JP2020503231A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. るつぼ内に保持されたシリコン融液から単結晶シリコンインゴットを製造する方法であって、
   前記るつぼに多結晶シリコンを添加する工程と、
   前記多結晶シリコンを加熱する工程と、
   これにより、前記るつぼ内にシリコン融液を形成する、
   ガリウムおよびインジウムにより構成されるグループから選択された第１ドーパントを前記るつぼに添加する工程と、
   前記シリコン融液から標本インゴットを引き上げる工程と、
   前記標本インゴットの抵抗率を測定する工程と、
   前記シリコン融液に第２ドーパントを添加する工程と、
   ここで、前記シリコン融液に添加される前記第２ドーパントの量は、測定された前記標本インゴットの前記抵抗率に部分的に基づく、
   前記シリコン融液から製品インゴットを引き上げる工程と、
   を含む、
   方法。
2. 前記シリコン融液に添加される前記第２ドーパントの量は、前記製品インゴットのプライム部分の目標抵抗率に部分的に基づく、
   ここで、前記プライム部分は前記目標抵抗率を有する、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記目標抵抗率は、最小抵抗率である、
   請求項２に記載の方法。
4. 前記最小抵抗率は、少なくとも約１，５００Ω−ｃｍである、
   請求項３に記載の方法。
5. 前記目標抵抗率は、最大抵抗率である、
   請求項２に記載の方法。
6. 前記第２ドーパントはリンおよびホウ素から選択される、
   請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記第２ドーパントはリンである、
   請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記第１ドーパントはガリウムである、
   請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
9. ガリウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のガリウムの濃度が、約０．５ｐｐｍａ未満である、
   請求項８に記載の方法。
10. ガリウムは、シリコンガリウム合金として前記るつぼに添加される、
    請求項８または９に記載の方法。
11. 前記第１ドーパントはインジウムである、
    請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
12. インジウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のインジウムの濃度が、約０．５ｐｐｍａ未満である、
    請求項１１に記載の方法。
13. インジウムは、シリコンインジウム合金として前記るつぼに添加される、
    請求項１１または１２に記載の方法。
14. 前記標本インゴットは、約１０，０００ｏｈｍ−ｃｍ以下の抵抗率を有する、
    請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 前記多結晶シリコンは、半導体グレードシリコンである、
    請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の方法。
16. るつぼ内に保持されたシリコン融液から単結晶シリコンインゴットを製造する方法であって、
    前記るつぼに多結晶シリコンを添加する工程と、
    前記多結晶シリコンを加熱する工程と、
    これにより、前記るつぼ内にシリコン融液を形成する、
    シリコンガリウムおよびシリコンインジウムにより構成されるグループから選択された合金を前記るつぼに添加する工程と、
    前記シリコン融液から製品インゴットを引き上げる工程と、
    を含む、
    方法。
17. 前記合金はシリコンガリウムであり、５ｗｔ％未満のガリウムを含む、
    請求項１６に記載の方法。
18. 前記合金はシリコンガリウムであり、ガリウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のガリウムの濃度が、約０．１ｐｐｍａ未満である、
    請求項１６または１７に記載の方法。
19. 前記合金はシリコンインジウムであり、５ｗｔ％未満のインジウムを含む、
    請求項１６に記載の方法。
20. 前記合金はシリコンインジウムであり、インジウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のインジウムの濃度が、約０．１ｐｐｍａ未満である、
    請求項１６または１９に記載の方法。
21. 前記インゴットは、少なくとも約１，５００Ω−ｃｍの抵抗率を持つプライム部分を有する、
    請求項１６ないし２０のいずれか１項に記載の方法。
22. 前記多結晶シリコンは、半導体グレードシリコンである、
    請求項１６ないし２１のいずれか１項に記載の方法。