JP2020501378A - 水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法 - Google Patents
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- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 135
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 132
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 131
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 98
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims abstract description 74
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 64
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910002388 SrCoO2.5 Inorganic materials 0.000 description 43
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 24
- 229910002400 SrCoO3−δ Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 229910002399 SrCoO3−δ phase Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 8
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910002401 SrCoO3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100219382 Caenorhabditis elegans cah-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002244 LaAlO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018276 LaSrCoO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002366 SrTiO3 (001) Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052963 cobaltite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1525—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material characterised by a particular ion transporting layer, e.g. electrolyte
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Abstract
水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法は、以下のステップＳ１００〜Ｓ３００を含む。Ｓ１００では、構造式ＡＢＯｘＨｙを有する水素含有遷移金属酸化物を提供し、前記水素含有遷移金属酸化物は第１相にあり、Ａはアルカリ土類金属元素及び希土類金属元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５である。Ｓ２００では、前記水素含有遷移金属酸化物を第１イオン液体に浸漬し、前記第１イオン液体は水素イオン及び酸素イオンを提供することができる。Ｓ３００では、前記第１イオン液体をゲートとして、前記水素含有遷移金属酸化物にゲート電圧を印加して、前記水素含有遷移金属酸化物の相転移を調節制御する。
Description
＜関連出願＞
本出願は、２０１６年１１月２３日に出願された「水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節方法」という第２０１６１１０５６３００．７号の中国特許出願の優先権を主張し、その内容をここで援用する。
本出願は、２０１６年１１月２３日に出願された「水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節方法」という第２０１６１１０５６３００．７号の中国特許出願の優先権を主張し、その内容をここで援用する。
本出願は材料技術の分野に関し、特に水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法に関する。
酸化物を水素化するための従来の方法は、通常、例えば、幾つかの水素化物（ＣａＨ２、ＮａＨ）により酸化物を加熱還元するなど、熱的方法を用いて実現される。これらのＨイオンは酸化物中のＯを置換して、Ｈ−Ｍ結合（Ｍは遷移金属である）を形成する。Ｈ−Ｍ結合はＭ−Ｏより短いため、これらの水素化酸化物は格子体積の減少を特徴とする。遷移金属酸化物の水素化により、その格子構造を変えることができるとともに、電子又は正孔のドーピングに伴い、材料の電気的又は磁気的特性を変えることができる。また、水素化プロセスにおいて、酸化物中の酸素を奪って、酸素欠損構造相になることもある。水素熱還元の方法により、水素化されたＬａＳｒＣｏＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＶＯ２、ＴｉＯ２などの幾つかの水素含有酸化物が調製されてきた。酸化物材料の構造相転移を実現するために、水素化の方法に加えて、熱酸化の方法により実現することもできる。例えば、高酸素圧酸化の方法によって、ブラウンミラライト構造ＳｒＣｏＯ２．５からペロブスカイト構造ＳｒＣｏＯ３への変換を実現することができる。また、電気化学的方法などの他の方法もある。
上述した方法はすべて二相間での調節制御に限定されている。従来の技術案には、三相の相転移を実現することができる水素含有遷移金属酸化物や、電場調節制御により水素含有遷移金属酸化物の三相の相転移を実現する方法がない。
これに基づいて、上記の技術的課題に対して、水素含有遷移金属酸化物、及び電場調節制御によるその水素含有遷移金属酸化物の三相の相転移の実現方法を提供する必要がある。
水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法は、以下のステップＳ１００〜Ｓ３００を含む：
Ｓ１００では、構造式ＡＢＯｘＨｙを有する水素含有遷移金属酸化物を提供し、前記水素含有遷移金属酸化物は第１相にあり、Ａはアルカリ土類金属元素及び希土類金属元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５であり、
Ｓ２００では、前記水素含有遷移金属酸化物を第１イオン液体に浸漬し、前記第１イオン液体中の水は、電場の作用下で水素イオン及び酸素イオンに分解することができ、
Ｓ３００では、前記第１イオン液体をゲートとして、前記水素含有遷移金属酸化物にゲート電圧を印加して、前記水素含有遷移金属酸化物の相転移を調節制御する。
Ｓ１００では、構造式ＡＢＯｘＨｙを有する水素含有遷移金属酸化物を提供し、前記水素含有遷移金属酸化物は第１相にあり、Ａはアルカリ土類金属元素及び希土類金属元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５であり、
Ｓ２００では、前記水素含有遷移金属酸化物を第１イオン液体に浸漬し、前記第１イオン液体中の水は、電場の作用下で水素イオン及び酸素イオンに分解することができ、
Ｓ３００では、前記第１イオン液体をゲートとして、前記水素含有遷移金属酸化物にゲート電圧を印加して、前記水素含有遷移金属酸化物の相転移を調節制御する。
一実施例では、前記水素含有遷移金属酸化物の調製方法は、以下のステップＳ１１０〜Ｓ１３０を含む：
Ｓ１１０では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物を提供し、ｚは２以上且つ３以下であり、
Ｓ１２０では、前記遷移金属酸化物を第２イオン液体に浸漬し、前記第２イオン液体中の水は、電場の作用下で水素イオン及び酸素イオンを提供することができ、
Ｓ１３０では、前記遷移金属酸化物に電場を印加して、前記第２イオン液体中の水素イオンを前記遷移金属酸化物に挿入する。
Ｓ１１０では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物を提供し、ｚは２以上且つ３以下であり、
Ｓ１２０では、前記遷移金属酸化物を第２イオン液体に浸漬し、前記第２イオン液体中の水は、電場の作用下で水素イオン及び酸素イオンを提供することができ、
Ｓ１３０では、前記遷移金属酸化物に電場を印加して、前記第２イオン液体中の水素イオンを前記遷移金属酸化物に挿入する。
一実施例では、前記ステップＳ１１０は以下のステップＳ１１２、Ｓ１１４、及びＳ１１６を含む：
Ｓ１１２では、基板を提供し、
Ｓ１１４では、前記基板の表面に構造式ＡＢＯｚの遷移金属酸化物薄膜を堆積して形成し、
Ｓ１１６では、前記遷移金属酸化物薄膜の表面に第１電極を形成する。
