JP2020167402A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】色純度の高い赤色発光する発光装置を提供する。【解決手段】光源と、前記光源の少なくとも一部を覆い、光源から出射された光を波長変換するフッ化物蛍光体を含む第一層と、前記第一層の少なくとも一部を覆い、前記光源及び／又は前記第一層から出射された光を波長変換する窒化物蛍光体を含む第二層と、を含み、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、前記基準発光強度を１としたときに、前記光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下の範囲内であり、前記最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８を超える、赤色発光する発光装置である。【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置に関する。

発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、以下、「ＬＥＤ」とも称する。）と蛍光体とを組み合わせて白色に発光する発光装置が開発されている。これらの発光装置では、光の混色の原理によって白色光又は赤色光などの所望の発光色が得られる。これらの発光装置は、一般照明、車載照明、ディスプレイ、液晶用バックライトなどの幅広い分野で使用される。発光装置は、色純度が良い混色光が得られるものが求められている。発光装置の発光スペクトルにおいて、発光ピークの半値幅が狭い発光装置が知られている。半値幅は、発光スペクトルにおける発光ピークの半値全幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ:ＦＷＨＭ）をいい、発光スペクトルにおける発光ピークの最大値の５０％の値を示す発光ピークの波長幅をいう。

例えば特許文献１には、青色発光するＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子が発した光を波長変換して黄色光及び／又は緑色光を放出する蛍光体と、を含み、この蛍光体として半値幅が狭いマンガンで賦活されたフッ化物蛍光体が用いられ、フッ化物蛍光体の使用量を低減して、光の混色により白色光を発する発光装置が開示されている。

特開２０１２−１０４８１４号公報

本発明の一態様は、優れた光束及び色純度を有する赤色発光する発光装置を提供することを目的とする。

本発明の第一の態様は、光源と、前記光源の少なくとも一部を覆い、光源から出射された光を波長変換するマンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体及びマンガンで賦活されたフルオロジャーマネート蛍光体の少なくとも一方を含むフッ化物蛍光体を含む第一層と、前記第一層の少なくとも一部を覆い、前記光源及び／又は前記第一層から出射された光を波長変換する窒化物蛍光体を含む第二層と、を含み、前記フッ化物錯体蛍光体を含み、前記フルオロジャーマネート蛍光体を含まない場合に、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、前記フルオロジャーマネート蛍光体を含む場合に、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、前記基準発光強度を１としたときに、前記光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下の範囲内であり、前記最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８を超える、赤色発光する発光装置である。

本発明の一態様によれば、優れた光束及び色純度を有する赤色発光する発光装置を提供することができる。

発光装置の第一の態様を示す模式的断面図である。 発光装置の第一の態様において、発光素子の厚さ、第一層の厚さ、及び、第二層の厚さを示す模式的断面図である。 発光装置の第二の態様を示す模式的断面図である。 発光装置の第三の態様を示す模式的断面図である。 フッ化物錯体蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 フルオロジャーマネート蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 窒化物蛍光体７２−１（（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３）の発光スペクトルを示す図である。 窒化物蛍光体７２−３（（Ｃａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３）の発光スペクトルを示す図である。 実施例１に係る発光装置の６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の波長範囲内の発光スペクトルを示す図である。 実施例１に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長と、基準発光強度を示す図である。 実施例１に係る発光装置の４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の発光スペクトルを示す図である。 実施例１３に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長と、基準発光強度を示す図である。 実施例１３に係る発光装置の４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の発光スペクトルを示す図である。 実施例１４及び１５に係る発光装置の初期から連続点灯後の相対光束を示すグラフである。 比較例１に係る発光装置の態様を示す模式的断面図である。 比較例２に係る発光装置の態様を示す模式的断面図である。 比較例３に係る発光装置の態様を示す模式的断面図である。

以下、本発明に係る発光装置を一実施形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明は、以下の発光装置に限定されない。なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係などは、ＪＩＳ Ｚ８１１０に従う。

本発明の一実施態様の発光装置の一例を図面に基づいて説明する。図１Ａは、本発明の第一の実施態様の発光装置１０１を示す模式的断面図である。

発光装置１０１は、光源１０と、光源１０の少なくとも一部を覆い、光源１０から出射された光を波長変換するフッ化物蛍光体７１を含む第一層５１と、第一層５１の少なくとも一部を覆い、光源１０及び／又は第一層５１から出射された光を波長変換する窒化物蛍光体７２を含む第二層５２とを含む。第一層５１及び第二層５２は、蛍光部材５０を構成する。

発光装置１０１は、成形体４０を備える。成形体４０は、第一リード２０と、第二リード３０と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を含み、成形体４０の側壁を構成する樹脂部４２と、が一体的に成形されてなるものである。成形体４０は底面と側面を持つ凹部４０ｒを形成している。凹部４０ｒの底面には光源１０が載置されている。光源１０は、発光素子であることが好ましく、光源１０は、一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極は、それぞれ第一リード２０及び第二リード３０とそれぞれワイヤ６０を介して電気的に接続されている。発光装置１０１は、第一リード２０及び第二リード３０を介して、外部からの電力供給を受けて発光させることができる。

光源
光源１０は、半導体発光素子を用いることが好ましく、ＧａＮ系半導体発光素子を用いることがより好ましい。光源としてＧａＮ系半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対するリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い発光装置とすることができる。例えば、窒化物系半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いたＧａＮ系半導体発光素子を用いることができる。
光源１０の発光ピーク波長は、好ましくは４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内であり、より好ましくは４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲内である。
光源１０が、発光素子である場合、一対の電極が形成された第一面１０ａと対向する第二面１０ｂが、凹部４０ｒの底面である第一リード２０に載置され、光源１０がフェイスアップ実装される場合は、光源１０の一対の電極が形成された第一面１０ａが主に光の取り出し面となる。

第一層
第一層５１は、光源１０の少なくとも一部を覆い、第二層５２とともに蛍光部材５０を構成する。第一層５１は、樹脂又はガラスと、光源１０から出射された光を波長変換するフッ化物蛍光体７１と、を含むことが好ましい。第一層５１には、光源１０からの光を波長変換して赤色発光する、フッ化物蛍光体７１以外の他の蛍光体を含んでいてもよい。第一層５１は、光源１０の光の取り出し面の少なくとも一部を覆うものである。第一層５１は、光源１０の光の取り出し面の全面を覆うように配置されてもよく、光源１０の光の取り出し面の一部を覆うように配置されてもよい。第一層５１は、光源１０の少なくとも一部と接触するように配置されていることが好ましい。第一層５１が、光源１０の少なくとも一部と接触するように配置されていると、第一層５１が、光源１０から間隔あけて配置されている場合よりも、光源１０から出射された光を吸収しやすく、効率よく波長変換することができ、光束を向上した赤色発光が得られる。第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１は、マンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体（「Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体」とも称する。）及びマンガンで賦活されたフルオロジャーマネート蛍光体（「Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体」とも称する。）の少なくとも一方を含む。第一層５１には、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体を含み、Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体を含まない場合がある。第一層５１には、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体を含まず、Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体を含む場合がある。第一層５１には、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体及びＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体の両方を含む場合がある。

フッ化物蛍光体
第一層に、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体及びＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体の少なくとも一方を含むフッ化物蛍光体を含むことによって、赤色発光蛍光体の光束を高くすることができる。

Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体
Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体は、アルカリ金属元素及びＮＨ_４ ^＋からなる群から選択される少なくとも一種と、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選択される少なくとも一種の元素を組成に含み、Ｍｎで賦活されたフッ化物錯体蛍光体が挙げられる。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体は、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光を吸収して、６１０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲内に、ピーク波長を有することが好ましく、６１５ｎｍ以上６４５ｎｍ未満の範囲内にピーク波長を有することがより好ましい。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体は、半値幅が比較的狭い。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体の発光スペクトルにおける半値幅は、具体的には２０ｎｍ以下であり、好ましくは１０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以下である。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体は、発光スペクトルにおいて、６１０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲内に複数のピークを有するものであってもよい。第一層にＭｎ賦活フッ化物錯体蛍光体を含むことによって、赤色発光する発光装置の光束を向上することができる。

Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体は、下記式（Ｉ）で表される組成を有することが好ましい。
Ａ_２[Ｍ^ａ _１−ａＭｎ^４＋ _ａＦ_６] （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ａは、アルカリ金属元素及びＮＨ_４ ^＋からなる群から選択される少なくとも一種であり、Ｍ^ａは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、ａは、０＜ａ＜０．２を満たす数である。）

Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体は、粒子であることが好ましい。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体が粒子である場合、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体粒子の平均粒径は、１０μｍ以上９０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１５μｍ以上７０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、２０μｍ以上６０μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。蛍光体の粒子の平均粒径は、フィッシャーサブシーブサイザー法（Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ）法（「ＦＳＳＳ法」とも称する。）で測定することができる。ＦＳＳＳ法は、空気透過法の一種であり、空気の流通抵抗を利用して比表面積を測定し、主に一次粒子の粒径を求める方法である。ＦＳＳＳ法で測定された平均粒径は、フィッシャーサブシーブサイザーズナンバー（Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ’ｓ Ｎｕｍｂｅｒ）である。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体が粒子であり、ＦＳＳＳ法により測定した平均粒径が１０μｍ以上９０μｍ以下の範囲内であると、光源からの光を効率よく波長変換してより効率よく赤色発光することができる。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体が粒子であり、平均粒径が１０μｍ未満であると、光源からの光が効率よく波長変換されない場合がある。Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体が粒子であり、平均粒径が９０μｍを超えると、第一層を形成する際に取り扱い難い場合があり、第一層内におけるＭｎ賦活フッ化物錯体蛍光体の配置にむらができる場合がある。

フッ化物蛍光体が粒子である場合、第一層に含まれるフッ化物蛍光体粒子の平均粒径は、第二層に含まれる窒化物蛍光体が粒子である場合に、窒化物蛍光体粒子の平均粒径よりも大きいことが好ましい。第一層に含まれるフッ化物蛍光体粒子の平均粒径が、第二層に含まれる窒化物蛍光体粒子の平均粒径よりも大きい場合には、重力方向にたいして直交するように配置された光源である発光素子、第一層、第二層において、第一層中のフッ化物蛍光体が発光素子側に自然沈降又は遠心沈降によって配置されやすく、第二層中の窒化物蛍光体も、発光素子及び第一層側に配置されやすくなる。

Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体
Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体は、マグネシウム酸化物と、アルカリ金属元素及び希土類金属元素からなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物と、マグネシウムフッ化物と、ゲルマニウム酸化物と、第１３族元素から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物とを組成に含む。Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体は、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光を吸収して、好ましくは６４０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、より好ましくは６４０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、さらに好ましくは６４５ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する。Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体の半値幅は、具体的には３０ｎｍ以下であり、好ましくは２８ｎｍ以下であり、より好ましくは２５ｎｍ以下である。Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体は、発光スペクトルにおいて、６４０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の範囲内に複数のピークを有するものであってもよい。第一層にＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体を含むことによって、赤色発光する発光装置の光束を向上することができる。

Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体は、下記式（ＩＩ−Ｉ）または（ＩＩ−ＩＩ）のいずれかで表される組成を有することが好ましい。
３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ（ＩＩ−Ｉ）
（ｉ-ｊ）ＭｇＯ・（ｊ/２）Ｍ^ｂ _２Ｏ_３・ｋＭｇＦ_２・ｍＣａＦ_２・（１-ｎ）ＧｅＯ_２・（ｎ/２）Ｍ^ｃ _２Ｏ_３：ｚＭｎ^４+ （ＩＩ−ＩＩ）
（式（ＩＩ−ＩＩ）中、Ｍ^ｂは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ^ｃは、Ａｌ、Ｇａ及Ｉｎからなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、ｉ、ｊ、ｋ、ｍ、ｎ及びｚはそれぞれ、２≦ｉ≦４、０≦ｊ＜０．５、０＜ｋ＜１．５、０≦ｍ＜１．５、０＜ｎ＜０．５、及び０＜ｚ＜０．０５を満たす数である。）

第二層
第二層５２は、第一層５１の少なくとも一部を覆い、第一層５１とともに蛍光部材５０を構成する。第二層５２は、樹脂又はガラスと、光源１０及び／又は第一層５１から出射された光を波長変換する窒化物蛍光体７２と、を含むことが好ましい。第二層５２には、光源１０からの光を波長変換して赤色発光する、窒化物蛍光体７２以外の他の蛍光体を含んでいてもよい。窒化物蛍光体７２は、一種の窒化物蛍光体を用いてもよく、蛍光体の組成が異なる二種以上の窒化物蛍光体を用いてもよい。第二層５２は、第一層５１の少なくとも一部に接触するように配置されていることが好ましい。第二層５２が、第一層５１の少なくとも一部と接触するように配置されていると、第二層５２が、第一層５１から間隔あけて配置されている場合よりも、第一層５１から出射された光又は第一層５１を通過した光を吸収しやすく、光源１０及び／又は第一層５１から出射された光を吸収しやすく、効率よく波長変換することができ、光束を向上した赤色発光が得られる。

窒化物蛍光体
窒化物蛍光体としては、カルシウム及びストロンチウムの少なくとも一方と、ケイ素と、アルミニウムとを組成に含みユウロピウムで賦活された窒化物蛍光体、又は、アルカリ土類金属元素からなる群から選択される少なくとも一種の元素と、アルカリ金属元素からなる群から選択される少なくとも一種の元素と、アルミニウムとを組成に含み、ユウロピウムで賦活された窒化物蛍光体が挙げられる。窒化物蛍光体は、光源からの光、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光を吸収しやすい、カルシウム及びストロンチウムの少なくとも一方と、ケイ素と、アルミニウムとを組成に含み、ユウロピウムで賦活された窒化物蛍光体であることが好ましい。窒化物蛍光体は、光源から出射された光を効率よく吸収しやすく、発光装置から特定の波長範囲の光が実質的に抜け出ることなく、光源から出射された光を波長変換して、色純度の良い赤色発光が得られる。発光装置から実質的に抜け出ることのない波長範囲の光は、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光であってもよい。発光装置から特定の波長範囲の光が実質的に抜け出ることがないとは、第一層にフッ化物蛍光体を含み、第二層に窒化物蛍光体を含む発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、前記基準発光強度を１としたときに、前記光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下の範囲内であることをいう。

カルシウム及びストロンチウムの少なくとも一方と、ケイ素と、アルミニウムとを組成に含み、ユウロピウムで賦活された窒化物蛍光体、又は、アルカリ土類金属元素からなる群から選択される少なくとも一種の元素と、アルミニウムとを組成に含み、ユウロピウムで賦活された窒化物蛍光体は、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光を吸収して、６２０ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有することが好ましい。

窒化物蛍光体は、粒子であることが好ましい。窒化物蛍光体が粒子である場合、窒化物蛍光体のＦＳＳＳ法により測定された平均粒径は、５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。窒化物蛍光体が粒子であり、ＦＳＳＳ法により測定した平均粒径が５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であると、光源からの光を効率よく吸収し、発光装置から特定の波長範囲の光が実質的に抜け出ることなく、光源から出射された光を波長変換して、色純度の良い赤色発光が得られる。窒化物蛍光体が粒子であり、平均粒径が５μｍ未満であると、光源からの光の波長変換の効率が低下する場合がある。窒化物蛍光体が粒子であり、平均粒径が５０μｍを超えると、第二層に含まれる蛍光体の質量あたりの蛍光体の個数が少なくなり、第二層中の光の散乱が少なくなり、例えば光源の光が実質的に抜け出ないように波長変換することが難しくなる場合がある。

窒化物蛍光体は、下記式（ＩＩＩ）で表される組成を有することが好ましい。式（ＩＩＩ）で表される組成を有する窒化物蛍光体を用いた場合には、光源から出射された光、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光を吸収しやすく、光源から発せられた光が波長変換することなく発光装置から抜け出ることを抑制することができ、色純度の良い赤色発光が得られる。
（Ｃａ_{１−ｓ−ｔ}Ｓｒ_ｓＥｕ_ｔ）_ｘＡｌ_ｕＳｉ_ｖＮ_ｗ （ＩＩＩ）
（式（ＩＩＩ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗ及びｘは、それぞれ０≦ｓ≦１、０＜ｔ＜１．０、０＜ｓ＋ｔ＜１．０、０．８≦ｘ≦１．０、０．８≦ｕ≦１．２、０．８≦ｖ≦１．２、１．９≦ｕ＋ｖ≦２．１、２．５≦ｗ≦３．５を満たす数である。）

窒化物蛍光体は、下記式（ＩＶ）で表される組成を有するＥｕで賦活された窒化物蛍光体であってもよい。
(Ｃａ_ｂＳｒ_{１−ｂ−ｃ−ｄ}Ｂａ_ｃＥｕ_ｄ)_ｅＭ^ｄ _ｆＡｌ_３Ｎ_ｇ （ＩＶ）
（式（ＩＶ）中、Ｍ^ｄは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素であり、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ０≦ｂ＜１．０、０．００１＜ｃ≦０．１、０≦ｄ≦０．２、３．０≦ｅ≦５．０、０．８≦ｆ≦１．０５、０．８≦ｇ≦１．０５を満たす数である。）

窒化物蛍光体は、下記式（Ｖ）で表される組成を有するＥｕで賦活された窒化物蛍光体であってもよい。
Ｍ^ｅ _ｈＭ^ｆ _ｏＥｕ_ｐＡｌ_３Ｎ_ｑ （Ｖ）
（式中、Ｍ^ｅは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ及びＭｇからなる群より選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ^ｆは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも一種の元素であり、ｈ、ｏ、ｐ、及びｑは、それぞれ０．８０≦ｈ≦１．１、０．４≦ｏ≦１．８、０．００１＜ｐ≦０．１、１．５≦ｑ≦５．０を満たす数である。）

樹脂
第一層５１又は第二層５２に用いる樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及び変性エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。中でも、第一層５１又は第二層５２に用いる樹脂としては、耐熱性及び耐候性に優れるシリコーン樹脂又は変性シリコーン樹脂であることがより好ましい。シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。第一層５１又は第二層５２に用いられる樹脂は、一種の樹脂を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。第一層５１又は第二層５２に含まれる樹脂は、同一の樹脂であってもよく、異なる樹脂であってもよい。光源又は第一層から出射される光を効率よく第二層５２で波長変換するために、第一層５１及び第二層５２は屈折率の差が小さいものが好ましく、屈折率の差を小さくするためには、同種の樹脂を用いることが好ましい。

ガラス
第一層５１又は第二層５２に用いるガラスとしては、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、フッ化カルシウムガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラスが挙げられる。

発光装置は、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、中心から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、前記基準発光強度を１としたときに、光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下の範囲内であり、最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８を超える光を発するものである。前記発光装置の発光スペクトルにおける最大の発光ピーク波長が６４５ｎｍ未満の場合は、前記基準発光強度が、最大の発光ピーク波長を中心として、中心から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度であることが好ましい。また、前記発光装置の発光スペクトルにおける最大の発光ピーク波長が６４５ｎｍ以上の場合は、前記基準発光強度が、最大の発光ピーク波長を中心として、中心から長波長側及び短波長側それぞれ３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度であることが好ましい。

発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長は、赤色領域の波長範囲にある。発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長は、好ましくは６１０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内にあり、より好ましくは６２０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内にある。発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピークは、主にＭｎ賦活フッ化物錯体蛍光体又はＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体の一方のフッ化物蛍光体から出射された赤色発光に由来するものである。発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長を中心として、最大の発光ピーク波長から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度も、赤色領域の波長範囲内にあり、主に窒化物蛍光体から出射された赤色発光に由来すると考えられる。発光装置の発光スペクトルにおいて、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体又はＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体の一方のフッ化物蛍光体から出射された赤色発光に由来するスペクトルと、窒化物蛍光体から出射された赤色発光に由来するスペクトルとを区別することは難しく、最大の発光ピーク波長から長波長側及び短波長側に、それぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度においても、窒化物蛍光体から出射された赤色発光に由来するものと、Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体又はＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体の一方のフッ化物蛍光体から出射された赤色発光に由来するものとが混合されている場合がある。

発光装置は、発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、基準発光強度を１としたときに、光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下である光を発する。発光装置の発光スペクトルにおいて、基準発光強度に対する光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下であると、発光装置から出射された光は、光源からの光が実質的に含まれておらず、光源の光が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の青色領域の光である場合には、発光装置から青色光が実質的に抜け出ていないため、色純度の高い赤色発光が得られる。

