JP2020205317A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板に処理を施した際の偏りを抑制する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】ガスを排気する排気口を有するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、ガスの流れ方向にみて前記載置台と前記排気口との間に配置される排気調整機構と、を備え、前記排気調整機構は、複数の貫通孔を有する排気プレートと、前記貫通孔を開閉する駆動プレートと、前記駆動プレートを駆動する駆動機構と、を有する、基板処理装置。【選択図】図1
Description
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
チャンバ内に処理ガスを導入して基板にエッチング処理等の所望の処理を施す基板処理装置が知られている。
特許文献1には、チャンバ内にガスを導入し、チャンバの底部に設けられた排気口から排気する基板処理装置が開示されている。
一の側面では、本開示は、基板に処理を施した際の偏りを抑制する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、ガスを排気する排気口を有するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、ガスの流れ方向にみて前記載置台と前記排気口との間に配置される排気調整機構と、を備え、前記排気調整機構は、複数の貫通孔を有する排気プレートと、前記貫通孔を開閉する駆動プレートと、前記駆動プレートを駆動する駆動機構と、を有する、基板処理装置が提供される。
一の側面によれば、基板に処理を施した際の偏りを抑制する基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
<基板処理装置>
一実施形態に係る基板処理装置1について、図1を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置1の一例を示す断面模式図である。
一実施形態に係る基板処理装置1について、図1を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置1の一例を示す断面模式図である。
基板処理装置1は、チャンバ10を備える。チャンバ10は、その中に内部空間10sを提供する。チャンバ10はチャンバ本体12を含む。チャンバ本体12は、略円筒形状を有する。チャンバ本体12は、例えばアルミニウムから形成される。チャンバ本体12の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。当該膜は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックであってよい。
チャンバ本体12の側壁には、通路12pが形成されている。基板Wは、通路12pを通して内部空間10sとチャンバ10の外部との間で搬送される。通路12pは、チャンバ本体12の側壁に沿って設けられるゲートバルブ12gにより開閉される。
チャンバ本体12の底部上には、支持部13が設けられている。支持部13は、絶縁材料から形成される。支持部13は、略円筒形状を有する。支持部13は、内部空間10sの中で、チャンバ本体12の底部から上方に延在している。支持部13は、上部に支持台14を有する。支持台14は、内部空間10sの中において、基板Wを支持するように構成されている。
支持台14は、下部電極18及び静電チャック20を有する。支持台14は、電極プレート16を更に有し得る。電極プレート16は、アルミニウムなどの導体から形成され、略円盤形状を有する。下部電極18は、電極プレート16上に設けられている。下部電極18は、アルミニウムなどの導体から形成されて、略円盤形状を有する。下部電極18は、電極プレート16に電気的に接続されている。
静電チャック20は、下部電極18上に設けられている。静電チャック20の上面に基板Wが載置される。静電チャック20は、本体及び電極を有する。静電チャック20の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック20の電極は、膜状の電極であり、静電チャック20の本体内に設けられている。静電チャック20の電極は、スイッチ20sを介して直流電源20pに接続されている。静電チャック20の電極に直流電源20pからの電圧が印加されると、静電チャック20と基板Wとの間に静電引力が発生する。その静電引力により、基板Wが静電チャック20に保持される。
下部電極18の周縁部上には、基板Wのエッジを囲むように、エッジリング25が配置される。エッジリング25は、基板Wに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。エッジリング25は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成され得る。