Ｓ１１２では、基板を提供し、
Ｓ１１４では、前記基板の表面に構造式ＡＢＯｚの遷移金属酸化物薄膜を堆積して形成し、
Ｓ１１６では、前記遷移金属酸化物薄膜の表面に第１電極を形成する。
一実施例では、前記基板はセラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、金属基板、又はポリマーのうちの１つであり、前記ステップＳ１１４は、パルスレーザー堆積の方法により前記基板上でエピタキシャル成長により前記遷移金属酸化物薄膜を取得する。
一実施例では、前記ステップＳ１１６において、前記第１電極は前記遷移金属酸化物薄膜と接触して底部電極を形成する。
一実施例では、前記ステップＳ１３０は以下のステップＳ１３２、Ｓ１３４、及びＳ１３６を含む：
Ｓ１３２では、第２電極及び電源を提供し、
Ｓ１３４では、前記第２電極と前記第１電極とを間隔をおいて配置し、それぞれ前記電源に電気的に接続し、
Ｓ１３６では、前記第２電極を前記第２イオン液体に浸漬し、前記電源により前記第２電極から前記第１電極へ向かう電場を印加する。
Ｓ１３２では、第２電極及び電源を提供し、
Ｓ１３４では、前記第２電極と前記第１電極とを間隔をおいて配置し、それぞれ前記電源に電気的に接続し、
Ｓ１３６では、前記第２電極を前記第２イオン液体に浸漬し、前記電源により前記第２電極から前記第１電極へ向かう電場を印加する。
一実施例では、前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３１０を含む：
Ｓ３１０では、前記水素含有遷移金属酸化物が第２相になるように、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙにゲート負電圧を印加し、前記水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを析出させるか又は酸素イオンを添加する。前記第２相の格子体積は前記第１相より小さい。
Ｓ３１０では、前記水素含有遷移金属酸化物が第２相になるように、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙにゲート負電圧を印加し、前記水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを析出させるか又は酸素イオンを添加する。前記第２相の格子体積は前記第１相より小さい。
一実施例では、前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３２０を含む：
Ｓ３２０では、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物が前記第１相に戻るように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、第２相になった水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを挿入するか又は酸素イオンを析出させる。
Ｓ３２０では、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物が前記第１相に戻るように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、第２相になった水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを挿入するか又は酸素イオンを析出させる。
一実施例では、前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３３０を含む：
Ｓ３３０では、第３相になるように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート負電圧を印加して、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物に酸素イオンを挿入するか又は水素イオンを析出させる。前記第３相の格子体積は前記第２相より小さい。
Ｓ３３０では、第３相になるように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート負電圧を印加して、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物に酸素イオンを挿入するか又は水素イオンを析出させる。前記第３相の格子体積は前記第２相より小さい。
一実施例では、前記ＡＢＯｘＨｙはＳｒＣｏＯ２．５Ｈである。
本出願は、イオン液体ゲート電圧調節制御の方法を提供し、室温で電場によって水素含有遷移金属酸化物の相転移を制御するのを実現して、対応する電気的、光学的及び磁気的特性を同時に調節制御することができる。例えば、電場誘起の金属−絶縁体変換、並びに可視光と赤外光の二重帯域におけるエレクトロクロミック効果及び３状態電気磁気結合などの効果が実現される。これらの結論は、電場制御によるイオン蓄積及び搬送に対する理解を広げ、対応する基本原理及び実際の応用に対する更なる探究を実現し、特定の機能を有する新たな結晶構造の設計のために基礎を提供する。
本出願の目的、技術的手段及び利点をさらに明らかにするために、以下、図面及び実施例を参照しながら、本出願の水素含有遷移金属酸化物の三相の相転移の調節制御方法をさらに詳細に説明する。ここで述べる具体的な実施例は本出願の解釈のために用いられ、本出願を限定するためのものではないことを理解するべきである。
図１を参照すると、本出願は水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法を提供する。この方法は、以下のステップＳ１００〜Ｓ３００を含む：
Ｓ１００では、構造式ＡＢＯｘＨｙを有する水素含有遷移金属酸化物を提供し、前記水素含有遷移金属酸化物は第１相にあり、Ａはアルカリ土類金属元素及び希土類金属元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素のうちの１つ以上であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５であり、
Ｓ２００では、前記水素含有遷移金属酸化物を第１イオン液体に浸漬し、前記第１イオン液体は水素イオン及び酸素イオンを提供し、
Ｓ３００では、前記第１イオン液体をゲートとして、前記水素含有遷移金属酸化物にゲート電圧を印加して、前記水素含有遷移金属酸化物の相転移を調節制御する。
Ｓ１００では、構造式ＡＢＯｘＨｙを有する水素含有遷移金属酸化物を提供し、前記水素含有遷移金属酸化物は第１相にあり、Ａはアルカリ土類金属元素及び希土類金属元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素のうちの１つ以上であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５であり、
Ｓ２００では、前記水素含有遷移金属酸化物を第１イオン液体に浸漬し、前記第１イオン液体は水素イオン及び酸素イオンを提供し、
Ｓ３００では、前記第１イオン液体をゲートとして、前記水素含有遷移金属酸化物にゲート電圧を印加して、前記水素含有遷移金属酸化物の相転移を調節制御する。
前記水素含有遷移金属酸化物の構造式はＡＢＯｘＨｙであり、Ａはアルカリ土類金属及び希土類元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５である。ＡＢＯｘＨｙ中のＡとＢの比は必ずしも厳密に１：１である必要はなく、一定の空格子点や格子間原子の存在により偏ることもある。そのため、ＡとＢの比が１：１に近い前記水素含有遷移金属酸化物はすべて本出願の保護範囲内にある。好ましくは、前記ｘの値の範囲は２〜３であり、ｙの値の範囲は１〜２．５である。前記アルカリ土類金属は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうちの１つ以上を含む。前記希土類金属元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂなどを含む。前記遷移元素は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖのうちの１つ以上を含む。また、Ａはアルカリ土類金属と希土類金属との合金であってもよく、Ｂは遷移金属と主族金属との合金であってもよいことが理解され得る。前記第１イオン液体は様々な種類のイオン液体であってもよい。一実施例では、前記第１イオン液体はＤＥＭＥ−ＴＦＳＩである。所望の水素イオン及び酸素イオンを加水分解又は他の手段によって提供することができ、かつ前記材料の対応するイオンの挿入及び析出を実現することができる限り、この効果は他のイオン液体、イオン塩、ポリマー及び極性材料に広く適用することができる。
前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙは、常温で安定な結晶構造を有する。常温でイオン液体ゲート電圧調節制御の方法を使用して、電場の作用により、イオン液体に浸漬された前記水素含有遷移金属酸化物に対して水素化及び脱水素化、又は酸素化及び脱酸素化を実現することができる。さらに、第１相から第２相への相転移及び前記第２相から前記第１相への相転移、前記第１相から第３相への相転移及び第３相から第１相への転移、並びに前記第２相から第３相への相転移及び第３相から第２相への転移を実現することができる。前記第１相の格子体積は前記第２相の格子よりも大きく、前記第２相の格子体積は前記第３相の格子よりも大きい。当然のことながら、前記イオン液体ゲート電圧調節制御の方法により、上記３つの構造相の循環遷移を実現することもできることが理解され得る。前記３つの構造相で前記水素含有遷移金属酸化物の物理的性質が異なるため、上述の３つの相の遷移により電子デバイス上の応用を実現することができる。前記３つの構造相での材料の分子式は異なる。第１相での材料は前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙである。前記第２相は、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙに基づいて、前記イオン液体ゲート電圧調節制御方法により、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙに水素を析出させるか又は酸素を注入することによって実現される。前記第３相は、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙに基づいて、前記イオン液体ゲート電圧調節制御方法により、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙに第２相に基づいてさらに水素を析出させるか又は酸素を注入することによって実現される。一実施例では、前記三相の転移は、ＡＢＯｘＨｙからＡＢＯ２．５及びＡＢＯ３−δへの三相間の変化を実現することである。同時に、上記相転移は、電場の制御下で３つの完全に異なる相の間で可逆的な構造相転移を形成することができる。これら３つの構造相は、完全に異なる電気的、光学的及び磁気的特性を有する。
一実施例では、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙの調製方法は、具体的に、以下のステップＳ１１０〜Ｓ１３０を含む：
Ｓ１１０では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物を提供し、ｚは２以上且つ３以下であり、
Ｓ１２０では、前記遷移金属酸化物を第２イオン液体に浸漬し、前記第２イオン液体は水素イオン及び酸素イオンを提供することができ、
Ｓ１３０では、前記遷移金属酸化物に電場を印加して、前記第２イオン液体中の水素イオンを前記遷移金属酸化物に挿入する。
Ｓ１１０では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物を提供し、ｚは２以上且つ３以下であり、
Ｓ１２０では、前記遷移金属酸化物を第２イオン液体に浸漬し、前記第２イオン液体は水素イオン及び酸素イオンを提供することができ、
Ｓ１３０では、前記遷移金属酸化物に電場を印加して、前記第２イオン液体中の水素イオンを前記遷移金属酸化物に挿入する。
ステップＳ１１０では、Ａはアルカリ土類金属及び遷移元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖ等のうちの１つ以上である。前記アルカリ土類金属は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを含む。前記希土類金属元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂなどのうちの１つ以上を含む。前記構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物の構造は限定されず、薄膜、粉末、バルク材料、ナノ粒子、又は他の材料との複合材料であってもよい。一実施例では、前記構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物は薄膜である。薄膜としての前記遷移金属酸化物を調製する方法は限定されず、様々な方法によって調製することができることが理解され得る。
一実施例では、前記ステップＳ１１０は以下のステップＳ１１２、Ｓ１１４、及びＳ１１６を含む：
Ｓ１１２では、基板を提供し、
Ｓ１１４では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物薄膜を前記基板の表面に堆積して形成し、
Ｓ１１６、前記遷移金属酸化物薄膜の表面に第１電極を形成する。
Ｓ１１２では、基板を提供し、
Ｓ１１４では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物薄膜を前記基板の表面に堆積して形成し、
Ｓ１１６、前記遷移金属酸化物薄膜の表面に第１電極を形成する。
前記基板は限定されず、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、金属基板、又はポリマーのうちの１つであってもよい。成膜に使用することができる基板はすべてステップＳ１１２に使用することができる。前記構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物の薄膜を形成する方法は限定されず、例えば、イオンスパッタリング法、化学気相成長法、マグネトロンスパッタリング法、ゲル法、パルスレーザー堆積などの様々な成膜方法であってもよい。一実施例では、前記ステップＳ１１４は、パルスレーザー堆積の方法により前記基板上でエピタキシャル成長により前記遷移金属酸化物薄膜を取得する。成長した遷移金属酸化物薄膜の厚さは限定されない。好ましくは、前記遷移金属酸化物薄膜の厚さは５ｎｍ〜２００ｎｍである。前記ステップＳ１１６では、前記第１電極と前記遷移金属酸化物薄膜とを接触させて底部電極を形成する。前記第１電極の位置は、前記遷移金属酸化物薄膜の前記基板に近接する表面であってもよいし、前記遷移金属酸化薄膜の前記基板から離れた表面であってもよい。前記第１電極は、金属又は様々な導電薄膜、さらに前記遷移金属酸化物薄膜自体であってもよい。一実施例では、前記第１電極はＩＴＯ薄膜である。前記第２イオン液体は、前記第１イオン液体と同じく、様々な種類のイオン液体であってもよい。一実施例では、前記イオン液体はＤＥＭＥ−ＴＦＳＩである。
前記ステップＳ１２０では、前記遷移金属酸化物の表面に第２イオン液体層を形成することができる。前記第２イオン液体は、所望の水素イオン及び酸素イオンを加水分解又は他の手段によって提供することができ、かつ前記遷移金属酸化物を覆うことができる限り、様々な種類のイオン液体であってもよい。前記遷移金属酸化及び前記第２イオン液体が電場内にある場合、前記第２イオン液体中の水素イオン及び酸素イオンは、電場の方向により前記遷移金属酸化物に進入するか又は逆にそれから析出するように制御することができる。
前記ステップＳ１３０では、前記遷移金属酸化物に電場を印加する方法は複数あってもよいことが理解され得る。一実施例では、前記ステップＳ１３０は、以下のステップＳ１３２、Ｓ１３４、及びＳ１３６を含む：
Ｓ１３２では、第２電極及び電源を提供し、
Ｓ１３４では、前記第２電極と前記第１電極とを間隔をおいて配置し、それぞれ前記電源に電気的に接続し、
Ｓ１３６では、前記第２電極を前記第２イオン液体に浸漬し、前記電源により前記第２電極から前記第１電極へ向かう電場を印加する。
Ｓ１３２では、第２電極及び電源を提供し、
Ｓ１３４では、前記第２電極と前記第１電極とを間隔をおいて配置し、それぞれ前記電源に電気的に接続し、
Ｓ１３６では、前記第２電極を前記第２イオン液体に浸漬し、前記電源により前記第２電極から前記第１電極へ向かう電場を印加する。
前記ステップＳ１３２では、前記第２電極の形状は限定されず、平行板電極、棒状電極、又は金網電極であってもよい。一実施例では、前記第２電極は、バネ状金属線からなる電極である。前記電源は、例えば、直流電源や交流電源などの様々な電源であってもよい。前記電源の電圧は調整可能であり、反応時間を制御するために使用することができる。
前記ステップＳ１３４では、前記第２電極と前記第１電極とは間隔をおいて対向して配置されるので、前記第２電極と前記第１電極との間に配向の電場を形成することができる。前記第２電極、前記第１電極と前記直流電源との接続方法は限定されず、スイッチ制御により前記第２電極及び前記第２電極に電圧を印加することができる。
前記ステップＳ１３６では、前記第２電極を前記第２イオン液体に浸漬し、前記第１電極及び前記第２電極に通電すると、前記第１電極を直流電源の負極に接続し、前記第２電極を直流電源の正極に接続することができる。それにより、前記第１電極と前記第２電極との間に前記第２電極から前記第１電極へ向かう電場を生成することができる。前記第１電極と前記第２電極との間に前記第２イオン液体があるため、電場の作用下で前記第２イオン液体中の正に帯電した水素イオンは前記第１電極に向かって移動し、前記遷移金属酸化物薄膜の表面に集まり、さらに前記遷移金属酸化物に挿入する。それにより、水素含有遷移金属酸化物が得られる。負に帯電した酸素イオンはサンプルから析出し、イオン液体中に注入される。電場が反転されると、上記のイオン変化プロセスは対応する反転を実行することが理解され得る。従って、電場方向の変化により、上記プロセスは可逆プロセスとなる。
前記ステップＳ２００で使用される第１イオン液体は、ステップＳ１２０の第２イオン液体と同じであってもよい。即ち、ステップＳ１３６の後にステップＳ３００を直接実行することができる。前記水素含有遷移金属酸化物を直接提供する場合、前記水素含有遷移金属酸化物の表面に第１イオン液体層を形成することができることが理解され得る。前記第１イオン液体は、所望の水素イオン及び酸素イオンを加水分解又は他の手段によって提供することができ、かつ前記遷移金属酸化物を覆うことができる限り、様々な種類のイオン液体であってもよい。前記遷移金属酸化及び前記第１イオン液体が電場内にある場合、前記イオン液体中の水素イオン及び酸素イオンは電場の方向により制御されて、前記遷移金属酸化物に挿入するか又はそれから析出させることができる。
前記ステップＳ３００では、前記水素含有遷移金属酸化物表面を覆う第１イオン液体層をゲートとして、前記第１イオン液体層にゲート正電圧又はゲート負電圧を印加することによって、前記水素含有遷移金属酸化物中の水素含有量及び酸素含有量を調整して相転移を実現する。一実施例では、前記ステップＳ３００は、以下のステップＳ３１０を含む：
Ｓ３１０では、前記水素含有遷移金属酸化物が第２相になるように、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙにゲート負電圧を印加し、前記水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを析出させるか又は酸素イオンを添加する。前記第２相の格子体積は前記第１相より小さい。
Ｓ３１０では、前記水素含有遷移金属酸化物が第２相になるように、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙにゲート負電圧を印加し、前記水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを析出させるか又は酸素イオンを添加する。前記第２相の格子体積は前記第１相より小さい。
ステップＳ３１０では、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙの表面の前記第１イオン液体をゲートとして、ゲート負電圧を前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙに印加するとき、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙ中の水素イオンが析出するか又は酸素イオンが添加されるため、格子は小さくなる。一定時間後に、格子体積が第１相よりも小さい第２相が得られる。前記第２相は、格子が小さくなると前記水素含有遷移金属酸化物が変化して形成される相を指す。一方、一定時間後に、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙの光透過率が低下することが分かる。透明から褐色までの変化を視覚的に見ることができる。前記第２相の光透過率は変化し、前記第１相の光透過率と比較して低下する。以上のようにして、エレクトロクロミズムを実現することができる。
一実施例では、前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３２０を更に含み得る：
Ｓ３２０では、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物が前記第１相に戻るように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、第２相になった水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを挿入するか又は酸素イオンを析出させる。
Ｓ３２０では、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物が前記第１相に戻るように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、第２相になった水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを挿入するか又は酸素イオンを析出させる。
ステップＳ３２０及びステップＳ３１０は可逆であることが理解され得る。前記第１イオン液体をゲートとして、第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、水素イオンを挿入するか又は酸素イオンを析出させることによって、第２相になった水素含有遷移金属酸化物を第１相に戻す。従って、エレクトロクロミズムが実現される。
一実施例では、前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３３０を更に含み得る：
Ｓ３３０では、第３相になるように前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート負電圧を印加して、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物に酸素イオンを挿入するか又は水素イオンを析出させる。前記第３相の格子体積は前記第２相より小さい。
Ｓ３３０では、第３相になるように前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート負電圧を印加して、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物に酸素イオンを挿入するか又は水素イオンを析出させる。前記第３相の格子体積は前記第２相より小さい。
前記第３相の可視光透過率は前記第２相の可視光透過率よりも小さく、視覚的には黒色であり、前記第３相の赤外線透過率は前記第２相の赤外線透過率よりも小さいことが理解され得る。このようにして、エレクトロクロミズムを実現することができる。
ステップＳ３３０は可逆であることが理解され得る。第３相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、酸素イオンを析出させるか又は水素イオンを挿入することによって、第３相になった水素含有遷移金属酸化物を第２相に戻す。
前記イオン液体ゲート電圧調節制御方法により、異なる水素含有量及び酸素含有量を有するストロンチウムコバルタイトの薄膜ＳｒＣｏＯｘＨｙを得ることができる。一実施例では、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙは、ＳｒＣｏＯ２．８Ｈ０．８２、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ、ＳｒＣｏＯ３Ｈ１．９５、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ２．３８のうちのいずれであってもよい。
前記イオン液体ゲート電圧調節制御方法により、異なる水素含有量及び酸素含有量を有するストロンチウムコバルタイトの薄膜ＳｒＣｏＯｘＨｙを得ることができる。一実施例では、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙは、ＳｒＣｏＯ２．８Ｈ０．８２、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ、ＳｒＣｏＯ３Ｈ１．９５、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ２．３８のうちのいずれであってもよい。
図２を参照されたい。上記方法により得られたＳｒＣｏＯｘＨｙ薄膜中のＨとＯの含有量を確定するために、本実施例は、水素前方散乱（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）とラザフォード後方散乱（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）の方法を組み合わせて、３つのＳｒＣｏＯｘＨｙ薄膜中のＨとＯの含有量を定量的に測定した。測定結果によれば、複数の異なる薄膜中のＣｏとＨとの原子比はそれぞれ１：０．８２（図２ａ及び２ｂ）、１：１．９５（図２ｃ及び２ｄ）及び１：２．３８（図２ｅ及び２ｆ）であった。前記３種類のＳｒＣｏＯｘＨｙの元素の化学量論比はＳｒＣｏＯ２．８Ｈ０．８２、ＳｒＣｏＯ３Ｈ１．９５及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈ２．３８であった。上述のＳｒＣｏＯ２．８Ｈ０．８２、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ、ＳｒＣｏＯ３Ｈ１．９５、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ２．３８はいずれも可逆電場の制御下で３つの完全に異なる相の間のトポロジカル相転移を実現し、３つの構造相は完全に異なる電気的、光学的及び磁気的特性を有する。前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙは、ＳｒＣｏＯ２．８Ｈ０．８２、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ、ＳｒＣｏＯ３Ｈ１．９５、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ２．３８のうちのいずれであってもよい。
以下、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈを例として、ＳｒＣｏＯ２．５、ＳｒＣｏＯ３−δ、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈの３相間の相転移を説明する。ＳｒＣｏＯ２．５Ｈは第１相に対応して、ＳｒＣｏＯ２．５は第２相に対応し、ＳｒＣｏＯ３−δは第３相に対応する。
図３を参照すると、ゲート電圧によりＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相転移を調節制御する装置が示される。図３の装置により、イオン液体ゲート電圧調節制御方法を使用して、室温下で電場制御による新たな相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈの調製並びに３つの構造相の間の可逆的及び不揮発性変換を実現した。図３では、前記ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ薄膜の縁部に導電性銀ペーストを電極として塗布し、前記ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ薄膜の表面をイオン液体で覆っている。前記導電性銀ペーストと間隔をおいて配置された螺旋状のＰｔ電極は他の電極として機能する。本実施例では、水分子を加水分解して相転移に必要な水素イオン及び酸素イオンを得ることができるＤＥＭＥ−ＴＦＳＩ型のイオン液体を用いた。所望の水素イオン及び酸素イオンを取得し、電場駆動下で材料中に注入又は析出させることができる限り、その効果は他のイオン液体、イオン塩、ポリマー、及び極性材料などに広く適用することができる。
図４を参照すると、この図は、ゲート電圧調節制御法により三相転移を制御するｉｎ−ｓｉｔｕＸＲＤを示す。図に示すように、イオン液体において、ＳｒＣｏＯ２．５薄膜に対して正のゲート電圧を使用した後（電圧の増加速度は２ｍＶ／ｓである）、４５．７度（００４）の回折ピークは徐々に弱くなり最終的に消滅する。同時に、新たな相に対応する４４度の回折ピークが現れ始め、それにより、新たな構造物相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈが得られる。徐々に負のゲート電圧になると、新たな相ＳｒＣｏＯ２．５ＨはすぐにＳｒＣｏＯ２．５に戻り、負のゲート電圧を印加し続けると、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈはペロブスカイト構造を有するＳｒＣｏＯ３−δ相に転移する。また、このｉｎ−ｓｉｔｕ電場調節制御による構造相転移は、可逆的に調節制御することができる。正のゲート電圧になると、ＳｒＣｏＯ３−δ相はすぐにＳｒＣｏＯ２．５相及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈに変換される。従って、電場制御の方式によって、ブラウンミラライト構造を有するＳｒＣｏＯ２．５、ペロブスカイト構造を有するＳｒＣｏＯ３−δ及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相の間の可逆的な構造相転移が実現される。さらに重要なことには、これらの調節制御された新たな相は不揮発性を有する、即ち、構造相及び対応する物理的特性は電場が除去された後も維持される。
図５を参照すると、３つの構造相ＳｒＣｏＯ２．５、ＳｒＣｏＯ３−δ及びＳｒＣｏＯ２．５ＨのＸ線回折パターンが示される。ペロブスカイト構造を有するＳｒＣｏＯ３−δと比較して、ブラウンミラライト構造を有するＳｒＣｏＯ２．５相は、酸素八面体及び酸素四面体の面外方向の交互配列に由来する一連の超構造ピークを示す。対応するブラッグ回折角に基づいて、ＳｒＣｏＯ２．５及びＳｒＣｏＯ３−δ構造の擬立方ｃ軸格子定数はそれぞれ０．３９７ｎｍ及び０．３８１ｎｍである。新たな相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈも一連の超構造回折ピークを有する。それは、ＳｒＣｏＯ２．５ＨがＳｒＣｏＯ２．５構造と同じ長周期格子構造を有することを示す。新たな相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈのｃ軸格子定数は０．４１１ｎｍであり、対応するＳｒＣｏＯ２．５及びＳｒＣｏＯ３−δよりも３．７％及び８．０％大きい。また、図６を参照すると、これら３つの構造相ＳｒＣｏＯ２．５、ＳｒＣｏＯ３−δ及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈは、ほぼ同じロッキング曲線半値全幅（ＦＷＨＭ）、及び基板と同じ面内格子定数（逆格子空間の面内Ｑ値が一致する）を有する。それは、ｉｎ−ｓｉｔｕ成長及びゲート電圧調節制御後の薄膜が依然として高い結晶品質を維持することを示す。また、図７及び図８を参照すると、ＬＳＡＴ（００１）上に成長した異なる厚さを有する薄膜（２０ｎｍ〜１００ｎｍ）、並びにＳＴＯ（００１）及びＬＡＯ（００１）基板上に成長した異なる応力を有する薄膜が提供され、同様の結果が得られた。これは、ＳｒＣｏＯ２．５、ＳｒＣｏＯ３−δ及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈの三相の可逆相転移の電場制御の有効性及び本質を十分に示している。即ち、この効果は、応力とは無関係であり、材料の厚さやサイズに関係なく、様々な構造形式の材料系に広く適用することができる。
図９を参照すると、ＸＲＤ測定から得られた３つの構造、並びにそれらと既存のＳｒＣｏＯ３及びＳｒＣｏＯ２．５バルク材料との格子体積の比較が示される。図９からわかるように、前記第１相の格子体積は前記第２相の格子体積よりも大きく、前記第２相の格子体積は前記第３相の格子体積よりも大きい。
図１０を参照されたい。新たな相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈを形成する電子構造を深く理解するために、３つの構造相ＳｒＣｏＯ２．５、ＳｒＣｏＯ３−δ及びＳｒＣｏＯ２．５ＨにおけるＣｏのＬ吸収端及びＯのＫ吸収端に対してＸ線吸収スペクトル測定を行った。ＣｏのＬ２、３吸収端は、２ｐ軌道から３ｄ軌道への電子の遷移を検出し、対応する化合物の原子価状態を判断するための基準として使用できる。図１０ａに示すように、新たな相ＳｒＣｏＯ２．５ＨからＳｒＣｏＯ２．５に、そしてＳｒＣｏＯ３−δ相に、ＣｏのＬ吸収端のピーク位置が徐々に高エネルギー端に移動している。これは、Ｃｏの原子価状態が順に増加することを示す。特に、新たな相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈの吸収スペクトル特性はＣｏＯとほぼ同じスペクトル形状とピーク位置を有し、新たな相ＳｒＣｏＯ２．５ＨにおけるＣｏの原子価状態は＋２価であることを示す。同時に、ＳｒＣｏＯ２．５相におけるＣｏのＸ線吸収スペクトルも以前の研究とよく一致する。即ち、ＳｒＣｏＯ２．５相におけるＣｏは＋３価である。ＳｒＣｏＯ２．５相と比較して、ＳｒＣｏＯ３−δ相におけるＣｏのＬ３吸収端のピーク位置は約０．８ｅＶ高い。これは、ＳｒＣｏＯ３−δ相における酸素空格子点が少ない（δ＜０．１）ことを示す。また、ＯのＫ吸収スペクトルを測定することによって、３つの構造相の電子状態をさらに研究した（図１０ｂ）。ここで、ＯのＫ吸収端は、Ｏ１ｓ被占軌道から空軌道のＯ２ｐ軌道への遷移を測定した。ＳｒＣｏＯ３−δにおけるＯのＫ吸収端と比較して、ＳｒＣｏＯ２．５相において、５２７．５ｅＶピーク位置での明らかな減衰及び５２８．５ｅＶピーク位置での明らかな増強は、それが完全な酸素八面体配位から一部の酸素八面体及び一部の酸素四面体配位に変換したことを示す。しかしながら、新たな相において、５２８ｅＶ吸収ピークが完全に消失したことは、ＯとＣｏとの間のハイブリダイゼーションが大幅に減衰したことを示す。
図１１を参照されたい。ＳｒＣｏＯ２．５格子への水素イオンの挿入を確認するために、二次イオン質量スペクトルの方法を使用して、３つの構造相におけるＨ元素及びＡｌ元素（ＬＳＡＴ基板由来）の深さ依存曲線を測定した。ＬＳＡＴ基板及び他の２つの相と比較して、新たな相における明らかなＨ信号は、著しい量のＨがＳｒＣｏＯ２．５の格子中に挿入し、新たな相中に均一に分布していることを明らかに示す。さらに前の吸収スペクトル試験によると、Ｃｏイオンの＋２価の原子価状態の実験的証拠を確定することができ、新たな相の化学式がＳｒＣｏＯ２．５Ｈであることを確定することができる。また、ＯのＫ吸収端（図１０ｂ）では、５３２．５ｅＶでの強い吸収ピークはＯ−Ｈ結合に起因する可能性がある。これはまた、新たな相におけるＨ＋イオンの存在について強い証拠を提供する。
図１２を参照されたい。イオン液体ゲート電圧調節制御のプロセス及びその３つの相に対する可逆的調節制御をまとめた。この構造において、ＳｒＣｏＯ３はペロブスカイト構造を有し、Ｃｏイオンは酸素イオンに囲まれて酸素八面体構造を形成する。ＳｒＣｏＯ２．５は、ブラウンミラライト構造を有する。ＳｒＣｏＯ３と比較して、２つのＣｏイオンごとに１つの酸素イオンが失われるので、材料は、八面体と四面体が互いに重なり合うように形成される。ＳｒＣｏＯ２．５Ｈでは、水素イオンと酸素四面体における酸素イオンとは接続されて、ＯＨ結合を形成する。これら３つの構造の間では、電場駆動下での酸素イオン及び水素イオンの挿入及び析出により、可逆的構造相転移を実現することができる。
