JP2020174305A - 水晶素子及び水晶デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値を低減する水晶素子を提供する。【解決手段】水晶素子１０は、平面視して、主面１３ｅ、１３ｆと、長辺１１ａ、１１ｂ側の側面１３ａ、１３ｂ及び短辺１１ｃ、１１ｄ側の側面と、を有する略矩形の水晶板１２を備える。水晶素子１０は、主面１３ｅ、１３ｆ上にそれぞれ位置する励振電極１４ｅ、１４ｆと、励振電極１４ｅ、１４ｆから引き出された引出電極１４ｇ、１４ｈと、引出電極１４ｇ、１４ｈから短辺１１ｃ側の側面にまで更に引き出された接続電極１４ａ、１４ｂと、を備える。水晶素子１０は、平面視して、長手方向の寸法を長さ、短手方向の寸法を幅、励振電極１４ｅ、１４ｆの幅をＷ１、引出電極１４ｇ、１４ｈの幅をＷ２としたとき、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２が成り立つ。【選択図】図３

Description

本開示は、水晶素子、及び、この水晶素子を備えた水晶デバイスに関する。水晶デバイスとしては、例えば水晶振動子又は水晶発振器などが挙げられる。

厚みすべり振動モードの水晶素子は、ＡＴカットの水晶板と、水晶板上の金属膜パターンからなる励振電極を備えたものである。この水晶板は、一枚のＡＴカットの水晶ウェハを、ウェットエッチングによって多数個に分割することにより得られる。水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果及び逆圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させる。一般的な水晶デバイスは、パッケージ内に水晶素子を収容し、これを蓋体によって気密封止した構造である（例えば特許文献１）。

特開２０１６−１３９９０１号公報

近年、水晶素子の小型化に伴い、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値の増加など、電気特性への影響が問題となっている。

本開示に係る水晶素子は、平面視して、二つの長辺及び二つの短辺に囲まれた対向する第一及び第二主面と、前記第一及び第二主面に挟まれた前記長辺側の第一及び第二側面及び前記短辺側の第三及び第四側面と、を有する略矩形の水晶板を備える。本開示に係る水晶素子は、更に、前記第一及び第二主面上にそれぞれ位置する励振電極と、前記励振電極から引き出された引出電極と、前記引出電極から前記第三及び第四側面のどちらか一方にまで更に引き出された接続電極と、を備える。そして、平面視して、長手方向の寸法を長さ、短手方向の寸法を幅、前記励振電極の前記幅をＷ１、前記引出電極の前記幅をＷ２としたとき、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２が成り立つ。

本開示に係る水晶デバイスは本開示に係る水晶素子を備えたものである。

本開示に係る水晶素子によれば、励振電極の幅をＷ１、引出電極の幅をＷ２としたとき、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２が成り立つことにより、ＣＩ値を低減できる。

実施形態１の水晶素子を示す斜視図である。 図２［Ａ］は図１におけるIIａ−IIａ線拡大断面図であり、図２［Ｂ］は図１におけるIIｂ−IIｂ線拡大断面図である。 図３［Ａ］は実施形態１の水晶素子を示す平面図であり、図３［Ｂ］は図３［Ａ］の水晶素子を裏返して示す平面図である。 実施形態１の水晶素子の効果を説明する図であり、図４［Ａ］は引出電極の幅及び断面積とＣＩ値との関係を示す表であり、図４［Ｂ］は図４［Ａ］の関係をグラフ化したものである。 実施形態２の水晶素子を示す斜視図である。 図６［Ａ］は図５におけるVIａ−VIａ線拡大断面図であり、図６［Ｂ］は図５におけるVIｂ−VIｂ線拡大断面図である。 図７［Ａ］は実施形態２の水晶素子を示す平面図であり、図７［Ｂ］は図７［Ａ］の水晶素子を裏返して示す平面図である。 図８［Ａ］は実施形態３の水晶デバイスを示す斜視図であり、図８［Ｂ］は図８［Ａ］におけるVIIIｂ−VIIIｂ線断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いることにより適宜説明を省略する。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。

