JP2020177907A - Conductive composition, metallized substrate and method for producing the same - Google Patents

Conductive composition, metallized substrate and method for producing the same Download PDF

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Abstract

To provide a conductive composition capable of forming a conductive part having high adhesiveness to a ceramic substrate.SOLUTION: There is provided a conductive composition prepared by combining composite particles of Ag and Pd (A), glass particles (B) and a metal component (C) composed of an Mn component (C1), an Fe component (C2), a Cu component (C3) and a Ti component (C4) and adjusting the ratio of the Ti component to 0.05 to 0.85 pt.mass based on 100 pts.mass of the composite particles (A) in terms of Ti element. The ratio of Pd is approximately 1 to 9 mass% based on the total amount of Ag and Pd in the composition. The glass particles (B) may contain borosilicate glass particles.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、エレクトロニクス分野において、セラミックス基板上に回路を形成するために利用される導電性組成物ならびにこの組成物で形成された回路を有するメタライズド基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive composition used for forming a circuit on a ceramic substrate in the field of electronics, a metallized substrate having a circuit formed of this composition, and a method for producing the same.

導電性組成物(導電性ペースト)は、印刷などにより電極など、種々のパターンを容易に形成できるため、エレクトロニクス分野で広く普及している。導電性金属粉に銀を含む銀ペーストは、電子部品などの電極や回路を形成するために用いられているが、空気中の硫黄性ガスなどにより銀が硫化されて、電極が断線したり変色したりする問題があり、銀にパラジウムを添加することで硫化を防止することが知られている。 The conductive composition (conductive paste) is widely used in the electronics field because various patterns such as electrodes can be easily formed by printing or the like. Silver paste containing silver in conductive metal powder is used to form electrodes and circuits for electronic parts, etc., but silver is sulfided by sulfurous gas in the air, causing the electrodes to break or discolor. It is known that adding palladium to silver prevents sulfurization.

また、電子部品は、使用環境変化に関わらず、信頼性の高いものが要求されており、耐硫化性、高密着性、耐めっき性、耐はんだ性、信頼性(過酷な環境での使用に耐え得る密着性)等の特性を全て満たす導電性ペーストが求められている。 In addition, electronic components are required to have high reliability regardless of changes in the usage environment, and have sulfur resistance, high adhesion, plating resistance, solder resistance, and reliability (for use in harsh environments). There is a demand for a conductive paste that satisfies all the characteristics such as (withstandable adhesion).

特開昭59−132502号公報(特許文献1)には、粒状銀粉およびフレーク状銀粉からなる銀粉と、少量のパラジウム粉とを導電成分として含有し、かつガラス粉を含む導電被膜形成用組成物が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-132502 (Patent Document 1) describes a composition for forming a conductive film containing glass powder and silver powder composed of granular silver powder and flake-shaped silver powder as a conductive component and a small amount of palladium powder. Is disclosed.

特開昭59−132503号公報(特許文献2)には、導電成分として、銀粉と、パラジウム粉、酸化パラジウム粉および銀パラジウム合金粉からなる群から選ばれる少なくとも一種とを含有する導電被膜形成用組成物が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-132503 (Patent Document 2) contains silver powder and at least one selected from the group consisting of palladium powder, palladium oxide powder and silver-palladium alloy powder as a conductive component for forming a conductive film. The composition is disclosed.

特開昭59−155989号公報(特許文献3)には、導電成分として銀粉およびパラジウム粉を含む導電性ペーストに、チタネート系カップリング剤を配合することにより、硫化を防止するとともに、ペースト中のパラジウムの凝集が抑制された導電被膜形成用組成物が開示されている。 According to Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-155989 (Patent Document 3), sulfide is prevented by blending a titanate-based coupling agent with a conductive paste containing silver powder and palladium powder as conductive components, and the paste is contained. A composition for forming a conductive film in which the aggregation of palladium is suppressed is disclosed.

特開2004−250308号公報(特許文献4)には、銀粉末、パラジウム粉末、銅粉末を導電成分として含有し、ガラス粉を含む導電ペーストが開示されている。鉛を含まないSiO−Bi−Ba系無鉛無アルカリガラスを用いて、耐酸性、耐硫化性及びはんだ濡れ性が良好な電極が得られている。実施例では、球状銀粉末、フレーク状銀粉末、銅粉末、ガラスフリット、パラジウム粉末を含む導電ペーストが調製されている。 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-250308 (Patent Document 4) discloses a conductive paste containing silver powder, palladium powder, and copper powder as conductive components and containing glass powder. Using lead-free SiO 2- Bi-Ba-based lead-free alkali-free glass, electrodes having good acid resistance, sulfurization resistance, and solder wettability have been obtained. In the examples, a conductive paste containing spherical silver powder, flaky silver powder, copper powder, glass frit, and palladium powder is prepared.

しかし、特許文献1〜4では、信頼性に関する評価はされていない。 However, in Patent Documents 1 to 4, reliability is not evaluated.

特開平7−302510号公報(特許文献5)には、電極と抵抗体を同時焼成する際にクラックの発生やガラスの滲み出しを防止できる導電ペーストとして、微細球状銀粉と、粗粒球状銀粉または球状銀被覆ニッケル及びフレーク状銀粉と、フレーク状銀粉とを導電成分とする導電ペースト組成物が開示されている。この文献には、銀の硫化を防ぐため、パラジウムを添加してもよいと記載されている。さらに、基板と電極との接着強度を高めるために、ガラスフリットや無機結合剤として銅または酸化銅を添加すればよいと記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-302510 (Patent Document 5) describes fine spherical silver powder, coarse-grained spherical silver powder, or coarse-grained spherical silver powder as a conductive paste that can prevent the generation of cracks and the exudation of glass when the electrode and the resistor are simultaneously fired. A conductive paste composition containing spherical silver-coated nickel and flake-shaped silver powder and flake-shaped silver powder as conductive components is disclosed. The document states that palladium may be added to prevent the sulfurization of silver. Further, it is described that copper or copper oxide may be added as a glass frit or an inorganic binder in order to increase the adhesive strength between the substrate and the electrode.

しかし、この組成物では、150℃24時間でのエージング試験により物性の低下は見られないが、信頼性を評価するには十分な評価とはいえない。 However, with this composition, although no deterioration in physical properties is observed in the aging test at 150 ° C. for 24 hours, it cannot be said that the evaluation is sufficient for evaluating the reliability.

特開平7−335402号公報(特許文献6)には、チップ抵抗器上面電極用ペーストの導電性粉末として、平均粒径0.1〜0.5μmの球状銀粉と平均粒径0.5〜1.5μmの球状銀被覆パラジウム粉とを組み合わせて、焼成膜の緻密性を向上させることが開示されている。この文献には、基板との高い接着強度を得るために、無機結合剤として、銅および/または酸化銅を添加することが記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-335402 (Patent Document 6) describes spherical silver powder having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and an average particle size of 0.5 to 1 as the conductive powder of the paste for the top electrode of the chip resistor. It is disclosed that the compactness of the fired film is improved in combination with a .5 μm spherical silver-coated palladium powder. This document describes the addition of copper and / or copper oxide as an inorganic binder in order to obtain high adhesive strength to the substrate.

しかし、このペーストでも、パラジウムの割合が高いため、導電性が低くなることや、コストが高くなることが懸念される。 However, even in this paste, since the proportion of palladium is high, there is a concern that the conductivity will be low and the cost will be high.

特表2010−532586号公報(特許文献7)には、650℃以下で焼成するセラミック基板用導体ペーストとして、銀粉末と、銀パラジウム共沈粉末とを組み合わせたペーストが開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-532586 (Patent Document 7) discloses a paste in which silver powder and silver-palladium co-precipitated powder are combined as a conductor paste for a ceramic substrate to be fired at 650 ° C. or lower.

しかし、このペーストは、高温での焼成に対応していない。 However, this paste is not compatible with baking at high temperatures.

特開昭59−132502号公報(特許請求の範囲)JP-A-59-132502 (Claims) 特開昭59−132503号公報(特許請求の範囲)JP-A-59-132503 (Claims) 特開昭59−155989号公報(特許請求の範囲、第2頁右上欄11〜18行)JP-A-59-155989 (Claims, upper right column, pages 11-18) 特開2004−250308号公報(請求項2、段落[0006]、実施例)JP-A-2004-250308 (Claim 2, paragraph [0006], Examples) 特開平7−302510号公報(特許請求の範囲、段落[0007][0021][0022]、実施例)JP-A-7-302510 (Claims, paragraphs [0007] [0021] [0022], Examples) 特開平7−335402号公報(請求項1、段落[0009][0018])JP-A-7-335402 (Claim 1, paragraph [0009] [0018]) 特表2010−532586号公報(請求項1、段落[0064]、実施例)JP-A-2010-532586 (Claim 1, paragraph [0064], Examples)

従って、本発明の目的は、セラミックス基板に対して密着性が高い導電部を形成できる導電性組成物ならびにこの組成物で形成された導電部を有するメタライズド基板およびその製造方法を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a conductive composition capable of forming a conductive portion having high adhesion to a ceramic substrate, a metallized substrate having a conductive portion formed of this composition, and a method for producing the same. ..

本発明の他の目的は、耐硫化性が高く、使用環境の変化に拘わらず、セラミックス基板に対して密着性が高い導電部を形成できる導電性組成物ならびにこの組成物で形成された導電部を有するメタライズド基板およびその製造方法を提供することにある。 Another object of the present invention is a conductive composition having high sulfurization resistance and capable of forming a conductive portion having high adhesion to a ceramic substrate regardless of changes in the usage environment, and a conductive portion formed of this composition. To provide a metallized substrate and a method for manufacturing the same.

本発明のさらに他の目的は、信頼性の高いメタライズド基板を製造できる導電性組成物ならびにこの組成物で形成された導電部を有するメタライズド基板およびその製造方法を提供することにある。 Still another object of the present invention is to provide a conductive composition capable of producing a highly reliable metallized substrate, a metallized substrate having a conductive portion formed of the composition, and a method for producing the same.

本発明者は、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、銀(Ag)およびパラジウム(Pd)の複合粒子(A)と、ガラス粒子(B)と、マンガン(Mn)成分(C1)、鉄(Fe)成分(C2)、銅(Cu)成分(C3)およびチタン(Ti)成分(C4)からなる金属成分(C)とを組み合わせ、前記Ti成分の割合を、Ti元素換算で、前記複合粒子(A)100質量部に対して0.05〜0.85質量部に調整することにより、セラミック基板に対して密着性が高い導電部を形成できることを見出し、本発明を完成した。 As a result of diligent studies to achieve the above object, the present inventor has obtained composite particles (A) of silver (Ag) and palladium (Pd), glass particles (B), manganese (Mn) component (C1), and iron. A combination of a metal component (C) composed of a (Fe) component (C2), a copper (Cu) component (C3) and a titanium (Ti) component (C4), and the ratio of the Ti component in terms of Ti element is the composite. The present invention has been completed by finding that a conductive portion having high adhesion to a ceramic substrate can be formed by adjusting the particle (A) to 0.05 to 0.85 parts by mass with respect to 100 parts by mass.

すなわち、本発明の導電性組成物は、AgおよびPdの複合粒子(A)、ガラス粒子(B)および金属成分(C)を含む導電性組成物であって、前記金属成分(C)が、Mn成分(C1)、Fe成分(C2)、Cu成分(C3)およびTi成分(C4)であり、かつ前記Ti成分の割合が、Ti元素換算で、前記複合粒子(A)100質量部に対して0.05〜0.85質量部である。AgおよびPdの総量に対して、Pdの割合は1〜9質量%程度である。前記ガラス粒子(B)はホウケイ酸ガラス粒子を含んでいてもよい。前記Ti成分(C4)は無機Ti化合物であってもよい。前記導電性組成物はAg粒子を含まないのが好ましい。 That is, the conductive composition of the present invention is a conductive composition containing a composite particle (A) of Ag and Pd, a glass particle (B) and a metal component (C), and the metal component (C) is Mn component (C1), Fe component (C2), Cu component (C3) and Ti component (C4), and the ratio of the Ti component is 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Ti element. It is 0.05 to 0.85 parts by mass. The ratio of Pd to the total amount of Ag and Pd is about 1 to 9% by mass. The glass particles (B) may contain borosilicate glass particles. The Ti component (C4) may be an inorganic Ti compound. The conductive composition preferably does not contain Ag particles.

