のそれぞれは、マントルヒーターを用いて、三つ口の2リットルガラスフラスコ内で1,170グラムの水を90℃〜95℃の温度に加熱することによって調製した。130グラムの量のポリ(ビニルアルコール)を少量ずつ添加しながら、混合物を激しく撹拌した。全てのポリ(ビニルアルコール)を添加した後、混合物を更に3時間撹拌して、ポリ(ビニルアルコール)を完全に溶解させた。結果として得られた溶液をそれぞれ、1マイクロメートルフィルタに通して濾過し、次いで0.1マイクロメートルフィルタに通して濾過した。
2つの調製した溶液をそれぞれ、6枚の300mmシリコンウェハ上に、即ち、2つの溶液のそれぞれに対して3枚のウェハ上にスピンコーティングした。各ウェハに対して、10mLの溶液をウェハ上に分配し、ウェハを900RPMで30秒間回転させた。ウェハのそれぞれは、ホットプレート上において120℃、135℃又は150℃で2分間焼成した。テープ接着試験のために、ウェハのそれぞれの上にクロスハッチパターンを作製した。ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを測定した。
6枚のウェハを30℃の温度で2時間半水に浸漬した。浸漬後、窒素ガスを流すことによってウェハを乾燥させ、ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを再度測定した。結果を以下の表1に示す。ウェハのそれぞれに対する保護層の接着をASTM D3359のクロスグリッド試験手順による接着テープ試験によって判定した。全てのウェハが、光学顕微鏡下で観察した接着テープ試験に合格した。
表1に示すように、98%〜99%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)保護層は、150℃の温度で焼成した場合(ボールド体で表示)は30℃の水に不溶性であったが、135℃の温度で焼成した場合は不溶性でなかった。対照的に、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)保護層は、135℃又は150℃のいずれかの温度で焼成した場合(ボールド体で表示)は30℃の水に不溶性であった。いずれのポリ(ビニルアルコール)保護層も、120℃の温度で焼成した場合は30℃の水に不溶性でなかった。したがって、30℃の水に対するポリ(ビニルアルコール)保護層の耐性は、焼成温度及び加水分解度の両方の関数である。
6枚のウェハを85℃の水に5分間浸漬した。ポリ(ビニルアルコール)保護層は、6枚全てのウェハからうまく除去された。
(実施例2)
焼成温度及び加水分解度の関数としての室温耐水性
以下の表2に示すように、88%〜99.3%の範囲の加水分解度をそれぞれ有する5つのポリ(ビニルアルコール)溶液を調製した。加水分解度は製造業者によって提供された。溶液のそれぞれは、マントルヒーターを用いて、三つ口の2リットルガラスフラスコ内で1,170グラムの水を90℃〜95℃の温度に加熱することによって調製した。130グラムの量のポリ(ビニルアルコール)を少量ずつ添加しながら、混合物を激しく撹拌した。全てのポリ(ビニルアルコール)を添加した後、混合物を更に3時間撹拌して、ポリ(ビニルアルコール)を完全に溶解させた。結果として得られた溶液をそれぞれ、1マイクロメートルフィルタに通して濾過し、次いで0.1マイクロメートルフィルタに通して濾過した。
焼成温度及び加水分解度の関数としての室温耐水性
以下の表2に示すように、88%〜99.3%の範囲の加水分解度をそれぞれ有する5つのポリ(ビニルアルコール)溶液を調製した。加水分解度は製造業者によって提供された。溶液のそれぞれは、マントルヒーターを用いて、三つ口の2リットルガラスフラスコ内で1,170グラムの水を90℃〜95℃の温度に加熱することによって調製した。130グラムの量のポリ(ビニルアルコール)を少量ずつ添加しながら、混合物を激しく撹拌した。全てのポリ(ビニルアルコール)を添加した後、混合物を更に3時間撹拌して、ポリ(ビニルアルコール)を完全に溶解させた。結果として得られた溶液をそれぞれ、1マイクロメートルフィルタに通して濾過し、次いで0.1マイクロメートルフィルタに通して濾過した。
5つの調製した溶液をそれぞれ、15枚の300mmシリコンウェハ上に、即ち、5つの溶液のそれぞれに対して3枚のウェハ上にスピンコーティングした。各ウェハに対して、10mLの溶液をウェハ上に分配し、ウェハを900RPMで30秒間回転させた。ウェハのそれぞれは、ホットプレート上において120℃、135℃又は150℃で2分間焼成した。ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを測定した。
15枚のウェハを30℃の温度で2時間半水に浸漬した。浸漬後、窒素ガスを流すことによってウェハを乾燥させ、ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを再度測定した。結果を以下の表2に示す。
表2に示すように、88%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)保護層は、150℃で焼成した場合でも容易に溶解した。対照的に、93%又は96%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)保護層は、150℃の温度で焼成した場合(ボールド体で表示)は30℃の水に不溶性であったが、135℃の温度で焼成した場合は不溶性でなかった。98.4%又は99.3%の加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)保護層は、135℃又は150℃のいずれかの温度で焼成した場合(ボールド体で表示)は30℃の水に不溶性であった。したがって、30℃の水に対するポリ(ビニルアルコール)保護層の耐性は、焼成温度及び加水分解度の両方の関数である。
(実施例3)
焼成時間の関数としての室温耐水性
実施例1で上述したように、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有したポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、7枚の300mmシリコンウェハ上に分配した。コーティングしたウェハを、ホットプレートに近接させて150℃の温度で5分間焼成し、次いで、ホットプレートに接触させて150℃の温度で5分間焼成した。ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを測定した。
焼成時間の関数としての室温耐水性
実施例1で上述したように、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有したポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、7枚の300mmシリコンウェハ上に分配した。コーティングしたウェハを、ホットプレートに近接させて150℃の温度で5分間焼成し、次いで、ホットプレートに接触させて150℃の温度で5分間焼成した。ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを測定した。
7枚のウェハを、それぞれ5時間〜117時間の範囲の異なる時間にわたって30℃の温度で水に浸漬した。浸漬後、窒素ガスを流すことによってウェハを乾燥させ、ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを再度測定した。結果を以下の表3に示す。
表3に示すように、99%を超える加水分解度を有し、150℃で10分間焼成されたポリ(ビニルアルコール)保護層は、30℃の水に最大93時間不溶性であった。117時間のときにのみ、保護層は溶解の証拠を示した。
(実施例4)
水温度の関数としての溶解
実施例1で上述したように、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有したポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、5枚の300mmシリコンウェハ上に分配した。コーティングしたウェハを150℃の温度で2分間焼成した。ASTM D3359のクロスグリッド試験手順によるテープ接着試験のために、2mm×2mmのクロスハッチパターンをウェハのそれぞれの上に作製した。ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを測定した。
水温度の関数としての溶解
実施例1で上述したように、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有したポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、5枚の300mmシリコンウェハ上に分配した。コーティングしたウェハを150℃の温度で2分間焼成した。ASTM D3359のクロスグリッド試験手順によるテープ接着試験のために、2mm×2mmのクロスハッチパターンをウェハのそれぞれの上に作製した。ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを測定した。
5枚のウェハのそれぞれを、40℃〜70℃の範囲の5つの異なる温度のうちの1つで一連の時間にわたって水に浸漬した。浸漬時間は5秒から1,800秒まで増加した。各浸漬後、窒素ガスを流すことによってウェハを乾燥させ、ウェハのそれぞれの上にあるポリ(ビニルアルコール)保護層の厚さを再度測定した。結果を図6に示す。ウェハのそれぞれに対する保護層の接着をASTM D3359のクロスグリッド試験手順による接着テープ試験によって判定した。全てのウェハが、光学顕微鏡下で観察した接着テープ試験に合格した。図6に示すように、ポリ(ビニルアルコール)保護層は、65℃程度の低い温度で容易に溶解した。
(実施例5)
様々な焼成時間及び温度での波長の関数としての光透過率
実施例1で上述したように、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有したポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、6枚の4インチガラスウェハ上に分配した。コーティングしたウェハのそれぞれを、120℃又は150℃の温度で、2分、5分、又は10分の時間にわたって、ホットプレート上で焼成した。焼成後、コーティングしたウェハのそれぞれに対して350nm〜850nmの波長における光透過率を測定し、第7の未コーティングのガラスウェハと比較した。結果を図7に示す。図7に示すように、光透過率は、150℃で10分間焼成したウェハの最短波長の場合を除いた全てに対して80%を上回る状態が維持されている。
様々な焼成時間及び温度での波長の関数としての光透過率
実施例1で上述したように、99%を超える加水分解度を有するポリ(ビニルアルコール)を含有したポリ(ビニルアルコール)溶液を調製し、6枚の4インチガラスウェハ上に分配した。コーティングしたウェハのそれぞれを、120℃又は150℃の温度で、2分、5分、又は10分の時間にわたって、ホットプレート上で焼成した。焼成後、コーティングしたウェハのそれぞれに対して350nm〜850nmの波長における光透過率を測定し、第7の未コーティングのガラスウェハと比較した。結果を図7に示す。図7に示すように、光透過率は、150℃で10分間焼成したウェハの最短波長の場合を除いた全てに対して80%を上回る状態が維持されている。
(実施例6)
加水分解度及び焼成温度の関数としての光透過率
以下の表4に示すように、88%〜99.3%の範囲の加水分解度をそれぞれ有する4つのポリ(ビニルアルコール)溶液を調製した。加水分解度は製造業者によって提供された。溶液のそれぞれは、マントルヒーターを用いて、三つ口の2リットルガラスフラスコ内で1,170グラムの水を90℃〜95℃の温度に加熱することによって調製した。130グラムの量のポリ(ビニルアルコール)を少量ずつ添加しながら、混合物を激しく撹拌した。全てのポリ(ビニルアルコール)を添加した後、混合物を更に3時間撹拌して、ポリ(ビニルアルコール)を完全に溶解させた。結果として得られた溶液をそれぞれ、1マイクロメートルフィルタに通して濾過し、次いで0.1マイクロメートルフィルタに通して濾過した。
加水分解度及び焼成温度の関数としての光透過率
以下の表4に示すように、88%〜99.3%の範囲の加水分解度をそれぞれ有する4つのポリ(ビニルアルコール)溶液を調製した。加水分解度は製造業者によって提供された。溶液のそれぞれは、マントルヒーターを用いて、三つ口の2リットルガラスフラスコ内で1,170グラムの水を90℃〜95℃の温度に加熱することによって調製した。130グラムの量のポリ(ビニルアルコール)を少量ずつ添加しながら、混合物を激しく撹拌した。全てのポリ(ビニルアルコール)を添加した後、混合物を更に3時間撹拌して、ポリ(ビニルアルコール)を完全に溶解させた。結果として得られた溶液をそれぞれ、1マイクロメートルフィルタに通して濾過し、次いで0.1マイクロメートルフィルタに通して濾過した。
4つの調製した溶液をそれぞれ、12枚の300mmシリコンウェハ上に、即ち、5つの溶液のそれぞれに対して3枚のウェハ上にスピンコーティングした。各ウェハに対して、10mLの溶液をウェハ上に分配し、ウェハを900RPMで30秒間回転させた。ウェハのそれぞれは、ホットプレート上において150℃、200℃又は250℃で5分間焼成した。焼成後、380nm〜780nmの波長で光透過率を測定し、コーティングしたウェハのそれぞれ対して平均透過率を判定した。結果を表4に示す。表4に示すように、平均光透過率は、150℃で焼成したウェハでは90%を上回る状態に、200℃で焼成したウェハでは80%を上回る状態に維持されているが、250℃で焼成したウェハ(ボールド体)では80%を下回っている。これは、少なくとも80%の光透過率を満たすために、5分間の焼成では、温度を200℃以下にすべきであることを示唆している。
本発明の範囲から逸脱することなく、記載した例示的な実施形態に対して様々な修正及び付加を行うことができる。例えば、上述の実施形態は、特定の特徴に言及するものであるが、本発明の範囲はまた、異なる特徴の組み合わせを有する実施形態及び上述の特徴の全てを含むわけではない実施形態を含む。
Claims (10)
- 処理中に半導体デバイスウェハを一時的に保護する方法であって、
ポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することであって、前記ポリ(ビニルアルコール)が93%以上の加水分解度を有する、ことと、
前記調製した溶液で前記デバイスウェハをコーティングすることと、
前記コーティングしたデバイスウェハを150℃〜170℃の温度で焼成して、保護層を形成することと、
前記焼成したデバイスウェハを処理することであって、前記保護層が、処理中に前記焼成したデバイスウェハ上に残存している、ことと、
前記処理したウェハから前記保護層を溶媒で65℃以上の温度にて溶解させることであって、前記溶媒が水を含む、ことと、を含む、方法。 - 前記ポリ(ビニルアルコール)が、93%〜99.3%の加水分解度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記溶液中の前記ポリ(ビニルアルコール)の濃度が前記溶液の5重量%〜30重量%であり、残部は水である、請求項1に記載の方法。
- 前記コーティングしたデバイスウェハの前記焼成が1分〜12分の時間にわたる、請求項1に記載の方法。
- 前記保護層の前記溶解が、前記処理したウェハを前記溶媒に浸漬することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記保護層の前記溶解が、前記処理したウェハ上に前記溶媒を噴霧することを含む、請求項1に記載の方法。
- ウェハ個片化中に半導体デバイスウェハを一時的に保護する方法であって、
ポリ(ビニルアルコール)及び水を含む溶液を調製することであって、前記ポリ(ビニルアルコール)が98.4%以上の加水分解度を有する、ことと、
前記調製した溶液で前記デバイスウェハをコーティングすることと、
前記コーティングしたデバイスウェハを135℃〜170℃の温度で焼成して、保護層を形成することと、
前記焼成したデバイスウェハをダイシングすることであって、前記保護層が、ダイシング中に前記焼成したデバイスウェハ上に残存している、ことと、
前記ダイシングしたウェハから前記保護層を溶媒で65℃以上の温度にて溶解して、前記保護層を溶解させることであって、前記溶媒が水を含む、ことと、を含む、方法。 - 前記ポリ(ビニルアルコール)が、98.4%〜99.3%の加水分解度を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記溶液を調製することが、
前記水を80℃〜98℃の温度に加熱することと、
前記ポリ(ビニルアルコール)を前記加熱した水に混合することと、
前記混合物を撹拌して前記溶液を形成することと、を含む、請求項7に記載の方法。 - 前記溶液中の前記ポリ(ビニルアルコール)の濃度が前記溶液の5重量%〜30重量%であり、残部は水である、請求項7に記載の方法。
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