JP2020195234A - 容量測定回路、容量測定方法、電源回路、データ記憶装置、電源管理回路 - Google Patents

容量測定回路、容量測定方法、電源回路、データ記憶装置、電源管理回路 Download PDF

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Abstract

【課題】高精度な容量測定回路を提供する。【解決手段】電流源510は、基準電圧VREFに比例し、第1抵抗R1の抵抗値に反比例する電流ICを、キャパシタC1にソースし、あるいはキャパシタC1からシンクする。オシレータ520は、基準電圧VREFに反比例し、第1抵抗R1と相対精度が担保された第2抵抗R2の抵抗値に比例する周期TCLKを有するクロック信号CLKを生成する。タイマー回路530は、キャパシタC1の電圧VCAPが、所定の電圧幅ΔV、変化するのに要する時間Δtを、クロック信号CLKを利用してカウントする。【選択図】図2

Description

本発明は、容量測定回路に関する。
電子部品には、安定した電源電圧の供給が欠かせない。ソリッドステートドライブやハードディスクなどの記憶装置は、電源電圧が瞬断されると、記憶中のデータの破壊、消失のおそれがある。入力電圧が遮断された後も、負荷がデータ待避などの必要な保護処理を実行する期間、電源電圧を維持することが求められる。このような機能は、電源喪失保護、PLP(Power Loss Protection)、PLI(Power Loss Imminent)、PFP(Power Failure Protection)などと称される。
図1は、PLP機能を備えるシステムのブロック図である。システム2は、主電源10、負荷20および電源回路30を備える。主電源10は、直流の入力電圧VINを生成する。
電源回路30は、主電源10と負荷20に設けられる。電源回路30の入力端子VINには、主電源10が生成する入力電圧VINが供給され、出力端子VSYSには負荷20が接続される。
電源回路30は、スイッチSW11,SW12,SW13、バックアップキャパシタCb、コントローラ34を備える。スイッチSW11は、主電源10と負荷20を結ぶ電源ライン38上に設けられる。有効な入力電圧VINが供給される間、スイッチSW11はオンとなり、入力電圧VINが電源電圧VSYSとして負荷20に供給される。スイッチSW13は、入力端子VINとバックアップキャパシタCbの間に設けられる。スイッチSW13がオンとなることで、バックアップキャパシタCbが充電される。
スイッチSW12は、バックアップキャパシタCbと出力端子VSYSの間に設けられる。コントローラ34は、入力端子VINの入力電圧VINを監視し、正常状態か電源喪失状態かを判定する。コントローラ34は、電源喪失状態を検出すると、スイッチSW11およびSW13をオフし、SW12をオンする。
バックアップキャパシタCbに劣化や欠損があると、バックアップ動作が行えなくなる。したがって、バックアップキャパシタCbの劣化・欠損を未然に検出することが求められる。
本発明は係る状況においてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、高精度な容量測定回路の提供にある。
本発明のある態様は、キャパシタの容量を測定する容量測定回路に関する。容量測定回路は、基準電圧に比例し、第1抵抗の抵抗値に反比例する電流を、キャパシタにソースし、あるいはキャパシタからシンクする電流源と、基準電圧に反比例し、第1抵抗と相対精度が担保された第2抵抗の抵抗値に比例する周期を有するクロック信号を生成するオシレータと、キャパシタの電圧が、所定電圧幅、変化するのに要する時間を、クロック信号を利用してカウントするタイマー回路と、を備える。
本発明の別の態様もまた、容量測定回路である。この容量測定回路は、基準電圧に比例し、第1抵抗の抵抗値に反比例する電流をキャパシタにソースし、あるいはキャパシタからシンクする電流源と、基準電圧に反比例し、第1抵抗と相対精度が担保された第2抵抗の抵抗値に比例する周期を有するクロック信号を生成するオシレータと、クロック信号を所定カウント数カウントするカウンタと、カウンタによるカウント中にキャパシタに発生する電圧変動幅を示すデジタル値を生成するA/Dコンバータと、を備える。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、キャパシタの容量を正確に測定できる。
PLP機能を備えるシステムのブロック図である。 実施の形態1に係る容量測定回路を備える半導体装置のブロック図である。 図2の容量測定回路の動作波形図である。 電流源の構成例を示す回路図である。 オシレータの構成例を示す回路図である。 タイマー回路の構成例を示す回路図である。 図6のタイマー回路の動作を説明する図である。 変形例に係るタイマー回路の回路図である。 実施の形態2に係る容量測定回路を備える半導体装置のブロック図である。 図9の容量測定回路の動作波形図である。 実施の形態に係る電源回路を備えるシステムのブロック図である。 図11の電源回路の起動時の動作を説明する図である。 図11の電源回路の電源遮断時の動作を説明する図である。 変形例に係る電源回路のブロック図である。 PLP機能付きのデータ記憶装置のブロック図である。 図15のPLP機能付きの電源回路とPMICを集積化した半導体装置を備えるシステムのブロック図である。
(実施の形態)
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさず、あるいは機能を阻害しない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。また、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさず、あるいは機能を阻害しない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
(実施の形態1)
図2は、実施の形態1に係る容量測定回路500Aを備える半導体装置600Aのブロック図である。容量測定回路500Aは、半導体装置600Aに集積化されている。半導体装置600は、容量測定回路500Aに加えて、基準電圧源602、キャパシタ接続ピン(以下、CAPピン)を備える。基準電圧源602はバンドギャップリファレンス回路などであり、プロセスばらつき、温度変動の影響を受けない一定の基準電圧VREFを生成する。
容量測定回路500Aは、基準電圧VREFを受け、CAPピンに接続される外付けのキャパシタC1の容量を測定する。
容量測定回路500Aは、電流源510、オシレータ520、タイマー回路530、コントローラ540を備える。
電流源510は、第1抵抗R1を含む。電流源510は、基準電圧VREFに比例し、第1抵抗R1の抵抗値に反比例する電流Iを、キャパシタC1にソースし、あるいはキャパシタC1からシンクする。本実施の形態では、電流源510は、電流シンク型であり、キャパシタC1を定電流Iによって放電する。
=α×VREF/R1 …(1)
電流源510によってキャパシタC1を放電することにより、キャパシタC1には一定の傾きの電圧変化が発生する。αは、温度依存性を有しない定数である。
オシレータ520は、第2抵抗R2を含む。第2抵抗R2は、第1抵抗R1と相対精度が担保されるように形成される。具体的な抵抗R1およびR2は、同じデバイス構造を有し、半導体基板上に隣接して形成される(ペアリング)。
オシレータ520は、基準電圧VREFに反比例し、第2抵抗R2の抵抗値に比例する周期TCLKを有するクロック信号CLKを生成する。
CLK=β×R2/VREF …(2)
βは、温度依存性を有しない定数である。
クロック信号CLKの周期TCLKの逆数である周波数fは、基準電圧VREFに比例し、第2抵抗R2の抵抗値に反比例する。
f=VREF/(β×R) …(3)
タイマー回路530は、キャパシタC1の電圧VCAPが、所定の電圧幅ΔV、変化するのに要する時間を、クロック信号CLKを利用してカウントする。ΔVは、温度およびプロセスばらつきの影響を受けない定数である。たとえば電圧幅ΔVは基準電圧VREFにもとづいて生成できる。γは温度依存性を有しない定数である。
ΔV=γ×VREF …(4)
タイマー回路530によって得られるカウント値Nは、キャパシタC1の容量値を表す。
コントローラ540は、容量測定回路500Aを統合的に制御する。コントローラ540はロジック回路で構成できる。
以上が容量測定回路500Aの基本構成である。続いてその動作を説明する。図3は、図2の容量測定回路500Aの動作波形図である。
時刻tより前に、キャパシタC1はとある初期電圧VINITに充電されている。コントローラ540は、時刻tに容量測定を開始する。具体的には、電流源510をイネーブルとして電流IによってキャパシタC1の放電を開始する。またオシレータ520をイネーブルとし、クロック信号CLKの生成を開始する。
タイマー回路530はキャパシタ電圧VCAPを監視する。キャパシタ電圧VCAPが、所定電圧幅ΔV変化するのに要する時間Δtは、Δtは式(5)で表される。Cはキャパシタの容量である。
Δt=ΔV×C/I …(5)
この時間Δtを、クロック信号CLKでカウントしたときのカウント数Nは、式(6)で表される。
N=Δt/TCLK
=ΔV×C/(I×TCLK) …(6)