本発明には、セラミックス基板に前記導電性組成物を付着させる付着工程、および前記セラミックス基板に付着した前記導電性組成物を焼成して導電部を形成する焼成工程を含むメタライズド基板の製造方法も含まれる。前記焼成工程において、空気中で導電性組成物を焼成してもよい。 The present invention also comprises a method for producing a metallized substrate, which comprises a bonding step of adhering the conductive composition to the ceramic substrate and a firing step of firing the conductive composition adhered to the ceramic substrate to form a conductive portion. included. In the firing step, the conductive composition may be fired in air.

本発明には、前記製造方法で得られたメタライズド基板も含まれる。前記セラミックス基板は、アルミナ基板、アルミナ−ジルコニア基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板または炭化ケイ素基板であってもよい。 The present invention also includes a metallized substrate obtained by the above-mentioned manufacturing method. The ceramic substrate may be an alumina substrate, an alumina-zirconia substrate, an aluminum nitride substrate, a silicon nitride substrate, or a silicon carbide substrate.

なお、本明細書および特許請求の範囲において「金属成分」とは、金属単体、金属化合物を含む意味で用いる。Mn成分、Fe成分、Cu成分およびTi成分も同様である。 In the present specification and claims, the term "metal component" is used to include a simple substance of a metal and a metal compound. The same applies to the Mn component, Fe component, Cu component and Ti component.

本発明では、AgおよびPdの複合粒子(A)と、ガラス粒子(B)と、Mn成分(C1)、Fe成分(C2)、Cu成分(C3)およびTi成分(C4)からなる金属成分(C)とを組み合わせ、前記Ti成分の割合が、Ti元素換算で、前記複合粒子(A)100質量部に対して0.05〜0.85質量部に調整されているため、セラミックス基板に対して密着性が高い導電部を形成できる。また、Pdの割合を特定の割合に調整すると、耐硫化性が高く、使用環境の変化に拘わらず、セラミックス基板に対して密着性が高い導電部を形成できる。さらに、優れた導電性を示し、高温高湿や急激な温度変化などの過酷な条件でもセラミックス基板に対する高い密着性を維持でき、信頼性の高いメタライズド基板を製造できる。 In the present invention, a metal component (A) composed of Ag and Pd composite particles (A), glass particles (B), Mn component (C1), Fe component (C2), Cu component (C3) and Ti component (C4) ( In combination with C), the ratio of the Ti component is adjusted to 0.05 to 0.85 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Ti element, so that the ratio with respect to the ceramic substrate is adjusted. It is possible to form a conductive portion having high adhesion. Further, when the ratio of Pd is adjusted to a specific ratio, it is possible to form a conductive portion having high sulfurization resistance and high adhesion to the ceramic substrate regardless of changes in the usage environment. Further, it exhibits excellent conductivity, can maintain high adhesion to a ceramic substrate even under harsh conditions such as high temperature and high humidity and sudden temperature change, and can manufacture a highly reliable metallized substrate.

[複合粒子(A)]
本発明の導電性組成物は、AgおよびPdの複合粒子(A)を含む。
[Composite particle (A)]
The conductive composition of the present invention contains composite particles (A) of Ag and Pd.

複合粒子は、金属成分としてAgおよびPdを含んでいればよく、製法由来などの不可避的不純物を含んでいてもよいが、AgおよびPdを主成分として含むことが好ましい。複合粒子中のAgおよびPdの合計割合は50質量%以上であってもよく、好ましくは80質量%以上、さらに好ましくは90質量%以上であり、100質量%(AgおよびPdのみ)が特に好ましい。 The composite particles may contain Ag and Pd as metal components and may contain unavoidable impurities such as those derived from a production method, but it is preferable that Ag and Pd are contained as main components. The total ratio of Ag and Pd in the composite particles may be 50% by mass or more, preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and 100% by mass (Ag and Pd only) is particularly preferable. ..

複合粒子中のPd含量は、導電性組成物中のAgおよびPdの総量に対して、Pdの割合が0.1〜10質量%程度となるように調整すればよい。Pdの割合は、導電性組成物中のAgおよびPdの総量に対して、例えば1〜9質量%(例えば2〜8質量%)、好ましくは3〜7.5質量%(例えば5〜7.5質量%)、さらに好ましくは3〜7質量%(特に4〜6質量%)となるように、複合粒子中のPd含量を調整してもよい。Pdの割合が少なすぎると、耐硫化性が低下する虞があり、逆に多すぎると、セラミックス基板に対する密着性が低下する虞がある。 The Pd content in the composite particles may be adjusted so that the ratio of Pd to the total amount of Ag and Pd in the conductive composition is about 0.1 to 10% by mass. The ratio of Pd is, for example, 1 to 9% by mass (for example, 2 to 8% by mass), preferably 3 to 7.5% by mass (for example, 5 to 7.) With respect to the total amount of Ag and Pd in the conductive composition. The Pd content in the composite particles may be adjusted so as to be 5% by mass), more preferably 3 to 7% by mass (particularly 4 to 6% by mass). If the proportion of Pd is too small, the sulfurization resistance may decrease, and if it is too large, the adhesion to the ceramic substrate may decrease.

複合粒子の複合形態は、特に限定されず、AgおよびPdの合金粒子、AgおよびPdの共沈粒子、Agで被覆されたPd粒子、Pdで被覆されたAg粒子などであってもよい。 The composite form of the composite particles is not particularly limited, and may be an alloy particle of Ag and Pd, a coprecipitated particle of Ag and Pd, a Pd particle coated with Ag, an Ag particle coated with Pd, and the like.

共沈粒子としては、例えば、Ag粒子とPd粒子とが均一に混合して凝集した粉末、Ag粒子またはPd粒子が凝集してコア部を形成した二重層構造の粒子などが挙げられる。 Examples of the coprecipitated particles include powder in which Ag particles and Pd particles are uniformly mixed and aggregated, and particles having a double layer structure in which Ag particles or Pd particles are aggregated to form a core portion.

Agで被覆されたPd粒子としては、例えば、少なくとも表面の一部がAgで被覆されたPd粒子またはPd合金粒子などが挙げられる。Pdで被覆されたAg粒子としては、例えば、少なくとも表面の一部がPdで被覆されたAg粒子またはAg合金粒子などが挙げられる。前記Pd合金粒子において、合金を形成するための他の金属としては、例えば、Mn、Fe、Cu、Ag、Ptなどが挙げられる。前記Ag合金粒子において、合金を形成するための他の金属としては、例えば、Mn、Fe、Cu、Pd、Ptなどが挙げられる。 Examples of the Ag-coated Pd particles include Pd particles or Pd alloy particles whose surface is partially coated with Ag. Examples of the Pd-coated Ag particles include Ag particles or Ag alloy particles whose surface is partially coated with Pd. Examples of other metals for forming an alloy in the Pd alloy particles include Mn, Fe, Cu, Ag, and Pt. Examples of other metals for forming an alloy in the Ag alloy particles include Mn, Fe, Cu, Pd, and Pt.

複合粒子の形状としては、例えば、球状(真球状または略球状)、楕円体(楕円球)状、多面体状(多角錐状、立方体状や直方体状などの多角柱状など)、ロッド状または棒状、繊維状、樹針状、不定形状などが挙げられる。これらのうち、セラミックス基板に対する密着性を向上できる点から、球状、楕円体状、多面体状、不定形状などの粒状が好ましく、球状や正多面体状(正六面体状または立方体状、正八面体状など)などの等方形状(特に、球状)が特に好ましい。 The shape of the composite particle is, for example, spherical (true spherical or substantially spherical), ellipsoidal (elliptical sphere), polyhedral (polyhedral pyramid, cubic or rectangular parallelepiped, etc.), rod-shaped or rod-shaped, Examples include fibrous, dendritic, and irregular shapes. Of these, granules such as spherical, elliptical, polyhedral, and indefinite are preferable from the viewpoint of improving adhesion to the ceramic substrate, and spherical or regular polyhedron (regular hexahedron or cube, regular octahedron, etc.). An isotropic shape (particularly spherical) such as is particularly preferable.

なお、本明細書および特許請求の範囲において、「球状」は、真球状および略球状の双方を含む意味で用いる。球状において、短径に対する長径の比は、例えば1〜2、好ましくは1〜1.5、さらに好ましくは1〜1.3、より好ましくは1〜1.2、最も好ましくは1〜1.1である。 In the present specification and claims, "spherical" is used to mean both true spherical and substantially spherical. In the sphere, the ratio of the major axis to the minor axis is, for example, 1-2, preferably 1-1.5, more preferably 1-1.3, more preferably 1-1.2, most preferably 1-1.1. Is.

複合粒子の粒径は、特に限定されず、中心粒径(D50)として0.1〜30μm程度の範囲から選択でき、中心粒径は、例えば0.2〜10μm、好ましくは0.3〜5μm、さらに好ましくは0.5〜3μm(特に0.8〜2μm)程度である。中心粒径が小さすぎると、セラミックス基板に対する密着性が低下する虞があり、逆に大きすぎても、同様に密着性が低下する虞がある。 The particle size of the composite particles is not particularly limited and can be selected from the range of about 0.1 to 30 μm as the central particle size (D50), and the central particle size is, for example, 0.2 to 10 μm, preferably 0.3 to 5 μm. More preferably, it is about 0.5 to 3 μm (particularly 0.8 to 2 μm). If the central particle size is too small, the adhesion to the ceramic substrate may decrease, and conversely, if it is too large, the adhesion may decrease as well.

なお、本明細書および特許請求の範囲では、粒子(後述する他の粒子も含む)の中心粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定された平均粒径(体積基準)を意味する。 In the present specification and claims, the central particle size of particles (including other particles described later) is the average particle size (volume basis) measured using a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device. means.

複合粒子(A)の割合は、導電性組成物中10〜99質量%程度の範囲から選択でき、例えば30〜98質量%、好ましくは50〜95質量%(例えば50〜92質量%)、さらに好ましくは70〜90質量%(特に80〜90質量%)程度である。複合粒子(A)の割合が少なすぎると、導電性や耐硫化性が低下する虞があり、逆に多すぎると、セラミックス基板に対する密着性が低下する虞がある。 The proportion of the composite particles (A) can be selected from the range of about 10 to 99% by mass in the conductive composition, for example, 30 to 98% by mass, preferably 50 to 95% by mass (for example, 50 to 92% by mass), and further. It is preferably about 70 to 90% by mass (particularly 80 to 90% by mass). If the proportion of the composite particles (A) is too small, the conductivity and sulfurization resistance may decrease, and if the proportion is too large, the adhesion to the ceramic substrate may decrease.

[ガラス粒子(B)]
ガラス粒子(ガラス粉末)(B)は、焼結助剤として機能すればよく、導電体に利用される慣用のガラス粒子を利用できる。
[Glass particles (B)]
The glass particles (glass powder) (B) may function as a sintering aid, and conventional glass particles used for a conductor can be used.

ガラス粒子(B)を構成するガラスの組成は、特に限定されないが、例えば、組成式SiO−B−MO−RO(式中、Mは、Si、B以外の元素を示し、Rは、K、Naなどのアルカリ金属を示す)で表されるホウケイ酸ガラス(シリカ系ガラス)、組成式Al−SiO−MO−RO(式中、Mは、Al、Si以外の元素を示し、Rは前記に同じ)で表されるアルミノケイ酸ガラス、組成式Al−SiO−B−MO−RO(式中、Mは、Al、Si、B以外の元素を示し、Rは前記に同じ)で表されるアルミノホウケイ酸ガラス、組成式Bi−B−MO(式中、Mは、Bi、B以外の元素を示す)で表されるビスマス系ガラス、ZnO−SiO−MOで表される亜鉛系ガラス(式中、Mは、Zn、Si以外の元素を示す)などが挙げられる。これらのガラスは、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。これらのうち、耐めっき性を向上できる点から、ホウケイ酸ガラス、亜鉛系ガラスが好ましく、ホウケイ酸ガラスが特に好ましい。これらのガラス組成を有するガラス粒子も、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 The composition of the glass constituting the glass particles (B) is not particularly limited, but for example, the composition formula SiO 2- B 2 O 3- MO-R 2 O (in the formula, M represents an element other than Si and B). , R indicates an alkali metal such as K and Na), borosilicate glass (silica-based glass), composition formula Al 2 O 3 -SiO 2- MO-R 2 O (in the formula, M is Al). Aluminosilicate glass represented by (R is the same as above), composition formula Al 2 O 3 −SiO 2 −B 2 O 3 −MO-R 2 O (in the formula, M is Al). , Si, indicates an element other than B, R is the same as above), aluminoborosilicate glass, composition formula Bi 2 O 3- B 2 O 3- MO (in the formula, M is other than Bi, B) Examples thereof include bismuth-based glass represented by (indicating an element) and zinc-based glass represented by ZnO-SiO 2- MO (where M represents an element other than Zn and Si). These glasses can be used alone or in combination of two or more. Of these, borosilicate glass and zinc-based glass are preferable, and borosilicate glass is particularly preferable, from the viewpoint of improving plating resistance. Glass particles having these glass compositions can also be used alone or in combination of two or more.

ガラス粒子(B)の軟化点(または融点)は、導電性組成物の焼成温度よりも低い温度であるのが好ましい。ガラス粒子の軟化点は、例えば400〜800℃、好ましくは420〜800℃、さらに好ましくは450〜800℃、より好ましくは500〜800℃、最も好ましくは550〜790℃程度である。軟化点が低すぎると、焼成体の強度が低下する虞があり、逆に高すぎると、溶融流動性が低下するため、バインダーとしての機能が低下する虞がある。 The softening point (or melting point) of the glass particles (B) is preferably a temperature lower than the firing temperature of the conductive composition. The softening point of the glass particles is, for example, 400 to 800 ° C., preferably 420 to 800 ° C., more preferably 450 to 800 ° C., more preferably 500 to 800 ° C., and most preferably about 550 to 790 ° C. If the softening point is too low, the strength of the fired body may decrease, and if it is too high, the melt fluidity may decrease, so that the function as a binder may decrease.

ガラス粒子(B)の形状は、好ましい態様も含めて、前記複合粒子(A)と同一である。 The shape of the glass particles (B) is the same as that of the composite particles (A), including a preferred embodiment.

ガラス粒子(B)の中心粒径(D50)は、例えば0.1〜20μm、好ましくは0.5〜10μm、さらに好ましくは1〜5μm程度である。粒径が小さすぎると、経済性が低下するとともに、組成物中での分散性も低下する虞がある。逆に粒径が大きすぎると、印刷性や焼成膜の均一性が低下するとともに、メッシュスクリーンで印刷する場合には、メッシュ目詰まりの原因となる虞もある。 The central particle size (D50) of the glass particles (B) is, for example, 0.1 to 20 μm, preferably 0.5 to 10 μm, and more preferably about 1 to 5 μm. If the particle size is too small, the economy may be lowered and the dispersibility in the composition may be lowered. On the contrary, if the particle size is too large, the printability and the uniformity of the fired film are deteriorated, and when printing with a mesh screen, it may cause mesh clogging.

ガラス粒子(B)の割合は、複合粒子(A)100質量部に対して0.05〜10質量部程度の範囲から選択でき、例えば0.1〜5質量部、好ましくは0.3〜3質量部、さらに好ましくは0.4〜2質量部(特に0.5〜1.5質量部)程度である。ガラス粒子(B)の割合が少なすぎると、焼結助剤としての機能が低下し、耐めっき性を向上させる効果も低下する虞があり、逆に多すぎると、導電性が低下する虞がある。 The ratio of the glass particles (B) can be selected from the range of about 0.05 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particles (A), for example, 0.1 to 5 parts by mass, preferably 0.3 to 3 parts. It is about 0.4 to 2 parts by mass (particularly 0.5 to 1.5 parts by mass) by mass. If the proportion of the glass particles (B) is too small, the function as a sintering aid may be lowered and the effect of improving the plating resistance may be lowered, and conversely, if the proportion is too large, the conductivity may be lowered. is there.

[金属成分(C)]
金属成分(C)は、Mn成分(C1)とFe成分(C2)とCu成分(C3)とTi成分(C4)との組み合わせからなる。本発明では、導電性組成物がこの金属成分(C)を含むことにより、焼成体の緻密性を向上でき、焼成体である導電部の信頼性を向上できる。
[Metal component (C)]
The metal component (C) is composed of a combination of an Mn component (C1), an Fe component (C2), a Cu component (C3), and a Ti component (C4). In the present invention, when the conductive composition contains this metal component (C), the denseness of the fired body can be improved, and the reliability of the conductive portion of the fired body can be improved.

(Mn成分(C1))
Mn成分(C1)には、Mn単体、無機Mn化合物、有機Mn化合物が含まれる。
(Mn component (C1))
The Mn component (C1) includes a simple substance of Mn, an inorganic Mn compound, and an organic Mn compound.

無機Mn化合物としては、例えば、二酸化マンガンなどのMn酸化物;ホウ化マンガン;炭酸マンガン、リン酸マンガン、ホウ酸マンガン、硫酸マンガン、硝酸マンガンなどの無機酸Mn塩;塩化マンガンなどのMnハロゲン化物などが挙げられる。これらの無機Mn化合物は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the inorganic Mn compound include Mn oxides such as manganese dioxide; manganese boride; manganese carbonate, manganese phosphate, manganese borate, manganese sulfate, manganese nitrate and other inorganic acid Mn salts; and manganese chloride and other Mn halides. And so on. These inorganic Mn compounds can be used alone or in combination of two or more.

Mn単体および無機Mn化合物の形状は、好ましい態様も含めて、前記複合粒子(A)と同一である。 The shapes of Mn alone and the inorganic Mn compound are the same as those of the composite particles (A), including preferred embodiments.

Mn単体および無機Mn化合物で形成された粒子の中心粒径(D50)は、例えば0.1〜30μm、好ましくは1〜20μm、さらに好ましくは3〜15μm程度である。粒径が小さすぎると、経済性が低下するとともに、導電性組成物中での分散性も低下する虞がある。逆に粒径が大きすぎると、印刷性や焼成膜の均一性が低下するとともに、メッシュスクリーンで印刷する場合には、メッシュ目詰まりの原因となる虞もある。 The central particle size (D50) of the particles formed of Mn alone and the inorganic Mn compound is, for example, 0.1 to 30 μm, preferably 1 to 20 μm, and more preferably about 3 to 15 μm. If the particle size is too small, the economy may be lowered and the dispersibility in the conductive composition may be lowered. On the contrary, if the particle size is too large, the printability and the uniformity of the fired film are deteriorated, and when printing with a mesh screen, it may cause mesh clogging.

有機Mn化合物は、ギ酸マンガン、酢酸マンガン、シュウ酸マンガン、酪酸マンガン、カプロン酸マンガン、オクチル酸マンガン、ネオデカン酸マンガン、ステアリン酸マンガン、ナフテン酸マンガンなどのカルボン酸Mn塩などが挙げられる。有機Mn化合物は、Mn系金属石鹸(例えば、オクチル酸マンガン、ネオデカン酸マンガン、ステアリン酸マンガンなどの高級脂肪酸Mn塩)であってもよい。これらの有機Mn系化合物は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。有機Mn化合物(特に、C4−24飽和脂肪酸Mn塩)は、液状組成物の形態で使用してもよい。液状組成物は、石油系炭化水素溶液などの炭化水素溶液(例えば、ミネラルスピリット溶液)であってもよい。 Examples of the organic Mn compound include manganese formate, manganese acetate, manganese oxalate, manganese butyrate, manganese caproate, manganese octylate, manganese neodecanoate, manganese stearate, manganese naphthenate and other carboxylic acid Mn salts. The organic Mn compound may be a Mn-based metal soap (for example, a higher fatty acid Mn salt such as manganese octylate, manganese neodecanoate, or manganese stearate). These organic Mn-based compounds can be used alone or in combination of two or more. Organic Mn compounds (particularly C 4-24 saturated fatty acid Mn salts) may be used in the form of liquid compositions. The liquid composition may be a hydrocarbon solution such as a petroleum-based hydrocarbon solution (for example, a mineral spirit solution).

Mn成分(C1)としては、無機Mn化合物、有機Mn化合物が好ましく、二酸化マンガンなどのMn酸化物、オクチル酸マンガンなどのC4−24飽和脂肪酸Mn塩がさらに好ましく、C6−12飽和脂肪酸Mn塩が特に好ましい。 As the Mn component (C1), an inorganic Mn compound and an organic Mn compound are preferable, Mn oxides such as manganese dioxide and C 4-24 saturated fatty acid Mn salts such as manganese octylate are more preferable, and C 6-12 saturated fatty acid Mn Salt is particularly preferred.

Mn成分(C1)の割合は、Mn元素換算で(Mn元素の割合として)、複合粒子(A)100質量部に対して、例えば0.01〜1質量部、好ましくは0.03〜0.5質量部、さらに好ましくは0.1〜0.3質量部(特に0.15〜0.25質量部)程度である。Mn成分(C1)の割合が少なすぎると、焼成体の緻密性が低下する虞があり、逆に多すぎると、導電性が低下する虞がある。 The ratio of the Mn component (C1) is, for example, 0.01 to 1 part by mass, preferably 0.03 to 0. With respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Mn element (as a ratio of Mn element). It is about 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 0.3 parts by mass (particularly 0.15 to 0.25 parts by mass). If the proportion of the Mn component (C1) is too small, the compactness of the fired body may decrease, and if it is too large, the conductivity may decrease.

(Fe成分(C2))
Fe成分(C2)には、Fe単体、無機Fe化合物が含まれる。
(Fe component (C2))
The Fe component (C2) contains a simple substance of Fe and an inorganic Fe compound.

無機Fe化合物としては、例えば、酸化鉄(II)、酸化鉄(III)(三酸化二鉄)、四酸化三鉄などのFe酸化物;ホウ化鉄;水酸化鉄;硫化鉄;炭酸鉄、リン酸鉄、ホウ酸鉄、硫酸鉄、硝酸鉄などの無機酸Fe塩;塩化鉄などのFeハロゲン化物などが挙げられる。これらの無機Fe化合物は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the inorganic Fe compound include Fe oxides such as iron (II) oxide, iron (III) oxide (diiron trioxide), and triiron tetroxide; iron borate; iron hydroxide; iron sulfide; iron carbonate, Examples thereof include inorganic acid Fe salts such as iron phosphate, iron borate, iron sulfate and iron nitrate; and Fe halides such as iron chloride. These inorganic Fe compounds can be used alone or in combination of two or more.

Fe単体および無機Fe化合物の形状は、好ましい態様も含めて、前記複合粒子(A)と同一である。 The shapes of the Fe simple substance and the inorganic Fe compound are the same as those of the composite particle (A), including the preferred embodiment.

