JP2020189267A - 種々の廃ポリマー、廃金属、および廃有機・無機物を含む混合物の処理方法と処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以前は、手作業で、電化製品等を分解し、回路基板、金属部品等を丁寧に取り出し、また、種々のポリマー複合化合物も混じり合わないように注意深く分別して、リサイクルに回していた。従って、最終的に残存した混合ゴミは小さなものが多く、その量もそれ程多くはなかった。この混合ゴミは輸出と称して、東南アジアの国々に処理を依頼していた。しかし、手作業の分別作業は手間も時間もかかり、人件費の高騰もあってコスト全般の見直しが行われた。
昨今では、リサイクル・コストを削減する為に、電化製品全般を分解・分別することなく、大型のハンマーやギロチン法に依る切断等で細かく裁断する手法を採用している。裁断物の中から、まず鉄などの金属類は磁石で取り出す方法をとり、磁石につかないAl等の金属に関しては電磁誘導により、磁性を誘起させて磁石に引き付け、その後、風で吹き飛ばし回収している。さらに、比較的な大きなポリマー複合化合物は、摘まみ上げて分別を行っている。しかし、コスト削減の代償として、各種のポリマー複合化合物、ならびに各種のポリマー(熱可塑性および熱硬化性ポリマー、塩化ビニル製品、タイヤ等の含硫黄ポリマー等)も分別されることなく、一括処理されている。さらに、各種電線の切れ端(被覆材:ポリ塩化ビニル、ポリエチレン等)や金属片、ゴム類等もが混ざった状態である。このような、残存物は比較的大きなゴミであり、ゴミの量も倍加した。以上の経過から、昨今の電化製品等のリサイクルは、コスト安になったものの、各種複合材料、ポリマー、金属等の混合物で構成され、嵩高いと言った特徴がある。これらの“混ざり合った処理不能のゴミ”は、中国、タイ、フィリピン、ベトナム等に“輸出”と称して処理を依頼していた。しかし、焼却処理では酷い悪臭や有害ガス等が発生する為、これらの諸国から受け入れ拒否を通告され、日本の廃棄物業者には“廃プラ/廃電線等”ゴミが山積みになっている。注射器、カテーテル等の医療廃棄物もほぼ同様な状況といえる。
TASC法で使用できる半導体は高温、酸素雰囲気で安定な半導体であれば良い。従って、酸化物半導体が好んで用いられる。酸化物半導体の例として、BeO、CaO、CuO、Cu2O、SrO2、BaO、MgO、NiO、CeO2、MnO、GeO、PbO、TiO、VO、ZnO、FeO、PdO、Ag2O、TiO2、MoO2、PbO2、IrO2、RuO2、Ti2O3、ZrO2、Y2O3、Cr2O3、ZrO2、WO3、MoO3、WO2、SnO2、Co3O4、Sb2O3、Mn3O4、Ta2O5、V2O5、Nb2O5、MnO3、Fe2O3、Y2O2S、MgFe2O4、NiFe2O4、ZnFe2O4、ZnCo2O4、MgCr2O4、FeCrO4、CoCrO4、CoCrO4、ZnCr2O4、CoAl2O4、NiAl2O4等がある。この中で、酸化クロム(Cr2O3)は高温安定性(融点:約2200℃)に優れ、さらに飲料用のガラス瓶の染色にも使われる安全な材料である。また、酸化鉄(α−Fe2O3:ヘマタイト)は、安定性はCr2O3には及ばないが、安全で廉価な材料であるので実用性が高い。
さらに、加熱処理室にVOC(Volatile Organic Compounds、揮発性有機化合物)浄化装置を連結し、太陽光パネルや合わせガラスなどのプラスチックまたはプラスチック複合材料をTASC法により分解し、無害のガスに浄化する処理装置についても提案した(特許文献3、4)。
TASC法で用いる酸化物半導体をTASC触媒と呼ぶが、この触媒は「何回でも使うことが出来る」と言う意味で「触媒」に分類される。しかし、通常の化学触媒とは全く異なる機能を有する。化学触媒は、触媒物質と反応物質が活性錯合体を形成し、活性化エネルギーを下げて反応をより低温で進行させるものである。これに対し、TASC触媒は、上述のメカニズムにより、ポリマー等の被分分解物を不安定化し、さらに小分子化して十分な酸素下で完全燃焼させるものである。