式(6)に、式(1)(2)を代入すると、式(7)を得る。
N=ΔV×C/(α×VREF/R1×β×R2/VREF
=ΔV×C/(α・β・R2/R1) …(7)
2つの抵抗R1,R2はペアリングされており、プロセスばらつき、温度変動に対する相対値の精度は非常に高い。したがってR2/R1の精度は、±1%程度まで高めることができる。またΔV、α、βは、プロセスばらつき、温度変動の影響を受けない定数であるから、式(7)で表されるカウント値は、キャパシタCを、±1%の精度で測定した値となる。
以上が容量測定回路500Aの動作である。この容量測定回路500Aによれば、温度変動、プロセスばらつきにかかわらず、非常に高い精度でキャパシタC1の容量値を測定することができる。
続いて容量測定回路500Aの具体的な構成例を説明する。図4は、電流源510の構成例を示す回路図である。電流源510は、V/I変換回路512、カレントミラー回路514,516を含む。V/I変換回路512は、第1抵抗R1、トランジスタM1、エラーアンプEA1を含む。V/I変換回路512は、式(8)で表される基準電流IREF1を生成する。
REF1=VREF/R1 …(8)
カレントミラー回路514,516は、基準電流IREF1を折り返し、定数倍して定電流Iを生成する。
=K1×K2×IREF1=K1×K2×VREF/R1
カレントミラー回路514,516のミラー比K1,K2は、プロセスばらつき、温度変動の影響を受けない定数であるから、α=K1×K2とすると、定電流Iは、式(1)で表される。なお、図4において、カレントミラー回路514,516を省略してV/I変換回路512を直接、CAPピンと接続詞、キャパシタC1から電流I=IREF1をシンクするようにしてもよい。
図5は、オシレータ520の構成例を示す回路図である。オシレータ520は、V/I変換回路522およびキャパシタC2を含む。V/I変換回路522は、第2抵抗R2、トランジスタM2、エラーアンプEA2を含み、式(9)で表される基準電流IREF2を生成する。第2抵抗R2は、電流源510の第1抵抗R1とペアリングされている。
REF2=VREF/R2 …(9)
オシレータ520は、基準電流IREF2にもとづく電流によって、キャパシタC2を充電(あるいは放電)し、キャパシタC2に発生する電圧VC2をしきい値と比較することにより、クロック信号CLKを生成する。クロック信号CLKの周期TCLKは、キャパシタC2の容量値に比例し、基準電流IREF2に反比例する。
CLK=δ・C2/IREF2 …(10)
式(10)に、式(9)を代入すると、式(2)を得る。ただし、β=δ・C2である。
基準電流IREF2にもとづくオシレータ520の構成は特に限定されず、公知技術を用いればよい。たとえばオシレータ520は、キャパシタC2およびV/I変換回路522に加えて、電流源524、放電スイッチ526、コンパレータ528を含んでもよい。
電流源524は、基準電流IREF2に比例する電流ICHGによって、キャパシタC2を充電する。放電スイッチ526はコンパレータ528の出力に応じて制御され、キャパシタC2の電圧VC2がしきい値VTHを超えるとオンとなり、キャパシタC2の電荷を放電し、電圧VC2をリセットする。放電スイッチ526に代えて、基準電流IREF2に比例する電流IDISによってキャパシタC2を放電する放電回路を設け、充電と放電を交互に繰り返してもよい。
図6は、タイマー回路530の構成例を示す回路図である。タイマー回路530は、分圧回路532、セレクタ534、コンパレータ536、カウンタ538を備える。分圧回路532は、基準電圧VREFを分圧し、第1基準電圧VREFHおよび第2基準電圧をVREFLを生成する。第1基準電圧VREFHおよび第2基準電圧をVREFLの差分が、上述の所定電圧幅ΔVに相当する。分圧回路532は、直列に接続された3個の抵抗R31〜R33を含む。抵抗R31〜R33は、相互に相対精度が保証されるように、同じ素子構造を有し、半導体基板上に近接して配置される。
セレクタ534は、2つの基準電圧VREFH,VREFLを受け、一方を選択する。コンパレータ536は、キャパシタC1の電圧VCAPを、セレクタ534の出力電圧VTHと比較する。コントローラ540は、コンパレータ536の出力COMPOUTに応じて、セレクタ534の状態を切り代える。コンパレータ536の出力は、キャパシタ電圧VCAPが所定電圧幅ΔVだけ変化するのに要する時間Δtを表す。カウンタ538は、コンパレータ536の出力にもとづく期間Δt、クロック信号CLKをカウントする。
図7は、図6のタイマー回路530の動作を説明する図である。はじめにセレクタ534は、第1基準電圧VREFHを選択しており、VTH=VREFHである。時刻tに、電流源510がイネーブルとなり、キャパシタC1の放電が開始し、キャパシタ電圧VCAPが一定の傾きで低下する。
時刻tに、VCAP<VTH(すなわちVCAP<VREFH)となると、コンパレータ536の出力COMPOUTがローとなる。コントローラ540は、コンパレータ536の出力COMPOUTに応答して、セレクタ534の状態を切り替える。これにより、セレクタ534によって第2基準電圧VREFLが選択され、VTH=VREFHとなる。時刻tに、VCAP<VTH(すなわちVCAP<VREFL)となると、コンパレータ536の出力COMPOUTがローとなる。
カウンタ538は、COMPOUT信号が1回目にローとなるとカウント動作を開始し、2回目にローになるとカウント動作を停止する。カウンタ538の出力Nは、キャパシタ電圧VCAPが所定電圧幅ΔV変化するのに要する時間を表す。
図6のタイマー回路530は、コンパレータ536がオフセット電圧VOFSを有する場合であっても、その影響を受けずに、所定電圧幅ΔVの変化を測定することができるという利点を有する。この利点は、図8の変形例との対比によって明確となる。
図8は、変形例に係るタイマー回路531の回路図である。このタイマー回路531は、2個のコンパレータ536,537を備える。コンパレータ536は、キャパシタ電圧VCAPを第1基準電圧VREFHと比較し、コンパレータ537は、キャパシタ電圧VCAPを第2基準電圧VREFLと比較する。カウンタ538は、コンパレータ536の出力COMPHが変化してからコンパレータ537の出力COMPLが変化するまでの時間を、クロック信号CLKを利用して測定する。
図8では、2個のコンパレータ536、537が、異なるオフセット電圧を有する場合に、電圧幅ΔVが、オフセット電圧の影響を受けることとなる。また2個のコンパレータ536、537が、異なる応答時間(応答遅延)を有する場合に、時間差Δtに誤差が生ずる。図6のタイマー回路530によれば、図8の回路で生ずる問題を解決でき、またコンパレータが1個でよいため、回路面積を小さくできる。なおオフセット電圧が十分に小さく、また応答遅延が十分に短いコンパレータを設計できる場合には、図8のタイマー回路531を採用してもよい。
(実施の形態2)
図9は、実施の形態2に係る容量測定回路500Bを備える半導体装置600Bのブロック図である。容量測定回路500Bは、基準電圧VREFを受け、CAPピンに接続される外付けのキャパシタC1の容量を測定する。
容量測定回路500Bは、電流源510、オシレータ520、コントローラ540、カウンタ550、A/Dコンバータ560を備える。電流源510およびオシレータ520については、実施の形態1と同様である。
コントローラ540は、容量測定回路500Bを制御する。A/Dコンバータ560には基準電圧VREFが与えられており、A/Dコンバータ560のビット数がMであるとき、1LSB相当の電圧(分解能)は、VLSB=VREF/2である。ある任意の電圧Vを入力したときのA/Dコンバータ560の出力のデジタル値Dは、10進数で、式(11)で表される。
=V/VLSB=2×V/VREF …(11)
カウンタ550は、電流源510によるキャパシタC1の放電中(あるいは充電中)に、イネーブルとなり、クロック信号CLKを所定カウント数N,カウントする。A/Dコンバータ560は、カウンタ550によるカウント動作開始時と、カウント完了時に、キャパシタC1の電圧VCAPを取り込み、2つのデジタル値DV1,DV2を生成する。2つのデジタル値DV1,DV2の差分は、TCLK×Nの期間に発生するキャパシタC1の電圧VCAPの変動幅ΔVである。
以上が容量測定回路500Bの構成である。続いてその動作を説明する。図10は、図9の容量測定回路500Bの動作波形図である。
時刻tより前に、キャパシタC1はとある初期電圧VINITに充電されている。コントローラ540は、時刻tに容量測定を開始する。具体的には、電流源510をイネーブルとして電流IによってキャパシタC1の放電を開始する。またオシレータ520をイネーブルとし、クロック信号CLKの生成を開始する。
コントローラ540は、時刻tに、A/Dコンバータ560を動作させる。このときのキャパシタ電圧VCAP1が、デジタル値DV1に変換される。また時刻tにカウンタ550の動作をスタートさせる。カウンタ550におけるカウント数がNに達すると、すなわち時刻tからΔt=TCLK×Nの放電時間の経過後の時刻tに、A/Dコンバータ560が2回目の動作を行い、そのときのキャパシタ電圧VCAP2がデジタル値DV2に変換される。コントローラ540は、2つのデジタル値DV1,DV2の差分ΔDを算出する。ΔDは、キャパシタC1に生ずる電圧変動幅ΔVを量子化したものであり、式(12)で表される。
ΔD=ΔV/VLSB …(12)
ある期間Δtの間、容量値Cのキャパシタを定電流Iで放電したときの、キャパシタ電圧VCAPの変動幅ΔVは、式(13)で与えられる。
ΔV=Δt×I/C …(13)
式(12)に、式(13)を代入すると、式(14)を得る。
ΔD=Δt×I/(C×VLSB) …(14)
式(14)に、
Δt=N×TCLK=N×(β×R2/VREF
=α×VREF/R1
を代入すると、式(15)を得る。
ΔD=N×(β×R2/VREF)×α×VREF/R1/(C×VLSB
=N×α×β×(R2/R1)/(C×VLSB) …(15)
2つの抵抗R1,R2はペアリングされており、プロセスばらつき、温度変動に対する相対値の精度は非常に高い。したがってR2/R1の精度は、±1%程度まで高めることができる。またα、β、VLSBは、プロセスばらつき、温度変動の影響を受けない定数であるから、式(15)で表されるデジタル値の差分ΔDは、キャパシタCを、±1%の精度で測定した値となる。
以上が容量測定回路500Bの動作である。この容量測定回路500Bによれば、温度変動、プロセスばらつきにかかわらず、非常に高い精度でキャパシタC1の容量値を測定することができる。
続いて容量測定回路500A,500B(以下、500と総称する)の用途を説明する。図11は、実施の形態に係る電源回路100Aを備えるシステム2Aのブロック図である。システム2Aは、主電源10、負荷20および電源回路100Aを備える。主電源10は、所定の第1電圧レベルの直流の入力電圧VINを電源回路100Aに供給する。
電源回路100Aは、電源IC102AとバックアップキャパシタCbを備える。電源IC102Aは、電源回路100Aの構成要素の主要部を集積化した機能ICである。
電源IC102Aは、入力端子(VINピン)、出力端子(VSYSピン)、キャパシタ接続端子(VCAPピン)を有する。VINピンには、主電源10から、直流の入力電圧VINが供給される。VSYSピンには、負荷20が接続される。VCAPピンには、大容量のバックアップキャパシタCbが接続される。
第1スイッチSW1は、入力端子VINと出力端子VSYSの間に設けられる。充電回路110は、入力電圧VINを昇圧し、バックアップキャパシタCbを充電する。充電回路110は、たとえば昇圧型のチャージポンプを用いることができる。チャージポンプの昇圧率は特に限定されない。充電回路110は、イネーブル信号CP_ENに応じて、イネーブル、ディセーブルが切り替え可能である。充電回路110は、チャージポンプに変えて昇圧コンバータであってもよい。
第2スイッチSW2は、バックアップキャパシタCbが接続されるVCAPピンと出力端子VSYSの間に設けられる。
コントローラ130は、電源IC102Aを統合的に制御する。コントローラ130は、入力電圧VINを監視し、正常状態か、電源喪失状態かを判定する。コントローラ130は、正常状態において第1スイッチSW1をオンし、第2スイッチSW2をオフする。これにより出力端子VSYSには、入力電圧VINと等しい出力電圧VSYSが発生する。
またコントローラ130は正常状態において充電回路110をイネーブルとする。これにより、充電回路110はバックアップキャパシタCbを充電する。コントローラ130は、充電完了後、CP_EN信号をネゲートして、充電回路110の動作を停止してもよい。
コントローラ130は、入力電圧VINの喪失を検出すると、第1イネーブル信号PLP_ENをアサートする。ソフトスタート回路120は、第1イネーブル信号PLP_ENのアサートに応答して、第2スイッチSW2を緩やかにオンさせる。
容量測定回路500は、VCAPピンと接続され、外付けのバックアップキャパシタCbの容量を測定する。電源回路100に容量測定回路500を内蔵することにより、バックアップキャパシタCbの容量を正確に測定することができ、測定結果にもとづいて、バックアップキャパシタCbの劣化や欠損を検出することができる。
以上が電源回路100Aの基本構成である。続いて電源回路100Aのさらなる特徴を説明する。コントローラ130は、第1イネーブル信号PLP_ENに先行して、第2イネーブル信号AMP_ENをアサートする。
ソフトスタート回路120は、ソフトスタート電圧生成回路122およびアンプ124を備える。ソフトスタート電圧生成回路122は、第1イネーブル信号PLP_ENのアサートに応答して、時間とともに緩やかに変化するソフトスタート電圧VSSを生成する。アンプ124は、ソフトスタート電圧VSSにもとづいて第2スイッチSW2のゲート信号SW_G2を変化させ、オンの程度を制御する。アンプ124は、ソフトスタート電圧VSSが生成されるより前に、第2イネーブル信号AMP_ENのアサートに応答して、イネーブル状態(アイドル状態)となっている。アイドル状態では、アンプ124によって第2スイッチSW2がオフ状態に維持される。
図12は、図11の電源回路100Aの起動時の動作を説明する図である。時刻tに入力電圧VINが供給される。時刻tに入力電圧VINが所定のしきい値VTH1を超えると、第1スイッチSW1がオンとなり、出力電圧VSYSが上昇する。またCP_EN信号がアサートされ、充電回路110によってバックアップキャパシタCbが充電され、キャパシタ電圧VCAPが上昇する。起動中、第2スイッチSW2はオフに固定されている。時刻tにバックアップキャパシタCbの充電が完了すると、CP_EN信号がネゲートされ、充電回路110による充電動作が停止し、充電回路110の消費電力が削減される。その後、バックアップキャパシタCbは、E=C・VCAP /2のエネルギーを蓄えるバックアップ電源となる。
バックアップキャパシタCbに蓄えられるエネルギーEは、E=C・VCAP /2で表される。Cはバックアップキャパシタの容量であり、VCAPはバックアップキャパシタの充電電圧である。昇圧回路によって充電電圧VCAPを高くすることにより、同じ容量とした場合、エネルギーEを増やすことができ、電源遮断後に負荷が動作し続ける時間を長くできる。あるいは同じエネルギーEを保持するためのバックアップキャパシタCbの容量Cを減らすことができ、システムを低コスト化できる。
図13は、図11の電源回路100Aの電源遮断時の動作を説明する図である。時刻tに入力電圧VINが遮断される。コントローラ130は、電源喪失状態を検出すると、時刻tに第2イネーブル信号AMP_ENを先行してアサートする。これによりアンプ124がアイドル状態となり、アンプ124によって第2スイッチSW2がオフに維持される。
続く時刻tに、コントローラ130は第1イネーブル信号PLP_ENをアサートする。これにより、ソフトスタート電圧VSSが緩やかに変化しはじめる。アンプ124は、ソフトスタート電圧VSSに応じて、第2スイッチSW2のゲート信号SW_G2を変化させ、第2スイッチSW2をオフ状態からオン状態に緩やかに移行させる。
第2スイッチSW2を急峻にオンすると、高電圧VCAPを保持するバックアップキャパシタCbから、出力端子VSYSに接続される外部のキャパシタに大電流(突入電流)が流れるおそれがあるところ、ソフトスタート回路120によって第2スイッチSW2を緩やかにオンすることで、大電流を抑制できる。
またソフトスタート電圧VSSが変化し始める時刻tの時点で、アンプ124はアイドル状態であり、起動が完了しているため、ソフトスタート電圧VSSに直ちに応答することができ、ソフトスタート電圧VSSに対して遅延無く、第2スイッチSW2のゲート信号SW_G2を変化させることができ、第2スイッチSW2をオフ状態からオン状態に緩やかに移行させる。
図13には、ソフトスタート電圧VSSの生成開始と同時の時刻t5において、アンプ124をイネーブルとしたときの出力電圧VSYS’が一点鎖線で示される。アンプ124は、時刻tに起動し始めるため、起動が完了する時刻tまでの間は、ソフトスタート電圧VSSに応答できない。したがって時刻t〜tの間は、出力端子VSYSに電力が供給されないため、出力電圧VSYS’はΔVだけさらに低下することとなる。本実施の形態では、PLP_EN信号に先行して、AMP_EN信号をアサートしてアンプ124を起動しておくことにより、出力電圧VSYSのドロップ幅ΔVを小さくできる。
(変形例)
図14は、変形例に係る電源回路100Bのブロック図である。図11において充電回路110には、第1スイッチSW1を介さずに、入力電圧VINが供給された。これに対して図14の変形例では、充電回路110の入力は、第1スイッチSW1の出力側と接続されており、充電回路110には、第1スイッチSW1を介して入力電圧VINが供給される。その他は図11と同様である。
(用途)
実施の形態に係る電源回路100A,100B(以下、電源回路100と総称する)は、データ記憶装置300に用いることができる。図15は、PLP機能付きのデータ記憶装置300のブロック図である。データ記憶装置300はたとえばSSD(Solid State Drive)であり、電源回路100、PMIC302、コントローラ304やNANDメモリ306、キャッシュメモリ308、インタフェース310を備える。
データ記憶装置300は、コンピュータに内蔵されてもよいし、ポータブルのSSDであってもよい。あるいはサーバー用であってもよい。
電源回路100には、AC/DCコンバータやUSBバス(上述の主電源10、図15に不図示)から、直流の入力電圧VDCを受け、PMIC302に所定の電圧レベルの電源電圧VSYSを供給する。PMIC302は、コントローラ304やNANDメモリ306、キャッシュメモリ308、インタフェース310に電源電圧を供給する。
なお電源回路100の用途はデータ記憶装置300に限定されず、電源遮断後にも、ある時間、電源電圧を維持すべき用途に利用できる。
図16は、図15のPLP機能付きの電源回路100とPMIC302を集積化した半導体装置200を備えるシステム400のブロック図である。半導体装置200は、PMOSトランジスタM1、M2、ロードスイッチコントローラ202、PLPコントローラ204、チャージポンプ回路206、A/Dコンバータ208、内部電源210、クロック発生器212、インタフェース回路214、シーケンサ216、コンバータコントローラ218、220、LDO(Low Drop Output)回路222、224を備える。半導体装置200は、複数チャンネル(この例では、2チャンネルの降圧コンバータ、2チャンネルのLDO回路)の電源を含むPMICである。
PMOSトランジスタM1は、第1スイッチSW1に相当し、ロードスイッチと称される。ロードスイッチコントローラ202は、図11のコントローラ130の一部の機能を担っており、PMOSトランジスタM1のオン、オフを制御する。またロードスイッチコントローラ202は、PMOSトランジスタM1のバックゲートBGを、VINピン、VSYS_0ピンのうち、電位が高い方につなぎ替える制御を行う。
PMOSトランジスタM1のバックゲートBGは、VINピンの電圧VINと、VSYS_0ピンの電圧のOR電源となっており、内部電源210に供給されている。PMOSトランジスタM1がオンする前は、電源としてVINしか存在せず、PLP中は、VSYS_0しか存在しないため、それらのOR電源BGを内部電源210に供給することで、内部電源210を常時動作させることができる。
PMOSトランジスタM2は、第2スイッチSW2に相当する。PLPコントローラ204は、図11のソフトスタート回路120およびコントローラ130の機能の一部に対応する。チャージポンプ回路206は図11の充電回路110であり、外付けのフライングキャパシタCfを利用して、入力電圧VINを昇圧し、バックアップキャパシタCbを充電する。図16のVSYS_0ピンは、上述のVSYSピンに相当する。またPLPコントローラ204は、PMOSトランジスタM2のバックゲートを、VSYS_0ピンとVCAPピンのうち、電位が高い方につなぎ替える制御を行う。
A/Dコンバータ208は、キャパシタ電圧VCAPや入力電圧VIN、温度情報を示す電圧、第1スイッチSW1に流れる電流を示す検出信号などをデジタル信号に変換する。
内部電源210は、内部電源電圧VDDを生成する電源回路に加えて、それに付随する基準電圧源、パワーオンリセット回路、UVLO(Under Voltage Lockout)回路、サーマルシャットダウン回路などを含む。クロック発生器212は、クロック信号を生成するオシレータである。
インタフェース回路214は、外部のホストコントローラ402やSSD−ASIC404と通信するためのインタフェースである。半導体装置200はマスターのPMICであり、半導体装置200には、スレーブのPMICが接続されてもよい。この場合、半導体装置200は、インタフェース回路214を利用してスレーブのPMICを制御する。
シーケンサ216は、外部からの指令にもとづいて、複数の電源の起動シーケンス、シャットダウンシーケンスを制御する。コンバータコントローラ218,220は、降圧コンバータを制御する。LDO回路222,224は、定電流を制御する。降圧コンバータやLDO回路の入力端子には、VSYS_0ピンの電圧が供給される。
実施の形態にもとづき、具体的な用語を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
2 システム
10 主電源
20 負荷
Cb バックアップキャパシタ
100 電源回路
102 電源IC
SW1 第1スイッチ
SW2 第2スイッチ
VIN 入力端子
VSYS 出力端子
600 半導体装置
602 基準電圧源
C1 キャパシタ
500 容量測定回路
510 電流源
R1 第1抵抗
512 V/I変換回路
514,516 カレントミラー回路
520 オシレータ
R2 第2抵抗
522 V/I変換回路
524 電流源
526 放電スイッチ
528 コンパレータ
530 タイマー回路
532 分圧回路
534 セレクタ
536 コンパレータ
538 カウンタ
540 コントローラ
550 カウンタ
560 A/Dコンバータ
300 データ記憶装置
302 PMIC
304 コントローラ
306 NANDメモリ
308 キャッシュメモリ
310 インタフェース

Claims (9)

  1. キャパシタの容量を測定する容量測定回路であって、
    基準電圧に比例し、第1抵抗の抵抗値に反比例する電流を、前記キャパシタにソースし、あるいは前記キャパシタからシンクする電流源と、
    前記基準電圧に反比例し、前記第1抵抗と相対精度が担保された第2抵抗の抵抗値に比例する周期を有するクロック信号を生成するオシレータと、
    前記キャパシタの電圧が、所定の電圧幅、変化するのに要する時間を、前記クロック信号を利用してカウントするタイマー回路と、
    を備えることを特徴とする容量測定回路。
  2. 前記タイマー回路は、
    前記基準電圧を分圧し、第1基準電圧および第2基準電圧を生成する分圧回路と、
    前記第1基準電圧と前記第2基準電圧を受け、一方を選択するセレクタと、
    前記キャパシタの電圧を、前記セレクタの出力と比較するコンパレータと、
    前記コンパレータの出力にもとづく期間、前記クロック信号をカウントするカウンタと、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の容量測定回路。
  3. 前記タイマー回路は、
    前記基準電圧を分圧し、第1基準電圧および第2基準電圧を生成する分圧回路と、
    前記キャパシタの電圧を、前記第1基準電圧と比較する第1コンパレータと、
    前記キャパシタの電圧を、前記第2基準電圧と比較する第2コンパレータと、
    前記第1コンパレータの出力と前記第2コンパレータの出力が規定する期間、前記クロック信号をカウントするカウンタと、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の容量測定回路。
  4. キャパシタの容量を測定する容量測定回路であって、
    基準電圧に比例し、第1抵抗の抵抗値に反比例する電流を前記キャパシタにソースし、あるいは前記キャパシタからシンクする電流源と、
    前記基準電圧に反比例し、前記第1抵抗と相対精度が担保された第2抵抗の抵抗値に比例する周波数を有するクロック信号を生成するオシレータと、
    前記クロック信号を所定カウント数カウントするカウンタと、
    前記カウンタによるカウント中に前記キャパシタに発生する電圧変動幅を示すデジタル値を生成するA/Dコンバータと、
    を備えることを特徴とする容量測定回路。
  5. バックアップキャパシタが接続されるピンと、
    前記バックアップキャパシタを充電し、電源遮断時に前記バックアップキャパシタから負荷に電力を供給するバックアップ電源回路と、
    前記バックアップキャパシタの容量を測定する請求項1から4のいずれかに記載の前記容量測定回路と、
    を備えることを特徴とする電源回路。
  6. 請求項5に記載の前記電源回路を備えることを特徴とするデータ記憶装置。
  7. バックアップキャパシタが接続されるピンと、
    複数のDC/DCコンバータと、
    前記バックアップキャパシタを充電し、電源遮断時に前記バックアップキャパシタから前記複数のDC/DCコンバータに電力を供給するバックアップ電源回路と、
    前記バックアップキャパシタの容量を測定する請求項1から4のいずれかに記載の前記容量測定回路と、
    を備えることを特徴とする電源管理回路。
  8. キャパシタの容量測定方法であって、
    基準電圧に比例し、抵抗値に反比例する電流によって前記キャパシタの電圧を変化させるステップと、
    前記基準電圧に反比例し、前記抵抗値に比例する周波数のクロック信号を生成するステップと、
    前記キャパシタの電圧が、所定の電圧幅、変化するのに要する時間を、前記クロック信号を利用してカウントするステップと、
    を備えることを特徴とする容量測定方法。
  9. キャパシタの容量測定方法であって、
    基準電圧に比例し、第1抵抗の抵抗値に反比例する電流を、前記キャパシタにソースし、あるいは前記キャパシタからシンクするステップと、
    前記基準電圧に反比例し、前記第1抵抗と相対精度が担保された第2抵抗の抵抗値に比例する周波数を有するクロック信号を生成するステップと、
    カウンタにより前記クロック信号を所定カウント数カウントするステップと、
    前記基準電圧を基準とするA/Dコンバータによって、前記カウンタによるカウント中、前記キャパシタの電圧の変動幅を、デジタル値に変換するステップと、
    を備えることを特徴とする容量測定方法。
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