JP2020503677A - 低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを最小化する方法 - Google Patents
低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを最小化する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020503677A JP2020503677A JP2019533634A JP2019533634A JP2020503677A JP 2020503677 A JP2020503677 A JP 2020503677A JP 2019533634 A JP2019533634 A JP 2019533634A JP 2019533634 A JP2019533634 A JP 2019533634A JP 2020503677 A JP2020503677 A JP 2020503677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- formula
- low
- fluorine compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 263
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 99
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 54
- CFPAMJZAMYOJER-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,3-tetrafluoropropanenitrile Chemical compound N#CC(F)C(F)(F)F CFPAMJZAMYOJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- DQFXLCKTFSDWHB-UHFFFAOYSA-N 2,2-difluoroacetonitrile Chemical compound FC(F)C#N DQFXLCKTFSDWHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UHEDJBIYIWUMLU-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-amine Chemical compound FC(F)(F)C(N)C(F)(F)F UHEDJBIYIWUMLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GTJGHXLFPMOKCE-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoro-n-(2,2,2-trifluoroethyl)ethanamine Chemical compound FC(F)(F)CNCC(F)(F)F GTJGHXLFPMOKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KIPSRYDSZQRPEA-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethanamine Chemical compound NCC(F)(F)F KIPSRYDSZQRPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DPQNQLKPUVWGHE-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropan-1-amine Chemical compound NCC(F)(F)C(F)(F)F DPQNQLKPUVWGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PIORIRQBACOORT-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropanenitrile Chemical compound FC(F)C(F)(F)C#N PIORIRQBACOORT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VVRCKMPEMSAMST-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-imine Chemical compound FC(F)(F)C(=N)C(F)(F)F VVRCKMPEMSAMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PZIVXXORSILYOQ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorohexanedinitrile Chemical compound N#CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C#N PZIVXXORSILYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PFXBZIOMDHRUQQ-UHFFFAOYSA-N 2-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ylidene)propanedinitrile Chemical group FC(F)(F)C(C(F)(F)F)=C(C#N)C#N PFXBZIOMDHRUQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RBICLFYEDLXKIM-UHFFFAOYSA-N 2-(1,1,1,3,3-pentafluoropropan-2-ylidene)propanedinitrile Chemical compound FC(C(C(F)(F)F)=C(C#N)C#N)F RBICLFYEDLXKIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNFVFPBRMLIKIM-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroacetonitrile Chemical compound FCC#N GNFVFPBRMLIKIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WDGHUZCUXKJUJQ-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoropropanenitrile Chemical compound FC(F)(F)CC#N WDGHUZCUXKJUJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KVXCEYRTLSUTAT-UHFFFAOYSA-N n,1,1,1,3,3,3-heptafluoropropan-2-imine Chemical compound FN=C(C(F)(F)F)C(F)(F)F KVXCEYRTLSUTAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LHWSEFCIRYVTLZ-OWOJBTEDSA-N (e)-4,4,4-trifluorobut-2-enenitrile Chemical compound FC(F)(F)\C=C\C#N LHWSEFCIRYVTLZ-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 2
