JP2020161720A - インターポーザとそれを備えた半導体装置 - Google Patents
インターポーザとそれを備えた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020161720A JP2020161720A JP2019061641A JP2019061641A JP2020161720A JP 2020161720 A JP2020161720 A JP 2020161720A JP 2019061641 A JP2019061641 A JP 2019061641A JP 2019061641 A JP2019061641 A JP 2019061641A JP 2020161720 A JP2020161720 A JP 2020161720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- metal
- transformer
- layer
- interposer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
Description
図5は、上述した変圧器100の変形例1に係る、変圧器150の斜視図である。図1では、鉄心101が第一金属層104の一層のみで構成される場合について例示しているが、鉄心101は、図5に示すように第一金属層以外の層を含み、段差構造を有していてもよい。電磁誘導を妨げないようにする観点からは、鉄心101を構成する層の数は少ない方がよく、図1に示すように一層のみである方がより好ましい。しかしながら、例えばインターポーザ内に所定の構造物Mが存在しており、一層のみからなる平坦な鉄心を入れるスペースが設けられないような場合には、この構造物Mを避けるような段差構造が有効となる。そのような段差構造としては、例えば図5に示すような、鉄心101を二つの部分101A、101Bに分割し、それらをビア115で接続した構造が挙げられる。
100A・・・第一変換器
100B・・・第二変換器
101・・・鉄心
101a・・・鉄心の一部
101b・・・鉄心の他の一部
101A、101B・・・鉄心の分割された部分
101H・・・貫通孔
101P・・・第一金属パターン
102−1・・・一次コイル
102−2・・・二次コイル
104・・・第一金属パターン
105−1・・・第二金属層
105−1P・・・第二金属パターン
103−1・・・第三金属層
103−1P・・・第三金属パターン
107・・・第一ビア
107a・・・第一ビアの一端
107b・・・第一ビアの他端
105−2・・・第四金属層
105−2P・・・第四金属パターン
103−2・・・第五金属層
103−2P・・・第五金属パターン
110・・・第二ビア
110a・・・第ニビアの一端
110b・・・第ニビアの他端
111・・・基板
111a・・・基板の一方の主面
112、113・・・絶縁層
114・・・保護層
115・・・ビア
116・・・リングオシレータ
117・・・AD変換器
118・・・インバータ
119・・・MOSトランジスタ
120・・・キャパシタ
200・・・インターポーザ
300・・・チップ
400・・・半導体装置
M・・・構造物
Claims (6)
- リング状の鉄心と、
前記鉄心の一部を巻回する一次コイルと、
前記鉄心の他の一部を巻回する二次コイルと、で構成される変圧器を含むインターポーザであって、
前記鉄心が第一金属層として形成された第一金属パターンからなり、
前記一次コイルが、前記第一金属層より上の第二金属層として並んで形成された第二金属パターン、前記第一金属層より下の第三金属層として並んで形成された第三金属パターン、前記第二金属層と前記第三金属層とを結ぶ複数の第一ビアとで構成され、
螺旋を形成するように、前記第二金属パターン、第一ビア、前記第三金属パターン、第一ビア、が順に繰り返して接続されており、
前記二次コイルが、前記第一金属層より上の第四金属層として並んで形成された第四金属パターン、前記第一金属層より下の第五金属層として並んで形成された第五金属パターン、前記第四金属層と前記第五金属層とを結ぶ複数の第二ビアとで構成され、
螺旋を形成するように、前記第四金属パターン、第二ビア、前記第五金属パターン、第二ビア、が順に繰り返して接続されていることを特徴とするインターポーザ。 - 含有する金属層の数が、三層以上であることを特徴とする請求項1に記載のインターポーザ。
- 前記第二金属層と前記第四金属層とが、同じ層であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のインターポーザ。
- 前記第三金属層と前記第五金属層とが、同じ層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のインターポーザ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のインターポーザと、
前記変圧器の一次コイルに電圧を入力するリングオシレータと、
前記変圧器の二次コイルから電圧を出力するAD変換器と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記変圧器として、第一変圧器および第二変圧器を備え、
前記第一変圧器の一次コイルが、前記リングオシレータを構成する第一インバータに接続され、
前記第一変圧器の二次コイルが、前記AD変換器を構成する第一トランジスタに接続され、
前記第二変圧器の一次コイルが、前記リングオシレータを構成する第二インバータに接続され、
前記第二変圧器の二次コイルが、前記リングオシレータを構成する第二トランジスタに接続され、
前記リングオシレータにおいて、前記第一インバータと前記第二インバータとが、前段と後段または後段と前段の関係となるように、互いに隣接しており、
前記AD変換器において、前記第一トランジスタと前記第二トランジスタとが、前段と後段または後段と前段の関係となるように、互いに隣接していることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019061641A JP7219136B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019061641A JP7219136B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161720A true JP2020161720A (ja) | 2020-10-01 |
JP7219136B2 JP7219136B2 (ja) | 2023-02-07 |
Family
ID=72639901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019061641A Active JP7219136B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7219136B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61284608A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 差動トランスの信号処理装置 |