塩素化合物は、塩化ビニルを代表とするポリマー材料として、広く産業界(各種配管、電線の被覆材など)で使われている。特に“塩ビ”と呼ばれる材料には、塩化ビニルの中に多くの可塑剤や難燃剤が含まれている。これらの焼却の際には、塩酸や、特に180−400℃においてダイオキシンが生成しやすいので、これが外部に飛散する可能性があるので注意が必要である。また、硫黄に関しては、含硫黄ポリマー(例えば、ポリフェニルレンサルファイド)や、ゴム類の架橋剤としての硫黄化合物が存在する。硫黄は、H2S, H2SO4等となり、飛散することが多い。
硫黄、ハロゲン、ケイ素を成分として含む有機廃棄物をTASC法により分解し、有害ガスを発生することなく金属硫化物、金属ハロゲン化物、ケイ素酸化物として残差中に捕獲する処理方法も提案した(特許文献5)。
例えば、ヘマタイトの熱活性化で、ハロゲンや硫黄系のポリマーを分解する。分解と同時に遊離してくるハロゲンや硫黄成分は直ちにヘマタイトのFeと反応して、それぞれ、FeCl2(緑黄色)、FeCl3(黒褐色)、FeS(黒色)、FeS2、Fe2S3、Fe2S4等として固定化される。従って、外気に飛散することはない。
本発明の処理対象である複合材料の特徴を列挙する。現行の粉砕・切断ゴミの特徴は、(塩素、硫黄成分を含まない)各種のポリマー複合材料(i)、塩素・硫黄系のプラスチック複合材料(ii)、塩ビ電線、タイヤ等が主体であり、これに金属端材が少量混ざっている。さらに特徴的なことは、これらのゴミは極めて嵩高いことである。複合材料のゴミは一般に厚みが1−2mm程度であるが、幅と長さは50−150mmのものが大半である。また、電線等は直径1−3mm,長さが50−100mm程度である。また、金属ゴミは、粉砕・切断工程で、叩かれ、切断されるので、不規則に幾重にも重なり合った金属ゴミとなり、厚みは1−3mm、幅と長さは20−50mm程度である。
このように嵩高く、大きさもある種々の廃ポリマー、廃金属、および廃有機・無機物を含み、かつ硫黄、塩素、シリコンなどの有害ガスを発生する成分が含まれる混合物の処理にTASC法を適用すれば従来の問題点を総てクリヤーできる可能性があるが、処理後の残留物から残渣を分離、除去し金属等の有価物だけを回収する効率的な方法については未解決であった。
穴径が1mm以上でかつ30mm以下である穴を底面に多数有する処理容器に酸化物半導体を被覆した廃棄物を収納して加熱処理室に配置して加熱処理を行い、処理後に処理容器に振動を与えて前記処理容器底面の穴を通して前記残渣を落下させることにより前記処理容器から分離してから処理容器を加熱処理室から取り出すようにする。取り出された処理容器から有価金属が回収される。
処理容器は代表的には篩として作用するステンレス籠であるが、底面の穴径を1mm以上30mm以下としておくと、処理後の金属硫化物、金属ハロゲン化物、ケイ素酸化物は粉体化しているが軽く焼結していることもあるので、通常は軽い振動を与えることで小穴を通過して落下し、かさばる金属や無機物の残留物は穴を通り抜けることはほとんどなくステンレス籠内に留まる。振動を与えるのは手動によっても良いが、機械式の自動振動装置によっても良い。穴径を5mm以上15mm以下とすれば金属や無機物の残留物である固定無機物が穴を通過することをより完全に防止し、かつ残渣の穴を通しての落下をより容易にするので最適である。
廃棄物の表面を被覆するために、前述したような種々の酸化物半導体が利用可能であるが、本発明においては最も安価な酸化鉄(α−Fe2O3:ヘマタイト)を用いるのが良い。酸化鉄にはα−Fe2O3,γ−Fe2O3,Fe3O4があるが、α−Fe2O3はヘマタイト、ないしは弁柄(弁柄)と呼ばれる赤色無機顔料として広く知られている。
酸化物半導体2を被覆した廃棄物1を穴径が1mm以上でかつ30mm以下である穴を底面に多数有する処理容器3に収納して、加熱処理室4内に設置する。処理容器3は材質がステンレス製の籠であることが好ましい。加熱処理室4がバッチ式炉の場合には処理後の廃棄物1の取り出しの便宜上から廃棄物1を籠3に入れて加熱処理室4に設置するのが良い。しかし、処理物質が加熱処理室4内を通過するトンネル炉である場合などは、一定の処理量毎に、トンネル炉の前後を遮蔽扉で密閉し、閉じられた前期加熱処理装置の中で作業を行う。この場合、籠は加熱処理室4内では使用せず、処理後の廃棄物を加熱処理室4から取り出した後に篩などにかけて後述の分離を行うのでも良い。