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- RFGJOVHBVBBMTA-UHFFFAOYSA-N CCC(=NC(C(F)(F)F)(F)F)F Chemical compound CCC(=NC(C(F)(F)F)(F)F)F RFGJOVHBVBBMTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 claims 1
- 125000005246 nonafluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 102
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 25
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 19
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 11
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 9
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- WBGBQSRNXPVFDB-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutan-1-amine Chemical compound NCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F WBGBQSRNXPVFDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N (e)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C\C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N (z)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C/C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- SFFUEHODRAXXIA-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroacetonitrile Chemical compound FC(F)(F)C#N SFFUEHODRAXXIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVBKAFXHWXBINM-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,5-nonafluoropentanenitrile Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C#N FVBKAFXHWXBINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KADDQZUTOFNHMA-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,4,4-pentafluorobut-3-enenitrile Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)C#N KADDQZUTOFNHMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QMIWYOZFFSLIAK-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoro-2-(trifluoromethyl)prop-1-ene Chemical compound FC(F)(F)C(=C)C(F)(F)F QMIWYOZFFSLIAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710178035 Chorismate synthase 2 Proteins 0.000 description 2
- 101710152694 Cysteine synthase 2 Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- IQFYYKKMVGJFEH-XLPZGREQSA-N Thymidine Chemical compound O=C1NC(=O)C(C)=CN1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)C1 IQFYYKKMVGJFEH-XLPZGREQSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- LMSLTAIWOIYSGZ-LWMBPPNESA-N (3s,4s)-1,1,2,2,3,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound F[C@H]1[C@H](F)C(F)(F)C1(F)F LMSLTAIWOIYSGZ-LWMBPPNESA-N 0.000 description 1
- LMSLTAIWOIYSGZ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound FC1C(F)C(F)(F)C1(F)F LMSLTAIWOIYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCVRBOAAPJPHKL-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluorocyclobutane Chemical compound FC1CC(F)(F)C1(F)F CCVRBOAAPJPHKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKQMZZOTFNLAQJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)CCC1(F)F AKQMZZOTFNLAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTGOWLIKIQLYRG-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluoropyridine Chemical compound FC1=NC(F)=C(F)C(F)=C1F XTGOWLIKIQLYRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBUMZWRGZRIUCF-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoro-n-(2,2,2-trifluoroethyl)propan-1-imine Chemical compound