JP2020191344A - 配線基板および実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】設計の自由度と信頼性を維持しつつ、電子部品を配線基板に高密度で実装することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板を、基板１と、穴２と、電子部品３と、第１の導電部４と、第２の導電部５を備える構成とする。基板１は、配線層と、絶縁層が積層されている。穴２は、基板１を貫通し、基板１の第１の面の開口部の第１の径が第２の面の開口部の第２の径よりも大きい。電子部品３は、穴２の内部に挿入され、第１の面側に第１の電極を有し、第２の面側に第２の電極を有する。第１の導電部４は、電子部品３よりも第１の面側の穴２の側壁と電子部品３の第１の電極が形成された面全体に形成され、第１の電極と第１の面上の配線を接続している。第２の導電部５は、電子部品３よりも第２の面側の穴２の側壁と電子部品３の第２の電極が形成された面に形成され、第２の電極と第２の面上の配線を接続している。【選択図】 図１

Description

本発明は、電子装置に用いられる配線基板に関するものであり、特に、配線基板への電子部品の実装技術に関するものである。

電子装置の小型化、高性能化とともに、電子装置に用いられる基板の高密度化と、伝送する信号の高速化が進み、高い信頼性も求められるようになっている。また、信号の伝送速度の向上に伴い、信号配線上に信号のチャネルごとにコンデンサを実装する構造が用いられることがある。表面にコンデンサ等の電子部品を実装すると、電子部品を接続するパッドを基板表面に配置する必要がある。

パッドに電子部品を接続する構成とした場合に、パッドを形成した層に隣接する層に電源層やＧＮＤ層が存在すると、パッドの導電部と電源層やＧＮＤ層に間に生じる寄生容量が信号の遅延の要因になり得る。そのような場合には、寄生容量を低減するため、パッドに隣接する部分の電源層やＧＮＤ層をパッドの形状に合わせてくり抜くような構造が用いられる。しかし、電源線やＧＮＤ線をパッドの形状に合わせてくり抜く場合には、パッドに隣接する部分に電源層やＧＮＤ層の配線パターンを配置できないため、配線設計に制約が生じ得る。そのため、必要な電子部品を基板に実装する際に、基板表面に実装されている部品数を抑制できることが望ましい。そのような、基板表面に実装されている部品数を抑制する技術としては、例えば、特許文献１のような技術が開示されている。

特許文献１の配線基板は、スルーホールの側壁に開けられた２個のざぐり穴に電極が挿入されたコンデンサを有している。特許文献１のコンデンサの電極は、めっき処理によって形成された導電部を介して基板表面の配線層と接続されている。特許文献１の配線基板では、コンデンサは、基板の平面方向に平行に２個の電極が位置するように、スルーホール内に実装されている。特許文献１は、そのようにスルーホール内に電子部品を実装することで、基板表面に実装させる電子部品の数を抑制し、実装密度を向上することができるとしている。

特開２００１−２９８２７３号公報

しかしながら、特許文献１の技術は、次のような点で十分ではない。特許文献１の配線基板は、スルーホール内に基板の平面に平行な方向に電極が並ぶように電子部品を有している。特許文献１では、スルーホールの側壁のフラッシュめっきを施したざぐり穴に、電子部品が挿入され、めっき処理によってざぐり穴に形成される導電部とコンデンサの電極が接続されている。その際に、特許文献１では、電子部品は、良好な接続状態を保つため、フラッシュめっきが部分的に削りとられるくらいまでざぐり穴に押し込まれる。そのため、特許文献１の技術では、電子部品を押し込む際に電子部品に力がかかり、電子部品に不良が生じる恐れがある。また、電子部品の電極とフラッシュめっき上にめっき処理を施す際に、接点の被覆が不十分となり接続不良や信頼性の低下が生じ得る。そのため、特許文献１の技術は、設計の自由度や信頼性を維持しつつ、電子部品を配線基板に高密度で実装する技術としては十分ではない。

本発明は、上記の課題を解決するため、設計の自由度や信頼性を維持しつつ、電子部品を配線基板に高密度で実装することができる配線基板を提供することを目的としている。

上記の課題を解決するため、本発明の配線基板は、基板と、穴と、電子部品と、第１の導電部と、第２の導電部を備えている。基板は、配線層と、絶縁層が積層されている。穴は、基板を貫通し、基板の第１の面の開口部の第１の径が第２の面の開口部の第２の径よりも大きい。電子部品は、穴の内部に挿入され、第１の面側に第１の電極を有し、第２の面側に第２の電極を有する。第１の導電部は、電子部品よりも第１の面側の穴の側壁と電子部品の第１の電極が形成された面全体に形成され、第１の電極と第１の面上の配線とを電気的に接続している。第２の導電部は、電子部品よりも第２の面側の穴の側壁と電子部品の第２の電極が形成された面全体に形成され、第２の電極と第２の面上の配線とを電気的に接続している。

本発明の配線基板の製造方法は、配線層と、絶縁層が積層された基板に、基板の第１の面から第２の面に向かって、第１の面の開口部の第１の径が第２の面の開口部の第２の径よりも大きい穴を形成する。本発明の配線基板の製造方法は、第１の面側に第１の電極を有し、第２の面側に第２の電極を有する電子部品を、第１の面の第１の開口部から穴の内部に挿入する。本発明の配線基板の製造方法は、電子部品よりも第１の面側の穴の側壁と電子部品の第１の電極が形成された面全体に、第１の電極と第１の面上の配線とを電気的に接続している第１の導電部を形成する。本発明の配線基板の製造方法は、電子部品よりも第２の面側の穴の側壁と電子部品の第２の電極が形成された面全体に、第２の電極と第２の面上の配線とを電気的に接続している第２の導電部を形成する。

本発明によると、設計の自由度や信頼性を維持しつつ、電子部品を配線基板に高密度で実装することができる。

本発明の第１の実施形態の構成の概要を示す図である。 本発明の第２の実施形態の構成の概要を示す図である。 本発明の第２の実施形態の配線基板の途中工程における構造を示す図である。 本発明の第２の実施形態の配線基板の途中工程における構造を示す図である。 本発明の第２の実施形態の配線基板の途中工程における構造を示す図である。 本発明の第２の実施形態の配線基板の途中工程における構造を示す図である。 本発明の第２の実施形態の配線基板に半導体装置を実装した例を示す図である。 本発明と対比した構成の配線基板に半導体装置を実装した例を示す図である。 本発明の第３の実施形態の構成の概要を示す図である。 本発明の第３の実施形態の配線基板の途中工程における構造を示す図である。 本発明の第３の実施形態の配線基板本発明の第３の実施形態の配線基板の途中工程における構造を示す図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図１は、本実施形態の配線基板の構成の概要を示したものである。本実施形態の配線基板は、基板１と、穴２と、電子部品３と、第１の導電部４と、第２の導電部５を備えている。

基板１は、配線層と、絶縁層が積層されている。穴２は、基板１を貫通し、基板１の第１の面の開口部の第１の径が第２の面の開口部の第２の径よりも大きい。電子部品３は、穴２の内部に挿入され、第１の面側に第１の電極を有し、第２の面側に第２の電極を有する。第１の導電部４は、電子部品３よりも第１の面側の穴２の側壁と電子部品３の第１の電極が形成された面全体に形成され、第１の電極と第１の面上の配線とを電気的に接続している。第２の導電部５は、電子部品３よりも第２の面側の穴２の側壁と電子部品３の第２の電極が形成された面に形成され、第２の電極と第２の面上の配線とを電気的に接続している。