＜実施形態１＞
図１乃至図３に示すように、本実施形態１の水晶素子１０は、平面視して、長辺１１ａ，１１ｂ及び短辺１１ｃ，１１ｄに囲まれた対向する主面１３ｅ，１３ｆと、主面１３ｅ，１３ｆに挟まれた長辺１１ａ，１１ｂ側の側面１３ａ，１３ｂ及び短辺１１ｃ，１１ｄ側の側面１３ｃ，１３ｄと、を有する略矩形の水晶板１２を備える。水晶素子１０は、更に、主面１３ｅ，１３ｆ上にそれぞれ位置する励振電極１４ｅ，１４ｆと、励振電極１４ｅ，１４ｆから引き出された引出電極１４ｇ，１４ｈと、引出電極１４ｇ，１４ｈから側面１３ｃ，１３ｄのどちらか一方（本実施形態１では側面１３ｃ）にまで更に引き出された接続電極１４ａ，１４ｂと、を備える。そして、平面視して、長手方向の寸法を長さ、短手方向の寸法を幅、励振電極１４ｅ，１４ｆの幅をＷ１、引出電極１４ｇ，１４ｈの幅をＷ２としたとき、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２が成り立つ。

引出電極１４ｇ，１４ｈの長手方向に垂直な断面積をＳ２［μｍ^２］としたとき、１．２３≦Ｓ２≦１７．３が成り立つ、としてもよい。引出電極１４ｇ，１４ｈの厚みをｔとすると、Ｓ２＝Ｗ２×ｔである。

主面１３ｅにおいて、引出電極１４ｇの長手方向に垂直な断面積Ｓ２と、接続電極１４ａの長手方向に垂直な断面積Ｓ３とが同じである、としてもよい。接続電極１４ａの幅をＷ３、接続電極１４ａの厚みをｔとすると、Ｓ３＝Ｗ３×ｔである。

側面１３ａ，１３ｂは、それぞれ、水晶板１２の厚み方向に斜めとなる斜面部１６ａ，１６ｂと、水晶板１２の厚み方向に略平行となる側面部１７ａ，１７ｂと、を有し、主面１３ｅは側面１３ａの斜面部１６ａと側面１３ｂの側面部１７ｂとに接し、主面１３ｆは側面１３ａの側面部１７ａと側面１３ｂの斜面部１６ｂとに接する、としてもよい。このとき、引出電極１４ｇ，１４ｈが励振電極１４ｅ，１４ｆから接続電極１４ａ，１４ｂまで長辺１１ａ，１１ｂに隣接して延びている、としてもよい。

水晶板１２は、主面１３ｅの一部が水晶板１２の厚み方向に突き出た凸部１５ｅと、主面１３ｆの一部が水晶板１２の厚み方向に突き出た凸部１５ｆと、を更に有する、としてもよい。

主面１３ｅ，１３ｆ、側面１３ａ，１３ｂ、側面１３ｃ，１３ｄ及び凸部１５ｅ，１５ｆは、それぞれ特許請求の範囲における「第一及び第二主面」、「第一及び第二側面」、「第三及び第四側面」及び「第一及び第二凸部」の一例に相当する。主面１３ｅは、凸部１５ｅの上面、及び、凸部１５ｅ以外の平面の二つに分かれている。主面１３ｆは、凸部１５ｆの上面、及び、凸部１５ｆ以外の平面の二つに分かれている。長辺１１ａは、主面１３ｅに接する部分、及び、主面１３ｆに接する部分の二つに分かれている。長辺１１ｂは、主面１３ｅに接する部分、及び、主面１３ｆに接する部分の二つに分かれている。

次に、水晶素子１０の構成について更に詳しく説明する。

水晶板１２は、ＡＴカット水晶板である。すなわち、水晶において、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）及びＺ軸（光軸）からなる直交座標系ＸＹＺを、Ｘ軸回りに３０°以上かつ５０°以下（一例として、３５°１５′）回転させて直交座標系ＸＹ’Ｚ’を定義したとき、ＸＺ’平面に平行に切り出されたウェハが水晶板１２の原材料となる。そして、長辺１１ａ，１１ｂがＸ軸に平行、短辺１１ｃ，１１ｄがＺ’軸に平行、厚み方向がＹ’軸に平行である。水晶板１２の長さ（Ｘ軸方向）は１０００μｍ以下である。

励振電極１４ｅ，１４ｆ、引出電極１４ｇ，１４ｈ及び接続電極１４ａ，１４ｂは、金属等の導電性材料からなり、本実施形態１では全て同じ厚みｔである。励振電極１４ｅ，１４ｆは、平面視して矩形状であり、例えば長さが４９０μｍ、幅が４３４μｍであり、両主面１３ｅ，１３ｆのそれぞれ略中央に設けられている。励振電極１４ｅ，１４ｆからは、励振に寄与しない接続用としての引出電極１４ｇ，１４ｈが、長辺１１ａ，１１ｂに沿って短辺１１ｃの接続電極１４ａ，１４ｂまで延びている。つまり、引出電極１４ｇは、励振電極１４ｅから長辺１１ａに隣接して接続電極１４ａまで延びている。引出電極１４ｈは、励振電極１４ｆから長辺１１ｂに隣接して接続電極１４ｂまで延びている。そして、引出電極１４ｇは励振電極１４ｅ及び接続電極１４ａに導通し、引出電極１４ｈは励振電極１４ｆ及び接続電極１４ｂに導通している。図３［Ｂ］に示す主面１３ｆ側の接続電極１４ａ，１４ｂは、パッケージに接続される側であるので、図３［Ａ］に示す主面１３ｅ側の接続電極１４ａ，１４ｂよりも広い面積になっている。

側面１３ａは斜面部１６ａと側面部１７ａとからなり、側面１３ｂは斜面部１６ｂと側面部１７ｂとからなる。斜面部１６ａ，１６ｂが結晶面のｍ面であり、側面部１７ａ，１７ｂが結晶面のＲ面に直角な面を含む。斜面部１６ａ，１６ｂ及び側面部１７ａ，１７ｂは、ウェットエッチング時（外形加工工程）に主面１３ｅのマスク（耐食膜）と主面１３ｆのマスク（耐食膜）とをＺ’軸方向に少しずらすことによって得られる。

水晶板１２は主面１３ｅ，１３ｆの一部が水晶板１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）に突き出た凸部１５ｅ，１５ｆを有し、凸部１５ｅ，１５ｆの上面に励振電極１４ｅ，１４ｆが設けられている。このような水晶板１２の構造は、凸部１５ｅ，１５ｆを形成するウェットエッチングと、水晶板１２の外形を形成するウェットエッチングとの、二回のエッチングによって得られる。

水晶素子１０は、例えば、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術及び成膜技術を用いて製造することができる。まず、凸部１５ｅ，１５ｆのパターンが描かれた保護膜を水晶ウェハ上に形成し、水晶に対してウェットエッチングをすることにより凸部１５ｅ，１５ｆを形成する（凸部形成工程）。続いて、水晶板１２の外形のパターンが描かれた保護膜を水晶ウェハ上に形成し、水晶に対してウェットエッチングをすることにより水晶板１２の外形を形成する（外形形成工程）。続いて、金属膜を水晶ウェハの全面に形成し、励振電極１４ｅ，１４ｆ等のパターンが描かれた保護膜を金属膜上に形成し、金属膜に対するエッチングをすることにより励振電極１４ｅ，１４ｆ等を形成する（電極形成工程）。最後に、水晶ウェハから各水晶素子１０を取り外す（個片化工程）。これにより、単体の水晶素子１０が得られる。なお、保護膜としては、耐食膜又はフォトレジスト膜などを用いる。

水晶素子１０の動作は次のとおりである。励振電極１４ｅ，１４ｆを介して、水晶板１２に交番電圧を印加する。すると、水晶板１２は、両主面１３ｅ，１３ｆが互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の周波数を発生させる。このように、水晶素子１０は、水晶板１２の圧電効果及び逆圧電効果を利用して、一定周波数の信号を出力するように動作する。水晶素子１０の発振周波数は、例えば３８．４ＭＨｚ又は７６．８ＭＨｚなどである。

次に、水晶素子１０の作用及び効果について説明する。

平面視して、長手方向の寸法を長さ、短手方向の寸法を幅とする。このとき、励振電極１４ｅ，１４ｆの幅Ｗ１を４３４μｍ一定、引出電極１４ｇ，１４ｈの厚みｔを０．２４６６μｍ一定とし、励振電極１４ｅ，１４ｆの幅Ｗ１を５μｍ、１０μｍ、３５μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍに変えた水晶素子の試料を作成し、それらの試料のＣＩ値を測定した。試料は幅Ｗ１ごとに複数個作成し、ＣＩ値は幅Ｗ１ごとのそれらの平均値である。引出電極１４ｇ，１４ｈの長手方向に垂直な断面積Ｓ２は、Ｗ１×ｔで求めた。