FC(F)(F)CC=NCC(F)(F)F PBUMZWRGZRIUCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWRXFEITVBNRMK-UHFFFAOYSA-N Beta-D-1-Arabinofuranosylthymine Natural products O=C1NC(=O)C(C)=CN1C1C(O)C(O)C(CO)O1 DWRXFEITVBNRMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- IQFYYKKMVGJFEH-UHFFFAOYSA-N beta-L-thymidine Natural products O=C1NC(=O)C(C)=CN1C1OC(CO)C(O)C1 IQFYYKKMVGJFEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- VMKJWLXVLHBJNK-UHFFFAOYSA-N cyanuric fluoride Chemical class FC1=NC(F)=NC(F)=N1 VMKJWLXVLHBJNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTDKCBWKKIFMSC-UHFFFAOYSA-N cyclobutane 1,1,2,2,3-pentafluorobutane Chemical compound C1CCC1.FC(C(C(C)F)(F)F)F YTDKCBWKKIFMSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940104230 thymidine Drugs 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
本出願は、全ての目的に関して、参照によって全体として本明細書に組み込まれる、2016年12月31日出願の米国特許出願第15/396,486号の利益を主張する。
・有機フッ素化合物は、C≡N官能基を含有する;
・有機フッ素化合物は、式N≡C−R(式中、Rは、式HaFbCcを有し、かつa=0、b=1〜11およびc=1〜5である)を有する;
・有機フッ素化合物は、式:
・有機フッ素化合物は、式:
・有機フッ素化合物は、式N≡C−R(式中、Rは、式HaFbCcを有し、かつa=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式(N≡C−)−(R)−(−C≡N)(式中、Rは、式HaFbCcを有し、a=0、b=1〜11およびc=1〜5である)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式(N≡C−)−(R)−(−C≡N)(式中、Rは、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、C=N官能基を含有する;
・有機フッ素化合物は、式Rx[−C=N(Rz)]y(式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3、かつ各Rは、独立して、a=0、b=1〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式Rx[−C=N(Rz)]y(式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3、かつ各Rは、独立して、a=0〜11、b=0〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、C−N官能基を含有する;
・有機フッ素化合物は、式R(3−a)−N−Ha(式中、a=1〜2、かつ各Rは、独立して、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・Piranha(H2SO4+H2O2+H2O)、SC1(1:1:100 NH4OH:H2O2:H2O)、SC2(1:1000 HCl:H2O)、またはHFを使用して、残留ポリマーを除去する;
・Piranha(H2SO4+H2O2+H2O)、SC1(1:1:100 NH4OH:H2O2:H2O)、SC2(1:1000 HCl:H2O)またはHFを使用して、ダメージを受けた低誘電率層を除去する;
・残留ポリマーの除去と一緒に、ダメージを受けた低誘電率層の全体を除去する;
・残留ポリマーの除去と一緒に、ダメージを受けた低誘電率層の一部を除去する;
・窒素含有エッチング組成物のプラズマ活性化蒸気は、パターン化マスク層ではなく、低誘電率層を選択的にエッチングする;
・窒素含有エッチング組成物のプラズマ活性化蒸気は、約20:1〜約120:1の範囲の低誘電率層およびパターン化マスク層間の選択性を示す;
・窒素含有エッチング組成物のプラズマ活性化蒸気は、約70:1〜約120:1の範囲の低誘電率層およびパターン化マスク層間の選択性を示す;
・活性化窒素含有エッチング組成物は、低誘電率層と反応し、揮発性副産物を形成する;
・揮発性副産物は、反応チャンバーから除去される;
・エッチングステップの間に、不活性ガスを導入することをさらに含んでなる;
・不活性ガスは、He、Ar、Xe、KrおよびNeからなる群から選択される;
・不活性ガスは、Arである;
・エッチングステップへの導入の前に、窒素含有エッチング組成物の蒸気および不活性ガスを混合する;
・エッチングステップの間に、不活性ガスとは別々に窒素含有エッチング組成物の蒸気を導入する;
・エッチングステップの間に、不活性ガスを連続的に導入し、そして窒素含有エッチング組成物の蒸気を断続的に導入する;
・不活性ガスは、エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気および不活性ガスの両方の全体積の約0.01%v/v〜約99.9%v/vを構成する;
・不活性ガスは、エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気および不活性ガスの両方の全体積の約10%v/v〜約90%v/vを構成する;
・不活性ガスは、エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気および不活性ガスの両方の全体積の約90%v/v〜約99%v/vを構成する;
・エッチングステップの間に、酸素含有反応物を導入することをさらに含んでなる;
・エッチングステップの間に、酸素含有反応物を導入しない;
・酸素含有反応物は、O2、COS、CO、CO2、NO、N2O、NO2、SO2およびO3からなる群から選択される;
・酸素含有反応物は、O2である;
・エッチングステップの前に、窒素含有エッチング組成物の蒸気および酸素含有反応物を混合する;
・エッチングステップの間に、酸素含有反応物とは別々に窒素含有エッチング組成物の蒸気を導入する;
・エッチングステップの間に、酸素含有反応物を連続的に導入し、そして窒素含有エッチング組成物の蒸気を断続的に導入する;
・酸素含有反応物は、エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気および酸素含有反応物の全体積の約0.01%v/v〜約99.9%v/vを構成する;
・酸素含有反応物は、エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気および酸素含有反応物の全体積の約40%v/v〜約60%v/vを構成する;
・酸素含有反応物は、エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気および酸素含有反応物の全体積の約0.01%v/v〜約10%v/vを構成する;
