JP2020194943A - 光モジュール、光通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光ファイバを用いることなく外部デバイスに光結合可能であると共に外部デバイスに妨げられることなく電気的接続を可能にする構造を有する光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュール１１は、蓋部品１７、光学窓部品１９、金属ベース２１、及びリード端子２３を含むパッケージ１５、並びに基板１３ｃ、第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂを含む半導体光素子１３を備える。光学窓部品１９は、金属ベース２１の第１開口２７ａを塞ぎ、蓋部品１７は、金属ベース２１の第２開口２７ｂを塞ぐ。第２開口２７ｂから延在するキャビティを有し、半導体光素子１３は、キャビティ内において側壁上に設けられる。半導体光素子１３は、第１端面１３ａから第２端面１３ｂへの方向に活性層１３ｅを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュール及び光通信装置に関する。

特許文献１は、光パッケージを開示する。

特開２００１−１６０５９８号公報

特許文献１は、枠体及び光半導体素子を基体上に搭載する光パッケージを開示する。光パッケージは、基体の底面に配列された電極パッドを介して外部電気回路上の導体バンプを介して外部電気回路に接続される。枠体は、側部に貫通孔を有し、貫通孔は筒状の固定部材を受け入れる。固定部材は、光ファイバを支持する。

シリコンフォトニクス素子といった外部の半導体光デバイスに光結合できる光モジュールが求められている。この用途は、光モジュールが、光ファイバを用いることなく該光モジュール内の半導体光素子が半導体光デバイスに光学的に結合されるように、該光モジュールを半導体光デバイス上に搭載できる構造を有することを求める。

本発明の一側面は、外部デバイスに光結合可能であると共に該外部デバイス又は他の外部デバイスに電気的接続を可能にする構造を有する光モジュールを提供することを目的とする。また、本発明の別側面は、光モジュールを含む光通信装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る光モジュールは、蓋部品、光学窓部品、金属ベース、リード端子、及び前記金属ベースと前記リード端子との間に設けられた絶縁部材を含むパッケージと、第１端面、第２端面、及び基板を含む半導体光素子と、を備え、前記金属ベースは、第１軸の方向に配列された前端及び後端を有し、前記金属ベースは、前記金属ベースの前記前端に第１開口を有し、前記光学窓部品は、前記金属ベースの前記前端上において第１基準面に沿って延在して前記第１開口を塞ぐ、前記金属ベースは、前記金属ベースの前記前端と前記後端との間に第２開口を有し、前記蓋部品は、前記第２開口を塞ぎ、前記金属ベースは、前記第１軸の方向に交差する第２軸の方向に前記第２開口から延在するキャビティを有し、前記金属ベースは、前記第１軸の方向に前記後端から延在する側壁を有し、前記側壁は、前記リード端子を受け入れる貫通孔を有し、前記半導体光素子は、前記キャビティ内において前記側壁上に設けられ、前記半導体光素子は、第２基準面に沿って前記第１端面から前記第２端面への方向に延在する活性層を有し、前記活性層及び前記基板は、前記第２基準面に直交すると共に前記第１端面及び前記第２端面に交差する第３基準面に沿って配列され、前記第２基準面及び前記第３基準面の少なくとも一方は、前記第１基準面に対して傾斜する。

本発明の別の側面に係る光通信装置は、光モジュールと、前記光モジュールを搭載する半導体光デバイスと、前記光モジュールを前記半導体光デバイスに固定する接着部材と、を備え、前記半導体光デバイスは、光カプラを有する。

本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。

以上説明したように、本発明の一側面によれば、外部デバイスに光結合可能であると共に該外部デバイス又は他の外部デバイスに電気的接続を可能にする構造を有する光モジュールを提供できる。また、本発明の別側面によれば、光モジュールを含む光通信装置を提供できる。

図１は、本実施形態に係る光モジュールの構成部品を示す分解図である。 図２は、本実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。 図３は、本実施形態に係る光モジュールのキャビティ内における半導体光素子及び光学部品の配置を模式的に示す図面である。 図４の（ａ）部は、本実施形態に係る光通信装置を示す平面図である。図４の（ｂ）部は、図４の（ａ）部に示されたＩＶｂ−ＩＶｂ線に沿って取られた断面を示す。 図５は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図である。 図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿って取られた断面図である。 図７の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図である。図７の（ｂ）部は、図７の（ａ）部のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線に沿って取られた断面図である。図７の（ｃ）部は、金属ベース上のベンチを模式的に示す側面図である。 図８の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図である。図８の（ｂ）部は、図８の（ａ）部のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線に沿って取られた断面図である。 図９の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図であり、図９の（ｂ）部は、図９の（ａ）部のＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿って取られた断面図である。 図１０の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図であり、図１０の（ｂ）部は、図１０の（ａ）部のＸｂ−Ｘｂ線に沿って取られた断面図である。

いくつかの具体例を説明する。

具体例に係る光モジュールは、（ａ）蓋部品、光学窓部品、金属ベース、リード端子、及び前記金属ベースと前記リード端子との間に設けられた絶縁部材を含むパッケージと、（ｂ）第１端面、第２端面、及び基板を含む半導体光素子と、を備え、前記金属ベースは、第１軸の方向に配列された前端及び後端を有し、前記金属ベースは、前記金属ベースの前記前端に第１開口を有し、前記光学窓部品は、前記金属ベースの前記前端上において第１基準面に沿って延在して前記第１開口を塞ぐ、前記金属ベースは、前記金属ベースの前記前端と前記後端との間に第２開口を有し、前記蓋部品は、前記第２開口を塞ぎ、前記金属ベースは、前記第１軸の方向に交差する第２軸の方向に前記第２開口から延在するキャビティを有し、前記金属ベースは、前記第１軸の方向に前記後端から延在する側壁を有し、前記側壁は、前記リード端子を受け入れる貫通孔を有し、前記半導体光素子は、前記キャビティ内において前記側壁上に設けられ、前記半導体光素子は、第２基準面に沿って前記第１端面から前記第２端面への方向に延在する活性層を有し、前記活性層及び前記基板は、前記第２基準面に直交すると共に前記第１端面及び前記第２端面に交差する第３基準面に沿って配列され、前記第２基準面及び前記第３基準面の少なくとも一方は、前記第１基準面に対して傾斜する。