本実施形態の配線基板は、電子部品３を穴２の内部に有し、第１の面側の穴２の側壁と第１の電極が形成された面全体に形成された第１の導電部と、第２の面側の穴２の側壁と第２の電極が形成された面に形成された第２の導電部で電子部品３を固定している。本発明の配線基板は、穴２の内部に電子部品３を導電部で固定して実装することで、電子部品３を実装する際にパッドが不要となるため設計の自由度と信頼性を確保することができる。そのため、本実施形態の配線基板を用いることで設計の自由度や信頼性を維持しつつ、電子部品を配線基板に高密度で実装することができる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図２は、本実施形態の配線基板の構成の概要を示したものである。本実施形態の配線基板は、スルーホール中にコンデンサが実装されているプリント基板である。

本実施形態の配線基板は、コア層１１と、プリプレグ層１２と、配線層１３が繰り返し積層された多層構造を有する。また、本実施形態の配線基板は、スルーホール２１と、コンデンサ２２と、導電部２３と、段差部２４をさらに備えている。

コア層１１は、剛性を有する絶縁材料を用いて形成され、配線基板の基材としての機能を有する。プリプレグ層１２は、プリプレグ材を用いて形成され、配線層１３の絶縁層としての機能と、コア層１１を接続する機能を有する。配線層１３は、信号配線、電源線およびＧＮＤ線がそれぞれ形成された層である。

スルーホール２１は、配線基板を貫通する穴の側壁に導電部２３を有する貫通ビアとして形成されている。スルーホール２１中には、コンデンサ２２が挿入されている。スルーホール２１は、金属等の導電材を用いて側壁に形成された導電部２３によってコンデンサ２２の電極と配線基板表面の配線を電気的に接続している。また、スルーホール２１のように内部にコンデンサ２２が実装されているスルーホールの他に、内部に電子部品が実装されていないスルーホールや各層間を接続するビアが形成されていてもよい。

本実施形態のスルーホール２１は、基板平面に対して垂直方向から見た際に円状の形状を有している。スルーホール２１は、直径が第１の径の部分と、第１の径よりも直径が小さい第２の径の部分を有している。図２におけるスルーホール２１の直径は、段差部２４よりも上方が第１の径、段差部２４よりも下方が第２の径となっている。すなわち、本実施形態のスルーホール２１は、２段階の大きさの径の穴として形成されている。また、以下の説明では、図２の上側、すなわち、第１の径の開口部を有する側の面を配線基板の上面、図２の下側、すなわち、第２の径の開口部を有する側の面を配線基板の下面とよぶ。

コンデンサ２２は、チップコンデンサが用いられている。本実施形態のコンデンサ２２は、スルーホール２１に挿入された際に配線基板の上面側を向く面と下面側を向く面にそれぞれ電極を有する。

導電部２３は、コンデンサ２２の電極が形成された面の表面と、スルーホール２１の壁面に形成されている。本実施形態の導電部２３は、銅を用いてめっき法によって形成されている。導電部２３は、他の金属または合金を用いて形成されていてもよい。

段差部２４は、スルーホール２１の配線基板の上面側の開口部から所定の深さの位置に形成され、穴の直径が第１の径から第２の径に切り替わる部分である。段差部２４は、配線基板の表面に平行な面として形成されている。段差部２４は、コア層１１とプリプレグ層１２の境界面のコア層１１上またはコア層１１中に形成することでより安定した構造の段差形状とすることができる。

本実施形態の配線基板において、コンデンサ２２が挿入されたスルーホール２１を形成する方法について説明する。始めにコア層１１と、プリプレグ層１２と、配線層１３が繰り返し積層され、内部に用途に応じた配線パターンが形成された配線基板が形成される。

配線基板が形成されると、スルーホール２１を形成する位置に配線基板に、第２の径に対応するドリルで基板を貫通する穴が形成される。図４は、配線基板を貫通する第２の径の穴を形成した状態を模式的に示した図である。第１の径の穴の開口部が形成される側を基板の上面側とすると、基板の上面側からドリルによる掘削が行われる。第２の径の穴の形成は、基板の下面側から行われてもよい。

第２の径に対応するドリルで基板を貫通する穴が形成されると、第１の径に対応するドリルで上面側から段差部２４に相当する位置まで掘削が行われる。第１の径のドリルによる掘削は、第２の径で掘削した穴と中心位置が一致するように行われる。図５は、基板の上面側から所定の深さの位置まで第１の径の穴の掘削が完了し、段差部２４が形成された状態を模式的に示した図である。第１の径および第２の径の穴をそれぞれ掘削する際のドリルの径は、掘削後に実際に形成される穴の直径が第１の径および第２の径になるようにそれぞれ選択される。

第１の径に対応するドリルでの掘削が行われると、基板を貫通した穴は、基板の表面から所定の深さまでの間の第１の径の部分と、所定の深さから基板の下面側までの第２の径の部分と２種類の大きさの穴で構成された状態となる。また、穴の直径が第１の径から第２の径に切り替わる位置に段差部２４が形成された状態となる。

段差部２４が形成されると、配線基板の上面の開口部からコンデンサ２２が段差部２４の位置に挿入される。コンデンサ２２は、例えば、真空ピンセットに吸着された状態で配線基板の上面側から穴に挿入される。コンデンサ２２は、真空ピンセットの真空を解除することで段差部２４上に載置される。図６は、段差部２４上にコンデンサ２２が載置された状態を模式的に示した図である。

本実施形態のコンデンサ２２は、円柱体の形状を有している。コンデンサ２２の外周部の径は、第２の径より大きく、第１の径よりも小さい。そのため、コンデンサ２２は、配線基板の上方からスルーホール２１内に挿入可能であり、表面から所定の深さの位置である段差部２４上に保持される。

コンデンサ２２が穴に挿入されると、コンデンサ２２の周辺部の絶縁処理が行われる。絶縁処理は、例えば、以下のように行われる。絶縁処理が開始されると、始めに、上面側の穴の開口部から穴の内部にポジ型の感光性ポリイミド樹脂が注入される。ポリイミド樹脂が注入されると、穴の中心部にレーザーが照射される。ポリイミド樹脂のうちレーザーの照射された箇所は、有機溶剤を用いた現像処理によって溶解する状態となる。

レーザーの照射が完了すると、ポストベーク後に中心部、すなわち、レーザーが照射された位置のレジストが有機溶剤を用いた現像処理によって除去される。中心部のレジストが除去されると、加熱によって周辺部のレジストの硬化処理が行われる。周辺部のレジストの硬化が完了すると、コンデンサ２２の上面側の電極部が穴の内部に露出し、コンデンサ２２の周辺部と穴の側壁との間がポリイミド樹脂で覆われた状態となる。コンデンサ２２の周辺部と穴の側壁との間がポリイミド樹脂で覆われた状態となると、めっき処理を施す際に上面側から穴に入ってくるめっきが、下面側に回りこまずにポリイミド樹脂で絶縁された状態となる。

上記の例では、感光性のポリイミド樹脂を用いているが、パターニングが可能で絶縁機能を有する材料であれば、他の材料を用いてもよい。また、コンデンサ２２の周辺部の絶縁処理は、下面側の穴の開口部からポジ型の感光性ポリイミド樹脂を注入し、下面側のコンデンサ２２の周辺部に絶縁部を形成することで行われてもよい。

コンデンサ２２の絶縁処理が完了すると、配線基板の両面にめっき処理が行われる。めっき処理が行われると、コンデンサ２２のうち穴の内部に露出していた表面部分、穴の側壁部および配線基板の表面が金属膜で連続的に覆われた状態となる。よって、めっき処理が行われると、コンデンサ２２は、穴の段差部２４上に固定された状態となる。また、めっき処理が行われると、コンデンサ２２の電極は、それぞれ穴の壁面部の導電部２３を介して基板表面の金属膜と電気的に接続された状態となる。めっき処理が行われると、コンデンサ２２が内部に挿入されたスルーホール２１の形成が完了する。

めっき処理が完了すると、配線基板の表面の金属膜のパターニングが行われ、配線基板の表面の回路パターンが形成される。

図７は、表面の回路パターンが形成された本実施形態の配線基板上に半導体装置が実装された例を模式的に示した図である。図７の例では、２個のスルーホールが形成され、左側のスルーホールにコンデンサが実装されている。図７の例では、配線基板上に半導体装置を実装する例を示したが、インタポーザを介して複数の半導体装置が配線基板上に実装される構成としてもよい。

図８は、本実施形態の配線基板と対比した構造の例として、配線基板の下面側にコンデンサが実装された例を模式的に示した図である。図８の配線基板では、２個の半導体装置が配線基板上に実装され、配線基板の上面上の配線、スルーホールおよび配線基板の下面側の配線を介して互いに接続されている。また、図８の配線基板では、コンデンサは、配線基板の下面側の表面上に実装されている。図８のような構成とした場合には、コンデンサを実装する際に用いる端子と、隣接する電源層またはＧＮＤ層との間の寄生容量が信号の高速伝送に影響を及ぼす可能性がある。そのため、端子の形状に合わせて、電源層またはＧＮＤ層の導電部にパターンをくり抜く必要がある。一方で、図７に示す本実施形態の配線基板を用いた構造の場合には、スルーホール中にコンデンサが実装されているため、コンデンサを実装するための端子等を必要としない。そのため、電源層またはＧＮＤ層の導電部が表面に隣接する層に合った場合にも、導電部のパターンをくり抜く必要は無い。そのため、本実施形態の配線基板を用いることで、高密度実装を行う場合にも配線設計の自由度を確保しつつ、信号の高速伝送が可能になる。

本実施形態の配線基板では、２段階の直径の穴として形成されているスルーホール２１にコンデンサ２２を挿入し、めっき処理を行うことでコンデンサ２２が配線基板に実装されている。スルーホール２１内にコンデンサ２２を実装することで、配線基板の表面にコンデンサ２２をスルーホール２１内に実装するためのパッドが不要となるため、回路設計の自由度が向上し高密度実装が可能になる。また、コンデンサ２２の上面側と下面側がめっき処理によってスルーホール２１の側壁に固定されるので、電極上と側壁の導電部２３の接続部分を安定的に形成することができる。そのため、本実施形態の配線基板を用いることで、設計の自由度や信頼性を維持しつつ、電子部品を配線基板に高密度で実装することができる。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図９は、本実施形態の配線基板の構成の概要を示したものである。本実施形態の配線基板は、第２の実施形態と同様にスルーホール中にコンデンサが実装されている多層基板である。第２の実施形態の配線基板では、スルーホール中の段差上にコンデンサが実装されているが、本実施形態の配線基板は、テーパー形状を有するスルーホール内にコンデンサが実装されていることを特徴とする。

本実施形態の配線基板は、コア層１１と、プリプレグ層１２と、配線層１３が繰り返し積層された多層構造を有する。また、本実施形態の配線基板は、スルーホール３１と、コンデンサ３２と、導電部３３をさらに備えている。また、コンデンサ３２は、外周部に絶縁部３４をさらに備えている。

本実施形態の配線基板のコア層１１、プリプレグ層１２および配線層１３からなる多層構造および各層の構成は、第２の実施形態と同様である。

スルーホール３１は、配線基板を貫通する穴として形成されている。本実施形態の配線基板のスルーホール３１は、テーパー形状を有する。本実施形態の配線基板は、基板の上面側に直径が第１の径の円状の開口部を有し、基板の下面側に第１の径よりも直径が小さい第２の径の円状の開口部を有する。すなわち、本実施形態の配線基板は、第１の径の開口部を有する面を上面とした場合に、順テーパー形状を有する。

コンデンサ３２は、チップコンデンサが用いられている。本実施形態のコンデンサ３２は、スルーホール３１に挿入された際に第１の径の開口部側に向く面と第２の径の開口部側に向く面にそれぞれ電極を有する。また、本実施形態のコンデンサ３２は、円柱の外周部に絶縁部３４を有している。