・低誘電率層は、SiaObCcHd(式中、a>0;b、cおよびd≧0である)の層を含んでなる;
・低誘電率層は、酸素原子、炭素原子、水素原子またはそれらの組合せを含んでなる;
・低誘電率層は、多孔性である;
・低誘電率層は、a−C層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、フォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、窒化ケイ素層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、炭窒化ケイ素層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、ポリケイ素層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、結晶質ケイ素層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、金属コンタクト層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、窒化チタン層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、タンタル層から選択的にエッチングされる;
・低誘電率層は、酸化ケイ素層である;
・a−C層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・フォトレジスト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・p−Si層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・結晶質ケイ素層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・金属コンタクト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・SiN層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・SiCN層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする;
・ケイ素含有膜は、SiCOH層である;
・窒化チタン層からSiCOH層を選択的にエッチングする;
・a−C層からSiCOH層を選択的にエッチングする;
・フォトレジスト層からSiCOH層を選択的にエッチングする;
・SiN層からSiCOH層を選択的にエッチングする;
・SiCN層からSiCOH層を選択的にエッチングする;
・アパーチャーは、約10:1〜約200:1のアスペクト比を有する;
・アパーチャーは、約1:1〜約20:1のアスペクト比を有する;
・アパーチャーは、ゲートトレンチである;
・アパーチャーは、階段状コンタクトである;
・アパーチャーは、チャネルホールである;
・アパーチャーは、約60:1〜約100:1のアスペクト比を有するチャネルホールである;
・アパーチャーは、約5nm〜約100nmの範囲の直径を有するチャネルホールである;
・アパーチャーは、約10nm〜約50nmの範囲の直径を有するチャネルホールである;
・エッチングステップの間に、エッチングガスを導入することによって、選択性を改善することをさらに含んでなる;
・エッチングステップの間に、エッチングガスを導入することによって、エッチング速度を改善することをさらに含んでなる;
・エッチングガスは、cC4F8、C4F8、C4F6、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CF3I、C2F3I、C2F5I、F−C≡N、CS2、SO2、トランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(trans−C4H2F6)、シス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(cis−C4H2F6)、ヘキサフルオロイソブテン(C4H2F6)、トランス−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(trans−C4H2F6)、1,1,2,2,3−ペンタフルオロシクロブタン(C4H3F5)、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタン(C4H4F4)またはシス−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(cis−C4H2F6)からなる群から選択される;
・エッチングガスは、cC5F8である;
・エッチングガスは、cC4F8である;
・エッチングガスは、C4F6である;
・エッチングステップの前に、窒素含有エッチング組成物の蒸気およびエッチングガスを混合する;
・エッチングステップの間に、エッチングガスとは別々に窒素含有エッチング組成物の蒸気を導入する;
・エッチングステップの間に導入される窒素含有エッチング組成物の蒸気およびエッチングガスの全体積の約0.01%v/v〜約99.99%v/vのエッチングガスを導入する;
・RF電力を適用することによってプラズマを活性化する;
・約25W〜約10,000Wの範囲のRF電力によってプラズマを活性化する;
・約1mTorr〜約10Torrの範囲の圧力においてエッチングステップを実行する;
・エッチングステップの間に、約0.1sccm〜約1slmの範囲のフロー速度で、エッチング反応チャンバー中に窒素含有エッチング組成物の蒸気を導入する;
・約−196℃〜約500℃の範囲の温度に低誘電率層を維持する;
・約−120℃〜約300℃の範囲の温度に低誘電率層を維持する;
・約−100℃〜約50℃の範囲の温度に低誘電率層を維持するか;あるいは
・約−50℃〜約40℃の範囲の温度に低誘電率層を維持する。
・有機フッ素化合物は、式R(3−a)−N−Ha(式中、a=1〜2、かつRは、独立して、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する;
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・有機フッ素化合物は、式
・約95体積%〜約99.999体積%の範囲の純度を有する;
・約10pptv(parts per trillion by volume)〜約5体積%の微量ガス不純物を含んでなる;
・微量ガス不純物は、水を含んでなる;
・微量ガス不純物は、CO2を含んでなる;
・微量ガス不純物は、N2を含んでなるか;あるいは
・窒素含有エッチング組成物は、20ppmw未満の含水量を有する。
以下の詳細な説明および請求の範囲では、一般に、当該技術において周知である多数の略語、記号および用語が利用される。定義は典型的にそれぞれの頭字語によって提供されるが、便宜上、表1に、それらのそれぞれの定義と一緒に、使用された略語、記号および用語の一覧を示す。
N≡C−R (I)
(N≡C−)−(R)−(−C≡N) (II)
(式中、Rは、a=0〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する。HaFbCc官能基は、直鎖、分岐鎖または環状であり得る。HaFbCc官能基は、飽和または不飽和であり得る。出願人らは、C≡N官能基が、xが0.01〜1の範囲であり、かつyが0.01〜4の範囲であるCxFyポリマーと比較して、改善されたエッチング抵抗ポリマー堆積の利点を提供し得ると考える。実施例6に示されるように、C≡N官能基は、C−N官能基によって提供されるよりも、いずれの得られるポリマーパッシベーション層においても、より少ない窒素を提供し得る。これは、より小さい構造において望ましくなり得る。有機フッ素化合物が少なくとも1つのHを含む場合(すなわち、Rが、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する場合)、SiNのエッチング速度は、マスク層への高い選択性を維持しながらも強化され得る。
Rx[−C=N(Rz)]y (III)
(式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3であり、かつ各Rは、独立して、a=0〜11、b=1〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する)を有する。HaFbCc官能基は、直鎖、分岐鎖または環状であり得る。HaFbCc官能基は、飽和または不飽和であり得る。出願人らは、C=N官能基が、xが0.01〜1の範囲であり、かつyが0.01〜4の範囲であるCxFyポリマーと比較して、ケイ素層の間で改善された選択性を提供し得ると考える。有機フッ素化合物が少なくとも1つのHを含む場合(すなわち、少なくとも1つのRが、a=1〜11、b=1〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する場合、好ましくは、少なくとも1つのRxがHである場合)、SiNのエッチング速度は、マスク層への高い選択性を維持しながらも強化され得る。
R(3−a)−N−Ha (IV)
(式中、a=1〜2であり、かつ各Rは、独立して、a=0〜11、b=1〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する)を有する。HaFbCc官能基は、直鎖、分岐鎖または環状であり得る。HaFbCc官能基は、飽和または不飽和であり得る。出願人らは、C−N官能基が、xが0.01〜1の範囲であり、かつyが0.01〜4の範囲であるCxFyポリマーと比較して、ケイ素層の間で改善された選択性を提供すると考える。実施例6に示されるように、C−N官能基は、C≡N官能基によるよりも、いずれの得られるポリマーパッシベーション層においても、より多くの窒素を提供し得る。有機フッ素化合物が少なくとも1つのHを含む場合(すなわち、少なくとも1つのRが、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する場合)、SiNのエッチング速度は、マスク層への高い選択性を維持しながらも強化され得る。
エッチング実験は、それぞれが500nmの低誘電率酸化ケイ素(Black Diamond II)、SiCN、SiNまたはTiNを有する、4つの1×1cm2クーポン上で実行された。エッチング速度は、エッチング時間の関数としてのエッチングの厚さの変化を測定することによって、偏光解析装置および/または走査電子顕微鏡(SEM)を使用して測定される。クーポンを直径200mmのキャリアウエハ上に配置し、そして2spi製造業者から入手した二重側面炭素テープを使用することによって、接触するように保持される。代わりに、熱ペーストを使用して、クーポンをキャリアウエハ上に積み重ねることが可能である。反応器条件は、以下の通りである:RF電力(200W)、バイアス電力(200W)、チャンバー圧力(40mTorr)、Arフロー(250sccm)、エッチングガスフロー(5sccm)およびエッチングされた基材の量(50%または約250nm)。反応器中の温度は、ほぼ室温(すなわち、約20℃〜約25℃)であった。
平面低誘電率ウエハを異なるエッチングガスによってエッチングした。エッチング実験は、1×1cm2クーポン上、500nmのBDII上で実行された。クーポンを直径200mmのキャリアウエハ上に配置し、そして2spi製造業者から入手した二重側面炭素テープを使用することによって、接触するように保持される。代わりに、熱ペーストを使用して、クーポンをキャリアウエハ上に積み重ねることが可能である。反応器条件は、以下の通りである:RF電力(200W)、バイアス電力(200W)、チャンバー圧力(40mTorr)、Arフロー(250sccm)、エッチングガスフロー(5sccm)およびエッチングされた基材の量(50%または約250nm)。
実施例2と同一の低誘電率ウエハをX線光電子分光分析(XPS)によって分析した。図7は、指定されたガスによる低誘電率層のエッチング前および後のパーセントC1を示すXPSグラフである。XPS分析は、2.5nm/サイクルにおける低誘電率層の繰り返しイオンスパッタリングによって実行された。図7中、y軸は炭素のパーセンテージを表し、そしてx軸は、2.5nm/サイクルにおけるイオンスパッタリングサイクル数を表す。
エッチング実験は、低誘電率層の側壁ダメージを決定するために、Si基材上に上部から下部に向けて、フォトレジスト、底部反射防止コーティング、窒化ケイ素エッチング停止および低誘電率層を有するパターン化されたウエハ上で実行された。低誘電率エッチングのための反応器条件は、以下の通りであった:RF電力(200W)、バイアス電力(200W)、チャンバー圧力(40mTorr)、Arフロー(250sccm)およびエッチングガスフロー(5sccm)。反応器中の温度は、ほぼ室温(すなわち、約20℃〜約25℃)であった。C3HF4Nエッチングガスに10sccmのO2を添加し、そしてC2HF2Nエッチングガスに14sccmのO2を添加した。全部で300nmの低誘電率層がエッチングされた。ダメージは、2で割られるHF浸漬前および後のトレンチ幅における差異を測定するために、SEMを使用して測定された[すなわち、nmでの側壁ダメージ=(前HF幅−後HF幅)/2]。図8aは、HF浸漬前にC3HF4Nによってエッチングされたパターン化ウエハの走査型電子顕微鏡写真である。図8bは、HF浸漬後にC3HF4Nによってエッチングされたパターン化ウエハの走査型電子顕微鏡写真である。C3HF4Nを使用する平均側壁ダメージは、3つのトレンチデータ点をベースとして9.3nm±1.5nmであった。CF4を使用する平均側壁ダメージは、13.8nm±3.3nmであった。C2HF2Nを使用する平均側壁ダメージは、10.5nm±0.5nmであった。
エッチング実験は、実施例4におけるものよりも高い電力条件において、低誘電率層の側壁ダメージを決定するために、Si基材上に上部から下部に向けて、フォトレジスト、底部反射防止コーティング、窒化ケイ素エッチング停止および低誘電率層を有するパターン化されたウエハ上で実行された。低誘電率エッチングのための反応器条件は、以下の通りであった:RF電力(750W)、バイアス電力(750W)、チャンバー圧力(40mTorr)、Arフロー(250sccm)、エッチングガスフロー(5sccm)およびエッチングされた基材の量(50%または約150nm)。反応器中の温度は、ほぼ室温(すなわち、約20℃〜約25℃)であった。C3HF4Nエッチングガスに8sccmのO2を添加した。ダメージは、2で割られるHF浸漬前および後のトレンチ幅における差異を測定するために、SEMを使用して測定された[すなわち、nmでの側壁ダメージ=(前HF幅−後HF幅)/2]。CF4を使用する平均側壁ダメージは、23nmであった。C3HF4Nを使用する平均側壁ダメージは、13nmであった。CH2F2を使用する平均側壁ダメージは、24nmであった。