図１３を参照すると、エレクトロクロミックの３つの相の実物図及び光学的バンドギャップの変化が提供される。図１３ａを参照すると、ＬＳＡＴ（００１）基板上に成長した、５０ｎｍの厚さを有するＳｒＣｏＯ２．５、ＳｒＣｏＯ３−δ及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈの３つの異なる相の間の光透過度の実物の比較が示される。ＳｒＣｏＯ２．５Ｈは第１相に対応して、ＳｒＣｏＯ２．５は第２相に対応し、ＳｒＣｏＯ３−δは第３相に対応する。図１３ａから、上記３つの構造相の光透過度の大きさがわかる。ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ及びＬＳＡＴ（００１）基板は無色であり、ＳｒＣｏＯ２．５は褐色であり、ＳｒＣｏＯ３−δ相は黒色であることがわかる。電場制御による構造相転移と組み合わせて、この方法はエレクトロクロミック効果を実現するための効果的な手段となり得ることがわかる。３つの構造相の間の異なる光吸収特性をより直感的に区別するために、図１３ｂは３つの構造相の直接バンドギャップを示す。（αω）２−ω式のフィッティングによって、金属特性を有するＳｒＣｏＯ３−δ及び半導体特性を有するＳｒＣｏＯ２．５（直接バンドギャップ２．１２ｅＶ）と比較して、Ｃｏ２＋を有する新たな相ＳｒＣｏＯ２．５Ｈの直接バンドギャップは２．８４ｅＶに達することがわかる。挿入図は構造相転移中の対応するバンドギャップの変化も明らかに示す。
図１４ａの対応する光透過スペクトルを参照すると、三相の相転移における二重帯域を有するエレクトロクロミック効果も明確に示される。可視光領域において、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相（第１相）の透過率は他の２つの相よりも３０％以上高い。赤外領域（波長は８０００ｎｍに達する）において、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相（第１相）及びＳｒＣｏＯ２．５相（第２相）の透過スペクトルは、ＳｒＣｏＯ３−δ相（第３相）よりも６０％高い。また、図１４ｂは、赤外及び可視光波帯を調節制御することによって生じる透過度及び熱効果の相違、即ちスマートガラスの原理を示す。電場制御による可逆構造相転移と組み合わせて、現在のＳｒＣｏＯ２．５Ｈはエレクトロクロミズムに大きな応用将来性を提供する。即ち、ゲート電圧を調節制御する方法によって、赤外波帯及び可視光波帯で選択的に独立して光透過性の電場調節制御を行うことができる。具体的には、例えば、第１相（ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相）の場合、赤外と可視光部分の透過率が比較的高いため、より多くの赤外線と可視光を室内に同時に入射させることができ、それにより、室内温度が高くなり、明るさが増す。第２相（ＳｒＣｏＯ２．５相）の場合、可視光部分の吸収が明らかであるため、室内の明るさは低いが比較的高い温度を実現することができる。第３相（ＳｒＣｏＯ３−δ相）の場合、可視光と赤外波帯での同時の吸収のため、室内の低い明るさ及び比較的低い温度を実現することができる。従って、本出願の材料は三相の相転移を実現し、スマートガラスの応用範囲を広げる。
図１５を参照すると、本出願の実施例による材料の３つの相、即ち透過スペクトルから得られた光学吸収スペクトルの吸収係数の比較が示される。光子エネルギー４．０ｅＶより低いエネルギー範囲内において、３つの構造相すべてについて２つの主な吸収ピーク、即ち、低エネルギー端のｄ−ｄバンド内遷移（α、σ及びδ）及び高エネルギー端のｐ−ｄバンド間遷移（β、ε及びγ）があることが分かる。ＳｒＣｏＯ３−δは全スペクトルで強い光吸収を示し、その金属特性と一致する。また、ＳｒＣｏＯ２．５及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈはいずれも絶縁体特性を表し、直接バンドギャップ付近で強い吸収（β及びε）を形成する。さらに、ＳｒＣｏＯ２．５相の光吸収は、直接バンドギャップよりも大きいエネルギー範囲においてＳｒＣｏＯ３−δ相よりも強い。これは、ＳｒＣｏＯ２．５相におけるより大きなｐ−ｄ遷移に起因し得る。しかしながら、ＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相については、直接バンドギャップが増加するにつれて、吸収は強く抑制される。
図１６を参照すると、透過スペクトルの変調は、３つの異なる相の間のエネルギーバンド構造の違いとして理解することができ、これは電気輸送にも反映される。図１６は、３つの構造相の抵抗率の温度依存性を示す。これからわかるように、ＳｒＣｏＯ３−δは非常に良好な金属であり、約２００ｕΩ・ｃｍの抵抗率を有し、ＳｒＣｏＯ２．５及びＳｒＣｏＯ２．５Ｈの２つの相は、半導体の挙動を表し、それぞれ８Ω・ｃｍ及び４５０Ω・ｃｍの室温抵抗率を有する。挿入図は、電場調節制御下での３つの構造相の異なる抵抗状態の間の可逆的変化、即ち、中間抵抗状態・高抵抗状態・中間抵抗状態・低抵抗状態・中間抵抗状態を示す。従って、本出願によって実現される多抵抗状態間の電場制御可能な相転移は、抵抗変化基づく記憶のモデルデバイスユニットを構成する。
図１７を参照すると、構造相転移に密接に関連する３状態電気磁気結合現象が示される。即ち、電場により材料の磁気特性を調節制御して、多状態磁気記憶を実現することができる。巨視的な磁気特性測定により、得られたＳｒＣｏＯ３−δ相の飽和磁気モーメントは２．４μＢ／Ｃｏであり、キュリー温度が２４０Ｋである一方、ＳｒＣｏＯ２．５は材料の固有の反強磁気特性挙動のみを表す。また、図中のＳｒＣｏＯ２．５Ｈ相も明らかな磁気ヒステリシスループを表し、その飽和磁気モーメントは０．６μＢ／Ｃｏであり、キュリー温度は１２５Ｋである。
図１８を参照すると、この図は、電場制御による酸素イオン及び水素イオンの注入／析出によって引き起こされた３つの電気と磁気的状態の間の調整制御を示す。それは、電場によって磁気特性を制御する次世代の電子デバイスに対して、新規で潜在的に有用な３状態電気磁気結合メカニズムを提供する。
図１９を参照すると、この図は、電場によって相転移又はＣｏの原子価状態を制御して、異なる温度で磁気特性間の変換を実現することを示す。例えば、温度が１２５Ｋ未満であるとき、強磁気特性−反強磁気特性−強磁気特性の変換を実現することができる。１２５Ｋ〜２５０Ｋでは、強磁気特性−反強磁気特性−常磁気特性の変換を実現することができる。２５０Ｋ〜５３７Ｋでは、常磁気特性−反強磁気特性−常磁気特性の変換を実現することができる。実際の応用において、電場によってイオン移動を制御するか又は電場によって相転移を制御する方法により、異なる温度での異なる磁気基底状態の間の切り替えを実現することができ、電気による磁気制御の範囲及び内容を大幅に充実させる。
図２０を参照すると、三相磁気基底状態の調節制御に基づいて、その磁気電気結合及びスピントロニクス効果に従って５状態記憶のモデルが構築される。異なるスピン基底状態を有するＳｒＣｏＯｘＨｙ三相をスピン固定層として用い、エピタキシャル磁性金属をスピンフリー層として用いることによって、スピンバルブ構造が構成される。ゲート電圧磁気基底状態を調節制御すると、高抵抗状態、低抵抗状態−Ｉ及び低抵抗状態−ＩＩを実現することができる。さらに、低抵抗状態では、高抵抗状態及び低抵抗状態を区別することができる。それにより、最終的に５状態記憶を実現することができる。
図２１を参照すると、本出願による水素含有遷移金属酸化物と合わせて、相転移電子デバイス１００がさらに提供される。相転移電子デバイス１００は、電場の作用下で、三相間の相転移の可逆変換を実現することができる。具体的には、この相転移電子デバイス１００は、エレクトロクロミックスマートガラスであってもよいし、多状態抵抗変化型メモリであってもよいし、又は磁気多状態メモリであってもよい。前記相転移電子デバイス１００は、第１導電層１２０、第２導電層１４０、及び前記第１導電層１２０と第２導電層１４０との間に封入されたイオン液体層１３０と相転移材料層１５０を含む。前記第１導電層１２０と前記第２導電層１５０とは、絶縁支持体１７０により絶縁隔離される。前記相転移材料層１５０は前記第２導電層１４０上に配置される。前記相転移材料層１５０は、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙからなる。前記イオン液体層１３０は、前記相転移材料層１５０と前記第１導電層１２０との間に配置される。
前述の説明と合わせて、前記第１導電層１２０及び前記第２導電層１４０により、前記イオン液体層１３０及び前記相転移材料層１５０にゲート電圧を印加し、前記ゲート電圧を制御することによって前記相転移材料層１５０の三相の相転移を実現することができる。電場の作用下で、前記相転移材料層は第１相、第２相及び第３相の間で変換し、前記第１相の格子体積は前記第２相の格子体積より大きく、前記第２相の格子体積は前記第３相の格子体積より大きい。一実施例では、前記第１相はＳｒＣｏＯ２．５Ｈであり、前記第２相はＳｒＣｏＯ２．５であり、前記第３相はＳｒＣｏＯ３−δである。エレクトロクロミズム及び３状態電気磁気結合を実現することができる。前記第１導電層１２０及び前記第２導電層１４０の材料は制限されず、実際のニーズに応じて設定されてもよい。例えば、前記相転移電子デバイス１００がエレクトロクロミズムのために使用されるとき、前記第１導電層１２０及び前記第２導電層１４０は透明な導電層として設置されてもよい。相転移材料層１５０自体を第２導電層１４０として使用し、前記第２導電層１４０を除去することもできることが理解されるであろう。前記絶縁支持体１７０の材料は、絶縁性を有し、ある程度の硬度を有するものであれば限定されない。前記絶縁支持体１７０は、ガラス又は他のものとすることができる。前記イオン液体層１３０の材料は、前記第１イオン液体であり、相転移のための前記水素元素及び酸素元素を提供するために使用される。
一実施例では、前記相転移電子デバイス１００は、間隔をおいて対向して配置された第１基板１１０と第２基板１６０を更に含む。前記第１導電層１２０は前記第１基板１１０の表面に配置され、前記第２導電層１４０は前記第２基板１６０の表面に配置される。前記第１基板１１０及び前記第２基板１６０は支持のために使用され、ある程度の硬度を有する材料を用いて製造されてもよい。好ましくは、前記第１基板１１０及び前記第２基板１６０はガラスである。
以上の実施例は本出願の幾つかの実施形態のみを詳細且つ具体的に示しているが、本出願の保護範囲を限定するものではないと理解すべきである。当業者にとって、本出願の創造的構想から逸脱しない前提で、幾つかの変形や改善を行うことができ、これらはすべて本出願の保護範囲に属するべきであると理解しなければならない。従って、本出願の保護範囲は、特許請求の範囲に指定された内容を基準とする。
Claims (10)
- 水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法であって、以下のステップＳ１００〜Ｓ３００を含むことを特徴とする水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Ｓ１００では、構造式ＡＢＯｘＨｙを有する水素含有遷移金属酸化物を提供し、前記水素含有遷移金属酸化物は第１相にあり、Ａはアルカリ土類金属元素及び希土類金属元素のうちの１つ以上であり、Ｂは遷移金属元素であり、ｘの値の範囲は１〜３であり、ｙの値の範囲は０〜２．５であり、
Ｓ２００では、前記水素含有遷移金属酸化物を第１イオン液体に浸漬し、前記第１イオン液体は水素イオン及び酸素イオンを提供することができ、
Ｓ３００では、前記第１イオン液体をゲートとして、前記水素含有遷移金属酸化物にゲート電圧を印加して、前記水素含有遷移金属酸化物の相転移を調節制御する。 - 前記水素含有遷移金属酸化物の調製方法は以下のステップＳ１１０〜Ｓ１３０を含むことを特徴とする請求項１に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御の方法。
Ｓ１１０では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物を提供し、ｚは２以上且つ３以下であり、
Ｓ１２０では、前記遷移金属酸化物を第２イオン液体に浸漬し、前記第２イオン液体は電解水水素イオン及び酸素イオンを提供することができ、
Ｓ１３０では、前記遷移金属酸化物に電場を印加して、前記第２イオン液体中の水素イオンを前記遷移金属酸化物に挿入する。 - 前記ステップＳ１１０は以下のステップＳ１１２、Ｓ１１４、及びＳ１１６を含むことを特徴とする請求項２に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Ｓ１１２では、基板を提供し、
Ｓ１１４では、構造式ＡＢＯｚを有する遷移金属酸化物薄膜を前記基板の表面に堆積して形成し、
Ｓ１１６では、前記遷移金属酸化物薄膜の表面に第１電極を形成する。 - 前記基板はセラミック基板、シリコン基板、ガラス基板、金属基板、又はポリマーのうちの１つであり、前記ステップＳ１１４は、パルスレーザー堆積の方法により前記基板上でエピタキシャル成長により前記遷移金属酸化物薄膜を取得することを特徴とする請求項３に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
- 前記ステップＳ１１６では、前記第１電極は前記遷移金属酸化物薄膜と接触して底部電極を形成する、ことを特徴とする請求項３に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
- 前記ステップＳ１３０は以下のステップＳ１３２、Ｓ１３４、及びＳ１３６を含むことを特徴とする請求項２に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Ｓ１３２では、第２電極及び電源を提供し、
Ｓ１３４では、前記第２電極と前記第１電極とを間隔をおいて配置し、それぞれ前記電源に電気的に接続し、
Ｓ１３６では、前記第２電極を前記第２イオン液体に浸漬し、前記電源により前記第２電極から前記第１電極へ向かう電場を印加する。 - 前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３１０を含むことを特徴とする請求項１に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Ｓ３１０では、前記水素含有遷移金属酸化物が第２相になるように、前記水素含有遷移金属酸化物ＡＢＯｘＨｙにゲート負電圧を印加し、前記水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを析出させるか又は酸素イオンを添加し、前記第２相の格子体積は前記第１相より小さい。 - 前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３２０を含むことを特徴とする請求項７に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Ｓ３２０では、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物が前記第１相に戻るように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート正電圧を印加して、第２相になった水素含有遷移金属酸化物に水素イオンを挿入するか又は酸素イオンを析出させる。 - 前記ステップＳ３００は以下のステップＳ３３０を含むことを特徴とする請求項７に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Ｓ３３０では、第３相になるように、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物にゲート負電圧を印加して、前記第２相になった水素含有遷移金属酸化物に酸素イオンを挿入するか又は水素イオンを析出させ、前記第３相の格子体積は前記第２相より小さい。 - 前記ＡＢＯｘＨｙはＳｒＣｏＯ２．５Ｈである、ことを特徴とする請求項１に記載の水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611056300.7A CN108091760B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 调控含氢过渡金属氧化物相变的方法 |
| CN201611056300.7 | 2016-11-23 | ||
| PCT/CN2017/112611 WO2018095367A1 (zh) | 2016-11-23 | 2017-11-23 | 调控含氢过渡金属氧化物相变的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020501378A true JP2020501378A (ja) | 2020-01-16 |
| JP6846066B2 JP6846066B2 (ja) | 2021-03-24 |
Family
ID=62170251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019547752A Active JP6846066B2 (ja) | 2016-11-23 | 2017-11-23 | 水素含有遷移金属酸化物の相転移の調節制御方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11018294B2 (ja) |
| EP (1) | EP3547381B1 (ja) |
| JP (1) | JP6846066B2 (ja) |
| CN (1) | CN108091760B (ja) |
| WO (1) | WO2018095367A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091759B (zh) * | 2016-11-23 | 2019-07-09 | 清华大学 | 相变电子器件 |
| CN110580995B (zh) * | 2018-06-07 | 2020-11-13 | 清华大学 | 铁磁材料及其制备方法、传感器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006323191A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Hitachi Ltd | エレクトロクロミックデバイス |
| WO2016063849A1 (ja) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | 旭硝子株式会社 | 光学素子および撮像装置 |
| WO2016111306A1 (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 国立大学法人北海道大学 | 半導体装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU1887000A (en) | 1999-02-17 | 2000-09-04 | International Business Machines Corporation | Microelectronic device for storing information and method thereof |