図４［Ａ］に、「幅Ｗ１、幅Ｗ２、厚みｔ、Ｗ２／Ｗ１及び断面積Ｓ２」と「ＣＩ値」との関係を表にして示す。図４［Ｂ］に、「Ｗ２／Ｗ１及び断面積Ｓ２」と「ＣＩ値」との関係をグラフにして示す。図４［Ａ］及び図４［Ｂ］から、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２の範囲で、ＣＩ値を低減できることがわかる。Ｗ２／Ｗ１＞０．２では、引出電極１４ｇ，１４ｈが重すぎるため、励振電極１４ｅ，１４ｆによる主振動が阻害され、ＣＩ値が増加すると考えられる。Ｗ２／Ｗ１＜０．０１では、引出電極１４ｇ，１４ｈが細すぎて抵抗値が高くなるので、ＣＩ値が増加すると考えられる。また、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２を満たすことにより、水晶素子１０の周波数温度特性が安定化することも確認された。

図４［Ａ］及び図４［Ｂ］から明らかなように、０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２の代わりに、０．０１１５≦Ｗ２／Ｗ１≦０．１８４、０．０１１５≦Ｗ２／Ｗ１≦０．１６１、又は、０．０１１５≦Ｗ２／Ｗ１≦０．１３８としてもよい。また、Ｗ２／Ｗ１の代わりに断面積Ｓ２を用いて、１．０７≦Ｓ２≦２１．４、１．２３≦Ｓ２≦１９．２、１．２３≦Ｓ２≦１７．３、又は、１．２３≦Ｓ２≦１４．８としてもよい。

主面１３ｅにおいて、引出電極１４ｇの断面積Ｓ２と接続電極１４ａの断面積Ｓ３とが同じである場合は、ノイズによる周波数温度特性の不安定化を抑制できるとともに、負性抵抗値の変動も抑制できる。なぜなら、引出電極１４ｇ，１４ｈと接続電極１４ａ，１４ｂとの断面積が違うと、Ｌ字形状となってノイズが乗りやすくなったり、場所によって抵抗値が異なるため負性抵抗値が変動したりするためである。

側面１３ａが斜面部１６ａ側面部１７ａからなり、側面１３ｂが斜面部１６ｂと側面部１７ｂとからなる場合は、結晶面のｍ面である斜面部１６ａ，１６ｂと、結晶面のＲ面に直角な面を含む側面部１７ａ，１７ｂとにより、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）が実質的に薄くなるので、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）での振動変位が大きく減衰する。このとき、引出電極１４ｇ，１４ｈが励振電極１４ｅ，１４ｆから接続電極１４ａ，１４ｂまで長辺１１ａ，１１ｂに隣接して延びている場合は、漏れ伝搬する振動の量を抑制できるので、更にＣＩ値を低減できる。引出電極１４ｇ，１４ｈ上を電荷が移動することにより発生した引出電極１４ｇ，１４ｈの振動は、直近の両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）で減衰するからである。

水晶板１２が凸部１５ｅ，凸部１５ｆを有する場合は、凸部１５ｅ，１５ｆ内に振動エネルギを閉じ込められるので、ＣＩ値を低減できる。また、前述したように、結晶面のｍ面である斜面部１６ａ，１６ｂと、結晶面のＲ面に直角な面を含む側面部１７ａ，１７ｂとにより、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）が実質的に薄くなるので、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）での振動変位が大きく減衰する。よって、凸部１５ｅ，１５ｆとの相乗作用によって、振動エネルギ閉じ込め効果が更に向上するので、ＣＩ値を更に低減できる。この効果は、水晶板１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）において斜面部１６ａ，１６ｂの厚みと側面部１７ａ，１７ｂの厚みとが等しくなる場合に、最も大きくなる。このとき、図２［Ａ］に示すように、水晶板１２の重心に対して左右が点対称となることにより、水晶板１２の上半分と下半分とで振動の状態が同じになるので、振動バランスを向上できる。

＜実施形態２＞
図５乃至図７に示すように、本実施形態２の水晶素子２０は、凸部１５ｅ，１５ｆがそれぞれ一段目凸部１５１ｅ，１５１ｆと一段目凸部１５１ｅ，１５１ｆ上の二段目凸部１５２ｅ，１５２ｆとからなる点で、実施形態１の水晶素子１０と異なる。

つまり、本実施形態２では、凸部１５ｅが一段目凸部１５１ｅ及び二段目凸部１５２ｅからなる二段構造であり、凸部１５ｆが一段目凸部１５１ｆ及び二段目凸部１５２ｆとからなる二段構造である。二段目凸部１５２ｅ，１５２ｆの占有面積は一段目凸部１５１ｅ，１５１ｆの占有面積よりも小さく、一段目凸部１５１ｅ，１５１ｆ上の一部に二段目凸部１５２ｅ，１５２ｆが形成されている。このような構造は、二段目凸部１５２ｅ，１５２ｆを形成するウェットエッチングと、一段目凸部１５１ｅ，１５１ｆを形成するウェットエッチングと、水晶板１２の外形を形成するウェットエッチングとの、三回のエッチングによって得られる。主面１３ｅは、二段目凸部１５２ｅの上面、一段目凸部１５１ｅの上面、及び、凸部１５ｅ以外の平面の三つに分かれている。主面１３ｆは、二段目凸部１５２ｆの上面、一段目凸部１５１ｆの上面、及び、凸部１５ｆ以外の平面の三つに分かれている。

水晶素子２０によれば、実施形態１の効果に加え、凸部１５ｅ，１５ｆを二段構造とすることにより、振動エネルギ閉じ込め効果が更に向上するので、ＣＩ値を更に低減できる。本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

＜実施形態３＞
図８［Ａ］及び図８［Ｂ］に示すように、本実施形態３の水晶デバイス５０は、実施形態１の水晶素子１０と、水晶素子１０が位置する基体５１と、水晶素子１０を基体５１とともに気密封止する蓋体５２と、を備えている。水晶素子１０の代わりに、実施形態２の水晶素子２０を用いてもよい。基体５１は、パッケージとも呼ばれ、基板５１ａと枠体５１ｂとからなる。基板５１ａの上面と枠体５１ｂの内側面と蓋体５２の下面とによって囲まれた空間が、水晶素子１０の収容部５３となる。水晶素子１０は、例えば、電子機器等で使用する基準信号を出力する。

換言すると、水晶デバイス５０は、上面に一対の電極パッド５１ｄ及び下面に四つの外部端子５１ｃを有する基板５１ａと、基板５１ａの上面の外周縁に沿って位置する枠体５１ｂと、一対の電極パッド５１ｄに導電性接着剤５１ｅを介して実装される水晶素子１０と、水晶素子１０を枠体５１ｂとともに気密封止する蓋体５２と、を備えている。

基板５１ａ及び枠体５１ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラスセラミックス等のセラミック材料からなり、一体的に形成されて基体５１となる。基体５１及び蓋体５２は、平面視して概ね矩形状である。外部端子５１ｃと電極パッド５１ｄ及び蓋体５２とは、基体５１の内部又は側面に形成された導体を介して電気的に接続される。詳しく言えば、基板５１ａの下面の四隅に外部端子５１ｃがそれぞれ位置する。それらのうちの二つの外部端子５１ｃが水晶素子１０に電気的に接続され、残りの二つの外部端子５１ｃが蓋体５２に電気的に接続される。外部端子５１ｃは、電子機器等のプリント配線板などに実装するために用いられる。

水晶素子１０は、前述したように、水晶板１２と、水晶板１２の上面に形成された励振電極１４ｅと、水晶板１２の下面に形成された励振電極１４ｆと、を有する。そして、水晶素子１０は、導電性接着剤５１ｅを介して電極パッド５１ｄ上に接合され、安定した機械振動と圧電効果により、電子機器等の基準信号を発振する役割を果たす。

電極パッド５１ｄは、基体５１に水晶素子１０を実装するためのものであり、基板５１ａの一辺に沿うように隣接して一対が位置する。そして、一対の電極パッド５１ｄは、それぞれ接続電極１４ａ，１４ｂを接続して水晶素子１０の一端を固定端とし、水晶素子１０の他端を基板５１ａの上面から離間した自由端とすることにより、片持ち支持構造にて水晶素子１０を基板５１ａ上に固定する。

導電性接着剤５１ｅは、例えば、シリコーン樹脂等のバインダーの中に、導電フィラーとして導電性粉末が含有されたものである。蓋体５２は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、シーム溶接などによって枠体５１ｂと接合することにより、真空状態にある又は窒素ガスなどが充填された収容部５３を気密的に封止する。

水晶デバイス５０によれば、ＣＩ値の小さい水晶素子１０を備えたことにより、安定した周波数特性を発揮できる。なお、図８に示すように構成された水晶デバイス５０は、はんだ付け、金（Ａｕ）バンプ又は導電性接着剤などによってプリント基板に外部端子５１ｃの底面が固定されることによって、電子機器を構成するプリント基板の表面に実装される。そして、水晶デバイス５０は、例えば、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、時計、ゲーム機、通信機、又はカーナビゲーションシステム等の車載機器などの種々の電子機器で発振源として用いられる。

＜その他＞
以上、上記各実施形態を参照して本開示を説明したが、本開示はこれらに限定されるものではない。本開示の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本開示には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

１０，２０ 水晶素子
１１ａ，１１ｂ 長辺
１１ｃ，１１ｄ 短辺
１２ 水晶板
１３ｅ 主面（第一主面）
１３ｆ 主面（第二主面）
１３ａ 側面（第一側面）
１３ｂ 側面（第二側面）
１３ｃ 側面（第三側面）
１３ｄ 側面（第四側面）
１４ａ，１４ｂ 接続電極
１４ｅ，１４ｆ 励振電極
１４ｇ，１４ｈ 引出電極
１５ｅ 凸部（第一凸部）
１５ｆ 凸部（第二凸部）
１５１ｅ，１５１ｆ 一段目凸部
１５２ｅ，１５２ｆ 二段目凸部
１６ａ，１６ｂ 斜面部
１７ａ，１７ｂ 側面部
５０ 水晶デバイス
５１ 基体
５１ａ 基板
５１ｂ 枠体
５１ｃ 外部端子
５１ｄ 電極パッド
５１ｅ 導電性接着剤
５２ 蓋体
５３ 収容部

Claims (7)

1. 平面視して、二つの長辺及び二つの短辺に囲まれた対向する第一及び第二主面と、前記第一及び第二主面に挟まれた前記長辺側の第一及び第二側面及び前記短辺側の第三及び第四側面と、を有する略矩形の水晶板と、
   前記第一及び第二主面上にそれぞれ位置する励振電極と、
   前記励振電極から引き出された引出電極と、
   前記引出電極から前記第三及び第四側面のどちらか一方にまで更に引き出された接続電極と、を備え、
   平面視して、長手方向の寸法を長さ、短手方向の寸法を幅、前記励振電極の前記幅をＷ１、前記引出電極の前記幅をＷ２としたとき、
   ０．０１≦Ｗ２／Ｗ１≦０．２が成り立つ、
   水晶素子。
2. 前記引出電極の長手方向に垂直な断面積をＳ２［μｍ^２］としたとき、
   １．２３≦Ｓ２≦１７．３が成り立つ、
   請求項１記載の水晶素子。
3. 前記第一主面において、前記引出電極の長手方向に垂直な断面積と、前記接続電極の長手方向に垂直な断面積とが同じである、
   請求項１又は２記載の水晶素子。
4. 前記第一及び第二側面は、それぞれ、前記水晶板の厚み方向に斜めとなる斜面部と、前記水晶板の厚み方向に略平行となる側面部と、を有し、
   前記第一主面は前記第一側面の前記斜面部と前記第二側面の前記側面部とに接し、
   前記第二主面は前記第一側面の前記側面部と前記第二側面の前記斜面部とに接し、
   前記引出電極が前記励振電極から前記接続電極まで前記長辺に隣接して延びている、
   請求項１乃至３のいずれか一つに記載の水晶素子。
5. 前記水晶板は、前記第一主面の一部が前記水晶板の厚み方向に突き出た第一凸部と、
   前記第二主面の一部が前記水晶板の厚み方向に突き出た第二凸部と、を更に有する、
   請求項１乃至４のいずれかに記載の水晶素子。
6. 前記第一及び第二凸部は、それぞれ一段目凸部と前記一段目凸部上の二段目凸部とからなる、
   請求項５記載の水晶素子。
7. 請求項１乃至６のいずれか一つに記載の水晶素子と、
   前記水晶素子が位置する基体と、
   前記水晶素子を前記基体とともに気密封止する蓋体と、
   を備えた水晶デバイス。

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