Fe単体および無機Fe化合物で形成された粒子の中心粒径(D50)は、例えば0.1〜10μm、好ましくは0.5〜5μm、さらに好ましくは1〜3μm程度である。粒径が小さすぎると、経済性が低下するとともに、導電性組成物中での分散性も低下する虞がある。逆に粒径が大きすぎると、印刷性や焼成膜の均一性が低下するとともに、メッシュスクリーンで印刷する場合には、メッシュ目詰まりの原因となる虞もある。 The central particle size (D50) of the particles formed of the Fe simple substance and the inorganic Fe compound is, for example, 0.1 to 10 μm, preferably 0.5 to 5 μm, and more preferably about 1 to 3 μm. If the particle size is too small, the economy may be lowered and the dispersibility in the conductive composition may be lowered. On the contrary, if the particle size is too large, the printability and the uniformity of the fired film are deteriorated, and when printing with a mesh screen, it may cause mesh clogging.

Fe成分(C2)としては、無機Fe化合物が好ましく、三酸化二鉄などのFe酸化物が特に好ましい。 As the Fe component (C2), an inorganic Fe compound is preferable, and an Fe oxide such as ferric trioxide is particularly preferable.

Fe成分(C2)は、微量であれば、有機Fe化合物(例えば、オクチル酸鉄などのC4−24飽和脂肪酸Fe塩や、ナーセム第2鉄などのFe錯体など)を含んでいてもよいが、耐めっき性の点から、有機Fe化合物を実質的に含まないのが好ましく、有機Fe化合物を含まないのが特に好ましい。 The Fe component (C2) may contain an organic Fe compound (for example, a C 4-24 saturated fatty acid Fe salt such as iron octylate, an Fe complex such as Nasem ferric iron) in a trace amount. From the viewpoint of plating resistance, it is preferable that the organic Fe compound is substantially not contained, and it is particularly preferable that the organic Fe compound is not contained.

Fe成分(C2)の割合は、Fe元素換算で(Fe元素の割合として)、複合粒子(A)100質量部に対して、例えば0.01〜1質量部、好ましくは0.03〜0.5質量部、さらに好ましくは0.05〜0.3質量部(特に0.1〜0.2質量部)程度である。Fe成分(C2)の割合が少なすぎると、焼成体の緻密性が低下する虞があり、逆に多すぎると、導電性が低下する虞がある。 The ratio of the Fe component (C2) is, for example, 0.01 to 1 part by mass, preferably 0.03 to 0. With respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Fe element (as a ratio of Fe element). It is about 5 parts by mass, more preferably about 0.05 to 0.3 parts by mass (particularly 0.1 to 0.2 parts by mass). If the proportion of the Fe component (C2) is too small, the compactness of the fired body may decrease, and if it is too large, the conductivity may decrease.

(Cu成分(C3))
Cu成分(C3)には、Cu単体、無機Cu化合物が含まれる。
(Cu component (C3))
The Cu component (C3) contains a simple substance of Cu and an inorganic Cu compound.

無機Cu化合物としては、例えば、酸化銅などのCu酸化物;水酸化銅;硫化銅;炭酸銅、リン酸銅、ホウ酸銅、硫酸銅、硝酸銅などの無機酸Cu塩;塩化銅などのCuハロゲン化物などが挙げられる。これらの無機Cu化合物は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the inorganic Cu compound include Cu oxides such as copper oxide; copper hydroxide; copper sulfide; copper carbonate, copper phosphate, copper borate, copper sulfate, copper nitrate and other inorganic acid Cu salts; copper chloride and the like. Examples include Cu halides. These inorganic Cu compounds can be used alone or in combination of two or more.

Cu単体および無機Cu化合物の形状は、好ましい態様も含めて、前記複合粒子(A)と同一である。 The shapes of the Cu simple substance and the inorganic Cu compound are the same as those of the composite particle (A), including the preferred embodiment.

Cu単体および無機Cu化合物で形成された粒子の中心粒径(D50)は、例えば0.1〜10μm、好ましくは0.5〜5μm、さらに好ましくは1〜3μm程度である。粒径が小さすぎると、経済性が低下するとともに、導電性組成物中での分散性も低下する虞がある。逆に粒径が大きすぎると、印刷性や焼成膜の均一性が低下するとともに、メッシュスクリーンで印刷する場合には、メッシュ目詰まりの原因となる虞もある。 The central particle size (D50) of the particles formed of the Cu simple substance and the inorganic Cu compound is, for example, 0.1 to 10 μm, preferably 0.5 to 5 μm, and more preferably about 1 to 3 μm. If the particle size is too small, the economy may be lowered and the dispersibility in the conductive composition may be lowered. On the contrary, if the particle size is too large, the printability and the uniformity of the fired film are deteriorated, and when printing with a mesh screen, it may cause mesh clogging.

Cu成分(C3)としては、Cu単体、Cu酸化物が好ましく、酸化銅が特に好ましい。 As the Cu component (C3), Cu alone and Cu oxide are preferable, and copper oxide is particularly preferable.

Cu成分(C3)は、微量であれば、有機Cu化合物(例えば、ナフテン酸銅などのカルボン酸Cu塩など)を含んでいてもよいが、耐めっき性の点から、有機Cu化合物を実質的に含まないのが好ましく、有機Cu化合物を含まないのが特に好ましい。 The Cu component (C3) may contain an organic Cu compound (for example, a carboxylic acid Cu salt such as copper naphthenate) as long as it is in a trace amount, but from the viewpoint of plating resistance, the organic Cu compound is substantially used. It is preferable not to contain the organic Cu compound, and it is particularly preferable not to contain the organic Cu compound.

Cu成分(C3)の割合は、Cu元素換算で(Cu元素の割合として)、複合粒子(A)100質量部に対して、例えば0.01〜1質量部、好ましくは0.05〜0.5質量部、さらに好ましくは0.1〜0.3質量部(特に0.15〜0.25質量部)程度である。Cu成分(C3)の割合が少なすぎると、焼成体の緻密性が低下する虞があり、逆に多すぎると、導電性が低下する虞がある。 The ratio of the Cu component (C3) is, for example, 0.01 to 1 part by mass, preferably 0.05 to 0. With respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Cu element (as a ratio of Cu element). It is about 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 0.3 parts by mass (particularly 0.15 to 0.25 parts by mass). If the proportion of the Cu component (C3) is too small, the denseness of the fired body may decrease, and conversely, if it is too large, the conductivity may decrease.

(Ti成分(C4))
Ti成分(C4)には、Ti単体、無機Ti化合物、有機Ti化合物が含まれる。
(Ti component (C4))
The Ti component (C4) includes a simple substance of Ti, an inorganic Ti compound, and an organic Ti compound.

無機Ti化合物としては、例えば、一酸化チタン、二酸化チタン、三酸化二チタンなどのTi酸化物;四塩化チタンなどのTiハロゲン化物などが挙げられる。これらの無機Ti化合物は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the inorganic Ti compound include Ti oxides such as titanium monoxide, titanium dioxide and dititanium trioxide; and Ti halides such as titanium tetrachloride. These inorganic Ti compounds can be used alone or in combination of two or more.

Ti単体および無機Ti化合物の形状は、好ましい態様も含めて、前記複合粒子(A)と同一である。 The shapes of the Ti simple substance and the inorganic Ti compound are the same as those of the composite particle (A), including the preferred embodiment.

Ti単体および無機Ti化合物で形成された粒子の中心粒径(D50)は、例えば0.05〜5μm、好ましくは0.1〜1μm、さらに好ましくは0.2〜0.5μm程度である。粒径が小さすぎると、経済性が低下するとともに、導電性組成物中での分散性も低下する虞がある。逆に粒径が大きすぎると、印刷性や焼成膜の均一性が低下するとともに、メッシュスクリーンで印刷する場合には、メッシュ目詰まりの原因となる虞もある。 The central particle size (D50) of the particles formed of the Ti simple substance and the inorganic Ti compound is, for example, 0.05 to 5 μm, preferably 0.1 to 1 μm, and more preferably about 0.2 to 0.5 μm. If the particle size is too small, the economy may be lowered and the dispersibility in the conductive composition may be lowered. On the contrary, if the particle size is too large, the printability and the uniformity of the fired film are deteriorated, and when printing with a mesh screen, it may cause mesh clogging.

有機Ti化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラn−ブチルチタネート、テトラt−ブチルチタネート、テトラオクチルチタネートなどのアルキルチタネート(アルコキシドチタニウム)類;テトラステアリルチタネート、テトライソステアリルチタネートなどのアシレート類;チタンアセチルアセトネート、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンエチルアセトアセテート、ドデシルベンゼンスルホン酸チタン化合物、リン酸エステルチタン錯体、チタンラクテートなどのキレート類などが挙げられる。これらの有機Ti化合物は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the organic Ti compound include alkyl titanates (alkoxydotitanium) such as tetraisopropyl titanate, tetra n-butyl titanate, tetra t-butyl titanate, and tetraoctyl titanate; and acylates such as tetrastearyl titanate and tetraisostearyl titanate; Examples thereof include chelates such as titanium acetylacetonate, titanium tetraacetylacetonate, titanium ethylacetate acetate, titanium dodecylbenzenesulfonate compound, titanium phosphate ester titanium complex, and titanium lactate. These organic Ti compounds can be used alone or in combination of two or more.

Ti成分(C4)としては、無機Ti化合物、テトラオクチルチタネートなどのテトラC3−12アルキルチタネート類が好ましく、耐めっき性の点から、無機Ti化合物がさらに好ましい。さらに、無機Ti化合物の中でも、Ti酸化物が好ましく、二酸化チタンがより好ましく、ルチル型二酸化チタンが特に好ましい。 As the Ti component (C4), tetra C 3-12 alkyl titanates such as an inorganic Ti compound and tetraoctyl titanate are preferable, and an inorganic Ti compound is more preferable from the viewpoint of plating resistance. Further, among the inorganic Ti compounds, Ti oxide is preferable, titanium dioxide is more preferable, and rutile-type titanium dioxide is particularly preferable.

Ti成分(C4)の割合は、Ti元素換算で(Ti元素の割合として)、複合粒子(A)100質量部に対して、例えば0.05〜0.85質量部、好ましくは0.1〜0.8質量部、さらに好ましくは0.2〜0.7質量部、より好ましくは0.3〜0.65質量部、最も好ましくは0.4〜0.6質量部(特に0.5〜0.6質量部)程度である。Ti成分(C4)の割合が少なすぎると、焼成体の緻密性が低下する虞があり、逆に多すぎると、導電性が低下する虞がある。 The ratio of the Ti component (C4) is, for example, 0.05 to 0.85 parts by mass, preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Ti element (as a ratio of Ti element). 0.8 parts by mass, more preferably 0.2 to 0.7 parts by mass, more preferably 0.3 to 0.65 parts by mass, most preferably 0.4 to 0.6 parts by mass (particularly 0.5 to 0.6 parts). It is about 0.6 parts by mass). If the proportion of the Ti component (C4) is too small, the compactness of the fired body may decrease, and if it is too large, the conductivity may decrease.

(金属成分(C)の割合)
金属成分(C)の割合は、金属元素換算で(Mn元素、Fe元素、Cu元素およびTi元素の合計割合として)、複合粒子(A)100質量部に対して0.6〜3.5質量部程度の範囲から選択でき、例えば0.7〜3.2質量部(例えば0.8〜3質量部)、好ましくは0.85〜2.5質量部、さらに好ましくは0.9〜2質量部、より好ましくは0.95〜1.5質量部(特に1〜1.3質量部)程度である。金属成分(C)の割合が少なすぎると、焼成体の緻密性が低下する虞があり、逆に多すぎると、導電性が低下する虞がある。
(Ratio of metal component (C))
The ratio of the metal component (C) is 0.6 to 3.5 mass by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of metal element (as the total ratio of Mn element, Fe element, Cu element and Ti element). It can be selected from a range of about parts, for example, 0.7 to 3.2 parts by mass (for example, 0.8 to 3 parts by mass), preferably 0.8 to 2.5 parts by mass, and more preferably 0.9 to 2 parts by mass. Parts, more preferably about 0.95 to 1.5 parts by mass (particularly about 1 to 1.3 parts by mass). If the proportion of the metal component (C) is too small, the denseness of the fired body may decrease, and if it is too large, the conductivity may decrease.