1×1cm2低誘電率クーポン上で、30mTorrおよび750W(27MHz)の電源において、基材上にバイアス電力を用いずに堆積試験を実行した。プロセス供給混合物は、250sccmのArおよび5sccmのエッチングガスを含有する。次いで、基材上に形成された重合膜の種類を調査するために、堆積試験試料をX線光電子分光分析(XPS)分析用に送達する。
全ての窒素含有化合物が所望のエッチング結果をもたらすわけではない。実施例2のように、平面低誘電率ウエハを2,2,2−トリフルオロアセトアミジン(C2H3F3N2、CAS番号354−37−0)によってエッチングした。反応器条件は、以下の通りである:RF電力(200W)、バイアス電力(200W)、チャンバー圧力(40mTorr)、Arフロー(250sccm)およびエッチングガスフロー(5sccm)。反応器中の温度は、ほぼ室温(すなわち、約20℃〜約25℃)であった。エッチングから30秒後、低誘電率層の厚さの変化は観察されなかった。
さらに、Nを含有しないポリマーは、開示された窒素含有エッチング組成物と同様に作用しない。CH2F2(CAS番号75−10−5)は、周知のポリマー形成化合物である。
Claims (15)
- 低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを、HFリンスの前後で11nm未満の差異まで最小化する方法であって、
低誘電率層にアパーチャーを作成するための領域を画定する開口を有するパターン化マスク層を、前記低誘電率層上に堆積させるステップと;
第1の画定された側壁幅を有する前記アパーチャーを前記低誘電率層に生じるために、N≡C−R;(N≡C−)−(R)−(−C≡N);Rx[−C=N(Rz)]y;およびR(3−x)−N−Hx(式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3であり、かつ各Rは、独立して、a=0〜11、b=0〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する)からなる群から選択される式を有する有機フッ素化合物を含んでなる窒素含有エッチング組成物のプラズマ活性化蒸気によって前記低誘電率層をエッチングするステップと;
プラズマ誘導ダメージを前記アパーチャーから除去して、第2の画定された側壁幅を生じるステップであって、前記第1および第2の画定された側壁幅の差異が0nm〜11nmの範囲であるステップと
を含んでなる、方法。 - 前記低誘電率層が、式SiwOxCyHz(式中、wは、0.01〜1の範囲であり、xは、0.01〜1の範囲であり、yは、0.01〜1の範囲であり、かつzは、0.01〜1の範囲である)を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記低誘電率エッチングプロセス後、前記低誘電率層が、2.0〜3.5の増加した誘電率を有する、請求項2に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、式:N≡C−R(式中、Rは、a=0、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、トリフルオロアセトニトリル(C2F3N)、ノナフルオロペンタニトリル(C5F9N)またはペンタフルオロアリルシアニド(C4F5N)である、請求項4に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、式:N≡C−R(式中、Rは、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、ジフルオロアセトニトリル(C2HF2N)、2,3,3,3−テトラフルオロプロピオノニトリル(C3HF4N)、2,2,3,3−テトラフルオロプロピオノニトリル、4,4,4−トリフルオロクロトノニトリル、3,3,3−トリフルオロプロピオノニトリルまたはフルオロアセトニトリルである、請求項6に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、式:(N≡C−)−(R)−(−C≡N)(式中、Rは、a=0、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、オクタフルオロヘキサン−1,6−ジニトリルまたは1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2−ジシアノエチレンである、請求項8に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、式:(N≡C−)−(R)−(−C≡N)(式中、Rは、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、2−[1−(ジフルオロメチル)−2,2,2−トリフルオロエチリデン]−プロパンジニトリルである、請求項10に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、式:Rx[−C=N(Rz)]y(式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3であり、かつ各Rは、独立して、a=0〜11、b=0〜11およびc=0〜5である式HaFbCcを有する)を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、N,1,1,1,3,3,3−ヘプタフルオロ−プロパンアミン、ヘキサフルオロアセトンイミン(C3HF6N)または1,1,1,6,6,6−ヘキサフルオロ−3−アザヘキサ−3−エンである、請求項12に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、式:R(3−a)−N−Ha(式中、a=1〜2であり、かつRは、独立して、a=1〜11、b=1〜11およびc=1〜5である式HaFbCcを有する)を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、2,2,2−トリフルオロエチルアミン(C2H4F3N)、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアミン(C3H4F5N)、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチルアミン(C4H4F7N)、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアミン(C3H3F6N)またはビス(2,2,2−トリフルオロエチル)アミン(C4H5F6N)である、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/396,486 | 2016-12-31 | ||
US15/396,486 US20170110336A1 (en) | 2016-12-31 | 2016-12-31 | Methods for minimizing sidewall damage during low k etch processes |
PCT/US2017/069075 WO2018126202A1 (en) | 2016-12-31 | 2017-12-29 | Methods for minimizing sidewall damage during low k etch processes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020503677A true JP2020503677A (ja) | 2020-01-30 |