下部電極18の内部には、流路18fが設けられている。流路18fには、チャンバ10の外部に設けられているチラーユニット(図示しない)から配管22aを介して熱交換媒体(例えば冷媒)が供給される。流路18fに供給された熱交換媒体は、配管22bを介してチラーユニットに戻される。基板処理装置1では、静電チャック20上に載置された基板Wの温度が、熱交換媒体と下部電極18との熱交換により、調整される。
基板処理装置1には、ガス供給ライン24が設けられている。ガス供給ライン24は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス(例えばHeガス)を、静電チャック20の上面と基板Wの裏面との間に供給する。
基板処理装置1は、上部電極30を更に備える。上部電極30は、支持台14の上方に設けられている。上部電極30は、部材32を介して、チャンバ本体12の上部に支持されている。部材32は、絶縁性を有する材料から形成される。上部電極30と部材32は、チャンバ本体12の上部開口を閉じている。
上部電極30は、天板34及び支持体36を含み得る。天板34の下面は、内部空間10sの側の下面であり、内部空間10sを画成する。天板34は、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板34は、天板34をその板厚方向に貫通する複数のガス吐出孔34aを有する。
支持体36は、天板34を着脱自在に支持する。支持体36は、アルミニウムなどの導電性材料から形成される。支持体36の内部には、ガス拡散室36aが設けられている。支持体36は、ガス拡散室36aから下方に延びる複数のガス孔36bを有する。複数のガス孔36bは、複数のガス吐出孔34aにそれぞれ連通している。支持体36には、ガス導入口36cが形成されている。ガス導入口36cは、ガス拡散室36aに接続している。ガス導入口36cには、ガス供給管38が接続されている。
ガス供給管38には、バルブ群42、流量制御器群44、及びガスソース群40が接続されている。ガスソース群40、バルブ群42、及び流量制御器群44、は、ガス供給部を構成している。ガスソース群40は、複数のガスソースを含む。バルブ群42は、複数の開閉バルブを含む。流量制御器群44は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群44の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群40の複数のガスソースの各々は、バルブ群42の対応の開閉バルブ、及び流量制御器群44の対応の流量制御器を介して、ガス供給管38に接続されている。
なお、基板処理装置1は、バルブ群42の開閉を制御してチャンバ10内に導入するガス種を切り替えることにより、基板Wに複数の処理を施すことができるように構成されていてもよい。
なお、基板処理装置1は、バルブ群42の開閉を制御してチャンバ10内に導入するガス種を切り替えることにより、基板Wに複数の処理を施すことができるように構成されていてもよい。
基板処理装置1では、チャンバ本体12の内壁面及び支持部13の外周に沿って、シールド46が着脱自在に設けられている。シールド46は、チャンバ本体12に反応副生物が付着することを防止する。シールド46は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
支持部13とチャンバ本体12の側壁との間には、排気調整機構90が設けられている。排気調整機構90は、排気プレート91と、駆動プレート92と、駆動機構93と、を備えている。排気プレート91は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜(酸化イットリウムなどの膜)を形成することにより構成される。排気プレート91には、複数の貫通孔91a(後述する図2参照)が形成されている。排気プレート91は、チャンバ10内の空間を、基板Wに処理を施す際にプラズマが生成される側の処理空間と、後述する排気口12eと接続される側の排気空間と、に分ける。排気プレート91は、処理空間から排気空間にプラズマがリークすることを抑制する。また、排気空間からのパーティクルが処理空間に入ることを抑制して、支持台14に載置された基板Wの表面に影響を与えることを抑制する。また、処理空間内のガスは、貫通孔91aを介して、排気空間へと排気される。駆動プレート92は、排気プレート91の下方に配置され、貫通孔91aを開閉する。駆動プレート92は、例えば、アルミニウムから形成された母材により構成される。なお、駆動プレート92は、排気プレート91の下方に配置されるため、酸化イットリウムなどの膜処理を省略してもよい。また、例えば、駆動プレート92が駆動する際に発生したパーティクルが支持台14に載置された基板Wの表面に影響を与えることを抑制するために、駆動プレート92は排気プレート91の下方に配置されることが好ましい。駆動機構93は、駆動プレート92を駆動する。排気プレート91の下方、且つ、チャンバ本体12の底部には、排気口12eが設けられている。排気口12eには、排気管52を介して排気装置50が接続されている。排気装置50は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。
基板処理装置1は、第1の高周波電源62及び第2の高周波電源64を備えている。第1の高周波電源62は、第1の高周波電力を発生する電源である。第1の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第1の高周波電力の周波数は、例えば27MHz〜100MHzの範囲内の周波数である。第1の高周波電源62は、整合器66及び電極プレート16を介して下部電極18に接続されている。整合器66は、第1の高周波電源62の出力インピーダンスと負荷側(下部電極18側)のインピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、第1の高周波電源62は、整合器66を介して、上部電極30に接続されていてもよい。第1の高周波電源62は、一例のプラズマ生成部を構成している。
第2の高周波電源64は、第2の高周波電力を発生する電源である。第2の高周波電力は、第1の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。第1の高周波電力と共に第2の高周波電力が用いられる場合には、第2の高周波電力は基板Wにイオンを引き込むためのバイアス用の高周波電力として用いられる。第2の高周波電力の周波数は、例えば400kHz〜13.56MHzの範囲内の周波数である。第2の高周波電源64は、整合器68及び電極プレート16を介して下部電極18に接続されている。整合器68は、第2の高周波電源64の出力インピーダンスと負荷側(下部電極18側)のインピーダンスを整合させるための回路を有する。
なお、第1の高周波電力を用いずに、第2の高周波電力を用いて、即ち、単一の高周波電力のみを用いてプラズマを生成してもよい。この場合には、第2の高周波電力の周波数は、13.56MHzよりも大きな周波数、例えば40MHzであってもよい。基板処理装置1は、第1の高周波電源62及び整合器66を備えなくてもよい。第2の高周波電源64は一例のプラズマ生成部を構成する。
基板処理装置1においてガスが、ガス供給部から内部空間10sに供給されて、プラズマを生成する。また、第1の高周波電力及び/又は第2の高周波電力が供給されることにより、上部電極30と下部電極18との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界がプラズマを生成する。
基板処理装置1は、電源70を備えている。電源70は、上部電極30に接続されている。電源70は内部空間10s内に存在する正イオンを天板34に引き込むための電圧を、上部電極30に印加する。
基板処理装置1は、制御部80を更に備え得る。制御部80は、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部80は、基板処理装置1の各部を制御する。制御部80では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部80では、表示装置により、基板処理装置1の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置1で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従って基板処理装置1の各部を制御する。
<排気調整機構90>
次に、排気調整機構90の構造について、図2から図5を用いて更に説明する。図2は、排気プレート91とチャンバ本体12の底部に設けられた排気口12eとの配置関係の一例を示す上方視図である。図3は、駆動プレート92の一例を示す上方視図である。図4は、排気プレート91の開口状態の一例(全開時)における排気プレート91及び駆動プレート92の上方視図である。図5は、排気プレート91の開口状態の他の一例における排気プレート91及び駆動プレート92の上方視図である。
次に、排気調整機構90の構造について、図2から図5を用いて更に説明する。図2は、排気プレート91とチャンバ本体12の底部に設けられた排気口12eとの配置関係の一例を示す上方視図である。図3は、駆動プレート92の一例を示す上方視図である。図4は、排気プレート91の開口状態の一例(全開時)における排気プレート91及び駆動プレート92の上方視図である。図5は、排気プレート91の開口状態の他の一例における排気プレート91及び駆動プレート92の上方視図である。
図2に示すように、排気プレート91は、周方向及び径方向に複数の貫通孔91aを有する。なお、図2及び後述する図4,5において、排気プレート91には、ドットのパターンを付して図示している。また、排気プレート91は模式的に図示しており、貫通孔91aの配置はこれに限られるものではない。また、図2において、チャンバ本体12の底部に設けられた排気口12eの位置を破線で示す。排気口12eはシンメトリに設けられておらず、偏りを有している。
図3に示すように、駆動プレート92は、周方向に対して複数(図3の例では、7つの駆動プレート92a〜92g)に分割されている。なお、図3及び後述する図4,5において、駆動プレート92には、ドットのパターン(排気プレート91よりも細かいパターン)を付して図示している。駆動プレート92a〜92gは、図3において矢印で示すように、駆動機構93(図1参照)によって、径方向に個別に移動させることができる。
図4に示すように、全ての駆動プレート92a〜92gを径方向内側に移動させることにより、排気プレート91の貫通孔91aの全てを開放する。また、貫通孔91aの下に駆動プレート92を配置させることにより、貫通孔91aを閉塞することができる。例えば、図5に示す例において、駆動プレート92a,92bは径方向3列目全ての貫通孔91aを閉塞するように配置されている。駆動プレート92cは径方向1列目まで貫通孔91aを閉塞するように配置されている。駆動プレート92d,92eは全ての貫通孔91aを開放するように配置されている。駆動プレート92f,92gは径方向2列目まで貫通孔91aを閉塞するように配置されている。このように、駆動プレート92a〜92gの配置を変更することにより、排気プレート91の開口状態を変更することができる。具体的には、排気プレート91の全体における開口面積(開口率)変更することができる。また、排気プレート91の開口状態における周方向に対する開口の偏りを形成することができる。
次に、チャンバ10の内部空間10sにおける流速について、図6を用いて説明する。図6は、全開時における流速のシミュレーション結果の一例を示す図である。なお、シミュレーションにおいて、図2に示すように、排気口12eの配置は周方向に対して偏りを有している。また、流速が速い領域ほど濃いハッチングを付して示し、流速が遅い領域ほど薄いハッチングを付して示している。また、支持台14に載置される基板Wの位置を実線で示している。
排気口12eが偏りを有して設けられていることにより、図6に示すように、周方向においてガスの排気速度に差が生じる。これに対し、一実施形態の基板処理装置1は、駆動プレート92a〜92gを個別に駆動することで排気プレート91の開口状態を周方向に対して異ならせることができる。例えば、流速の速い領域における貫通孔91aの開口率を下げ、流速の遅い領域における貫通孔91aの開口率を上げるように駆動プレート92a〜92gを配置することで、流速の周方向の偏りを低減するような排気プレート91の開口状態とすることができる。これにより、ガスの排気速度の偏りを低減することができる。
次に、排気プレート91の開口状態と、各プロセスにおける処理の偏りとの関係について、図7を用いて説明する。図7は、2つのプロセスに対して、排気プレート91の開口状態を変化させた場合における処理の偏りの一例を示す図である。上段に第1のプロセス(Ash;アッシング処理)の場合を示し、下段に第2のプロセス(Depo;デポ処理)の場合を示す。また、左から順に開口率100%、開口率80%(均等)、開口率50%(不均等)、開口率80%(不均等)の場合を示す。ここで、均等とは、排気プレート91の開口状態が周方向に対して均等の状態、即ち、駆動プレート92a〜92gを径方向に均等に動かした状態である。また、不均等とは、流速の周方向の偏りを低減するように駆動プレート92a〜92gを異ならせて動かした状態である。また、それぞれについて、基板Wの表面における処理の状態(アッシング処理においてはアッシング量。デポ処理においては堆積量)を正規化して、処理量の高い領域ほど濃いハッチングを付して示し、処理量低い領域ほど薄いハッチングを付して示している。また、それぞれについて、各処理の状態における処理の偏り(skew)を数値で併記する。また、各プロセスにおいて、最もskewの小さい場合を枠で強調表示する。
第1のプロセス(Ash)においては、貫通孔91aの開閉を周方向に対して均等とし、排気プレート91全体の開口率を80%としたものが、処理の偏り(skew)が最も小さくなった。また、第1のプロセス(Ash)においては、不均等配置の方が、均等配置よりも処理の偏りが大きくなることが確認できた。
一方、第2のプロセス(Depo)においては、貫通孔91aの開閉を周方向に対して不均等とし、排気プレート91全体の開口率を50%としたものが、処理の偏り(skew)が最も小さくなった。また、第2のプロセス(Depo)においては、不均等配置の方が、均等配置よりも処理の偏りが小さくなることが確認できた。
図7の一例に示すように、プロセスに応じて、処理の偏りを低減する排気プレート91の開口状態(全体の開口率、均等/不均等)が異なる。一実施形態に係る基板処理装置1は、プロセスに応じて、排気プレート91の開口状態を変更する。
図8は、基板処理装置1における基板処理の処理フローの一例である。ここでは、基板処理装置1は、基板Wに対して、2つのプロセスにより基板Wに処理を施すものとして説明する。
ステップS1において、基板処理装置1に基板Wを搬入する。まず、制御部80は、ゲートバルブ12gを開ける。図示しない搬送装置は、通路12pを介して、基板Wを支持台14に載置する。搬送装置が通路12pから退避すると、制御部80は、ゲートバルブ12gを閉じる。
ステップS2において、排気プレート91の開口状態を変更する。制御部80は、駆動機構93を制御して、駆動プレート92を駆動することにより、排気プレート91の開口状態を変更する。ここでは、例えば、後段の第1プロセスにおける処理の偏りが低減するように、駆動プレート92を移動させる。
ステップS3において、第1プロセスを実行して、基板Wに第1の処理を施す。例えば、ガスソース群40、バルブ群42、流量制御器群44から第1プロセスに用いる処理ガスをチャンバ10内に導入し、基板Wに第1の処理を施す。なお、処理に際して、第1の高周波電源62及び第2の高周波電源64を用いて、プラズマを生成してもよい。