Mn成分(C1)、Fe成分(C2)およびCu成分(C3)の総量の割合は、金属換算で(Mn元素、Fe元素およびCu元素の合計割合として)、複合粒子(A)100質量部に対して0.1〜2.9質量部程度の範囲から選択でき、例えば0.2〜2.5質量部、好ましくは0.3〜2質量部、さらに好ましくは0.4〜1.5質量部、より好ましくは0.45〜1質量部(特に0.5〜0.7質量部)程度である。 The ratio of the total amount of the Mn component (C1), the Fe component (C2) and the Cu component (C3) is 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of metal (as the total ratio of the Mn element, the Fe element and the Cu element). On the other hand, it can be selected from the range of about 0.1 to 2.9 parts by mass, for example, 0.2 to 2.5 parts by mass, preferably 0.3 to 2 parts by mass, and more preferably 0.4 to 1.5 parts by mass. Parts, more preferably about 0.45 to 1 part by mass (particularly 0.5 to 0.7 parts by mass).

[樹脂成分(D)]
本発明の導電性組成物は、有機バインダーとして樹脂成分(D)をさらに含んでいてもよい。樹脂成分(D)としては、特に限定されず、例えば、熱可塑性樹脂(オレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、セルロース誘導体など)、熱硬化性樹脂(熱硬化性アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂など)などが挙げられる。これらの樹脂成分は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。これらの樹脂成分のうち、焼成過程で容易に焼失し、かつ灰分の少ない樹脂、例えば、アクリル系樹脂(ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレートなど)、セルロース誘導体(ニトロセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、酢酸セルロースなど)、ポリエーテル類(ポリオキシメチレンなど)、ゴム類(ポリブタジエン、ポリイソプレンなど)などが汎用され、エチルセルロースなどのセルロース誘導体が好ましい。
[Resin component (D)]
The conductive composition of the present invention may further contain the resin component (D) as an organic binder. The resin component (D) is not particularly limited, and for example, a thermoplastic resin (olefin resin, vinyl resin, acrylic resin, styrene resin, polyether resin, polyester resin, polyamide resin, cellulose derivative). Etc.), thermosetting resins (thermosetting acrylic resins, epoxy resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, etc.) and the like. These resin components can be used alone or in combination of two or more. Among these resin components, resins that are easily burned out in the firing process and have a low ash content, such as acrylic resins (polymethylmethacrylate, polybutylmethacrylate, etc.) and cellulose derivatives (nitrocellulose, ethylcellulose, butylcellulose, cellulose acetate) , Etc.), polyethers (polyoxymethylene, etc.), rubbers (polybutadiene, polyisoprene, etc.) and the like are widely used, and cellulose derivatives such as ethyl cellulose are preferable.

樹脂成分(D)の割合は、複合粒子(A)100質量部に対して、例えば0.1〜10質量部、好ましくは0.3〜5質量部、さらに好ましくは0.5〜3質量部(特に1〜2質量部)程度である。樹脂成分(D)の割合が少なすぎると、導電性組成物の取り扱い性が低下する虞があり、逆に多すぎると、焼成体の緻密性が低下する虞がある。 The ratio of the resin component (D) is, for example, 0.1 to 10 parts by mass, preferably 0.3 to 5 parts by mass, and more preferably 0.5 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A). (Especially 1 to 2 parts by mass). If the proportion of the resin component (D) is too small, the handleability of the conductive composition may decrease, and conversely, if it is too large, the denseness of the fired body may decrease.

[有機溶剤(E)]
本発明の導電性組成物は、有機溶剤(E)をさらに含んでいてもよい。有機溶剤(E)としては、特に限定されず、導電性組成物(特にペースト状組成物)に適度な粘性を付与し、かつ導電性組成物を基板に塗布した後に乾燥処理によって容易に揮発できる有機化合物であればよく、高沸点の有機溶剤であってもよい。
[Organic solvent (E)]
The conductive composition of the present invention may further contain an organic solvent (E). The organic solvent (E) is not particularly limited, and can impart an appropriate viscosity to the conductive composition (particularly a paste-like composition) and can be easily volatilized by a drying treatment after the conductive composition is applied to the substrate. It may be an organic compound or an organic solvent having a high boiling point.

このような有機溶剤としては、例えば、芳香族炭化水素(パラキシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ナフタレン、クメン、インデンなど)、脂肪族炭化水素(ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンなど)、エステル類(乳酸エチル、テキサノールなど)、ケトン類(イソホロンなど)、アミド類(ジメチルホルムアミドなど)、脂肪族アルコール(エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、2−エチルヘキサノール、デカノール、ジアセトンアルコールなど)、セロソルブ類(メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど)、セロソルブアセテート類(エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなど)、カルビトール類(カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールなど)、カルビトールアセテート類(エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート)、脂肪族多価アルコール類(エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ブタンジオール、トリエチレングリコール、グリセリンなど)、脂環族アルコール類[例えば、シクロヘキサノールなどのシクロアルカノール類;α−テルピネオール、ジヒドロテルピネオールなどのテルペンアルコール類(モノテルペンアルコールなど)など]、芳香族アルコール類(メタクレゾールなど)、芳香族カルボン酸エステル類(ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど)、窒素含有複素環化合物(ジメチルイミダゾール、ジメチルイミダゾリジノンなど)などが挙げられる。これらの有機溶剤は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of such organic solvents include aromatic hydrocarbons (paraxylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, naphthalene, cumene, inden, etc.), aliphatic hydrocarbons (hexane, heptane, octane, nonane, etc.), esters (lactic acid). Ethyl, texanol, etc.), ketones (isophorone, etc.), amides (dimethylformamide, etc.), aliphatic alcohols (ethanol, isopropanol, butanol, octanol, 2-ethylhexanol, decanol, diacetone alcohol, etc.), cellosolves (methyl) Cellosolves, ethyl cellosolves, etc.), cellosolve acetates (ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, etc.), carbitols (carbitol, methylcarbitol, ethylcarbitol, butylcarbitol, etc.), carbitol acetates (ethylcarbitol acetate, etc.) , Butylcarbitol acetate), aliphatic polyhydric alcohols (ethylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, butanediol, triethylene glycol, glycerin, etc.), alicyclic alcohols [eg, cycloalkanols such as cyclohexanol; Terpen alcohols such as α-terpineol and dihydroterpineol (monoterpen alcohols, etc.)], aromatic alcohols (methacresol, etc.), aromatic carboxylic acid esters (dibutylphthalate, dioctylphthalate, etc.), nitrogen-containing heterocyclic compounds (Dimethylimidazole, dimethylimidazolidinone, etc.) and the like. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.

これらの有機溶剤のうち、導電性組成物の流動性などの点から、テキサノール(2,2,4−トリメチルペンタン−1,3−ジオールモノイソブチラート)などの脂肪族ジオールモノカルボキシレート、オクタノールなどの脂肪族アルコール、テルピネオールなどの脂環族アルコール、ブチルカルビトールなどのカルビトール類、ブチルカルビトールアセテートなどのカルビトールアセテート類が好ましく、前記脂肪族ジオールモノカルボキシレートと前記カルビトールアセテート類との組み合わせが特に好ましい。前記脂肪族ジオールモノカルボキシレートと前記カルビトールアセテート類とを組み合わせる場合、両者の質量比は、前者/後者=99/1〜10/90、好ましくは90/10〜30/70、さらに好ましくは80/20〜50/50(特に75/25〜60/40)程度である。さらに、有機溶媒は、耐めっき性を向上できる点からは、芳香族炭化水素や脂肪族炭化水素などの石油系炭化水素(またはミネラルスピリット)などの炭化水素類が好ましい。 Among these organic solvents, aliphatic diol monocarboxylates such as texanol (2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol monoisobutyrate) and octanol are considered from the viewpoint of fluidity of the conductive composition. Aliphatic alcohols such as, alicyclic alcohols such as terpineol, carbitols such as butyl carbitol, and carbitol acetates such as butyl carbitol acetate are preferable, and the aliphatic diol monocarboxylate and the carbitol acetates are used. The combination of is particularly preferable. When the aliphatic diol monocarboxylate and the carbitol acetates are combined, the mass ratio of the two is the former / the latter = 99/1 to 10/90, preferably 90/10 to 30/70, and more preferably 80. It is about / 20 to 50/50 (particularly 75/25 to 60/40). Further, as the organic solvent, hydrocarbons such as petroleum-based hydrocarbons (or mineral spirits) such as aromatic hydrocarbons and aliphatic hydrocarbons are preferable from the viewpoint of improving plating resistance.

有機溶剤(E)の割合は、複合粒子(A)100質量部に対して0.01〜50質量部程度の範囲から選択でき、例えば1〜30質量部、好ましくは3〜20質量部、さらに好ましくは5〜15質量部(特に8〜13質量部)程度である。有機溶剤(E)が石油系炭化水素を含む場合、石油系炭化水素の割合は、金属粒子(A)100質量部に対して、例えば0.01〜30質量部、好ましくは0.05〜20質量部、さらに好ましくは0.1〜10質量部、より好ましくは0.5〜5質量部、最も好ましくは1〜3質量部である。有機溶剤(E)の割合が少なすぎると、導電性組成物の粘度が上昇して取り扱い性および耐めっき性が低下する虞があり、逆に多すぎると、焼成体の緻密性が低下する虞がある。 The ratio of the organic solvent (E) can be selected from the range of about 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A), for example, 1 to 30 parts by mass, preferably 3 to 20 parts by mass, and further. It is preferably about 5 to 15 parts by mass (particularly 8 to 13 parts by mass). When the organic solvent (E) contains a petroleum-based hydrocarbon, the ratio of the petroleum-based hydrocarbon is, for example, 0.01 to 30 parts by mass, preferably 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles (A). It is by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass, and most preferably 1 to 3 parts by mass. If the proportion of the organic solvent (E) is too small, the viscosity of the conductive composition may increase and the handleability and plating resistance may decrease. On the contrary, if the proportion of the organic solvent (E) is too large, the denseness of the fired body may decrease. There is.

[他の金属含有成分(F)]
本発明の導電性組成物は、前記複合粒子(A)、前記ガラス粒子(B)および前記金属成分(C)以外の金属含有成分(他の金属含有成分)(F)をさらに含んでいてもよい。
[Other metal-containing components (F)]
The conductive composition of the present invention may further contain a metal-containing component (other metal-containing component) (F) other than the composite particles (A), the glass particles (B), and the metal component (C). Good.

他の金属含有成分(F)としては、例えば、Ag、Pd、Al、Mn、Fe、Ni、Cu、Mo、W、Pt、Au、Co、Ti、Zr、Snなどからなる群から選択された金属元素の金属成分(金属単体、金属化合物)や、前記群から選択された2種以上の金属元素の合金または複合金属化合物などが挙げられる。 The other metal-containing component (F) was selected from the group consisting of, for example, Ag, Pd, Al, Mn, Fe, Ni, Cu, Mo, W, Pt, Au, Co, Ti, Zr, Sn and the like. Examples thereof include a metal component of a metal element (elemental metal, a metal compound), an alloy of two or more kinds of metal elements selected from the above group, or a composite metal compound.

他の金属含有成分の形状は、好ましい態様も含め、前記複合粒子(A)と同一である。 The shape of the other metal-containing component is the same as that of the composite particle (A), including the preferred embodiment.

他の金属含有成分(F)で形成された粒子の粒径は、特に限定されず、中心粒径(D50)として0.5〜30μm程度の範囲から選択でき、中心粒径は、例えば1〜10μm、好ましくは1〜4μm、さらに好ましくは1.5〜3μm(特に1.5〜2.5μm)程度である。中心粒径が小さすぎると、セラミックス基板に対する密着性が低下する虞があり、逆に大きすぎても、同様に密着性が低下する虞がある。 The particle size of the particles formed by the other metal-containing component (F) is not particularly limited, and the center particle size (D50) can be selected from the range of about 0.5 to 30 μm, and the center particle size is, for example, 1 to 1. It is about 10 μm, preferably 1 to 4 μm, and more preferably 1.5 to 3 μm (particularly 1.5 to 2.5 μm). If the central particle size is too small, the adhesion to the ceramic substrate may decrease, and conversely, if it is too large, the adhesion may decrease as well.

他の金属含有成分(F)の割合は、金属元素換算で、複合粒子(A)100質量部に対して5質量部以下(例えば0.01〜5質量部)程度であってもよい。 The ratio of the other metal-containing component (F) may be about 5 parts by mass or less (for example, 0.01 to 5 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of metal element.

本発明の導電性組成物は、耐めっき性を向上できる点から、他の金属含有成分(F)として、Ag粒子(特に、球状Ag粒子)を実質的に含まないのが好ましく、Ag粒子(特に、球状Ag粒子)を含まないのが特に好ましい。 From the viewpoint of improving the plating resistance, the conductive composition of the present invention preferably does not substantially contain Ag particles (particularly spherical Ag particles) as other metal-containing component (F), and Ag particles (particularly, spherical Ag particles) are preferably contained. In particular, it is particularly preferable that it does not contain spherical Ag particles).

[慣用の添加剤]
本発明の導電性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、慣用の添加剤をさらに含んでいてもよい。慣用の添加剤としては、例えば、硬化剤(アクリル系樹脂の硬化剤など)、着色剤(染顔料など)、色相改良剤、染料定着剤、光沢付与剤、金属腐食防止剤、安定剤(酸化防止剤、紫外線吸収剤など)、界面活性剤または分散剤(アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤など)、分散安定化剤、粘度調整剤またはレオロジー調整剤、保湿剤、チクソトロピー性賦与剤、レベリング剤、消泡剤、殺菌剤、充填剤などが挙げられる。これらの他の成分は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。慣用の添加剤の合計割合は、成分の種類に応じて選択でき、通常、複合粒子(A)100質量部に対して10質量部以下(例えば0.01〜10質量部)程度である。
[Conventional Additives]
The conductive composition of the present invention may further contain conventional additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Conventional additives include, for example, hardeners (hardeners for acrylic resins, etc.), colorants (dye pigments, etc.), hue improvers, dye fixers, gloss enhancers, metal corrosion inhibitors, stabilizers (oxidation). Inhibitors, UV absorbers, etc.), Surfactants or Dispersants (Anionic Surfactants, Cationic Surfactants, Nonionic Surfactants, Amphoteric Surfactants, etc.), Dispersion Stabilizers, Viscosity Adjusters or Examples include rheology modifiers, moisturizers, thixotropic agents, leveling agents, defoamers, bactericides, fillers and the like. These other ingredients can be used alone or in combination of two or more. The total ratio of the conventional additives can be selected according to the type of the component, and is usually about 10 parts by mass or less (for example, 0.01 to 10 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A).

[導電性組成物の調製方法]
本発明の導電性組成物(または導電性ペースト)の調製方法としては、各成分を均一に分散させるため、慣用の混合機を用いて混合する方法などを利用でき、粉砕機能を有する装置(例えば、3本ロール、乳鉢、ミルなど)を使用してもよい。各成分の添加方法は、一括添加して混合する方法であってもよく、分割して添加して混合する方法であってもよい。
[Method for preparing conductive composition]
As a method for preparing the conductive composition (or conductive paste) of the present invention, a method of mixing using a conventional mixer or the like can be used in order to uniformly disperse each component, and an apparatus having a pulverizing function (for example). , 3 rolls, mortar, mill, etc.) may be used. The method of adding each component may be a method of collectively adding and mixing, or a method of dividing and adding and mixing.

[メタライズド基板およびその製造方法]
本発明のメタライズド基板(配線回路基板などの導電部付セラミックス基板)は、セラミックス基板に前記導電性組成物を付着させる付着工程、前記セラミックス基板に付着した前記導電性組成物を焼成して導電部を形成する焼成工程を経て得られる。
[Metalized substrate and its manufacturing method]
The metallized substrate (ceramic substrate with a conductive portion such as a wiring circuit board) of the present invention has a bonding step of adhering the conductive composition to the ceramic substrate, and the conductive composition adhered to the ceramic substrate is fired to form the conductive portion. It is obtained through a firing step of forming.

本発明では、耐めっき性を向上できる点から、前記金属成分(C)が有機金属化合物である場合、前記有機金属化合物を液状組成物の形態で添加してもよく、少なくとも前記Mn成分(C1)および/または前記Ti成分(C4)を液状組成物の形態で添加するのが好ましく、前記Mn成分(C1)を液状組成物の形態で添加するのが特に好ましい。 In the present invention, when the metal component (C) is an organometallic compound, the organometallic compound may be added in the form of a liquid composition from the viewpoint of improving the plating resistance, and at least the Mn component (C1) may be added. ) And / or the Ti component (C4) is preferably added in the form of a liquid composition, and the Mn component (C1) is particularly preferably added in the form of a liquid composition.

付着工程において、導電性組成物の付着方法は、メタライズド基板の種類に応じて選択でき、表面メタライズド基板やスルーホール壁面メタライズド基板では、基板の表面や貫通孔(スルーホール)の内壁に導電性組成物を塗布してもよく、ビア充填基板では表裏貫通穴に対して導電性組成物を充填(ビア充填)してもよい。 In the bonding step, the method of bonding the conductive composition can be selected according to the type of the metallized substrate. In the surface metallized substrate and the through-hole wall surface metallized substrate, the conductive composition is formed on the surface of the substrate and the inner wall of the through hole (through hole). An object may be applied, and in the via-filled substrate, the conductive composition may be filled (via-filled) in the front and back through holes.

導電性組成物を用いて塗膜を形成する方法としては、慣用のコーティング方法、例えば、フローコーティング法、ディスペンサーコーティング法、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、キャスト法、バーコーティング法、カーテンコーティング法、ロールコーティング法、グラビアコーティング法、ディッピング法、スリット法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法などを利用できる。前記コーティング方法において、塗膜でパターンを形成(描画)してもよく、形成されたパターン(描画パターン)を乾燥することによりパターン(焼結膜、金属膜、焼結体層、導体層)を形成できる。パターン(塗布層)を描画するための描画法(または印刷法)としては、パターン形成可能な印刷法であれば特に限定されず、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法(例えば、グラビア印刷法など)、オフセット印刷法、凹版オフセット印刷法、フレキソ印刷法などが挙げられる。これらのうち、スクリーン印刷法が好ましい。 As a method for forming a coating film using a conductive composition, conventional coating methods such as flow coating method, dispenser coating method, spin coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic printing method, casting method, etc. A bar coating method, a curtain coating method, a roll coating method, a gravure coating method, a dipping method, a slit method, a photolithography method, an inkjet method, etc. can be used. In the coating method, a pattern may be formed (drawn) with a coating film, and a pattern (sintered film, metal film, sintered body layer, conductor layer) is formed by drying the formed pattern (drawing pattern). it can. The drawing method (or printing method) for drawing the pattern (coating layer) is not particularly limited as long as it is a printing method capable of forming a pattern, and for example, a screen printing method, an inkjet printing method, or an intaglio printing method (for example,). Gravure printing method, etc.), offset printing method, intaglio offset printing method, flexo printing method, etc. Of these, the screen printing method is preferable.

セラミックス基板の材質としては、例えば、金属酸化物(アルミナまたは酸化アルミニウム、ジルコニア、サファイア、フェライト、酸化亜鉛、酸化ニオブ、ムライト、ベリリアなど)、酸化ケイ素(石英、二酸化ケイ素など)、金属窒化物(窒化アルミニウム、窒化チタンなど)、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化炭素、金属炭化物(炭化チタン、炭化タングステンなど)、炭化ケイ素、炭化ホウ素、金属複酸化物[チタン酸金属塩(チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ニオブ、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウムなど)、ジルコン酸金属塩(ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛など)など]などが挙げられる。これらのセラミックスは単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the material of the ceramic substrate include metal oxides (alumina or aluminum oxide, zirconia, sapphire, ferrite, zinc oxide, niobium oxide, murite, beryllia, etc.), silicon oxide (quartz, silicon dioxide, etc.), and metal nitrides (metal nitrides, etc.) Aluminum nitride, titanium nitride, etc.), silicon nitride, boron nitride, carbon nitride, metal carbides (titanium carbide, tungsten carbide, etc.), silicon carbide, boron carbide, metal compound oxide [metal salt (barium titanate, titanic acid) Strontium, lead titanate, niobium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, etc.), metal zirconate salts (barium zirconate, calcium zirconate, lead zirconate, etc.), etc.] and the like. These ceramics can be used alone or in combination of two or more.

これらのセラミックス基板のうち、電気電子分野で信頼性が高い点から、アルミナ基板、アルミナ−ジルコニア基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板、炭化ケイ素基板が好ましく、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板が特に好ましい。 Among these ceramic substrates, alumina substrates, alumina-zirconia substrates, aluminum nitride substrates, silicon nitride substrates, and silicon carbide substrates are preferable from the viewpoint of high reliability in the field of electricity and electronics, and alumina substrates, aluminum nitride substrates, and silicon nitride substrates are preferable. Is particularly preferable.

セラミックス基板の厚みは、用途に応じて適宜選択すればよく、例えば0.001〜10mm、好ましくは0.01〜5mm、さらに好ましくは0.05〜3mm(特に0.1〜1mm)程度であってもよい。 The thickness of the ceramic substrate may be appropriately selected depending on the intended use, and is, for example, 0.001 to 10 mm, preferably 0.01 to 5 mm, and more preferably 0.05 to 3 mm (particularly 0.1 to 1 mm). You may.

焼成における雰囲気は、空気中が好ましい。焼成温度は、導電性組成物中のガラス粒子の軟化点を超えていればよく、例えば600〜1100℃、好ましくは700〜1000℃、さらに好ましくは800〜950℃程度である。焼成時間は、例えば1分〜3時間、好ましくは10分〜2時間、さらに好ましくは30分〜1.5時間程度である。 The atmosphere in firing is preferably in air. The firing temperature may exceed the softening point of the glass particles in the conductive composition, and is, for example, 600 to 1100 ° C., preferably 700 to 1000 ° C., and more preferably about 800 to 950 ° C. The firing time is, for example, 1 minute to 3 hours, preferably 10 minutes to 2 hours, and more preferably about 30 minutes to 1.5 hours.

焼成(特に窒素雰囲気中での焼成)は、バッチ炉またはベルト搬送式のトンネル炉を用いて行ってもよい。 The firing (particularly firing in a nitrogen atmosphere) may be performed using a batch furnace or a belt-conveying tunnel furnace.

本発明のメタライズド基板は、導電性に優れており、導電部の抵抗値は10μΩ・cm以下(例えば2〜6μΩ・cm)であってもよい。 The metallized substrate of the present invention is excellent in conductivity, and the resistance value of the conductive portion may be 10 μΩ · cm or less (for example, 2 to 6 μΩ · cm).

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下の例において、実施例で使用した材料、実施例で得られた評価用基板、得られた基板の評価方法を以下に示す。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples, the materials used in the examples, the evaluation substrate obtained in the examples, and the evaluation method of the obtained substrate are shown below.

[使用した材料]
(AgPd粒子)
AgPd粒子A(Pd5%)…AgとPdとの合金粒子(AgとPdとの質量比:Ag/Pd=95/5)、球状、中心粒径D50:約1.2μm、比表面積1.1m/g
AgPd粒子B(Pd10%)…AgとPdとの合金粒子(AgとPdとの質量比:Ag/Pd=90/10)、球状、中心粒径D50:約1.4μm、比表面積1.0m/g
AgPd粒子C(Pd30%)…AgとPdとの合金粒子(AgとPdとの質量比:Ag/Pd=70/30)、球状、中心粒径D50:約1.4μm、比表面積1.1m/g
AgPd粒子D(Pd1%)…AgとPdとの合金粒子(AgとPdとの質量比:Ag/Pd=99/1)、球状
(Ag粒子)
球状Ag粒子(2μm)…中心粒径D50:約2μm、比表面積0.42m/g
(ガラス粒子)
シリカ系ガラス粒子…組成SiO−B−RO、軟化温度780℃
亜鉛系ガラス粒子…組成ZnO−SiO−B−RO、軟化温度575℃
ビスマス系ガラス粒子…組成Bi−ZnO−B、軟化温度490℃
(金属成分)
酸化マンガン(MnO)粒子…純度3N、平均粒径約1μm
Mn系金属石鹸(オクチル酸マンガン)…オクチル酸マンガン(II)ミネラルスピリット溶液、マンガン含量8質量%
酸化鉄(Fe)粒子…純度2N、平均粒径約1μm
酸化銅(CuO)粒子…純度3N、平均粒径約1μm
二酸化チタン(TiO)粒子…球状、平均粒径約0.25μm
テトラオクチルチタネート(TOT)…2−プロパノール溶液、チタン含量8.5質量%
(他の金属含有成分)
アルミナ粒子…平均粒径D50:0.3μm、比表面積12.5m/g
四酸化三コバルト粒子…平均粒径D50:0.6μm。
[Material used]
(AgPd particles)
AgPd particles A (Pd5%) ... Alloy particles of Ag and Pd (mass ratio of Ag and Pd: Ag / Pd = 95/5), spherical, central particle size D50: about 1.2 μm, specific surface area 1.1 m 2 / g
AgPd particles B (Pd10%) ... Alloy particles of Ag and Pd (mass ratio of Ag and Pd: Ag / Pd = 90/10), spherical, central particle size D50: about 1.4 μm, specific surface area 1.0 m 2 / g
AgPd particles C (Pd30%) ... Alloy particles of Ag and Pd (mass ratio of Ag and Pd: Ag / Pd = 70/30), spherical, central particle size D50: about 1.4 μm, specific surface area 1.1 m 2 / g
AgPd particles D (Pd1%) ... Alloy particles of Ag and Pd (mass ratio of Ag and Pd: Ag / Pd = 99/1), spherical (Ag particles)
Spherical Ag particles (2 μm) ... Center particle size D50: Approximately 2 μm, specific surface area 0.42 m 2 / g
(Glass particles)
Silica-based glass particles: Composition SiO 2- B 2 O 3- RO, softening temperature 780 ° C.
Zinc-based glass particles: Composition ZnO-SiO 2- B 2 O 3- RO, softening temperature 575 ° C
Bismuth-based glass particles: Composition Bi 2 O 3- ZnO-B 2 O 3 , softening temperature 490 ° C.
(Metal component)
Manganese oxide (MnO) particles: Purity 3N, average particle size about 1 μm
Mn-based metal soap (manganese octylate) ... Manganese octylate (II) mineral spirit solution, manganese content 8% by mass
Iron oxide (Fe 2 O 3 ) particles ... Purity 2N, average particle size about 1 μm
Copper oxide (CuO) particles: Purity 3N, average particle size about 1 μm
Titanium dioxide (TiO 2 ) particles: Spherical, average particle size of about 0.25 μm
Tetraoctyl titanate (TOT) ... 2-propanol solution, titanium content 8.5% by mass
(Other metal-containing components)
Alumina particles: Average particle size D50: 0.3 μm, specific surface area 12.5 m 2 / g
Tricobalt tetraoxide particles ... Average particle size D50: 0.6 μm.

[評価用基板の作製]
表1〜4に示す無機成分の組成にて実施例1〜11、参考例1および比較例1〜10の導電性ペーストを調製した。ペーストの調製方法としては、テキサノール/ブチルカルビトールアセテート=55/35(質量比)の混合溶媒に、10質量%のエチルセルロースを溶解した有機ビヒクルと、表1〜4に示す無機成分とを混合してペーストを調製した。その際に、導電性ペースト中の無機成分の固形分濃度が87質量%となるよう調整した。そして、作製したペーストを用いて、スクリーン印刷で、3インチ×3インチ×0.635mm厚みのアルミナ基板上に、電極を形成し、900℃、大気下で焼成して評価用基板を作製した。
[Preparation of evaluation board]
Conductive pastes of Examples 1 to 11, Reference Example 1 and Comparative Examples 1 to 10 were prepared according to the composition of the inorganic components shown in Tables 1 to 4. As a method for preparing the paste, an organic vehicle in which 10% by mass of ethyl cellulose is dissolved in a mixed solvent of texanol / butylcarbitol acetate = 55/35 (mass ratio) and the inorganic components shown in Tables 1 to 4 are mixed. The paste was prepared. At that time, the solid content concentration of the inorganic component in the conductive paste was adjusted to 87% by mass. Then, using the prepared paste, electrodes were formed on an alumina substrate having a thickness of 3 inches × 3 inches × 0.635 mm by screen printing, and fired at 900 ° C. in the atmosphere to prepare an evaluation substrate.

[初期判定]
(耐硫化性試験)
雰囲気温度40℃、相対湿度90%、HS濃度が2.0ppmおよびNO濃度が4.0ppmに調整された混合ガスの環境下に450時間放置し、耐硫化試験を行い、以下の基準で判定した。
[Initial judgment]
(Sulfide resistance test)
Atmospheric temperature 40 ° C., a relative humidity of 90%, H 2 S concentration was left 450 hours in an environment of a gas mixture 2.0ppm and NO 2 concentration was adjusted to 4.0 ppm, performs sulfidation test, following criteria Judged by.

◎:全く硫化点がみられない
○:硫化点が少しみられる
×:全体的に硫化している。
⊚: No sulfurization point is observed ○: Sulfidation point is slightly observed ×: Overall sulfurization.

(耐めっき性、初期接着強度)
無電解めっき(Ni/Pd/Au)後、2mm角パッドパターン部で密着力を評価した。2mm角パッド表面に沿うように錫メッキ軟銅線(ピール線)をハンダ付けした。このとき、銅線を持ち上げただけで電極が剥がれたものは、耐めっき性評価×とした。
(Plating resistance, initial adhesive strength)
After electroless plating (Ni / Pd / Au), the adhesion was evaluated at the 2 mm square pad pattern portion. A tin-plated annealed copper wire (peel wire) was soldered along the surface of the 2 mm square pad. At this time, if the electrode was peeled off just by lifting the copper wire, the plating resistance evaluation was ×.

パッド端に位置する箇所において軟銅線を垂直上方に折り曲げたものを引張試験機に固定し、パッドが基板から剥離するまで引張上げた。パッドが基板から剥離する際の最も高い荷重をピール強度(2mmパターンのピール強度)として記録した。得られたピール強度について、以下の基準で評価した。ピール強度が3kgf以上とは、パターン1mmあたりのピール強度が0.75kgf以上であることを意味し、銅線を持ち上げただけで電極が剥がれたものは、0kgfとした。 An annealed copper wire bent vertically upward at a position located at the end of the pad was fixed to a tensile tester and pulled up until the pad was peeled off from the substrate. The highest load when the pad peeled from the substrate was recorded as the peel strength (2 mm pattern peel strength). The obtained peel strength was evaluated according to the following criteria. The peel strength of 3 kgf or more means that the peel strength per 1 mm of the pattern is 0.75 kgf or more, and the case where the electrode is peeled off only by lifting the copper wire is set to 0 kgf.

◎:3kgf以上
○:2kgf以上3kgf未満
×:2kgf未満。
⊚: 3 kgf or more ○: 2 kgf or more and less than 3 kgf ×: less than 2 kgf.

(比抵抗)
比抵抗は、四探針法での表面抵抗と膜厚とから算出した。実施例および比較例で得られた導電膜について、それぞれ10サンプルの測定を行い、その平均値を求めた。
(Specific resistance)
The specific resistance was calculated from the surface resistance and the film thickness in the four-probe method. For each of the conductive films obtained in Examples and Comparative Examples, 10 samples were measured, and the average value was calculated.

(初期判定の判定方法)
上記評価試験の結果について、初期判定として、以下の基準で判定し、ランク付けした。
(Judgment method of initial judgment)
The results of the above evaluation test were judged and ranked according to the following criteria as an initial judgment.

ランクA:耐硫化性、耐めっき性がいずれも◎である(合格)
ランクB:耐硫化性、耐めっき性の一方が○で、いずれも×でない(合格)
ランクC:耐硫化性、耐めっき性に×がある(不合格)。
Rank A: Sulfurization resistance and plating resistance are both ◎ (passed)
Rank B: One of sulfur resistance and plating resistance is ○, and neither is × (pass)
Rank C: There is a cross in sulfurization resistance and plating resistance (failure).

[総合判定]
初期判定で合格した基板について以下の信頼性評価を行って総合判定した。
[Comprehensive judgment]
The following reliability evaluations were performed on the substrates that passed the initial judgment to make a comprehensive judgment.

(恒温恒湿試験)
恒温恒湿試験は、温度85℃、相対湿度85%RHにした恒温恒湿槽に1000時間放置した後、焼成膜の密着力(接着強度)を測定し、以下の基準で判定した。
(Constant temperature and humidity test)
In the constant temperature and humidity test, the adhesive strength (adhesive strength) of the fired film was measured after being left in a constant temperature and humidity bath at a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% RH for 1000 hours, and the determination was made according to the following criteria.

◎:2kgf以上
○:1.5kgf以上2kgf未満
×:1.5kgf未満。
⊚: 2 kgf or more ○: 1.5 kgf or more and less than 2 kgf ×: less than 1.5 kgf.

(ヒートサイクル試験)
−40℃/125℃の1000サイクル後の接着強度を測定し、以下の基準で判定した。
(Heat cycle test)
The adhesive strength after 1000 cycles at −40 ° C./125 ° C. was measured and judged according to the following criteria.

◎:2kgf以上
○:1.5kgf以上2kgf未満
×:1.5kgf未満。
⊚: 2 kgf or more ○: 1.5 kgf or more and less than 2 kgf ×: less than 1.5 kgf.

(熱エージング試験)
170℃のオーブンで1000時間経過後に接着強度を測定し、以下の基準で判定した。
(Heat aging test)
The adhesive strength was measured after 1000 hours in an oven at 170 ° C., and the determination was made according to the following criteria.

◎:2kgf以上
○:1.5kgf以上2kgf未満
×:1.5kgf未満。
⊚: 2 kgf or more ○: 1.5 kgf or more and less than 2 kgf ×: less than 1.5 kgf.

(総合判定の判定方法)
上記評価試験の結果について、総合判定として、以下の基準で判定し、ランク付けした。
(Judgment method of comprehensive judgment)
The results of the above evaluation test were judged and ranked according to the following criteria as a comprehensive judgment.