空気導入口5から空気を導入しつつ、約500℃程度に加熱処理室4内の温度を上げると、廃棄物1中の有機物は半導体の熱活性(TASC)効果により分解され、低分子のガス状態となって排出口6へ向かう。加熱処理室4において廃棄物は酸化物半導体を坦持した通気性を有する構造体7に包囲されており、酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度以上に加熱されると、TASC効果によりガスの流れ8に沿って排出口6へ向かうガスが浄化され、臭気はほぼ完全に除去される。さらに加熱処理室4の排出口6には、酸化物半導体を坦持した通気性を有する構造体9を備えたVOC浄化装置10が連結されており、TASC効果により、加熱処理室4から排出されVOC浄化装置10を通過するガスは水と二酸化炭素に分解され、臭気は完全に除去されて大気には無害のガスだけが放出される。通気性を有する構造体7および9に担持される酸化物半導体としては最も安定なCr2O3(融点:2200℃)を用いるのが良い。
廃棄物には硫黄、ハロゲン、ケイ素の少なくともひとつが成分として含まれていることが多い。例えば廃棄物となった電線には、被覆材のポリエチレンとして塩化ビニルが用いられ、かなりの量の難燃剤(ハロゲン系)もふくまれる。また、硫黄を含んだPPS(poly phenylene sulfide)ポリマーの複合化合物もある。ヘマタイトは500℃で活性化され、まず、複合化合物を分解するが、この時点で、塩素や硫黄が噴き出すとヘマタイトは分解され、それぞれ、塩化鉄(FeCl2, FeCl3)や硫化鉄(FeS, FeS2)の形で捕獲され、固体物として黒色の残渣となる。つまり、塩素、硫黄は外には飛散しないので、環境問題を引き起こすことはない
次は分別工程である。上記の残留物を考えると、粉黛化した残渣と形態をあまり変えていない嵩高い電線、織布や金属の2種類となる。従って、加熱処理後は、ステンレス籠を目の粗い篩(例えば穴径が5−15mm)のように使い、籠を振動させて網の隙間から粉黛化した残渣を落とすと、籠の中には有機物、硫黄、ハロゲン、ケイ素は残留しておらず、電線、金属片、織布等の固定化された無機物を篩内に残す方法で容易に分別できて、有価金属を容易に回収することができる。これが本出願の骨子である。TASC処理法は、ポリマーを完全分解できて、黒焦げのポリマーが残存することはないので、篩の中に残存することはない。しかし、ポリマーの複合化合物をTASC処理する場合には、ポリマーのみが除去され、残渣である無機物の充填物が直ちに粉体せずに、そのままの形状で(非常に脆い状態ではあるが)籠内に残存することが多々ある。その場合には、例えば、木製の乳棒(すりこぎ:擂粉木)で軽く潰すと容易に崩れ、直ちに粉体化して解砕され、籠の穴から落下する。このように処理容器である籠内に残留する固定化された無機物である固定無機物に籠の穴径よりも大きな無機物の充填物が含まれている場合には、すりこぎなどによる解砕を併用することが望ましい。解砕を行うのは振動を与える前、振動中、振動を与えた後のいずれの時点であっても良い。
上記のように、本手法は、嵩高い、大量のゴミを生み出す現行の処理方法を逆手にとった課題の処理方法である。
また、上述のステンレス籠、あるいは篩の目の粗さすなわち穴径は、主として、電線ゴミの長さや幾重にも叩かれた金属ゴミの大きさに左右される。目の直径、あるいは目の一辺の長さは、1mmから30mmの範囲とするのが良い。穴径が1mm以上あれば残渣を籠の穴から落下させて分離することが可能であるが、より容易に分離するには穴径が5mm以上であることが好ましい。穴径を30mm以下とすればほとんどの固定無機物は籠内に残留するが、より完全に固定無機物の落下を防ぐには穴径は15mm以下が望ましい。さらに、網目が大きくなると、(籠の板厚にもよるが)籠が歪みやすくなるのでこの点からは穴径は5mmから10mmがより適当である。しかし、ゴミにより形状・大きさも様々であるので、穴径は上述の範囲内で適宜選択すればよい。
分解処理に使用した電気炉4と外付けのVOC浄化装置10は図1に示す通りである。電気炉である加熱処理室4の内壁には、通気性を有する構造体7である触媒担持ハニカムを張り、ハニカム・ボックスのような形態である。炉床では触媒であるヘマタイト2を被覆した「廃プラスチック/金属屑」ゴミ1が入ったステンレス・スチールの籠3の中に入れ、これを400−500℃空気下で加熱する。有機物のみがTASC分解され、金属屑物等の固定無機物と残渣のみが残存する。「廃プラスチック/金属屑」ゴミの分解に伴い、臭気はまず、被覆材料であるヘマタイトで、分解され、ある程度の小分子化が進行する。同時に分解物から塩素や硫黄が遊離すると、これがヘマタイトと反応して、それぞれFeCl2/FeCl3、FeS/FeS2等となり、炉床に残る。臭気等の気体はハニカム壁7のCr2O3触媒で小分子に裁断化され、炭酸ガスと水に分解される。さらに、電気炉を出た段階で、分子量が大きなガスはCr2O3を担持した通気性を有する構造体9を備えたTASC型のVOC浄化装置10(設定温度:500℃)で無害化される。
2 酸化物半導体
3 処理容器
4 加熱処理室
5 空気導入口
6 排出口
7 通気性を有する構造体
8 ガスの流れ
9 通気性を有する構造体
10 VOC浄化装置
Claims (12)
- 硫黄、ハロゲン、ケイ素の少なくともひとつを成分としたポリマーあるいはポリマー複合化合物、ならびに金属片等からなる無機・有機物の混合廃棄物の処理方法であって、前記廃棄物の表面に酸化物半導体を被覆する工程と、前記酸化物を被覆した前記廃棄物を穴径が1mm以上でかつ30mm以下である穴を底面に多数有する処理容器に収納して加熱処理室に配置する工程と、酸素の存在下、前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度で、前記正孔の酸化力を利用して前記廃棄物中の前記有機物を水と二酸化炭素に分解するとともに、前記廃棄物に含まれていた硫黄成分は金属硫化物とし、ハロゲン成分は金属ハロゲン化物とし、ケイ素成分はケイ素酸化物として残渣中に捕獲する工程と、前記処理容器に振動を与えて前記処理容器底面の穴を通して前記残渣を落下させることにより前記処理容器から分離する工程と、前記処理容器内に残存する固定無機物から有価金属を回収する工程を含むことを特徴とする無機・有機物の混合廃棄物の処理方法。
- 硫黄、ハロゲン、ケイ素の少なくともひとつを成分としたポリマーあるいはポリマー複合化合物、ならびに金属片等からなる無機・有機物の混合廃棄物の処理方法であって、前記廃棄物の表面に酸化物半導体を被覆する工程と、前記酸化物を被覆した前記廃棄物を加熱処理室に配置する工程と、酸素の存在下、前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度で、前記正孔の酸化力を利用して前記廃棄物中の前記有機物を水と二酸化炭素に分解するとともに、前記廃棄物に含まれていた硫黄成分は金属硫化物とし、ハロゲン成分は金属ハロゲン化物とし、ケイ素成分はケイ素酸化物として残渣中に捕獲する工程と、前記加熱処理室の外部に設置され穴径が1mm以上でかつ30mm以下である穴を多数有する板状部に振動を与えて前記板状部の穴を通して前記残渣を落下させることにより分離する工程と、前記板状部上に残存する固定無機物から有価金属を回収する工程を含むことを特徴とする無機・有機物の混合廃棄物の処理方法。
- 前記分離する工程は、前記処理容器または前記板状部に前記振動を与える前、振動中、振動を与えた後のいずれかの時点にて、前記処理容器内または前記板状部上に残存する固定無機物を解砕する工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理方法。
- 前記酸化物半導体は酸化鉄(α−Fe2O3)であることを特徴とする請求項1ないし3に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理方法。
- 前記穴径は5mm以上で15mm以下であることを特徴とする請求項1ないし4に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理方法。
