JP2020500256A - System for contactlessly conveying a carrier and method for contactlessly conveying a carrier in a deposition system - Google Patents
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Abstract
本開示は、堆積システムにおいてキャリア(220)を非接触搬送するための装置を提供するものである。キャリア(220)は、キャリア(220)の磁石構造(222)に面するように構成された一または複数の能動磁石ユニット(112)を有するガイド構造(210)と、キャリア(220)の存在を検出するように構成された一または複数のセンサ(230)であって、一または複数の能動磁石ユニット(112)と一または複数のセンサ(230)はそれらの間に磁石構造(222)のためのガイド空間(S)を画定するように配置されている、一または複数のセンサ(230)とを含む。【選択図】図2The present disclosure provides an apparatus for contactlessly transporting a carrier (220) in a deposition system. The carrier (220) includes a guide structure (210) having one or more active magnet units (112) configured to face the magnet structure (222) of the carrier (220), and the presence of the carrier (220). One or more sensors (230) configured to detect the one or more active magnet units (112) and the one or more sensors (230) between them for the magnet structure (222). And one or more sensors (230) arranged to define the guide space (S) of the first and second sensors. [Selection] Figure 2
Description
[0001]本開示の実施形態は、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための装置、キャリアを非接触搬送するためのシステム、及び堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための方法に関する。本開示の実施形態は、具体的には、有機発光ダイオード(OLED)デバイスの製造で使用される基板及び/又はマスクを保持するための静電チャック(Eチャック)に関する。 [0001] Embodiments of the present disclosure relate to an apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system, a system for contactlessly transporting a carrier, and a method for contactlessly transporting a carrier in a deposition system. Embodiments of the present disclosure specifically relate to electrostatic chucks (E-chucks) for holding substrates and / or masks used in the manufacture of organic light emitting diode (OLED) devices.
[0002]基板上に層を堆積させる技法には、例えば、熱蒸着、物理的気相堆積(PVD)、及び化学気相堆積(CVD)が含まれる。コーティングされた基板は、いくつかの応用、及びいくつかの技術分野において使用されうる。例えば、コーティングされた基板は、有機発光ダイオード(OLED)デバイスの分野で使用されうる。OLEDは、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造時に使用されうる。OLEDディスプレイなどのOLEDデバイスは、2つの電極の間に配置された有機材料の一又は複数の層を含んでもよく、これらは、すべて基板上に堆積される。 [0002] Techniques for depositing layers on a substrate include, for example, thermal evaporation, physical vapor deposition (PVD), and chemical vapor deposition (CVD). Coated substrates can be used in some applications and in some technical fields. For example, coated substrates can be used in the field of organic light emitting diode (OLED) devices. OLEDs can be used in the manufacture of television screens, computer monitors, mobile phones, other portable devices, etc. for displaying information. OLED devices, such as OLED displays, may include one or more layers of organic material disposed between two electrodes, all of which are deposited on a substrate.
[0003]処理中、基板は、基板と光学マスクを保持するように構成されたキャリア上で支持されうる。キャリアは、磁力を使用して、真空堆積システム等の堆積システム内で非接触搬送されうる。有機発光デバイスなどの用途において、基板上に堆積される有機層の純度及び均一性は高くなければならない。更に、非接触搬送を利用して、基板の破壊に起因してスループットを低下させることなく、基板及びマスクを支持するキャリアのハンドリング及び搬送を行うことは困難である。 [0003] During processing, a substrate may be supported on a carrier configured to hold the substrate and the optical mask. The carrier can be contactlessly transported in a deposition system, such as a vacuum deposition system, using magnetic force. In applications such as organic light emitting devices, the purity and uniformity of the organic layer deposited on the substrate must be high. Furthermore, it is difficult to handle and transport a carrier that supports a substrate and a mask using non-contact transport without reducing throughput due to destruction of the substrate.
[0004]以上の観点から、当該技術の少なくとも幾つかの問題を克服するような、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための新たな装置、キャリアを非接触搬送するためのシステム、及び堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための方法が有益である。本開示は特に、例えば真空堆積システム等の堆積システムにおいて効率的に、また円滑に搬送されうるキャリアを提供することを目指すものである。 [0004] In view of the foregoing, a new apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system, a system for contactlessly transporting a carrier, and a deposition system that overcome at least some of the problems in the art. In the above, a method for transporting the carrier in a non-contact manner is useful. The present disclosure is specifically directed to providing a carrier that can be transported efficiently and smoothly in a deposition system, such as a vacuum deposition system.
[0005]上記を受けて、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための装置、キャリアを非接触搬送するためのシステム、及び堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための方法が提供される。本開示の別の態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。 [0005] In light of the above, there is provided an apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system, a system for contactlessly transporting a carrier, and a method for contactlessly transporting a carrier in a deposition system. Other aspects, advantages, and features of the disclosure will be apparent from the claims, the description, and the accompanying drawings.
[0006]本開示の一態様によれば、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための装置が提供される。本装置は、キャリアの磁石構造に面するように構成された一または複数の能動磁石ユニットを有するガイド構造と、キャリアの存在を検出するように構成された一または複数のセンサとを含み、一または複数の能動磁石ユニットと一または複数のセンサは、一または複数の能動磁石ユニットと一または複数のセンサとの間に磁石構造のためのガイド空間を画定するように配置されている。 [0006] According to one aspect of the present disclosure, there is provided an apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system. The apparatus includes a guide structure having one or more active magnet units configured to face a magnet structure of the carrier, and one or more sensors configured to detect the presence of the carrier. Alternatively, the plurality of active magnet units and the one or more sensors are arranged to define a guide space for the magnet structure between the one or more active magnet units and the one or more sensors.
[0007]本開示の別の態様によれば、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための装置が提供される。本装置は、キャリアの存在を検出するように構成された一または複数のセンサを含み、一または複数のセンサの各センサはキャリアの搬送方向にセンサ延長部を有し、センサ延長部は搬送方向におけるキャリア延長部の1%以上である。 [0007] According to another aspect of the present disclosure, there is provided an apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system. The apparatus includes one or more sensors configured to detect the presence of the carrier, each sensor of the one or more sensors having a sensor extension in a carrier transport direction, wherein the sensor extension is in the transport direction. 1% or more of the carrier extension portion in the above.
[0008]本開示の別の態様によれば、キャリアを非接触搬送するためのシステムが提供される。本システムは、本開示に係るキャリアを非接触搬送するための装置とキャリアとを含む。 [0008] According to another aspect of the present disclosure, a system for contactlessly transporting a carrier is provided. The present system includes an apparatus for transporting a carrier according to the present disclosure in a non-contact manner and a carrier.
[0009]本開示の更に別の態様によれば、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための方法が提供される。本方法は、キャリアの被検出可能装置の第1の側面を検出することと、被検出可能装置の第1の側面とは反対の第2の側面に配置された少なくとも1つの能動磁石ユニットを制御することとを含む。 [0009] According to yet another aspect of the present disclosure, a method is provided for contactlessly transporting a carrier in a deposition system. The method includes detecting a first side of a detectable device of a carrier, and controlling at least one active magnet unit disposed on a second side of the carrier opposite the first side. And doing.
[0010]実施形態は、開示される方法を実施するための装置も対象としており、記載される各方法の態様を実施するための装置部分を含む。これらの方法の態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの2つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意の態様で実施することができる。さらに、本開示に係る実施形態は、記載された装置を作動させる方法も対象としている。記載された装置を作動させる方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法の態様を含む。 [0010] Embodiments are also directed to apparatus for performing the disclosed methods, and include apparatus portions for performing each described method aspect. These method aspects can be implemented using hardware components, using a computer programmed with appropriate software, by any combination of the two, or in any other manner. Furthermore, embodiments according to the present disclosure are also directed to a method of operating the described apparatus. The methods of operating the described apparatus include aspects of the method for performing any of the functions of the apparatus.
[0011]本開示の上記の特徴を細部まで理解しうるように、実施形態を参照しながら上記で簡単に要約された本開示をより詳細に説明する。添付の図面は本開示の実施形態に関するものであり、下記でそれらについて説明する。 [0011] In order that the foregoing features of the disclosure may be understood in detail, the present disclosure, briefly summarized above, will now be described with reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.