発光装置は、発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８を超える光を発する。発光装置は、発光スペクトルにおいて、前記基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が、好ましくは３．０以上１２．０以下である光を発し、より好ましく３．５以上１１．０以下である光を発する。発光装置が、発光スペクトルにおいて、前記基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８超えると、光束が高い赤色を発光する。発光装置から発せられる赤色の光の主波長が長波長側に移動するほど、視感度が最も高い５５５ｎｍ付近から離れて視感度が低くなり、光束が低下する傾向がある。発光装置は、主波長が長波長側に移動した場合であっても、発光スペクトルにおける基準発光強度を１としたときの最大の発光ピーク波長の発光強度が２．８を超えると、高い光束を維持した赤色を発光する。発光装置は、発光スペクトルにおいて、前記基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が、３．０以上１２．０以下であると、より光束が高く、色純度のより高い赤色を発光する。特に発光装置は、第一層にＭｎ賦活フッ化物錯体蛍光体を含み、Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体を含まない場合に、最大の発光ピーク波長から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が３．０以上１１．０以下であると、さらに光束が高く、色純度もさらに高い赤色を発光する。主波長は、ＣＩＥ１９３１表色系の色度図において、白色光の色度座標（ｘ＝０．３３３、ｙ＝０．３３３）と、発光装置が発する光の色度座標（ｘ、ｙ）を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長である。

第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１は、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光を吸収して、赤色発光する。フッ化物蛍光体７１は、例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光の吸収が、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２よりも低く、光源からの光を吸収しきれず、光源からの光が第一層５１から抜け出てしまう。第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１で吸収できずに第一層５１から抜け出た光源１０からの光は、フッ化物蛍光体７１よりも光源１０からの光の吸収がよい第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２で吸収され、発光装置１０１から光源の青色光が実質的に抜け出ることがない。光源１０からの光は、フッ化物蛍光体７１及び窒化物蛍光体７２で波長変換されて、発光装置は、色純度が高く、光束が高い赤色を発光する。例えば、第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１の屈折率は１．３から１．４付近にあり、第一層５１に含まれる樹脂の屈折率は１．４から１．５付近にあり、屈折率差が小さい。そのため、フッ化物蛍光体の粒子に光が照射された際に、フッ化物蛍光体の粒子中を光が透過しやすい。また、複数のフッ化物蛍光体の粒子に光が照射されてもそれぞれのフッ化物蛍光体の粒子で反射される割合が少なく、光路長が短くなるため、実際の反射率よりも低い割合しか反射されていない。それに対して、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２の屈折率は２．０から２．３付近にあり、第二層５２に含まれる樹脂の屈折率は１．４から１．５付近にあり、屈折率差がフッ化物蛍光体の場合よりも大きい。そのため、フッ化物蛍光体の場合よりも、窒化物蛍光体の粒子に光が照射された際に、窒化物蛍光体の粒子中を光が透過しにくい。また、複数の窒化物蛍光体の粒子に光が照射された場合、それぞれの窒化物蛍光体の粒子で反射される割合が多く、光散乱され、光路長が長くなるため、実際の反射率よりも高い割合で反射される。例えば、光源に４５０ｎｍ付近に発光ピークを持つものを使用すると、第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１は、光源からの光の５０％以上９０％以下を吸収しているが、光源からの光の１０％以上は反射若しくは透過されてしまっている。それに対し、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２は、光源からの光の９０％以上を吸収しているが、光源からの光の８％以下しか反射若しくは透過されていない。蛍光体の反射スペクトル及び励起スペクトルはあくまで参考としての値である。
そのため、樹脂にフッ化物蛍光体と窒化物蛍光体との両方を混合した混合物を用いた場合は光源からの光が混合物を通過する割合が多く、光源からの光が漏れ、色純度の高い赤色発光の発光装置を得ることが難しい。それに対し、本実施形態において、第一層、第二層に特定の蛍光体を混合し、その配置の順番を決めることで、色純度の高い赤色発光の発光装置を得ることができる。

発光装置は、光源と、前記光源の少なくとも一部を覆い、光源から出射された光を波長変換するＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体を含む第一層と、前記第一層の少なくとも一部を覆い、前記光源及び／又は前記第一層から出射された光を波長変換する窒化物蛍光体を含む第二層と、を含み、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、前記基準発光強度を１としたときに、前記光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下の範囲内であり、前記最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８以上である、赤色発光する発光装置であることが好ましい。

第一層又は第二層における樹脂又はガラスに対するフッ化物蛍光体又は窒化物蛍光体の量は、樹脂又はガラス１００質量部に対して、フッ化物蛍光体又は窒化物蛍光体の量が、好ましくは２０質量部以上２００質量部以下の範囲内であり、より好ましくは４０質量部以上１８０質量部以下の範囲内であり、さらに好ましくは６０質量部以上１８０質量部以下の範囲内である。第一層に含まれるフッ化物蛍光体が、第一層に含まれる樹脂又はガラス１００質量部に対して、２０質量部以上２００質量部以下の範囲内で含まれていると、高い光束を有する赤色発光が得られる。第二層に含まれる窒化物蛍光体が、第二層に含まれる樹脂又はガラス１００質量部に対して、２０質量部以上２００質量部以下の範囲内であれば、光源及び／又は第一層から出射された光を効率よく吸収して波長変換し、色純度が高い赤色発光が得られる。

第一層に含まれるフッ化物蛍光体と第二層に含まれる窒化物蛍光体の質量比率は、窒化物蛍光体が１００質量部である場合には、フッ化物蛍光体が、好ましくは２０質量部以上２００質量部以下の範囲内であり、より好ましくは４０質量部以上１８０質量部以下の範囲内であり、さらに好ましくは６０質量部以上１８０質量部以下の範囲内である。第一層に含まれるフッ化物蛍光体と、第二層に含まれる窒化物蛍光体の質量比率が、前記範囲内であれば、高い光束を有する赤色発光が得られる。

第一層又は第二層には、蛍光体、樹脂又はガラス以外に、フィラー、光安定剤、着色剤などのその他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えばシリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムなどを挙げることができる。

第一層の厚みをＴ１とし、第二層の厚みをＴ２とする。光源が発光素子である場合には、発光素子の厚みＴｅに対して、第一層及び第二層の合計の厚みＴ１＋Ｔ２の方が大きいことが好ましい。第一層及び第二層の合計の厚みは、発光素子の厚みに対して、１．１倍以上３倍以下の範囲内の厚みであることが好ましく、１．３倍以上２．６倍以下の範囲内の厚みであることより好ましく、１．６倍以上２．３倍以下の範囲内の厚みであることがさらに好ましい。第一層及び第二層の合計の厚みＴ１＋Ｔ２が、発光素子の厚みＴｅに対して、１．１倍以上３倍以下の範囲内の厚みであれば、第一層で光源から出射された光を吸収しやすく、効率よく波長変換することができ、光束を向上した赤色光が発せられ、第二層でも光源から出射された光を効率よく吸収しやすく、発光装置から特定の波長範囲の光が実質的に抜け出ることなく、光源から出射された光を波長変換して、色純度の良い赤色光が発せられる。図１Ａに示す第一実施態様の発光装置１０１において、図１Ｂに示すように発光素子１０の厚みは、第一リード２０に載置された発光素子１０の面１０ｂと対向する一対の電極が形成された第一面１０ａとの間の厚みを発光素子１０の厚みＴｅをいう。また、後述する第二の態様の発光装置１０２及び第三の態様の発光装置１０３においても、発光素子１０の厚みは、発光素子１０の一つの第二面１０ｂとこれに対向する他方の第一面１０ａとの間の厚みをいう。図１Ｂに示す第一実施態様の発光装置１０１において、第一層５１及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、発光素子１０の第一面１０ａ上の全部位における、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２が、発光素子１０の厚みＴｅの１．１倍以上３倍以下の範囲内であればよい。第一層５１及び第二層５２の合計の厚みは、一般的には発光素子１０の第一リード２０に載置された面１０ｂに対向する第一面１０ａから第二層５２の表面までの距離を第一層５１及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２として測定することができる。例えば、発光素子の厚みが１５０μｍである場合、第一層及び第二層の合計の厚みは１６５μｍ以上４５０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。

第一層５１の厚みＴ１は、第二層５２の厚みＴ２よりも大きくてもよい。第二層５２の厚みＴ２を１とした場合に、第一層５１の厚みＴ１は、１．１倍以上５倍以下の範囲内であってもよく、１．２倍以上４．５倍以下の範囲内でもよく、１．３倍以上４倍以下の範囲内でもよく、３．５倍以下でもよく、３倍以下でもよく、２倍以下であってもよい。第一層５１の厚みＴ１と第二層５２の厚みＴ２の比率は、光源が発光素子１０である場合であって、図１Ａに示す第一実施態様の発光装置１０１において、図１Ｂに示すように、発光素子１０の第一面１０ａ上における、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１の厚みＴ１と第二層５２の厚みＴ２の比率をいう。後述する第二の態様の発光装置及び第三の態様の発光装置においても、第一層の厚みＴ１及び第二層の厚みＴ２の比率は、光源が発光素子１０である場合に、基板２００に対向する発光素子１０の第一面１０ａ上における、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１の厚みＴ１及び第二層５２の厚みＴ２の比率をいう。第一層５１の厚みＴ１が、第二層５２の厚みＴ２よりも大きい場合は、第一層５１で光源から出射された光を吸収しやすく、効率よく波長変換することができ、発光装置１０１、１０２又は１０３から光束の高い赤色発光が発せられる。

発光素子の厚みＴｅが１５０μｍである場合であって、第二層の厚みＴ２が３０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲である場合に、第一層の厚みＴ１は１５０μｍ以上４００μｍ以下の範囲内でもよく、２００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲内でもよく、２００μｍ以上３００μｍの範囲内でもよい。発光素子の厚みが１５０μｍである場合であって、第一層の厚みＴ１が１５０μｍ以上４００μｍ以下の範囲内である場合には、第二層の厚みＴ２は、５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内でもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内でもよい。発光素子の厚みＴｅが１５０μｍである場合であって、第一層の厚みＴ１及び第二層の厚みＴ２の合計Ｔ１＋Ｔ２は、１８０μｍ以上６５０μｍ以下の範囲内でもよく、２００μｍ以上６００μｍ以下の範囲内でもよく、２３０μｍ以上５５０μｍ以下の範囲内でもよい。

第一層の厚みＴ１は、第二層の厚みＴ２と同じであるか小さくてもよい。第一層の厚みＴ１は、第二層の厚みＴ２を１とした場合に、０．１倍以上１倍以下の範囲内であってもよく、０．２倍以上０．９倍以下の範囲内でもよく、０．３倍以上０．８倍以下の範囲内でもよく、０．７倍以下でもよく、０．６倍以下でもよい。第一層の厚みＴ１が、第二層の厚みＴ２よりも小さい場合は、第二層によって酸素や水の発光装置内への侵入が抑制され、酸素や水と反応しやすいフッ化物蛍光体の劣化が抑制され、例えば発光装置を長時間連続点灯した場合に発光装置の光束維持率の低下を抑制することができる。

発光素子の厚みＴｅが１５０μｍである場合であって、第二層の厚みＴ２が５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲である場合に、第一層の厚みＴ１は１００μｍ以上３００μｍ以下の範囲内でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲内でもよい。発光素子の厚みが１５０μｍである場合であって、第一層の厚みＴ１が１００μｍ以上３００μｍ以下の範囲内である場合には、第二層の厚みＴ２は、５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲内でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下の範囲内でもよい。発光素子の厚みＴｅが１５０μｍである場合であって、第一層の厚みＴ１及び第二層の厚みＴ２の合計（Ｔ１＋Ｔ２）は、１５０μｍ以上６００μｍ以下の範囲内でもよく、２００μｍ以上６００μｍ以下の範囲内でもよく、２３０μｍ以上５５０μｍ以下の範囲内でもよい。

透光体
発光装置１０１は、第二層５２が、第一層５１の少なくとも一部に接触するように配置され、第二層５２の第一層５１と接触する側の反対側に配置された透光体９０を含むことが好ましい。第二層５２が第一層５１の少なくとも一部に接触するように配置されていると、第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１によって波長変換された光及び第一層５１を透過して出射された光源１０からの光が効率よく波長変換されて、発光装置１０１から高い光束を有する赤色発光が得られる。発光装置１０１は、第二層５２の第一層５１と接触する側の反対側に配置された透光体９０によって、発光装置１０１の外部に存在する酸素や水が発光装置１０１内に入るのが抑制され、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２を保護して、赤色発光の高い光束を維持することができる。また、発光装置１０１は、透光体９０を備えることによって、発光装置１０１の強度を向上することができる。透光体の厚みは、酸素や水の発光装置内への侵入を抑制することができれば、特に制限されず、例えば３０μｍ以上３００μｍ以下の範囲内とすることができ、好ましく４０μｍ以上２８０μｍ以下の範囲内であり、より好ましくは５０μｍ以上２７０μｍ以下の範囲内である。

透光体は、ガラス材料からなるものであることが好ましい。透光体を構成するガラス材料は、例えば、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、フッ化カルシウムガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラスなどが挙げられる。透光体が、ガラス材料からなるものであると、酸素や水の発光装置内への侵入をより抑制することができ、第二層から出射される赤色発光の妨げとなることなく、発光装置の強度を向上することができる。第一層又は第二層がガラス材料からなる場合において、透光体は、第二層と同種のガラス材料からなるものであってもよく、第二層と異なるガラス材料からなるものであってもよい。

透光体と、成形体又は第二層とは、接着材で接合されていてもよい。接着材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを含む接着材を用いてもよく、高屈折率の有機接着材、無機系接着材、低融点ガラスなどを用いてもよい。

反射部材
発光装置１０１は、光源１０の一部、第一層５１の一部、及び第二層５２の一部に接触するように配置される反射部材８０を含むことが好ましい。反射部材８０は、光源１０の一部、第一層５１の一部、及び第二層５２の一部に接触し、成形体４０の凹部４０ｒの底面から内壁面にかけて配置されていることが好ましい。反射部材８０は、光源１０から出射された光、第一層５１及び第二層５２で波長変換された光を効率よく反射し、発光装置１０１から出射される赤色発光の光束を向上することができる。

反射部材は、反射材と、樹脂又はガラスを含むことが好ましい。反射材としては、例えば特定の波長における反射率が特定の値以上のイットリウム、ジルコニウム、アルミニウム、及びチタンからなる群から選択される少なくとも一種を含む酸化物などが挙げられる。例えば４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源からの光の反射率が５０％以上である、イットリウム、ジルコニウム、アルミニウム及びチタンからなる群から選択される少なくとも一種を含む酸化物が挙げられる。反射部材には、特定の波長における反射率が特定の値以上ではない、白色顔料を含んでいてもよい。白色顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムのうちの一種を単独で、又はこれらのうちの二種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下程度が挙げられる。

第一の態様の発光装置１０１の製造方法は、成形体４０の凹部４０ｒの底面を構成する第一リード２０上に光源１０を載置することと、光源１０の少なくとも一部の光の取り出し面を、第一樹脂及びフッ化物蛍光体７１を含む第一樹脂組成物で覆い、第一樹脂組成物を硬化させて第一層５１を形成することと、第一層５１の少なくとも一部を、第二樹脂及び窒化物蛍光体７２を含む第二樹脂組成物で覆い、第二樹脂組成物を硬化させて第二層５２を形成することを含むことが好ましい。

成形体４０に光源１０を載置する工程において、光源１０は、第一リード２０にダイボンディングされ、第一リード２０に載置された第二面１０ｂに対向する光の取り出し第一面１０ａに形成された正負の電極は、ワイヤ６０を介して第一リード２０及び第二リード３０にそれぞれ接続される。成形体４０は、樹脂成形金型のキャビティ内の所定の位置に第一リード２０及び第二リード３０を配置して、キャビティ内に成形樹脂を注入して硬化させ、凹部４０ｒを有する成形体４０を形成してもよく、予め第一リード２０及び第二リード３０が樹脂で一体成形されてなる、成形体４０を購入して用いてもよい。反射部材８０は、第一層５１及び第二層５２を形成する前に、反射部材用樹脂組成物を成形体４０の凹部４０ｒに注入して、形成してもよく、予め反射部材８０を備えた成形体４０を購入して用いてもよい。

第一層５１を形成する工程は、成形体４０の凹部４０ｒ内に載置された光源１０の光の取り出し面の少なくとも一部に第一樹脂組成物が接触するように、第一樹脂組成物をディスペンサーなどを用いて滴下し、第一樹脂組成物を硬化させて、フッ化物蛍光体７１を含む第一層５１を形成することができる。

第二層５２を形成する工程は、第一層５１の少なくとも一部に接触するように、第一層５１の上から第二樹脂組成物をディスペンサーなどを用いて滴下し、第二樹脂組成物を硬化させて、窒化物蛍光体７２を含む第二層５２を、第一層５１の少なくとも一部に接触するように形成することができる。第二層５２を形成したのち、第二層５２の第一層５１と接触する側の反対側に、透光体９０を配置してもよい。複数の凹部４０ｒを含む複数の成形体が一体的に成形された集合成形体を用いた場合には、集合成形体を個々の成形体に切断して個片化する個片化工程を含んでいてもよい。集合成形体を個片化する方法としては、リードカット金型又はダイシングソーによる切断、又は、レーザー光による切断などの方法を用いることができる。

図２は、発光装置の第二の態様を示す模式的断面図である。第二の態様を示す発光装置１０２は、第一の態様を示す発光装置１０１に対して、光源１０が前述の発光素子であり、一対の電極が形成された面が基板２００にフリップチップ実装される点と、第一リード及び第二リードを一体成形した成形体４０の代わりに、基板２００と一体となり、凹部の側壁を構成する樹脂成形部４３を備える点が相違し、その他は共通する。

基板
基板２００は、少なくとも一つの光源１０が載置され、発光装置１０２を外部と電気的に接続する。基板２００は、平板状の支持部材と、支持部材の表面及び／又は内部に配置された導体配線とを備える。基板２００の支持部材は、平板状に形成され、支持部材には、放熱部材又は放熱端子が備えられていてもよい。支持部材は、絶縁材料を用いて形成されていることが好ましく、支持部材を構成する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどのセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジンレジン、ポリフタルアミドなどの樹脂が挙げられる。基板２００は、樹脂を滴下又はキャビティ内に流入させて硬化させることによって形成することができる。導体配線及び放熱用の端子には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｎｉなどの金属及びこれらの合金などを用いて形成することができる。導体配線は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタなどの方法によって形成することができる。

第二の態様の発光装置１０２を製造する方法としては、例えば樹脂成形部４３の凹部内の基板２００上に光源１０をフリップチップ実装することと、光源１０の周囲に反射部材８１を配置することと、反射部材８１と接触するように第一層５１を配置することと、第一層５１上に第二層５２を配置することを含む方法が挙げられる。反射部材８１は、反射部材８０と同様に反射材と、樹脂又はガラスを含むことが好ましく、反射材は、反射部材８０と同様の材質のものを用いることができる。反射部材８１は、樹脂成形部４３の凹部内の光源１０の周囲に、反射材と、樹脂又はガラスを含む反射部材用の組成物を滴下し、組成物を硬化させることで、形成することができる。

光源１０が、発光素子である場合、正負一対の電極が形成された面１０ｂが、基板２００の導体配線上にバンプなどの接合部材を介して、例えばフリップチップ実装（フェイスダウン実装）されてもよい。光源１０として、発光素子が、基板２００にフリップチップ実装（フェイスダウン実装）された場合、光源１０の一対の電極が形成された面１０ｂに対向する第一面１０ａが主に光の取り出し面となる。

発光装置１０２は、基板２００上にフリップチップ実装された光源１０が載置された部分以外の基板２００上面と、光源１０の少なくも一部、及び第一層５１の少なくとも一部が、反射部材８１で覆われていることが好ましい。反射部材８１は、反射部材８１を構成する第三樹脂組成物を樹脂成形部４３の凹部４３ｒ内に供給し、第三樹脂組成物を硬化させて反射部材８１を形成することができる。反射部材８１は、第一の態様の発光装置１０１に用いた反射部材を構成する原料と同様の原料を用いることができ、反射材又は白色顔料と、好ましくは樹脂を含む。反射部材８１は、フリップチップ実装された光源１０が発光素子である場合に、発光素子の側面の全面を覆うように配置してもよく、側面の一部を覆うように配置してもよい。フリップチップ実装された光源１０が、発光素子である場合には、反射部材８１が、発光素子の側面の一部又は側面の全面を覆い、基板２００の上面から凹部の側壁を構成する樹脂成形部４３の上面と一致する高さまで、樹脂成形部４３の凹部の内面を覆っていると、光の出射面となりうる第二層５２の側面から光が取り出されることがないため、光の出射方向がばらつくことなく、第二層５２の上面から赤色光を出射できる。

フッ化物蛍光体７１を含む第一層５１は、フッ化物蛍光体７１と樹脂とを含む第一樹脂組成物を用い、第一樹脂組成物を硬化させて、第一層５１を形成することができる。第一樹脂組成物は、反射部材８１に接触するように、樹脂成形部４３の凹部４３ｒに滴下して硬化させることが好ましい。この第一層５１の上から窒化物蛍光体７２と樹脂とを含む第二樹脂組成物を滴下して、第二樹脂組成物を硬化させて、第一層５１に接触するように、第二層５２を形成することができる。第二樹脂組成物を、第一層５１の上に滴下せずに、第一層５１とは別に、第二樹脂組成物を硬化させて、第二層５２を形成し、第一層５１に接触させ、接着材を用いて、第一層５１と第二層５２を接合してもよい。第一層５１は、樹脂又はガラスを硬化させる前に、例えば遠心沈降により、フッ化物蛍光体７１が光源１０側に偏って存在するように配置させ、その後、第一樹脂組成物を硬化させて第一層５１を形成してもよい。また、第二層５２も、樹脂又はガラスを硬化させる前に、自然沈降又は遠心沈降により、窒化物蛍光体７２を、第一層５１側に偏って存在するように配置させ、その後、第二樹脂組成物を硬化させて第二層５２を形成してもよい。フッ化物蛍光体７１又は窒化物蛍光体７２を偏って存在させるようにした場合には、第一層５１と第二層５２の間にフッ化物蛍光体７１又は窒化物蛍光体７２が存在しないクリア層が形成されてもよく、第二層５２の第一層５１と接触する反対側に窒化物蛍光体７２が存在しないクリア層が形成されてもよい。第二層５２の第一層５１と接触する反対側に、窒化物蛍光体７２が存在しないクリア層が形成されていると、このクリア層によって、酸素や水の発光装置１０２内への侵入を抑制することができる。

複数の凹部４３ｒを有する樹脂成形部４３が一体的に成形された集合体の場合には、集合体を少なくとも１個の光源１０を含む個々の発光装置１０２に切断して、個片化する個片化工程を含んでいてもよい。集合体を個片化する方法としては、前述の集合成形体を個片化する方法と同様の方法を用いることができる。

第二の態様の発光装置１０２において、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層及び第二層の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、発光素子の厚みＴｅに対して、大きいことが好ましい。第二の態様の発光装置１０２において、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層及び第二層の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、発光素子の厚みＴｅに対して、１．１倍以上３倍以下の範囲内の厚みであることが好ましく、１．３倍以上２．６倍以下の範囲内の厚みであることより好ましく、１．６倍以上２．３倍以下の範囲内の厚みであることがさらに好ましい。第二の態様の発光装置１０２において、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１の厚みＴ１は、第二層５２の厚みＴ２よりも大きくてもよい。第一層５１の厚みＴ１は、第二層５２の厚みＴ２を１とした場合に、１．１倍以上５倍以下の範囲内であってもよく、１．２倍以上４．５倍以下の範囲内でもよく、１．３倍以上４倍以下の範囲内でもよく、３．５倍以下でもよく、３倍以下でもよく、２倍以下であってもよい。第二の態様の発光装置１０２において、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１の厚みＴ１は、第二層５２の厚みＴ２と同じであるか小さくてもよい。第一層５１の厚みＴ１は、第二層５２の厚みＴ２を１とした場合に、０．１倍以上１倍以下の範囲内であってもよく、０．２倍以上０．９倍以下の範囲内でもよく、０．３倍以上０．８倍以下の範囲内でもよく、０．７倍以下でもよく、０．６倍以下でもよい。

図３は、発光装置の第三の態様を示す模式的断面図である。第三の態様を示す発光装置１０３は、第二の態様を示す発光装置１０２に対して、第一層５１と第二層５２の境界が存在せず、中間領域５３が存在する点と、反射部材８１が光源１０の側面の一部を覆っている点が相違し、その他は共通する。

中間領域
発光装置１０３は、第一層５１と第二層５２が連続して配置され、第一層５１と第二層５２の間に、フッ化物蛍光体７１と、窒化物蛍光体７２と、樹脂又はガラスとを含む中間領域５３を備える。中間領域５３は、フッ化物蛍光体７１と、樹脂又はガラスを含み、第一層５１を構成する第一樹脂組成物を、光源１０の周囲に配置した後、第一樹脂組成物が硬化する前に、窒化物蛍光体７２と、樹脂又はガラスを含み、第二層５２を構成する第二樹脂組成物を、第二樹脂組成物の少なくとも一部が、第一樹脂組成物と連続するように配置し、その後第一樹脂組成物と第二樹脂組成物を硬化させることで、フッ化物蛍光体７１と樹脂又はガラスを含む第一層５１と、フッ化物蛍光体７１と窒化物蛍光体７２と樹脂又はガラスを含む中間領域５３と、窒化物蛍光体７２と樹脂又はガラスを含む第二層５２が、それぞれの層又は領域の境界なく連続して製造される。第一層５１及び第二層５２の境界がある場合と比較して、第一層５１、中間領域５３及び第二層５２のそれぞれが境界なく連続して配置された方が、光源からの熱が外部に放熱されやすく放熱性がよくなる。

発光装置１０３の製造方法は、フッ化物蛍光体７１と樹脂とを含む第一樹脂組成物を光源１０上にポッティングし、第一樹脂組成物を硬化させる前に、窒化物蛍光体７２を含む第二樹脂組成物をポッティングする。第二樹脂組成物をポッティングする前に、光源１０上にポッティングした第一樹脂組成物中のフッ化物蛍光体７１を、自然沈降又は遠心沈降によって光源側に偏って存在するように配置させてもよい。第二樹脂組成物は、第一樹脂組成物上にポッティングした後、自然沈降又は遠心沈降によって、第一樹脂組成物側に窒化物蛍光体７２が偏って存在するように配置してもよい。第一樹脂組成物が硬化する前であると、第一樹脂組成物と第二樹脂組成物との境界が存在せず、フッ化物蛍光体７１と窒化物蛍光体７２が混在する中間領域５３が形成される。この際、第一層５１と第二層５２の蛍光体の粒径については、第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１の平均粒径が第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２の平均粒径より大きいことが好ましい。こうすることで、自然沈降又は遠心沈降によって、蛍光体を第一層５１及び第二層５２に配置する際に、第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１が、中間領域５３以外の第二層５２に混在することを抑制でき、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２が、中間領域５３以外の第一層５１に混在することを抑制でき、優れた放熱性としながら光束の低下を抑制することができる。第一層５１と第二層５２の間に境界が存在せず、樹脂又はガラスよりも熱伝導性のよいフッ化物蛍光体７１及び窒化物蛍光体７２を含む中間領域５３が形成されている場合は、第一層５１と第二層５２の間にフッ化物蛍光体７１及び窒化物蛍光体７２が存在しないクリア層が形成されている場合よりも、放熱経路において、熱伝導率の低い樹脂又はガラスを熱が通過する経路が短くなるため、光源１０から発せられる熱の放熱性が良好となる。第二層５２には、光源１０側の反対側に、窒化物蛍光体７２を含まないクリア層が形成されてもよい。第二層５２の光源１０側の反対側に、窒化物蛍光体７２が存在しないクリア層が形成されていると、クリア層によって、酸素や水の発光装置１０３内への侵入を抑制することができる。

第三の態様の発光装置１０３において、中間領域５３のみの厚みを個別に測定することは難しく、第一層５１の厚みＴ１と中間領域５３の厚み、第二層５２の厚みＴ２と中間領域５３の厚みを分けて測定することも難しい。発光装置１０３において、第一層５１及び第二層５２及び中間領域５３が形成されている場合には、第一層５１及び第二層５２及び中間領域５３の合計の厚みは、第一層５１の厚みＴ１及び第二層５２の厚みＴ２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２として測定することができる。第三の態様の発光装置１０３において、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１及び中間領域５３及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、発光素子１０の厚みＴｅに対して大きいことが好ましい。第三の態様の発光装置１０３において、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上の第一層５１及び中間領域５３及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、発光素子１０の厚みＴｅに対して、１．１倍以上３倍以下の範囲内の厚みであることが好ましく、１．３倍以上２．６倍以下の範囲内の厚みであることより好ましく、１．６倍以上２．３倍以下の範囲内の厚みであることがさらに好ましい。第三の態様の発光装置１０３において、発光素子１０の厚みＴｅ、第一層５１及び中間領域５３及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上にある、発光素子１０の厚みＴｅ、第一層５１及び中間領域５３及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２であることが好ましい。

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

フッ化物錯体蛍光体７１−１
Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体７１−１として、Ｋ_２［ＳｉＭｎ^４＋Ｆ_６］で表される組成を有するフッ化物蛍光体を準備した。後述する方法で、フッ化物錯体蛍光体７１−１の発光スペクトルと反射スペクトルを測定した。Ｋ_２［ＳｉＭｎ^４＋Ｆ_６］で表される組成を有するフッ化物錯体蛍光体７１−１は、６３１ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が２．６ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、フッ化物錯体蛍光体７１−１の反射率は２２．０％であった。各蛍光体の反射スペクトルから測定した反射率は、参考値である。フッ化物錯体蛍光体７１−１及び７１−２の屈折率は１．３６であった。フッ化物錯体蛍光体、ＭＧＦ蛍光体、窒化物蛍光体及びシリコーン樹脂の屈折率は計算値である。後述するＦＳＳＳ法で測定したフッ化物錯体蛍光体７１−１の平均粒径は２９．０μｍであった。

フッ化物錯体蛍光体７１−２
Ｍｎ賦活フッ化物錯体蛍光体７１−２として、Ｋ_２［ＳｉＭｎ^４＋Ｆ_６］で表される組成を有するフッ化物蛍光体を準備した。後述する方法で、フッ化物錯体蛍光体７１−２の発光スペクトルと反射スペクトルを測定した。Ｋ_２［ＳｉＭｎ^４＋Ｆ_６］で表される組成を有するフッ化物錯体蛍光体７１−２は、６３１ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が２．６ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、フッ化物錯体蛍光体７１−２の反射率は１２．２％であった。ＦＳＳＳ法で測定したフッ化物錯体蛍光体７１−２の平均粒径は７０．５μｍであった。

ＭＧＦ蛍光体７１−３
Ｍｎ賦活ＭＧＦ蛍光体７１−３として、（ｉ-ｊ）ＭｇＯ・（ｊ/２）Ｍ^ｂ _２Ｏ_３・ｋＭｇＦ_２・ｍＣａＦ_２・（１-ｎ）ＧｅＯ_２・（ｎ/２）Ｍ^ｃ _２Ｏ_３：ｚＭｎ^４+（前記式（ＩＩ−ＩＩ））で表される組成を有するＭＧＦ蛍光体７１−３を準備した。後述する方法で、ＭＧＦ蛍光体７１−３の発光スペクトルと反射スペクトルを測定した。式（ＩＩ−ＩＩ）で表される組成を有するＭＧＦ蛍光体７１−３は、６７０ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が２５ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、ＭＧＦ蛍光体７１−３の反射率は４０％程度であり、屈折率は１．７０から１．８１であった。ＦＳＳＳ法で測定したＭｎ賦活ＭＧＦ蛍光体７１−３の平均粒径は２０．５μｍであった。

窒化物蛍光体７２−１
窒化物蛍光体７２−１として、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体を準備した。後述する方法で、窒化物蛍光体の発光スペクトル反射スペクトルを測定した。（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体は、６３５ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が７８．９ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、窒化物蛍光体７２−１の反射率は５．８％であった。窒化物蛍光体７２−１、７２−２、７２−３及び７２−４の屈折率は２．１５から２．２５であった。ＦＳＳＳ法で測定した窒化物蛍光体７２−１の平均粒径は１４．１μｍであった。

窒化物蛍光体７２−２
窒化物蛍光体７２−２として、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体を準備した。後述する方法で、窒化物蛍光体の発光スペクトル反射スペクトルを測定した。（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体７２−２は、６４８ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が８６．８ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、窒化物蛍光体７２−２の反射率は７．０％であった。ＦＳＳＳ法で測定した窒化物蛍光体７２−２の平均粒径は１０．４μｍであった。

窒化物蛍光体７２−３
窒化物蛍光体７２−３として、（Ｃａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体を準備した。後述する方法で、窒化物蛍光体の発光スペクトル反射スペクトルを測定した。（Ｃａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体７２−３は、６６５ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が９０．７ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、窒化物蛍光体７２−３の反射率は６．６％であった。ＦＳＳＳ法で測定した窒化物蛍光体７２−３の平均粒径は１０．２μｍであった。

窒化物蛍光体７２−４
窒化物蛍光体７２−４として、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体を準備した。後述する方法で、窒化物蛍光体の発光スペクトル反射スペクトルを測定した。（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体は、６３３ｎｍに発光ピーク波長を有し、最大の発光ピークの半値幅が７６ｎｍであった。励起光の発光ピーク波長が４５０ｎｍのとき、窒化物蛍光体７２−４の反射率は５．０％であった。ＦＳＳＳ法で測定した窒化物蛍光体７２−４の平均粒径は１２．０μｍであった。

各蛍光体の評価
発光スペクトル
フッ化物錯体蛍光体、ＭＧＦ蛍光体、及び窒化物蛍光体について、量子効率測定装置（大塚電子株式会社製、製品名：ＱＥ−２０００）を用いて、励起波長４５０ｎｍの光をフッ化物蛍光体又は窒化物蛍光体に照射し、室温（２５℃±５℃）における発光スペクトルを測定した。図４に、Ｋ_２［ＳｉＭｎ^４＋Ｆ_６］で表される組成を有するフッ化物錯体蛍光体７１−１の発光スペクトルを示す。図５に、式（ＩＩ−ＩＩ）で表される組成を有するＭＧＦ蛍光体７１−３の発光スペクトルを示す。図６に、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体７２−１の発光スペクトルを示す。図７に、（Ｃａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体７２−３の発光スペクトルを示す。

反射スペクトル
フッ化物錯体蛍光体、ＭＧＦ蛍光体、及び窒化物蛍光体について、分光蛍光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、製品名：Ｆ−４５００）を用いて、室温（２５℃±５℃）で、励起光源となるハロゲンランプからの光を、試料となるフッ化物蛍光体又は窒化物蛍光体に照射し、励起側と蛍光側の分光蛍光光度計の波長を合わせて走査することで３８０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長範囲内の反射スペクトルを測定した。基準試料としてリン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ_４）を用いた。発光ピーク波長が４５０ｎｍの励起光に対するリン酸水素カルシウムの反射率を基準として、フッ化物錯体蛍光体、ＭＧＦ蛍光体又は窒化物蛍光体の反射率を相対反射率として求めた。

平均粒径
各蛍光体について、Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ Ｍｏｄｅｌ ９５（Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、ＦＳＳＳ法により平均粒径を測定した。

実施例１
図２に示す態様の発光装置１０２を製造した。光源１０として、発光ピーク波長が４５０ｎｍであるＧａＮ系半導体からなる発光素子を用いた。発光装置１０２は、基板２００上に光源１０である発光素子をフリップチップ実装した。シリコーン樹脂と、フッ化物錯体蛍光体７１−１を含み、ＭＧＦ蛍光体を含まないフッ化物蛍光体７１を、表１に示す配合比率（質量部）で含む第一樹脂組成物を用いて、光源１０の少なくとも一部に接触するように、第一樹脂組成物を滴下し、第一樹脂組成物を硬化させて、フッ化物蛍光体７１を含む第一層５１を形成した。次いで、シリコーン樹脂と、窒化物蛍光体７２−１を、表１に示す配合比率（質量部）で含む第二樹脂組成物を用いて、第一層５１の少なくとも一部に接触するように、第二樹脂組成物を、第一層５１上に滴下し、第二樹脂組成物を硬化させて、窒化物蛍光体７２を含む第二層５２を形成した。シリコーン樹脂の屈折率は１．４から１．５であった。

比較例１
図１４に示す態様の発光装置１０４を製造した。発光装置１０４は、窒化物蛍光体７２−１を含む一つの層からなる蛍光層５４を備える点が、図２に示す態様の発光装置１０２と相違する。蛍光層５４は、シリコーン樹脂と、窒化物蛍光体７２−１を、表１に示す配合比率（質量部）で含む蛍光層用の樹脂組成物を用いて、光源１０の少なくとも一部に蛍光層用の樹脂組成物が接触するように滴下し、樹脂組成物を硬化させて、蛍光層５４を形成した。

比較例２
図１５に示す態様の発光装置１０５を製造した。発光装置１０５は、フッ化物錯体蛍光体７１−１と、窒化物蛍光体７２−１を含む一つの層からなる蛍光層５５を備える点が、図２に示す態様の発光装置１０２と相違する。蛍光層５５は、シリコーン樹脂と、フッ化物錯体蛍光体７１−１と、窒化物蛍光体７２−１を、表１に示す配合比率（質量部）で含む蛍光層用の樹脂組成物を用いて、光源１０の少なくとも一部に蛍光層用の樹脂組成物が接触するように滴下し、樹脂組成物を硬化させて、フッ化物錯体蛍光体７１−１及び窒化物蛍光体７２−１を含む一つの蛍光層５５を形成した。

比較例３
図１６に示す態様の発光装置１０６を製造した。発光装置１０６は、フッ化物錯体蛍光体７１−１を含む一つの層からなる蛍光層５６を備える点が、図２に示す態様の発光装置１０２と相違する。蛍光層５６は、シリコーン樹脂と、フッ化物錯体蛍光体７１−１を、表１に示す配合比率（質量部）で含む蛍光層用の樹脂組成物を用いて、光源１０の少なくとも一部に蛍光層用の樹脂組成物が接触するように滴下し、樹脂組成物を硬化させて、フッ化物錯体蛍光体７１−１を含む一つの蛍光層５６を形成した。

発光装置の評価
発光スペクトル
各実施例及び比較例の発光装置について、相対光束の測定と同様の全光束測定装置を用いて、各発光装置の波長に対する発光強度を示す発光スペクトルを測定した。各発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長と、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側にそれぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度と、その波長を求めた。発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長と、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側にそれぞれ１５ｎｍ又は３０ｎｍの範囲の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、この基準発光強度を１としたときの最大の発光ピーク波長の発光強度比と、光源の発光ピーク波長の発光強度比を求めた。また、実施例１から２及び比較例１から５の発光装置の主波長を求めた。主波長は、ＣＩＥ１９３１表色系の色度図において、白色光の色度座標（ｘ＝０．３３３、ｙ＝０．３３３）と、発光装置が発する光の色度座標（ｘ、ｙ）を直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡が交わる点の波長を主波長とした。

色度（ｘ、ｙ）
各実施例及び比較例の発光装置について、マルチチャンネル分光器と積分球を組み合わせた光計測システムで、ＣＩＥ１９３１系の色度図における色度座標ｘ及びｙを測定した。

色純度（％）
各実施例及び比較例の発光装置について、マルチチャンネル分光器と積分球を組み合わせた光計測システムを用いて、色純度を測定した。色純度（％）は、発光装置が発光する光の濃さを表す。

光束（ｌｍ）
各実施例及び比較例の発光装置について、積分球を使用した全光束測定装置を用いて、光束を測定した。

実施例１、比較例１及び２に係る発光装置の評価結果を、表１に示す。

実施例１に係る発光装置１０２は、発光スペクトルにおいて、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が８．１であり、第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１によって波長変換されなかった光源１０からの光は、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２によって効率よく波長変換するため、光源１０から発せられる青色光が発光装置１０２から実質的に抜け出ることなく、色純度が高く、光束が高い赤色発光が得られた。実施例１に係る発光装置１０２は、フッ化物錯体蛍光体７１−１と窒化物蛍光体７２−１を含む蛍光層５５を備えた比較例２に係る発光装置１０５よりも、光束が高くなった。これは、実施例１に係る発光装置１０２は、光源１０により近い第一層５１に、第一層５１を構成する樹脂との屈折率差が小さく、光の反射率が第二層５２に含まれる窒化物蛍光体よりも小さいフッ化物錯体蛍光体７１−１が含まれているため、光源からの青色光を効率よく波長変換して光束を高くすることができ、さらに第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２−１によって、第一層５１から抜け出た光源からの青色光を波長変換するため、色純度が高く光束が高い赤色発光を得ることができたと考えられる。

図８及び９は、６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の波長範囲内の実施例１に係る発光装置の発光スペクトルを示す。図１０は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の実施例１に係る発光装置の発光スペクトルを示す。実施例１に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピークに対して、光源の発光ピークが小さいため、図８及び９は、実施例１に係る発光装置の最大の発光ピークを有する発光スペクトルを示した。図８及び９に示す、実施例１の発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長が６３１ｎｍであり、６３１ｎｍから長波長側及び短波長側にそれぞれ１５ｎｍの範囲内、すなわち、６１６ｎｍ以上６４６ｎｍ以下の範囲内の最も小さい発光強度を示す波長が６４２．１ｎｍであった。６１６ｎｍ以上６４６ｎｍ以下の範囲内の最も小さい発光強度を基準発光強度とし、この基準発光強度を１として、上述の光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比と、発光装置の最大の発光ピーク波長の発光強度比を求めた。発光装置の発光スペクトルにおける基準発光強度を１としたときの、最大の発光ピーク波長の発光強度比は、前述のとおり、８．１であった。図１０は、実施例１に係る発光装置の光源の最大の発光ピークを有する発光スペクトルを示す。発光装置の発光スペクトルにおいて、光源の発光ピーク波長は、４４１．７ｎｍであった。発光装置の発光スペクトルにおける基準発光強度を１としたときの、光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比は、０．０１７であった。

比較例２に係る発光装置１０５は、窒化物蛍光体７２−１とフッ化物錯体蛍光体７１−１を含む蛍光層５５を備えていることによって、窒化物蛍光体７２−１を含みフッ化物錯体蛍光体７１−１を含まない蛍光層５４を備えた比較例１の発光装置１０４よりも、光束が高くなった。一方、比較例３に係る発光装置１０６は、フッ化物錯体蛍光体７１−１を含み、窒化物蛍光体７２−１を含まない蛍光層５６を備えているため、フッ化物錯体蛍光体７１−１のみでは、光源から発せられる青色光を吸収しきれず、主波長が測定できず、発光装置が赤色発光していなかった。

実施例２
第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２として、窒化物蛍光体７２−２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係る発光装置１０２を形成した。

比較例４
窒化物蛍光体として、窒化物蛍光体７２−２を用いて、この窒化物蛍光体７２−２を、表２に示す配合比率（質量部）で含む蛍光層用の樹脂組成物を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例４に係る発光装置１０４を形成した。

比較例５
窒化物蛍光体として、窒化物蛍光体７２−２を用いて、この窒化物蛍光体７２−２を、表２に示す配合比率（質量部）で含む蛍光層用の樹脂組成物を用いたこと以外は、比較例２と同様にして、比較例５に係る発光装置１０５を形成した。

前述の評価方法によって測定した実施例２、比較例４及び５に係る発光装置の評価結果を、表２に示す。

実施例２に係る発光装置１０２は、発光スペクトルにおいて、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が７．６であり、光源１０の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０．０１４であるため、発光装置１０２から光源１０の青色光が抜け出ておらず、色純度が比較例４及び５とほぼ同等であり、光束が高くなった。実施例２に係る発光装置１０２において、第一層５１に含まれるフッ化物錯体蛍光体７１−１によって波長変換されなかった光源１０からの光は、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２−２によって効率よく波長変換するため、光源の青色光が発光装置１０２から抜け出ることなく、光束が高い赤色発光が得られた。

実施例３から７
第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体として、フッ化物錯体蛍光体７１−２と、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体として、窒化物蛍光体７２−１とを、表３に示す配合比率なるように用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３から７に係る発光装置１０２を形成した。

前述の評価方法によって測定した実施例３から７に係る発光装置の評価結果を、表３に示す。

実施例３から７に係る発光装置１０２は、第一層５１に含まれるフッ化物錯体蛍光体７１−２の配合比率が高くなるほど、発光装置１０２の発光スペクトルにおける、基準発光強度を１としたときの、最大の発光ピーク波長の発光強度比が大きくなり、光源の発光ピーク波長の発光強度比が小さくなった。この結果から、第一層５１に含まれるフッ化物錯体蛍光体７１−１の配合比率が高くなるほど、光源１０から発せられる青色光が発光装置１０２から抜け出ることなく、色純度が高く、光束が高い赤色発光が得られた。

実施例８から１２
第一層５１に含まれるフッ化物蛍光体７１として、フッ化物錯体蛍光体７１−２と、第二層５２に含まれる窒化物蛍光体７２として、窒化物蛍光体７２−２とを、表４に示す配合比率なるように用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例８から１２に係る発光装置１０２を形成した。

前述の評価方法によって測定した実施例８から１２に係る発光装置の評価結果を、表４に示す。

実施例８から１２に係る発光装置１０２は、第一層５１に含まれるフッ化物錯体蛍光体７１−２の配合比率が高くなるほど、発光装置１０２の発光スペクトルにおける、基準発光強度を１としたときの、最大の発光ピーク波長の発光強度比が大きくなり、光源の発光ピーク波長の発光強度比が小さくなった。この結果から、第一層５１に含まれるフッ化物錯体蛍光体７１の配合比率が高くなるほど、光源１０から発せられる青色光が発光装置１０２から抜け出ることなく、色純度が高く、光束が高い赤色発光が得られた。

実施例１３
フッ化物錯体蛍光体７１−１の代わりに、ＭＧＦ蛍光体７１−３を用い、ＭＧＦ蛍光体７１−３と窒化物蛍光体７２−３を、表５に示す配合比率（質量部）で含む第一樹脂組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１３に係る発光装置１０２を形成した。

比較例６
（Ｃａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ_３で表される組成を有する窒化物蛍光体７２−３を、表５に示す配合比率（質量部）で含む蛍光層用の樹脂組成物を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例６に係る発光装置１０４を形成した。

実施例１３及び比較例６に係る発光装置の評価結果を、表５に示す。

実施例１３に係る発光装置１０２は、発光スペクトルにおいて、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が３．６であり、光源１０から発せられる青色光が発光装置１０２から実質的に抜け出ることなく、色純度が高く、比較例６とほぼ変わらない高い光束を維持した赤色発光が得られた。発光装置から発せられる赤色の光の主波長が長波長側に移動するほど、ヒトの眼が焦点を合わせやすい波長である５５５ｎｍ付近から離れて視感度が低くなり、光束が低下する傾向がある。実施例１３に係る発光装置は、主波長が６３６．２ｎｍであり、比較例６に係る発光装置１０４よりも主波長が５ｎｍ程度長波長側に移動する。実施例１３に係る発光装置は、主波長が長波長側に移動しても、比較例６に係る発光装置よりも若干高い光束を維持しており、高い光束を維持した赤色発光が得られた。

比較例６に係る発光装置１０４は、発光スペクトルにおいて、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が１．７と低く、実施例１３と比較して光束が若干低くなった。

図１１は、６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲内の実施例１３に係る発光装置の発光スペクトルを示す。図１２は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の実施例１３に係る発光装置の発光スペクトルを示す。実施例１３に係る発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピークに対して、光源の発光ピークが小さいため、図１１は、実施例１３に係る発光装置の最大の発光ピークを有する発光スペクトルを示した。図１２に示す、実施例１３の発光装置の発光スペクトルにおいて、最大の発光ピーク波長が６５９．９ｎｍであり、６５９．９ｎｍから長波長側及び短波長側にそれぞれ３０ｎｍの範囲内、すなわち、６２９．９ｎｍ以上６８０．９ｎｍ以下の範囲内の最も小さい発光強度を示す波長が６３０．２ｎｍであった。この基準発光強度を１として、上述の光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比と、発光装置の最大の発光ピーク波長の発光強度比を求めた。発光装置の発光スペクトルにおける基準発光強度を１としたときの、最大の発光ピーク波長の発光強度比は、前述のとおり、３．６であった。図１２は、実施例１３に係る発光装置の光源の最大の発光ピークを有する発光スペクトルを示す。発光装置の発光スペクトルにおいて、光源の発光ピーク波長は、４４３．４ｎｍであった。発光装置の発光スペクトルにおける基準発光強度を１としたときの、光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比は、０．００７であった。

実施例１４
図２に示す態様の発光装置１０２を製造した。光源１０として、発光ピーク波長が４５０ｎｍであるＧａＮ系半導体からなる発光素子を用いた。発光装置１０２は、基板２００上に光源１０である発光素子をフリップチップ実装した。シリコーン樹脂と、フッ化物錯体蛍光体７１−１を含み、ＭＧＦ蛍光体を含まないフッ化物蛍光体７１を含む第一樹脂組成物を準備した。第一樹脂組成物はシリコーン樹脂１００質量部に対して、フッ化物錯体蛍光体７１−１を１５０質量部含む。光源１０の少なくとも一部に接触するように、第一樹脂組成物を滴下し、第一樹脂組成物を硬化させて、フッ化物蛍光体７１を含む第一層５１を形成した。次いで、シリコーン樹脂と、窒化物蛍光体７２−４を含む第二樹脂組成物を準備した。第二樹脂組成物は、シリコーン樹脂１００質量部に対して窒化物蛍光体７２−４を１００質量部含む。第一層５１の少なくとも一部に接触するように、第二樹脂組成物を、第一層５１上に滴下し、第二樹脂組成物を硬化させて、窒化物蛍光体７２を含む第二層５２を形成した。シリコーン樹脂の屈折率は１．４から１．５であった。得られた発光装置１０２は、遠心沈降によって、第一層５１中において、フッ化物蛍光体７１が発光素子１０側に偏って存在し、第一層５１及び第二層５２の間にフッ化物蛍光体７１又は窒化物蛍光体７２を含まないクリア層が形成されていた。得られた発光装置１０２の断面において、後述する方法で測定した発光素子１０の厚みＴｅは１３４μｍであり、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直な方向の同一線上の第一層５１の厚みＴ１は７６μｍであり、第二層５２の厚みＴ２は２２６μｍであった。第一層５１と第二層５２の間に形成されたクリア層は、第一層５１中に含まれており、個別にクリア層のみの厚さを測定することはできなかった。

実施例１５
図３に示す態様の発光装置１０３を製造した。光源１０は、実施例１４と同様の発光素子を用いた。発光装置１０３は、基板２００上に光源１０である発光素子をフリップチップ実装した。シリコーン樹脂と、フッ化物錯体蛍光体７１−１を含み、ＭＧＦ蛍光体を含まないフッ化物蛍光体７１を含む第一樹脂組成物を準備した。第一樹脂組成物は、シリコーン樹脂１００質量部に対して、フッ化物錯体蛍光体７１−１を１５０質量部含む。また、シリコーン樹脂と、窒化物蛍光体７２−２を含む第二樹脂組成物を準備した。第二樹脂組成物は、シリコーン樹脂１００質量部に対して窒化物蛍光体７２−２を３５質量部と窒化物蛍光体７２−４を３５質量部含む。発光装置１０３から発せられる光の色度を調整するため、第二樹脂組成物に含まれる窒化物蛍光体７２として、蛍光体の組成の異なる二種の窒化物蛍光体７２−２及び窒化物蛍光体７２−４を用いた。光源１０の少なくとも一部に接触するように、第一樹脂組成物を滴下し、第一樹脂組成物を硬化させて、フッ化物蛍光体７１を含む第一層５１を形成し、次いで、第二樹脂組成物を用いて第一層５１の少なくとも一部に接触するように第二樹脂組成物を、第一層５１に上に滴下し、第二樹脂組成物を硬化させて、窒化物蛍光体７２を含む第二層５２を形成した。得られた発光装置１０３は、フッ化物蛍光体７１を含む第一層５１と、フッ化物蛍光体７１及び窒化物蛍光体７２が混在する中間領域５３と、窒化物蛍光体７２を含む第二層５２を含む。第一層５１と、中間領域５３と、第二層５２が、それぞれの層又は領域の境界なく連続していた。得られた発光装置１０３の断面において、後述する方法で測定した発光素子１０の厚みＴｅは１３７μｍであり、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直な方向の同一線上の第一層５１及び第二層５２及び中間領域５３の合計の厚みＴ１＋Ｔ２は、３０１μｍであった。得られた発光装置１０３は、第一層５１と中間領域５３と第二層５２が境界なく連続して形成されているため、第一層５１の厚みＴ１及び第二層５２の厚みＴ２を個別に測定することができなかった。

発光素子、第一層、第二層及び中間領域の厚み
走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）を用いて、実施例１４及び１５に係る発光装置の断面ＳＥＭ写真を得た。断面ＳＥＭ写真において、基板２００に載置された光源１０の第一面１０ａとこれに対向する他方の第二面１０ｂに間の厚みを発光素子１０の厚みＴｅとして測定した。また、発光素子１０の第一面１０ａ上であって、発光素子１０の第一面１０ａに垂直方向の同一線上において、第一層５１及び第二層５２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２を測定した。

実施例１４及び実施例１５に係る発光装置の評価結果を、表６に示す。

実施例１４に係る発光装置１０２及び実施例１５に係る発光装置１０３は、発光スペクトルにおいて、基準発光強度を１としたときに、最大の発光ピーク波長の発光強度比が７．４又は７．８であり、光源１０から発せられる青色光が発光装置１０２又は発光装置１０３から実質的に抜け出ることなく、色純度が高く、光束が高い赤色発光が得られた。

信頼性評価（連続点灯後の相対光束）
実施例１４及び１５に係る発光装置について、温度８５℃、湿度８５％の高温槽に置いて、３５０ｍＡで連続点灯させ、各経過時間ごとに積分球を使用した全光束測定装置を用いて、光束を測定した。高温槽に入れる前の３５０ｍＡで点灯した初期の発光装置の光束を１００％とし、初期から各経過時間ごとの光束を相対値で表した。また、初期の発光装置の光束１００％に対する、１０１８時間経過後の発光装置の光束の相対値を光束維持率として算出した。結果を図１３に示す。

実施例１４に係る発光装置は、光束維持率が４２．８％であり、実施例１５に係る発光装置は、光束維持率が７２．０％であった。光束維持率及び図１３に示すように、実施例１５に係る発光装置は、第一層及び第二層の間に、フッ化物錯体蛍光体７１−１及び窒化物蛍光体７２−４及び窒化物蛍光体７２−２が混在する中間領域が形成され、第一層、中間領域及び第二層のそれぞれが境界なく連続して配置されているため、光源からの熱が外部に放熱されやすく放熱性がよくなり、光束維持率が高くなったと考えられる。実施例１５に係る発光装置は、第一層及び第二層の間に、フッ化物錯体蛍光体７１−１及び窒化物蛍光体７２−４及び窒化物蛍光体７２−２が混在する中間領域を有するため、高い温度で連続点灯させた場合であっても、発光装置の耐久性が向上し、光束維持率が改善された。実施例１４に係る発光装置は、第一層と第二層の間に蛍光体の存在しないクリア層が形成されているため、第一層と第二層の間に中間領域を有する実施例１５に係る発光装置に比べて、光束維持率が低くなった。

本開示の発光装置は、信号機、照光式スイッチ、各種センサ、各種インジケータ、及び小型ストロボなどに好適に利用できる。

１０：光源、１０a：第一面、１０ｂ：第二面、２０：第一リード、３０：第二リード、４０：成形体、４０ｒ：凹部、４２：樹脂部、４３：樹脂成形部、４３ｒ：凹部、５０：蛍光部材、５１：第一層、５２：第二層、５３：中間領域、５４、５５、５６：蛍光層、６０：ワイヤ、７０：蛍光体、７１：フッ化物蛍光体、７２：窒化物蛍光体、、８０、８１：反射部材、９０：透光体、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６：発光装置、２００：基板。

Claims (14)

1. 光源と、
   前記光源の少なくとも一部を覆い、前記光源から出射された光を波長変換するマンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体及びマンガンで賦活されたフルオロジャーマネート蛍光体の少なくとも一方を含むフッ化物蛍光体を含む第一層と、
   前記第一層の少なくとも一部を覆い、前記光源及び／又は前記第一層から出射された光を波長変換する窒化物蛍光体を含む第二層と、を含み、
   前記フッ化物錯体蛍光体を含み、前記フルオロジャーマネート蛍光体を含まない場合に、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ１５ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、
   前記フルオロジャーマネート蛍光体を含む場合に、発光装置の発光スペクトルにおける、最大の発光ピーク波長を中心として、前記中心から長波長側及び短波長側それぞれ３０ｎｍの範囲内の発光スペクトルにおける最も小さい発光強度を基準発光強度とし、
   前記基準発光強度を１としたときに、前記光源の最大の発光ピーク波長の発光強度比が０を超えて０．１以下の範囲内であり、前記最大の発光ピーク波長の発光強度比が２．８を超える、赤色発光する発光装置。
2. 前記基準発光強度を１としたときに、発光スペクトルにおける最大の発光ピーク波長の発光強度比が３．０以上１２．０以下である、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記フッ化物錯体蛍光体が、下記式（Ｉ）で表される組成を有する、請求項１又は２に記載の発光装置。
   Ａ_２[Ｍ^ａ _１−ａＭｎ^４＋ _ａＦ_６] （Ｉ）
   （式（Ｉ）中、Ａは、アルカリ金属元素及びＮＨ_４ ^＋からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素又はイオンであり、Ｍ^ａは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素であり、ａは、０＜ａ＜０．２を満たす数である。）
4. 前記フルオロジャーマネート蛍光体が、下記式（ＩＩ−Ｉ）または（ＩＩ−ＩＩ）のいずれかで表される組成を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
   ３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ（ＩＩ−Ｉ）
   （ｉ-ｊ）ＭｇＯ・（ｊ/２）Ｍ^ｂ _２Ｏ_３・ｋＭｇＦ_２・ｍＣａＦ_２・（１-ｎ）ＧｅＯ_２・（ｎ/２）Ｍ^ｃ _２Ｏ_３：ｚＭｎ^４+ （ＩＩ−ＩＩ）
   （式（ＩＩ−ＩＩ）中、Ｍ^ｂは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ^ｃは、Ａｌ、Ｇａ及Ｉｎからなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、ｉ、ｊ、ｋ、ｍ、ｎ及びｚはそれぞれ、２≦ｉ≦４、０≦ｊ＜０．５、０＜ｋ＜１．５、０≦ｍ＜１．５、０＜ｎ＜０．５、及び０＜ｚ＜０．０５を満たす数である。）
5. 前記窒化物蛍光体が、カルシウム及びストロンチウムの少なくとも一方と、ケイ素と、アルミニウムとを組成に含み、ユウロピウムで賦活された窒化物蛍光体から選ばれる少なくとも一種である、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記窒化物蛍光体が、下記式（ＩＩＩ）で表される組成を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
   （Ｃａ_{１−ｓ−ｔ}Ｓｒ_ｓＥｕ_ｔ）_ｘＡｌ_ｕＳｉ_ｖＮ_ｗ （ＩＩＩ）
   （式（ＩＩＩ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗ及びｘは、それぞれ０≦ｓ＜１、０＜ｔ＜１．０、０＜ｓ＋ｔ＜１．０、０．８≦ｘ≦１．０、０．８≦ｕ≦１．２、０．８≦ｖ≦１．２、１．９≦ｕ＋ｖ≦２．１、２．５≦ｗ≦３．５を満たす数である。）
7. 前記光源が、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記光源が、ＧａＮ系半導体発光素子である、請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記第一層及び前記第二層が、樹脂又はガラスを含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 前記樹脂が、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及び変性エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項９に記載の発光装置。
11. 前記第二層が、前記第一層と連続して配置され、前記第一層と前記第二層の間に、前記フッ化物蛍光体と前記窒化物蛍光体と樹脂又はガラスとを含む中間領域を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記第二層が、前記第一層の少なくとも一部に接触するように配置され、前記第二層の前記第一層と接触する側の反対側に配置された透光体を含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載の発光装置。
13. 前記透光体が、ガラス材料からなる、請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記光源の一部と、前記第一層又は前記第二層の一部と、に接触するように配置された反射部材を含む、請求項１から１３のいずれか１項に記載の発光装置。