ステップS4において、排気プレート91の開口状態を変更する。制御部80は、駆動機構93を制御して、駆動プレート92を駆動することにより、排気プレート91の開口状態を変更する。ここでは、例えば、後段の第2プロセスにおける処理の偏りが低減するように、駆動プレート92を移動させる。
ステップS5において、第2プロセスを実行して、基板Wに第2の処理を施す。例えば、ガスソース群40、バルブ群42、流量制御器群44から第2プロセスに用いる処理ガスをチャンバ10内に導入し、基板Wに第2の処理を施す。なお、処理に際して、第1の高周波電源62及び第2の高周波電源64を用いて、プラズマを生成してもよい。
ステップS6において、基板処理装置1から処理済の基板Wを搬出する。まず、制御部80は、ゲートバルブ12gを開ける。図示しない搬送装置は、通路12pを介して、支持台14にさいちされた処理済の基板Wを搬出する。搬送装置が通路12pから退避すると、制御部80は、ゲートバルブ12gを閉じる。
以上、一実施形態に係る基板処理装置1によれば、各プロセスに応じて排気プレート91の開口状態を変更することができる。これにより、各プロセスにおいて好ましい排気プレート91の開口状態とすることができるので、各プロセスにおける処理の偏りを低減することができる。
以上、基板処理装置1の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
図8において、基板処理装置1は、基板Wに対して2つのプロセスによる処理を施すものとして説明したが、これに限られるものではなく、3つ以上のプロセスによる処理を施す構成であってもよい。また、1つのプロセスによる処理を施す構成であってもよい。
図3において、複数の駆動プレート92は等間隔に7分割されるものとして説明したが、これに限られるものではない。等分割でなくてもよい。また、分割数は7に限られない。また、駆動プレート92は、排気プレート91に対して内側に駆動するものとして説明したが、これに限られるものではなく、外側に駆動する構成であってもよい。なお、内側に駆動する構成とすることにより、基板処理装置1の大型化を抑制できるので好ましい。
駆動プレート92は、径方向に駆動するものとして説明したが、これに限られるものではなく、周方向に駆動する構成であってもよい。
W 基板
1 基板処理装置
10 チャンバ
10s 内部空間
12 チャンバ本体
12e 排気口
14 支持台(載置台)
80 制御部
90 排気調整機構
91 排気プレート
91a 貫通孔
92 駆動プレート
93 駆動機構
1 基板処理装置
10 チャンバ
10s 内部空間
12 チャンバ本体
12e 排気口
14 支持台(載置台)
80 制御部
90 排気調整機構
91 排気プレート
91a 貫通孔
92 駆動プレート
93 駆動機構
Claims (6)
- ガスを排気する排気口を有するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、
ガスの流れ方向にみて前記載置台と前記排気口との間に配置される排気調整機構と、を備え、
前記排気調整機構は、
複数の貫通孔を有する排気プレートと、
前記貫通孔を開閉する駆動プレートと、
前記駆動プレートを駆動する駆動機構と、を有する、基板処理装置。 - 前記駆動プレートは、複数に分割される、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記駆動プレートは、周方向に対して複数に分割される、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記駆動プレートは、径方向に駆動する、
請求項3に記載の基板処理装置。 - 制御部と、を更に備え、
前記制御部は、
前記駆動機構を制御して、前記排気プレートの開口状態を第1の開口状態へと変更する工程と、
前記基板に第1の処理を施す工程と、
前記駆動機構を制御して、前記排気プレートの開口状態を第2の開口状態へと変更する工程と、
前記基板に第2の処理を施す工程と、を実行する、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - ガスを排気する排気口を有するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、
ガスの流れ方向にみて前記載置台と前記排気口との間に配置される排気調整機構と、
制御部と、を備え、
前記排気調整機構は、
複数の貫通孔を有する排気プレートと、
前記貫通孔を開閉する駆動プレートと、
前記駆動プレートを駆動する駆動機構と、を有する基板処理装置の基板処理方法であって、
前記駆動機構を制御して、前記排気プレートの開口状態を第1の開口状態へと変更する工程と、
前記基板に第1の処理を施す工程と、
前記駆動機構を制御して、前記排気プレートの開口状態を第2の開口状態へと変更する工程と、
前記基板に第2の処理を施す工程と、を有する、基板処理方法。
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