[0012]本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照する。これらの実施形態の一又は複数の例が、図中に示されている。図面についての以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されるが、本開示を限定することを意図しているわけではない。更に、1つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。説明には、このような修正例及び変形例が含まれるように意図されている。 [0012] Reference will now be made in detail to various embodiments of the present disclosure. One or more examples of these embodiments are illustrated in the figures. In the following description of the drawings, the same reference numbers represent the same components. Generally, only the differences with respect to the individual embodiments are described. Each example is provided by way of explanation of the disclosure, but is not intended to limit the disclosure. Furthermore, features illustrated or described as part of one embodiment, may be used on another embodiment or used with another embodiment to create a further embodiment. It is possible. The description is intended to include such modifications and variations.
[0013]堆積システムの堆積チャンバ内で基板及び/又はマスクを保持し搬送するために、真空堆積システムなどの堆積システムにおいてキャリアを使用することが可能である。例えば、基板がキャリアによって支持されている間に、一又は複数の材料層を基板上に堆積させることができる。有機発光デバイスなどの用途では、基板上に堆積される有機層の高い純度及び均一性は利点になりうる。更に、基板の破損を削減するために、堆積システム内のキャリアの滑らかな搬送は有益である。 [0013] A carrier can be used in a deposition system, such as a vacuum deposition system, to hold and transport a substrate and / or mask within a deposition chamber of the deposition system. For example, one or more layers of material can be deposited on the substrate while the substrate is supported by the carrier. For applications such as organic light emitting devices, high purity and uniformity of the organic layer deposited on the substrate can be advantageous. In addition, smooth transport of the carrier in the deposition system is beneficial to reduce substrate breakage.
[0014]本開示の実施形態によれば、一または複数の能動磁石ユニットと一または複数のセンサとはガイド空間の反対側に配置されている。詳細には、一または複数の能動磁石ユニットと一または複数のセンサとは、キャリアの磁石構造の反対側に配置される。磁気ガイドが実施される空間が効率的に使用されうる。更に、磁気ガイドと一または複数のセンサとの間の干渉が回避され、搬送方向におけるキャリアの滑らかな搬送が達成されうる。キャリアの不安定な搬送及び/又は粒子の生成に起因する基板の破損が削減されうる、又は回避さえもされうる。 [0014] According to an embodiment of the present disclosure, one or more active magnet units and one or more sensors are located on opposite sides of the guide space. In particular, one or more active magnet units and one or more sensors are arranged on the carrier on the opposite side of the magnet structure. The space where the magnetic guide is implemented can be used efficiently. Furthermore, interference between the magnetic guide and one or more sensors is avoided, and smooth transport of the carrier in the transport direction can be achieved. Substrate damage due to unstable carrier transport and / or particle generation may be reduced or even avoided.
[0015]図1に、キャリア100と、水平方向であってよい搬送方向1にキャリア100を非接触搬送するように構成された搬送構成部の一部の概略図を示す。
[0015] FIG. 1 shows a schematic view of a
[0016]搬送構成部は、能動ガイド構造であってよいガイド構造110を含む。ガイド構造110は、搬送方向に沿って配置された複数のガイドユニット111を含む。各ガイドユニット111は、例えば能動磁石ユニット112等の(例えば電磁)アクチュエータと、アクチュエータを制御するように構成されたコントローラ114と、キャリア100までの間隙を測定するように構成された距離センサ(図示せず)とを含む。ガイド構造110は、磁力を利用してキャリア100を非接触浮上させるように構成されうる。
[0016] The transport component includes a
[0017]キャリア100がガイドユニット111に近づくあるいは遠ざかるときに、浮上精度及び/又は浮上安定性に影響が出る場合がある。詳細には、キャリア100がガイドユニット111に近づく又は遠ざかるときに、キャリア100の突然の加速又は減速につながりうる相当な力及び/又はパルス状の力が生成されうる。この力は、ガイド構造110、特に複数のガイドユニット111(例えば一または複数の電磁気アクチュエータ及び距離センサ)の構成要素の幾何学的な配置及び構成によって変化しうる。この力によりキャリア100の望ましくない突然の移動が起こる場合があり、キャリア100とガイド構造110との間の偶発的な機械的接触さえも起こる可能性がある。キャリア100、基板及び/又はガイド構造110が破損する場合がある。更に、堆積処理の品質を低下させる粒子が生成されうる。
[0017] When the
[0018]浮上力の方向、特にアクチュエータによって付与される磁力の方向(例えば、垂直方向3)におけるパルス状の力又は力の変化は、キャリア100が例えば距離センサの下から突然消えたときに生じうる。この結果、距離センサにおいて、キャリアが距離センサから例えば垂直方向3等の距離(又は測定)方向に高速移動で離れた場合と同じ信号値が得られうる。つまり、距離センサは間隙の拡大を示す。信号の変化により、コントローラに、「移動している」キャリア100がガイド構造110とキャリア100との間の設定距離に戻るように、アクチュエータの力を強力に変えさせることができる。
[0018] A pulsed force or a change in force in the direction of the levitation force, particularly in the direction of the magnetic force applied by the actuator (e.g., the vertical direction 3) occurs when the
[0019]更に、キャリア100がガイドユニット111に近づく又は遠ざかるときに、搬送方向1に沿った力成分が生成されうる。力成分は、キャリア100の更なる搬送を妨げるのに十分強いものであってもよい。搬送方向1に沿った力成分は、キャリアの前面及び/又は後面(例えば前縁又は後縁)に作用するアクチュエータの磁気抵抗から生じうる。これを、キャリア100の後面における磁場線によって、図1に例示的に示す。
[0019] Furthermore, when the
[0020]図2に、本書に記載の実施形態に係る、堆積システムにおいてキャリア220を非接触搬送するための装置の概略図を示す。
[0020] FIG. 2 shows a schematic diagram of an apparatus for contactlessly transporting a
[0021]この装置は、キャリア220の磁石構造222に面するように構成された一または複数の能動磁石ユニット112を有するガイド構造210と、キャリア220の存在を検出するように構成された一または複数のセンサ230とを含む。一または複数の能動磁石ユニット112と一または複数のセンサ230は、それらの間の磁石構造222のガイド空間Sを画定するように配置される。キャリア220の磁石構造222は、キャリア220の搬送方向1に沿って延びている。同様に、一または複数の能動磁石ユニット112は、キャリア220の搬送方向1に沿って配置されうる。磁石構造222は、キャリア220の長さに沿って延びている強磁性体材料であってよい。
[0021] The apparatus includes a
[0022]ある実施形態では、磁石構造222は、一または複数のセンサ230のセンサトレイル(sensor trail)を提供しうる。別の実施形態では、センサトレイルは、磁石構造222に取り付けられうる別々の要素によって提供される。別々の要素によって提供されうるセンサトレイルの例を、傾斜部等の被検出可能装置の形態で図3Aに示す。
[0022] In certain embodiments, the
[0023]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、一または複数の能動磁石ユニット112はガイド空間Sの上に配置され、一または複数のセンサ230は垂直方向3に対してガイド空間Sの下に配置される。ガイド空間Sを画定する、例えば垂直方向3における一または複数の能動磁石ユニット112と一または複数のセンサ230との間の距離は、同じ方向における磁石構造222の延長部よりも広くてよい。詳細には、第1の間隙G1は、例えば垂直方向3における一または複数の能動磁石ユニット112と磁石構造222との間に設けられうる。同様に、第2の間隙G2は、例えば垂直方向3における一または複数のセンサ230と磁石構造222との間に設けられうる。第1の間隙G1と第2の間隙G2は、基本的に同一でありうる、あるいは異なっている場合がある。間隙により、例えばキャリア220の搬送中にキャリアがわずかに垂直に及び/又は水平に移動することに起因するキャリア220と搬送構成部との間の衝突又は接触が回避されうる。
[0023] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, one or more
[0024]キャリア220は、例えば堆積システムの真空チャンバ等の一または複数のチャンバを通って、及び詳細には例えば直線搬送路等の搬送路に沿って少なくとも1つの堆積エリアを通って非接触搬送されるように構成される。キャリア220は、水平方向であってよい搬送方向1に非接触搬送されるように構成されうる。
[0024] The
[0025]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、堆積システムは、堆積システムにおいてキャリア220を非接触浮上させる、及び/又は非接触搬送するように構成された搬送構成部を含みうる。搬送管理は、キャリア220を浮上させるための磁気浮上力を付与するためのガイド構造210と、キャリア220を搬送方向1に移動させるための駆動構造とを含みうる。キャリア220の磁石構造222は、ガイド構造と磁気的に相互作用するように構成された一または複数の第1の磁石ユニットからなっていてよい。ある実行形態では、一または複数の第1の磁石ユニットは、例えば永久磁石ユニット及び/又は強磁性体部品等の受動磁石ユニットであってよい。