| US6964827B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-11-15 | Valence Technology, Inc. | Alkali/transition metal halo- and hydroxy-phosphates and related electrode active materials |
| CN1199306C (zh) | 2001-01-21 | 2005-04-27 | 天津和平海湾电源集团有限公司 | 高能量空气/氢二次电池 |
| US7087186B1 (en) * | 2001-11-26 | 2006-08-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ferroelectric/paraelectric materials, and phase shifter devices, true time delay devices and the like containing same |
| US6972238B2 (en) | 2003-05-21 | 2005-12-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Oxygen content system and method for controlling memory resistance properties |
| JP4534531B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-09-01 | 株式会社豊田中央研究所 | 異方形状粉末の製造方法 |
| KR100612570B1 (ko) | 2004-04-21 | 2006-08-11 | 주식회사 엘지화학 | 신규 결정 구조를 갖는 금속 복합 산화물 및 이들의 이온전도체로서의 용도 |
| US7666550B2 (en) | 2004-05-25 | 2010-02-23 | Enerdel, Inc. | Lithium ion battery with oxidized polymer binder |
| JP4880894B2 (ja) | 2004-11-17 | 2012-02-22 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置の構造及びその製造方法 |
| US8637209B2 (en) | 2005-08-09 | 2014-01-28 | Allan J. Jacobson | Cathode and electrolyte materials for solid oxide fuel cells and ion transport membranes |
| CN100469940C (zh) | 2005-09-15 | 2009-03-18 | 电子科技大学 | 金属氧化物薄膜的制备方法 |
| TWI340126B (en) | 2005-10-19 | 2011-04-11 | Lg Chemical Ltd | Composite oxides comprising strontium, lantanium, tungsten and ionic conductors using the same |
| CN100391589C (zh) * | 2006-07-11 | 2008-06-04 | 南开大学 | 镁-过渡金属氧化物复合储氢材料及其制备方法和应用 |
| US7479671B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-01-20 | International Business Machines Corporation | Thin film phase change memory cell formed on silicon-on-insulator substrate |
| JP2009054884A (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Bridgestone Corp | キャパシタ用非水電解液及びそれを備えた非水電解液キャパシタ |
| JP5397668B2 (ja) | 2008-09-02 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 記憶素子および記憶装置 |
| US9590245B2 (en) | 2008-10-23 | 2017-03-07 | Centre National De La Recherche Scientifique | Method for producing inorganic compounds |
| CN101624206B (zh) | 2009-08-07 | 2010-12-08 | 南开大学 | 稀土金属氢氧化物或钒酸盐纳米材料的制备方法及应用 |
| JP2012182172A (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
| KR20140104840A (ko) | 2013-02-21 | 2014-08-29 | 삼성전자주식회사 | 산소이온전도성을 갖는 쉴라이트 구조 복합금속산화물 |
| US9590176B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-03-07 | International Business Machines Corporation | Controlling the conductivity of an oxide by applying voltage pulses to an ionic liquid |
| EP2793279A1 (en) | 2013-04-19 | 2014-10-22 | ETH Zurich | Strained multilayer resistive-switching memory elements |
| JP6007994B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2016-10-19 | セントラル硝子株式会社 | 非水電解液二次電池用電解液及びそれを用いた非水電解液二次電池 |
| CN104891448B (zh) * | 2015-05-19 | 2020-01-07 | 河北民族师范学院 | 一种过渡金属氧化物纳米材料、其制备方法及用途 |
| CN105047816A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-11-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法 |
-
2016
- 2016-11-23 CN CN201611056300.7A patent/CN108091760B/zh active Active
-
2017
- 2017-11-23 EP EP17874222.7A patent/EP3547381B1/en active Active
- 2017-11-23 WO PCT/CN2017/112611 patent/WO2018095367A1/zh unknown
- 2017-11-23 JP JP2019547752A patent/JP6846066B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-22 US US16/420,159 patent/US11018294B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006323191A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Hitachi Ltd | エレクトロクロミックデバイス |
| WO2016063849A1 (ja) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | 旭硝子株式会社 | 光学素子および撮像装置 |
| WO2016111306A1 (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 国立大学法人北海道大学 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018095367A1 (zh) | 2018-05-31 |
| EP3547381B1 (en) | 2022-05-11 |
| US20190280201A1 (en) | 2019-09-12 |
| JP6846066B2 (ja) | 2021-03-24 |
| CN108091760A (zh) | 2018-05-29 |
| EP3547381A1 (en) | 2019-10-02 |
| EP3547381A4 (en) | 2019-12-25 |
| CN108091760B (zh) | 2019-11-22 |
| US11018294B2 (en) | 2021-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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