ランクA:信頼性試験が全て◎である(合格)
ランクB:信頼性試験が◎と○、あるいは全て○である(合格)
ランクC:信頼性試験に×がある、または初期判定でランクC(不合格)。
Rank A: All reliability tests are ◎ (pass)
Rank B: Reliability test is ◎ and ○, or all ○ (pass)
Rank C: There is a cross in the reliability test, or rank C (failed) in the initial judgment.

実施例1〜11、参考例1および比較例1〜10で得られた評価基板の評価結果を表1〜4に示す。 Tables 1 to 4 show the evaluation results of the evaluation substrates obtained in Examples 1 to 11, Reference Example 1 and Comparative Examples 1 to 10.

Figure 2020177907
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Figure 2020177907
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Figure 2020177907
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Figure 2020177907
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なお、表1〜4に記載されている割合(質量%)の詳細は以下の通りである。 The details of the ratios (mass%) shown in Tables 1 to 4 are as follows.

「金属成分(C)の割合」は、AgPd粒子および球状Ag粒子の総量に対する金属成分(C)の金属元素換算での割合(質量%)を意味する(AgPd粒子および球状Ag粒子の総量100質量部に対する金属成分(C)に含まれる金属元素の質量部)。 "Ratio of metal component (C)" means the ratio (mass%) of the metal component (C) in terms of metal element to the total amount of AgPd particles and spherical Ag particles (total amount of AgPd particles and spherical Ag particles 100 mass). The mass part of the metal element contained in the metal component (C) with respect to the part).

「Ti成分(C4)の割合」は、AgPd粒子および球状Ag粒子の総量に対するTi成分(C4)の金属元素換算での割合(質量%)を意味する。 “Ratio of Ti component (C4)” means the ratio (mass%) of Ti component (C4) in terms of metal element to the total amount of AgPd particles and spherical Ag particles.

「Mn成分(C1)、Fe成分(C2)、Cu成分(C3)の割合」は、AgPd粒子および球状Ag粒子の総量に対するMn成分(C1)、Fe成分(C2)、Cu成分(C3)の総量の金属元素換算での割合(質量%)を意味する(AgPd粒子および球状Ag粒子の総量100質量部に対する各金属成分に含まれる金属元素の総量の質量部)。 The "ratio of the Mn component (C1), Fe component (C2), and Cu component (C3)" is the Mn component (C1), Fe component (C2), and Cu component (C3) with respect to the total amount of AgPd particles and spherical Ag particles. It means the ratio (mass%) of the total amount in terms of metal elements (mass part of the total amount of metal elements contained in each metal component with respect to 100 parts by mass of the total amount of AgPd particles and spherical Ag particles).

「Pdの割合」は、組成物中に含まれるAg元素およびPd元素の総量に対するPd元素の割合(質量%)を意味する。 "Ratio of Pd" means the ratio (mass%) of Pd element to the total amount of Ag element and Pd element contained in the composition.

「ガラス粒子(B)の割合」は、AgPd粒子および球状Ag粒子の総量に対するガラス粒子(B)の割合(質量%)を意味する。 “Ratio of glass particles (B)” means the ratio (mass%) of glass particles (B) to the total amount of AgPd particles and spherical Ag particles.

表1〜4の結果から明らかなように、実施例で得られた基板では、耐めっき性および耐硫化性が高く、使用環境の変化に拘わらず信頼性が高いのに対して、参考例および比較例で得られた基板は耐めっき性、耐硫化性、信頼性を全て充足することはできなかった。 As is clear from the results in Tables 1 to 4, the substrates obtained in the examples have high plating resistance and sulfurization resistance, and are highly reliable regardless of changes in the usage environment, whereas the reference examples and the substrates The substrate obtained in the comparative example could not satisfy all of plating resistance, sulfurization resistance, and reliability.

詳しくは、表1の結果から明らかなように、Ti成分を含まない比較例3では、耐めっき性(密着性)が不充分であった。また、Ti成分とAg粒子とが共存する参考例1でも、耐めっき性(密着性)が不充分であった。Ti成分としては、二酸化チタン粒子を用いた実施例1が耐めっき性(密着性)に優れ、信頼性試験でもA判定であった。なお、テトラオクチルチタネートを用いた実施例2〜3でも、二酸化チタン粒子よりは劣るが信頼性試験でB判定となり実用可能なレベルであった。一方、Ti成分の替わりに、他の金属成分として、アルミナ粒子や四酸化三コバルト粒子を用いた比較例1〜2では、信頼性や耐めっき性(密着性)が不充分であった。また、Pdを含まない比較例4では、耐めっき性(密着性)に問題はなかったが、耐硫化性に問題があった。さらに、Mn化合物(C1)、Fe化合物(C2)、Cu化合物(C3)のうち2種類しか含まない比較例5〜7でも、電極が全く密着しないため耐めっき性で不合格であった。 Specifically, as is clear from the results in Table 1, in Comparative Example 3 containing no Ti component, the plating resistance (adhesion) was insufficient. Further, even in Reference Example 1 in which the Ti component and Ag particles coexist, the plating resistance (adhesion) was insufficient. As the Ti component, Example 1 using titanium dioxide particles was excellent in plating resistance (adhesion), and was judged as A in the reliability test. In addition, even in Examples 2 to 3 using tetraoctyl titanate, although it was inferior to the titanium dioxide particles, it was judged as B in the reliability test, which was a practical level. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2 in which alumina particles and tricobalt tetraoxide particles were used as other metal components instead of the Ti component, reliability and plating resistance (adhesion) were insufficient. Further, in Comparative Example 4 containing no Pd, there was no problem in plating resistance (adhesion), but there was a problem in sulfurization resistance. Further, even in Comparative Examples 5 to 7 containing only two types of Mn compound (C1), Fe compound (C2), and Cu compound (C3), the electrodes did not adhere at all, so the plating resistance was unacceptable.

なお、最も諸特性のバランスに優れていた実施例1の結果については、表1だけでなく、表2〜4においても、比較のために記載した。 The results of Example 1, which had the best balance of various characteristics, are shown not only in Table 1 but also in Tables 2 to 4 for comparison.

表2の結果から明らかなように、実施例1に対して、AgPd複合粒子(A)に対するTi成分(C4)の割合を変量した実施例4〜6、比較例8において、Ti成分(C4)の割合が0.3〜0.5質量%で初期判定および総合判定がA判定(合格)となった。割合の少ない0.1質量%、割合の多い0.8質量%でも初期判定がB判定で実用的には合格レベルであった。比較例8の過剰な0.9質量%では初期判定および総合判定がいずれもC判定となった。 As is clear from the results in Table 2, in Examples 4 to 6 in which the ratio of the Ti component (C4) to the AgPd composite particle (A) was variable with respect to Example 1, the Ti component (C4) was found in Comparative Example 8. The ratio was 0.3 to 0.5% by mass, and the initial judgment and the comprehensive judgment were A judgments (passed). Even with a small proportion of 0.1% by mass and a large proportion of 0.8% by mass, the initial judgment was B judgment, which was a practically acceptable level. In the excess 0.9% by mass of Comparative Example 8, both the initial judgment and the comprehensive judgment were C judgments.

表3の結果から明らかなように、Pdの割合が5質量%である実施例1に対して、Pdの割合を7.5質量%に変量した実施例8では、実施例1と同様に良好な結果となった。Pdの割合が1.0質量%と少ない実施例7では耐めっき性(密着性)は良好であったが、耐硫化性が低下した。Pdの割合が多い比較例9(10質量%)、比較例10(12.5質量%)では耐めっき性が得られなかった(全く密着しない)。 As is clear from the results in Table 3, in Example 8 in which the ratio of Pd was varied to 7.5% by mass with respect to Example 1 in which the ratio of Pd was 5% by mass, it was as good as in Example 1. The result was In Example 7 in which the proportion of Pd was as small as 1.0% by mass, the plating resistance (adhesion) was good, but the sulfurization resistance was lowered. In Comparative Example 9 (10% by mass) and Comparative Example 10 (12.5% by mass) in which the proportion of Pd was large, plating resistance could not be obtained (no adhesion at all).

表4の結果から明らかなように、実施例10〜11は、実施例1に対して、ガラス粒子の種類を変えた例であり、亜鉛系ガラス粒子を用いた実施例10およびビスマス系ガラス粒子を用いた実施例11では密着性の低下により耐めっき性および信頼性が若干低下した。実施例1に対して、ガラス粒子を増量した実施例9では、実施例1と同等の結果が得られた。 As is clear from the results in Table 4, Examples 10 to 11 are examples in which the type of glass particles is changed with respect to Example 1, and Examples 10 using zinc-based glass particles and bismuth-based glass particles are used. In Example 11 using the above, the plating resistance and reliability were slightly lowered due to the lowered adhesion. In Example 9 in which the amount of glass particles was increased as compared with Example 1, the same results as in Example 1 were obtained.

本発明の導電性組成物は、回路基板、電子部品、熱基板、LEDパッケージ用基板、半導体用基板、薄膜回路基板、抵抗器用基板などに利用でき、配線回路基板における電極などの導電部を形成するための組成物として特に有効に利用できる。 The conductive composition of the present invention can be used for circuit boards, electronic components, thermal boards, LED package boards, semiconductor boards, thin film circuit boards, resistor boards, etc., and forms conductive parts such as electrodes in wiring circuit boards. It can be particularly effectively used as a composition for this purpose.

Claims (9)

AgおよびPdの複合粒子(A)、ガラス粒子(B)および金属成分(C)を含む導電性組成物であって、前記金属成分(C)が、Mn成分(C1)、Fe成分(C2)、Cu成分(C3)およびTi成分(C4)であり、かつ前記Ti成分の割合が、Ti元素換算で、前記複合粒子(A)100質量部に対して0.05〜0.85質量部である導電性組成物。 A conductive composition containing a composite particle (A) of Ag and Pd, a glass particle (B) and a metal component (C), wherein the metal component (C) is an Mn component (C1) and an Fe component (C2). , Cu component (C3) and Ti component (C4), and the ratio of the Ti component is 0.05 to 0.85 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite particle (A) in terms of Ti element. A conductive composition. AgおよびPdの総量に対して、Pdの割合が1〜9質量%である請求項1記載の導電性組成物。 The conductive composition according to claim 1, wherein the ratio of Pd to the total amount of Ag and Pd is 1 to 9% by mass. 前記ガラス粒子(B)がホウケイ酸ガラス粒子を含む請求項1または2記載の導電性組成物。 The conductive composition according to claim 1 or 2, wherein the glass particles (B) contain borosilicate glass particles. 前記Ti成分(C4)が無機Ti化合物である請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電性組成物。 The conductive composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the Ti component (C4) is an inorganic Ti compound. Ag粒子を含まない請求項1〜4のいずれか一項に記載の導電性組成物。 The conductive composition according to any one of claims 1 to 4, which does not contain Ag particles. セラミックス基板に請求項1〜5のいずれか一項に記載の導電性組成物を付着させる付着工程、および前記セラミックス基板に付着した前記導電性組成物を焼成して導電部を形成する焼成工程を含むメタライズド基板の製造方法。 The bonding step of adhering the conductive composition according to any one of claims 1 to 5 to the ceramic substrate, and the firing step of firing the conductive composition adhered to the ceramic substrate to form a conductive portion. Method of manufacturing a metallized substrate including. 焼成工程において、空気中で導電性組成物を焼成する請求項6記載の製造方法。 The production method according to claim 6, wherein the conductive composition is fired in air in the firing step. 請求項6または7記載の製造方法で得られたメタライズド基板。 A metallized substrate obtained by the manufacturing method according to claim 6 or 7. セラミックス基板が、アルミナ基板、アルミナ−ジルコニア基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板または炭化ケイ素基板である請求項8記載のメタライズド基板。 The metallized substrate according to claim 8, wherein the ceramic substrate is an alumina substrate, an alumina-zirconia substrate, an aluminum nitride substrate, a silicon nitride substrate, or a silicon carbide substrate.
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