- 硫黄、ハロゲン、ケイ素の少なくともひとつを成分としたポリマーあるいはポリマー複合化合物、ならびに金属片等からなる無機・有機物の混合廃棄物の処理装置であって、前記廃棄物の表面に酸化物半導体を被覆し、前記酸化物を被覆した前記廃棄物を収納する穴径が1mm以上でかつ30mm以下である穴を底面に多数有する処理容器と、エアを供給するエア供給機構を有する加熱処理室を備え、前記加熱処理室内に設置された前記処理容器が前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度以上に加熱されることにより、酸素の存在下で前記正孔の酸化力を利用して前記廃棄物中の前記有機物が水と二酸化炭素に分解されるとともに、前記廃棄物に含まれていた硫黄成分は金属硫化物とし、ハロゲン成分は金属ハロゲン化物とし、ケイ素成分はケイ素酸化物として残渣中に捕獲され、前記処理容器に振動を与えて前記処理容器底面の穴を通して前記残渣が落下することにより前記処理容器から分離され、前記処理容器内に残存する固定無機物から有価金属が回収されることを特徴とする無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
- 硫黄、ハロゲン、ケイ素の少なくともひとつを成分としたポリマーあるいはポリマー複合化合物、ならびに金属片等からなる無機・有機物の混合廃棄物の処理装置であって、前記廃棄物の表面に酸化物半導体を被覆し、前記酸化物を被覆した前記廃棄物を設置する加熱処理室を備え、前記加熱処理室はエアを供給するエア供給機構を有し、前記加熱処理室内に設置された前記廃棄物が前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度以上に加熱されることにより、酸素の存在下で前記正孔の酸化力を利用して前記廃棄物中の前記有機物が水と二酸化炭素に分解されるとともに、前記廃棄物に含まれていた硫黄成分は金属硫化物とし、ハロゲン成分は金属ハロゲン化物とし、ケイ素成分はケイ素酸化物として残渣中に捕獲され、穴径が1mm以上でかつ30mm以下である穴を多数有する板状部を前記加熱処理室の外部に別途備え、前記板状部に振動を与えて前記板状部の穴を通して前記残渣が落下することにより分離され、前記板状部上に残存する固定無機物から有価金属が回収されることを特徴とする無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
- 前記処理容器または前記板状部に前記振動を与える前、振動中、振動を与えた後のいずれかの時点にて、前記処理容器内または前記板状部上に残存する固定無機物を解砕することを特徴とする請求項6または7に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
- 前記酸化物半導体は酸化鉄(α−Fe2O3)であることを特徴とする請求項6ないし8に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
- 前記穴径は5mm以上で15mm以下であることを特徴とする請求項6ないし9に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
- 前記加熱処理室は排気口を備え、前記排気口には酸化物半導体を担持した通気性を有する構造体を備えたVOC浄化装置が連結され、前記構造体が、前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度以上に加熱されることにより、酸素の存在下、前記正孔の酸化力を利用して前記加熱処理室から排出され前記VOC浄化装置を通過するガスが無害のガスに浄化されることを特徴とする請求項6ないし10に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
- 前記加熱処理室内に配置された前記廃棄物は酸化物半導体を坦持した通気性を有する構造体に包囲され、前記構造体は前記加熱処理室内において、前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度以上に加熱されることにより、酸素の存在下、前記正孔の酸化力を利用して前記廃棄物から排出されるガスを浄化することを特徴とする請求項6ないし11に記載の無機・有機物の混合廃棄物の処理装置。
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