導電部３３は、コンデンサ３２の電極が形成された面の表面と、スルーホール３１の壁面に形成されている。本実施形態の導電部３３は、銅を用いてめっき法によって形成されている。導電部３３は、他の金属または合金を用いて形成されていてもよい。

絶縁部３４は、コンデンサ３２の円柱の外周部に形成されている。本実施形態の絶縁部３４は、ポリイミド樹脂を用いて形成されている。絶縁部３４は、コンデンサ３２の絶縁部３４まで含めた径が、スルーホール３１の所定の高さの径と合うように厚みが設定される。

本実施形態の配線基板において、コンデンサ３２が挿入されたスルーホール３１を形成する方法について説明する。始めにコア層１１と、プリプレグ層１２と、配線層１３が繰り返し積層され、内部に用途に応じた配線パターンが形成された配線基板が形成される。また、コンデンサ３２の周囲に絶縁部３４が形成される。絶縁部３４は、例えば、光硬化性のポリイミド樹脂をコンデンサ３２の周囲に塗布した後に、光を照射して硬化させることで形成される。絶縁部３４は、シート状の絶縁樹脂をコンデンサ３２の周囲に巻き付けることで形成されてもよい。

配線基板と絶縁部３４が付加されたコンデンサ３２が作られると、コンデンサ３２の配線基板への実装が行われる。

実装工程では、始めに、ドリルで配線基板を貫通する穴が形成される。配線基板を貫通する穴は、すり鉢状に形成される。図１０は、配線基板を貫通する穴が形成された状態を示している。図１０に示すように、穴は、配線基板の上面側で直径が大きく、下面側で直径が小さい順テーパー形状となるように形成されている。

配線基板を貫通する穴が形成されると、上面側の開口部から穴に、絶縁部３４が付加されたコンデンサ３２が挿入される。コンデンサ３２は、例えば、真空ピンセットに吸着されて上面の開口部から穴に挿入され、真空の解除で穴の内部に載置される。図１１は、穴にコンデンサ３２が挿入された状態を示した図である。

穴に挿入されたコンデンサ３２は、周囲の絶縁部３４を含めた径と穴の径が合う位置に保持される。コンデンサ３２が穴の内部に挿入されると、コンデンサ３２の周辺部の絶縁処理が行われる。絶縁処理は、第２の実施形態と同様に、上面側の穴の開口部から、ポジ型の感光性ポリイミド樹脂を注入することで行われる。

コンデンサ３２に周辺部の絶縁処理が行われると、配線基板の両面にめっき処理が行われる。めっき処理は、例えば、銅を用いて行われる。めっき処理が行われると、コンデンサ３２のうち穴の内部に露出していた表面部分、穴の側壁部および配線基板の表面が金属膜で連続的に覆われた状態となる。そのため、めっき処理が行われると、コンデンサ３２は、穴の内部に固定された状態となる。

めっき処理が行われると、コンデンサ３２の電極は、それぞれ穴の壁面部の導電部３３を介して基板表面の金属膜と電気的に接続された状態となる。基板の上面側の導電部と下面側の導電部は、コンデンサ３２に付加された絶縁部３４によって絶縁されている。めっき処理が完了すると、コンデンサ３２が内部に挿入されたスルーホール３１の形成が完了する。

めっき処理が完了すると、配線基板の表面の金属膜のパターニングが行われ、配線基板の表面の回路パターンが形成される。表面の回路パターンが形成された配線基板には、第２の実施形態の図７と同様に、半導体装置等の実装が行われる。

本実施形態の配線基板は、すり鉢状の穴に挿入され、穴にとどまった状態でめっき処理によって固定されたコンデンサ３２を有している。本実施形態の配線基板は、第２の実施形態の配線基板と同様にスルーホール３１内にコンデンサ３２が実装されているため、高密度実装を行う場合にも配線設計の自由度を確保することができる。また、本実施形態の配線基板では、絶縁部３４の厚みや形状を穴の大きさに合わせて調整することで、異なる形状や大きさのコンデンサを用いることができる。