この光モジュールによれば、半導体光素子はパッケージのキャビティ内において側壁上に設けられる。半導体光素子には、第２基準面に沿って延在する活性層が提供されると共に、活性層及び基板は第３基準面に沿って配列される。

このように、第２基準面及び第３基準面は、それぞれ、活性層の延在並びに活性層及び基板の配列に関連する。第２基準面及び第３基準面の少なくとも一方が第１基準面に対して傾斜することにより、半導体光素子は、パッケージの外面の向きから独立した向きに光の出射を為すことができる。

パッケージには金属ベース、絶縁部材及びリード端子を提供する。金属ベースは、金属加工により、パッケージの外観及びキャビティに所望の形状を提供できる。金属ベースは、リード端子から絶縁部材によって隔置される。

側壁には、リード端子のための貫通孔を提供できる。側壁の貫通孔は、リード端子が光出射の方向に干渉することを回避できる。

具体例に係る光モジュールでは、前記絶縁部材は、絶縁ビーズを含み、前記貫通孔は、前記蓋部品に交差する第４軸の方向に延在する。

光モジュールによれば、絶縁ビーズは貫通孔内に設けられる。貫通孔は、蓋部品に交差する方向に側壁を貫通する。この貫通孔は、リード端子が第３基準面の方向に側壁内を通過することを可能にする。

具体例に係る光モジュールでは、前記金属ベースは、前記後端から前記前端まで延在する側壁を有し、前記半導体光素子は、前記側壁上に設けられ、前記第２基準面が、前記第１基準面に対して傾斜する。

光モジュールによれば、側壁の内面の傾斜が第２基準面の傾斜を可能にする。

具体例に係る光モジュールは、前記光学窓部品と前記半導体光素子との間に設けられた光学部品を更に備え、前記光学部品及び前記半導体光素子は、前記第２基準面に沿って配置され、前記光学部品は、レンズ及び光アイソレータの少なくともいずれかを含む。

光モジュールによれば、第２基準面に沿って光学部品及び半導体光素子を配置すると、出射光が第１基準面に傾斜する第２基準面に沿って進む。

具体例に係る光モジュールでは、前記金属ベースは、前記後端から前記前端まで延在する側壁を有し、前記半導体光素子は、前記側壁上に設けられ、前記第３基準面が、前記第１基準面に対して傾斜する。

光モジュールによれば、側壁上において半導体発光素子を向き付けて、第３基準面の傾斜が可能になる。

具体例に係る光モジュールは、前記光学窓部品と前記半導体光素子との間に設けられた光学部品を更に備え、前記光学部品及び前記半導体光素子は、前記第３基準面に沿って配置され、前記光学部品は、レンズ及び光アイソレータの少なくともいずれかを含む。

光モジュールによれば、第３基準面に沿って光学部品及び半導体光素子を配置すると、出射光が第１基準面に傾斜する第３基準面に沿って進む。

具体例に係る光通信装置は、（ａ）具体例に係る光モジュールと、（ｂ）前記光モジュールを搭載する半導体光デバイスと、（ｃ）前記光モジュールを前記半導体光デバイスに固定する接着部材と、を備え、前記半導体光デバイスは、光カプラを有する。

光通信装置によれば、接着部材が光モジュールの光学窓部品と半導体光デバイスの主面との間に設けられて、光モジュールが光カプラに光学的に結合される。

具体例に係る光通信装置では、前記半導体光デバイスは、ボンディング可能な電極パッドと、該電極パッドに接続された前記半導体光素子を駆動する電流を生成する回路を有し、当該光通信装置は、前記光モジュールの前記リード端子を前記半導体光デバイスの前記パッド電極に接続する導電線を備え、前記リード端子は、前記金属ベースの外面に対して突出する。

光通信装置によれば、光モジュールのリード端子が、半導体光デバイスのパッド電極にボンディングワイヤを介して接続される。

具体例に係る光通信装置は、前記半導体光素子を駆動する電流を生成する回路を有する半導体デバイスと、前記半導体デバイス及び前記半導体光デバイスを搭載するリジットプリント回路基板と、前記光モジュールの前記リード端子及び前記プリント回路基板の導電体に固定されたフレキシブルプリント回路基板を備え、前記半導体デバイスは、前記リジットプリント回路基板及び前記フレキシブルプリント回路基板を介して前記光モジュールに接続される。

光通信装置によれば、光モジュールの金属ベースには、フレキシブルプリント回路基板を取り付け可能な外壁面を提供する。

本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、光モジュール及び光通信装置に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。

図１は、本実施形態に係る光モジュールの構成部品を示す分解図である。図２は、本実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。図３は、本実施形態に係る光モジュールのキャビティ内における半導体光素子及び光学部品の配置を模式的に示す図面である。

光モジュール１１は、半導体光素子１３及びパッケージ１５を含む。半導体光素子１３は、第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂを有し、第１端面１３ａは第２端面１３ｂの反対側にある。

パッケージ１５は、蓋部品１７、光学窓部品１９、金属ベース２１、リード端子２３、及び絶縁部材２５を含む。絶縁部材２５は、金属ベース２１とリード端子２３との間に設けられて、リード端子２３を金属ベース２１から絶縁する。リード端子２３は、半導体光素子１３に導電体を介して接続される。リード端子２３は、例えばピン形状を有する。

金属ベース２１は、前端２１ａ及び後端２１ｂを有し、前端２１ａ及び後端２１ｂは、第１軸Ａｘ１の方向に配列される。後端２１ｂは、前端２１ａの反対側にある。

金属ベース２１は、側壁３１及び天井壁３３を有する。天井壁３３は、金属ベース２１の後端２１ｂに設けられ、また側壁３１は、金属ベース２１の前端２１ａから後端２１ｂへの方向に向かう第１軸Ａｘ１の方向に後端２１ｂから前端２１ａまで延在する。

