JP2020194857A - ウェーハ外周歪みの評価方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、表面の研磨によるウェーハ外周部の歪みの測定手法において、従来の測定対象であったエピタキシャルウェーハと多結晶膜を研磨によって除去した多結晶膜が形成されたウェーハそれぞれの外周歪み量を測定し、歪み量の一致率について調査した。
多結晶膜表面を研磨除去しなかった(除去量0μm)こと以外の条件は実施例1と同様として評価を行った。その結果、一致率は42%であり一致率が十分ではなかった。
気相エッチングにより多結晶膜表面の除去を行い、ウェーハ外周部の歪みの評価を行った。実施例1の多結晶膜の表面を0.8μm研磨した多結晶膜が形成されたウェーハと、多結晶膜をエッチングによって除去した多結晶膜が形成されたウェーハそれぞれの外周歪み量を測定し、歪み量の一致率について調査した。
液相エッチングにより多結晶膜表面の除去を行い、ウェーハ外周部の歪みの評価を行った。実施例1の多結晶膜の表面を0.8μm研磨した多結晶膜が形成されたウェーハと、多結晶膜をエッチングによって除去した多結晶膜が形成されたウェーハそれぞれの外周歪み量を測定し、歪み量の一致率について調査した。
多結晶膜表面を除去しなかった(除去量0μm)こと以外の条件は実施例1と同様とした場合の一致率は45%であり一致率が十分ではなかった。
3…サセプタ、3a…ポケット部、4…ガス供給口、5…ガス排出口、6…加熱部、
10…測定装置、11…レーザー発生部、12…検出部、13…処理部、
20…ウェーハの最外周、21…測定除外領域(評価除外領域)、22…歪み測定領域、
31…赤外レーザー、32…透過してくる光。
Claims (5)
- 表面に多結晶膜が形成されたウェーハの外周歪みの評価方法であって、
前記多結晶膜の表面を除去する前処理をし、
その後、前記ウェーハの外周の裏面から赤外レーザーを入射させ、
前記ウェーハを透過した後の前記赤外レーザーの偏光度から前記ウェーハの外周歪みを評価することを特徴とするウェーハの外周歪みの評価方法。 - 前記前処理を、研磨、及び/又は、エッチングにより行うことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの外周歪みの評価方法。
- 前記前処理を、研磨により行い、表面を厚さ0.2μm以上研磨除去することを特徴とする請求項2に記載のウェーハの外周歪みの評価方法。
- 前記前処理を、エッチングにより行い、表面を厚さ0.5μm以上エッチング除去することを特徴とする請求項2に記載のウェーハの外周歪みの評価方法。
- 前記前処理を、気相エッチング、及び/又は、液相エッチングで行うことを特徴とする請求項2又は4に記載のウェーハの外周歪みの評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP6702485B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021245741A1 (ja) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ外周歪みの評価方法 |
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JP2019204912A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 信越半導体株式会社 | 評価方法 |
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JP2019204912A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 信越半導体株式会社 | 評価方法 |
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JP6702485B1 (ja) | 2020-06-03 |
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