[0025] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the deposition system is configured to contactlessly levitate and / or transport the
[0026]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、キャリア220は、キャリア220を搬送方向1に移動させるための駆動構造と磁気的に相互作用するように構成された一または複数の第2の磁石ユニット(図示せず)からなる別の磁石構造を含む。幾つかの実行形態では、一または複数の第2の磁石ユニットは受動磁石ユニット、例えば強磁性体であってよい。ガイド構造210と駆動構造は、キャリア220の対向する端又は端部に配置されうる。詳細には、一または複数の第1の磁石ユニットと一または複数の第2の磁石ユニットは、キャリア220の対向する端あるいは端部に配置されうる。
[0026] According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the
[0027]堆積システム、及び具体的には搬送構成部は、複数のガイドユニット111を有するガイド構造を含みうる。各ガイドユニット111は、例えば能動磁石ユニット112等のアクチュエータ、アクチュエータを制御するように構成されたコントローラ114、及び磁石構造間、及び特にそれらの一または複数の第1の磁石ユニット間の間隙を感知する又は測定するように構成されたそれぞれのセンサ230、及びアクチュエータを含みうる。間隙、例えば第1の間隙G1は、垂直方向3などの、搬送方向1に対して直角な方向に測定されうる。詳細には、センサ230は、一または複数の第1の磁石ユニットと能動磁石ユニット112との間の間隙を感知する又は測定するために、例えばキャリア220がセンサ230にある時に、一または複数の第1の磁石ユニットに面するように配置されうる。センサ230は、距離センサであってよい。
[0027] The deposition system, and specifically the transport component, may include a guide structure having a plurality of
[0028]コントローラ114は、センサ230によって測定される間隙に基づいて、アクチュエータによって付与される磁力を調節するために、能動磁石ユニット112を制御するように構成されうる。詳細には、コントローラ114は、キャリア220が堆積システムを通って搬送されている間、一または複数の第1の磁石ユニットと能動磁石ユニット112との間の距離が基本的に一定となるように、能動磁石ユニット112を制御するように構成されうる。図2には、各ガイドユニット111がそれ自体のコントローラを有することを例示的に示したが、本開示はこれに限定されず、コントローラは2つ以上のガイドユニットに割り当てられうることを理解すべきである。例えば、単一のコントローラが全てのガイドユニット用に配設されうる。
[0028] The
[0029]キャリア220は、基板処理中、例えば真空処理中に使用される基板及び/又はマスク(図示せず)を保持するように構成されうる。幾つかの実行形態では、キャリア220は基板とマスクの両方を支持するように構成可能である。更なる実行形態では、キャリア220は基板又はマスクのどちらかを支持するように構成されうる。このような場合、キャリア220はそれぞれ「基板キャリア」及び「マスクキャリア」と称されうる。
[0029] The
[0030]キャリア220は支持面を提供する支持構造又は本体225を含むことが可能で、支持面は、例えば基板の背面に接触するように構成された基本的に平坦な面になりうる。詳細には、基板は、裏面の反対側の前面(「処理面」とも称される)であって、真空堆積処理などの処理中にその面に層が堆積される前面を有しうる。磁石構造222は、本体225に設けられ得る。
[0030] The
[0031]本開示のいたるところで使用されている「真空(vacuum)」という語は、例えば10mbar未満の真空圧を有する工業的真空の意味に理解されうる。真空チャンバ内の圧力は、10−5mbarと約10−8mbarとの間、具体的には、10−5mbarと10−7mbarとの間、より具体的には、約10−6mbarと約10−7mbarとの間であってよい。真空チャンバ内部に真空を発生させるために真空チャンバに接続された、ターボポンプ及び/又はクライオポンプなどの一又は複数の真空ポンプが配設されうる。 [0031] The term "vacuum" as used throughout this disclosure may be understood as meaning an industrial vacuum having a vacuum pressure of, for example, less than 10 mbar. The pressure in the vacuum chamber is between 10 −5 mbar and about 10 −8 mbar, specifically between 10 −5 mbar and 10 −7 mbar, more specifically about 10 −6 mbar And about 10 −7 mbar. One or more vacuum pumps, such as a turbo pump and / or a cryopump, may be provided connected to the vacuum chamber to generate a vacuum inside the vacuum chamber.
[0032]本開示に係るキャリア220は、キャリア220で基板及び/又はマスクを保持するための静電力を付与する静電チャック(Eチャック)であってよい。例えば、キャリア220は、基板及びマスクのうちの少なくとも1つに作用する引力を付与するように構成された電極構成部を含む。電極構成部は、本体225に埋め込まれてもよく、又は、本体225上に配設(例えば、配置)されてもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本体225は誘電プレートなどの誘電体である。誘電体は、誘電材料、好ましくは、熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ、又は等価材料などの高熱伝導性誘電体材料から製造されうるが、ポリイミドなどの材料からも作られうる。一部の実施形態では、電極構成部は、誘電体プレートに載置され、薄型誘電体層で覆われうる微細金属帯の格子などの複数の電極を含む。
[0032] The
[0033]電極構成部、及び特に複数の電極は、チャック力などの引力をもたらすように構成されうる。引力は、複数の電極(又は支持面)と基板及び/又はマスクとの間のある相対距離で、基板及び/又はマスクに作用する力でありうる。引力は、複数の電極構成部に印加される電圧によってもたらされる静電力でありうる。 [0033] The electrode component, and particularly the plurality of electrodes, can be configured to provide an attractive force, such as a chucking force. Attraction may be a force acting on the substrate and / or mask at some relative distance between the plurality of electrodes (or support surfaces) and the substrate and / or mask. The attractive force may be an electrostatic force caused by a voltage applied to the plurality of electrode components.
[0034]基板はキャリア220(Eチャックになりうる)によって、支持面に向かって(例えば、搬送方向に直交する方向に)もたらされる引力によって引き付けられうる。引力は、基板を例えば摩擦力によって垂直位置に保持できるほど十分強力になりうる。具体的には、引力は、基板が支持面上で原則的に不動に固定されるように構成されうる。例えば、摩擦力を利用して0.5mmガラス基板を垂直位置に保持するには、摩擦係数に応じて、約50〜100N/m2(Pa)の引き付け圧力が使用されうる。 [0034] The substrate may be attracted by the carrier 220 (which may be an E-chuck) by an attractive force exerted toward the support surface (eg, in a direction orthogonal to the transport direction). The attraction can be strong enough to hold the substrate in a vertical position, for example, by frictional forces. In particular, the attractive force can be configured such that the substrate is fixed essentially in a fixed manner on the support surface. For example, to hold a 0.5 mm glass substrate in a vertical position using frictional force, an attraction pressure of about 50-100 N / m 2 (Pa) may be used, depending on the coefficient of friction.
[0035]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、キャリア220は、基板及び/又はマスクを実質的に垂直な配向又は実質的に水平な配向に保持又は支持するように構成されている。具体的には、キャリアは垂直配向に搬送されるように構成されうる。本開示全体において使用する「ほぼ垂直」という表現は、特に基板の配向を指す場合、垂直方向又は配向から±20°以下(例えば、±10°以下)の偏差を許容することであると理解される。例えば、垂直配向から幾らかの偏差を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらす場合があるので、このような偏差が設けることができる。さらに、基板が前方に傾いた場合、基板表面に達する粒子がより少なくなる。ただし、例えば堆積処理中の基板配向は実質的に垂直であるとみなされ、これは、水平の基板配向とは異なるとみなされる。水平の基板配向は、水平±20°以下であるとみなされ得る。
[0035] According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the
[0036]「垂直方向」又は「垂直配向」という表現は、「水平方向」又は「水平配向」と区別されると理解される。つまり、「垂直方向」又は「垂直配向」は、例えば、キャリア及び基板の、実質的に垂直な配向に関連するが、厳密な垂直方向又は垂直配向からの数度(例えば、最大10°、又はさらに最大15°)の偏差は、依然として「実質的に垂直な方向」又は「実質的に垂直な配向」と見なされる。垂直方向は、重力に対してほぼ平行でありうる。 [0036] The expression "vertical" or "vertical orientation" is understood to be distinguished from "horizontal" or "horizontal orientation". That is, “vertical” or “vertical orientation” refers to, for example, a substantially vertical orientation of the carrier and substrate, but a few degrees from strict vertical or vertical orientation (eg, up to 10 °, or Deviations of up to 15 °) are still considered “substantially vertical directions” or “substantially vertical orientations”. The vertical direction may be substantially parallel to gravity.
