JP2020160248A - 表示装置 - Google Patents

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博人 仲戸川
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Abstract

【課題】複数の表示領域の間に、より曲げやすい表示領域を設け、装置の形状の自由度を上げる。【解決手段】表示装置は、基板上に、第1画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第1表示領域と、第2画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第2表示領域と、第3画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第3表示領域と、を有し、第3表示領域は、第1表示領域と第2表示領域との間に設けられ、第3表示領域における、複数の画素の画素密度は、第1表示領域における、複数の画素密度よりも低く、第3表示領域における、複数の画素の画素密度は、第2表示領域における、複数の画素密度よりも低く、第1表示領域、第2表示領域、及び第3表示領域に亘って連続的に設けられると共に、第1画素、第2画素、及び第3画素が共に電気的に接続された信号線を有する。【選択図】図1

Description

本発明の一実施形態は、複数の表示領域を有する折り曲げ可能な表示装置に関する。
複数の表示領域を有する表示装置が従来から提案されている(例えば特許文献1から特許文献4)。かかる表示装置によれば、表示領域を1つだけ有する場合に比べて、ユーザに提示することのできる情報の量が増加する。
特開2014−022958号公報 特開2007−082074号公報 国際公開第2008/129649号 特許第4852146号
本発明は、複数の表示領域の間に、より曲げやすい表示領域を設け、装置の形状の自由度を上げることを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板上に、第1画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第1表示領域と、第2画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第2表示領域と、第3画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第3表示領域と、を有し、第3表示領域は、第1表示領域と第2表示領域との間に設けられ、第3表示領域における、複数の画素の画素密度は、第1表示領域における、複数の画素密度よりも低く、第3表示領域における、複数の画素の画素密度は、第2表示領域における、複数の画素密度よりも低く、第1表示領域、第2表示領域、及び第3表示領域に亘って連続的に設けられると共に、第1画素、第2画素、及び第3画素が共に電気的に接続された信号線を有する。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、筐体と、ベルト状の装着部とを有する表示装置であって、基板上に、第1画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第1表示領域と、第2画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第2表示領域と、第3画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第3表示領域と、を有し、基板は、筐体と平面視で重畳する領域、ベルト状の装着部と平面視で重畳する領域、及び、筐体とベルト状の装着部との境界と平面視で重畳する領域に連続的に設けられ、第3表示領域は、第1表示領域と第2表示領域との間に設けられ、第1表示領域は、筐体と平面視で重畳する領域に、第2表示領域は、ベルト状の装着部と平面視で重畳する領域に、第3表示領域は、境界と平面視で重畳する領域に設けられる。
本発明の一実施形態に係る表示装置の外観の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る画素の等価回路の一例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る画素の平面レイアウトを示す図である。 本発明の一実施形態に係る画素の平面レイアウトを示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る画素の平面レイアウトを示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る画素の平面レイアウトを示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 第1表示領域〜第3表示領域の表示制御を説明するタイミングチャートである。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。 第1表示領域及び第3表示領域の表示制御を説明するタイミングチャートである。 (A)は、第1表示領域に入力される走査信号及び第3表示領域に入力される走査信号のタイミングチャートであり、(B)は、図8に示す画素配列における第1表示領域と第3表示領域の一部を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の電気的な構成を説明する図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
また、本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとすることができる。特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板に対して表示素子が配置される側を「上」又は「上面」といい、その逆を「下」又は「下面」として説明する。
また、本明細書において「αはA、B又はCを含む」、「αはA,B及びCのいずれかを含む」、「αはA,B及びCからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはA〜Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
(第1実施形態)
本発明の一実施形態に係る表示装置1の構成について、図1乃至図7を参照して説明する。
<表示装置の構成の概要>
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置1の外観の構成を示す斜視図である。図2は、表示装置1を図1の矢印A方向から見たときの断面図である。表示装置1は、腕時計型またはリストバンド型の表示装置である。表示装置1は、第1表示領域10と、第2表示領域20と、第3表示領域30と、制御基板40と、FPC(Flexible Printed Circuits)50と、基板60と、筐体15と、装着部(ベルト)70と、を有する。なお、図2では、装着部70及び筐体15を破線で示す。
第1表示領域10は、表示装置1におけるメイン画面であり、筐体15に設けられる。第2表示領域20及び第3表示領域30は、表示装置1におけるサブ画面である。第2表示領域20は、装着部70に設けられ、第3表示領域30は、筐体15と装着部70との間の折曲領域に設けられる。また、第1表示領域10〜第3表示領域30は、静止画又は動画の画像を表示する。第1表示領域10、第2表示領域20、及び第3表示領域30は一連の画像を表示してもよいし、第1表示領域10と、第2表示領域20及び第3表示領域30と、で異なる画像を表示してもよい。また、第1表示領域10〜第3表示領域30は、各々異なる画像を表示してもよい。