第２および第３の実施形態の配線基板では、ドリルを用いて配線基板を貫通する穴が形成されているが、穴の形成は、レーザー照射によって行われてもよい。また、ドリルとレーザーの併用によって穴が形成されてもよい。

第２のおよび第３の実施形態では、スルーホール内にコンデンサを実装しているが、コンデンサ以外の電子部品をスルーホール内に実装してもよい。スルーホール内に各電子部品を実装することで、表面に半導体装置等を実装する際の設計の自由度が向上する。

１ 基板
２ 穴
３ 電子部品
４ 第１の導電部
５ 第２の導電部
１１ コア層
１２ プリプレグ層
１３ 配線層
２１ スルーホール
２２ コンデンサ
２３ 導電部
２４ 段差部
３１ スルーホール
３２ コンデンサ
３３ 導電部
３４ 絶縁部

Claims (10)

1. 配線層と、絶縁層が積層された基板と、
   前記基板を貫通し、前記基板の第１の面の開口部の第１の径が前記第２の面の開口部の第２の径よりも大きい穴と、
   前記穴の内部に挿入され、前記第１の面側に第１の電極を有し、前記第２の面側に第２の電極を有する電子部品と、
   前記電子部品よりも前記第１の面側の前記穴の側壁と、前記電子部品の前記第１の電極側の面全体に形成され、前記第１の電極と前記第１の面上の配線とを電気的に接続している第１の導電部と、
   前記電子部品よりも前記第２の面側の前記穴の側壁と前記電子部品の前記第２の電極側の面に形成され、前記第２の電極と前記第２の面上の配線とを電気的に接続している第２の導電部と
   を備えることを特徴とする配線基板。
2. 前記穴は、前記第１の面の開口部から所定の位置に前記第１の径から前記第２の径に大きさが切り替わる段差部をさらに備え、
   前記電子部品は、前記第２の電極が前記段差部側に向いた状態で前記段差部上に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記穴は、前記第１の面の側から前記第２の面の側に向かって大きさが順に小さくなるテーパー形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
4. 前記電子部品は、周囲に絶縁体で形成された絶縁部をさらに備え、
   前記電子部品は、前記電子部品の前記絶縁部を含む径と前記穴の径が略一致する位置に固定されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
5. 前記第１の導電部と前記第２の導電部の間が前記絶縁部で絶縁されていることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
6. 配線層と、絶縁層が積層された基板に、
   前記基板の第１の面から第２の面に向かって、前記第１の面の開口部の第１の径が前記第２の面の開口部の第２の径よりも大きい穴を形成し、
   前記１の面側に第１の電極を有し、前記第２の面側に第２の電極を有する電子部品を、前記第１の面の開口部から前記穴の内部に挿入し、
   前記電子部品よりも前記第１の面側の前記穴の側壁と前記電子部品の前記第１の電極が形成された面全体に、前記第１の電極と前記第１の面上の配線とを電気的に接続している第１の導電部を形成し、
   前記電子部品よりも前記第２の面側の前記穴の側壁と前記電子部品の前記第２の電極が形成された面全体に、前記第２の電極と前記第２の面上の配線とを電気的に接続している第２の導電部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記穴に、前記第１の面の開口部から所定の位置に前記第１の径から前記第２の径に大きさが切り替わる段差部を形成し、
   前記電子部品を、前記第２の電極が前記段差部側に向いた状態で前記段差部上に固定することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記穴を前記第２の径に対応する第２のドリルを用いて前記基板を掘削することで形成し、
   前記第１の径に対応する第１のドリルで前記第１の面から所定の位置まで前記基板を掘削して前記段差部を形成することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記穴は、前記第１の面の側から前記第２の面の側に向かって大きさが順に小さくなるテーパー形状を有する孔として形成することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
10. 前記電子部品の周囲に絶縁体で形成された絶縁部を形成し、
    前記絶縁部を形成した前記電子部品を前記穴の内部に挿入し、
    前記電子部品の前記絶縁部を含む径と前記穴の径が略一致する位置に前記電子部品を固定することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。

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