[0037]本書に記載の実施形態は、例えば、OLEDディスプレイ製造のための大面積基板上の蒸着に利用されうる。特に、本書に記載の実施形態による構造及び方法が提供の対象である基板は、大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約0.67m2の表面積(0.73×0.92m)に対応するGEN4.5、約1.4m2の表面積(1.1m×1.3m)に対応するGEN5、約4.29m2の表面積(1.95m×2.2m)に対応するGEN7.5、約5.7m2の表面積(2.2m×2.5m)に対応するGEN8.5、又は更に、約8.7m2の表面積(2.85m×3.05m)に対応するGEN10でありうる。GEN11及びGEN12などの更なる次世代、及びそれに相当する表面積も、同様に実装されうる。OLEDディスプレイの製造においては、ハーフサイズのGEN世代も提供されうる。 [0037] Embodiments described herein may be utilized for deposition on large area substrates, for example, for OLED display fabrication. In particular, the substrates for which the structures and methods according to the embodiments described herein are provided are large area substrates. For example, large area substrates or carriers, corresponding to GEN4.5 corresponds to about 0.67 m 2 surface area (0.73 × 0.92 m), about 1.4 m 2 surface area (1.1 m × 1.3 m) to GEN5, about 4.29M 2 of surface area (1.95 m × 2.2 m) corresponding to GEN7.5, about 5.7 m 2 of surface area corresponding to the (2.2m × 2.5m) GEN8.5, or Further, it may be GEN10 corresponding to a surface area of about 8.7 m 2 (2.85 m × 3.05 m). Further generations, such as GEN11 and GEN12, and corresponding surface areas may be implemented as well. In the manufacture of OLED displays, a half-size GEN generation may also be provided.
[0038]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、基板の厚さは0.1〜1.8mmであってよい。基板の厚さは、約0.9mm以下、例えば0.5mmであってよい。本書で使用する「基板」という語は、例えば、ウエハ、サファイア等の透明な結晶片、又はガラスプレート等の実質的に非フレキシブルな基板を特に包含しうる。しかしながら、本開示はこれらに限定されず、「基板」という用語は、例えばウェブ又はホイル等のフレキシブル基板も含みうる。「実質的に非フレキシブル(substantially inflexible)」という語は、「フレキシブル(flexible)」とは区別して理解される。具体的には、0.9mm以下(例えば0.5mm以下)の厚さを有するガラスプレートなどの実質的に非フレキシブルな基板もある程度の柔軟性を有しうるが、実質的に非フレキシブルな基板の柔軟性はフレキシブル基板と比較して低い。 [0038] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the thickness of the substrate may be 0.1-1.8 mm. The thickness of the substrate may be up to about 0.9 mm, for example 0.5 mm. As used herein, the term "substrate" may specifically include, for example, wafers, transparent crystal pieces such as sapphire, or substantially non-flexible substrates such as glass plates. However, the disclosure is not limited to these and the term "substrate" may also include a flexible substrate such as a web or foil. The term "substantially inflexible" is to be understood separately from "flexible". Specifically, a substantially non-flexible substrate such as a glass plate having a thickness of 0.9 mm or less (eg, 0.5 mm or less) can also have some flexibility, but a substantially non-flexible substrate Is less flexible than a flexible substrate.
[0039]本書に記載の実施形態によれば、基板は、材料を堆積させるのに適した任意の材料から作られてもよい。例えば、基板は、ガラス(例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、又は、堆積処理によってコーティングされうる他の任意の材料、若しくはかかる材料の組合せからなる群から選択された材料で作られうる。 [0039] According to embodiments described herein, the substrate may be made from any material suitable for depositing a material. For example, the substrate can be glass (eg, soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite, carbon fiber material, or any other material that can be coated by a deposition process, or a combination of such materials. Made of a material selected from the group consisting of:
[0040]図3Aに、本書に記載の実施形態に係る、堆積システムにおいてキャリア320を非接触搬送するための装置の概略図を示す。図3Aの装置及びキャリア320は図2に示す装置及びキャリアと同様のものであり、同様のあるいは同一の要素に関する記載は繰り返さない。
[0040] FIG. 3A shows a schematic diagram of an apparatus for contactlessly transporting a
[0041]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、キャリア320は、キャリア320の存在を検出する一または複数のセンサ230によって検出可能な被検出可能装置340を含む。ある実行形態では、被検出可能装置340は、例えば被検出可能装置340が例えばそれぞれのセンサ(複数可)の上に位置しているときに、一または複数のセンサ230に面するように配置される。ある実施形態によれば、一または複数のセンサ230は、被検出可能装置340によって提供される第1のセンサトレイルに面し、例えば一または複数の能動磁石ユニット112等のアクチュエータは磁石構造222、具体的には、一または複数の第1の磁石ユニットによって提供されるアクチュエータトレイルに面している。被検出可能装置340は、第1の側面、及び第1の側面とは反対側の第2の側面を有しうる。例えば、第1の側面は被検出可能装置340の下方側面であってよく、第2の側面は上方側面であってよい。一または複数のセンサ230は、第1の側面に面していてよい。一または複数の能動磁石ユニット112は、第2の側面に面していてよい。
[0041] According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the
[0042]被検出可能装置340と磁石構造222とは一体的に形成されうる、又は別々の要素として配設されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、被検出可能装置340と磁石構造222、及び具体的には一または複数の第1の磁石ユニットは、例えば原則的に水平な平面などの、搬送方向1に平行な平面において互いに隣接するように配置されうる。例えば、被検出可能装置340は、一または複数の第1の磁石ユニットを有するキャリア320の磁石構造222に取り付けられうる。
[0042] The
[0043]被検出可能装置340は、キャリア320の端部に配置され、搬送方向1に沿って延びていてよい。被検出可能装置340は、ガイド構造210の複数のガイドユニット111の少なくとも1つのガイドユニットに対する、キャリア320の位置、又はキャリア320の端部の位置を決定するために、堆積システムの搬送構成部の一または複数のセンサ230によって検出可能でありうる。これに関して、被検出可能装置340は「センサトレイル」とも称されうる。
[0043] The
[0044]キャリア320は、例えば第1の端部と、第1の端部の反対側の第2の端部等の一または複数の端部を有する。基板は、第1の端部と第2の端部との間に位置しうる。第1の端部は、上部(又は上方)端部であってよく、第2の端部は底部(又は下方)端部であってよい。第1の端部と第2の端部は、原則的に平行に、例えば原則的に水平方向に延びていてよい。被検出可能装置340は、第1の端部及び/又は第2の端部に配設されうる。図3Aの例に、キャリア320の上部又は上方端部である第1の端部における被検出可能装置340と磁石構造222を例示的に示す。被検出可能装置340と磁石構造222、具体的には、一または複数の第1の磁石ユニットは、搬送構成部のガイド構造210に面していてよい。一または複数の第2の磁石ユニットは、キャリア320の底部又は下方端部であってよい第2の端部に位置していてよい。一または複数の第2の磁石ユニットは、搬送構成部の駆動構造に面していてよい。
[0044] The
[0045]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、被検出可能装置340は例えば、搬送方向1においてキャリア320の全長Lに渡って延びる要素である。キャリア320の長さLは、搬送方向1に沿って、例えばキャリア320の第1の端部201と第2の端部202との間で搬送方向1に沿って画定されうる。
[0045] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the
[0046]ある実行形態では、被検出可能装置340は、搬送方向1に沿って変化し,一または複数のセンサ230によって検出可能な幾何学的外形を含む、あるいは搬送方向1に沿って変化し、一または複数のセンサ230によって検出可能な幾何学的外形である。一または複数のセンサ230は、それぞれのセンサと幾何学的外形との間、特にそれぞれのセンサと、センサに面する幾何学的外形の面との間の距離を検出するように構成された距離センサであってよい。距離は、例えば垂直方向3又は水平方向2等の搬送方向1に対して直角の方向に測定されうる。ある実行形態では、各ガイドユニット111は、幾何学的外形を検出するそれぞれのセンサを含む。
[0046] In some implementations, the
[0047]幾何学的外形は、キャリア320の第1の端部201と第2の端部202との間で搬送方向1に沿って変化しうる。幾何学的外形は、第1の端部201と第2の端部202との間に延びているセンサトレイルを提供しうる。本開示全体で使用する「幾何学的外形」という語は、外形、又は搬送方向1に延び、搬送方向1及び搬送方向1に対して直角の少なくとも1つの方向(垂直方向3など)によって画定される平面に一定でない(又は変化する)断面形状を有する外形を有する要素を指す。幾何学的外形は、搬送方向1に見たときに、キャリア320の第1の端部201(例えば搬送方向1にキャリア320の最外境界を画定しうる前面又は前縁)と第2の端部202(例えば搬送方向1とは反対の方向にキャリア320の最外境界を画定しうる後面又は後縁)との間に画定されうる。つまり、様々な幾何学的外形はキャリア320の第1の端部201又は第2の端部202のエッジを指すのではなく、一または複数のセンサ230によって検出されうる第1の端部201と第2の端部202との間の更なる構造的バリエーションを指す。
[0047] The geometry may vary along the
[0048]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、幾何学的外形は一又は複数の形状要素を含む。ある実行形態では、一または複数の形状要素は、非連続性、傾斜部、円弧形状及びこれらの任意の組合せを含む群から選択されうる。例えば、幾何学的外形は、キャリア220の長さに沿って延び、例えば一または複数の傾斜部342等の一または複数の形状要素を有する要素であってよい。
[0048] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the geometric profile includes one or more shape elements. In some implementations, the one or more shape elements may be selected from the group including discontinuities, ramps, arc shapes, and any combination thereof. For example, the geometric profile may be an element that extends along the length of the
[0049]ある実施形態では、キャリア320の第1の端部201及び/又は第2の端部202に例えば傾斜部等の一または複数の形状要素が配置される。例えば、少なくとも1つの第1の形状要素が第1の端部201に配置されうる、及び/又は少なくとも1つの第2の形状要素が第2の端部202に配置されうる。少なくとも1つの第1の形状要素及び少なくとも1つの第2の形状要素は基本的に同じであってよい、あるいは異なっていてよい。図3Aの実施例では、少なくとも1つの第1の形状要素と少なくとも1つの第2の形状要素は両方とも、幾何学的外形を提供する要素内の傾斜部である。
[0049] In some embodiments, one or more shaped elements, such as, for example, ramps, are disposed at the
[0050]一または複数の形状要素は、キャリア320の端部がガイド構造210に対してどこに位置するかを決定しうるように、キャリア320の端部に配置されうる。ガイドユニット111の一または複数の能動磁石ユニット112は、搬送方向1におけるキャリア320の滑らかな搬送を提供するように制御されうる。詳細には、キャリアの一または複数のエッジに位置する、及び/又は一または複数のエッジが近づいているアクチュエータを制御することが可能である。例えば、一または複数のアクチュエータによって付与される磁力を継続的に増加させて、又は減少させて、隣接するアクチュエータ/磁石ユニットの間でキャリア320の端部の滑らかな遷移を得ることができる。例えば、キャリア320がアクチュエータを「離れた」ときに、キャリア320に基本的に何の力も加わらないように、アクチュエータの作動を低下させることができる。
[0050] One or more shape elements may be disposed at an end of the
[0051]ある実施形態によれば、一または複数の形状要素の個別の形状要素は、搬送方向1における幾何学的外形及び/又はキャリア320の長さに沿った長さの延長部を有しうる。個々の形状要素の長さの延長部は、幾何学的外形及び/又はキャリア320の長さの少なくとも1%、具体的には、長さの少なくとも4%、具体的には、長さの少なくとも8%に対応しうる。
[0051] According to an embodiment, the individual shape elements of the one or more shape elements have a geometrical profile in the
[0052]図3Aに、傾斜部342を一または複数の形状要素として例示的に示す。しかしながら、本開示はこれに限定されず、切り抜き部又は継続的に変化する形状等の他の形状要素が提供可能である。ある実行形態では、傾斜部342は、搬送方向1に対して傾斜した、キャリア320の面であってよい。例えば、傾斜部342は水平面に対して傾斜していてよい。ある実施形態では、傾斜部342は、キャリア320の第1の端部201及び/又は第2の端部202に配置される。例えば、キャリア320の第1の端部201に少なくとも1つの第1の傾斜部が配置されうる、及び/又は第2の端部202に少なくとも1つの第2の傾斜部が配置されうる。少なくとも1つの第1の傾斜部と少なくとも1つの第2の傾斜部は、反対方向に傾斜していてよい。具体的には、少なくとも1つの第1の傾斜部と少なくとも1つの第2の傾斜部は、鏡面対称であってよい。
[0052] FIG. 3A exemplarily shows the
[0053]センサ230は、傾斜部342に面するように配置されうる。具体的には、センサ230は、キャリア320が搬送方向1に移動したときに、傾斜部342を検出するように構成されうる。センサと傾斜部との間で検出された距離は、搬送方向1及び/又は傾斜方向に応じて増加する、又は減少する。ガイドユニット111の一または複数の能動磁石ユニットは、搬送方向にキャリア320の滑らかな搬送を提供するように制御されうる。具体的には、一または複数の傾斜部に位置するアクチュエータが制御されうる。例えば、一または複数のアクチュエータによって付与される磁力は、隣接するアクチュエータ/磁石ユニット間のキャリアの端部の滑らかな遷移を提供するために、傾斜部によってもたらされる様々な距離に基づいて継続的に増加しうる、又は減少しうる。具体的には、図3Aにおいて、キャリアの左側の傾斜部により、キャリアが上向きに移動したのと同じ検出信号がセンサにおいて得られうる。コントローラは、キャリアがアクチュエータを「離れる」ときに左側のアクチュエータがキャリアに浮上力を付与しないように、例えばアクチュエータの電流を減少させることによって、アクチュエータの力を弱めうる。
[0053] The
[0054]図3Bに、本書に記載の実施形態に係る、堆積システムにおいてキャリア320´を非接触搬送するための装置の概略図を示す。図3Bの装置及びキャリア320´は図3Aに示す装置及びキャリアに類似しており、類似の又は同一の態様についての説明は繰り返さない。 [0054] FIG. 3B shows a schematic diagram of an apparatus for contactlessly transporting a carrier 320 'in a deposition system, according to an embodiment described herein. The device and carrier 320 'of FIG. 3B is similar to the device and carrier shown in FIG. 3A, and description of similar or identical aspects will not be repeated.
[0055]本開示の一態様によれば、堆積システムにおいてキャリア320´を非接触搬送するための装置は、キャリア320´の存在を検出するように構成された一または複数のセンサ330を含む。一または複数のセンサ330の各センサは、キャリア320´の搬送方向1にセンサ延長部dを有し、センサ延長部dは、キャリア延長部、すなわち搬送方向1におけるキャリアの長さLの少なくとも1%、具体的には少なくとも2%、具体的には少なくとも4%、具体的には少なくとも8%、及び更に具体的には少なくとも10%であってよい。センサ延長部dは、キャリア320´の長さLの10%以上、具体的には15%以上、具体的には20%以上、及び更に具体的には25%以上であってもよい。
[0055] According to one aspect of the present disclosure, an apparatus for contactlessly transporting a carrier 320 'in a deposition system includes one or
[0056]一または複数のセンサ330は、搬送方向1に細長くなっている。キャリア320´(又はそれ自体のセンサトレイル)がセンサ330から離れると、センサ330の信号又は信号値は、キャリア320´があたかも上向きに(ゆっくり)移動しているかのように徐々に変化する。能動磁石ユニット112によって付与される力は、キャリア320´の滑らかな搬送が達成されうるように、信号の変化に従ってゼロまで(徐々に)減少しうる。徐々の(一定の比率の)信号の変化は、細長いセンサによって達成されうる。逆に、例えば図2に示すような短いセンサは、センサがキャリアのエッジに到達したときに突然の信号の変化を呈する。本実施形態は、キャリアの突然の加速又は減速につながりうるパルス状の力の発生を低減させる、あるいは回避さえすることができる。
[0056] The one or
[0057]図4A及び図4Bに、本書に記載の実施形態に係るキャリア410を非接触搬送するための装置400の概略図を示す。装置及びキャリア410は、本書に記載の実施形態にしたがって構成されうる。
[0057] FIGS. 4A and 4B show schematic diagrams of an
[0058]装置400は、複数の能動磁石ユニット475と、キャリア410の存在を検出する一または複数のセンサ(図示せず)と、本開示に係るキャリア410とを含むガイド構造470を有する搬送構成部を含む。一または複数のセンサは、一または複数のセンサとキャリア410の被検出可能装置との間の距離を検出するように構成されうる。装置400はさらに、一または複数のセンサによって提供される検出データに基づいて、複数の能動磁石ユニット475のうちの少なくとも1つの能動磁石ユニットを選択的に制御するように構成されたコントローラを含みうる。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、搬送構成部は真空システムの真空チャンバ内に配置されうる。真空チャンバは真空堆積チャンバであってもよい。しかしながら、本開示は真空システムに限定されず、本書に記載のキャリア及び搬送構成部を大気環境において実行することが可能である。
[0058] The
[0059]キャリア410は、キャリア410を浮上させる磁気浮上力を付与するために真空システムのガイド構造470と磁気的に相互作用するように構成された一または複数の第1の磁石ユニットを有する磁石構造を含みうる。一または複数の第1の磁石ユニットは、第1の受動磁石ユニット450であってよい。ガイド構造470は、水平方向であってよいキャリア410の搬送方向1に延びていてよい。ガイド構造470は、複数の能動磁石ユニット475を含みうる。キャリア410は、ガイド構造470に沿って移動可能でありうる。第1の受動磁石ユニット450、例えば、強磁性材料のバー、及びガイド構造470の複数の能動磁石ユニット475は、キャリア410を浮上させる第1の磁気浮上力を付与するように構成されうる。本書に記載の浮上のためのデバイスは、例えば、キャリア410を浮上させる非接触力をもたらすデバイスである。
[0059] The
[0060]ある実施形態によれば、搬送構成部は更に駆動構造480を含みうる。駆動構造480は、更なる能動磁石ユニットのような、複数の更なる磁石ユニットを含みうる。キャリア410は、駆動構造480と磁気的に相互作用するように構成された一または複数の第2の磁石ユニットを含みうる。具体的には、一または複数の第2の磁石ユニットは、駆動構造480の別の能動磁石ユニット485と相互作用する、例えば、強磁性材料のバー等の第2の受動磁石ユニット460であってよい。
[0060] According to some embodiments, the transport component may further include a
[0061]図4Bに、搬送構成部の別の側面を示す。図4Bは、複数の能動磁石ユニット475の能動磁石ユニットを示す図である。能動磁石ユニットは、キャリア410の第1の受動磁石ユニット450と相互作用する磁力を付与する。例えば、第1の受動磁石ユニット450は、強磁性材料のロッドでありうる。ロッドは、支持構造412に接続されたキャリア410の一部でありうる。支持構造412は、キャリア410の本体によって設けられうる。ロッド又は第1の受動磁石ユニットは、それぞれ、基板10を支持する支持構造412と一体的に形成されてもよい。被検出可能装置は第1の受動磁石ユニット450に取り付けられうる、あるいは第1の受動磁石ユニット450によって提供されうる。キャリア410は、例えば、更なるロッドなどの第2の受動磁石ユニット460を更に含みうる。更なるロッドは、キャリア410に接続されうる。ロッド又は第2の受動磁石ユニットは、それぞれ、支持構造412と一体的に形成されてもよい。
[0061] FIG. 4B illustrates another aspect of the transport component. FIG. 4B is a diagram illustrating an active magnet unit of a plurality of
[0062]「受動(passive)」磁石ユニットという用語は、本書では、「能動(active)」磁石ユニットという概念と区別するために使用される。受動磁石ユニットとは、少なくとも搬送構成部の作動中には、能動制御又は調節の対象とはならない磁気的特性を有する要素のことを指す場合がある。例えば、受動磁石ユニット(例えば、キャリアのロッド又は更なるロッド)の磁気的特性は、概して真空チャンバ又は真空システムを通過するキャリアの運動中は能動制御の対象ではない。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、搬送構成部のコントローラは受動磁石ユニットを制御するように構成されていない。受動磁石ユニットは、磁場(例えば、静磁場)を生成するように適合されうる。受動磁石ユニットは、調節可能な磁場を生成するように構成されない場合がある。受動磁石ユニットは、強磁性材料などの磁性材料、永久磁石であってもよく、又は永久磁石特性を有してもよい。 [0062] The term "passive" magnet unit is used herein to distinguish it from the concept of "active" magnet unit. Passive magnet units may refer to elements having magnetic properties that are not subject to active control or adjustment, at least during operation of the transport component. For example, the magnetic properties of a passive magnet unit (eg, a rod of a carrier or a further rod) are generally not subject to active control during movement of the carrier through a vacuum chamber or system. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the controller of the transport component is not configured to control the passive magnet unit. The passive magnet unit can be adapted to generate a magnetic field (eg, a static magnetic field). The passive magnet unit may not be configured to generate an adjustable magnetic field. The passive magnet unit may be a magnetic material, such as a ferromagnetic material, a permanent magnet, or may have permanent magnet properties.
[0063]本書に記載の実施形態によれば、複数の能動磁石ユニット475は、第1の受動磁石ユニット450に、及びその結果としてキャリア410に磁力を付与する。複数の能動磁石ユニット475は、キャリア410を浮上させる。更なる能動磁石ユニット485は、例えば、搬送方向1に沿って、真空チャンバの内部でキャリア410を駆動させることができる。複数の更なる能動磁石ユニット485は、キャリア410の上に位置する複数の能動磁石ユニット475によって浮上している間、搬送方向1にキャリア410を移動させるための駆動構造を形成する。更なる能動磁石ユニット485は、第2の受動磁石ユニット460と相互作用して、搬送方向1に沿って力を付与することができる。例えば、第2の受動磁石ユニット460は、交互に変わる極性で配置された複数の永久磁石を含みうる。第2の受動磁石ユニット460から得られる磁場は、複数の更なる能動磁石ユニット485と相互作用し、浮上中のキャリア410を移動させることができる。
[0063] According to the embodiments described herein, the plurality of
[0064]複数の能動磁石ユニット475でキャリア410を浮上させるため、及び/又は、複数の更なる能動磁石ユニット485でキャリア410を移動させるため、能動磁石ユニットを制御して調節可能な磁場を生じさせることができる。調整可能な磁場は、静磁場又は動磁場でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、能動磁石ユニットは、垂直方向3に沿って延在する磁気浮上力を付与するための磁場を生成するように構成される。本書に記載の更なる実施形態と組み合わせることができる他の実施形態によれば、能動磁石ユニットは、横方向に沿って延在する磁力を付与するように構成されうる。本書に記載の能動磁石ユニットは、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超伝導磁石、又はこれらの任意の組み合わせからなる群から選択された要素であってもよく、又はその要素を含んでいてよい。
[0064] To levitate
[0065]本書に記載の実施形態は、キャリア、基板、及び/又はマスクの非接触浮上、搬送、及び/又はアライメントに関する。本開示はキャリアを参照し、キャリアは、基板を支持するキャリア、基板のないキャリア、基板、又は支持体によって支持される基板からなる群のうちの一または複数の要素を含みうる。本開示全体で使用する「非接触」という語は、例えばキャリア及び基板の重量は機械的接触又は機械的力によって保持されないが、磁力によって保持されるという意味であると理解すべきである。特に、機械的な力の代わりに磁力を用いて、キャリアが浮上した状態又は浮動した状態で保持される。一実施例として、本書に記載された搬送構成部は、キャリアの重量を支持する機械的レールなどの機械的デバイスを有しない場合がある。幾つかの実行形態では、浮上中に、また、例えば真空システム内のキャリアの運動中に、キャリアと装置のそれ以外の部分との間の機械的接触は全くなくてよい。 [0065] Embodiments described herein relate to non-contact levitation, transport, and / or alignment of carriers, substrates, and / or masks. The present disclosure refers to a carrier, which may include one or more members of the group consisting of a carrier supporting a substrate, a carrier without a substrate, a substrate, or a substrate supported by a support. The term "non-contact" as used throughout this disclosure should be understood to mean, for example, that the weight of the carrier and the substrate is not retained by mechanical contact or mechanical force, but is retained by magnetic force. In particular, the carrier is held in a floating state or a floating state by using magnetic force instead of mechanical force. As an example, the transport components described herein may not have mechanical devices such as mechanical rails that support the weight of the carrier. In some implementations, there may be no mechanical contact between the carrier and the rest of the device during ascent and during movement of the carrier, for example, in a vacuum system.