図2に示すように、第1表示領域10、第2表示領域20、および第3表示領域30は、基板60の上に形成されている。基板60は、例えば、樹脂などを用いた可撓性を有する基板である。この場合、基板60は、外力に応じて変形する(例えば、折り畳むまたは撓む)ことが可能である。
制御基板40は、表示装置1を制御する制御回路が実装された基板である。制御基板40は、例えばPCB(Printed Circuit Board)基板である。制御基板40は、例えば第1表示領域10の裏面側に折り返されて、筐体15の内部に格納されている。制御基板40は、各種信号(例えば、後述するタイミング制御信号、制御信号、および映像信号)、および電源電位を出力する。
FPC50は、制御基板40と基板60とを物理的にかつ電気的に接続するフレキシブル配線基板である。FPC50の一端側はコネクタ(図示略)を介して制御基板40と接続され、他端側は圧着などにより基板60と接続される。FPC50は、制御基板40から供給された各種信号および電源電位を、第1表示領域10、第2表示領域20、及び第3表示領域30に出力する。装着部70は、柔軟性を有する素材で形成された帯状の部材である。装着部(ベルト)70は、ユーザの身体の部位、より詳細には、ユーザの腕(手首)に巻き回されることにより装着される。
このように、本発明の一実施形態に係る表示装置1は、ユーザの腕(手首)に巻き回すことで装着することができる。このとき、筐体15に設けられる第1表示領域10は、平坦な形状で固定され、装着部70に設けられる第2表示領域20は、緩やかに湾曲する。そして、第1表示領域10が筐体15に固定された状態で、第2表示領域20を湾曲させるため、間に設けられる第3表示領域30には、折り曲げによる応力が加わる。これにより、第3表示領域30に設けられた画素の配線が断線して表示不良が生じるおそれがある。
そこで、本発明の一実施形態に係る表示装置1は、繰り返し折り曲げられる可能性がある第3表示領域30の解像度を、第1表示領域10の解像度よりも低くする。言い換えると、第3表示領域30に配置される画素密度を、第1表示領域10に配置される画素密度よりも低くする。また、第3表示領域30の画素密度を低くすることで生じたスペースにおいて、配線の幅を大きくする。これにより、第3表示領域30において、基板60が繰り返し折り曲げられることによって応力が加わっても、配線が断線することを抑制することができる。
<表示装置の電気的な構成>
図3は、本発明の一実施形態に係る表示装置1の電気的な構成を説明する図である。図3には、基板60を平面視したときの図を示す。図3に示すように、基板60の短辺方向(X方向)を第1方向とし、第1方向に交差する長辺方向(Y方向)を第2方向とする。
基板60上には、第1表示領域10、第2表示領域20、第3表示領域30、ICドライバ62、走査線駆動回路63(1)〜63(3)、及び端子部61が設けられている。ICドライバ62、走査線駆動回路63(1)〜63(3)、及び端子部61は、基板60の周辺領域に設けられている。具体的には、ICドライバ62及び端子部61は、第1方向に沿って配置され、走査線駆動回路63(1)〜63(3)は、第2方向に沿って配置される。ICドライバ62は、制御基板40から入力された各種の制御信号を、第1表示領域10〜第3表示領域30に供給する。なお、図3では、ICドライバ62には、信号線駆動回路が含まれている場合を図示するが、ICドライバ62とは別に、信号線駆動回路が設けられていてもよい。
第1表示領域10には、複数の第1画素81がマトリクス状に配置されている。第1画素81は、第1方向に沿って配置された第1走査線11(1)〜11(m)と、第2方向に沿って配置された第1信号線12(1)〜12(n)と電気的に接続される。第1走査線11(1)〜11(m)は走査線駆動回路63(1)と電気的に接続され、第1信号線12(1)〜12(n)は、ICドライバ62と電気的に接続される。
第2表示領域20には、複数の第2画素82がマトリクス状に配置されている。第2画素82は、第1方向に沿って配置された第2走査線21(1)〜21(3)・・・と、第2方向に沿って配置された第1信号線12(1)〜12(n)と電気的に接続される。第2走査線21(1)〜21(3)・・・は走査線駆動回路63(2)と電気的に接続され、第1信号線12(1)〜12(n)は、ICドライバ62と電気的に接続される。
第3表示領域30には、複数の第3画素83がマトリクス状に配置されていない。第3画素83は、第1方向に沿って配置された第3走査線31(1)〜31(3)・・・と、第2方向に沿って配置された第1信号線12(1)と電気的に接続される。つまり、第3画素83は、複数の第1信号線12につき1列の割合で配置される。第3信号線32(1)〜31(3)・・・は走査線駆動回路63(3)と電気的に接続され、第1信号線12(1)〜12(n)は、ICドライバ62と電気的に接続される。
第3表示領域30では、第3画素83は複数の第1信号線12につき1列の割合で設けられるため、第3表示領域30の画素密度は、第1表示領域10の画素密度及び第2表示領域の画素密度よりも低い。例えば、第3表示領域30の画素密度を、第1表示領域10の1/3とする。具体的には、第3表示領域30において、3列の第1信号線12につき1列の割合で第3画素83を接続する。
以下、本実施形態では、第3表示領域30の画素密度は、第1表示領域10の画素密度の1/3である場合について説明する。なお、第2表示領域20の画素密度は、第1表示領域10の画素密度を超えなければよく、特に限定されない。また、第1表示領域10、第2表示領域20、及び第3表示領域30には、第1方向及び第2方向の少なくとも一方に配置された駆動電源線が配置される。当該駆動電源線は、第1画素81、第2画素82、及び第3画素83のそれぞれと接続されるが、以降の説明において、図示を省略する場合がある。
<第3表示領域の構成>
図4は、第1表示領域10における画素配列及び第3表示領域30における画素配列を説明する図である。以降の説明では、第1信号線12の各々について、第2方向において左端からi番目に位置することを示す場合は、符号の末尾に「(i)」(iは自然数)を付して示す。
図4では、第1走査線11(m−2)〜11(m)、第3走査線31(1)〜31(3)、第1信号線12(1)〜(i)、第1画素81(m、1)〜81(m、3)、及び第3画素83(1、1)、(4、1)、(7、1)を示す。以降の説明において、第1走査線11(m−2)〜11(m)のそれぞれを区別しない場合には、第1走査線11と記載する。また、第3走査線31(1)〜31(3)、第1信号線12(1)〜(i)、及び第1画素81(1、m)〜81(3、m)及び第3画素83(1、1)、(4、1)、(7、1)についてもそれぞれを区別しない場合には、第3走査線31、第1信号線12、第1画素81、及び第3画素83と記載する。また、第1走査線11のm行目、第1信号線12の1列目と接続された第1画素81を、第1画素81(1、m)と示し、第3走査線31の1行目、第1信号線12の4列目と接続された配置された第3画素83を、第3画素(4、1)と示す。なお、図4では、第1方向及び第2方向の少なくとも一方に配置される駆動電源線については図示を省略している。
第1画素81、第2画素82、及び第3画素83は、発光素子を含み、発光素子は、例えば、赤(R)、緑(G)、及び青(B)のうちのいずれか一の色で発光する。以下で示す図面において、同じ色で発光する画素については、同じハッチングパターンで示す。