JP6974468B2 JP6974468B2 (ja) | 2021-12-01 |
Family
ID=58524213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019533634A Active JP6974468B2 (ja) | 2016-12-31 | 2017-12-29 | 低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを最小化する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20170110336A1 (ja) |
JP (1) | JP6974468B2 (ja) |
KR (1) | KR102546860B1 (ja) |
TW (1) | TWI746753B (ja) |
WO (1) | WO2018126202A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022080274A1 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-21 | 昭和電工株式会社 | フルオロ-2-ブテンの保管方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6875811B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
KR102311328B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2021-10-14 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
JP6883495B2 (ja) * | 2017-09-04 | 2021-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US10410878B2 (en) * | 2017-10-31 | 2019-09-10 | American Air Liquide, Inc. | Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications |
US10615037B2 (en) * | 2018-08-17 | 2020-04-07 | International Business Machines Corporation | Tone reversal during EUV pattern transfer using surface active layer assisted selective deposition |
KR20210114509A (ko) * | 2019-01-23 | 2021-09-23 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 드라이 에칭 방법, 드라이 에칭제, 및 그 보존 용기 |
US11515203B2 (en) * | 2020-02-05 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | Selective deposition of conductive cap for fully-aligned-via (FAV) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289577A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Ulvac Japan Ltd | 基板上に堆積した有機珪素化合物を含有する材料の薄膜のエッチング法 |
JP2005142255A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Ulvac Japan Ltd | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
US20150371869A1 (en) * | 2015-08-31 | 2015-12-24 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2730543A (en) | 1950-05-20 | 1956-01-10 | Minnesota Mining & Mfg | Fluorinated nitriles |
US2704769A (en) | 1951-05-31 | 1955-03-22 | Minnesota Mining & Mfg | Preparation of alpha-hydroperfluoronitriles |
US3585218A (en) | 1967-05-24 | 1971-06-15 | Minnesota Mining & Mfg | Preparation of difluoramines by oxidation with 1,1-bis(fluoroxy)perfluoroalkane |
US3671509A (en) | 1971-03-22 | 1972-06-20 | Du Pont | Copolymers of fluoroketone imines with polymerizable unsaturated compounds |
US5242538A (en) | 1992-01-29 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etch process including hydrogen radicals |
US5814563A (en) | 1996-04-29 | 1998-09-29 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric using fluorohydrocarbon gas, NH3 -generating gas, and carbon-oxygen gas |
US5843847A (en) | 1996-04-29 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric layers with high selectivity and low microloading |
US6387287B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using a hexafluorobutadiene and manifesting a wide process window |
US6569774B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch |
US6413877B1 (en) | 2000-12-22 | 2002-07-02 | Lam Research Corporation | Method of preventing damage to organo-silicate-glass materials during resist stripping |
US20020121500A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-09-05 | Rao Annapragada | Method of etching with NH3 and fluorine chemistries |
US6777344B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-08-17 | Lam Research Corporation | Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications |
US7311852B2 (en) | 2001-03-30 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching low-k dielectric materials |
US6508948B2 (en) | 2001-06-13 | 2003-01-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cyanuric fluoride and related compounds for anisotropic etching |
US20060062914A1 (en) | 2004-09-21 | 2006-03-23 | Diwakar Garg | Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas |
US20060183055A1 (en) | 2005-02-15 | 2006-08-17 | O'neill Mark L | Method for defining a feature on a substrate |
US7939422B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
US20100105595A1 (en) | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Wai Mun Lee | Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds |
KR101660488B1 (ko) | 2010-01-22 | 2016-09-28 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
FR2972452B1 (fr) | 2011-03-09 | 2013-03-15 | Rhodia Operations | Procede de preparation du difluoroacetonitrile et de ses derives |
US9093389B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a silicon nitride dielectric film |
TWI642809B (zh) * | 2013-09-09 | 2018-12-01 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法 |
-
2016
- 2016-12-31 US US15/396,486 patent/US20170110336A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-12-26 TW TW106145725A patent/TWI746753B/zh active
- 2017-12-29 US US16/474,667 patent/US11024513B2/en active Active
- 2017-12-29 KR KR1020197020539A patent/KR102546860B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-29 JP JP2019533634A patent/JP6974468B2/ja active Active
- 2017-12-29 WO PCT/US2017/069075 patent/WO2018126202A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289577A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Ulvac Japan Ltd | 基板上に堆積した有機珪素化合物を含有する材料の薄膜のエッチング法 |
JP2005142255A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Ulvac Japan Ltd | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
US20150371869A1 (en) * | 2015-08-31 | 2015-12-24 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022080274A1 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-21 | 昭和電工株式会社 | フルオロ-2-ブテンの保管方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018126202A1 (en) | 2018-07-05 |
US20190326126A1 (en) | 2019-10-24 |
JP6974468B2 (ja) | 2021-12-01 |
US11024513B2 (en) | 2021-06-01 |
KR102546860B1 (ko) | 2023-06-22 |
TWI746753B (zh) | 2021-11-21 |
KR20190099458A (ko) | 2019-08-27 |
US20170110336A1 (en) | 2017-04-20 |
TW201841879A (zh) | 2018-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7079872B2 (ja) | 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法 | |
KR102537653B1 (ko) | 반도체 구조를 에칭시키기 위한 요오드-함유 화합물 | |
JP6974468B2 (ja) | 低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを最小化する方法 | |
TWI588240B (zh) | 用於高縱橫比氧化物蝕刻之氟碳分子 | |
US10347498B2 (en) | Methods of minimizing plasma-induced sidewall damage during low K etch processes | |
TW202204297A (zh) | 用於蝕刻半導體結構之含碘的氟碳化合物及氫氟烴化合物 | |
TWI846218B (zh) | 用於蝕刻半導體結構的含氧和碘的氫氟烴化合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20190701 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190701 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6974468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |