JP2020188176A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本発明に係る熱処理装置の構成について説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同じである。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、上側チャンバー窓63の周縁部の構造である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、窓押さえ部材67の対向面671を黒色アルマイト処理により黒色としていたが、これに代えて対向面671に黒色ニッケルメッキを形成して黒色とするようにしても良い。或いは、他の手法によって窓押さえ部材67の対向面671を黒色としても良い。要するに、対向面671を反射率5%以下の黒色とするようにすれば良い。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
67 窓押さえ部材
74 サセプタ
75 保持プレート
77 基板支持ピン
91 Oリング
631 周縁部上面
633 外周側面
671 対向面
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (4)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記チャンバーの外部であって前記チャンバーの一方側に設けられたフラッシュランプと、
前記チャンバーの前記一方側の開口を覆う石英窓と、
前記チャンバーの側壁と前記石英窓の周縁部の下面との間に挟み込まれたOリングと、
前記石英窓の周縁部の上面を前記チャンバーの側壁に向けて押圧する窓押さえ部材と、
を備え、
前記周縁部の前記上面は、前記石英窓の外周端に向けて厚さが薄くなるようなテーパ面であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記窓押さえ部材の前記石英窓と対向する対向面を黒色とすることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記窓押さえ部材の前記対向面に黒色アルマイトまたは黒色ニッケルメッキを形成することを特徴とする熱処理装置。 - 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記チャンバーの外部であって前記チャンバーの一方側に設けられたフラッシュランプと、
前記チャンバーの前記一方側の開口を覆う石英窓と、
前記石英窓の周縁部の上面を前記チャンバーの側壁に向けて押圧する窓押さえ部材と、
前記石英窓の前記上面と垂直な外周側面と前記窓押さえ部材との間に挟み込まれたOリングと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
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