第1表示領域10において、第1信号線12(1)には、赤色に発光する第1画素81(1、m)が接続されており、第1信号線12(2)には、緑色に発光する第1画素81(2、m)が接続されており、第1信号線12(3)には、青色に発光する第1画素81(3、m)が接続されている。第1表示領域10では、赤色に発光する第1画素81(1、m)、緑色に発光する第1画素81(2、m)、青色に発光する第1画素81(3、m)が全て発光することで、白表示にすることができる。
第3表示領域30は、第1表示領域10と比較して画素密度が低い。具体的には、第3表示領域30において、第1信号線12(1)には、赤色に発光する第3画素83(1、1)が接続されている。第1信号線12(4)には、緑色に発光する第3画素83(1、4)が接続されている。第1信号線12(7)には、青色に発光する第3画素83(1、7)が接続されている。ここで、第1信号線12(2)(3)、(5)、(6)、(8)、(9)には、第3画素83が接続されない。第3表示領域30では、赤色に発光する第3画素83(1、1)、緑色に発光する第3画素83(4、1)、青色に発光する第3画素83(7、1)が全て発光することで、白表示にすることができる。
<画素の等価回路>
図5は、第1画素81の等価回路である。図示しないが、第2画素82及び第3画素83の等価回路は、第1画素81の等価回路と同様である。
図5に示すように、第1画素81は、トランジスタ110と、トランジスタ120と、発光素子130と、容量素子140と、を有する。
トランジスタ110は、駆動トランジスタとして機能する。すなわち、トランジスタ110は、発光素子130に接続され、発光素子130の発光輝度を制御するトランジスタである。発光素子130は、画素電極と、発光層を含む有機層と、対向電極と、を有する。トランジスタ110は、ゲートがトランジスタ120のソース又はドレインの一方と接続され、ソースが駆動電源線13に接続され、ドレインが発光素子130の陽極(画素電極)に接続されている。トランジスタ110は、ゲート−ソース間電圧よってドレイン電流が制御される。容量素子140は、ゲート−ソース間電圧を保持するように、トランジスタ110のゲート−ソース間に接続されている。
トランジスタ120は、選択トランジスタとして機能する。すなわち、トランジスタ120は、オンオフ動作により、第1信号線12とトランジスタ110のゲートとの導通状態を制御する。トランジスタ120は、ゲートが第1走査線11に接続され、ソースが第1信号線12に接続され、ドレインがトランジスタ110のゲートに接続されている。
発光素子130は、有機発光ダイオード(Organic Light−Emitting Diode:OLED)を含む。発光素子130は、陽極(画素電極)がトランジスタ110のドレインに接続され、陰極(対向電極)が基準電源線14に接続されている。
<平面レイアウト図>
図6は、第1表示領域10に設けられる第1画素81の平面レイアウトである。図6に示す第1画素81は、第3表示領域30と隣接する画素である。図示しないが、第2画素82の平面レイアウトは、第1画素81の平面レイアウトと同様である。なお、半導体層115、116と、配線層111及び導電層117との間にはゲート絶縁膜が設けられる。また、配線層111及び導電層117と、配線層112、113及び導電層118との間に第1層間絶縁膜が設けられる。また、配線層112、113及び導電層118と、配線層114との間に第2層間絶縁膜が設けられる。さらに、配線層114と、透明導電層121との間に平坦化膜が設けられる。図6では、ゲート絶縁膜、第1層間絶縁膜、第2層間絶縁膜、及び平坦化膜の図示を省略する。
図6に示すように、第1方向に沿って配線層111及び配線層114が配置されており、第2方向に沿って、配線層112及び配線層113が配置されている。また、配線層111と重なるように半導体層116が設けられ、導電層117と重なるように半導体層115が設けられている。半導体層115に導電層117が重なる領域は、トランジスタ110のチャネル領域として機能し、半導体層116に配線層111が重なる領域は、トランジスタ120のチャネル領域として機能する。ここで、トランジスタ110のチャネルの幅をW5とし、トランジスタ120のチャネルの幅をW6とする。配線層111は、トランジスタ120のゲート及び第1走査線11として機能し、配線層112は、トランジスタ120のソース電極又はドレイン電極、及び第1信号線12として機能する。また、配線層114は、トランジスタ110のソース電極又はドレイン電極、及び駆動電源線として機能する。また、配線層113は、駆動電源線として機能すする。また、半導体層115と、ゲート絶縁膜、導電層117とで、容量素子140が形成される。
半導体層116のソース領域又はドレイン領域の一方は、配線層112と接続されており、ソース領域又はドレイン領域の他方は、導電層118が接続されている。また、半導体層115のソース領域又はドレイン領域の一方は、配線層114が接続されており、半導体層115のソース領域又はドレイン領域の他方は、導電層119が接続されている。また、半導体層116は、導電層118を介して、導電層117と接続されている。導電層119は、透明導電層121と接続されている。透明導電層121は、発光素子130の画素電極として機能する。
配線層112及び配線層113は、第2方向に延在するため、第3表示領域30にも設けられる。配線層111の幅は、第1表示領域10に設けられる場合と、第3表示領域30に設けられる場合とで異なることが好ましい。第3表示領域30の画素密度は、第1表示領域10の画素密度よりも低い。そのため、配線層112の幅は、第1表示領域10に設けられる幅W1よりも、第3表示領域30に設けられる幅W2を大きくすることができる。第3表示領域30は、ベルトの折り曲げに伴い負荷がかかる。第3表示領域30における第2方向に沿って設けられる配線層111の幅W2を、幅W1よりも大きくすることにより、基板60を繰り返し折り曲げても配線の断線を抑制することができる。なお、駆動電源線として機能する配線層113についても配線層112と同様に、第1表示領域10に設けられる幅W3よりも、第3表示領域30に設けられる幅W4を大きくすることが好ましい。
<平面レイアウト図>
図7は、第3表示領域30に設けられる第3画素83の平面レイアウトである。図7に示す配線層131、134は、図6に示す配線層111、114にそれぞれ対応し、半導体層135、136は、半導体層115、116にそれぞれ対応し、導電層137〜139は、導電層117〜119にそれぞれ対応し、透明導電層141は、透明導電層121に対応する。配線層131、134、半導体層135、136、導電層137〜139、及び透明導電層121の機能及び配置は、図6と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、図7においても、図6と同様に、ゲート絶縁膜、第1層間絶縁膜、第2層間絶縁膜、及び平坦化膜が設けられるが、これらの図示を省略する。また、図7では、配線層112、113は、第1表示領域10から延在する導電層として図示しているが、配線層112、113とは異なる導電層であってもよい。また、トランジスタ150は、トランジスタ110に対応し、トランジスタ150のチャネル幅W7は、チャネル幅W5と同じである。トランジスタ160は、トランジスタ120に対応し、トランジスタ160のチャネル幅W8は、チャネル幅W6と同じである。
図6に示す平面レイアウトと異なる点は、配線層112の幅W2及び配線層113の幅W4が、配線層112の幅W1及び配線層113の幅W2と比較して大きいことである。
