JP2020178068A5 - - Google Patents

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例えば、第３化合物部材３３は、第１半導体領域１２ａの一部と接する。例えば、第１絶縁領域４１ａは、第１半導体領域１２ａの別の一部と接する。
導電部材５４は、第３電極５３と電気的に接続される。導電部材５４は、第１導電部分５４Ａ及び第２導電部分５４Ｂを含む。第２方向（Ｚ軸方向）において、第３部分領域１１ｃと第１導電部分５４Ａとの間に、第３電極５３がある。第２導電部分５４Ｂは、第１導電部分５４Ａと接続される。第１導電部分５４Ａから第２導電部分５４Ｂへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。
第２絶縁部分４２ｂは、Ｚ軸方向において、第２半導体層１２の一部（例えば、第２半導体領域１２ｂ）と、第５化合物部材３５の一部と、の間にある。第２絶縁部分４２ｂにより、第２絶縁部分４２ｂの下部分において、キャリア領域１０Ｅが形成されにくくなる。例えば、電界の集中をより緩和できる。例えば、しきい値電圧を適度に上昇させることができる。例えば、ノーマリオンの動作が得やすくなる。

Claims (1)

  1. Ａｌｙ２Ｇａ１－ｙ２Ｎ（０＜ｙ２≦１、ｘ２＜ｙ２）を含む第２化合物部材をさらに備え、
    前記第２半導体層は、第４半導体領域をさらに含み、
    前記第４半導体領域は、前記第２方向において、前記第２部分領域と前記第２電極との間にあり、
    前記第２化合物部材は、複数の第２化合物部分を含み、前記複数の第２化合物部分は、前記第４半導体領域と前記第２電極との間にあり、前記複数の第２化合物部分の１つと、前記複数の第２化合物部分の別の１つと、の間に、前記第２電極の一部がある、請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体装置。
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