[0066]本開示の実施形態によれば、浮上している、あるいは浮上は物体の状態を指すものであり、物体は機械的接触又は支持体なしで浮動する。更に、物体の移動は、駆動力、例えば浮上力とは異なる方向の力を付与することを指すものであり、物体は1つの位置から別の異なる位置へ移動する。例えば、キャリア等の物体は、すなわち重力に反作用する力によって浮上することができ、浮上している間は重力に平行な方向とは異なる方向に移動しうる。 [0066] According to embodiments of the present disclosure, levitating, or levitating, refers to the state of an object, which floats without mechanical contact or support. Further, movement of an object refers to applying a driving force, for example, a force in a direction different from a levitation force, and the object moves from one position to another different position. For example, an object such as a carrier can levitate, i.e., by a force that reacts with gravity, and can move in a direction different from a direction parallel to gravity while floating.
[0067]本書に記載の実施形態に係るキャリアの非接触浮上及び搬送は、キャリアの搬送又はアライメントの間、キャリアと、機械的レールなどの搬送構成部のセクションとの間の機械的接触により粒子が生成されることはないという点において有益である。したがって、詳細には非接触型の浮上、搬送、及び/又はアライメントを使用すると粒子発生が最小限に抑えられることから、本書に記載の実施形態は、基板に堆積される層の純度及び均一性の向上をもたらす。 [0067] Non-contact levitation and transport of a carrier according to embodiments described herein is achieved by mechanical contact between the carrier and a section of the transport component, such as a mechanical rail, during transport or alignment of the carrier. Is not generated. Accordingly, embodiments described herein provide improved purity and uniformity of the layers deposited on the substrate, particularly when non-contact levitation, transport, and / or alignment is used to minimize particle generation. To improve.
[0068]図5に、本書に記載の実施形態に係る基板処理のためのシステム500を示す。真空システムであってよいシステム500は、基板10の上に例えば有機材料層等の一または複数の層を堆積させるように構成されうる。
[0068] FIG. 5 illustrates a
[0069]システム500は、真空チャンバ502等の堆積チャンバ、本書に記載の実施形態に係るキャリア520、及び堆積チャンバ内でキャリア520を搬送するように構成された搬送構成部510を含む。幾つかの実行形態では、システム500は堆積チャンバ内に一又は複数の材料堆積源580を含む。キャリア520は、真空堆積処理等の堆積処理中に基板10を保持するように構成されうる。システム500は、例えばOLEDデバイス製造用の有機材料の蒸着のために構成され得る。別の実施例では、システム500は、スパッタ堆積などのCVD又はPVD用に構成されうる。
[0069] The
[0070]幾つかの実行形態では、一又は複数の材料堆積源580は蒸着源であってよく、特に、OLEDデバイスの層を形成するために一又は複数の有機材料を基板上に堆積させるための蒸着源であり得る。例えば層堆積処理中に基板10を支持するためのキャリア520は、堆積チャンバの中へ、また、堆積チャンバを経由して、具体的には直線搬送路などの搬送路に沿って堆積エリアを経由して搬送されうる。
[0070] In some implementations, the one or more
[0071]材料は、一又は複数の材料堆積源580から、コーティングされる基板10が位置する堆積エリアに向かう放出方向に放出される。例えば、一又は複数の材料堆積源580は、一又は複数の材料堆積源580の長さに沿って少なくとも1つの線に配置された複数の開口部及び/又はノズルを有する線源を提供しうる。材料は、複数の開口部及び/又はノズルを介して吐出されうる。
[0071] Material is emitted from one or more
[0072]図5に示すように、更なるチャンバを真空チャンバ502の隣に設けてもよい。真空チャンバ502は、バルブハウジング504及びバルブユニット506を有するバルブによって隣接するチャンバから分離され得る。矢印で示すように、基板10が載ったキャリア520が真空チャンバ502の中に挿入された後、バルブユニット506が閉じられうる。真空チャンバ502内の雰囲気は、例えば真空チャンバ502に接続された真空ポンプによって工業的真空を生成することによって、個別に制御されうる。
[0072] As shown in FIG. 5, an additional chamber may be provided next to the
[0073]幾つかの実施形態によれば、キャリア520、基板10及びオプションとしてマスク20は、堆積材料の堆積中は静的又は動的である。本書に記載の幾つかの実施形態によると、例えば、OLEDデバイスの製造のために動的堆積処理が提供されうる。
[0073] According to some embodiments, the
[0074]幾つかの実行形態では、システム500は、真空チャンバ502を通って延びる一又は複数の搬送路を含み得る。キャリア520は、例えば、一又は複数の材料堆積源580を通過して一又は複数の搬送路に沿って搬送するように構成されうる。図5には、矢印によって1つの搬送路が例示的に示されているが、本開示はこれに限定されるものではなく、2つ以上の搬送路が提供されうることを理解されたい。例えば、それぞれのキャリアの搬送のために、少なくとも2つの搬送路を互いに対して実質的に平行に配置することができる。一又は複数の材料堆積源580は、2つの搬送路の間に配置されうる。
[0074] In some implementations,
[0075]図6に、本書に記載の更なる実施形態に係る、基板10の処理、例えば真空処理のためのシステム600の概略図を示す。
[0075] FIG. 6 shows a schematic diagram of a
[0076]システム600は、2つ以上の処理領域と、基板10とオプションによりマスクを支持するキャリア601を2つ以上の処理領域まで順次搬送するように構成された本開示に係る搬送構成部660とを含む。例えば、搬送構成部660は、基板処理のための2つ以上の処理領域を通って、搬送方向1に沿ってキャリア601を搬送するように構成されうる。言い換えるならば、複数の処理領域を通る基板10の搬送に同一のキャリアが使用されるということである。具体的には、基板10は、処理領域内での基板処理と後続の処理領域での基板処理との間は、キャリア601から取り外されない。すなわち、2つ以上の基板処理手順において、基板は同一キャリア上に留まる。幾つかの実施形態によれば、キャリア601は本書に記載の実施形態によって構成されうる。オプションにより、又は代替的に、搬送構成部660は、例えば、図4A及び図4Bに関連して説明したように構成されうる。
[0076] The
[0077]図6に例示的に示すように、2つ以上の処理領域は、第1の堆積領域608と第2の堆積領域612を含むことができる。オプションにより、第1の堆積領域608と第2の堆積領域612との間に移送(transfer)領域610を設けることができる。2つ以上の処理領域と移送領域などの複数の領域を、1つの真空チャンバ内に設けることができる。代替的に、複数の領域は、互いに接続された異なる真空チャンバ内に設けることができる。例えば、各真空チャンバは1つの領域を提供することができる。具体的に、第1の真空チャンバは第1の堆積領域608を提供することができ、第2の真空チャンバは移送領域610を提供することができ、第3の真空チャンバは第2の堆積領域612を提供することができる。幾つかの実行形態では、第1の真空チャンバと第3の真空チャンバは「堆積チャンバ」と称されうる。第2の真空チャンバは「処理 チャンバ」と称されうる。更に、真空チャンバ又は領域は、図6の実施例に示す領域に隣接して提供されうる。
[0077] As exemplarily shown in FIG. 6, the two or more processing regions may include a
[0078]真空チャンバ又は領域は、バルブハウジング604及びバルブユニット605を有するバルブによって、隣接する領域から分離されうる。基板10が載ったキャリア601が領域(第2の堆積領域612など)の中に挿入された後、バルブユニット605を閉じることができる。領域内の雰囲気は、例えば、当該領域に接続された真空ポンプで工業的真空を生成することによって、及び/又は、例えば、第1の堆積領域608及び/又は第2の堆積領域612に一又は複数の処理ガスを注入することによって、個別に制御可能である。直線搬送路などの搬送路は、基板10が載ったキャリア601を領域の中へ、領域を通過して外へ搬送するように提供されうる。搬送路は、2つ以上の処理領域(第1の堆積領域608、第2の堆積領域612など)を少なくとも部分的に通って延在し、オプションにより移送領域610を通って延在しうる。
[0078] A vacuum chamber or region may be separated from an adjacent region by a valve having a
[0079]システム600は移送領域610を含みうる。幾つかの実施形態では、移送領域610は省略されうる。移送領域610は、回転モジュール、中継(transit)モジュール、又はこれらの組み合わせによって提供されうる。図6は、回転モジュールと中継モジュールの組み合わせを示す。回転モジュールでは、トラック構成部とその上に配置されたキャリア(複数可)は、垂直回転軸などの回転軸の周りで回転可能である。例えば、キャリア(複数可)は、システム600の左側からシステム600の右側へと、又はその逆に移送されうる。中継モジュールは、キャリア(複数可)が中継モジュールを経由して異なる方向へ、例えば互いに直交する方向へ移送されるように、交差トラックを含みうる。
[0079] The
[0080]第1の堆積領域608及び第2の堆積領域612などの堆積領域内では、一又は複数の堆積源が配設されうる。例えば、第1の堆積源630は第1の堆積領域608内に配設されうる。第2の堆積源650は第2の堆積領域612内に配設されうる。一又は複数の堆積源は、OLEDデバイス用の有機層スタックを形成するため、基板10の上に一又は複数の有機層を堆積させるように構成された蒸着源であってよい。
[0080] Within a deposition area, such as the
[0081]図7に、本書に記載の実施形態に係る、例えば真空システム等の堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための方法700のフロー図を示す。方法700は、本開示に係るキャリア、装置及びシステムを利用し得る。
[0081] FIG. 7 shows a flow diagram of a
[0082]方法700は、ブロック710において、キャリアの被検出可能装置の第1の側面を検出することと、ブロック720において、第1の側面の反対側の、被検出可能装置の第2の側面に配置された少なくとも1つの能動磁石ユニットを制御することとを含む。ある実行形態では、方法700は、例えば検出された信号が例えば距離の変化を示すときに、堆積システムにおけるキャリアの端部の位置を決定することができる。ある実施形態によれば、2つ以上のセンサは、それぞれの能動磁石ユニットが制御されることに基づいて、グループを形成していてよい。例えば、能動磁石ユニットのセンサによって送られた信号と、センサの一または複数の隣接するセンサによって送られた一または複数の信号が互いに異なる場合に、能動磁石ユニットが制御されうる。
[0082] The
[0083]一実施形態では、検出信号にしたがって、少なくとも1つの能動磁石ユニットを通して流れる電流が変更されうる。例えば、キャリアが「離れる」能動磁石ユニットの電流は徐々に、又は継続的に減少してゼロになりうる。更に、キャリアが「近づく」又は「入る」能動磁石ユニットの電流は、徐々に又は継続的にゼロから設定値まで増加しうる。 [0083] In one embodiment, the current flowing through the at least one active magnet unit may be changed according to the detection signal. For example, the current in the active magnet unit that the carriers "separate" can decrease gradually or continuously to zero. Further, the current of the active magnet unit to which the carrier "approaches" or "enters" may increase gradually or continuously from zero to a set value.
[0084]本書に記載の実施形態によれば、堆積システムにおいてキャリアを非接触搬送するための方法は、コンピュータプログラム、ソフトウェア、コンピュータソフトウェア製品、及び相互関連コントローラを使用して実施することができる。相互関連コントローラは、キャリア、装置及び/又はシステムの対応構成要素と通信可能なCPU、メモリ、ユーザインターフェース、及び入出力デバイスを有し得る。 [0084] According to embodiments described herein, a method for contactlessly transporting a carrier in a deposition system may be implemented using a computer program, software, a computer software product, and an interrelated controller. An interaction controller may have a CPU, memory, user interface, and input / output devices that can communicate with carriers, corresponding components of the apparatus and / or system.
[0085]本開示の実施形態によれば、一または複数の能動磁石ユニットと一または複数のセンサは、ガイド空間の対向する側面に配置される。具体的には、一または複数の能動磁石ユニットと一または複数のセンサは、キャリアの磁石構造の対向する側面に配置される。磁気ガイドが実施される空間を効率的に使用することが可能になる。更に、磁気ガイドと一または複数のセンサとの間の干渉を回避することができ、搬送方向におけるキャリアの滑らかな搬送が達成されうる。キャリアの不安定な搬送及び/又は粒子の生成に起因する基板の破損が削減されうる、又は回避さえもされうる。 [0085] According to an embodiment of the present disclosure, one or more active magnet units and one or more sensors are located on opposite sides of the guide space. Specifically, one or more active magnet units and one or more sensors are located on opposite sides of the magnet structure of the carrier. The space where the magnetic guide is implemented can be used efficiently. Further, interference between the magnetic guide and one or more sensors can be avoided, and smooth transport of the carrier in the transport direction can be achieved. Substrate damage due to unstable carrier transport and / or particle generation may be reduced or even avoided.
[0086]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。 [0086] Although the above description is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope of the present disclosure. Is determined by the following claims.
Claims (15)
前記キャリアの磁石構造に面するように構成された一または複数の能動磁石ユニットを有するガイド構造と、
前記キャリアの存在を検出するように構成された一または複数のセンサであって、前記一または複数の能動磁石ユニットと前記一または複数のセンサは、前記一または複数の能動磁石ユニットと前記一または複数のセンサとの間に前記磁石構造のためのガイド空間を画定するように配置されている、一または複数のセンサと
を備える装置。 An apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system,
A guide structure having one or more active magnet units configured to face the magnet structure of the carrier;
One or more sensors configured to detect the presence of the carrier, wherein the one or more active magnet units and the one or more sensors are the one or more active magnet units and the one or more. An apparatus comprising one or more sensors arranged to define a guide space for said magnet structure between said plurality of sensors.
前記キャリアの存在を検出するように構成された一または複数のセンサであって、前記一または複数のセンサの各センサは前記キャリアの搬送方向にセンサ延長部を有し、前記センサ延長部は前記搬送方向におけるキャリア延長部の1%以上である、一または複数のセンサ
を備える装置。 An apparatus for contactlessly transporting a carrier in a deposition system,
One or more sensors configured to detect the presence of the carrier, wherein each of the one or more sensors has a sensor extension in the carrier transport direction, and wherein the sensor extension is An apparatus comprising one or more sensors that is 1% or more of the carrier extension in the transport direction.
請求項1から8のいずれか一項に記載の装置と、
前記キャリアと
を備えるシステム。 A system for non-contact transport of a carrier,
An apparatus according to any one of claims 1 to 8, and
A system comprising the carrier.
前記キャリアの被検出可能装置の第1の側面を検出することと、
前記被検出可能装置の前記第1の側面とは反対の第2の側面に配置された少なくとも1つの能動磁石ユニットを制御することと
を含む方法。 A method for contactlessly transporting a carrier in a deposition system, comprising:
Detecting a first side of the detectable device of the carrier;
Controlling at least one active magnet unit located on a second side of said detectable device opposite said first side.
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JPH0678413A (en) * | 1992-07-06 | 1994-03-18 | Fujitsu Ltd | Magnetic levitation carriage equipment |
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CN102460686B (en) * | 2009-06-30 | 2016-01-06 | 日本电气株式会社 | Semiconductor device, for the installation base plate of semiconductor device and the method for making and installation substrate |
KR101370759B1 (en) * | 2010-11-26 | 2014-04-04 | 주식회사 나인 | Comvined section wall for shelter |
KR101386685B1 (en) * | 2012-04-20 | 2014-04-24 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing substrate |
KR20130128117A (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-26 | 한국전기연구원 | Non-contact magnetic levitation stage for substrate transfer |
KR101959974B1 (en) * | 2012-07-10 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
CN202988271U (en) * | 2012-12-17 | 2013-06-12 | 东旭集团有限公司 | In-site steering conveyer for glass substrates |
DE102013011873B4 (en) * | 2013-07-17 | 2015-10-08 | Mecatronix Ag | Positioning device and method for moving a substrate |
KR20150052996A (en) * | 2013-11-07 | 2015-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Substrate transferring apparatus and thin film deposition apparatus having the same |
KR102211969B1 (en) * | 2014-01-03 | 2021-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | Depostion device |
DE102014003882B4 (en) * | 2014-03-19 | 2017-07-13 | Applied Materials, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) | Transport device for moving and / or positioning objects |
DE102014225171A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Securing system for an arrangement for moving transport bodies |
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