金属ベース２１は、金属ベース２１の前端２１ａに第１開口２７ａを有する。金属ベース２１は、前端２１ａと後端２１ｂとの間に第２開口２７ｂを有する。

金属ベース２１は、第１開口２７ａ及び第２開口２７ｂに繋がるキャビティ３９を有する。キャビティ３９は、第１軸Ａｘ１の方向に交差する第２軸Ａｘ２の方向に第２開口２７ｂから延在する。

半導体光素子１３は、キャビティ３９内において前端２１ａ及び後端２１ｂから離れており、前端２１ａと後端２１ｂとの間において金属ベース２１上に設けられる。具体的には、半導体光素子１３は、金属ベース２１の側壁３１上に設けられる。

第１開口２７ａは、例えば側壁３１又は底壁３２によって規定される。光学窓部品１９は、第１基準面Ｒ１ＥＦに沿って延在して第１開口２７ａを塞き、本実施例ではエポキシ樹脂といった接着材によりキャビティ３９８を気密に封止する。光学窓部品１９は、例えば板状の部材を含み、例えばガラスであることができる。

第２開口２７ｂは側壁３１及び天井壁３３によって規定される。蓋部品１７は、側壁３１及び天井壁３３上に設けられて第２開口２７ｂを塞ぐ。蓋部品１７は、例えば板状の部材を含み、本実施例ではエポキシ樹脂といった接着材によりキャビティ３９を気密に封止する。

光学窓部品１９、半導体光素子１３の第１端面１３ａ、及び半導体光素子１３の第２端面１３ｂは、第３軸Ａｘ３に沿って配列されて、半導体光素子１３及び光学窓部品１９の光学的結合を可能にする。

金属ベース２１は、リード端子２３を受け入れる貫通孔３７を有し、貫通孔３７は、前端２１ａと後端２１ｂとの間に位置する。具体的には、側壁３１は、貫通孔３７を有し、本実施例では、貫通孔３７は第１軸Ａｘ１及び第２軸Ａｘ２の方向に交差する第４軸Ａｘ４の方向に延在する。リード端子２３は、貫通孔３７内に設けられて、半導体光素子１３を接続するために使用される。

半導体光素子１３は、本実施例では、半導体レーザといった半導体発光素子であることができる。具体的には、図１に示されるように、半導体光素子１３は、基板１３ｃ、下部半導体層１３ｄ、活性層１３ｅ、上部半導体層１３ｆ、上部電極１３ｇ及び下部電極１３ｈを含む。下部半導体層１３ｄ、活性層１３ｅ、及び上部半導体層１３ｆは、基板１３ｃ上において、第１端面１３ａから第２端面１３ｂへの第３軸Ａｘ３の方向に延在する。半導体光素子１からの光は、光学窓部品１９を透過して、光モジュール１１の外に提供される。

図３の（ａ）部は、光モジュールを示す斜視図であり、図３の（ｂ）部及び（ｃ）部は、それぞれ、図３の（ａ）部に示されたＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線及びＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ線に沿って取られた断面を示す。本実施例では、図３の（ｂ）部は、第３基準面Ｒ３ＥＦに沿って取られており、図３の（ｃ）部は、第２基準面Ｒ２ＥＦに沿って取られている。

図３の（ｂ）部及び（ｃ）部を参照すると、本実施例では、活性層１３ｅが、第２基準面Ｒ２ＥＦに沿って延在する。また、上部電極１３ｇ、活性層１３ｅ、基板１３ｃ、及び下部電極１３ｈは、第３基準面Ｒ３ＥＦに沿って配列される。第３基準面Ｒ３ＥＦは、第２基準面Ｒ２ＥＦに直交すると共に、第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂの一方から他方への方向に延在して第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂに交差する。第２基準面Ｒ２ＥＦ及び第３基準面Ｒ３ＥＦの少なくとも一方は、第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜する。第２基準面Ｒ２ＥＦは、第１基準面Ｒ１ＥＦに対して角度Ａ１Ｇを成し、第３基準面Ｒ３ＥＦは、第１基準面Ｒ１ＥＦに対して角度Ａ２Ｇを成す。

光モジュール１１によれば、半導体光素子１３はパッケージ１５のキャビティ３９内において側壁３１上に設けられる。半導体光素子１３には、第２基準面Ｒ２ＥＦに沿って延在する活性層１３ｅが提供されると共に、活性層１３ｅ及び基板１３ｃは第３基準面Ｒ３ＥＦに沿って配列される。

このように、第２基準面Ｒ２ＥＦ及び第３基準面Ｒ３ＥＦは、それぞれ、活性層１３ｅの延在の傾斜並びに活性層１３ｅ及び基板１３ｃの配列の傾斜に関連する。第２基準面Ｒ２ＥＦ及び第３基準面Ｒ３ＥＦの少なくとも一方が第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜することにより、半導体光素子１３は、パッケージ１５の外形から独立した方向に光の出射を可能にする。

パッケージ１５には、金属ベース２１、リード端子２３及び絶縁部材２５を提供する。金属ベース２１は、金属加工により、パッケージ１５の外観及びキャビティ３９に所望の形状を提供できる。金属ベース２１は、リード端子２３から絶縁部材２５によって隔置される。

側壁３１には、リード端子２３のための貫通孔３７を提供できる。側壁３１の貫通孔は、リード端子２３が光出射の方向に干渉することを回避できる。

本実施例では、リード端子２３は、第１リード端子２３ａ及び第２リード端子２３ｂを包含する。絶縁部材２５は、第１絶縁部材２５ａ及び第２絶縁部材２５ｂを包含する。貫通孔３７は、第１貫通孔３７ａ及び第２貫通孔３７ｂを包含する。第１リード端子２３ａ及び第２リード端子２３ｂは、それぞれ、第１貫通孔３７ａ及び第２貫通孔３７ｂを通過して、キャビティ３９の内外にわたる電気接続を可能にする。第１リード端子２３ａ及び第２リード端子２３ｂは、それぞれ、第１絶縁部材２５ａ及び第２絶縁部材２５ｂによって金属ベース２１から絶縁される。

貫通孔３７は、第３基準面Ｒ３ＥＦに平行な平面に沿って延在することができる。貫通孔３７は、リード端子２３が、例えば蓋部品１７に交差する方向に延在する第４軸Ａｘ４の方向に側壁３１を貫通することを可能にする。可能な場合には、貫通孔３７は、半導体光素子１３の活性層１３ｅ及び基板１３ｃの一方から他方への方向に側壁３１を貫通するようにしてもよい。

図３の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、リード端子２３は、側壁３１の内側面を基準にしてキャビティ３９内に突出している。リード端子２３の内側突出部は、半導体光素子１３に導電線２０により接続される。必要な場合には、リード端子２３は、側壁３１の外側面を基準にして突出することができる。リード端子２３の外側突出部は、外部デバイスへの電気接続に利用される。

図１を参照すると、光モジュール１１は、光学窓部品１９と半導体光素子１３との間に設けられた光学部品４１を更に備えることができる。光学部品４１は、レンズ４１ａ及び光アイソレータ４１ｂの少なくともいずれかを含む。本実施例では、半導体光素子１３は、例えばレンズ４１ａ及び光アイソレータ４１ｂを介して光学窓部品１９に光学的に結合される。

本実施例では、金属ベース２１の側壁３１は、第１側壁部３１ａ、第２側壁部３１ｂ、及び第３側壁部３１ｃを有する。第１側壁部３１ａ、第２側壁部３１ｂ、及び第３側壁部３１ｃは、後端２１ｂ、具体的には天井壁３３から前端２１ａまで第１軸Ａｘ１の方向に延在する。第２側壁部３１ｂ及び第３側壁部３１ｃは、第１側壁部３１ａの両縁に位置する。

本実施例では、金属ベース２１は、さらに、底壁３２を含み、底壁３２は前端２１ａに位置する。底壁３２には、第１開口２７ａが設けられる。底壁３２、天井壁３３、第２側壁部３１ｂ及び第３側壁部３１ｃは、第２開口２７ｂを規定して、底壁３２、天井壁３３、第２側壁部３１ｂ及び第３側壁部３１ｃは、実質的に同じ高さを有しており、これらの壁の上端面のところで蓋部品１７を支持してキャビティ３９の気密封止を容易にする。

図１を参照すると、半導体光素子１３は、キャビティ３９内において側壁３１の内側面上に設けられる。本実施例では、半導体光素子１３及び光学部品４１は、第１側壁部３１ａの内側面上に配置されて、光学窓部品１９に光学的に結合される。具体的には、半導体光素子１３及びレンズ４１ａは、ベンチといった搭載部材４３上に搭載されて、互いに光学的に位置合わせされて、組立体４５を成す。組立体４５及び光アイソレータ４１ｂは、側壁３１の内側面上においてアクティブ調芯されて、第２基準面Ｒ２ＥＦ及び第３基準面Ｒ３ＥＦの少なくとも一方が第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜するように、半導体光素子１３を含む組立体４５及び光アイソレータ４１ｂが光学窓部品１９に光学的に結合される。

絶縁部材２５は、例えばガラスであることができ、例えば絶縁ビーズを含む。蓋部品１７は、例えばガラスであることができる。蓋部品１７は、エポキシ樹脂といった接着材によって気密に封止されることができる。また、光学窓部品１９は、例えばガラスであることができる。光学窓部品１９は、エポキシ樹脂といった接着材によって気密に封止されることができる。

貫通孔３７は、第１側壁部３１ａ、第２側壁部３１ｂ、及び第３側壁部３１ｃのいずれかに設けられることができ、本実施例では、貫通孔３７は、第１側壁部３１ａに位置して第４軸Ａｘ４の方向に向く。貫通孔３７は、絶縁部材２５を用いてリード端子２３を保持すると共に、絶縁部材２５は貫通孔３７に位置してキャビティ３９を気密に封止するために役立つ。

半導体光素子１３は半導体レーザを含む。図３の（ｂ）部及び（ｃ）部は、キャビティ３９内における組立体４５及び光アイソレータ４１ｂの典型的な配置を示す。

図３の（ｂ）部に示されるように、蓋部品１７は、底壁３２、天井壁３３、第２側壁部３１ｂ及び第３側壁部３１ｃ上に第４基準面Ｒ４ＥＦに沿って置かれる。第４基準面Ｒ４ＥＦは、第１基準面Ｒ１ＥＦに交差する。

金属ベース２１は、例えばプレス加工により作製されることができる。金属ベース２１は、例えば銅または鉄であることができる。金属板といった金属体のプレス加工により、側壁３１、底壁３２及び天井壁３３が一体に形成されて、金属ベース２１を提供する。プレス加工により金属体が変形して、第２開口２７ｂ及びキャビティ３９が規定される（可能な場合には、第１開口２７ａ）。キャビティ３９は、天井壁３３、第２側壁部３１ｂ及び第３側壁部３１ｃ（存在する場合には底壁３２）の内側面、並びに第１側壁部３１ａの内側面によって規定される。

（具体的な配置例１）
図３の（ｂ）部の断面に示されるように、キャビティ３９は、第５基準面Ｒ５ＥＦに沿って形成されることができる。第５基準面Ｒ５ＥＦは、第１基準面Ｒ１ＥＦ及び第４基準面Ｒ４ＥＦの少なくとも一方に対してゼロより大きく９０度より小さい角度で傾斜する。

例えば、第５基準面Ｒ５ＥＦは、第１基準面Ｒ１ＥＦ及び第４基準面Ｒ４ＥＦの両方に対して傾斜する。キャビティ３９の該傾斜は、底壁３２及び天井壁３３の内側面３２ａ、３３ａ（キャビティ３９の前内面及び後内面）を第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜させると共に、第１側壁部３１ａの第１内面３１ａａ（キャビティ３９の底面）を第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜させる。キャビティ３９の前内面は、第２開口２７ｂを規定する金属ベース２１の端面２１ｃに対して鈍角を成し、キャビティ３９の後内面は、該端面に対して鋭角を成す。第５基準面Ｒ５ＥＦは、第４基準面Ｒ４ＥＦに対して例えば９５度から１１０度の範囲の角度で傾斜する。必要な場合には、キャビティ３９の向きに関して。第５基準面Ｒ５ＥＦが、第１基準面Ｒ１ＥＦ及び第４基準面Ｒ４ＥＦに対して大きな角度で傾斜すると共に、第３基準面Ｒ３ＥＦが第４基準面Ｒ４ＥＦに対して実質的に直交することができる。第２開口２７ｂから延在するキャビティ３９の向き付けは、プレズ加工におけるプレス方向に応じて規定される。

本実施例では、リード端子２３及び貫通孔３７は、第４基準面Ｒ４ＥＦに実質的に直交する方向に延在することができる。

可能な場合には、半導体光素子１３及び光学窓部品１９は、第２基準面Ｒ２ＥＦが第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜すると共に第３基準面Ｒ３ＥＦが第１基準面Ｒ１ＥＦに対して実質的に直角であるように、配列されることができる。本実施例では、設計において第２基準面Ｒ２ＥＦの向きがレーザ光の出射方向を規定するように、第３基準面Ｒ３ＥＦは第１基準面Ｒ１ＥＦ及び第４基準面Ｒ４ＥＦに対して実質的に直角であることができる。角度Ａ１Ｇは、例えば８５度から７０度の範囲にある。

図１及び図３の（ｂ）部を参照しながら、金属ベース２１の具体例を説明する。

側壁３１の第１側壁部３１ａは、前端２１ａから後端２１ｂへの方向に延在する第１内面３１ａａ及び第１外面３１ａｂを有する。第１側壁部３１ａは、第１軸Ａｘ１の方向に変化する厚さを有する部分を有し、この厚さは、第１外面３１ａｂから第１内面３１ａａまでの距離として規定される。第１側壁部３１ａの該部分において、第１内面３１ａａは、第１外面３１ａｂに対してゼロより大きく９０度より小さい角度で傾斜するエリアを有する。組立体４５は、このエリア上に設けられる。本実施例では、該エリアは、底壁３２の内側面の下端を天井壁３３の内側面の下端に繋ぐ。半導体光素子１３は第１内面３１ａａの該エリア上に設けられる。上記の傾斜は、キャビティ３９の向き付け（第２軸Ａｘ２）に関連付けられる。

光モジュール１１によれば、第１内面１ａａの傾斜が半導体光素子１３の活性層１３ｅの向きを規定する。

天井壁３３は、内面３３ａａ及び外面３３ａｂを有する。天井壁３３は、第２軸Ａｘ２又は第４軸Ａｘ４の方向に変化する厚さを有する部分を有し、この厚さは、外面３３ａｂから内面３３ａａまでの距離として規定される。内面３３ａａは、外面３３ａｂに対してゼロより大きく９０度より小さい角度で成すエリアを有する。この傾斜は、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、キャビティ３９の向き付け（第２軸Ａｘ２）に関連付けられる。本実施例では、第２開口２７ｂの位置（端面２１ｃのレベル）における内面３３ａａと外面３３ａｂとの間隔は、キャビティ３９の後側の底における内面３３ａａと外面３３ａｂとの間隔より大きい。

底壁３２は、内面３２ａａ及び外面３２ａｂを有する。底壁３２は、第２軸Ａｘ２又は第４軸Ａｘ４の方向に変化する厚さを有する部分を有し、この厚さは、外面３２ａｂから内面３２ａａまでの距離として規定される。内面３２ａａは、外面３２ａｂに対してゼロより大きく９０度より小さい角度で成すエリアを有する。この傾斜は、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、キャビティ３９の向き付け（第２軸Ａｘ２）に関連付けられる。本実施例では、第２開口２７ｂの位置（端面２１ｃのレベル）における内面３２ａａと外面３２ａｂとの間隔は、キャビティ３９の前底における内面３２ａａと外面３２ａｂとの間隔より大きい。

側壁３１の第２側壁部３１ｂは、前端２１ａから後端２１ｂへの方向に延在する第２内面３１ｂａ及び第２外面３１ｂｂを有する。本実施例では、第２側壁部３１ｂは、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、実質的に同じ厚さを有する。しかしながら、第２側壁部３１ｂは、キャビティ３９の向き付けに応じて、天井壁３３及び底壁３２のように、第１軸Ａｘ１の方向に変化する厚さを有することができる。

第３側壁部３１ｃは、前端２１ａから後端２１ｂへの方向に延在する第３内面３１ｃａ及び第３外面３１ｃｂを有する。本実施例では、第３側壁部３１ｃは、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、実質的に同じ厚さを有する。しかしながら、第３側壁部３１ｃは、キャビティ３９の向き付けに応じて、天井壁３３及び底壁３２のように、第１軸Ａｘ１の方向に変化する厚さを有することができる。

（具体的な配置例２）
図３の（ｃ）部の断面に示されるように、第３基準面Ｒ３ＥＦは、第１基準面Ｒ１ＥＦに対して傾斜する。この傾斜によれば、半導体光素子１３及びレンズ４１ａは、第１側壁部３１ａの第１内面３１ａａ（キャビティ３９の底面）上において第３軸Ａｘ３の方向及び第３基準面Ｒ３ＥＦに沿って配置される。本実施例では、第３軸Ａｘ３は第１軸Ａｘ１に対してゼロより大きく９０度より小さい角度で傾斜する。角度Ａ２Ｇは、例えば８５度から７０度の範囲の角度にあることができる。第３軸Ａｘ３は第１軸Ａｘ１に対して例えば５度から２０度の範囲の角度であることができる。

キャビティ３９は、第２開口２７ｂから第４軸Ａｘ４の方向に延在するように向き付けられることができる。底壁３２及び天井壁３３の内側面３２ａ、３３ａ（キャビティ３９の前内面及び後内面）並びに側壁３１の第２側壁部３１ｂ及び第３側壁部３１ｃの第２内面３１ｂａ及び第３内面３１ｃａ（キャビティ３９の一対の側内面）は、第４軸Ａｘ４の方向に延在する。一方、リード端子２３及び貫通孔３７が、第４軸Ａｘ４の方向に延在する。

可能な場合には、半導体光素子１３及び光学窓部品１９は、第１基準面Ｒ１ＥＦが第３基準面Ｒ３ＥＦに対して傾斜すると共に第２基準面Ｒ２ＥＦが第１基準面Ｒ１ＥＦに対して実質的に直角であるように、配列されることができる。本実施例では、設計において第３軸Ａｘ３の向きがレーザ光の出射方向を規定するように、第２軸Ａｘ２及び第４軸Ａｘ４は、第４基準面Ｒ４ＥＦに対して実質的に直角であることができる。第４基準面Ｒ４ＥＦは、第２基準面Ｒ２ＥＦに対して実質的に平行であることができる。

図３の（ｃ）部を参照しながら、金属ベース２１の具体例を説明する。第４軸Ａｘ４が第２軸Ａｘ２と同じ向きであって、キャビティ３９は、第４軸Ａｘ４の方向に第２開口２７ｂから延在する。

側壁３１の第１側壁部３１ａは、前端２１ａから後端２１ｂへの方向に延在する第１内面３１ａａ及び第１外面３１ａｂを有する。本実施例では、第１側壁部３１ａは、実質的に同じ厚さを有する。光モジュール１１によれば、第１内面１ａａ上における組立体４５の向き付けが、半導体光素子１３の活性層の向きを規定する。

第２側壁部３１ｂは、前端２１ａから後端２１ｂへの方向に延在する第２内面３１ｂａ及び第２外面３１ｂｂを有する。本実施例では、第２側壁部３１ｂは、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、実質的に同じ厚さを有する。

第３側壁部３１ｃは、前端２１ａから後端２１ｂへの方向に延在する第３内面３１ｃａ及び第３外面３１ｃｂを有する。本実施例では、第３側壁部３１ｃは、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、実質的に同じ厚さを有する。

天井壁３３は、内面３３ａａ及び外面３３ａｂを有する。本実施例では、天井壁３３は、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、実質的に同じ厚さを有する。

底壁３２は、内面３２ａａ及び外面３２ａｂを有する。本実施例では、底壁３２は、プレス加工における僅かな抜きテーパー角が差異を生じさせる可能性があるが、実質的に同じ厚さを有する。

図４は、本実施例に係る光通信装置を示す平面図である。図５は、図４に示されたＶ−Ｖ線に沿って取られた断面を示す。光モジュール１１ａは、配置例１に係る構造に類似する構造を有する。光モジュール１１ｂは、配置例２に係る構造に類似する構造を有する。

光通信装置５１は、光モジュール１１ａ、１１ｂと、半導体光デバイス５３と、接着部材５７ａ、５７ｂとを備える。半導体光デバイス５３は、光モジュール１１ａ、１１ｂを搭載する。光モジュール１１ａ、１１ｂは、接着部材５７ａ、５７ｂを用いて半導体光デバイス５３に固定される。接着部材５７ａ、５７ｂは、例えばエポキシ樹脂を含むことができる。半導体光デバイス５３は、その主面５３ａに沿って設けられたグレーティングカプラといった光カプラ５３ｂ、５３ｃを有する。半導体光デバイス５３は、例えばシリコンフォトニクス素子であることができる。

光通信装置５１によれば、接着部材５７ａ、５７ｂが光モジュール１１ａ、１１ｂの光学窓部品１９と半導体光デバイス５３の主面５３ａとの間に設けられて、光モジュール１１ａ、１１ｂがそれぞれの光カプラ５３ｂ、５３ｃに光学的に結合される。具体的には、光モジュール１１ａ、１１ｂの各々は、アクティブ調芯により半導体光デバイス５３に位置合わせされる。

半導体光デバイス５３は、光導波路構造５３ｄ、５３ｅと、光変調器及びフォトダイオードといった光回路５３ｆと、ボンディング可能な電極パッド５３ｇと、電気回路５３ｈとを備える。電気回路５３ｈは、半導体レーザといった半導体光素子１３を駆動する電流を生成する。光カプラ５３ｂ、５３ｃは、光導波路構造５３ｄ、５３ｅを介して光回路５３ｆに光学的に結合される。

本実施例では、光モジュール１１ａのリード端子２３が、金属ベース２１の側壁３１から突出する。電極パッド５３ｇが、ボンディングワイヤといった導電線を介してリード端子２３の側面に接続されて、光モジュール１１ａの半導体光素子１３は、電気回路５３ｈによって駆動される。半導体光素子１３からのレーザ光は、光カプラ５３ｂ及び光導波路構造５３ｄを介して光回路５３ｆに供給されて、光回路５３ｆはレーザ光を処理する。

光通信装置５１は、さらに、半導体デバイス５９、リジットプリント回路基板６１、及びフレキシブルプリント回路基板６３を含む。半導体デバイス５９は、半導体光素子１３を駆動する電流を生成する回路を有する。リジットプリント回路基板は、半導体光デバイス５３及び半導体デバイス５９を搭載すると共に、半導体光デバイス５３及び半導体デバイス５９に接続される。

本実施例では、光モジュール１１ｂにおけるリード端子２３は、金属ベース２１の側壁３１から突出する。フレキシブルプリント回路基板６３が、光モジュール１１ｂにおける金属ベース２１の側壁３１に取り付けられる。フレキシブルプリント回路基板６３は、リジットプリント回路基板６１に接続される。

光モジュール１１ｂは、フレキシブルプリント回路基板６３及びリジットプリント回路基板６１を介して半導体デバイス５９に接続されて、光モジュール１１ｂの半導体光素子１３は、半導体デバイス５９によって駆動される。半導体光素子１３からのレーザ光は、光カプラ５３ｂ及び光導波路構造５３ｅを介して光回路５３ｆに供給されて、光回路５３ｆはレーザ光を処理する。

必要な場合には、光モジュール１１ａが、フレキシブルプリント回路基板６３及びリジットプリント回路基板６１を介して半導体デバイス５９に接続されることができる。また、光モジュール１１ｂが、ボンディングワイヤを介して電極パッド５３ｇに接続されることができる。

必要な場合には、光通信装置５１は、光モジュール１１ａ及び光モジュール１１ｂのいずれか一方を備えることができる。

光通信装置５１は、ハウジング６５を含み、ハウジング６５は、光モジュール１１ａ、１１ｂ、半導体光デバイス５３、半導体デバイス５９、及びリジットプリント回路基板６１を収容することができる。光通信装置５１は、ハウジング６５と光モジュール１１ａ、１１ｂの天井壁３３との間に設けられるシリコングリースといった放熱部材６７を備える。光モジュール１１ａ、１１ｂの金属ベース２１、例えば（側壁３１及び天井壁３３）は、半導体光素子１３からの熱をハウジング６５に伝える放熱経路を形成する。

光通信装置５１は、以下のように作製される。半導体光デバイス５３及び半導体デバイス５９をリジットプリント回路基板６１上に固定する。光モジュール１１ａ及び光モジュール１１ｂは、半導体光デバイス５３上に置かれて、それぞれの光カプラ５３ｂ、５３ｃにアクティブ調芯される。この調芯の後に、光モジュール１１ａ、１１ｂは、樹脂接着材により、リジットプリント回路基板６１に固定される。光モジュール１１ａ、１１ｂにおけるリード端子２３は、それぞれ、半導体光デバイス５３及び半導体デバイス５９に接続される。光学調芯及び電気接続の後に、リジットプリント回路基板６１はハウジング６５内に固定される。ハウジング６５の天板と光モジュール１１ａ、１１ｂの天井壁３３との間にシリコングリースを満たす。

光モジュール１１ａを作製する方法を説明する。

図６の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図であり、図６の（ｂ）部は、図６の（ａ）部のＶＩ−ＶＩ線に沿って取られた断面図である。図７の（ａ）部は、ベンチを示す平面図であり、図７の（ｂ）部は、図７の（ａ）部のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線に沿って取られた断面図である。図７の（ｃ）部は、金属ベース上のベンチを模式的に示す側面図である。

この方法は、パッケージ１５及びベンチ６９を準備する工程を含む。金属プレス加工により作製された金属ベース２１を準備する。金属ベース２１の貫通孔３５に絶縁ビーズ及びリード端子２３を挿入すると共にリード端子２３を金属ベース２１に固定して、パッケージ１５を準備する。絶縁部材２５として絶縁ビーズを用いると、金属ベース２１とリード端子２３との間の熱伝導性を小さくできる。

金属ベース２１を準備した後に、図７の（ａ）部及び（ｂ）部に示されるように、パッケージ１５の金属ベース２１（例えば、キャビティ３９の底面）上にベンチ６９を位置決めする。ベンチ６９は、シリコン製ベース６９ａ、裏面金属６９ｂ、金属電極６９ｃ、ハンダ材６９ｄ、有底孔６９ｅ、及びハンダ材６９ｆを備える。裏面金属６９ｂはシリコン製ベース６９ａの裏面に設けられる。ハンダ材６９ｆは、裏面金属６９ｂに設けられる。

ハンダ材６９ｆを用いて、ベンチ６９を金属ベース２１の第１側壁部３１ａに固定する。次いで、半導体光素子１３をベンチ６９に位置合わせする。シリコン製ベース６９ａの上面に位置する金属電極６９ｃ上にハンダ材６９ｄを用いて半導体光素子１３を固定する。

半導体光素子１３の上部電極１３ｇ及びベンチ６９の金属電極６９ｃをパッケージ１５のリード端子２３に導電線２０を用いて接続する。

必要な場合には、フレキシブルプリント回路基板６３をパッケージ１５のリード端子２３に半田材で取り付ける。この際、第１側壁部３１ａの第１外面３１ａｂ上に沿った形でフレキシブルプリント回路基板６３を配置することができる。このフレキシブルプリント回路基板６３をパッケージ１５のリード端子２３に半田材で取り付ける際、金属ベース２１とリード端子２３の間には熱伝導性の小さい絶縁ビーズが存在するので、リード端子２３にフレキシブルプリント回路基板６３を半田付けする際に付随的に生じる金属ベース２１の温度上昇を小さく抑えることができる。本実施例では、フレキシブルプリント回路基板６３をパッケージ１５に取り付けることなく、次工程を行う。

図８の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図であり、図８の（ｂ）部は、図８の（ａ）部のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線に沿って取られた断面図である。シリコン製ベース６９ａの上面に位置する有底孔６９ｅに、ボールレンズといったレンズ４１ａを樹脂接着材により固定すると共に、光アイソレータ４１ｂをパッケージ１５の第１側壁部３１ａの第１内面３１ａａ上に樹脂接着材により取り付ける。

図９の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図であり、図９の（ｂ）部は、図９の（ａ）部のＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿って取られた断面図である。光アイソレータ４１ｂは、部分的に、第１開口２７ａ内に位置する。

ベンチ６９及びパッケージ１５に半導体光素子１３及び光学部品４１を取り付けた後に、図９の（ａ）部に示されるように、第１開口２７ａを塞ぐように、光学窓部品１９を金属ベース２１の底壁３２上に樹脂接着材により固定する。光学窓部品１９は、反射防止膜を有する。半導体光素子１３に係る光は、光学窓部品１９を透過できる。

パッケージ１５に光学窓部品１９を取り付けた後に、図９の（ｂ）部に示されるように、第２開口２７ｂを塞ぐように、蓋部品１７を金属ベース２１の側壁３１、底壁３２及び天井壁３３上に樹脂接着材により固定する。これらの工程により、光モジュール１１ａが作製された。

光モジュール１１ｂを作製する方法を説明する。光モジュール１１ａを作製する方法と同様に、ベンチ６９をパッケージ１５に固定する工程、ベンチ６９及びパッケージ１５に半導体光素子１３及び光学部品４１を固定する工程、光学窓部品１９を金属ベース２１に固定する工程を行う。

図１０の（ａ）部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す平面図であり、図１０の（ｂ）部は、図１０の（ａ）部のＸｂ−Ｘｂ線に沿って取られた断面図である。

図１０の（ａ）部に示されるように、第１開口２７ａを塞ぐように、光学窓部品１９を金属ベース２１の底壁３２上に樹脂接着材により固定する。

パッケージ１５に光学窓部品１９を取り付けた後に、図１０の（ｂ）部に示されるように、第２開口２７ｂを塞ぐように、蓋部品１７を金属ベース２１の側壁３１、底壁３２及び天井壁３３上に樹脂接着材により固定する。これらの工程により、光モジュール１１ｂが作製された。

好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。

以上説明したように、本実施形態によれば、光ファイバを用いることなく外部デバイスに光結合可能であると共に外部デバイスに妨げられることなく電気的接続を可能にする構造を有する光モジュールを提供でき、また光モジュールを含む光モジュールを含む光通信装置を提供できる。

１１、１１ａ、１１ｂ…光モジュール、１３…半導体光素子、１３ａ…第１端面、１３ｂ…第２端面、１３ｃ…基板、１３ｄ…下部半導体層、１３ｅ…活性層、１３ｆ…上部半導体層、１３ｇ…上部電極、１３ｈ…下部電極、１５…パッケージ、１７…蓋部品、１９…光学窓部品、２１…金属ベース、２３…リード端子、２５…絶縁部材、２７ａ…第１開口、２７ｂ…第２開口、３１…側壁、３２…底壁、３３…天井壁、３７…貫通孔、３９…キャビティ、Ａｘ１…第１軸、Ａｘ２…第２軸、Ａｘ３…第３軸、Ａｘ４…第４軸、Ｒ１ＥＦ…第１基準面、Ｒ２ＥＦ…第２基準面、Ｒ３ＥＦ…第３基準面。

Claims (9)

1. 光モジュールであって、
   蓋部品、光学窓部品、金属ベース、リード端子、及び前記金属ベースと前記リード端子との間に設けられた絶縁部材を含むパッケージと、
   第１端面、第２端面、及び基板を含む半導体光素子と、
   を備え、
   前記金属ベースは、第１軸の方向に配列された前端及び後端を有し、
   前記金属ベースは、前記前端に第１開口を有し、
   前記金属ベースは、前記前端と前記後端との間に第２開口を有し、
   前記光学窓部品及び前記蓋部品は、それぞれ、前記第１開口及び前記第２開口を塞ぎ、
   前記光学窓部品は、前記金属ベースの前記前端上において第１基準面に沿って延在し、
   前記金属ベースは、前記リード端子を受け入れる貫通孔を前記前端と前記後端との間に有し、
   前記金属ベースは、前記第１軸の方向に交差する第２軸の方向に前記第２開口から延在するキャビティを有し、
   前記半導体光素子は、前記前端と前記後端との間において前記前端及び前記後端から離れて前記キャビティ内の前記金属ベース上に設けられ、
   前記半導体光素子は、前記第１端面から前記第２端面への方向に第２基準面に沿って延在する活性層を有し、
   前記活性層及び前記基板は、前記第２基準面に直交すると共に前記第１端面及び前記第２端面に交差する第３基準面に沿って配列され、
   前記第２基準面及び前記第３基準面の少なくとも一方は、前記第１基準面に対して傾斜する、光モジュール。
2. 前記絶縁部材は、絶縁ビーズを含み、
   前記貫通孔は、前記蓋部品に交差する第４軸の方向に延在する、請求項１に記載された光モジュール。
3. 前記金属ベースは、前記後端から前記前端まで延在する側壁を有し、
   前記半導体光素子は、前記側壁上に設けられ、
   前記第２基準面が、前記第１基準面に対して傾斜する、請求項１又は請求項２に記載された光モジュール。
4. 前記光学窓部品と前記半導体光素子との間に設けられた光学部品を更に備え、
   前記光学部品及び前記半導体光素子は、前記第２基準面に沿って配置され、
   前記光学部品は、レンズ及び光アイソレータの少なくともいずれかを含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載された光モジュール。
5. 前記金属ベースは、前記後端から前記前端まで延在する側壁を有し、
   前記半導体光素子は、前記側壁上に設けられ、
   前記第３基準面が、前記第１基準面に対して傾斜する、請求項１、請求項２又は請求項４に記載された光モジュール。
6. 前記光学窓部品と前記半導体光素子との間に設けられた光学部品を更に備え、
   前記光学部品及び前記半導体光素子は、前記第３基準面に沿って配置され、
   前記光学部品は、レンズ及び光アイソレータの少なくともいずれかを含む、請求項１、請求項２又は請求項５に記載された光モジュール。
7. 光通信装置であって、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載された光モジュールと、
   前記光モジュールを搭載する半導体光デバイスと、
   前記光モジュールを前記半導体光デバイスに固定する接着部材と、
   を備え、
   前記半導体光デバイスは、光カプラを有する、光通信装置。
8. 前記半導体光デバイスは、ボンディング可能な電極パッドと、該電極パッドに接続された前記半導体光素子を駆動する電流を生成する回路を有し、
   当該光通信装置は、前記光モジュールの前記リード端子を前記半導体光デバイスの前記電極パッドに接続する導電線を備え、
   前記リード端子は、前記金属ベースの外壁面に対して突出する、請求項７に記載された光通信装置。
9. 前記半導体光素子を駆動する電流を生成する回路を有する半導体デバイスと、
   前記半導体デバイス及び前記半導体光デバイスを搭載するリジットプリント回路基板と、
   前記光モジュールの前記リード端子及び前記リジットプリント回路基板の導電体に固定されたフレキシブルプリント回路基板と、
   を備え、
   前記半導体デバイスは、前記リジットプリント回路基板及び前記フレキシブルプリント回路基板を介して前記光モジュールに接続される、請求項７に記載された光通信装置。

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