第1表示領域10では、表示の精細度を高めるために配線の幅を細くすることが望ましい。一方で、第3表示領域30では、第1表示領域10と同じような配線の幅とすると、基板60の折り曲げに耐えられず配線が断線してしまう。そこで、第3表示領域30では、第1表示領域10と比較して画素密度が低くすると、第1画素81よりも第3画素83の一つ当たりの面積を大きくすることができる。これにより、第1画素81の第1信号線12の幅よりも第3画素83の第1信号線12の幅を大きくすることができる。特に、第2方向に延びる第1信号線12の第1方向における幅を大きくすることができる。これにより、第3表示領域30において、基板60を第1方向に沿って折り曲げても第1信号線12が断線することを抑制することができる。したがって、第3表示領域30における表示不良を低減することができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態において説明した第3表示領域30の画素配列と、一部異なる画素配列について、図8乃至図11を参照して説明する。
図8は、第1表示領域10における画素配列と、第3表示領域30における画素配列を示す図である。
図8では第1走査線11(m−2)〜11(m)、第3走査線31(1)〜31(3)、第1信号線12(1)〜(i)、及び第1画素81(1、m)〜81(3、m)及び第3画素83(3、1)、83(6、1)、83(9、1)を示す。なお、図8では、第1方向及び第2方向の少なくとも一方に配置される駆動電源線については図示を省略している。また、図8に示す第1表示領域10の画素配列は、図4に示す第1表示領域10の画素配列と同様であるため、詳細な説明は省略する。
第3表示領域30では、第1表示領域10と比較して画素密度が低い点は同様であるが、画素配列が異なっている。具体的には、第3表示領域30において、第1信号線12(3)には、赤色に発光する第3画素83(3、1)が接続されており、第1信号線12(6)には、緑色に発光する第3画素83(6、1)が接続されている。第1信号線12(9)には、青色に発光する第3画素83(9、1)が接続されている。ここで、第1信号線12(1)(2)、(4)、(5)、(7)、(8)には、第3画素83が接続されていない。第3表示領域30では、赤色を発光する第3画素83(3、1)、緑色を発光する第3画素83(6、1)、青色を発光する第3画素83(9、1)が全て発光することで、白表示にすることができる。
図8に示すように、第3表示領域30では、第1信号線12(1)、(2)に第3画素83を接続しない。そのため、第1信号線12(2)、(3)を、第1信号線12(1)側に寄せることができる。これにより、第1画素81よりも第3画素83の一つ当たりの面積を大きくすることができる。したがって、第1表示領域10における第1信号線12(1)、(2)、(3)の幅よりも、第3表示領域30における第1信号線12(1)、(2)、(3)の幅を大きくすることができる。これにより、第3表示領域30において、基板60を第1方向に沿って折り曲げても第1信号線12が断線することを抑制することができる。したがって、第3表示領域30における表示不良を低減することができる。
(変形例1)
次に、図8に示す画素配列における第3画素83の変形例について、図9を参照して説明する。
第3表示領域30の画素密度を、第1表示領域10の画素密度の1/3とする場合、第3表示領域30において発光輝度が低下する場合がある。第3表示領域30の発光輝度が低下すると、第1表示領域10及び第2表示領域20の表示の明るさが、第3表示領域30の表示の明るさと異なってしまう可能性がある。つまり、第1表示領域10〜第3表示領域30にかけて画像を表示した場合に、第3表示領域30の画像が暗くなってしまうことがある。第1表示領域10の輝度と第3表示領域30の輝度を合わせるために、第3表示領域30において第1信号線12に印加される電圧を、第1表示領域10において第1信号線12に印加される電圧よりも高くしてもよい。この場合は、第1表示領域10と第3表示領域30とのそれぞれに、信号線駆動回路が必要となる。
そこで、図9に示すように、第3画素83Aにおける駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W7を、第1画素81における駆動用のトランジスタ110のチャネル幅W5よりも大きくする。
<平面レイアウト図>
図9は、第3表示領域30に設けられる第3画素83Aの平面レイアウトである。図9では、トランジスタ150のチャネル幅W7を、トランジスタ110のチャネル幅W5よりも大きくすること以外は、図5に示す第3画素83の平面レイアウトと同様である。
本実施形態では、第3表示領域30の画素密度を、第1表示領域10の画素密度の1/3としているため、第3画素83のトランジスタ150のチャネル幅W9を、第3画素83のトランジスタ110のチャネル幅W5の3倍にする。これにより、第3画素83の発光素子130の電流密度は、第1画素81の発光素子130電流密度の3倍になる。そのため、第1画素81の発光面積と、第3画素83の発光面積とが同じである場合、第3画素83の発光強度は、第1画素81の発光強度の3倍になる。これにより、第3表示領域30の画素密度が、第1表示領域10の画素密度の1/3になっても、見かけ上の第1表示領域10の輝度と第3表示領域30の輝度を概ね同等とすることができる。したがって、第1表示領域10から第3表示領域30にかけて画像を表示した場合であっても、画像の明るさを概ね同じにすることができる。また、第1表示領域10と第3表示領域30とで、異なる信号線駆動回路を用いる必要がなくなる。
(変形例2)
次に、第1表示領域10における第1画素81の発光面積と、第3表示領域30における第3画素83の発光面積との関係について、図10を参照して説明する。
第3表示領域30の画素密度を、第1表示領域10の画素密度の1/3とする場合、第3表示領域30において発光輝度が低下する場合がある。第3表示領域30の発光輝度が低下すると、第1表示領域10及び第2表示領域20の表示の明るさが、第3表示領域30の表示の明るさと異なってしまう可能性がある。つまり、第1表示領域10〜第3表示領域30にかけて画像を表示した場合に、第3表示領域30の画像が暗くなってしまうことがある。
そこで、図10に示すように、第3画素83における発光面積S3を、第1画素81における発光面積S1よりも大きくする。また、図10に対応する第3画素83の平面レイアウトは、図9に示す平面レイアウトを参照すればよい。
図10は、第1表示領域10における第1画素81の発光面積S1と、第3表示領域30における第3画素83の発光面積S3を示す図である。図10において、第1画素81と第3画素83の画素配列は、図8に示す画素配列に対応している。
本実施形態では、第3表示領域30の画素密度を、第1表示領域10の画素密度の1/3としているため、第3画素83の発光面積を、第3画素83の発光面積の3倍にする。これにより、第3画素83の発光強度は、第1画素81の発光強度の3倍になる。これにより、第3表示領域30の画素密度が、第1表示領域10の画素密度の1/3になっても、見かけ上の第1表示領域10の輝度と第3表示領域30の輝度を概ね同等とすることができる。したがって、第1表示領域10から第3表示領域30にかけて画像を表示した場合であっても、画像の明るさを概ね同じにすることができる。
(変形例3)
次に、図11に示す第3画素83の平面レイアウトにおける選択用のトランジスタ160と容量素子170との関係について説明する。
図11に示す第3画素83では、駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W9を、第1画素81の駆動用のトランジスタ110のチャネル幅W7の3倍にしている。そのため、トランジスタ150のゲートのゲート−ソース間の容量CGSは、トランジスタ110のゲート−ソース間の容量CGSの3倍となる。一方で、第1画素81の駆動用のトランジスタ110のゲート−ソース間の容量CGSと容量素子140の容量Csとの合計値と、第3画素83の駆動用のトランジスタ150のゲート−ソース間の容量CGSと容量素子170の容量Csとの合計値とが同じであれば、第1画素81の選択用のトランジスタ120のチャネル幅W6と、第3画素83の選択用のトランジスタ160のチャネル幅W8とが、同じであってもよい。したがって、第3画素83において、駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W9を、チャネル幅W7の3倍にする場合は、第3画素83の容量素子170の容量Csを、第1画素81の容量素子140の容量Csよりも小さくするとよい。
選択用のトランジスタ120、160は、デザインルールの最小値で設けられるため、駆動用のトランジスタ110、150と比較すると、配線層のレイアウトに制限がある。したがって、駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W9を大きくしたとしても、容量素子140の容量の大きさを変更することで、選択用のトランジスタ160のチャネル幅W8を、トランジスタ110のチャネル幅W5と同じにすることができる。そのため、第3画素83の平面レイアウトの設計を容易にできる。
(変形例4)
次に、図10に示すように、第3画素83における発光面積S3を、第1画素81における発光面積S1よりも大きくした場合の、第1画素81の輝度と、第3画素83の輝度との関係について説明する。
第1表示領域10において、青色の第1画素81(3、m)、(6、m)、(9、m)を発光させる場合、第3表示領域30では、赤色の第3画素83(3、1)、緑色の第3画素83(6、1)、青色の第3画素(9、1)が発光してしまう可能性ある。よって、第1表示領域10では、青色の表示になっているにも関わらず、第3表示領域30では、白色の表示になってしまう場合がある。この場合、第1表示領域10と第3表示領域30において、画像が不連続になってしまう可能性がある。
そこで、第3表示領域30における第3画素83の輝度を以下のように設定する。例えば、第1画素81(1、m)の輝度をa、第1画素81(2、m)の輝度をb、第1画素81の輝度を(3、m)をcとした場合、第3画素83(3、1)の輝度Lrは、次のいずれかに設定する。
Lr=a or b or c
Lr=(a+b+c)/3
Lr=MAX(a、b、c)
Lr=MIN(a、b、c)
上記の通り、第3画素83(3、1)の輝度を設定することにより、第1表示領域10において、青色の第1画素81(3、m)、(6、m)、(9、m)を発光させる場合であっても、第3表示領域30において、赤色の第3画素83(3、1)、緑色の第3画素83(6、1)、青色の第3画素83(9、1)が発光してしまうことを抑制することができる。これにより、第1表示領域10と第3表示領域30の表示とにおいて、画像が不連続になることを抑制することができる。
(第3実施形態)
本実施形態では、第1実施形態に示す第3表示領域30における画素配列とは一部異なる画素配列について、図12乃至図16参照して説明する。
図12は、図3に示す表示装置1の電気的な構成とは一部異なる電気的な構成について説明する図である。図12では、第1表示領域10と第3表示領域30との間に、マルチプレクサ64が設けられ、第3表示領域30と第2表示領域20との間に、デマルチプレクサ65が設けられている。
第1表示領域10では、マルチプレクサ64が、M本(Mは2以上の自然数)の第1信号線12の各々に対応して設けられている。マルチプレクサ64は、M本の第1信号線12のいずれかを選択的に、第3表示領域30の第3信号線32と電気的に接続させる。本実施形態では、M=3である。このため、第3表示領域30における第3信号線32の数は、第1表示領域10が有する第1信号線12の数の1/3である。すなわち、第3表示領域30における配線密度を、第1表示領域10における配線密度よりも低くすることができる。
第2表示領域20では、デマルチプレクサ65が、N本(Nは2以上の自然数)の第2信号線22の各々に対応して設けられている。デマルチプレクサ65は、第3信号線32を、N本の第2信号線22のいずれかと電気的に接続させる。本実施形態では、N=3である。このため、第2表示領域20における第2信号線22の数は、第1表示領域10が有する第1信号線12の数と同じであり、第3表示領域30が有する第3信号線32の数の3倍である。すなわち、第3表示領域30における配線密度を、第2表示領域20における配線密度よりも低くすることができる。
図13及び図14は、第1信号線12、第2信号線22、及び第3信号線32の電気的な接続を説明する図である。以下の説明では、第1信号線12、第2信号線22、第3信号線32、マルチプレクサ64、及びデマルチプレクサ65の各々について、左端からi番目に位置することを示す場合は、符号の末尾に「(i)」(iは自然数)を付して表す。また、第1信号線12、第2信号線22、及び第3信号線32のそれぞれには、第1画素81、第2画素82、及び第3画素83が接続されるが、第1画素81、第2画素82、及び第3画素83については図示を省略する。
図13に示すように、マルチプレクサ64(1)は、第1信号線12(1)〜12(3)と、第3信号線32(1)と接続されている。また、デマルチプレクサ65(1)は、第3信号線(1)と、第2信号線22(1)〜22(3)と接続されている。マルチプレクサ64(1)は、制御信号MUX1、MUX2、MUX3に応じて、第1信号線12(1)〜12(3)に入力された映像信号In(1)〜(3)を切り替えて、映像信号D(1)として第3信号線32(1)に出力する。デマルチプレクサ65(1)は、制御信号DEMUX1、DEMUX2、DEMUX3に応じて、第3信号線32(1)に入力された映像信号D(1)を、映像信号OUT(1)〜OUT(3)として、第2信号線22(1)〜第2信号線22(3)のいずれかに出力する。
図14に示すように、マルチプレクサ64(1)は、トランジスタ201(1)〜201(3)を含む。トランジスタ201(1)のゲートは、制御信号MUX1が入力される制御端子と接続され、ソース又はドレインの一方は、第1信号線12(1)と接続され、ソース又はドレインの他方は、第3信号線32(1)と接続される。また、トランジスタ201(2)のゲートは、制御信号MUX2が入力される制御端子と接続され、ソース又はドレインの一方は、第1信号線12(2)と接続され、ソース又はドレインの他方は、第3信号線32(1)と接続される。また、トランジスタ201(3)のゲートは、制御信号MUX3が入力される制御端子と接続され、ソース又はドレインの一方は、第1信号線12(1)と接続され、ソース又はドレインの他方は、第3信号線32(3)と接続される。
図14に示すように、デマルチプレクサ65(1)は、トランジスタ202(1)〜202(3)を含む。トランジスタ202(1)のゲートは、制御信号DEMUX1が入力される制御端子と接続され、ソース又はドレインの一方は、第2信号線22(1)と接続され、ソース又はドレインの他方は、第3信号線32(1)と接続される。また、トランジスタ202(2)のゲートは、制御信号DEMUX2が入力される制御端子と接続され、ソース又はドレインの一方は、第2信号線22(2)と接続され、ソース又はドレインの他方は、第3信号線32(1)と接続される。また、トランジスタ202(3)のゲートは、制御信号DEMUX3が入力される制御端子と接続され、ソース又はドレインの一方は、第2信号線22(3)と接続され、ソース又はドレインの他方は、第3信号線32(1)と接続される。
第2信号線22には、寄生容量203が存在する。寄生容量203は、一端が第2信号線22と電気的に接続され、他端が接地された容量素子と等価である。寄生容量203は、第2信号線22を流れる映像信号を保持する保持容量として機能する。
次に、表示装置1の表示制御の方法を説明する。図15は、マルチプレクサ64及びデマルチプレクサ65のタイミングチャートである。
次に、図15を用いて、第3表示領域30の表示制御を説明する。以下では、任意の一つの第3走査線31が選択されたときの表示制御をするが、各第3走査線31が選択されたときの表示制御は、映像信号が異なる点を除いて同じである。また、表示制御の開始前においては、制御信号MUX1、MUX2、MUX3、および制御信号DEMUX1、DEMUX2、DEMUX3はすべてローレベルである。
まず、制御基板40は、時刻t11において、信号線駆動回路に、第1信号線12(1)へ映像信号In(1)を、第1信号線12(2)へIn(2)を、第1信号線12(3)へIn(3)をパラレルに出力させる。また、制御基板40は、制御信号MUX1をハイレベルに切り替える。この場合、マルチプレクサ64(1)は、第1信号線12(1)を介して供給された映像信号In(1)を、映像信号D(1)として、第3信号線32(1)に供給する。次に、制御基板40は、時刻t12において制御信号DEMUX1をハイレベルに切り替える。この場合、デマルチプレクサ65(1)は、第3信号線32(1)から供給された映像信号D(1)を、出力信号Out(1)として、第2信号線22(1)に供給する。出力信号Out(1)は、第2信号線22(1)に並列な寄生容量203(1)で保持される。そして、制御基板40は、時刻t13において制御信号DEMUX1をローレベルに切り替える。
時刻t14において、制御基板40は、制御信号MUX2をハイレベルに切り替える。この場合、マルチプレクサ64(1)は、第1信号線12を介して供給された映像信号In(2)を、映像信号D(1)として供給する。制御基板40は、時刻t15において制御信号DEMUX2をハイレベルに切り替える。この場合、デマルチプレクサ65は、第3信号線32(1)から供給された映像信号D(1)を、出力信号Out(2)として、第2信号線22(2)に供給する。出力信号Out(2)は、第2信号線22(2)に並列な寄生容量203(2)で保持される。そして、制御基板40は、時刻t16において制御信号DEMUX2をローレベルに切り替える。
時刻t17において、制御基板40は、制御信号MUX3をハイレベルに切り替える。この場合、マルチプレクサ64は、第1信号線12を介して供給された映像信号In(3)を、映像信号D(1)として供給する。制御基板40は、時刻t18において制御信号DEMUX3をハイレベルに切り替える。この場合、デマルチプレクサ65は、第3信号線32(1)から供給された映像信号D(1)を、出力信号Out(3)として、第2信号線22(3)に供給する。出力信号Out(3)は、第2信号線22(3)に並列な寄生容量203(3)で保持される。そして、制御基板40は、時刻t19において制御信号DEMUX3をローレベルに切り替える。
次に、制御基板40は、時刻t20において、信号線駆動回路に映像信号In(1),In(2),In(3)の出力を停止させ、第1信号線12(4)へ映像信号In(4)を、第1信号線12(5)へIn(5)を、第1信号線12(6)へIn(6)をパラレルに出力させる。また、制御基板40は、制御信号MUX1をハイレベルに切り替える。この場合、マルチプレクサ64(2)は、第1信号線12を介して供給された映像信号In(4)を、映像信号D(2)として、第3信号線32(2)に供給する。制御基板40は、時刻t21において、制御信号DEMUX1をハイレベルに切り替える。この場合、デマルチプレクサ65(2)は、第3信号線32(2)から供給された映像信号D(2)を、出力信号Out(4)として、第2信号線22(4)に供給する。出力信号Out(4)は、第2信号線22(4)に並列な寄生容量203(4)で保持される。そして、制御基板40は、時刻t22において、制御信号DEMUX1をローレベルに切り替える。
次に、制御基板40は、時刻t23において、制御信号MUX2をハイレベルに切り替える。この場合、マルチプレクサ64(2)は、信号線駆動回路から第1信号線12を介して供給された映像信号In(5)を、映像信号D(2)として、第3信号線32(2)に供給する。制御基板40は、時刻t24において、制御信号DEMUX2をハイレベルに切り替える。この場合、デマルチプレクサ65(2)は、第3信号線32(2)から供給された映像信号D(2)を、出力信号Out(5)として、第2信号線22(5)に供給する。出力信号Out(5)は、第2信号線22(5)に並列な寄生容量203(5)で保持される。そして、制御基板40は、時刻t25において、制御信号DEMUX2をローレベルに切り替える。
次に、制御基板40は、時刻t26において、制御信号MUX3をハイレベルに切り替える。この場合、マルチプレクサ64(2)は、信号線駆動回路から第1信号線12を介して供給された映像信号In(6)を、映像信号D(2)として、第3信号線32(2)に供給する。制御基板40は、時刻t27において、制御信号DEMUX3をハイレベルに切り替える。この場合、デマルチプレクサ65(2)は、第3信号線32(2)から供給された映像信号D(2)を、出力信号Out(6)として、第2信号線22(6)に供給する。出力信号Out(6)は、第2信号線22(6)に並列な寄生容量203(6)で保持される。そして、制御基板40は、時刻t28において制御信号DEMUX3をローレベルに切り替える。制御基板40は、時t29において制御信号MUX3をローレベルに切り替え、信号線駆動回路に映像信号In(4)、In(5)、In(6)の出力を停止させる。
以降においても、制御基板40は、マルチプレクサ64に接続される第1信号線12にパラレルに映像信号を供給して、上述した表示制御を行う。
(変形例5)
本実施形態の表示装置1は、デマルチプレクサ65に代えて、第2信号線22に供給する映像信号を保持する複数のメモリを有する場合について、図16を参照して説明する。この変形例では、信号線駆動回路が供給する映像信号は、デジタル形式であるものとする。
図16は、表示装置1のメモリ周辺の構成を説明する図である。メモリ66(1)〜(3)は、デマルチプレクサ65(1)に対応し、メモリ66(4)〜(6)は、デマルチプレクサ65(2)に対応する。メモリ66(1)は、クロックドインバータ205、206、およびインバータ207を備える。DEMUX1がハイレベルであるとき、メモリ66(1)のクロックドインバータ205はオンし、クロックドインバータ206はオフする。このため、第3信号線32(1)と第2信号線22(1)とが導通する。一方、DEMUX2およびDEMUX3はローレベルであるため、メモリ66(2)およびメモリ66(3)のクロックドインバータ205はオフで、クロックドインバータ206はオンする。このため、第3信号線32(1)と、第2信号線22(2)および第2信号線22(3)の各々とは非導通である。
DEMUX1がハイレベルであるとき、映像信号D(1)が第2信号線(1)に供給される。このとき、クロックドインバータ205は、インバータ207とともにラッチ回路を構成する。DEMUX1がローレベルに切り替わると、クロックドインバータ206はオフし、クロックドインバータ205はオンする。このため、第3信号線32(1)からの映像信号D(1)はメモリ66(1)に供給されないが、保持した映像信号In(1)が第2信号線22(1)に供給される。
同様に、DEMUX2がハイレベルになると、メモリ66(2)を介して、映像信号D(1)が第2信号線22(2)に供給される。その後、DEMUX2がローレベルに切り替わると、映像信号D(1)はメモリ66(2)に供給されないが、保持した映像信号In(2)が第2信号線22(2)に供給される。DEMUX3がハイレベルになると、メモリ66(3)を介して、映像信号D(1)が第2信号線22(3)に供給される。その後、DEMUX3がローレベルに切り替わると、映像信号D(1)はメモリ66(3)に供給されないが、保持した映像信号In(3)が第2信号線22(3)に供給される。
以上説明したとおり、デマルチプレクサ65(1)に代えて66(1)〜(3)が設けられた場合でも、表示装置1は、第3信号線32を介して第2信号線22に映像信号を供給することができる。
(変形例6)
本実施形態では、図13、図14において、第3信号線32(1)〜(i)のそれぞれに第3画素83を設ける例について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。例えば、図13、図14において、第3信号線32(1)には、第3画素83を接続し、第3信号線32(2)に第3画素83を接続しない構成としてもよい。
(第3実施形態)
本実施形態では、先の実施形態において説明した第3表示領域30の画素配列と、一部異なる画素配列について、図17及び図18を参照して説明する。
図4又は図8に示す第1表示領域10の画素配列及び第3表示領域30における画素配列では、第1表示領域10が白表示(赤色、緑色、青色が全て発光)、第3表示領域30が白表示の場合、RGBの信号電位はそれぞれ異なる。つまり、第1信号線12(3)において、第1表示領域10では、青色に発光する第1画素81が接続され、第3表示領域30では、赤色に発光する第3画素83が接続される。また、第1信号線12(6)において、第1表示領域10では、青色に発光する第1画素81が接続され、第3表示領域30では、緑色に発光する第3画素83が接続される。第1表示領域10の青色に発光する第1画素81は、信号線とのカップリングによって輝度差がでるため、列方向に筋が見える場合がある。
そこで、図17に示す第3表示領域30では、第3画素83の信号電位と、第1画素81の信号電位とを合わせることで、第1表示領域10の輝度と、第3表示領域30との輝度を合わせることができる。具体的には、第1信号線12(7)に、赤色の発光する第1画素81が接続され、赤色の発光する第3画素83が接続される。また、第1信号線12(8)に、緑色の発光する第1画素81が接続され、緑色の発光する第3画素83が接続される。また、第1信号線12(9)に、青色の発光する第1画素81が接続され、青色の発光する第3画素83が接続される。
(変形例7)
次に、第1表示領域10における第1画素81の発光面積と、第3表示領域30における第3画素83の発光面積との関係について、図18を参照して説明する。
第3表示領域30の画素密度を、第1表示領域10の画素密度の1/3とする場合、第3表示領域30において発光輝度が低下する場合がある。第3表示領域30の発光輝度が低下すると、第1表示領域10及び第2表示領域20の表示の明るさが、第3表示領域30の表示の明るさと異なってしまう可能性がある。つまり、第1表示領域10〜第3表示領域30にかけて画像を表示した場合に、第3表示領域30の画像が暗くなってしまうことがある。
そこで、図18に示すように、第3画素83における発光面積S3を、第1画素81における発光面積S1よりも大きくする。なお、図18に示す第3画素83の平面レイアウトは、図9に示す平面レイアウトを参照すればよい。
また、第3表示領域30における第3画素83の輝度を以下のように設定する。例えば、赤色に発光する第1画素81(1、m)の輝度をr1、赤色に発光する第1画素81(4、m)の輝度をr2、赤色に発光する第1画素81(7、m)の輝度をr3とした場合、赤色に発光する第3画素83(1、1)の輝度Lrは、次のいずれかで設定する。
Lr=r1 or r2 or r3
Lr=(r1+r2+r3)/3
Lr=MAX(r1、r2、r3)
Lr=MIN(r1、r2、r3)
(第4実施形態)
本実施形態では、第1実施形態に示す第3表示領域30における画素配列とは一部異なる画素配列について、図19を参照して説明する。
図19は、図4に示す第3表示領域30における画素配列とは一部異なる画素配列について説明する図である。第1実施形態では、第3表示領域30において、列方向に画素を間引く例について説明したが、本実施形態では、行方向に画素を間引いている。例えば、第3画素83(1、1)と第3画素83(1、2)との間の長さL3は、第1画素81(1、m−2)と第1画素81(1、m−1)との間の長さL1よりも長い。つまり、第3走査線(1)と第3走査線(2)との間の長さは、第1走査線(m−2)と第1走査線(m−1)との間の長さよりも長い。例えば、長さL3は、長さL1の2〜4倍とするとよい。
第3表示領域30では、第1表示領域10と比較して画素密度を低くする。そのため、第1画素81よりも第3画素83の一つ当たりの面積を大きくすることができるので、第1画素81の第1信号線12の幅よりも第3画素83の第1信号線12の幅を大きくすることができる。例えば、第2方向に延びる第1信号線12の第1方向における幅を大きくすることができる。第3信号線32(1)と第3信号線32(2)との間の領域において、第1信号線12の第1方向における幅を大きくするとよい。これにより、第3表示領域30において、基板60を第1方向に沿って折り曲げても第1信号線12が断線することを抑制することができる。
変形例として、図22に示すような接続としても良い。図19と比較して、第3表示領域30の画素密度は同等であるが、各色が異なる行によって制御されるような接続となっている。この場合、図19と異なり、列方向に画素を間引いた形となるが、第3表示領域30の中で、赤色に発光する第3画素83は、第1表示領域10の中で、同じく赤色に発光する第1画素81が接続された信号線に接続されるようになっている。
(変形例8)
次に、図8に示す画素配列における第3画素83の選択用のトランジスタ160に入力される走査信号について、図20及び図21を参照して説明する。
図8に示す画素配列において、第3信号線32(1)と、第3信号線32(2)との間の長さが長くなると、第3画素83の専有面積を大きくすることができる。その一方で、駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W7を大きくする必要がある。例えば、第3画素83の発光面積を、第1画素81の発光面積の10倍とする場合は、駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W7を、駆動用のトランジスタ110のチャネル幅W5の10倍にする必要がある。その分、駆動用のトランジスタ150のゲート容量が大きくなり、書込みにより長い時間を要するため、選択用のトランジスタ160のゲートに電圧を印加する時間を長くする必要がある。そこで、選択用のトランジスタ160のチャネル幅W8を大きくする方法も取り得るが、変形例3で説明したように選択用のトランジスタ160のチャネル幅W8を変更するには、デザインルールの制約がある。そのため、選択用のトランジスタ160のサイズを変えることなく、ゲートに電圧を印加する時間を長くすることが好ましい。
図20は、第3画素83に入力される走査信号SGの一例である。図21(A)は、第1表示領域10に入力される走査信号と、第3表示領域30に入力される走査信号の関係を示す回路図であり、図21(B)は、図8における画素配列における第1表示領域10と第3表示領域30の一部である。ここでは、説明を簡単にするために、第3画素83の駆動用のトランジスタ150のチャネル幅W7は、第1画素81の駆動用のトランジスタ110のチャネル幅W5の3倍であるとして説明する。
図21(A)に示すように、走査信号SG(N+1)、(N+2)、(N+3)は、NOR回路211に入力される。NOR回路211から出力された信号は、NOT回路212によって反転されて、NOT回路212から走査信号SG(M+1)として、図21(B)に示す第3走査線31(1)に出力される。
図20に示すように、走査信号SG(N+1)は、t3〜t4の間に書き込まれ、走査信号SG(N+2)は、t4〜t5の間に書き込まれ、走査信号SG(N+3)は、t5〜t6の間に書き込まれる。走査信号SG(N+1)〜SG(N+3)を、OR(NOR+NOT)回路を介すことによって、走査信号SG(M+1)とすることができる。走査信号SG(M+1)は、走査信号(N+1)〜(N+3)を足し合わせたt3〜t4の間、t4〜t5の間、t5〜t6の間で、第3信号線32に電圧を印加することができる。これにより、選択用のトランジスタ160のチャネル幅W8を変えることなく、駆動用のトランジスタ150にt3〜t6の間、電圧を印加することができる。また、第1表示領域10及び第3表示領域30のクロックパルスや、スタートパルスを変更する必要がないため、別の走査線駆動回路を用いることが不要となる。
上述した各実施形態では、スイッチはnチャンネル型のトランジスタであったが、pチャンネル型のトランジスタ、nチャンネル型のトランジスタおよびpチャンネル型のトランジスタ、またはそれ以外の素子であってもよい。また、スイッチを構成する素子に応じて、当該スイッチをオンまたはオフするための制御信号が異なる。
また、上述した実施形態では、M,Nの各値が3であったが、2または4以上であってもよい。また、M,Nの値が互いに異なっていてもよい。また、上述した第1〜第4実施形態で説明した各構成は適宜組み合わされてもよい。
上述した実施形態においては、開示例として有機EL表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型の表示装置が挙げられる。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
10:第1表示領域、11:第1走査線、12:第1信号線、13:駆動電源線、14:基準電源線、15:筐体、20:第2表示領域、21:第2走査線、22:第2信号線、30:第3表示領域、31:第3走査線、32:第3信号線、40:制御基板、50:FPC、60:基板、61:端子部、62:ドライバ、63:走査線駆動回路、64:マルチプレクサ、65:デマルチプレクサ、66:メモリ、70:装着部、81:第1画素、82:第2画素、83:第3画素、83A:第3画素、83B:第3画素、110:トランジスタ、111:配線層、112:配線層、113:配線層、114:配線層、115:半導体層、116:半導体層、117:導電層、118:導電層、119:導電層、120:トランジスタ、121:透明導電層、130:発光素子、131:配線層、134:配線層、135:半導体層、136:半導体層、137:導電層、138:導電層、139:導電層、140:容量素子、141:透明導電層、150:トランジスタ、160:トランジスタ、170:容量素子、201:トランジスタ、202:トランジスタ、203:寄生容量、205:クロックドインバータ、206:クロックドインバータ、207:インバータ、211:NOR回路

Claims (10)

  1. 基板上に、第1画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第1表示領域と、第2画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第2表示領域と、第3画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第3表示領域と、を有し、
    前記第3表示領域は、前記第1表示領域と前記第2表示領域との間に設けられ、
    前記第3表示領域における、前記複数の画素の画素密度は、前記第1表示領域における、前記複数の画素密度よりも低く、
    前記第3表示領域における、前記複数の画素の画素密度は、前記第2表示領域における、前記複数の画素密度よりも低く、
    前記第1表示領域、前記第2表示領域、及び前記第3表示領域に亘って連続的に設けられると共に、前記第1画素、前記第2画素、及び前記第3画素が共に電気的に接続された信号線を有することを特徴とする、表示装置。
  2. 前記第1表示領域乃至前記第3表示領域に映像信号を含む制御信号を入力する駆動回路部をさらに有し、
    前記第1表示領域は、前記駆動回路部と前記第3表示領域との間に設けられ、
    前記信号線は、前記駆動回路部と電気的に接続されることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第2表示領域における、前記複数の画素の画素密度は、前記第1表示領域における、前記複数の画素密度を上回らないことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記第1表示領域における、前記複数の画素の画素密度が、前記第3表示領域における、前記複数の画素の画素密度のX倍であるとき、
    前記第3画素の発光面積は、前記第1画素のX倍であることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  5. 筐体と、ベルト状の装着部とを有する表示装置であって、
    基板上に、第1画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第1表示領域と、第2画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第2表示領域と、第3画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置された第3表示領域と、を有し、
    前記基板は、前記筐体と平面視で重畳する領域、前記ベルト状の装着部と平面視で重畳する領域、及び、前記筐体と前記ベルト状の装着部との境界と平面視で重畳する領域に連続的に設けられ、
    前記第3表示領域は、前記第1表示領域と前記第2表示領域との間に設けられ、
    前記第1表示領域は、前記筐体と平面視で重畳する領域に、前記第2表示領域は、前記ベルト状の装着部と平面視で重畳する領域に、前記第3表示領域は、前記境界と平面視で重畳する領域に設けられることを特徴とする、表示装置。
  6. 前記第3表示領域における、前記複数の画素の画素密度は、前記第1表示領域における、前記複数の画素密度よりも低く、
    前記第3表示領域における、前記複数の画素の画素密度は、前記第2表示領域における、前記複数の画素密度よりも低いことを特徴とする、請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記第1表示領域、前記第2表示領域、及び前記第3表示領域に亘って連続的に設けられると共に、前記第1画素、前記第2画素、及び前記第3画素が共に電気的に接続された信号線をさらに有することを特徴とする、請求項5に記載の表示装置。
  8. 前記第1表示領域乃至前記第3表示領域に映像信号を含む制御信号を入力する駆動回路部をさらに有し、
    前記第1表示領域は、前記駆動回路部と前記第3表示領域との間に設けられ、
    前記信号線は、前記駆動回路部と電気的に接続されることを特徴とする、請求項7に記載の表示装置。
  9. 前記第2表示領域における、前記複数の画素の画素密度は、前記第1表示領域における、前記複数の画素密度を上回らないことを特徴とする、請求項5に記載の表示装置。
  10. 前記第1表示領域における、前記複数の画素の画素密度が、前記第3表示領域における、前記複数の画素の画素密度のX倍であるとき、
    前記第3画素の発光面積は、前記第1画素のX倍であることを特徴とする、請求項5に記載の表示装置。
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