JPH10141906A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 差動変圧器 |
JP2001274020A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | コイルユニット、コイル、変圧器および昇圧回路 |
CN1610112A (zh) * | 2003-10-24 | 2005-04-27 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
JP2005347286A (ja) * | 2002-05-29 | 2005-12-15 | Ajinomoto Co Inc | コイル内蔵多層基板、半導体チップ、及びそれらの製造方法 |
JP2013207151A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Keihin Corp | トランス |
-
2019
- 2019-03-27 JP JP2019061641A patent/JP7219136B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61284608A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 差動トランスの信号処理装置 |
JPH10141906A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 差動変圧器 |
JP2001274020A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | コイルユニット、コイル、変圧器および昇圧回路 |
JP2005347286A (ja) * | 2002-05-29 | 2005-12-15 | Ajinomoto Co Inc | コイル内蔵多層基板、半導体チップ、及びそれらの製造方法 |
CN1610112A (zh) * | 2003-10-24 | 2005-04-27 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
US20050088269A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-04-28 | Rohm Company, Ltd. | Semiconductor device |
JP2005129736A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013207151A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Keihin Corp | トランス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7219136B2 (ja) | 2023-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10256286B2 (en) | Integrated inductor for integrated circuit devices | |
US9564264B2 (en) | High frequency integrated point-of-load power converter with embedded inductor substrate | |
US10109404B2 (en) | Low profile coupled inductor substrate with transient speed improvement | |
TWI611437B (zh) | 無基板個別耦合電感器結構、電感器結構設備及用於提供電感器結構之方法 | |
US20020057171A1 (en) | Apparatus and method for pcb winding planar magnetic devices | |
JP2017103489A (ja) | 水平及び垂直な部分を備えるダマシン型磁気トンネル接合構造及びその製造方法 | |
JP2019062217A (ja) | 基板内結合インダクタ構造 | |
CN108022731A (zh) | 耦合电感及包括耦合电感的电压调节模块 | |
CN105304287A (zh) | 集成变压器 | |
US20210366840A1 (en) | Dc and ac magnetic field protection for mram device using magnetic-field-shielding structure | |
TW200830335A (en) | Inductance element | |
US10085342B2 (en) | Microelectronic device having an air core inductor | |
TW201447937A (zh) | 帶有使用高磁導率材料的通量集中的耦合個別電感器 | |
JP7219136B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20130307656A1 (en) | Stacked Through-Silicon Via (TSV) Transformer Structure | |
US6830984B2 (en) | Thick traces from multiple damascene layers | |
JP2001274020A (ja) | コイルユニット、コイル、変圧器および昇圧回路 | |
CN111162166B (zh) | 具有三维电感结构的半导体装置 | |
TWI720038B (zh) | 具有被形成在核心上的線圈之電子封裝體 | |
JPWO2019044705A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008177254A (ja) | インダクタ及びその製造方法 | |
CN113555338A (zh) | 半导体基板结构及其形成方法 | |
US20200185138A1 (en) | Inductor structures | |
JP2019004014A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11262209A (ja) | 電気機器の絶縁コイル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7219136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |